CN100365814C - 背对背封装集成电路及其生产方法 - Google Patents

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CN100365814C CNB2004100658281A CN200410065828A CN100365814C CN 100365814 C CN100365814 C CN 100365814C CN B2004100658281 A CNB2004100658281 A CN B2004100658281A CN 200410065828 A CN200410065828 A CN 200410065828A CN 100365814 C CN100365814 C CN 100365814C
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石海忠
王洪辉
吉加安
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Abstract

本发明公开了一种背对背封装集成电路及其生产方法,金属引线框架特征是:在金属引线框架的正反两面均放置有集成电路芯片,在芯片及引线外覆有塑料封装。方法的特征是:首先准备用于金属引线框架上焊接的芯片表面加热的加热装置,在对二面芯片进行金丝键合时均利用加热块和压板进行焊接,在第一次装片后进行充分固化;在二次装片面框架的内引线进行精压。其有益效果为:封装容易、引线连接可靠、特别适合于大批量生产。

Description

背对背封装集成电路及其生产方法
技术领域:
本发明涉及电子技术中的元器件,是一种集成电路,具体地说,是一种背对背封装集成电路及其生产方法。
背景技术;
塑料封装的集成电路目前有其通行的标准结构和工艺流程,这种标准结构和工艺流程,在国际上已使用了二、三十年。近几年来,随着电子产品不断朝轻、薄、短、小方向发展,集成电路也在向高密度小型化方向发展,与此同步,集成电践的封装技术也得到了迅猛的发展。塑料封装的传统标准外形的集成电路,一般是由芯片、塑料封装、金丝或铝丝、引线框架等组装而成。现在市场已出现了多芯片封装在一起、芯片两层或两层以上重叠封装的产品,这样的多芯片封装集成电路已广泛使用在数码相机、掌上电脑等许多便携式电广产品中。但这些现有的多芯片重叠封装集成电路也存在不少问题,如当多芯片大小差不多的情况下,引线的连接将遇到麻烦,在结构上的可靠性也不够好。
发明内容:
本发明的目的是提供一种封装容易、引线连接可靠、特别适合于大批量生产的背对背封装集成电路及其生产方法。
本发明的技术解决方案是。
一种背对背封装集成电路,有金属引线框架,其特征是:在金属引线框架的正反两面均放置有集成电路芯片,在芯片及引线外覆有塑料封装。
本发明中所述的集成电路芯片与金属引线框架的载片台间有点胶层。
一种生产背对背封装集成电路的方法,其特征是:首先准备用于金属引线框架上焊接的芯片表面加热的加热装置,在对二面芯片进行金丝键合时均利用加热块和压板进行焊接,在第一次装片后进行充分固化;在二次装片面框架的内引线进行精压。
本发明中所述的加热装置采用分别用于正反面焊接使用的两块加热块和两个压板。在金属引线框架的压反面均进行芯片的安装并进行金丝健合。在点胶区和焊接区加上轨道垫块。
本发明的有益效果为:封装容易、引线连接可靠、特别适合于大批量生产。
以下结合附图和实施例对本发明作进一步的说明:
附图说明:
附图为本发明的一种背对背封装集成电路的结构示意图。
具体实施方式:
附图描述了本发明的一个实施例,在该例中。有金属引线框架1、2。在金属引线框架1、2的正反两面均放置有集成电路芯片3、4,在芯片3、4及引线5、6外覆有塑料封装7。所述的集成电路芯片3、4与金属引线框架1、2的载片台间有点胶层。
本发明在完成结构加工时,需要在点胶区和焊接区加上轨道垫块,二次装片面框架的内引线要进行精压,以防止第一次装片时破坏键合区的镀银层,第一次装片后需要充分固化。在焊接区需加上两块加热板和两块压板(分别进行正反两面键合用),键合区的加热块和压板的作用是防止在健合过程中,框架的振动可能导致的反面芯片的掉落。以及由于载片台上的芯片是悬空的,因芯片表面的加热比较弱而导致第一焊点受到影响。

Claims (4)

1.一种生产  背对背封装集成电路的方法,其特征是:首先准备用于金属引线框架上焊接的芯片表面加热的加热装置,在对二面芯片进行金丝健合时均利用加热块和压板进行焊接,在第一次装片后进行充分固化;在二次装片面框架的内引线进行精压。
2.根据权利要求1所述的生产背对背封装集成电路的方法,其特征是:加热装置采用分别用于正反面焊接使用的两块加热块和两个压板。
3.根据权利要求1或2所述的生产背对背封装集成电路的方法,其特征是:在金属引线框架的正反面均进行芯片的安装并进行金丝健合。
4.根据权利要求1或2所述的生产背对背封装集成电路的方法,其特征是:在点胶区和焊接区加上轨道垫块。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569111A (zh) * 2011-12-27 2012-07-11 三星半导体(中国)研究开发有限公司 用于引线键合的压板
CN103188883B (zh) * 2011-12-29 2015-11-25 无锡华润安盛科技有限公司 一种金属框架电路板的焊接工艺
CN109904276B (zh) * 2019-01-31 2021-01-26 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575016A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Seiko Epson Corp 半導体装置
US5366933A (en) * 1993-10-13 1994-11-22 Intel Corporation Method for constructing a dual sided, wire bonded integrated circuit chip package
CN1164765A (zh) * 1996-03-06 1997-11-12 现代电子产业株式会社 半导体封装件
US6372551B1 (en) * 2000-05-12 2002-04-16 Siliconware Precison Industries Co., Ltd. Method of manufacturing an image-sensor integrated circuit package without resin flash on lead frame and with increased wire bondability
US6566739B2 (en) * 2000-08-14 2003-05-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Dual chip package
CN2763980Y (zh) * 2004-12-16 2006-03-08 南通富士通微电子股份有限公司 背对背封装集成电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575016A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Seiko Epson Corp 半導体装置
US5366933A (en) * 1993-10-13 1994-11-22 Intel Corporation Method for constructing a dual sided, wire bonded integrated circuit chip package
CN1164765A (zh) * 1996-03-06 1997-11-12 现代电子产业株式会社 半导体封装件
US6372551B1 (en) * 2000-05-12 2002-04-16 Siliconware Precison Industries Co., Ltd. Method of manufacturing an image-sensor integrated circuit package without resin flash on lead frame and with increased wire bondability
US6566739B2 (en) * 2000-08-14 2003-05-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Dual chip package
CN2763980Y (zh) * 2004-12-16 2006-03-08 南通富士通微电子股份有限公司 背对背封装集成电路

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CP03 Change of name, title or address

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Patentee before: Fujitsu Microelectronics Co., Ltd., Nantong