CH699122B1

CH699122B1 - Système et procédé pour l’inspection de composants de semi-conducteurs.

Info

Publication number: CH699122B1
Application number: CH00963/09A
Authority: CH
Inventors: Ajharali Amanullah; Han Cheng Ge; Lee Kwang Heng; Albert Archwamety
Original assignee: Semiconductor Tech & Instr Inc
Priority date: 2008-06-23
Filing date: 2009-06-19
Publication date: 2015-05-15
Also published as: TWI499771B; MY148191A; CN101672802A; KR101698006B1; KR20090133097A; SG157977A1; CN101672802B; TW201005285A; CH699122A2

Abstract

Un système et un procédé pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs. Le système comprend un ensemble d’éclairage (14), une structure de prismes (16), une première caméra (24) et une deuxième caméra (26). La structure de prismes comprend une pluralité de surfaces. La lumière réfléchie par le boîtier de semi-conducteur placé en position de traitement pénètre dans la structure de prismes avant d’en sortir et de pénétrer dans soit la première caméra soit la deuxième caméra. La première caméra (24) et la deuxième caméra (26) offrent différents agrandissements. La première caméra capture une image de la surface inférieure et de chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur. La deuxième caméra capture une image uniquement de la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur. La lumière fournie par l’ensemble d’éclairage possède un groupe prédéterminé de propriétés qui sont variables pour améliorer la détection de défectuosités spécifiques. Les images capturées par la première caméra et la deuxième caméra sont transférées à un contrôleur pour leur analyse.

Description

Domaine de l’invention

[0001 ] La présente invention concerne un système et un procédé pour l’inspection des composants de semi-conducteurs, selon la préambule de revendication 1 et 19 respectivement.

Contexte/Etat de la technique

[0002] Le contrôle qualité dans la fabrication de boîtiers de semi-conducteurs ou éléments à semi-conducteurs constitue un aspect de plus en plus important et coûteux du processus de fabrication des boîtiers de semi-conducteurs. Des boîtiers de semi-conducteurs tels que boîtiers plats avec broches sur les quatre côtés sans pattes (QFN, Quad Fiat No Leads), boîtiers à matrice de billes (BGA, Bail Grid Arrays) et boîtiers-puces à encapsulation sur tranche (WLCSP, Wafer Level Chip Scale Packaging) exigent généralement des analyses et contrôles qualité rigoureux avant leur distribution et exportation. La détection de défectuosités (ci-après appelée contrôle qualité) de surfaces de boîtiers de semi-conducteurs permet au fabricant d’éliminer ou de corriger de telles défectuosités avant la distribution et l’exportation des boîtiers de semi-conducteurs. Suite à l’importance croissante accordée à une plus grande précision et qualité des boîtiers de semi-conducteurs, voire à l’exigence qui en est faite, le contrôle qualité de surfaces de boîtiers de semi-conducteurs est en passe de devenir une étape de plus en plus importante dans le processus global de fabrication de boîtiers de semi-conducteurs.

[0003] Les boîtiers de semi-conducteurs sont typiquement contrôlés pour détecter la présence de défectuosités de surface telles que cavités internes et formation de configuration inexacte. En outre, les boîtiers de semi-conducteurs sont généralement soumis à inspection pour détecter des défauts concernant remplacement, le pas, la coplanarité et l’alignement des extrémités des terminaux. En outre, les boîtiers de semi-conducteurs peuvent être contrôlés pour des caractères manquants ou mal placés dans les marquages ou données des fabricants qui sont imprimés sur la surface des boîtiers de semi-conducteurs. Typiquement, il est nécessaire de vérifier chaque surface inférieure et supérieure ainsi que latérale des boîtiers de semi-conducteurs avant leur distribution et exportation.

[0004] Plusieurs systèmes et procédés sont connus pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs. Des dispositifs photographiques tels que caméras avec dispositif à couplage de charge (CCD) sont utilisés de façon prépondérante pour la capture d’images durant le contrôle de boîtiers de semi-conducteurs. Un système et procédé typique pour le contrôle de boîtiers de semi-conducteurs utilise un arrangement comprenant une seule caméra pour l’inspection simultanée de la surface inférieure ou supérieure et des surfaces latérales. Toutefois, l’utilisation d’un arrangement comprenant une seule caméra résulte typiquement en une résolution réduite de l’inspection ou une détection de défectuosités réduite en raison de la large zone de contrôle combinée de la surface inférieure ou supérieure avec les surfaces latérales. En outre, les lentilles et miroirs qui sont utilisés avec l’arrangement comprenant une seule caméra requièrent en règle générale d’être déplacés ou positionnés pendant l’inspection. Le déplacement des lentilles et miroirs pendant l’inspection entraîne généralement des pertes dues à la calibration et au contrôle de l’ajustement.

[0005] Un autre système pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs est décrit dans la publication de la demande de brevet US 2003/0 086 083 A1 de Ebert et al. Le système proposé par Ebert et al. comprend de multiples miroirs et lentilles individuels. Un séparateur de faisceau dans le système d’Ebert et al. divise la lumière réfléchie du boîtier de semi-conducteur le long de trajectoires distinctes de haute et basse résolution pour capturer les images de haute et basse résolution du boîtier de semi-conducteur par une caméra de haute et basse résolution respectivement. L’image de basse résolution est utilisée pour identifier une zone d’intérêt qui est ensuite agrandie davantage par la caméra à haute résolution pour un contrôle plus approfondi. Toutefois, le système d’Ebert et al. occupe typiquement un volume considérable. Par ailleurs, le système d’Ebert et al. implique le positionnement de multiples miroirs et lentilles qui peuvent à la fois s’avérer gourmands en ressources et compromettre la précision. En outre, les images de haute et basse résolution saisies par le système d’Ebert et al. constituent une image identique (quoique de résolution différente) de la même zone d’intérêt.

[0006] Le brevet américain US 6 952 491 B2 et la demande de brevet US publiée US 2004/0 263 834 A1 , les deux au nom d’Alumot et al., décrivent un procédé et un dispositif pour l’inspection de surfaces d’éléments à semi-conducteurs. Le procédé et le dispositif d’Alumot et al. effectuent le contrôle des surfaces du composant semi-conducteur en deux phases. Dans une première phase, une surface du composant semi-conducteur est contrôlée à une vitesse relativement élevée et avec une résolution spatiale relativement basse. Dans une seconde phase, des emplacements sélectionnés de la surface du composant semi-conducteur sont ensuite contrôlés avec une résolution spatiale relativement haute. Les informations rassemblées durant la première phase et la deuxième phase sont analysées par un processeur ou contrôleur externe. Des comparaisons sont effectuées entre les images obtenues durant la première et la deuxième phase et des images de référence pour permettre la détection de défectuosités de surface sur le composant semi-conducteur.

[0007] Toutefois, le procédé de contrôle en deux phases divulgué par Alumot et al. est fortement chronophage et gourmand en ressources. Par ailleurs, la détection de défectuosités de surface par le procédé et le dispositif d’Alumot et al. requiert la comparaison entre l’image obtenue et l’image de référence, un processus qui peut être considérablement imprécis et chronophage. En outre, le dispositif et le procédé d’Alumot et al. permettent uniquement le contrôle d’une surface du composant semi-conducteur. Le dispositif d’Alumot et al. comprend également une multitude de composants et est

2 essentiellement volumineux. L’espace accru requis pour l’installation du dispositif d’Alumot et al. résulte typiquement en une surface de fabrication nécessaire accrue et, en fin de compte, en des coûts de production plus élevés.

[0008] Par conséquent, l’homme du métier comprendra que des améliorations aux systèmes et procédés pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs seront nécessaires. Un système et un procédé améliorés pour le contrôle de boîtiers de semi-conducteurs devrait permettre des résolutions plus élevées et multiples des images saisies pour la détection de défectuosités ou le contrôle qualité. Par ailleurs, le système amélioré devra de préférence être peu encombrant.

Résumé

[0009] Selon un premier aspect de la présente invention, un système d’inspection de composant semi-conducteur est divulgué qui est défini par les caractéristiques de la revendication 1.

[0010] Selon un second aspect de la présente invention, un procédé est divulgué pour l’inspection d’un composant semiconducteur, qui est défini par les caractéristiques de la revendication 19.

Brève description des figures [0011]

La fig. 1 montre une configuration de système partielle d’un système pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs selon un premier mode d’exécution, donné à titre d’exemple, de la présente invention; la fig. 2 montre une vue de surface en coupe partielle d’un ensemble d’illumination angulaire et de la structure de prismes latérale du système de la fig. 1 ; la fig. 3 montre une vue de face en coupe partielle élargie de la structure de prismes latérale de la fig. 2 et de sa redirection de la lumière; la fig. 4 montre un diagramme de la trajectoire de la lumière selon un premier chemin optique donné à titre d’exemple entre le boîtier de semi-conducteur et une première caméra du système de la fig. 1 ; la fig. 5 montre la trajectoire de la lumière selon le premier chemin optique donné à titre d’exemple de la fig. 4; la fig. 6 montre un diagramme de la trajectoire de la lumière selon un deuxième chemin optique donné à titre d’exemple entre le boîtier de semi-conducteur et une deuxième caméra du système de la fig. 1 ; la fig. 7 montre la trajectoire de la lumière selon le deuxième chemin optique donné à titre d’exemple de la fig. 6; la fig. 8 montre une combinaison des trajectoires de la lumière selon le premier chemin optique, donné à titre d’exemple, de la fig. 4 et le premier chemin optique, donné à titre d’exemple, de la fig. 6; la fig. 9 montre une image capturée par la première caméra et une image capturée par la deuxième caméra du système de la fig. 1 ; la fig. 10 montre la trajectoire de la lumière à travers un ensemble de prismes du système pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs de la fig. 1 ; et la fig. 1 1 montre un diagramme du procédé pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs selon un deuxième mode d’exécution, donné à titre d’exemple, de la présente invention.

Description détaillée

[0012] Le contrôle qualité dans la fabrication de boîtiers de semi-conducteurs ou composants semi-conducteurs est un aspect d’importance accrue et de coût croissant. Il existe plusieurs systèmes et procédés pour le contrôle de la qualité ou la détection de défectuosités de surfaces de boîtiers de semi-conducteurs. Les systèmes et procédés disponibles présentent plusieurs désavantages ou problèmes tels que décrits précédemment. Un inconvénient est une résolution limitée des images capturées avec des systèmes comprenant une seule caméra. Le mouvement des parties constituantes des systèmes existants, par exemples lentilles et miroirs, entraîne généralement des pertes dues à l’étalonnage et au contrôle de l’ajustement. En outre, les systèmes actuels pour le contrôle qualité des boîtiers de semi-conducteurs qui comprennent de multiples caméras présentent typiquement un encombrement considérable et augmentent ainsi les frais de production. Par conséquent, l’homme du métier comprendra que des améliorations aux systèmes et procédés pour le contrôle qualité de boîtiers de semi-conducteurs sont nécessaires.

[0013] Pour des raisons de concision et de clarté, la description de la présente invention est limitée ci-après à un système et à un procédé pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs qui permettent un agrandissement multiple et un contrôle de surface multiple. Cela n’exclut toutefois pas différents modes d’exécution de l’invention pour d’autres applications où les principes fondamentaux qui régissent les différents modes d’exécution, telles que les caractéristiques opérationnelles, fonctionnelles ou de performance, sont sollicités.

3 [0014] Des modes d’exécution, donnés à titre d’exemple, d’un système et d’un procédé pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs sont décrits ci-après en référence aux fig. 1 à 10, dans lesquelles les mêmes éléments portent les mêmes numéros de référence.

[0015] Un système 10 pour le contrôle de boîtiers de semi-conducteurs (également connus sous le nom de substrats semi-conducteurs) 12 est prévu selon un premier mode d’exécution, donné à titre d’exemple, de la présente invention. Les boîtiers de semi-conducteurs 12 incluent, mais ne sont pas limités à, des boîtiers plats avec broches sur les quatre côtés sans pattes (QFN, Quad Fiat No Leads), boîtiers à matrice de billes (BGA, Bail Grid Arrays) et boîtiers-puces à encapsulation sur tranche (WLCSP, Wafer Level Chip Scale Packaging). De préférence, le système 10 comprend un ensemble d’éclairage 14 ou un dispositif d’éclairage, une structure de prismes 16 et un nombre de caméras.

[0016] Chaque boîtier de semi-conducteur 12 comprend de préférence une surface supérieure, une surface inférieure et quatre surfaces latérales. La surface supérieure et la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 peuvent aussi être appelées côté supérieur respectivement côté inférieur du boîtier de semi-conducteur 12. De préférence, chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 est à un angle par rapport à la surface supérieure et à la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12. L’homme du métier comprendra sûrement que le boîtier de semi-conducteur 12 peut posséder davantage que quatre surfaces latérales. Par exemple, le boîtier de semi-conducteur 12 peut avoir une forme octogonale ou décagonale avec huit ou dix surfaces latérales correspondantes.

[0017] De préférence, l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 implique la capture d’image de la surface supérieure, de la surface inférieure et de chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12. Une variante consiste en ce que l’inspection du boîtier de semi-conducteur 12 inclut la capture d’image d’un nombre quelconque de surfaces du boîtier de semi-conducteur 12.

[0018] Le système 10 pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 permet de préférence la capture de l’image de la surface inférieure ainsi que de chacune des quatre surfaces latérales des boîtiers de semi-conducteurs 12. La capture d’image de la surface inférieure ainsi que de chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 facilite la détection de défectuosités situées sur n’importe laquelle des surfaces.

[0019] Les défectuosités de surfaces de boîtiers de semi-conducteurs 12 comprennent, mais ne sont pas limitées à, des vides, des fissures, des taches, des contaminations, des configurations incorrectes et des positionnements d’interconnexion imprécis. La détection de défectuosités de surface permet aux défectuosités de surface détectées d’être corrigées. Dans une variante, la détection de défectuosités de surface de boîtiers de semi-conducteurs 12 facilite l’élimination de boîtiers de semi-conducteurs 12 défectueux. Par conséquent, l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 résulte de préférence en une qualité améliorée des boîtiers de semi-conducteurs 12 fabriqués.

[0020] Le boîtier de semi-conducteur 12 est de préférence placé en position de traitement 18 durant l’inspection ou la capture d’image. L’ensemble d’éclairage 14 peut être actionné pour fournir ou diriger la lumière au boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. De préférence, l’ensemble d’éclairage 14 comprend un ensemble d’illumination angulaire 20 et un ensemble d’illumination axiale 22. L’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 comprennent de préférence des dispositifs multi-couches à diodes électroluminescentes (DEL). Dans une variante, l’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 comprennent des illuminateurs flash au xénon. Une autre variante consiste en ce que l’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 comprennent différents types de dispositifs ou appareils d’éclairage connus de l’homme du métier. Dans une autre variante, l’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 comprennent chacun différents dispositifs d’éclairage ou d’illumination.

[0021 ] De préférence, l’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 sont tous deux disposés dans une configuration prédéterminée. En outre, de préférence, la disposition ou la configuration spatiale de l’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 est essentiellement fixe. Comme le comprendra l’homme du métier, la disposition spatiale fixe de l’ensemble d’éclairage 14 améliore la facilité et l’efficacité d’opération d’éclairage de boîtiers de semi-conducteurs 12 pendant l’inspection.

[0022] L’ensemble d’illumination angulaire 20 fournit ou dirige la lumière vers la surface inférieure et chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. De préférence, les dispositifs multi-couches à diodes électroluminescentes (DEL) de l’ensemble d’illumination angulaire 20 sont chacun disposés à des angles prédéterminés par rapport à la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. En outre, de préférence, les angles prédéterminés peuvent être ajustés ou variés en conséquence pour permettre à la lumière d’être dirigée vers le boîtier de semi-conducteur aux angles requis ou souhaités. En outre, les dispositifs multi-couches à diodes électroluminescentes (DEL) sont de préférence disposés dans l’espace de manière à éviter essentiellement toute interférence avec la lumière réfléchie par la surface inférieure et chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18.

[0023] De préférence, l’ensemble d’illumination axiale 22 fournit ou dirige la lumière principalement vers la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18.

[0024] Le système 10 pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 comprend en outre une structure de prismes 16, également connu comme structure de réflecteurs. La structure de prismes 16 comprend une pluralité de surfaces ou

4 de surfaces réfléchissantes. De préférence, la pluralité de surfaces sont disposées ou interconfigurées spécifiquement les unes par rapport aux autres. Plus préférablement, la pluralité de surfaces est interpositionnée pour définir un passage entre elles. Chacune de la pluralité de surfaces possède des propriétés ou caractéristiques soigneusement prédéterminées. Par exemple, au moins une de la pluralité de surfaces comprend un revêtement avec un coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption soigneusement prédéterminé. En outre, au moins une de la pluralité de surfaces est de préférence réalisée par un processus de collage optique.

[0025] De préférence, au moins une partie de la lumière fournie ou dirigée vers les surfaces du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18 est réfléchie par les surfaces du boîtier de semi-conducteur 12. Au moins une partie de la lumière réfléchie par le boîtier de semi-conducteur 12 pénètre de préférence dans la structure de prismes 16 avant d’en ressortir et de pénétrer au moins dans une de la pluralité de caméras. Le nombre de caméras est de préférence deux, à savoir une première caméra 24 et une deuxième caméra 26 (appelées également premier dispositif de capture d’image et deuxième dispositif de capture d’image). De préférence, tant la première caméra 24 que la deuxième caméra 26 sont des caméras à haute résolution. La première caméra 24 et la deuxième caméra 26 peuvent chacune avoir la même haute résolution. Dans une variante, la première caméra 24 et la deuxième caméra 26 ont chacune une résolution différente.

[0026] De préférence, la lumière pénétrant dans la première caméra 24 et la deuxième caméra 26 permet la capture d’image par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26 respectivement. La haute résolution de la première caméra 24 et de la deuxième caméra 26 permet la capture d’images à haute résolution. Par conséquent, la haute résolution de la première caméra 24 et de la deuxième caméra 26 améliore de préférence la précision et la facilité de la détection de défectuosités de surface par le système 10.

[0027] De préférence, le fonctionnement de la première caméra 24, de la deuxième caméra 26 et de l’ensemble d’éclairage 14 est contrôlé par un ou une combinaison de système informatisé et un contrôleur programmable (non représentée). Le contrôleur programmable est de préférence connectée ou en communication par signal avec au moins l’ensemble d’illumination angulaire 20 ou l’ensemble d’illumination axiale 22. De préférence, le contrôleur programmable commande ou détermine les propriétés ou caractéristiques de la lumière fournie par au moins l’ensemble d’illumination angulaire 20 ou l’ensemble d’illumination axiale 22 au boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. Les propriétés de la lumière commandées par le contrôleur programmable incluent, mais ne sont pas limitées à, la luminosité ou l’intensité, la couleur et l’angle d’illumination. Par exemple, le contrôleur programmable est capable de commander l’angle de chacun des dispositifs multi-couches à diodes électroluminescentes (DEL) par rapport à un plan de référence défini à ou le long de la surface inférieure du composant semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18, et donc l’angle de la lumière dirigée par chacun des dispositifs multi-couches à diodes électroluminescentes (DEL) vers le boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18.

[0028] De préférence, la lumière réfléchie par la surface inférieure du composant semi-conducteur 12 est essentiellement perpendiculaire au plan de référence. En outre, de préférence, chacune des quatre surfaces latérales du composant semi-conducteur 12 est perpendiculaire au plan de référence. La lumière réfléchie par chacune des quatre surfaces latérales du composant semi-conducteur est de préférence essentiellement parallèle au plan de référence.

[0029] L’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 peuvent être commandés pour simultanément illuminer le boîtier de semi-conducteur 12 avec de la lumière à la fois angulaire et axiale. Comme variante, l’ensemble d’illumination angulaire 20 et l’ensemble d’illumination axiale 22 peuvent être commandés pour effectuer une illumination angulaire et une illumination axiale du boîtier de semi-conducteur 12 de façon alternée dans le temps. Le contrôleur programmable est capable de commander individuellement chacune des différentes propriétés de la lumière fournie par l’ensemble d’éclairage 14. En outre, le contrôleur est parfaitement en mesure de commander ou déterminer un groupe de propriétés de la lumière fournie par l’ensemble d’éclairage 14.

[0030] La lumière est composée de particules élémentaires connues sous le nom de photons. La lumière possède des propriétés tant d’ondes que de particules, un phénomène communément appelé dualité onde particule. En général, la lumière est également connue comme faisceau de rayons lumineux ou d’ondes lumineuses. Chaque rayon ou onde de lumière a une longueur d’onde. La longueur d’onde d’un rayon lumineux détermine la fréquence du rayon lumineux. La fréquence du rayon lumineux est un facteur pour déterminer la capacité de transmission, l’absorption et le pouvoir réfléchissant du rayon lumineux lorsque le rayon lumineux frappe ou atteint une surface.

[0031 ] Comme mentionné précédemment, le contrôle ou la capture d’image des surfaces du boîtier de semi-conducteur 12 se produit lorsque le boîtier de semi-conducteur 12 est placé en position de traitement 18. Des images sont capturées lorsque la lumière (également appelée, de façon interchangeable, rayons lumineux) réfléchie par les surfaces du boîtier de semi-conducteur 12 pénètre soit dans la première caméra 24 soit dans la deuxième caméra 26.

[0032] De préférence, la lumière réfléchie par les surfaces des boîtiers de semi-conducteurs 12 traverse d’abord la structure de prismes 16 avant de pénétrer soit dans la première caméra 24 soit dans la deuxième caméra 26. De préférence, la lumière qui pénètre finalement dans la première caméra 24 suit un premier chemin optique à travers la structure de prismes 16. En outre, de préférence, la lumière qui pénètre finalement dans la deuxième caméra 26 suit un deuxième chemin optique à travers la structure de prismes 16.

5 [0033] Un schéma de procédé d’un premier chemin optique 100 donné à titre d’exemple est illustré aux fig. 5 et 6. Au cours de l’étape 1 10 du premier chemin optique 100, la lumière réfléchie par la surface inférieure et chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18 pénètre dans la structure de prismes 16 à travers une première surface d’entrée 50. La première surface d’entrée 50 est de préférence recouverte d’un revêtement antireflet pour prévenir ou substantiellement réduire la réflexion de la lumière frappant la première surface d’entrée 50.

[0034] Au cours de l’étape 120, la lumière pénétrant dans la structure de prismes 16 est réfléchie par une deuxième surface réfléchissante 52. La deuxième surface réfléchissante 52 est de préférence recouverte d’un revêtement spécial. De préférence, le revêtement spécial possède un coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption de 50%, 50% et 0% respectivement. En outre, de préférence, le coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption est variable avec une tolérance allant jusqu’à ±5%. A titre de variante, le coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption est ajustable ou variable en fonction des besoins.

[0035] La loi de réflexion stipule qu’un rayon lumineux incident frappant une interface à un angle (c’est-à-dire l’angle d’incidence) i, mesuré entre une ligne perpendiculaire à l’interface (c’est-à-dire normale) et le rayon lumineux incident, sera réfléchi par l’interface au même angle i. En d’autres termes, l’angle de réflexion de rayons lumineux ou de lumière est égal à l’angle d’incidence.

[0036] La quantité de rayons lumineux réfléchis par la deuxième surface réfléchissante 52 dépend du coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption du revêtement spécial. De préférence, la lumière est réfléchie par la deuxième surface réfléchissante 52 à un angle de réflexion égal à celui de l’angle d’incidence.

[0037] Au cours de l’étape 130, la lumière réfléchie par la deuxième surface réfléchissante est dirigée à travers une troisième surface réfléchissante 54 au sein de la structure de prismes 16. De préférence, la lumière atteint ou frappe la troisième surface réfléchissante 54 perpendiculairement afin d’empêcher toute réflexion par la troisième surface réfléchissante 54. La troisième surface réfléchissante 54 est de préférence réalisée par un processus de collage optique. De préférence, les surfaces réalisées par le processus de collage optique possèdent des indexes de réfraction égaux ou essentiellement équivalents des deux côtés.

[0038] La lumière traversant la troisième surface réfléchissante 54 est ensuite réfléchie par une quatrième surface réfléchissante 56 au sein de la structure de prismes 16 au cours de l’étape 140. De préférence, la lumière est dirigée vers la quatrième surface réfléchissante 56 à un angle (c’est-à-dire l’angle d’incidence) par rapport à la normale de la quatrième surface réfléchissante 56. La quatrième surface réfléchissante 56 est de préférence recouverte du revêtement spécial similaire à celui de la deuxième surface réfléchissante 52. En outre, de préférence, le coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption du revêtement spécial de la quatrième surface réfléchissante 56 est substantiellement équivalent à celui de la deuxième surface réfléchissante 52. Dans une variante, le coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption du revêtement spécial de la quatrième surface réfléchissante 56 est différent de celui de la deuxième surface réfléchissante 52. Tant la deuxième surface réfléchissante 52 que la quatrième surface réfléchissante 56 peuvent servir de séparateur de faisceau. Cela signifie que la lumière dirigée soit vers la deuxième surface réfléchissante 52 soit vers la quatrième surface réfléchissante 56 peut être réfléchie sous la forme de multiples rayons lumineux, chacun des multiples rayons lumineux étant dirigé le long d’un chemin différent ou dans une direction différente.

[0039] De préférence, la lumière est réfléchie par la quatrième surface réfléchissante 56 à un angle de réflexion équivalent à l’angle d’incidence. La quantité de rayons lumineux ou de lumière réfléchis par la quatrième surface réfléchissante 56 dépend du coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption du revêtement spécial.

[0040] De préférence, la lumière réfléchie par la quatrième surface réfléchissante 56 est de préférence dirigée vers une cinquième surface réfléchissante 58. La cinquième surface réfléchissante 58 possède de préférence un fini miroir avec un facteur de réflexion plus grand que 92%. Dans une variante, le fini miroir possède un facteur de réflexion d’une valeur différente. Augmenter le facteur de réflexion de la cinquième surface réfléchissante 58 permet à un pourcentage plus élevé de rayons lumineux frappant cette surface d’y être réfléchis.

[0041 ] Lors de l’étape 150 du premier chemin optique 100, la lumière dirigée vers la cinquième surface réfléchissante 58 s’y voit réfléchie. La lumière est de préférence réfléchie par la cinquième surface réfléchissante 58 à un angle de réflexion équivalent à l’angle d’incidence.

[0042] Lors de l’étape 160, la lumière réfléchie par la cinquième surface réfléchissante 58 sort de la structure de prismes 16 au travers d’une première surface de sortie 60. De préférence, la première surface de sortie 60 partage les mêmes propriétés ou des propriétés essentiellement similaires à celles de la première surface 50. C’est-à-dire que la première surface de sortie 60 comprend de préférence un revêtement antireflet pour empêcher ou substantiellement réduire la réflexion de lumière. Une variante consiste en ce que la première surface de sortie 60 possède différentes propriétés par rapport à la première surface 50.

[0043] La lumière sortant de la structure de prismes 16 à travers la première surface de sortie 60 passe à travers une première lentille caméra 62 avant de pénétrer dans la première caméra 24 au cours d’une étape finale 170. La première caméra 24 définit de préférence un premier plan de capture d’image. De préférence, la première lentille optique 62 est spatialement placée entre la première surface de sortie 60 et la première caméra 24. En outre, de préférence les positions spatiales de la première caméra 24 et de la première lentille optique 62 sont essentiellement fixes. La première lentille

6 optique 62 a de préférence une longue distance lentille objet. La première lentille optique 62 possède une distance focale prédéterminée pour obtenir un agrandissement ou facteur d’agrandissement prédéterminé. De préférence, la distance focale, et donc l’agrandissement, de la première lentille optique 62 peut être variée en fonction des besoins en utilisant des techniques bien connues de l’homme du métier.

[0044] De préférence, la distance focale ou l’agrandissement obtenu par la première lentille optique 62 permet à la lumière réfléchie par la surface inférieure ainsi que la lumière réfléchie par chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18 de pénétrer dans la caméra. Ainsi, la première caméra 24 est de préférence en mesure de capturer des images de multiples surfaces, à savoir la surface inférieure et chacune des quatre surfaces latérales, du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18.

[0045] Un deuxième chemin optique 200 donné à titre d’exemple est illustré aux fig. 7 et 8. De préférence, l’étape 210, l’étape 220 et l’étape 230 du deuxième chemin optique 200 sont similaires respectivement à l’étape 1 10, à l’étape 120 et à l’étape 130 du premier chemin optique 100. Par conséquent, au cours de l’étape 210, la lumière réfléchie par la surface inférieure de la surface du semi-conducteur placé en position de traitement 18 pénètre dans la structure de prismes 16 à travers la première surface 50. La lumière est ensuite réfléchie par la deuxième surface réfléchissante 52 au cours de l’étape 220 à un angle de réflexion égal à l’angle d’incidence. La lumière réfléchie par la deuxième surface réfléchissante 52 traverse ensuite la troisième surface réfléchissante 54 au cours de l’étape 230.

[0046] Au cours de l’étape 240 du deuxième chemin optique 200, la lumière passant à travers la troisième surface réfléchissante 54 est transmise à travers la quatrième surface réfléchissante 56 au sein de la structure de prismes 16. Le pourcentage de lumière transmis à travers la quatrième surface réfléchissante 56 dépend de préférence du coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption du revêtement spécial de la quatrième surface réfléchissante 56. De préférence, le coefficient de réflexion, de transmission et d’absorption du revêtement spécial est de 50%, 50% et 0% respectivement. Par conséquent, 50% des rayons lumineux frappant la quatrième surface réfléchissante 56 sont de préférence transmis à travers la quatrième surface réfléchissante 56.

[0047] La lumière transmise à travers la quatrième surface réfléchissante 56 sort de la structure de prismes 16 à travers une deuxième surface de sortie 64 au cours de l’étape 250. De préférence, la deuxième surface de sortie 64 partage les mêmes propriétés ou des propriétés essentiellement similaires à celles de la première surface de sortie 60. C’est-à-dire que la deuxième surface de sortie 64 est de préférence recouverte d’un revêtement antireflet pour empêcher ou substantiellement réduire la réflexion de lumière. Une variante consiste en la deuxième surface de sortie 64 ayant des propriétés différentes de celles de la première surface de sortie 60.

[0048] Au cours de l’étape 260 du deuxième chemin optique 200, la lumière sortant de la structure de prismes 16 passe à travers une deuxième lentille optique 66 avant de pénétrer dans la deuxième caméra 26. La deuxième caméra 26 définit de préférence un deuxième plan de capture d’image. De préférence, la deuxième lentille optique 66 est placée spatialement entre la deuxième surface de sortie 64 et la deuxième caméra 26. En outre, de préférence, les positions spatiales de la deuxième caméra 26 et de la deuxième lentille optique 66 sont essentiellement fixes. La deuxième lentille optique 66 offre de préférence une longue distance lentille objet. En outre, la deuxième lentille optique 66 possède une distance focale prédéterminée pour obtenir un agrandissement prédéterminé. Comme pour la première lentille optique 62, la distance focale, et donc l’agrandissement, de la deuxième lentille optique 66 peut être variée en fonction des besoins en utilisant des techniques bien connues de l’homme du métier.

[0049] De préférence, l’agrandissement de la deuxième lentille optique 66 est différent de celui de la première lentille optique 62. De préférence, la distance focale et l’agrandissement obtenus par la deuxième lentille optique 66 permettent uniquement à la lumière réfléchie par la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18 de pénétrer dans la deuxième caméra 26. Ainsi, la deuxième caméra 26 est de préférence en mesure de capturer des images d’une seule surface, à savoir de la surface inférieure, du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. De préférence, l’agrandissement de la deuxième lentille optique 66 est plus élevé que celui de la première lentille optique 62, permettant un agrandissement plus élevé de l’image de la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 au moyen de la deuxième caméra 26.

[0050] La différence de distance focale, et donc d’agrandissement, de la première lentille optique 62 par rapport à la deuxième lentille optique 66 permet ainsi au système 10 de capturer des images d’agrandissement multiples ou des vues multiples. L’homme du métier comprendra qu’augmenter le nombre de lentilles de caméra du système 10, chacune avec une distance focale différente, en combinaison avec une augmentation correspondante du nombre de surfaces de la structure de prismes 16, peut permettre au système 10 de capturer des images avec un nombre croissant d’agrandissements ou de nombre de vues.

[0051 ] La première caméra 24 et la deuxième caméra 26 du système 10 sont de préférence positionnées essentiellement adjacentes l’une à l’autre, en ligne avec la première surface de sortie 60 et la deuxième surface de sortie 64 respectivement. L’espace physique requis par le positionnement ou le placement de la première caméra 24 et de la deuxième caméra 26 détermine de préférence la distance ou l’espace requis entre la quatrième surface réfléchissante 56 et la cinquième surface réfléchissante 58 de la structure de prismes 16.

7 [0052] De préférence, l’utilisation de la structure de prismes 16 réduit l’espace requis pour l’installation du système 10 en comparaison des systèmes existants pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12. En outre, de préférence la première surface 50, la deuxième surface réfléchissante 52, la troisième surface réfléchissante 54, la quatrième surface réfléchissante 56 et la cinquième surface réfléchissante 58 de la structure de prismes 16 sont chacune fixe ou immobile dans l’espace. L’immobilité de chacune des surfaces susmentionnées de la structure de prismes 16 élimine ou réduit substantiellement les pertes dues à la calibration ou au contrôle de l’ajustement présentes dans les systèmes existants qui utilisent des miroirs et lentilles mobiles.

[0053] Un procédé pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 tel qu’illustré à la fig. 10 est proposé à titre d’exemple dans un deuxième mode d’exécution de la présente invention. De préférence, le procédé 300 utilise le système 10.

[0054] Au cours de l’étape 310, le boîtier de semi-conducteur 12 est placé en position de traitement 18. La position de traitement 18 est de préférence située au sein d’une structure de prismes latérale 68 du système 10. De préférence, la structure de prismes latérale comprend une pluralité de surfaces ou miroirs, plus spécifiquement quatre surfaces. De préférence, la position de traitement 18 est située essentiellement au sein d’un espace défini par les quatre surfaces de la structure de prismes latérale 68. De préférence, chacune des quatre surfaces latérales de la structure de prismes latérale 68 est destinée à recevoir la lumière réfléchie par chacun des quatre côtés du boîtier de semi-conducteur 12.

[0055] L’ensemble d’éclairage fournit ensuite un premier flash de lumière ou d’illumination dirigé vers le boîtier de semiconducteur 12 au cours de l’étape 320. De préférence, le premier flash de lumière illumine la surface inférieure ainsi que chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18.

[0056] De préférence, le premier flash de lumière possède un groupe prédéterminé de propriétés. Le groupe prédéterminé de propriétés est de préférence déterminé ou commandé par le contrôleur. Comme décrit précédemment, le groupe de propriétés comprend de préférence une luminosité ou intensité spécifique, une couleur et un angle d’illumination. Par exemple, le groupe de propriétés comprend une luminosité de 50%, une couleur rouge et un angle d’illumination de 50 degrés. De préférence, chaque propriété au sein du groupe de propriétés peut être modifiée individuellement en fonction des besoins.

[0057] Le groupe de propriétés est de préférence sélectionné spécifiquement pour mettre l’accent sur un type spécifique de défectuosité de surface de boîtiers de semi-conducteurs 12. La raison en est que la détection de certaines défectuosités de surface de boîtiers de semi-conducteurs 12 est effectuée plus précisément ou facilement en utilisant une lumière possédant un certain groupe de propriétés, comme le comprendra l’homme du métier.

[0058] Le premier flash de lumière dirigé vers le boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18 peut être réfléchi par la surface inférieure et chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12. De préférence, la lumière réfléchie par la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 est perpendiculaire à la lumière réfléchie par chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12.

[0059] Au cours de l’étape 330, une première image du boîtier de semi-conducteur 12 est capturée par la première caméra 24. De préférence, la première caméra 24 est exposée pour une durée de temps prédéterminée pour permettre à la lumière d’y pénétrer. La pénétration de la lumière dans la première caméra 24 permet ainsi la capture d’image par la première caméra 24. De préférence, la lumière pénétrant dans la première caméra 24 suit le premier chemin optique 100.

[0060] De préférence, les images capturées par la première caméra 24 représentent de multiples surfaces du boîtier de semi-conducteur 12 en position de traitement 18. Cela signifie que les images capturées par la première caméra 24 comprennent de préférence une image de la surface inférieure avec une image de chacune des quatre surfaces latérales du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. En outre, la première image capturée est de préférence caractérisée par le groupe prédéterminé de propriétés du premier flash de lumière.

[0061 ] Au cours de l’étape 340, l’ensemble d’éclairage fournit un deuxième flash de lumière dirigé vers le boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. De préférence, le deuxième flash de lumière possède le même groupe prédéterminé de propriétés que le premier flash de lumière. Dans une variante, le deuxième flash de lumière possède un groupe de propriétés différent de celui du premier flash de lumière.

[0062] Une deuxième image est ensuite capturée par la deuxième caméra 26 au cours de l’étape 350. De préférence, la deuxième caméra 26 est exposée pour une durée de temps prédéfinie pour permettre à la lumière d’y pénétrer. De la même façon que pour la première caméra 24, la pénétration de la lumière dans la deuxième caméra 26 permet ainsi la capture d’image par la deuxième caméra 26. De préférence, la lumière pénétrant dans la deuxième caméra 26 suit le deuxième chemin optique 200.

[0063] De préférence, les images capturées par la deuxième caméra 26 représentent une seule surface du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18. C’est-à-dire que les images capturées par la deuxième caméra 26 comprennent uniquement une image de la surface inférieure du boîtier de semi-conducteur 12 placé en position de traitement 18.

8

Claims

[0064] La deuxième image, comme dans le cas de la première image, est de préférence caractérisée par le groupe prédéterminé de propriétés du deuxième flash de lumière. Par conséquent, tant la deuxième image que la première image partagent de préférence un groupe commun prédéterminé de propriétés et constitueront ci-après un premier jeu d’images. [0065] De préférence, les images au sein de chaque jeu d’images sont caractérisées par le même groupe de propriétés. Par exemple, chaque image au sein de chaque jeu d’images partage de préférence une même luminosité, couleur et angle d’illumination. Dans une variante, chaque image au sein de chaque jeu d’images partage un groupe de propriétés commun différent. [0066] Comme décrit ci-dessus, le premier jeu d’images est capturé ou obtenu en exécutant les étapes 320 à 350. De préférence, les étapes 320 à 350 peuvent être répétées aussi souvent que nécessaire pour permettre à de multiples jeux d’images d’être capturés. De préférence, le groupe de propriétés de la lumière fournie par l’ensemble d’éclairage est variable ou peut être sélectionné à nouveau à chaque répétition des étapes 320 à 350. Comme décrit précédemment, varier les propriétés de la lumière fournie au boîtier de semi-conducteur 12 permet d’améliorer la détection de différentes défectuosités de surface. [0067] De préférence, la première image et la deuxième image, ou le premier jeu d’images, capturées par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26, sont téléchargées ou transmises au contrôleur programmable ou au contrôleur pour leur analyse au cours de l’étape 360. Le contrôleur programmable est de préférence en communication par signal avec la première caméra 24 et la deuxième caméra 26. De préférence, les images sont téléchargées vers le contrôleur programmable sous forme de signaux d’image. Le contrôleur programmable est de préférence programmé pour analyser les images qui lui sont téléchargées. Les images téléchargées vers le contrôleur programmable sont de préférence traitées en utilisant des procédés et algorithmes connus de l’homme du métier, par exemple différentiation d’image, mise en négatif, seuillage ou détection des contours pour identifier ou détecter des défectuosités de surface du boîtier de semi-conducteur 12. En outre, de préférence le contrôleur programmable est capable de permettre la détection automatique de défectuosités de surface de boîtiers de semi-conducteurs 12 soumis à l’inspection par le système 10. [0068] Le procédé 300 pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 permet de préférence une capture d’image séquentielle par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26. En outre, de préférence, la première caméra 24 et la deuxième caméra 26 capturent les images séquentielles selon une séquence alternée. Le contrôleur programmable contrôle de préférence la synchronisation de l’exposition en alternance de la première caméra 24 et de la deuxième caméra 26 pour leur capture d’image alternée. La capture d’image en alternance par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26 contribue à réduire l’impact de retards dus au transfert de données durant la capture d’images par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26. [0069] En règle générale, du temps est nécessaire pour le transfert de données pendant la capture d’images. La durée du transfert de données augmente généralement avec une résolution plus élevée des caméras. La durée du transfert de données influence substantiellement la vitesse ou l’efficacité de la capture d’image par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26, et, par conséquent, l’efficacité totale du système 10 et du procédé 300 pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12. [0070] Par conséquent, il sera évident que la capture d’images en alternance par la première caméra 24 et la deuxième caméra 26 réduit l’impact de retards causés par le transfert de données. Cela contribue à augmenter le débit de l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs 12 et dès lors la capacité de production. [0071 ] Quoique les modes d’exécution donnés à titre d’exemple de la présente invention utilisent une capture d’image en alternance et synchronisée temporellement, l’homme du métier comprendra qu’une capture d’image simultanée par la première caméra 24 ainsi que par la deuxième caméra 26 est également possible avec le système 10 proposé par la présente invention. [0072] De la manière précitée, un système et un procédé pour l’inspection de boîtiers de semi-conducteurs sont décrits selon les modes d’exécution, donnés à titre d’exemple, de la présente invention. Bien que seuls les modes d’exécution donnés à titre d’exemple de la présente invention soient divulgués, il sera évident à l’homme du métier au vu de cette divulgation que de nombreux changements et/ou de nombreuses modifications peuvent être apportées sans s’éloigner de l’étendue et de l’esprit de la présente invention. Revendications 1. Système d’inspection de composants semi-conducteurs, comprenant: une structure de réflecteurs configurée pour recevoir de la lumière réfléchie par une première surface d’un composant semi-conducteur et de la lumière réfléchie par au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur, la première surface s’étendant essentiellement selon un premier plan et là au moins une deuxième surface s’étendant essentiellement selon au moins un deuxième plan, le au moins un deuxième plan étant écarté angulairement du premier plan, la structure de réflecteurs étant en outre configurée pour rediriger la lumière reçue depuis la première surface et là au moins une deuxième surface essentiellement selon une première direction; et un séparateur de faisceau pour diviser la lumière dirigée selon une première direction en un premier rayon lumineux parcourant une première trajectoire et en un deuxième rayon lumineux parcourant une deuxième trajectoire, 9 dans lequel la première trajectoire croise essentiellement un premier plan de capture d’image et la deuxième trajectoire croise essentiellement un deuxième plan de capture d’image, l’image d’au moins la première surface ou là au moins une deuxième surface pouvant être acquise à partir soit du premier soit du deuxième plan de capture d’image pour être ensuite contrôlée.
2. Système selon la revendication 1 , comprenant en outre: un premier dispositif de capture d’image définissant le premier plan de capture d’image; et un deuxième dispositif de capture d’image définissant le deuxième plan de capture d’image, le premier dispositif de capture d’image et le deuxième dispositif de capture d’image générant chacun des signaux d’image de l’image acquise d’au moins une de la première surface et là au moins une deuxième surface.
3. Système selon la revendication 2, comprenant en outre: au moins une première lentille disposée selon la première trajectoire et étant formée et dimensionnée pour modifier l’agrandissement optique de l’image d’au moins une de la première surface ou là au moins une deuxième surface pouvant être acquise par le premier dispositif de capture d’image; et au moins une deuxième lentille disposée selon la deuxième trajectoire et étant formée et dimensionnée pour modifier l’agrandissement optique de l’image d’au moins une de la première surface ou là au moins une deuxième surface pouvant être acquise par le deuxième dispositif de capture d’image.
4. Système selon la revendication 2, le premier dispositif de capture d’image et le deuxième dispositif de capture d’image étant chacun en communication de signal avec un dispositif informatisé et un contrôleur pour traiter l’image d’au moins une de la première surface ou là au moins une deuxième surface acquise chacune par le premier dispositif de capture d’image et le deuxième dispositif de capture d’image et communiquée au dispositif informatisé ou au contrôleur sous forme de signaux d’image pour ainsi contrôler le composant semi-conducteur.
5. Système selon la revendication 1 , comprenant en outre: une surface réfléchissante disposée pour recevoir le deuxième rayon lumineux dirigé selon la deuxième trajectoire par le séparateur de faisceau, le deuxième rayon lumineux suivant une deuxième direction depuis le séparateur de faisceau vers la surface réfléchissante et ensuite une troisième direction lorsque redirigé par la surface réfléchissante vers le deuxième plan de capture d’image, la deuxième direction et la troisième direction coïncidant essentiellement avec la deuxième trajectoire.
6. Système selon la revendication 5, le premier rayon lumineux suivant une première direction lorsque parcourant la première trajectoire et la troisième direction étant essentiellement parallèle à la première direction.
7. Système selon la revendication 1 , la structure de réflecteurs comprenant: au moins une première surface réfléchissante positionnée pour recevoir et diriger la lumière réfléchie par là au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur essentiellement selon un premier axe, dans lequel au moins une partie de la lumière réfléchie par la première surface suit essentiellement le premier axe.
8. Système selon la revendication 7, là au moins une première surface réfléchissante étant définie par au moins un miroir ou au moins un prisme.
9. Système selon la revendication 1 , la structure de réflecteurs comprenant: une pluralité de premières surfaces réfléchissantes positionnées pour recevoir et diriger la lumière réfléchie par une pluralité de surfaces latérales du composant semi-conducteur essentiellement selon un premier axe, chacune de la pluralité de surfaces latérales s’étendant le long d’un parmi une pluralité de plans latéraux et constituant là au moins une deuxième surface, chacun de la pluralité de plans latéraux constituant le au moins un deuxième plan.
10. Système selon la revendication 9, chacun de la pluralité de plans latéraux étant essentiellement perpendiculaires au premier plan.
1 1. Système selon la revendication 9, la pluralité de premières surfaces réfléchissantes étant interpositionnées pour définir un passage entre elles, le premier axe croisant le composant semi-conducteur et étant essentiellement perpendiculaire à la première surface du composant semi-conducteur, et le composant semi-conducteur étant disposé pour le passage de la lumière réfléchie par sa première surface à travers le passage et essentiellement selon le premier axe.
12. Système selon la revendication 1 1 , comprenant en outre: une deuxième surface réfléchissante positionnée pour croiser le premier axe, la deuxième surface réfléchissante étant destinée à recevoir et rediriger la lumière suivant le premier axe vers le séparateur de faisceau.
13. Système selon la revendication 12, comprenant en outre: un illuminateur pour générer la lumière, l’illuminateur étant disposé pour diriger la lumière générée par lui selon le premier axe et vers le composant semi-conducteur, la deuxième surface réfléchissante étant essentiellement interposée entre l’illuminateur et le composant semi-conducteur, la deuxième surface réfléchissante étant perméable à la lumière pour permettre le passage à travers elle d’une partie de la lumière dirigée par l’illuminateur vers le composant semi-conducteur.
14. Système selon la revendication 9, comprenant en outre: 10 un premier dispositif de capture d’image définissant le premier plan de capture d’image pour y capturer une première image; un deuxième dispositif de capture d’image définissant le deuxième plan de capture d’image pour y capturer une deuxième image, une première lentille disposée selon la première trajectoire et possédant un facteur d’agrandissement optique pour permettre la capture d’image d’une pluralité de surfaces latérales et de la première surface du composant semiconducteur en tant que première image par le premier dispositif de capture d’image; et une deuxième lentille disposée selon la deuxième trajectoire et possédant un facteur d’agrandissement optique pour permettre la capture d’image de la première surface du composant semi-conducteur en tant que deuxième image par le deuxième dispositif de capture d’image.
15. Système selon la revendication 14, le facteur d’agrandissement optique de la deuxième lentille étant plus élevé que le facteur d’agrandissement optique de la première lentille, et une portion d’image de la première surface du composant semi-conducteur dans la deuxième image constituant un agrandissement de la portion d’image de la première surface du composant semi-conducteur dans la première image.
16. Système selon la revendication 7, comprenant en outre: une pluralité de dispositifs d’illumination pouvant être actionnés pour générer et disposés pour diriger la lumière vers le composant semi-conducteur.
17. Système selon la revendication 16, la pluralité de dispositifs d’illumination pouvant en outre être disposés et actionnés pour diriger la lumière vers le composant semi-conducteur selon au moins un parmi une pluralité d’angles.
18. Système selon la revendication 16, la pluralité de dispositifs d’illumination pouvant en outre être disposés et actionnés pour diriger la lumière vers le composant semi-conducteur avec au moins une parmi une pluralité de couleurs, au moins un parmi une pluralité de niveaux de luminosité et au moins un parmi une pluralité de degrés d’illumination.
19. Procédé pour l’inspection de composants semi-conducteur, le procédé comprenant: la réception de lumière à travers une structure de réflecteurs, la lumière reçue comprenant de la lumière réfléchie d’une première surface d’un composant semi-conducteur et de la lumière réfléchie d’au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur, la première surface s’étendant essentiellement selon un premier plan et là au moins une deuxième surface s’étendant essentiellement selon au moins un deuxième plan, au moins un deuxième plan étant écarté angulairement du premier plan, la structure de réflecteurs étant en outre configurée pour rediriger la lumière reçue depuis la première surface et là au moins une deuxième surface essentiellement selon une première direction; la capture d’une première image, la première image ayant une première vue et au moins une propriété d’un premier groupe de propriétés; la capture d’une deuxième image, la deuxième image ayant une deuxième vue et au moins une propriété d’un deuxième groupe de propriétés; la première vue comprenant une image de la première surface et de là au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur, la deuxième vue comprenant une image de la première surface du composant semi-conducteur, et le traitement d’au moins une de la première et la deuxième image pour inspecter au moins la première ou là au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur; dans lequel la capture de la première image et la capture de la deuxième image sont effectuées soit simultanément soit séquentiellement pour ainsi permettre une inspection soit simultanée soit séquentielle d’au moins une de la première et là au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur.
20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel la première image peut être capturée depuis un premier plan de capture d’image et la deuxième image peut être capturée depuis un deuxième plan de capture d’image, le premier plan de capture d’image et le deuxième plan de capture d’image étant définis par un premier dispositif de capture d’image et un deuxième dispositif de capture d’image respectivement.
21. Procédé selon la revendication 19, comprenant en outre: la réception de signaux d’image correspondant à au moins une de la première image ou la deuxième image, les signaux d’image correspondant à la première image et à la deuxième image générées par un premier dispositif de capture d’image et un deuxième dispositif de capture d’image respectivement; et le traitement des signaux d’image reçus pour ainsi inspecter au moins une de la première surface ou là au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur.
22. Procédé selon la revendication 19, comprenant en outre: la modification d’au moins soit l’agrandissement optique de la première image soit l’agrandissement optique de la deuxième image, dans lequel la modification d’au moins un de l’agrandissement optique de la première image et l’agrandissement optique de la deuxième image est effectuée par au moins soit au moins une première lentille soit au moins une deuxième lentille respectivement.
23. Procédé selon la revendication 22, la première au moins une lentille possédant un premier facteur d’agrandissement optique pour permettre la capture de la première image de la première vue et la deuxième au moins une lentille possé- 11 dant un deuxième facteur d’agrandissement optique pour permettre la capture de la deuxième image d’une deuxième vue, dans lequel le deuxième facteur d’agrandissement optique est plus élevé que le premier facteur d’agrandissement optique et dans lequel une portion d’image de la première surface du composant semi-conducteur dans la deuxième image est un agrandissement de la portion d’image de la première surface du composant semi-conducteur dans la première image.
24. Procédé selon la revendication 19, comprenant en outre: l’orientation de la lumière vers le composant semi-conducteur, la lumière pouvant être réfléchie par la première surface et la deuxième au moins une surface du composant semi-conducteur pour être reçue par la structure de réflecteurs, la structure de réflecteurs étant configuré pour diriger la lumière reçue et réfléchie par la première surface et là au moins une deuxième surface essentiellement selon la première direction, la lumière dirigée selon la première direction étant ensuite divisée en un premier rayon lumineux suivant une première trajectoire et un deuxième rayon lumineux suivant une deuxième trajectoire, dans lequel la première trajectoire croise essentiellement un premier plan de capture d’image et la deuxième trajectoire croise essentiellement un deuxième plan de capture d’image.
25. Procédé selon la revendication 24, dans lequel le premier plan de capture d’image reçoit le premier rayon lumineux et le deuxième plan de capture d’image reçoit le deuxième rayon lumineux pour ainsi faciliter la capture de la première image et de la deuxième image respectivement.
26. Procédé selon la revendication 24, dans lequel la séparation de la lumière dirigée selon la première direction en un premier rayon lumineux et un deuxième rayon lumineux est effectuée par un séparateur de faisceau.
27. Procédé selon la revendication 24, la structure de réflecteurs comprenant: au moins une surface réfléchissante positionnée pour recevoir et diriger la lumière réfléchie par là au moins une deuxième surface du composant semi-conducteur essentiellement selon un premier axe, dans lequel au moins une partie de la lumière réfléchie par la première surface suit essentiellement le premier axe.
28. Procédé selon la revendication 27, dans lequel là au moins une surface réfléchissante est définie par au moins un miroir ou au moins un prisme.
29. Procédé selon la revendication 24, la structure de réflecteurs comprenant: une pluralité de premières surfaces réfléchissantes positionnées pour recevoir et diriger la lumière réfléchie par une pluralité de surfaces latérales du composant semi-conducteur essentiellement selon un premier axe, chacune de la pluralité de surfaces latérales s’étendant le long d’un parmi une pluralité de plans latéraux et constituant là au moins une deuxième surface, chacun de la pluralité de plans latéraux constituant le au moins un deuxième plan.
30. Procédé selon la revendication 29, dans lequel chacun de la pluralité de plans latéraux étant essentiellement perpendiculaire au premier plan.
31. Procédé selon la revendication 29, la pluralité de premières surfaces réfléchissantes étant interpositionnées pour définir un passage entre elles, le premier axe croisant le composant semi-conducteur et étant essentiellement perpendiculaire à la première surface du composant semi-conducteur, et le composant semi-conducteur étant disposé pour le passage de la lumière réfléchie par sa première surface à travers le passage et essentiellement selon le premier axe.
32. Procédé selon la revendication 31 , dans lequel la structure de réflecteurs comprend en outre une deuxième surface réfléchissante positionnée pour croiser le premier axe, la deuxième surface réfléchissante étant destinée à recevoir et rediriger la lumière suivant le premier axe vers un séparateur de faisceau.
33. Procédé selon la revendication 32, comprenant en outre: l’orientation de la lumière selon un premier axe et vers le composant semi-conducteur, la lumière dirigée selon le premier axe étant générée par un illuminateur, la deuxième surface réfléchissante étant essentiellement interposée entre l’illuminateur et le composant semi-conducteur, la deuxième surface réfléchissante étant perméable à la lumière pour permettre le passage à travers elle d’une partie de la lumière dirigée par l’illuminateur vers le composant semi-conducteur.
34. Procédé selon la revendication 19, comprenant en outre: la commande d’une pluralité d’illuminateurs pour diriger la lumière vers le composant semi-conducteur, dans lequel la pluralité d’illuminateurs peuvent être actionnés pour diriger la lumière vers le composant semi-conducteur à au moins un parmi une pluralité d’angles.
35. Procédé selon la revendication 19, la première image et la deuxième image pouvant chacune être caractérisée par le premier groupe de propriétés et le deuxième groupe de propriétés, le premier groupe de propriétés et le deuxième groupe de propriétés comprenant chacun au moins une parmi au moins une couleur d’illumination, au moins une intensité d’illumination et au moins un angle d’illumination.
36. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le premier groupe de propriétés et le deuxième groupe de propriétés chacun comprend au moins une parmis au moins une couleur d’illumination, au moins une intensité d’illumination et au moins un angle d’illumination.
37. Procédé selon la revendication 36, comprenant en outre: 12 la réception de la lumière réfléchie par une pluralité de surfaces latérales du composant semi-conducteur par une pluralité de surfaces réfléchissantes, chacune parmi la pluralité de surfaces latérales s’étendant selon un parmi une pluralité de plans latéraux et constituant là au moins une deuxième surface, chacun de la pluralité de plans latéraux constituant le au moins un deuxième plan, chacune de la pluralité de surfaces réfléchissantes étant essentiellement parallèle à l’un parmi la pluralité de plans latéraux.
38. Procédé selon la revendication 37, dans lequel la pluralité de surfaces réfléchissantes sont définies par un parmi une pluralité de miroirs et au moins un prisme. 13