CH684950A5 - Verfahren zum Dotieren von Targetmaterial. - Google Patents

Verfahren zum Dotieren von Targetmaterial. Download PDF

Info

Publication number
CH684950A5
CH684950A5 CH339191A CH339191A CH684950A5 CH 684950 A5 CH684950 A5 CH 684950A5 CH 339191 A CH339191 A CH 339191A CH 339191 A CH339191 A CH 339191A CH 684950 A5 CH684950 A5 CH 684950A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
target
magnet unit
sputtering
base material
doping
Prior art date
Application number
CH339191A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Rudolf Dr Latz
Original Assignee
Leybold Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Ag filed Critical Leybold Ag
Publication of CH684950A5 publication Critical patent/CH684950A5/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
CH339191A 1991-03-09 1991-11-20 Verfahren zum Dotieren von Targetmaterial. CH684950A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914107711 DE4107711C2 (de) 1991-03-09 1991-03-09 Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dotierter Schichten oder chemischer Verbindungen oder Legierungen mittels einer Magnetronkathode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH684950A5 true CH684950A5 (de) 1995-02-15

Family

ID=6426953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH339191A CH684950A5 (de) 1991-03-09 1991-11-20 Verfahren zum Dotieren von Targetmaterial.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPH0578837A (fr)
BE (1) BE1004534A3 (fr)
CH (1) CH684950A5 (fr)
DE (1) DE4107711C2 (fr)
FI (1) FI99029C (fr)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19813075A1 (de) * 1998-03-25 1999-09-30 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates
US8357267B2 (en) 2005-10-26 2013-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha Film producing method using atmospheric pressure hydrogen plasma, and method and apparatus for producing refined film
JP4750619B2 (ja) * 2006-05-09 2011-08-17 株式会社昭和真空 マグネトロンカソードとそれを搭載したスパッタ装置
JP7045177B2 (ja) * 2017-12-12 2022-03-31 株式会社アルバック スパッタ装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU491734A1 (fr) * 1971-11-18 1975-11-15
US4166018A (en) * 1974-01-31 1979-08-28 Airco, Inc. Sputtering process and apparatus
DD118304A1 (fr) * 1975-04-08 1976-02-20
SU620513A1 (ru) * 1976-12-30 1978-07-12 Предприятие П/Я В-2763 Катодный узел
DE3248121A1 (de) * 1982-12-24 1984-06-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten
US4486287A (en) * 1984-02-06 1984-12-04 Fournier Paul R Cross-field diode sputtering target assembly
EP0246765A3 (fr) * 1986-05-15 1988-12-14 Varian Associates, Inc. Appareil et méthode de fabrication de films d'aluminium planarisés
JP2566137B2 (ja) * 1986-12-25 1996-12-25 ティーディーケイ株式会社 薄膜の製造方法
US4865710A (en) * 1988-03-31 1989-09-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Magnetron with flux switching cathode and method of operation
DE3812379A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Leybold Ag Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip
JPH02179871A (ja) * 1988-12-28 1990-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成方法およびマグネトロンスパッタ装置
DE3929695C2 (de) * 1989-09-07 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats

Also Published As

Publication number Publication date
FI920475A (fi) 1992-09-10
FI99029C (fi) 1997-09-25
FI99029B (fi) 1997-06-13
BE1004534A3 (fr) 1992-12-08
DE4107711A1 (de) 1992-09-10
DE4107711C2 (de) 1999-11-11
FI920475A0 (fi) 1992-02-04
JPH0578837A (ja) 1993-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3107914C2 (fr)
DE3047113A1 (de) Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate
EP0416241B1 (fr) Dispositif pour le revêtement d'un substrat
EP1722005B1 (fr) Méthode pour l'utilisation d'une cathode de pulvérisation ayant une cible
DE2707144A1 (de) Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
CH649578A5 (de) Hochgeschwindigkeits-kathoden-zerstaeubungsvorrichtung.
DE4135939C2 (fr)
DE3331707A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
DE3925536A1 (de) Anordnung zur dickenmessung von duennschichten
EP0253344A2 (fr) Cathode de pulvérisation selon le principe magnétron
EP1186681B1 (fr) Dispositif de traitement sous vide avec support de substrats couplable
EP0504477B1 (fr) Dispositif de revêtement d'un substrat
WO2000039355A1 (fr) Procede et dispositif permettant de recouvrir des substrats par pulverisation magnetron a impulsions bipolaires et leur utilisation
DE2208032A1 (de) Zerstäubungsvorrichtung
EP1576641A2 (fr) Source d'arc sous vide comprenant un dispositif de production de champ magnetique
DE4107711C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dotierter Schichten oder chemischer Verbindungen oder Legierungen mittels einer Magnetronkathode
DE2115590A1 (en) Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim
DE69627249T2 (de) Hochvakuum-Sputter-Vorrichtung und zu behandelndes Substrat
DE4304581A1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
EP1889280A1 (fr) Pulverisation cathodique magnetron
DE3442206A1 (de) Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets
DE102004027989B4 (de) Werkstückträgervorrichtung zum Halten von Werkstücken
WO2000016373A1 (fr) Ensemble cible pour chambre d'evaporation par l'intermediaire d'un arc
DE4419167B4 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates
DE1817014C3 (de) Verfahren zum Spriihniederschlagen von Material von einem Target zur Bildung eines legierten Niederschlages auf einem Substrat

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased