CN100373449C - 具有读写为跨磁道的磁化的数据的磁记录盘驱动器 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 298
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/265—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track
- G11B5/2652—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative
- G11B5/2654—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative for recording or erasing
- G11B5/2655—Structure or manufacture of a head with more than one gap for erasing, recording or reproducing on the same track with more than one gap simultaneously operative for recording or erasing with all the gaps disposed within the track or "guard band" between tracks, e.g. with erase gaps operative on track edges, with wide erase gap followed by narrow write gap
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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Abstract
本发明涉及磁记录盘驱动器,其包括具有在同心数据磁道中取向在跨磁道方向上的磁化的盘。该同心数据磁道通过防护带彼此磁分隔开。感应写头使其写磁极和写间隙取向以产生跨磁道方向的磁场。该防护带通过含有沿磁道的磁化来提供磁分隔,在这种情况下,该写头还具有产生数据磁道旁边沿磁道方向上的磁场的擦除磁极和擦除间隙。磁致电阻读头使其自由层磁化方向垂直于盘表面且使其被钉扎层磁化方向平行于盘表面并正交于该自由层磁化方向。该读头可具有在跨磁道方向与它间隔开的侧边磁屏蔽件,从而防止来自相邻数据磁道的磁通到达该读头。
Description
技术领域
本发明总体涉及磁记录盘驱动器。
背景技术
在传统磁记录盘驱动器中盘具有同心数据磁道,数据磁道中的区域在圆周方向或沿磁道方向被磁化。当这些区域通过感应写头被磁化时,数据被记录或写入。写头具有写磁极,当盘旋转经过写头时,写磁极产生在沿磁道方向越过写间隙的写磁场。写入的数据“位”是数据磁道中连续磁化区域之间的转变。这些转变引起通常垂直地进入盘或从盘出来的磁场。随着盘旋转经过读头,当这些场通过磁致电阻读头被探测时,写入的数据位被读回且被盘驱动器的电路处理成数据。
传统磁记录盘驱动器在数据存储密度方面具有天生的限制,因为磁化区域是沿着磁道被磁化的。因为沿数据磁道的磁化区域在沿磁道的方向上彼此磁性相反,每个磁化区域被暴露于来自相邻磁化区域的退磁场中,其影响记录数据的稳定性。随着在增加数据磁道中的位密度的尝试中数据位变得更小,这些退磁场的影响变得更加明显。
需要的是因为不会受到与沿数据磁道的退磁场相关的问题的困扰而可以具有增加的数据记录密度的磁记录盘驱动器。
发明内容
本发明涉及在盘的磁记录层中具有取向在跨磁道(cross-track)方向上的磁化或磁化区域的磁记录磁驱动器、能够写跨磁道的磁化的感应写头、以及能够读跨磁道的磁化的磁致电阻读头。
根据本发明的一个方面,提供一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的磁记录盘,其包括衬底和该衬底上的磁材料的多个基本同心的数据磁道,该数据磁道中的每个和径向相邻的数据磁道被防护带分隔开,其中该防护带由磁材料形成并包括沿磁道磁化的区域;
感应写头,其用于在该数据磁道中的磁材料中产生跨磁道方向上的磁场;
读头,其用于探测被该写头写在该数据磁道中的该跨磁道的磁化;
载具,其用于支持该写头和读头;以及
致动器,其支持该载具,用于定位该写头和读头从而为写和读选择数据磁道。
根据本发明的另一个方面,提供一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的磁记录盘,其包括衬底和该衬底上的磁记录层,该磁记录层包括多个基本同心的数据磁道,每个数据磁道和径向相邻的数据磁道由同心的防护带磁分隔开,其中该防护带由磁材料形成并包括在沿磁道方向上磁化的区域;以及
感应写头,其用于在数据磁道中产生跨磁道方向上的磁场。
根据本发明的再一个方面,提供一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的磁记录盘,其包括衬底和该衬底上的磁记录层,该磁记录层包括含有跨磁道的磁化的多个基本同心的数据磁道,每个数据磁道和径向相邻的数据磁道由同心的防护带磁分隔开,其中该防护带由磁材料形成并包括在沿磁道方向上磁化的区域;以及
读头,其用于探测该数据磁道中的跨磁道的磁化。
该盘可具有磁记录层,其具有彼此磁分隔开的多个同心数据磁道。该盘可以是离散磁道盘(discrete-track disk),其中该数据磁道的磁分隔由和该同心数据磁道隔行的同心非磁防护带(guard band)提供。代替离散磁道盘,该盘可具有通过与数据磁道相同的磁材料形成的但含有圆周的或沿磁道的磁化的同心磁防护带提供的数据磁道的磁分隔。
该感应写头可被支持在盘驱动器头载具(carrier)上,其写磁极和写间隙取向为当该盘旋转经过该写头时在跨磁道的方向上产生磁场。如果该盘具有含沿磁道的磁化的磁防护带,那么该写头还具有通过擦除间隙与写磁极之一间隔开的擦除磁极,该擦除磁极和擦除间隙取向为在数据磁道旁边在沿磁道方向产生磁场从而磁分隔开径向相邻的数据磁道。
该磁致电阻读头可具有被非磁间隔层间隔开的自由铁磁层和被钉扎铁磁层。该读头被支持在盘驱动器头载具上,该自由层磁化方向垂直于盘表面且该被钉扎层磁化方向平行于盘表面并与该自由层磁化方向正交。当暴露于来自该数据磁道中跨磁道磁化的磁场时,该自由层的磁化方向相对于该被钉扎层的固定磁化方向旋转。该读头可位于在径向与该读头间隔开的两个磁侧屏蔽件之间,从而当数据被读取时,防止来自相邻数据磁道的磁通到达该读头。
为了更全面地理解本发明的本质和优点,请结合附图参考下面的详细说明。
附图说明
图1是根据现有技术的除去顶盖的传统磁记录硬盘驱动器的示意性顶视图。
图2A是在图1中2-2方向取得的滑块和部分盘的放大端视图。
图2B是现有技术盘驱动器中的磁记录盘的顶视图,示出具有三个相邻磁道的部分连续磁记录层。
图3是在图2A的3-3方向的视图,示出现有技术盘驱动器中从盘观察时传统读/写头的端部。
图4是在图2A的4-4方向的视图,示出现有技术盘驱动器中在圆周或沿磁道方向的部分传统读/写头和盘。
图5A是放大剖视图,示出构成现有技术盘驱动器中的传统磁致电阻读头的层的堆叠。
图5B是现有技术盘驱动器中的传统磁致电阻读头和数据磁道的分解透视图,用于示意性示出该读头从该盘探测磁场的操作。
图6A是用于本发明的盘驱动器的盘的顶视图,示出同心数据磁道和隔行的同心防护带。
图6B是图6A中盘的一部分的放大视图,示出部分普通数据磁道和普通防护带。
图6C是沿着用于本发明的盘驱动器的部分离散磁道盘的径向截取的剖视图,其中防护带具有从数据磁道的上表面凹陷的上表面。
图6D是沿着用于本发明的盘驱动器的部分离散磁道盘的径向截取的剖视图,其中该防护带和该数据磁道具有连续的基本共面的上表面。
图7A是从盘取得的用于在图6B的离散磁道盘上读和写跨磁道的磁化的读/写头的视图。
图7B是面对滑块尾表面且显示图7A的写头的第一实施例和剖视的盘的视图。
图7C是面对滑块尾表面且显示图7A的写头的第二实施例和剖视图中的盘的视图。
图8是用于本发明盘驱动器的具有磁材料连续层的盘的一部分的顶视图,该磁材料连续层的防护带具有沿磁道方向的磁化。
图9A和9B分别示出用于在图8的盘中产生在数据磁道中的跨磁道的磁化和在盘的防护带中的沿磁道的磁化的写头的两个实施例。
图10A是放大剖视图,示出构成本发明盘驱动器中磁致电阻读头的层的堆叠。
图10B是磁致电阻读头和数据磁道的分解透视图,用于示意性显示本发明盘驱动器中读头探测盘中的跨磁道磁化的操作。
具体实施方式
现有技术
图1是传统磁记录硬盘驱动器的结构图。该盘驱动器包括被支持在盘驱动器外壳(housing)或基座(base)16上的磁记录盘12和旋转的音圈马达(VSM)致动器(actuator)14。盘12具有带多个同心数据磁道的磁记录层。盘12通过安装于基座16的心轴马达(spindle motor)(未示出)沿方向15绕旋转轴13旋转。致动器14绕轴17转动且包括刚性致动臂18。普通弹性悬臂20包括弯曲元件23且附于臂18的末端。头载具或气垫滑块22被附着到弯曲件23。通常包括感应写头和磁致电阻读头的磁记录读/写头24形成在滑块22的尾表面25上。弯曲件23和悬臂20使滑块能够在旋转的盘12产生的气垫上“俯仰(pitch)”和“横转(roll)”。当盘12旋转时致动器14可以被旋转以移动读/写头24基本在径向越过磁道,从而可以进入盘12上不同的同心数据磁道读或写数据。通常,有多个盘堆叠在被心轴马达旋转的轴心(hub)上,单独的滑块和读/写头与每个盘表面相关联。
图2A是沿图1中方向2-2取得的盘驱动器头组件和盘12的一部分的放大端视图。该头组件包括滑块22和形成在该滑块的尾表面25上的读/写头24。滑块22附着到弯曲件23且具有面向盘12的气垫面(ABS)27和基本垂直于ABS且平行于径向或跨磁道方向的尾表面25。ABS27使源自旋转的盘12的气流产生气垫,其支持着滑块20非常接近于或几乎接触盘12的表面。读/写头24形成在尾表面25上且通过到尾表面25上的端子焊盘29的电连接而连接到盘驱动器读/写电子组件。盘12具有磁记录层40和保护性覆盖层42。磁记录层40通常是磁记录材料连续层,例如溅射沉积的钴(Co)合金膜。随着盘12旋转,当经过写头的写电流产生磁场时,感应写头在圆周方向(图2A中向页内)形成数据磁道。
图2B是盘12的顶视图,示出具有数据磁道43和两个相邻磁道的磁记录层的一部分。每个数据磁道具有在层40的平面内且取向在圆周或沿磁道方向上的磁化(用箭头表示)或磁化区域。磁材料记录层40被称为连续磁层,因为数据磁道没有彼此物理分开且没有预先形成在层40中,而是当来自写头的写磁场在连续磁层中产生磁化时形成的。
图3是图2A的3-3方向的视图,示出从盘12观察时读/写头24的端部。读/写头24是沉积并光刻构图在滑块22的尾表面25上的一系列薄膜。写头包括被写间隙30分隔开的写磁极P1/S2和P2。当写电流导入写头时,越过写间隙30在沿着磁道43的方向上产生磁场。磁致电阻传感器或读头100位于通常由三氧化二铝(Al2O3)形成的两个绝缘间隙层G1、G2之间。间隙层G1、G2位于磁屏蔽件S1和P1/S2之间,P1/S2还作用为写头的第一写磁极。因为屏蔽件S2也用作磁极P1,此类型的读/写头24被称为“合并式(merged)”头。如果S2和P1是分隔开的层,那么该读/写头被称为“背负式(piggyback)”头。该屏蔽件通常由NiFe合金形成,该写磁极通常由电镀的NiFe或CoFe合金形成。
图4是图2A的截面4-4的放大剖视图,示出在圆周或沿磁道方向上的读/写头24和部分盘12。图4还示出部分通常是铜(Cu)的写头线圈层C,以及位于写磁极P1、P2之间的通常是三氧化二铝的绝缘层I1、12和13。当写电流被施加到该线圈时,越过写间隙30在写磁极P1和P2之间产生写磁场45。磁极P1、P2的面向盘12的末端被称为磁极尖(pole tip)。写磁场45在圆周或沿磁道方向上磁化数据磁道区域,如代表磁化例如磁道区域49中的磁化47的箭头所示。数据磁道43中的磁化在记录层40的平面内,相邻磁化之间的转变,例如在相邻磁化47和48之间的转变,通过读头作为数据“位”被探测。
图5A是放大剖视图,示出构成磁致电阻读头100的层的堆叠。读头100可以是传统的巨磁致电阻(GMR)自旋阀头,其包括形成在通常是氧化物例如三氧化二铝(Al2O3)的两个绝缘间隙层G1、G2之间的层的堆叠。该层包括:被钉扎铁磁层106,其具有横向取向的(进入页内)被固定或被钉扎的磁矩或磁化方向107;自由铁磁层110,其具有响应于横向外磁场可在自由层110的平面内旋转的磁矩或磁化方向111;以及在被钉扎层106和自由层110之间的非磁导电间隔层108。被钉扎层106与形成在合适的衬层或种子层103上的反铁磁(AFM)层104交换耦合。因此被钉扎层106的磁化方向107被固定且不会在关注范围内的外磁场即来自盘12上的记录数据的磁场存在时旋转。自由层110的宽度通常定义数据磁道宽度(TW)。采用从连接在读头边缘的电导线(未示出)基本在自由层110和被钉扎层106的平面内施加的检测电流Is,因为来自于盘的磁场,所以自由层磁化111相对于被钉扎层磁化107的旋转是可探测为电阻变化的。读头探测来自于盘的磁场的操作示意性显示在图5B的透视图中。当无外加磁场存在时,自由层110使其磁化方向111通常取向平行于数据磁道43之上的盘表面和ABS。在磁记录层平面内且沿磁道的两个相邻磁转变47、48产生离开盘平面且与自由层磁化方向111基本正交的磁场H。该磁场将导致磁化方向111根据磁场H的方向在自由层110的平面内从盘“向上”或者“向下”旋转,如虚线箭头所示。
上述读头100是电流在平面内(CIP)的自旋阀(SV)读头,因为检测电流Is被导入在自由层和被钉扎层的平面内。然而,读头100可以是电流垂直平面(CPP)的读头,其具有基本垂直经过自由层和被钉扎层的平面导入的检测电流Is。上述读头100是GMR读头因为非磁间隔层108是导电的。然而,该读头还可以是已知的磁隧道结(MTJ)磁致电阻读头,在这种情况下,该间隔层是电绝缘的隧穿势垒,通常是三氧化二铝。MTJ读头也是CPP读头。
虽然被钉扎层106在图5A-5B中示出为单层,但是它还可以是已知的反平行被钉扎(AP被钉扎)结构,也称为“层压的”被钉扎层,如美国专利5,465,185中所述。该AP被钉扎结构最小化被钉扎层106和自由层110的静磁耦合,且包括被非磁的反铁磁耦合间隔层例如Ru间隔开的铁磁被钉扎层和铁磁参考层(ferromagnetic reference layer),该铁磁被钉扎层与反铁磁层104交换耦合。被钉扎层106还可以是如美国专利5,583,725所述的“自被钉扎的”层压结构,或者相对高的矫顽力或“硬”磁材料的层,例如CoPt,在这种情况下不需要反铁磁层104。
种子层103通常是NiFeCr、NiFe、Ta或者Ru的一层或更多层。AFM层104通常是Mn合金,例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn或RhMn。被钉扎层106和自由层110通常由Co、Fe和Ni的一种或更多种的合金或者两种合金的双层例如CoFe-NiFe双层形成。间隔层108通常是Cu。
本发明
本发明是类似于上述现有技术的盘驱动器的磁记录盘驱动器。然而,本发明的盘驱动器包括:盘,其在记录层中具有取向在跨磁道的方向上的磁化;写头,其能够写跨磁道的磁化;以及读头,其能够读跨磁道的磁化。
图6A是本发明盘驱动器中盘212的顶视图。盘212具有包括磁材料的多个同心数据磁道和多个隔行同心防护带,该防护带位于径向相邻的磁道之间且磁分隔开该磁道。在普通磁记录盘中,该数据磁道可以具有数十纳米数量级的径向宽度,该防护带的宽度是该数据磁道宽度的约十分之一。因此图6A明显不成比例,而是仅意图显示该同心数据磁道如何被该同心防护带分隔开。
图6B是盘212的一部分的放大视图,示出磁记录层240中的普通数据磁道230-233和该数据磁道之间的普通防护带220-224。在2.5英寸直径盘的一示例中,径向磁道密度约为230×103磁道每英寸(tpi),每个磁道具有约100nm的径向宽度,每个防护带具有约10nm的径向宽度。如图6B所示,本发明的盘驱动器中数据磁道被写头写之后,它们含有在跨磁道或径向方向上取向的磁区域或磁化,如箭头所示。
盘212可以是离散磁道盘,即其中防护带是非磁的一种盘。术语“非磁”意思是防护带不能产生可被读头探测的磁场,离散磁道磁记录盘在技术上是已知的。在离散磁道盘中,非磁防护带可以是间隙或凹槽,或由非磁材料形成,或含有磁材料但是具有远在数据磁道的表面之下的表面以致不产生读头可探测的信号。离散磁道盘可以通过在制造图案化的介质(patterned media)中使用的工艺的任何一种来形成,该图案化的介质即磁记录盘,其中各个数据位,不仅是各个数据磁道,在盘上被构图为被非磁区域彼此分隔开的离散磁区域。美国专利5,768,075是描述构图的磁记录盘的许多参考资料之一。
图6C是离散磁道盘212的一部分的剖视图,其中防护带220-224的上表面凹陷或位于数据磁道230-233的上表面之下的距离h。图6C中盘中的凹槽通过模铸、机械加工或蚀刻来形成,其后磁记录材料240的层沉积在整个表面上,包括凹槽和数据磁道的上表面。然而,即使凹槽中的磁层区域变得被磁化,因为间距h,也没有信号被头探测到。因此该凹槽提供相邻数据磁道之间的磁分隔。美国专利5,590,009中描述了类似于图6C中示出的离散磁道盘,美国专利6,440,520中描述了通过对盘衬底的离子辐照制造的具有凹陷的非磁区域的图案化的盘。
离散磁道盘还可以具有连续的上表面,其中防护带和数据磁道的上表面基本共面,如图6D所示。在此类型的盘中,防护带可以由非磁材料例如非磁氧化物形成。防护带还可以由与数据磁道基本相同的磁材料形成,但是防护带通过一种或更多种工艺例如穿过图案化的掩模的离子注入或离子辐照而成为非磁性。此视图还示出在防护带和数据磁道两者之上的保护性盘覆盖层242。美国专利6,383,598中描述了用于形成图案化的介质的离子辐照工艺。
与图6B的离散磁道盘一起使用的头组件包括头滑块322和形成在滑块的尾表面325上的读头和写头,如图7A所示。读/写头324形成在例如滑块322的头载具的尾表面325上。写头是感应写头,其具有耦合到磁轭的导电线圈,该磁轭具有被写间隙分隔开的两个写磁极。当写电流经过该线圈时,感应出越过该写间隙的磁场。如图7A所示,本发明中写磁极P1、P2和写间隙330基本位于相同的平面内,其平行于滑块的尾表面325且因此平行于跨磁道方向。越过写间隙330的磁场取向在基本平行于滑块的尾表面325的跨磁道方向且在数据磁道中产生跨磁道的磁化。图7A中描述数据磁道231的一部分仅为了示出磁极P1、P2和写间隙330对于数据磁道的关系。写磁极的厚度或宽度(Wp)可以显著宽于在沿磁道方向上的最短磁化,因为写发生在磁极P1、P2的尾沿。施加到记录层的写磁场的强度随着写磁极厚度的增加而增加。
图7B是面向滑块322的尾表面325的视图,示出形成在滑块的尾表面上的写头的第一实施例,盘212为剖视图。该写头包括第一图案化的铜层350、图案化的磁轭360、以及第二图案化的铜层370;全部通过传统的光刻构图和沉积工艺来形成。每个铜层350、370包括一组线圈段(coilsegment),所述线圈段在其末端连接从而形成包围中间的磁轭360或绕其缠绕的完整线圈,使得当经过该线圈产生写电流时,通过写磁极P1、P2越过写间隙330产生磁场。磁极P1、P2的末端(end)或尖端(tip)基本位于滑块322的ABS的平面内且面向盘212。写磁场在平行于滑块尾表面325的磁极P1、P2的平面内,因此在写间隙330的正下方数据磁道231中产生跨磁道的磁化。
图7C是带剖视的盘212的面向滑块322的尾表面325的视图,示出形成在滑块的尾表面上的写头的第二实施例。包括背间隙BG区域的磁极部分P2被镀在表面325上且通过化学机械抛光(CMP)而被平坦化。然后沉积磁极尖端PT1和PT2,PT2接触P2。具有大致螺旋图案的传统单层线圈C被镀在表面325上,部分线圈交迭P2。磁极部分P1然后被镀在线圈C的一部分之上从而接触PT1和BG。P1和P2与和线圈C的接触是电绝缘的。连接的P1、P2和它们各自的磁极尖端PT1、PT2形成磁轭,线圈C经过该磁轭,从而当写电流经过线圈C时,越过写间隙330感应出磁场。
图7B和7C中所示的写头是制造在滑块端部上的写磁极和写间隙基本位于平行于滑块的尾表面的相同平面的写头的示例,从而写磁场在跨磁道的方向,但是其它的写头结构是可能的。
代替离散磁道盘,盘212可具有由与数据磁道相同的材料形成的磁防护带。在此类型的盘中,记录层是盘上磁材料的连续层,但是此材料在防护带中的区域具有在圆周或沿磁道方向上的磁化。图8示出带有三个防护带221、222、223和两个数据磁道231、232的此类型盘。这些防护带磁化通过具有擦除磁极的写头形成,从而在写电流施加到写头期间,擦除磁极在数据磁道之间产生磁材料的擦除带(erase band)。这些擦除带磁分隔开具有跨磁道的磁化的相邻数据磁道。
图9A和9B示出用于产生在数据磁道中的跨磁道磁化和作为防护带的擦除带的带擦除磁极的写头的两个实施例。图9A中,读/写头324A包括具有被间隙330分隔开的两个写磁极P1、P2的写头,还包括两个侧擦除磁极380、382形式的擦除磁极。擦除磁极380、382在圆周或沿磁道方向上从写屏蔽件延伸。擦除磁极在写屏蔽件上在径向间隔开约写间隙330的宽度。每个磁极与各个写磁极间隔开,写磁极P1和擦除磁极380定义一擦除间隙,写磁极P2和擦除磁极382定义一擦除间隙。当写电流施加到线圈,越过写间隙330产生写磁场,且越过两个擦除间隙产生擦除磁场,如间隙中箭头所示。图9A中描述了数据磁道231和相邻防护带221、222的一部分,用于说明擦除磁场产生作为防护带221、222以磁分隔开数据磁道231和相邻的数据磁道的具有沿磁道磁化的擦除带的方式。
图9B的实施例中,读/写头324B包括具有被间隙330分隔开的两个写磁极P1、P2的写头,还包括单个公共擦除磁极384形式的擦除磁极。擦除磁极384是不附着到写屏蔽件的“漂浮(floating)”磁极,且径向对齐写间隙330但圆周方向上和写间隙330间隔开。擦除磁极384的每个端部与各个写磁极间隔开从而形成两个擦除间隙。当写电流施加到线圈时,越过写间隙330产生写磁场,且越过两个擦除间隙产生擦除磁场,如间隙中箭头所示。图9B示出数据磁道231和相邻防护带221、222的一部分,用于说明擦除磁场产生用作防护带221、222以磁分隔开数据磁道231和相邻数据磁道的具有沿磁道磁化的擦除带的方式。具有单个擦除磁极384的写头也提高了写能力,即翻转跨磁道的磁化的能力。这是因为擦除磁极384的端部和写磁极P1、P2之间的擦除磁场与跨磁道的磁化是基本正交的,如图9B中的场箭头所示。这些正交的磁场对跨磁道的磁化产生转矩,其在翻转跨磁道的磁化方面辅助来自磁极P1、P2的写磁场。
用于读跨磁道的磁化的磁致电阻读头在图7A中显示为元件(item)400。读头400位于在圆周方向上与它间隔开的两个磁屏蔽件S1、S2之间,如在传统读头结构中(图3)一样。然而,读头400还位于在径向方向上与它间隔开的两个侧边磁屏蔽件SS1、SS2之间。当读取数据磁道时,侧屏蔽件防止来自相邻磁道的磁通到达该读头。
图10A是放大的剖视图,示出构成磁致电阻读头400的层的堆叠。读头400在结构上类似于传统读头100(图5A)。然而,读头400中自由铁磁层410使其面内磁化方向411在没有外磁场存在时取向基本垂直于滑块的面向盘的表面(ABS),且在有来自于数据磁道中跨磁道磁化的磁场存在时取向基本不受约束地旋转。被钉扎铁磁层406使其面内磁化方向407取向基本平行于ABS且被反铁磁层104所钉扎,从而在来自于跨磁道磁化的磁场存在时它不能旋转。
图10B是磁致电阻读头和数据磁道的分解透视图,用于示意性示出读头400探测跨磁道磁化的操作。自由层410使其磁化方向411在没有外加磁场存在时取向基本垂直于数据磁道231之上的盘表面。自由层410之下的跨磁道磁化251产生平行于ABS且基本正交于自由层磁化方向411的磁场H。该磁场将导致磁化方向411根据磁场H的方向在自由层410的平面内旋转,如虚线箭头所示。利用通过该读头的检测电流Is,归因于来自数据磁道中跨磁道磁化的磁场的自由层磁化方向411相对于被钉扎层磁化407的旋转是可探测为电阻变化的。
虽然参考优选实施例特别显示和描述了本发明,但是本领域技术人员应理解的是,在不脱离本发明的思想和范围的前提下,可发生形式和细节上的各种改变。因此,公开的本发明仅是说明性的,其范围仅限制在后附权力要求中。
本申请涉及同时提交的标题为“Disk Drive Write Headfor WritingCross-track Magnetizations(用于写跨磁道的磁化的盘驱动器写头)”(代理文档号HSJ920040314US2)和标题为“Disk Drive Read Head for ReadingCross-track Magnetizations(用于读取跨磁道的磁化的盘驱动器读头)”(代理文档号HSJ920040314US3)的申请。
Claims (23)
1.一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的磁记录盘,其包括衬底和该衬底上的磁材料的多个基本同心的数据磁道,该数据磁道中的每个和径向相邻的数据磁道被防护带分隔开,其中该防护带由磁材料形成并包括沿磁道磁化的区域;
感应写头,其用于在该数据磁道中的磁材料中产生跨磁道方向上的磁场;
读头,其用于探测被该写头写在该数据磁道中的该跨磁道的磁化;
载具,其用于支持该写头和读头;以及
致动器,其支持该载具,用于定位该写头和读头从而为写和读选择数据磁道。
2.如权利要求1所述的盘驱动器,其中该头载具是具有面向盘的表面和基本正交于该面向盘的表面的尾表面的滑块,其中该致动器支持该滑块,其尾表面基本平行于跨磁道的方向,并且其中该写头位于该滑块的尾表面上。
3.如权利要求2所述的盘驱动器,其中该感应写头包括写磁极和在该写磁极之间的写间隙,该写磁极和写间隙基本位于相同平面内,所述平面平行于滑块的尾表面,藉此越过该写间隙的磁场取向在基本平行于该滑块的尾表面的跨磁道方向上。
4.如权利要求3所述的盘驱动器,其中该防护带由磁材料形成且其中该感应写头包括通过擦除间隙在正交该尾表面的方向上和该写磁极间隔开的擦除磁极,藉此越过该擦除间隙的磁场取向在基本正交于滑块的尾表面的沿磁道方向,从而在沿磁道方向上磁化该防护带中的磁材料。
5.如权利要求4所述的盘驱动器,其中该写头还包括写屏蔽件,且其中该擦除磁极包括从该写屏蔽件延伸的两个侧擦除磁极。
6.如权利要求4所述的盘驱动器,其中该擦除磁极包括单个擦除磁极,其在基本平行于该滑块的尾表面的方向上基本对齐于该写间隙且在基本正交该滑块的尾表面的方向上和该写间隙间隔开。
7.如权利要求1所述的盘驱动器,其中该头载具是具有面向盘的表面和基本正交该面向盘的表面的尾表面的滑块,其中该致动器支持该滑块,其尾表面基本平行于跨磁道的方向,且其中该读头是形成在该尾表面上的磁致电阻读头,该磁致电阻读头包括:
自由铁磁层,其具有在没有外磁场存在时取向基本垂直该滑块的面向盘表面且在来自数据磁道中跨磁道磁化的磁场存在时取向基本不受约束地旋转的面内磁化方向;
被钉扎铁磁层,其具有取向基本平行于该滑块的面向盘的表面的面内磁化方向;以及
在该自由和被钉扎层之间的非磁间隔层。
8.如权利要求7所述的盘驱动器,其中该自由层具有在跨磁道方向上定义宽度的第一和第二端部,且其中该磁致电阻读头还包括第一和第二侧导磁材料侧屏蔽件,每个侧屏蔽件位于相应的自由层端部。
9.如权利要求7所述的盘驱动器,其中该磁致电阻读头是电流在平面内的读头。
10.如权利要求7所述的盘驱动器,其中该磁致电阻读头是电流垂直平面的读头。
11.一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的磁记录盘,其包括衬底和该衬底上的磁记录层,该磁记录层包括多个基本同心的数据磁道,每个数据磁道和径向相邻的数据磁道由同心的防护带磁分隔开,其中该防护带由磁材料形成并包括在沿磁道方向上磁化的区域;以及
感应写头,其用于在数据磁道中产生跨磁道方向上的磁场。
12.如权利要求11所述的盘驱动器,其中该磁记录层和该防护带中的磁材料形成衬底上的磁材料连续层。
13.如权利要求11所述的盘驱动器,还包括用于支持写头的滑块和支持该滑块用于定位该写头从而为写选择数据磁道的致动器,该滑块具有面向盘的表面和基本正交该面向盘的表面的尾表面,其中该致动器支持着其尾表面基本平行于跨磁道方向的该滑块,且其中该写头位于该滑块的尾表面上。
14.如权利要求13所述的盘驱动器,其中该感应写头包括写磁极和该写磁极之间的写间隙,该写磁极和写间隙位于基本相同的平面内,所述平面平行于该滑块的尾表面,藉此越过该写间隙的磁场在该数据磁道中产生跨磁道的磁化。
15.如权利要求14所述的盘驱动器,其中该感应写头包括在正交该尾表面的方向上和写磁极被擦除间隙间隔开的擦除磁极,藉此当越过该写间隙产生的磁场在数据磁道中产生跨磁道的磁化时,也越过该擦除间隙产生磁场从而产生与该数据磁道相邻的沿磁道的磁化,藉此所述沿磁道的磁化磁分隔开径向相邻的数据磁道。
16.如权利要求15所述的盘驱动器,其中该写头还包括写屏蔽件,且其中该擦除磁极包括从该写屏蔽件延伸的两个侧擦除磁极。
17.如权利要求15所述的盘驱动器,其中该擦除磁极包括在基本平行于该滑块的尾表面的方向上基本对齐该写间隙且在基本正交该滑块的尾表面的方向上和该写间隙间隔开的单个擦除磁极。
18.一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的磁记录盘,其包括衬底和该衬底上的磁记录层,该磁记录层包括含有跨磁道的磁化的多个基本同心的数据磁道,每个数据磁道和径向相邻的数据磁道由同心的防护带磁分隔开,其中该防护带由磁材料形成并包括在沿磁道方向上磁化的区域;以及
读头,其用于探测该数据磁道中的跨磁道的磁化。
19.如权利要求18所述的盘驱动器,其中该磁记录层和该防护带中的磁材料形成该衬底上的磁材料连续层。
20.如权利要求18所述的盘驱动器,还包括用于支持该读头的滑块和支持该滑块用于定位该读头以选择数据磁道的致动器,该滑块具有面向盘的表面和基本正交该面向盘的表面的尾表面,其中该致动器支持其尾表面基本平行于跨磁道方向的该滑块,且其中该读头是形成在该尾表面上的磁致电阻读头,该磁致电阻读头包括:
自由铁磁层,其具有在没有外磁场存在时取向基本垂直该滑块的面向盘表面且在来自数据磁道中跨磁道磁化的磁场存在时取向基本不受约束地旋转的面内磁化方向;
被钉扎铁磁层,其具有取向基本平行于该滑块的面向盘的表面的面内磁化方向;以及
该自由和被钉扎层之间的非磁间隔层。
21.如权利要求20所述的盘驱动器,其中该自由层具有在跨磁道的方向上定义宽度的第一和第二端部,且其中该磁致电阻读头还包括第一和第二导磁材料侧屏蔽件,每个侧屏蔽件位于相应的自由层端部。
22.如权利要求20所述的盘驱动器,其中该磁致电阻读头是电流在平面内的读头。
23.如权利要求20所述的盘驱动器,其中该磁致电阻读头是电流垂直平面的读头。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/001,399 US7079344B2 (en) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | Magnetic recording disk drive with data written and read as cross-track magnetizations |
US11/001,399 | 2004-11-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1801328A CN1801328A (zh) | 2006-07-12 |
CN100373449C true CN100373449C (zh) | 2008-03-05 |
Family
ID=36567136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101248772A Expired - Fee Related CN100373449C (zh) | 2004-11-30 | 2005-11-23 | 具有读写为跨磁道的磁化的数据的磁记录盘驱动器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7079344B2 (zh) |
EP (1) | EP1696423A1 (zh) |
JP (1) | JP2006155858A (zh) |
KR (1) | KR20060060551A (zh) |
CN (1) | CN100373449C (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG135011A1 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-28 | Tdk Corp | Magnetic head for recording/reproduction, magnetic recording medium, and recording/reproduction apparatus |
JP4134066B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2008-08-13 | 富士通株式会社 | ヘッド位置検出方法および記録媒体駆動装置 |
US20090262464A1 (en) * | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Hardayal Singh Gill | Perpendicular magnetic write head having a wrap around shield constructed of a low permeability material for reduced adjacent track erasure |
US8416539B2 (en) * | 2008-08-07 | 2013-04-09 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic field sensing system using spin-torque diode effect |
JP2010277624A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Toshiba Storage Device Corp | 磁気記録装置、ヘッド評価装置、スピンスタンド装置およびライトポールイレーズ評価方法 |
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US20060114589A1 (en) | 2006-06-01 |
JP2006155858A (ja) | 2006-06-15 |
KR20060060551A (ko) | 2006-06-05 |
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C06 | Publication | ||
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