CN109100366A - 半导体激光器芯片端面外观的检测系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了半导体激光器芯片端面外观的检测系统及方法，包括芯片载体、下视相机、芯片拾取装置、上视相机光源、光学装置以及上视相机；芯片拾取装置将半导体激光器芯片吸取到光学装置的指定工作区域，上视相机光源设置在光学装置的指定工作区域，为上视相机提供光源，光学装置将半导体激光器芯片的下表面及四侧面放大影像投射到上视相机中，上视相机获取芯片下表面及四侧面的放大成像图。本发明通过同轴显微物镜和多个侧面观察棱镜的光路设计，实现半导体激光器芯片多个端面的检测，避免了传统芯片外观检测中芯片旋转或者设置较多的显微镜的处理方法；同时光学装置与上视相机的配合设计，使得本系统结构简单，半导体激光器芯片外观检测效率高。
Description
技术领域
本发明涉及芯片制造过程，具体的说是涉及半导体激光器芯片端面外观的检测系统及方法，适用于芯片制造过程中的外观检验。
背景技术
芯片外观检测是半导体工艺制作中的一个重要环节，因为芯片制作过程中会有较多的图形缺陷，脏污，破损，缺损等等外观不良，为了提升后续工艺环节的良率及产品可靠性需要对外观部分进行100％的镜检。
一般集成电路芯片只需要对光刻的一面进行镜检，其他面做抽检。而对于某些元件如激光芯片，对于其余面也有较高的外观要求，以利于后续工艺。传统检测芯片外观的装置(见图1)，包括芯片及芯片载体01，负责芯片的定位及检查芯片上表面的下视相机02，从芯片载体01上吸取芯片011的拾取装置03，用于检查底面的上视相机05，以及用于检查芯片侧面的侧视相机04；在对激光芯片进行端面检测时，需要在不同端面位置对应设置上视相机05、侧视相机04的显微镜来进行镜检。
如果需要检查多个面就需要芯片进行旋转或者设置较多的显微镜处理，这样的系统设计较为复杂，且生产效率不高。
发明内容
为解决上述背景技术中提出的问题，本发明的目的在于提供半导体激光器芯片端面外观的检测系统及方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
本发明公开了半导体激光器芯片端面外观的检测系统，包括：
芯片载体，用于承载半导体激光器芯片；
下视相机，用于对承载在芯片载体上的半导体激光器芯片定位及上表面的外观识别；
芯片拾取装置，用于将半导体激光器芯片从芯片载体上吸取到指定工作区域中；
上视相机光源，用于为半导体激光器芯片的下表面及四侧面提供不同角度的光源照射，以检测出不同类型的缺陷；
光学装置，用于将半导体激光器芯片的下表面及四侧面的反射光束放大影像形成放大成像图并检测；
上视相机，用于对半导体激光器芯片下表面及四侧面的外观识别；
所述芯片拾取装置将半导体激光器芯片吸取到光学装置的指定工作区域，所述上视相机光源设置在所述光学装置的指定工作区域，为上视相机提供光源，所述光学装置将半导体激光器芯片的下表面及四侧面的反射光束放大影像投射到所述上视相机中，所述上视相机获取半导体激光器芯片下表面及四侧面的放大成像图。
上述技术方案中，所述光学装置包括同轴显微物镜和多个侧面观察棱镜，每个所述侧面观察棱镜用于反射与之相对应的半导体激光器芯片侧面的反射光，所述同轴显微物镜用于接收半导体激光器芯片下表面及四侧面的反射光束放大并形成放大成像图。
上述技术方案中，所述侧面观察棱镜数量为1～4个。
上述技术方案中，每个所述侧面观察棱镜预先调整角度，使得棱镜直角面垂直于半导体激光器芯片的表面或者与半导体激光器芯片的表面偏转角度放置。
上述技术方案中，所述上视相机安装在所述同轴显微物镜上。
上述技术方案中，所述下视相机和上视相机均包括显微镜头及相机。
上述技术方案中，所述上视相机光源为上视相机提供光源，所述光源包括同轴光源、侧照光源和彩色光源。
上述技术方案中，所述芯片拾取装置包括吸嘴，所述吸嘴通过气管连通空气压缩机，所述气管上设有电磁阀门，所述电磁阀门连接控制器。
上述技术方案中，所述吸嘴为可角度旋转的吸取芯片吸嘴，所述吸取芯片吸嘴用于吸取并旋转半导体激光器芯片，配合下视相机调整旋转角度并保持半导体激光器芯片的边缘方向与下视相机的XY方向一致。
本发明还公开了半导体激光器芯片端面外观的检测方法，包括以下步骤：
步骤一、通过下视相机对承载在芯片载体上的半导体激光器芯片定位，并对半导体激光器芯片上表面进行外观识别；
步骤二、通过芯片拾取装置拾取承载在芯片载体上的半导体激光器芯片到光学装置的指定工作区域；
步骤三、通过上视相机光源为半导体激光器芯片的下表面及四侧面提供不同角度的光源照射；
步骤四、通过光学装置将半导体激光器芯片的下表面及四侧面反射光束放大影像并形成放大成像图投射到上位相机；
步骤五、通过上视相机获取半导体激光器芯片下表面及四侧面的的放大成像图并进行外观识别。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
通过光学装置的同轴显微物镜和多个侧面观察棱镜的光路设计，实现半导体芯片多个端面的检测，避免了传统芯片外观检测中芯片进行旋转或者设置较多的显微镜的处理方法。本发明通过光学装置与上视相机的配合设计，使得本系统结构简单，半导体芯片外观检测效率高。
附图说明
图1为现有技术中传统检测芯片外观装置示意图；
图2为本发明的检测系统示意图；
图3为光学装置光路图；
图4为光学装置的成像图；
图5为芯片载体的结构示意图；
图6为芯片拾取装置的结构示意图；
附图标记说明：
01、芯片载体；011、芯片；02、下视相机；03、拾取装置；04、侧视相机；05、上视相机；
1、芯片载体；11、半导体激光器芯片；12、薄膜支撑框；13、薄膜；2、下视相机；3、芯片拾取装置；31、吸嘴；32、气管；33、空气压缩机；34、电磁阀门；35、控制器；4、上视相机光源；5、光学装置；51、同轴显微物镜；52、侧面观察棱镜；53、反射光束；54、放大成像图；6、上视相机。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合附图和具体实施方式，进一步阐述本发明是如何实施的。
如图2和图3所示，本发明提供的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，包括：
芯片载体1，用于承载半导体激光器芯片11；
下视相机2，用于对承载在芯片载体1上的半导体激光器芯片11定位及上表面的外观识别；
芯片拾取装置3，用于将半导体激光器芯片11从芯片载体1上吸取到指定工作区域中；
上视相机光源4，用于为半导体激光器芯片11的下表面及四侧面提供不同角度的光源照射，以检测出不同类型的缺陷；
光学装置5，用于将半导体激光器芯片11的下表面及四侧面的反射光束放大影像形成放大成像图并检测；
上视相机6，用于对半导体激光器芯片11下表面及四侧面的外观识别；
所述芯片拾取装置3将半导体激光器芯片11吸取到光学装置5的指定工作区域，所述上视相机光源4设置在所述光学装置5的指定工作区域，为上视相机6提供光源，所述光学装置5将半导体激光器芯片11的下表面及四侧面的反射光束放大影像投射到所述上视相机6中，所述上视相机6获取半导体激光器芯片11下表面及四侧面的放大成像图54。
如图3和图4所示，所述光学装置5包括同轴显微物镜51和多个侧面观察棱镜52，每个所述侧面观察棱镜52用于反射与之相对应的半导体激光器芯片11侧面的反射光，所述同轴显微物镜51用于接收半导体激光器芯片11下表面及四侧面的反射光束53放大并形成放大成像图54。如图4所示，中间区域为半导体激光器芯片11下表面的放大成像图，四周区域为半导体激光器芯片11四侧面的放大成像图；成像图的放大倍率根据半导体激光器芯片11尺寸等设计到可以识别为准。
本发明中，所述侧面观察棱镜52数量为1～4个。侧面观察棱镜52可以根据需要，受控安装一个到四个用于检查测半导体芯片11不同的端面；且每个所述侧面观察棱镜52预先调整角度，使得棱镜直角面垂直于半导体激光器芯片11的表面或者与半导体激光器芯片11的表面偏转角度放置。
本发明中，所述上视相机6安装在所述同轴显微物镜51上。
本发明中，所述下视相机2和上视相机6均包括显微镜头及相机。显微镜头及相机可以上下移动进行自动对焦相机，这种自动焦距调整功能，能够适应不同高度的芯片并同时观察侧面和上表面或者侧面和下表面。
本发明中，所述上视相机光源4为上视相机6提供光源，所述光源包括同轴光源、侧照光源和彩色光源；可以用于给上视相机6的显微镜头提供不同高度投射光，并且可以根据测试需要单独控制光源的开启且可调整光源的亮度。所述上视相机光源4为工业相机配置的应用于机器视觉的点光源。
本发明中，所述芯片拾取装置3设有可角度旋转的吸取芯片吸嘴，所述吸取芯片吸嘴用于吸取并旋转半导体激光器芯片11，配合下视相机2调整旋转角度并保持半导体激光器芯片11的边缘方向与下视相机2的XY方向一致。
如图6所示，所述芯片拾取装置3包括吸嘴31，所述吸嘴31通过气管32连通空气压缩机33，所述气管32上设有电磁阀门34，所述电磁阀门34连接控制器35。其中，吸嘴31为可角度旋转的吸取芯片吸嘴，所述吸取芯片吸嘴用于吸取并旋转半导体激光器芯片11，配合下视相机2调整旋转角度并保持半导体激光器芯片11的边缘方向与下视相机2的XY方向一致。
所述芯片拾取装置3也可为现有技术中的半导体芯片拾取装置。
如图5所示，所述芯片载体1包括薄膜支撑框12，所述薄膜支撑框12上设有薄膜13，所述薄膜13用于放置若干排列整齐的所述半导体激光器芯片11。
本发明还公开了半导体激光器芯片端面外观的检测方法，包括以下步骤：
步骤一、通过下视相机2对承载在芯片载体1上的半导体激光器芯片11定位，并对半导体激光器芯片11上表面进行外观识别；
步骤二、通过芯片拾取装置3拾取承载在芯片载体1上的半导体激光器芯片11到光学装置5的指定工作区域；
步骤三、通过上视相机光源4为半导体激光器芯片11的下表面及四侧面提供不同角度的光源照射；
步骤四、通过光学装置5将半导体激光器芯片11的下表面及四侧面反射光束53放大影像并形成放大成像图54投射到上位相机3；
步骤五、通过上视相机6获取半导体激光器芯片11下表面及四侧面的放大成像图54并进行外观识别。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
Claims (10)
1.半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，包括：
芯片载体(1)，用于承载半导体激光器芯片(11)；
下视相机(2)，用于对承载在芯片载体(1)上的半导体激光器芯片(11)定位及上表面的外观识别；
芯片拾取装置(3)，用于将半导体激光器芯片(11)从芯片载体(1)上吸取到指定工作区域中；
上视相机光源(4)，用于为半导体激光器芯片(11)的下表面及四侧面提供不同角度的光源照射，以检测出不同类型的缺陷；
光学装置(5)，用于将半导体激光器芯片(11)的下表面及四侧面的反射光束放大影像形成放大成像图并检测；
上视相机(6)，用于对半导体激光器芯片(11)下表面及四侧面的外观识别；
所述芯片拾取装置(3)将半导体激光器芯片(11)吸取到光学装置(5)的指定工作区域，所述上视相机光源(4)设置在所述光学装置(5)的指定工作区域，为上视相机(6)提供光源，所述光学装置(5)将半导体激光器芯片(11)的下表面及四侧面的反射光束放大影像投射到所述上视相机(6)中，所述上视相机(6)获取半导体激光器芯片(11)下表面及四侧面的放大成像图(54)。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述光学装置(5)包括同轴显微物镜(51)和多个侧面观察棱镜(52)，每个所述侧面观察棱镜(52)用于反射与之相对应的半导体激光器芯片(11)侧面的反射光，所述同轴显微物镜(51)用于接收半导体激光器芯片(11)下表面及四侧面的反射光束(53)放大并形成放大成像图(54)。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述侧面观察棱镜(52)数量为1～4个。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，每个所述侧面观察棱镜(52)预先调整角度，使得棱镜直角面垂直于半导体激光器芯片(11)的表面或者与半导体激光器芯片(11)的表面偏转角度放置。
5.根据权利要求2所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述上视相机(6)安装在所述同轴显微物镜(51)上。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述下视相机(2)和上视相机(6)均包括显微镜头及相机。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述上视相机光源(4)为上视相机(6)提供光源，所述光源包括同轴光源、侧照光源和彩色光源。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述芯片拾取装置(3)包括吸嘴(31)，所述吸嘴(31)通过气管(32)连通空气压缩机(33)，所述气管(32)上设有电磁阀门(34)，所述电磁阀门(34)连接控制器(35)。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器芯片端面外观的检测系统，其特征在于，所述吸嘴(31)为可角度旋转的吸取芯片吸嘴，所述吸取芯片吸嘴用于吸取并旋转半导体激光器芯片(11)，配合下视相机(2)调整旋转角度并保持半导体激光器芯片(11)的边缘方向与下视相机(2)的XY方向一致。
10.半导体激光器芯片端面外观的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、通过下视相机(2)对承载在芯片载体(1)上的半导体激光器芯片(11)定位，并对半导体激光器芯片(11)上表面进行外观识别；
步骤二、通过芯片拾取装置(3)拾取承载在芯片载体(1)上的半导体激光器芯片(11)到光学装置(5)的指定工作区域；
步骤三、通过上视相机光源(4)为半导体激光器芯片(11)的下表面及四侧面提供不同角度的光源照射；
步骤四、通过光学装置(5)将半导体激光器芯片(11)的下表面及四侧面反射光束(53)放大影像并形成放大成像图(54)投射到上位相机(3)；
步骤五、通过上视相机(6)获取半导体激光器芯片(11)下表面及四侧面的的放大成像图(54)并进行外观识别。
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|---|---|
| CN (1) | CN109100366A (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110017970A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-07-16 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 激光巴条检测系统 |
| CN112113974A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-12-22 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种芯片检测装置及芯片检测的方法 |
| CN112394030A (zh) * | 2019-08-15 | 2021-02-23 | 京元电子股份有限公司 | Ic芯片外观检验模块 |
| CN113441413A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-28 | 盐城东紫光电科技有限公司 | 一种兼具探测和拾取功能的led设备 |
| CN113578790A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-02 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种芯片检测装置 |
| CN114071133A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-02-18 | 苏州高视半导体技术有限公司 | 半导体芯片检测图像成像方法 |
| CN115106310A (zh) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种微通道半导体激光器外观检验装置及检验方法 |
| WO2023197632A1 (zh) * | 2022-04-13 | 2023-10-19 | 泉州师范学院 | 半导体晶粒四面同时等光程成像检测装置与方法 |
| WO2023216573A1 (zh) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | 泉州师范学院 | 实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程成像检测的光学装置与方法 |
| CN118111918A (zh) * | 2024-04-30 | 2024-05-31 | 深圳市华拓半导体技术有限公司 | 一种芯片外观检测设备、检测方法及存储介质 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09321494A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Yamaha Motor Co Ltd | 表面実装機の照明装置 |
| JPH10153413A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | M C Electron Kk | Ｉｃリードの外観寸法検査装置 |
| US5907398A (en) * | 1996-08-08 | 1999-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Particle detecting method and system for detecting minute particles on a workpiece |
| CN1521498A (zh) * | 2003-02-10 | 2004-08-18 | 先进自动器材有限公司 | 检测电子元件阵列的方法和装置 |
| JP2005024565A (ja) * | 2004-08-02 | 2005-01-27 | Lintec Corp | ウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法 |
| CN2791639Y (zh) * | 2005-03-02 | 2006-06-28 | 昆明物理研究所 | 检测半导体材料内部缺陷的红外装置 |
| CN101140056A (zh) * | 2006-09-05 | 2008-03-12 | 株式会社茉莉特斯 | 照明装置 |
| CN101650155A (zh) * | 2009-08-14 | 2010-02-17 | 秦拓微电子技术(上海)有限公司 | 等光程五面视觉检测技术 |
| CN101672802A (zh) * | 2008-06-23 | 2010-03-17 | 半导体技术设备私人有限公司 | 半导体封装件的检测系统及方法 |
| CN102313745A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-01-11 | 华中科技大学 | 集成电路管脚三维检测装置及检测方法 |
| CN102359758A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-02-22 | 华中科技大学 | 一种半导体芯片的外观检测装置 |
| CN102374993A (zh) * | 2010-08-20 | 2012-03-14 | 吴华 | 集成电路封装片三维引脚外观检测单元及其检测方法 |
| JP2012171628A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | テーピング装置及びテーピング方法 |
| JP2012184029A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | テーピング装置 |
| CN104012196A (zh) * | 2011-12-22 | 2014-08-27 | 雅马哈发动机株式会社 | 元件摄像装置、及具备该元件摄像装置的元件安装装置 |
| JP2017015564A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 日立化成株式会社 | 薄膜フィルム用検査装置 |
| CN107003254A (zh) * | 2014-12-05 | 2017-08-01 | 科磊股份有限公司 | 用于工件中的缺陷检测的设备、方法及计算机程序产品 |
| CN208580048U (zh) * | 2018-08-10 | 2019-03-05 | 武汉盛为芯科技有限公司 | 半导体激光器芯片端面外观的检测系统 |
-
2018
- 2018-08-10 CN CN201810905860.8A patent/CN109100366A/zh active Pending
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09321494A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Yamaha Motor Co Ltd | 表面実装機の照明装置 |
| US5907398A (en) * | 1996-08-08 | 1999-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Particle detecting method and system for detecting minute particles on a workpiece |
| JPH10153413A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | M C Electron Kk | Ｉｃリードの外観寸法検査装置 |
| CN1521498A (zh) * | 2003-02-10 | 2004-08-18 | 先进自动器材有限公司 | 检测电子元件阵列的方法和装置 |
| JP2005024565A (ja) * | 2004-08-02 | 2005-01-27 | Lintec Corp | ウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法 |
| CN2791639Y (zh) * | 2005-03-02 | 2006-06-28 | 昆明物理研究所 | 检测半导体材料内部缺陷的红外装置 |
| CN101140056A (zh) * | 2006-09-05 | 2008-03-12 | 株式会社茉莉特斯 | 照明装置 |
| CN101672802A (zh) * | 2008-06-23 | 2010-03-17 | 半导体技术设备私人有限公司 | 半导体封装件的检测系统及方法 |
| CN101650155A (zh) * | 2009-08-14 | 2010-02-17 | 秦拓微电子技术(上海)有限公司 | 等光程五面视觉检测技术 |
| CN102374993A (zh) * | 2010-08-20 | 2012-03-14 | 吴华 | 集成电路封装片三维引脚外观检测单元及其检测方法 |
| JP2012171628A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | テーピング装置及びテーピング方法 |
| JP2012184029A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | テーピング装置 |
| CN102313745A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-01-11 | 华中科技大学 | 集成电路管脚三维检测装置及检测方法 |
| CN102359758A (zh) * | 2011-07-21 | 2012-02-22 | 华中科技大学 | 一种半导体芯片的外观检测装置 |
| CN104012196A (zh) * | 2011-12-22 | 2014-08-27 | 雅马哈发动机株式会社 | 元件摄像装置、及具备该元件摄像装置的元件安装装置 |
| CN107003254A (zh) * | 2014-12-05 | 2017-08-01 | 科磊股份有限公司 | 用于工件中的缺陷检测的设备、方法及计算机程序产品 |
| JP2017015564A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 日立化成株式会社 | 薄膜フィルム用検査装置 |
| CN208580048U (zh) * | 2018-08-10 | 2019-03-05 | 武汉盛为芯科技有限公司 | 半导体激光器芯片端面外观的检测系统 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110017970B (zh) * | 2019-05-21 | 2024-07-12 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 激光巴条检测系统 |
| CN110017970A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-07-16 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 激光巴条检测系统 |
| CN112394030A (zh) * | 2019-08-15 | 2021-02-23 | 京元电子股份有限公司 | Ic芯片外观检验模块 |
| CN112113974A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-12-22 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种芯片检测装置及芯片检测的方法 |
| CN115106310B (zh) * | 2021-03-17 | 2024-01-02 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种微通道半导体激光器外观检验装置及检验方法 |
| CN115106310A (zh) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种微通道半导体激光器外观检验装置及检验方法 |
| CN113441413A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-28 | 盐城东紫光电科技有限公司 | 一种兼具探测和拾取功能的led设备 |
| CN113578790A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-02 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种芯片检测装置 |
| CN114071133B (zh) * | 2022-01-14 | 2022-05-24 | 苏州高视半导体技术有限公司 | 半导体芯片检测图像成像方法 |
| CN114071133A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-02-18 | 苏州高视半导体技术有限公司 | 半导体芯片检测图像成像方法 |
| WO2023197632A1 (zh) * | 2022-04-13 | 2023-10-19 | 泉州师范学院 | 半导体晶粒四面同时等光程成像检测装置与方法 |
| WO2023216573A1 (zh) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | 泉州师范学院 | 实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程成像检测的光学装置与方法 |
| CN118111918A (zh) * | 2024-04-30 | 2024-05-31 | 深圳市华拓半导体技术有限公司 | 一种芯片外观检测设备、检测方法及存储介质 |
| CN118111918B (zh) * | 2024-04-30 | 2024-06-28 | 深圳市华拓半导体技术有限公司 | 一种芯片外观检测设备、检测方法及存储介质 |
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