CH679962A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
CH679962A5
CH679962A5 CH2945/89A CH294589A CH679962A5 CH 679962 A5 CH679962 A5 CH 679962A5 CH 2945/89 A CH2945/89 A CH 2945/89A CH 294589 A CH294589 A CH 294589A CH 679962 A5 CH679962 A5 CH 679962A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
region
layer
emitter
base
base layer
Prior art date
Application number
CH2945/89A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Friedhelm Dr-Ing Bauer
Jens Dr-Ing Gobrecht
Original Assignee
Asea Brown Boveri
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea Brown Boveri filed Critical Asea Brown Boveri
Priority to CH2945/89A priority Critical patent/CH679962A5/de
Priority to DE4024526A priority patent/DE4024526A1/de
Publication of CH679962A5 publication Critical patent/CH679962A5/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/80—Bidirectional devices, e.g. triacs 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/60—Gate-turn-off devices 
    • H10D18/65—Gate-turn-off devices  with turn-off by field effect 
    • H10D18/655—Gate-turn-off devices  with turn-off by field effect  produced by insulated gate structures

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
CH2945/89A 1989-08-10 1989-08-10 CH679962A5 (en, 2012)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH2945/89A CH679962A5 (en, 2012) 1989-08-10 1989-08-10
DE4024526A DE4024526A1 (de) 1989-08-10 1990-08-02 Abschaltbares, mos-gesteuertes leistungshalbleiter-bauelement sowie verfahren zu dessen herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH2945/89A CH679962A5 (en, 2012) 1989-08-10 1989-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH679962A5 true CH679962A5 (en, 2012) 1992-05-15

Family

ID=4245170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH2945/89A CH679962A5 (en, 2012) 1989-08-10 1989-08-10

Country Status (2)

Country Link
CH (1) CH679962A5 (en, 2012)
DE (1) DE4024526A1 (en, 2012)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099300A (en) * 1990-06-14 1992-03-24 North Carolina State University Gated base controlled thyristor
JPH0795597B2 (ja) * 1990-08-18 1995-10-11 三菱電機株式会社 サイリスタおよびその製造方法
JPH04284669A (ja) * 1991-03-14 1992-10-09 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート制御サイリスタ
DE59107127D1 (de) * 1991-04-11 1996-02-01 Asea Brown Boveri Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement
DE4135411A1 (de) * 1991-10-26 1993-04-29 Asea Brown Boveri Abschaltbares leistungshalbleiter-bauelement
DE4135412A1 (de) * 1991-10-26 1993-04-29 Asea Brown Boveri Mos-gesteuerter thyristor mct
GB2263579A (en) * 1992-01-24 1993-07-28 Texas Instruments Ltd An integrated circuit with intermingled electrodes
DE4427988A1 (de) * 1994-08-08 1996-02-15 Abb Management Ag MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement für hohe Spannungen
DE19538090A1 (de) * 1995-10-13 1997-04-17 Asea Brown Boveri Leistungshalbleiterelement

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3542570A1 (de) * 1985-12-02 1987-06-04 Siemens Ag Gate-turnoff-thyristor mit integrierter antiparalleler diode
EP0225962A2 (en) * 1985-12-13 1987-06-24 SILICONIX Incorporated Insulated gate transistor with latching inhibited

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3542570A1 (de) * 1985-12-02 1987-06-04 Siemens Ag Gate-turnoff-thyristor mit integrierter antiparalleler diode
EP0225962A2 (en) * 1985-12-13 1987-06-24 SILICONIX Incorporated Insulated gate transistor with latching inhibited

Also Published As

Publication number Publication date
DE4024526A1 (de) 1991-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3856480T2 (de) MOS-Feldeffekt-Transistor mit Leitfähigkeitsmodulation
DE3689680T2 (de) Mittels Steuerelektrode abschaltbarer Thyristor mit unabhängigen Zünd-/Lösch-Kontrolltransistoren.
EP0566639B1 (de) Integrierte leistungsschalterstruktur
EP0438700A1 (de) Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP0340445B1 (de) Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement
EP0332822A1 (de) Feldeffektgesteuertes, bipolares Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE4114174A1 (de) Leistungstransistorbauteil sowie verfahren zu seiner herstellung
DE69017348T2 (de) Thyristor und Verfahren zu dessen Herstellung.
DE69629017T2 (de) Laterale dünnfilm-soi-anordnungen mit einem gradierten feldoxid und linearem dopierungsprofil
DE2257846B2 (de) Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung
DE19528998C2 (de) Bidirektionaler Halbleiterschalter und Verfahren zu seiner Steuerung
EP0520355B1 (de) Mittels Steuerelektrode abschaltbares Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP0507974B1 (de) Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement
DE3905434C2 (de) Bipolare Halbleiterschalteinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19511382C2 (de) Thyristor mit isoliertem Gate
DE4102099A1 (de) Abschaltbares leistungshalbleiter-bauelement
CH679962A5 (en, 2012)
DE3750743T2 (de) Halbleiter-Schaltanordnung mit einer Anodenkurzschlussstruktur.
DE2329398C3 (de) In Rückwärtsrichtung leitendes Thyristorbauelement
EP0487869B1 (de) Abschaltbares Leistungshalbleiter-Bauelement
DE4310606A1 (de) GTO-Thyristor
EP0062099A2 (de) Thyristor und Verfahren zu seinem Betrieb
EP0249122A1 (de) Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement
DE19518339C2 (de) Halbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Benutzung derselben
DE19902749C2 (de) Leistungstransistoranordnung mit hoher Spannungsfestigkeit

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased