CN100347575C - 光波导电路及其制造方法 - Google Patents

光波导电路及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100347575C
CN100347575C CNB038145626A CN03814562A CN100347575C CN 100347575 C CN100347575 C CN 100347575C CN B038145626 A CNB038145626 A CN B038145626A CN 03814562 A CN03814562 A CN 03814562A CN 100347575 C CN100347575 C CN 100347575C
Authority
CN
China
Prior art keywords
fibre core
waveguide
refractive index
many
fibre
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB038145626A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1662834A (zh
Inventor
下田毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of CN1662834A publication Critical patent/CN1662834A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100347575C publication Critical patent/CN100347575C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
    • G02B6/12011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the arrayed waveguides, e.g. comprising a filled groove in the array section
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/125—Bends, branchings or intersections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12097—Ridge, rib or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种光波导电路，包括：第一光波导(211)、第二光波导(213)、与所述第一光波导和第二光波导连接的平板波导(212)，其特征在于，所述第二光波导和所述平板波导，包括第一纤芯(203)、埋入该第一纤芯的包层(205)、以及设置于所述第一纤芯和所述包层间的第二纤芯(204)，所述第二纤芯(204)，跨过所述第二光波导和所述平板波导，以覆盖所述第一纤芯(203)的方式形成，所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，所述第二纤芯和所示包层的界面形成为平滑。

Description

光波导电路及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于光通信等的光波导电路及其制造方法，特别是涉及具有分支部的光波导电路及其制造方法。
背景技术
光波导电路，特别是在平面上形成光波导的平面光波导电路(Planar Lightwave Circuit：PLC)，被广泛地应用于支撑近年来的光通信网络系统的关键器件。其中使用了石英系光波导的光合/分波、分支等被动元器件，从基础的大容量光通信至访问式的网络，在低成本且高功能地使系统实用化的方面，是不可缺少的，直至被实用批量化生产。
作为PLC的一例，在图27、图28中表示阵列波导光栅型光合/分波器(Arrayed Waveguide Grating：AWG，阵列波导光栅)。图27为AWG元件的俯视图，图28为图27在VIIIb-VIIIb线方向的剖面图。该器件，在由衬底801上的下包层802和上包层804构成的包层内，形成：传输波长被复用的光信号的波导811；与该波导811连接的第一平板波导812；把多个波长的光信号按各个波长传输的波导815；与该波导815连接的第二平板波导814；以及连接第一平板波导812和第二平板波导815的阵列波导813，因此具有把波长被复用的光信号按各个波长分波、或相反的把多个波长的光信号合波为一条光纤的功能。如图28所示，在该构成中阵列波导813中的纤芯803的上部及相邻的纤芯间的间隙被上包层804埋入。
以下，就本器件的操作原理以分波的情况为例进行简单的说明。
入射到波长被复用的波导811的光信号，在第一平板波导812通过衍射被扩展，向具有多个纤芯803的阵列波导813入射。由于在阵列波导813中在相邻的波导间设有光程差，因此在阵列波导中传输的等相位面的倾斜按每个波长而各异。从阵列波导813向第二平板波导814内出射的光信号，对应于其倾斜在各个输出信道被会聚、波长被分波，并从波导815输出。
作为PLC其他的例子，在图29、图30中表示耦合器。图29为耦合器的俯视图，图30为图29在IXb-IXb线方向的剖面图。耦合器具有使两个波导(纤芯903)在长度为L的相邻波导区域912互相相邻的构造，被广泛用作与分支及合流、波长滤波器、或热光学效果组合的光开关等光通信用器件。例如以分支的情况为例，在图29中从输入波导911入射的光信号，在具有耦合长度L的相邻波导区域912与相邻的波导互相干涉，分为两个输出波导913A、913B输出。分支比根据L的大小可以变化。
如图30所示，在该构成中，在衬底901上的下包层902上形成的两个纤芯903的上部及相邻的纤芯间的间隙，在相邻波导区域912，也被上包层904埋入。
如今，在上述的AWG及耦合器等光波导电路中追求的是插入损耗小以及更为小型。例如，PLC器件的插入损耗，在系统设计上追求尽可能的小，并且为了元件的低成本化及功能集成化而尽可能地使元件小型化。
尤其传输损耗的降低是所有PLC器件的插入损耗降低的共同的课题。在PLC中传输损耗的一个主要原因是由纤芯和包层的界面的凹凸形状、即高低不平而引起的散射损耗。图31、图32、图33为表示纤芯1003和上包层1004的界面的高低不平的示意图。图31为表示PLC器件的纤芯侧面的高低不平的俯视图，图32为图31在Xb-Xb线方向的剖面图，图33为图31在Xc-Xc线方向的剖面图。设于衬底1001上的下包层1002上的这些纤芯1003的高低不平，其缘由是芯层成膜时的膜表面高低不平或纤芯图案形成时的光刻蚀法及蚀刻引起的图案高低不平。
在使PLC器件小型化方面，有效的是使纤芯和包层的相对折射率差Δ变大，使波导的最小曲率半径变小，但特别是随着Δ变大，散射损耗也有变大的趋势。因此，如果为了器件的小型化而高Δ化，则为了抑制散射损耗需要纤芯表面的平滑化。
此外，在分支点的放射损耗特别在AWG中为一个大问题。在AWG中，分支点、即平板和阵列的耦合部的放射损耗，大致占AWG整体插入损耗的一半。为了降低分支部的放射损耗，可以使在分支点分支的纤芯的间隔尽可能地变小。但是，由于光刻蚀法及蚀刻工序的精度的限制，通常不得不设置最低1μm左右的间隔。如图28所示，通常在纤芯803之间埋入包层材料，纤芯803和包层804的界限很清晰。因此在平板波导803中传输并向该间隙入射的信号光的大部分向包层放射，这就是损耗的原因。从阵列波导813向平板波导814入射时也是同样情况。
对于这种AWG中放射损耗的问题，在公开专利公报(特开2000-147283号)中，公开了下述构成：如分别表示图34的XIb-XIb线以及XIc-XIc线的剖面图的图35及图36所示，在纤芯803间设置折射率比包层802、804的折射率大、在纤芯803的折射率以下的埋设层1101，该埋设层1101的厚度随着纤芯间隔的扩展而变薄。根据该构成，在平板波导812和阵列波导813的耦合部，纤芯803间的电磁场分布逐渐变化，因此在分支点的放射损耗降低。但是这种构成，由于在纤芯蚀刻条件中对形状依赖很大，因此元件的制作困难，在形状上存在容易产生在晶片面内或晶片间的偏移等问题。另外，在输入波导811和输出波导815之间，设有第一平板波导812、阵列波导813、第二平板波导814。下包层802被设置在衬底801上。
另外一个问题为：特别是在纤芯903和包层902、904的相对折射率差Δ变大时，方向性耦合器的耦合长度L变长。即，为了元件的小型化，虽然增加Δ减小波导的最小曲率半径有效，但由于通过Δ的增加而使信号光在纤芯内的封闭增强，对相邻波导的干涉减小，因此与得到希望的分支比对应而导致耦合长度L的增大。虽然若使相邻波导的间隔(即在相邻波导区域912中纤芯903的间隔)变窄就可以缩短耦合长度，但波导间隔由于在光刻蚀法及蚀刻工序中的精度的限制而不得不增大耦合长度。
本发明，正是为了解决以上问题，其目的是减少光波导电路的损耗，可以使器件更为小型化、集成化。
发明内容
为达到上述目的，本发明的光波导电路的特征在于，包括第一光波导、第二光波导、与所述第一光波导和第二光波导连接的平板波导，所述第二光波导和所述平板波导，包括第一纤芯、埋入该第一纤芯的包层、以及设置于所述第一纤芯和所述包层间的第二纤芯，所述第二纤芯，跨过所述第二光波导和所述平板波导，以覆盖所述第一纤芯的方式形成，所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，所述第二纤芯和所示包层的界面形成为平滑。在本发明中，通过平滑地形成第二纤芯和包层的界面，可以减低光波导的传输损耗。
在本发明的光波导电路中，被上述第二纤芯覆盖的上述第一纤芯具有大致为矩形的剖面时，上述第二纤芯，例如覆盖上述第一纤芯的上表面及侧面。
上述第二纤芯的厚度可以为上述第一纤芯的厚度的2倍或2倍以下。
此外，比包层的折射率大的上述第二纤芯，与上述第一纤芯一起形成光波导的纤芯，但优选的是，使上述第二纤芯的折射率为与上述第一纤芯的折射率相近的值，例如可以为上述第一纤芯的折射率的1.01倍或1.01倍以下。
此外，本发明的光波导电路，使光信号从至少一根光波导分支到多根光波导，或从上述多根光波导合流到至少一根光波导，其特征在于，所述至少一根光波导和所述多根光波导，包括：从至少一根分支到多根或从多根合流到至少一根的第一纤芯；至少埋入所述第一纤芯的包层；设置于所述第一纤芯和所述包层之间的第二纤芯；在所述多根光波导分为多根的第一纤芯，距离光信号的分支点或合流点越远间隔越大，所述多根光波导的第二纤芯，在所述分支点或合流点附近的分为所述多根的第一纤芯间的间隙形成，所述第二纤芯从所述至少一根光波导跨至所述多根光波导，以覆盖所述第一纤芯的方式形成，所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，所述第二纤芯和所述包层的界面平滑，在所述第一纤芯间的间隙形成的所述第二纤芯的膜厚，随着分为所述多根的第一纤芯的间隔的扩大而变薄。
这种光波导电路，可以用作使光信号分支到多个波导的分支电路或多个波导合流的合流电路。这种光波导电路可以作为例如Y分支型电路构成。
在本发明中，在上述分支点或合流点附近的上述第一纤芯间的间隙设置第二纤芯，以使其膜厚随着上述多个第一纤芯的间隔的扩大而变薄，由此可以得到与使在分支点分支的纤芯的间隔尽可能小同等的效果，并且由于平滑地形成与包层的界面，因此可以减低在分支点的放射损耗及在光波导的传输损耗。
本发明的光波导电路，例如包括与至少一根输入波导连接的第一平板波导，与至少一根输出波导连接的第二平板波导，在这些第一、第二平板波导间、设置光程差而形成的阵列波导，其特征在于，所述第一平板波导、所述第二平板波导及阵列波导，包括：在所述阵列波导中分为多根，在所述第一及第二平板波导中成为至少一根的第一纤芯；埋入所述第一纤芯的包层；设置于所述第一纤芯和所述包层间的第二纤芯；所述阵列波导的第二纤芯，在至少所述第一及第二平板波导和所述阵列波导的连接部、及其附近的分为多根的第一纤芯间的间隙形成，所述第二纤芯跨过所述第一平板波导、阵列波导及所述第二平板波导，以覆盖所述第一纤芯的方式形成，所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，所述第二纤芯与所述包层的界面平滑，在所述阵列波导的第一纤芯间的间隙形成的所述第二纤芯的膜厚，随着所述第一纤芯的间隔的扩大而变薄。
上述的第二纤芯，可以防止在第一平板波导中传输并入射到第一纤芯间的间隙的信号光向包层放射，可以减低损耗。
此外，本发明的光波导电路，具有多个第一纤芯互相相邻的相邻波导，其特征在于，上述相邻波导包括：多个第一纤芯；埋入这些第一纤芯的包层；设置于所述第一纤芯和所述包层之间并覆盖所述第一纤芯的第二纤芯；所述相邻波导，在所述第一纤芯间的间隙形成所述第二纤芯，在除了所述相邻波导之外的波导中，不在所述第一纤芯间的间隙形成所述第二纤芯，所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，所述第二纤芯和所述包层的界面形成为平滑。
这种光波导电路，可以用作至少包括两个相邻波导的耦合器，通过设置第二纤芯，即使相邻波导的第一纤芯间的间隔与以往相比并无变化，也可以得到与使相邻波导的间隔变窄同等的效果，可以缩短耦合器的耦合长度。
另一方面，本发明的光波导电路的制造方法，该光波导电路包括至少一根光波导、以及与至少一根光波导连接的平板波导，其特征在于，至少包括以下工序：使芯层成膜；选择性地蚀刻所述芯层，从所述至少一根光波导跨至所述平板波导，形成第一纤芯；在所述第一纤芯的侧面及上表面，形成由折射率比所述包层的折射率大的材料构成的第二芯层；通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，形成第二纤芯；以及在所述第二纤芯上形成所述包层。
此外，本发明的光波导电路的制造方法，该光波导电路使光信号从至少一根光波导分支到多根光波导，或从多根光波导合流到至少一根光波导，其特征在于，至少包括以下工序：使芯层成膜；选择性地蚀刻所述芯层，形成从至少一根分支为多根或从多根合流为一根，并距离光信号的分支点或合流点越远间隔越大的第一纤芯；从所述至少一根光波导跨至所述多根光波导，在所述第一纤芯的上部及分为多根的第一纤芯间，形成由折射率比所述包层的折射率大的材料构成的第二芯层；通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，并且随着分为所述多根的第一纤芯的间隔扩大，在分为多根的第一纤芯间的间隙形成的所述第二芯层的膜厚变薄，从而形成第二纤芯；以及在所述第二纤芯上形成所述包层。
此外，本发明的光波导电路的制造方法，该光波导电路包括与至少一根输入波导连接的第一平板波导，与至少一根输出波导连接的第二平板波导，具有在这些第一、第二平板波导间、设置光程差形成的多个纤芯的阵列波导，其特征在于，至少包括以下工序：使芯层成膜；选择性地蚀刻所述芯层，在所述第一平板波导、阵列波导及所述第二平板波导中，形成在所述第一及第二平板波导和所述阵列波导的连接点分为多根、并距离与第一、第二平板波导的连接点越远间隔越大的第一纤芯；至少跨至所述第一平板波导、阵列波导及所述第二平板波导，在所述第一纤芯的上部及分为多根的第一纤芯间，形成由折射率比所述包层的折射率大的材料构成的第二芯层；通过热回流使所述第二芯层表而平滑地成形，并且随着所述分为多根的第一纤芯的间隔扩大，在所述分为多根的第一纤芯间的间隙形成的所述第二芯层的膜厚变薄，从而形成第二纤芯；以及在所述第二纤芯上形成所述包层。
此外，本发明的光波导电路的制造方法，该光波导电路具有多个第一纤芯互相相邻的相邻波导，其特征在于，至少包括以下工序：使芯层成膜；选择性地蚀刻所述芯层，形成所述多根第一纤芯；在所述第一纤芯的上部及所述多根第一纤芯间，形成由折射率比所述包层的折射率大的材料构成的第二芯层；通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，并且在所述相邻波导中，在所述第一纤芯间的间隙形成所述第二纤芯，且在除了所述相邻波导之外的波导中，不在述第一纤芯间的间隙形成所述第二纤芯；以及在所述第二纤芯上使所述包层成膜。
根据本发明，纤芯和包层的界面附近的高低不平可以平滑化，因此可以减低波导的传输损耗。
此外，根据本发明，随着纤芯间隔扩大，纤芯间的等效折射率可以逐渐变小，并且可以得到比以往平滑的纤芯剖面形状，因此可以减低在分支电路及合流电路的分支点附近的散射损耗。
进而，根据本发明，可以增大在相邻波导区域的传输光向纤芯间的透出，因此可以缩短耦合器等的耦合长度。
此外本发明可以减低在Y分支电路及阵列波导光栅光合/分波器的损耗。
此外本发明的光波导电路的制造方法，能够以高成品率制造上述光波导电路。
附图说明
图1为表示本发明的第1实施方式的光波导的俯视图。
图2为图1在Ib-Ib线方向的剖面图。
图3为图1在Ic-Ic线方向的剖面图。
图4为表示本发明的第2实施方式的光波导电路的俯视图。
图5为图4在IIb-IIb线方向的剖面图。
图6为图4在IIc-IIc线方向的剖面图。
图7为图4在IId-IId线方向的剖面图。
图8为表示本发明的第3实施方式的光波导电路的俯视图。
图9为图8在IIIb-IIIb线方向的剖面图。
图10为图8在IIIc-IIIc线方向的剖面图。
图11为图8在IIId-IIId线方向的剖面图。
图12为表示本发明的第4实施方式的光波导电路的俯视图。
图13为图12在IVb-IVb线方向的剖面图。
图14为图12在IVc-IVc线方向的剖面图。
图15为图12在IVd-IVd线方向的剖面图。
图16为表示本发明的第5实施方式的光波导电路的俯视图。
图17为图16在Vb-Vb线方向的剖面图。
图18为图16在Vc-Vc线方向的剖面图。
图19为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图20为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图21为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图22为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图23为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图24为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图25为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图26为按工序顺序表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的剖面图。
图27为表示现有的光波导电路的俯视图。
图28为图27在VIIIb-VIIIb线方向的剖面图。
图29为表示现有的光波导电路的俯视图。
图30为图29在IXb-IXb线方向的剖面图。
图31为表示现有的光波导电路的俯视图。
图32为图31在Xb-Xb线方向的剖面图。
图33为图31在Xc-Xc线方向的剖面图。
图34为表示现有的光波导电路的俯视图。
图35为图34在XIb-XIb线方向的剖面图。
图36为图34在XIc-XIc线方向的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式详细地进行说明。
[第1实施方式]
在图1、图2、图3中表示本发明的第1实施方式的光波导。图1为俯视图，图2为图1在Ib-Ib线方向的剖面图，图3为图1在Ic-Ic线方向的剖面图。
该光波导包括：在衬底101上形成的下包层102；在下包层102形成的具有大致矩形的剖面的第一纤芯103；覆盖第一纤芯103的上表面及侧面的第二纤芯104；以埋入第一纤芯103及第二纤芯104的方式在下包层102上形成的上包层105。
第二纤芯104的表面平滑地成形。虽然在第一包层103的表面上在形成时产生高低不平，但在第一纤芯103和上包层105之间设有第二纤芯104，使第二纤芯104与上包层105的界面比与第一纤芯103的界面平滑，从而结果是使第一纤芯103的高低不平平滑化，抑制了由纤芯表面的高低不平而引起的散射损耗。因此，即使为了使器件小型化而增大纤芯和包层的相对折射率差Δ，也可以抑制由此引起的散射损耗的增大，因此不会导致波导传输损耗增大，可以实现器件的小型化。
另外，第二纤芯104的折射率要比上包层105的折射率大。但如果第二纤芯104的折射率过大，则根源于第二纤芯104的传输常数的变化变大，因此优选的是，第二纤芯104的折射率为与第一纤芯103的折射率相近的值，可以为第一纤芯103的折射率的1.01倍或1.01倍以下。
第二纤芯104的膜厚优选的是，在纤芯103的上表面或侧面的高低不平的深度以上。但如果第二纤芯104的膜厚过厚，则根源于第二纤芯104的传输常数的变化变大，因此优选的是，在纤芯103的厚度的2倍或2倍以下。
以下表示第1实施方式的具体例。衬底101使用硅衬底。下包层102及上包层105的材料使用掺杂了硼和磷的石英系材料(BPSG)，使膜厚分别为10μm，折射率分别为1.450。第一纤芯103的材料使用氮氧化硅(SiON)，设定其厚度为3μm，宽度为3μm，折射率为1.480，与包层102、105的相对折射率差为2％。第二纤芯104的材料使用BPSG，使之膜厚为0.5μm，折射率与第一纤芯103相同，为1.480。
对于第二纤芯104表面的平滑化应用了热回流。选择BPSG作为第二纤芯104的材料的理由为其软化温度比第一纤芯103要低。第二纤芯104的材料的软化温度比第一纤芯103的低，是在回流时第一纤芯103的形状不被破坏而使第二纤芯104平滑化的必要条件。
根据以上的构成，与没有第二纤芯104时的第一纤芯103表面的高低不平的深度约为100nm相对，第二纤芯104表面的高低不平的深度被降低至10nm或10nm以下。其结果，波导传输损耗从没有第二纤芯104时的0.2dB/cm降低至0.04dB/cm。
以上表示了第二纤芯104覆盖第一纤芯103的上表面及侧面的例子，但第二纤芯104若覆盖第一纤芯103的至少一部分也可以，也可以覆盖第一纤芯103的上表面、侧面以及下表面。
[第2实施方式]
在图4、图5、图6、图7中表示本发明的第2实施方式的光波导电路。图4为俯视图，图5为图4在IIb-IIb线方向的剖面图，图6为图4在IIc-IIc线方向的剖面图，图7为图4在IId-IId线方向的剖面图。
该光波导电路，使光信号从至少一根光波导211分支为多根光波导213，或从多根光波导213合流为至少一根光波导211，可以用作把光信号分支为多根光波导213的分支电路、或多根光波导213合流的合流电路。另外，可以用作单波长或多个不同波长的光信号的分支电路或合流电路。
多根光波导213，包括：在衬底201上形成的下包层202；以距离与作为光信号的分支点或合流点的平板波导212的连接部越远而间隔越大的方式在下包层202上形成的多个第一纤芯203；覆盖第一纤芯203的上表面及侧面，并且在与平板波导212的连接部附近相邻的第一纤芯203之间的间隙形成的第二纤芯204；以埋入第一纤芯203及第二纤芯204的方式在下包层202上形成的上包层205。
与第1实施方式相同，第二纤芯204的折射率比包层202、205的折射率大，第二纤芯204和包层205的界面平滑。
第二纤芯204从平板波导212的第一纤芯203S的上部跨至光波导213的第一纤芯203的上部而形成。此外，在第一纤芯203之间的间隙形成的第二纤芯204的膜厚，随着相邻的第一纤芯203的间隔的扩大而变薄。通过如此形成第二纤芯204，可以得到纤芯间的间隙从0平滑的增大的形状。这种构成可以在第二纤芯204成膜后通过例如热回流处理来实现。此外，通过利用旋涂来涂布聚合物树脂或旋涂玻璃树脂等液体材料，也可以实现。根据这种构成，在波导212、213的纤芯间的等效折射率逐渐减少，因此在分支点或合流点几乎不发生放射。此外，即使与图34～图36所示的光波导电路的现有例相比，由于第二纤芯204也在第一纤芯203、203S的上部形成，且第二纤芯204和上包层205的界面为平滑的曲面形状，因此也得到偏振相关的损耗的变化(Polarization Dependent Loss：PDL，偏振相关损耗)很小的效果。
如上，在本实施方式中，通过在光信号的分支点或合流点附近的第一纤芯203间的间隙，设置膜厚随相邻的第一纤芯的间隔而变薄的第二纤芯204，可以得到与在分支点分支的纤芯的间隔尽可能小同等的效果，并且，由于与包层的界面光滑地形成，因此，可以降低在分支点的放射损耗以及在光波导的传输损耗。
以下表示第2实施方式的具体例。光波导电路为一输入八输出型的星型分支电路。使衬底材料、波导各层的材料及尺寸、折射率等与第1实施方式相同。使在与平板波导212的连接点的第一纤芯203间的间隔为1μm。此外，被分支的第一纤芯204的间隔，在从与平板波导212的连接点开始的传输长度z＝500μm上，扩大到20μm。此时，第二纤芯204在第一纤芯203间的间隙中央的厚度，从与平板波导212的连接部的4μm，在z＝500μm上慢慢减少至0μm。其结果，所有8ch程度的输出的合计过剩损耗从没有第二纤芯204时的1.0dB减低至0.2dB。此外PDL非常小，在0.05dB以下。
[第3实施方式]
在图8、图9、图10、图11中表示本发明第3实施方式的光波导电路。图8为俯视图，图9为图8在IIIb-IIIb线方向的剖面图，图10为图8在IIIc-IIIc线方向的剖面图，图11为图8在IIId-IIId线方向的剖面图。
该光波导电路特别是在第2实施方式中构成了一输入二输出型电路，即Y分支型电路。
在以下表示第3实施方式的具体例。使衬底材料、波导各层的材料及尺寸、折射率等与第1实施方式相同。在衬底301上设置下包层302，在下包层302上设置第一纤芯303(303A、303B、303T)、第二纤芯304、上包层305。波导311经由锥形波导312分支为波导313A和波导313B。
在与锥形波导312的连接点，波导313A的第一纤芯303A和波导313B的第一纤芯303B的间隔为1μm。第一纤芯303T表示锥形波导312的第一纤芯。此外，被分支的纤芯303A、303B的间隔，在从与锥形波导312的连接点开始的传输长度z＝300μm上扩大到20μm。此时，第二纤芯304在第一纤芯303间的间隙中央的厚度，从与锥形波导312的连接部的4μm在z＝300μm上慢慢减少至0μm。其结果，2ch程度的输出的合计过剩损耗从没有第二纤芯304时的0.5dB减低至0.1dB。此外，PDL非常小，在0.05以下。
[第4实施方式]
在图12、图13、图14、图15中表示本发明的第4实施方式的光波导。图12为俯视图，图13为图12在IVb-IVb线方向的剖面图，图14为图12在IVc-IVc线方向的剖面图，图15为图12在IVd-IVd线方向的剖面图。
该光波导电路，把第2实施方式的光波导电路应用于AWG，包括：与至少一根的输入波导411连接的第一平板波导412；与至少一根的输出波导415连接的第二平板波导414；以及在该第一、第二平板波导之间设置光程差而形成的阵列波导413。
阵列波导413包括：在衬底401上形成的下包层402；在下包层402上形成的多个第一纤芯403；覆盖第一纤芯403的上表面及侧面，并且至少在第一及第二平板波导412、414和阵列波导413的连接部及其附近相邻的第一纤芯403间的间隙形成的第二纤芯404；以埋入第一纤芯403及第二纤芯404的方式在下包层402形成的上包层405构成。其中，第二纤芯404的折射率比包层402、405的折射率大，第二纤芯404和包层402、405的界面平滑，第二纤芯404从平板波导412、414的第一纤芯403S的上部跨至阵列波导413的第一纤芯403的上部而形成，在阵列波导413的第一纤芯403间的间隙形成的第二纤芯404的膜厚，随着第一纤芯403的间隔的扩大而变薄。通过第二纤芯404，可以防止在第一平板波导412中传输并向第一纤芯403间的间隙入射的信号光被放射至包层402、405，可以减低损耗。
以下表示第4实施方式的具体例。衬底材料、波导各层的材料及尺寸、折射率等、以及星型分支电路的各参数，全部与第二实施方式相同，制作信道间隔为100GHz、信道数为40的AWG。其结果，AWG的插入损耗从没有第二纤芯404时的2.5dB减低至1.0dB。此外，在透射波段区域1nm的PDL非常小，在0.15dB以下。
[第5实施方式]
在图16、图17、图18中表示本发明的第5实施方式的光波导电路。图16为俯视图，图17为图16在Vb-Vb线方向的剖面图，图18为图16在Vc-Vc线方向的剖面图。
该光波导电路为具有使多个第一纤芯503A、503B互相相邻的相邻波导512的耦合器。相邻波导512的耦合长度为L，耦合器包括输入波导511、相邻波导512、输出波导513A、513B。相邻波导512包括：在衬底501上形成的下包层502；在下包层502上互相平行地形成的多个第一纤芯503A、503B；覆盖第一纤芯503A、503B的至少一部分，并且在第一纤芯503A、503B间的间隙形成的第二纤芯504；以埋入第一纤芯503A、503B以及第二纤芯504的方式在下包层502上形成的上包层505。
进一步对第二纤芯504进行说明。第二纤芯504形成于相邻波导512的形成区域及其附近。第二纤芯504以埋入第一纤芯503A、503B的上表面及侧面的方式而形成。特别是在第一纤芯503A、503B间的间隔狭窄的相邻波导区域512的形成区域，由第二纤芯504充分地埋入两第一纤芯间的间隙。随着从相邻波导512的形成区域远离、两第一纤芯间的间隙扩大，第一纤芯503A、503B间的间隙中的第二纤芯504的膜厚变薄。另外，第二纤芯504的膜厚，只要是可以在相邻波导512的形成区域充分地埋入第一纤芯间的间隙就可以。第二纤芯504的折射率比上包层505的折射率大，优选的是，在第一纤芯503A、503B的折射率以下。第二纤芯504和上包层505的界面被平滑地形成。
通过设置第二纤芯504，可以使在相邻波导512的形成区域的第一纤芯503A、503B间隙中的等效折射率，比第一纤芯间的间隔分离的区域的大，等效地使Δ变小。因此，可以增大来自第一纤芯503A、503B的信号光的透出。其结果，即使相邻波导512的第一纤芯503A、503B的间隔和以往相比并无变化，也可以得到与使相邻波导512的间隔变窄相同的效果，可以缩短耦合器的耦合长度L。
以下表示第5实施方式的具体例。衬底501使用了硅衬底。下包层502及上包层505的材料使用BPSG，膜厚均为7μm，折射率均为1.450。第一纤芯503A、503B的材料使用SiON，厚度为2μm，宽度为2μm，折射率为1.526，设定为与包层502、505的相对折射率差Δ为5％。第二纤芯504的材料使用BPSG，膜厚为0.4μm，折射率为1.511。对第二纤芯504的表面的平滑化应用了热回流。在相邻波导512的形成区域的纤芯503A、503B间的间隔为2μm。其结果，用于使从输入波导511输入的信号光分割为两个输出波导513A、513B输出的必要的耦合长度L，从没有第二纤芯504时的1500μm缩短至200μm。
[第6实施方式]
图19～图22及图23～图26为表示本发明的第6实施方式的光波导电路的制造方法的制造工序图。在衬底601、701上使下包层602、702成膜，通过光刻蚀法及活性离子蚀刻选择性地蚀刻第一芯层而形成第一纤芯603、703后，在下包层602、702上使第二芯层604A、704A成膜，以使其至少覆盖第一纤芯603、703的上表面及侧面(图19、图23)。
然后，通过热回流处理使第二芯层604A、704A的表面平滑地成形，形成第二纤芯604B、704B(图20、图24)。此时，调整回流处理温度及时间，以使根据相邻的第一纤芯603、703的间隔，第一纤芯间的间隙中的第二纤芯604B、704B的膜厚变化为希望的形状。即，第二纤芯604B、704B的膜厚在第一纤芯间隔窄的地方厚、宽的地方薄，并且平滑地连接成形。
其后，根据需要，通过蚀刻除去从第一纤芯603、703充分分离的区域的第二纤芯604B、704B，形成第二芯层604C、704C(图21、图25)。
最后在下包层602、702上使上包层605、705成膜，以埋入第一纤芯603、703及第二纤芯604C、704C，完成光波导电路(图22、图26)。
另外，第二芯层604、704的材料使用折射率比包层602、605、702、705大的材料。
根据本发明者的试验，例如使第一纤芯603、703的厚度在1～8μm的范围内，第一纤芯间的最小间隔为1μm时，使作为第二芯层604A、704A的BPSG成膜，使在氮或氧或氦氛围气中回流处理温度在850℃～1200℃之间，回流处理时间在1小时～5小时之间，可以得到良好的形状作为第二纤芯604B、704B。
对于上下包层602、605、702、705、第一纤芯603、703及第二芯层604A、704A的成膜，可以应用化学气相沉积法(CVD)、火焰水解法(FHD)、溅射法等。
根据本实施方式的制造方法，通过第1～第5实施方式所述的材料及参数制作了光波导及光波导电路。使用该制造方法，只需通过作为一般技术确立的成膜工序和回流处理工序就可以形成第1～第5实施方式中的第二纤芯，因此通过晶片面内及晶片间的特性的变动以至少高成品率，可以制作低损耗波导、或低损耗且PDL小的分支、合流电路及AWG、或耦合长度短的耦合器。
如上，本发明涉及用于光通信等的光波导电路，对分支电路及合流电路、耦合器等有用。

Claims (21)

1、一种光波导电路，包括第一光波导(211)、第二光波导(213)、与所述第一光波导和第二光波导连接的平板波导(212)，其特征在于，
所述第二光波导和所述平板波导，包括第一纤芯、埋入该第一纤芯的包层(205)、以及设置于所述第一纤芯和所述包层间的第二纤芯(204)，
所述第二纤芯(204)，跨过所述第二光波导和所述平板波导，以覆盖所述第一纤芯(203)的方式形成，
所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，
所述第二纤芯和所示包层的界面形成为平滑。
2、一种光波导电路，使光信号从至少一根光波导(311)分支到多根光波导(313A、313B)，或从所述多根光波导合流到至少一根光波导，其特征在于，
所述至少一根光波导和所述多根光波导，包括：从至少一根分支到多根或从多根合流到至少一根的第一纤芯(303)；至少埋入所述第一纤芯的包层(305)；设置于所述第一纤芯和所述包层之间的第二纤芯(304)；
在所述多根光波导分为多根的第一纤芯，距离光信号的分支点或合流点越远间隔越大，
所述多根光波导的第二纤芯，在所述分支点或合流点附近的分为所述多根的第一纤芯间的间隙形成，
所述第二纤芯从所述至少一根光波导跨至所述多根光波导，以覆盖所述第一纤芯的方式形成，
所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，
所述第二纤芯和所述包层的界面平滑，
在所述第一纤芯间的间隙形成的所述第二纤芯的膜厚，随着分为所述多根的第一纤芯的间隔的扩大而变薄。
3、根据权利要求2所述的光波导电路，其特征在于，
所述光波导电路为Y型分支电路。
4、一种光波导电路，包括与至少一根输入波导连接的第一平板波导(412)，与至少一根输出波导连接的第二平板波导(414)，以及在该第一、第二平板波导间、设置光程差而形成的阵列波导(413)，其特征在于，
所述第一平板波导、所述第二平板波导及阵列波导，包括：在所述阵列波导(413)中分为多根，在所述第一及第二平板波导中成为至少一根的第一纤芯(403)；埋入所述第一纤芯的包层(405)；设置于所述第一纤芯和所述包层间的第二纤芯(404)；
所述阵列波导的第二纤芯(404)，在至少所述第一及第二平板波导和所述阵列波导的连接部、及其附近的分为多根的第一纤芯间的间隙形成，
所述第二纤芯跨过所述第一平板波导、阵列波导及所述第二平板波导，以覆盖所述第一纤芯的方式形成，
所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，
所述第二纤芯与所述包层的界面平滑，
在所述阵列波导的第一纤芯间的间隙形成的所述第二纤芯的膜厚，随着所述第一纤芯的间隔的扩大而变薄。
5、一种光波导电路，具有多个第一纤芯互相相邻的相邻波导，其特征在于，
所述光波导包括：多个第一纤芯；埋入这些第一纤芯的包层；设置于所述第一纤芯和所述包层之间并覆盖所述第一纤芯的第二纤芯；
所述相邻波导，在所述第一纤芯(503A、503B)间的间隙形成所述第二纤芯(504)，在除了所述相邻波导之外的波导中，不在所述第一纤芯(503A、503B)间的间隙形成所述第二纤芯(504)，
所述第二纤芯的折射率比所述包层的折射率大，
所述第二纤芯和所述包层的界面形成为平滑。
6、根据权利要求1所述的光波导电路，其特征在于，
被所述第二纤芯覆盖的所述第一纤芯具有大致矩形的剖面，
所述第二纤芯覆盖所述第一纤芯的上表面及侧面。
7、根据权利要求2所述的光波导电路，其特征在于，
被所述第二纤芯覆盖的所述第一纤芯具有大致矩形的剖面，
所述第二纤芯覆盖所述第一纤芯的上表面及侧面。
8、根据权利要求4所述的光波导电路，其特征在于，
被所述第二纤芯覆盖的所述第一纤芯具有大致矩形的剖面，
所述第二纤芯覆盖所述第一纤芯的上表面及侧面。
9、根据权利要求5所述的光波导电路，其特征在于，
被所述第二纤芯覆盖的所述第一纤芯具有大致矩形的剖面，
所述第二纤芯覆盖所述第一纤芯的上表面及侧面。
10、根据权利要求1所述的光波导电路，其特征在于，
覆盖所述第一纤芯的至少一部分的所述第二纤芯的厚度，为所述第一纤芯的厚度的2倍或2倍以下。
11、根据权利要求2所述的光波导电路，其特征在于，
覆盖所述第一纤芯的至少一部分的所述第二纤芯的厚度，为所述第一纤芯的厚度的2倍或2倍以下。
12、根据权利要求4所述的光波导电路，其特征在于，
覆盖所述第一纤芯的至少一部分的所述第二纤芯的厚度，为所述第一纤芯的厚度的2倍或2倍以下。
13、根据权利要求5所述的光波导电路，其特征在于，
覆盖所述第一纤芯的至少一部分的所述第二纤芯的厚度，为所述第一纤芯的厚度的2倍或2倍以下。
14、根据权利要求1所述的光波导电路，其特征在于，
所述第二纤芯的折射率为所述第一纤芯的折射率的1.01倍或1.01倍以下。
15、根据权利要求2所述的光波导电路，其特征在于，
所述第二纤芯的折射率为所述第一纤芯的折射率的1.01倍或1.01倍以下。
16、根据权利要求4所述的光波导电路，其特征在于，
所述第二纤芯的折射率为所述第一纤芯的折射率的1.01倍或1.01倍以下。
17、根据权利要求5所述的光波导电路，其特征在于，
所述第二纤芯的折射率为所述第一纤芯的折射率的1.01倍或1.01倍以下。
18、一种光波导电路的制造方法，该光波导电路包括至少一根光波导、以及与至少一根光波导连接的平板波导，其特征在于，至少包括以下工序：
使芯层成膜；
选择性地蚀刻所述芯层，从所述至少一根光波导跨至所述平板波导，形成第一纤芯；
在所述第一纤芯的侧面及上表面，形成第二芯层；
通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，形成第二纤芯；以及
在所述第二纤芯上形成由折射率比所述第二芯层的折射率小的材料构成的包层。
19、一种光波导电路的制造方法，该光波导电路，使光信号从至少一根光波导分支到多根光波导，或从多根光波导合流到至少一根光波导，其特征在于，至少包括以下工序：
使芯层成膜；
选择性地蚀刻所述芯层，形成从至少一根分支为多根或从多根合流为一根，并距离光信号的分支点或合流点越远间隔越大的第一纤芯；
从所述至少一根光波导跨至所述多根光波导，在所述第一纤芯的上部及分为多根的第一纤芯间形成第二芯层；
通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，并且随着分为所述多根的第一纤芯的间隔扩大，在分为多根的第一纤芯间的间隙形成的所述第二芯层的膜厚变薄，从而形成第二纤芯；以及
在所述第二纤芯上形成由折射率比所述第二芯层的折射率小的材料构成的包层。
20、一种光波导电路的制造方法，该光波导电路，包括与至少一根输入波导连接的第一平板波导，与至少一根输出波导连接的第二平板波导，以及具有在这些第一、第二平板波导间、设置光程差形成的多个纤芯的阵列波导，其特征在于，至少包括以下工序：
使芯层成膜；
选择性地蚀刻所述芯层，在所述第一平板波导、阵列波导及所述第二平板波导中，形成在所述第一及第二平板波导和所述阵列波导的连接点分为多根、并距离与第一、第二平板波导的连接点越远间隔越大的第一纤芯；
至少跨至所述第一平板波导、阵列波导及所述第二平板波导，在所述第一纤芯的上部及分为多根的第一纤芯间形成第二芯层；
通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，并且随着所述分为多根的第一纤芯的间隔扩大，在所述分为多根的第一纤芯间的间隙形成的所述第二芯层的膜厚变薄，从而形成第二纤芯；以及
在所述第二纤芯上形成由折射率比所述第二芯层的折射率小的材料构成的包层。
21、一种光波导电路的制造方法，该光波导电路，具有多根第一纤芯互相相邻的相邻波导，其特征在于，至少包括以下工序：
使芯层成膜；
选择性地蚀刻所述芯层，形成所述多根第一纤芯；
在所述第一纤芯的上部及所述多根第一纤芯间形成第二芯层；
通过热回流使所述第二芯层表面平滑地成形，并且在所述相邻波导中，在所述第一纤芯间的间隙形成所述第二纤芯，且在除了所述相邻波导之外的波导中，不在述第一纤芯间的间隙形成所述第二纤芯；以及
在所述第二纤芯上使由折射率比所述第二芯层的折射率小的材料构成的包层成膜。
CNB038145626A 2002-06-21 2003-06-20 光波导电路及其制造方法 Expired - Fee Related CN100347575C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP180913/2002 2002-06-21
JP2002180913A JP2004029073A (ja) 2002-06-21 2002-06-21 光導波路回路およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1662834A CN1662834A (zh) 2005-08-31
CN100347575C true CN100347575C (zh) 2007-11-07

Family

ID=29996616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038145626A Expired - Fee Related CN100347575C (zh) 2002-06-21 2003-06-20 光波导电路及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7228043B2 (zh)
JP (1) JP2004029073A (zh)
CN (1) CN100347575C (zh)
WO (1) WO2004001464A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004029073A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nec Corp 光導波路回路およびその製造方法
JP2005215009A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Nec Corp 光導波路回路及びその製造方法
CN101529294B (zh) * 2006-09-14 2012-06-27 东丽株式会社 光波导膜
US7630602B2 (en) * 2006-12-04 2009-12-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical filter module and method of manufacturing the same
JP4406023B2 (ja) * 2007-08-24 2010-01-27 富士通株式会社 光集積素子
JP4448199B2 (ja) 2008-02-29 2010-04-07 株式会社フジクラ 基板型光導波路素子、波長分散補償素子、光フィルタならびに光共振器、およびそれらの設計方法
WO2009107808A1 (ja) * 2008-02-29 2009-09-03 株式会社フジクラ 基板型光導波路素子、波長分散補償素子およびその設計方法、光フィルタおよびその設計方法、ならびに光共振器およびその設計方法
JP4500886B2 (ja) 2008-02-29 2010-07-14 株式会社フジクラ 光導波路素子、波長分散補償素子およびその設計方法、光フィルタおよびその設計方法、ならびに光共振器およびその設計方法
WO2009107812A1 (ja) 2008-02-29 2009-09-03 株式会社フジクラ 基板型光導波路素子、波長分散補償素子、光フィルタ、光共振器、およびそれらの設計方法
JP2011017787A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Shinko Electric Ind Co Ltd 光導波路層、光電気混載基板及び製造方法
WO2011143518A2 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Massachusetts Institute Of Technology Glassy surface smoothing layer for integrated waveguide
JP2012014027A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Oki Electric Ind Co Ltd スターカプラ及び光合分波素子
CN106842422A (zh) * 2017-04-14 2017-06-13 吉林大学 一种三维垂直耦合光模式转换‑隔离复合器件
JP2020098283A (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 日本電信電話株式会社 光導波路とその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03158802A (ja) * 1989-11-17 1991-07-08 Hitachi Cable Ltd 光導波路及びその製造方法
JPH05188231A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路の製造方法
JP2000147283A (ja) * 1998-09-03 2000-05-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波回路
JP2001074959A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 埋め込み型光導波路及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143577A (en) * 1991-02-08 1992-09-01 Hoechst Celanese Corporation Smooth-wall polymeric channel and rib waveguides exhibiting low optical loss
US5106211A (en) * 1991-02-14 1992-04-21 Hoechst Celanese Corp. Formation of polymer channel waveguides by excimer laser ablation and method of making same
JPH05224050A (ja) 1992-02-13 1993-09-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 方向性結合器およびその製造方法
JP3562670B2 (ja) 1995-09-05 2004-09-08 株式会社フジクラ 方向性結合器およびその製造方法
JP3758258B2 (ja) 1996-11-29 2006-03-22 富士通株式会社 光結合装置
JP2001255427A (ja) 2000-03-10 2001-09-21 Oki Electric Ind Co Ltd 光導波路及びその製造方法
US6788853B2 (en) * 2000-06-28 2004-09-07 Shipley Company, L.L.C. Method for cleaving integrated optic waveguides to provide a smooth waveguide endface
US6850683B2 (en) * 2000-07-10 2005-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Low-loss waveguide and method of making same
US20030026571A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 Michael Bazylenko Method of reducing sidewall roughness of a waveguide
JP2004029073A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nec Corp 光導波路回路およびその製造方法
US7164837B2 (en) * 2002-12-06 2007-01-16 Agency For Science, Technology And Research Method of fabricating optical waveguide devices with smooth and flat dielectric interfaces
US6895158B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-17 Eastman Kodak Company Waveguide and method of smoothing optical surfaces

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03158802A (ja) * 1989-11-17 1991-07-08 Hitachi Cable Ltd 光導波路及びその製造方法
JPH05188231A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路の製造方法
JP2000147283A (ja) * 1998-09-03 2000-05-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波回路
JP2001074959A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 埋め込み型光導波路及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1662834A (zh) 2005-08-31
JP2004029073A (ja) 2004-01-29
WO2004001464A1 (ja) 2003-12-31
US7228043B2 (en) 2007-06-05
US20050213913A1 (en) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100347575C (zh) 光波导电路及其制造方法
CN1234028C (zh) 光波导、光学部件和光开关
CN1253738C (zh) 光耦合器
US7394954B2 (en) Transverse-transfer of optical power between assembled waveguides
CN1839331A (zh) 与外部光场有低耦合损耗的集成光波导结构
KR101236089B1 (ko) 면광원 장치
US7801397B2 (en) Efficient light coupler from off-chip to on-chip waveguides
US6904220B2 (en) Optical waveguide, optical module, and method for producing same module
CN1178085C (zh) 光纤拼接用聚合物夹持元件
US6226429B1 (en) Manufacturing method for optical waveguide device
CN1885079A (zh) 光器件
JPWO2005101075A1 (ja) 光導波路構造
CN1743881A (zh) 光波导装置
CN114600016B (zh) 光栅耦合器和集成光栅耦合器系统
CN1886686A (zh) 低损耗微环形谐振器设备
CN1717603A (zh) 波长合波分波器
CN1755407A (zh) 光分路装置及光耦合模块
US20040184705A1 (en) Optical waveguide component and method of manufacturing the same
CN101317111B (zh) 光波导装置及光波导装置的制造方法
CN1304861C (zh) 光波导和用于制造该光波导的方法
CN1831620A (zh) 波导路径型可变光衰减器
US20080170822A1 (en) Optical waveguide
CN1302130A (zh) 阵列波导光栅类型的光信号多路复用器/多路分离器和光波导电路
CN1372156A (zh) 阵列波导光栅光复用器/分用器
CN1292274C (zh) 光合成分离器、光集成电路以及使用它们的光收发器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071107

Termination date: 20100620