CH431725A - Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
CH431725A
CH431725A CH1007063A CH1007063A CH431725A CH 431725 A CH431725 A CH 431725A CH 1007063 A CH1007063 A CH 1007063A CH 1007063 A CH1007063 A CH 1007063A CH 431725 A CH431725 A CH 431725A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor device
zones
semiconductor
producing
base material
Prior art date
Application number
CH1007063A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Heinz Dr Dorendorf
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH431725A publication Critical patent/CH431725A/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/676Combinations of only thyristors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302Non-deposition formation processes
    • H10P14/6304Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302Non-deposition formation processes
    • H10P14/6304Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H10P14/6306Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
    • H10P14/6308Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors
    • H10P14/6309Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors of silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302Non-deposition formation processes
    • H10P14/6322Formation by thermal treatments
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326Deposition processes
    • H10P14/6328Deposition from the gas or vapour phase
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69Inorganic materials
    • H10P14/692Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
CH1007063A 1962-11-26 1963-08-14 Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung CH431725A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0082576 1962-11-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH431725A true CH431725A (de) 1967-03-15

Family

ID=7510444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1007063A CH431725A (de) 1962-11-26 1963-08-14 Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE640440A (https=)
CH (1) CH431725A (https=)
DE (1) DE1439193B2 (https=)
GB (1) GB1058067A (https=)
NL (2) NL142529B (https=)
SE (2) SE355269B (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3517280A (en) * 1967-10-17 1970-06-23 Ibm Four layer diode device insensitive to rate effect and method of manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
SE355269B (https=) 1973-04-09
NL142529B (nl) 1974-06-17
BE640440A (https=) 1964-05-26
NL298778A (https=)
SE316236B (https=) 1969-10-20
DE1439193B2 (de) 1970-09-10
GB1058067A (en) 1967-02-08
DE1439193A1 (de) 1969-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH469358A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH421913A (de) Verfahren zur Herstellung einkristalliner Aufwachsschichten auf einkristallinen Grundkörpern aus Halbleitermaterial
CH500591A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Vorrichtung
CH477765A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
ATA1048371A (de) Halbleiteranordnung mit einem halbleiterwiderstand und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
CH409887A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen aus monokristallinen Halbleiterelementen
CH372760A (de) Halbleitervorrichtung mit einem halbleitenden Körper aus Siliciumcarbid und Verfahren zur Herstellung derselben
CH505470A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
AT326193B (de) Schaltungsanordnung mit mindestens einem strahlungsgespeisten schaltungselement und halbleiteranordnung zur anwendung in einer derartigen schaltungsanordnung
CH544410A (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung
CH400367A (de) Elektrisches Halbleiterbauelement mit hermetisch gekapseltem Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes
CH447396A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Maske für die Fertigung von Halbleiter-Schaltelementen
CH482303A (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten elektronischen Halbleiterschaltung und nach diesem Verfahren erhaltene Halbleiterschaltung
CH449122A (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung und nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschaltung
CH431725A (de) Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung
AT320736B (de) Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens einen Hochfrequenz-Leistungstransistor enthält, und Verfahren zur Herstellung derselben
CH411799A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH431727A (de) Verfahren zur Herstellung von mit ohmschen Kontakten versehenen Halbleitervorrichtungen
AT308850B (de) Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung
CH444826A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH445644A (de) Verfahren zur Herstellung eines Bodens einer Hülle einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellter Boden
CH415863A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit mindestens einem pn-Uebergang und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
CH416764A (de) Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von elektronischen Bausteinen
CH404966A (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen, insbesondere aus Halbleitermaterial
CH426740A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, nach diesem Verfahren hergestelltes Element, und Verwendung desselben