CH410441A - Refining process for silicon and germanium - Google Patents

Refining process for silicon and germanium

Info

Publication number
CH410441A
CH410441A CH314563A CH314563A CH410441A CH 410441 A CH410441 A CH 410441A CH 314563 A CH314563 A CH 314563A CH 314563 A CH314563 A CH 314563A CH 410441 A CH410441 A CH 410441A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
silicon
anode
electrolyte
germanium
alloy
Prior art date
Application number
CH314563A
Other languages
French (fr)
Original Assignee
Gen Trustee Company Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Trustee Company Inc filed Critical Gen Trustee Company Inc
Publication of CH410441A publication Critical patent/CH410441A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B41/00Obtaining germanium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/33Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C3/00Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts
    • C25C3/34Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts of metals not provided for in groups C25C3/02 - C25C3/32
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C7/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells
    • C25C7/005Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells of cells for the electrolysis of melts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  

  Procédé d'affinage du     silicium    et     dW--germanium       La présente invention a pour objet un procédé  d'affinage de     silicium    et de germanium impurs par  électrolyse dans un électrolyte en     fusion.     



  Jusqu'ici, le silicium et le germanium destinés à  être     ultrapurifiés    par affinage par zone, par croissance       cristalline,    etc., étaient préparés par des procédés     chi-          miques    compliqués coûteux, de faible productivité et  nécessitant des contrôles difficiles.  



  Il a également été proposé un procédé électroly  tique de fabrication du     silicium,    à l'aide d'un élec  trolyte composé d'un bain en fusion de     chlorures          alcalins    et d'un     fluosilicate        alcalin,    en utilisant une  anode en carbure de silicium et le silicium enlevé à  cette dernière se déposant sur la cathode de la cel  lule électrolytique. Ce procédé ne convient pas pour  la production de     silicium    très pur et il n'a pas été  utilisé pour ce but.

   Lorsque l'anode est formée de       SiC    de qualité     commerciale,    la pureté du silicium       déposé        sur        la        cathode        n'est        que        de        92        %        environ,

       c'est-à-dire qu'il est de pureté ou     qualité        inférieure     à     celle        du        silicium        commercial        (96    à     98        %        Si)        qui     est produit au four électrique.

       Comme    le prix de  revient du     SiC    de     qualité        commerciale    est supé  rieur à celui du     silicium    produit au four électrique,  le procédé au     SiC    n'est pas compétitif.

   Même en       utilisant    un     SiC    hautement purifié, c'est-à-dire une  matière très coûteuse, la pureté du     silicium    obtenu       par        électrolyse        n'est        que        d'environ        99,3        %        et        il        ne     convient pas pour de nombreux emplois nécessitant  du silicium très pur.

   En outre, au cours de l'électro  lyse, l'électrolyte se charge rapidement de carbone  provenant du     SiC    et de petites particules de     SiC    pro  venant de l'attaque anodique.  



  Conformément au procédé selon l'invention, on  fait passer un courant électrique entre une cathode    et     une    anode, à travers un électrolyte     salin    en fusion  contenant un     fluorure,    ladite anode étant soit en sili  cium ou germanium métallique impurs, soit en       alliage    impur de silicium avec un métal plus noble  que le     silicium    soit en     alliage    impur de     germanium     avec un métal plus noble que le germanium.

   On  peut ainsi déposer sur la cathode du     silicium    ou du       germanium        d'une        pureté        de        99,9        %,        ou        même        de          99,

  99        %        suivant        la        pureté        du        métal        anodique.        La     découverte que le     silicium    et le germanium peuvent  être     purifiés    par électrolyse est surprenante, car il  était généralement admis que les composés de ces       éléments    ne donnent que très peu ou pas de cations  à l'état fondu. Cependant, nous n'entendons pas être  limité par une quelconque explication théorique du       procédé.     



  On a découvert que le silicium et le     germanium     peuvent être utilisés sous forme d'anode solide ou  liquide avec des résultats également satisfaisants.       Ainsi,    une anode     solide    peut être formée de     silicium     produit au four électrique ou par électrolyse ignée.

    Par exemple, une     anode    solide en     silicium    produit  au four électrique permet la production de     silicium          affiné    à     99,6        %.        En        partant        de        silicium        de        99        %    à       99,9        0/0,

          on        peut        obtenir        du        silicium    à     99,99        %        et     au-delà, par le procédé selon l'invention. Les anodes  solides peuvent également être formées     d'alliages    de       silicium    ou de germanium avec des métaux plus  nobles.

   Cependant, le métal     allié    tend à se rassem  bler dans     l'électrolyte    et à le souiller, ce qui nécessite  le traitement de     l'électrolyte    en vue de la récupéra  tion du métal     allié    lorsque ce dernier est coûteux. De  plus, il est     difficile    de récupérer complètement le  métal     allié.         D'excellents résultats sont également obtenus  avec des anodes     liquides    composées d'un alliage de  silicium ou de     germanium    avec un autre métal plus  noble, à condition que     l'alliage    soit à l'état liquide  à la température de l'électrolyse.

   Le métal allié peut  être de l'or ou de l'argent, mais ces métaux sont  précieux et on en perd inévitablement. A l'échelle  industrielle, les alliages de cuivre sont les plus  indiqués.  



  En raison de son point de fusion inférieur à       960,1    C et de sa densité de 5,35, le germanium peut  être employé sous forme d'anode solide ou être fondu  pour former une     anode    liquide, car il est facile de  faire fonctionner la cellule à une température de  10000 C ou supérieure. D'autre part, le silicium  ayant un     point    de fusion de 14200 C, il n'est pas       ,pratique-de    faire fonctionner la cellule à une tempé  rature     suffisamment    élevée pour que le silicium soit  maintenu en fusion.

   Par     conséquent,    pour que le sili  cium soit présent     dans-une    anode liquide     e"ndui-          sant    l'électrolyse à 1000 Cou en     dessous,    on utilise  un alliage     liquide    de silicium avec un métal plus  noble, tel que le cuivre. Dans     le-ce    du germanium  avec une anode liquide, il est nécessaire, pour empê  cher le germanium de tomber dans l'anode, d'électro  lyser à une température légèrement supérieure au  point de     fusion    du germanium, en sorte que le ger  manium se solidifie en boule sur la cathode, qui est  un peu plus froide que l'électrolyte.  



  La cathode de la cellule électrolytique peut être  formée de toute matière pouvant supporter les hautes  températures régnant dans la     cellule,    par exemple de  carbone, de graphite ou de carbure de silicium traité  de manière à être conducteur. Avec les anodes soli  des formées de     silicium,    de germanium ou de leurs       alliages        solides    mentionnés ci-dessus, la cellule peut  elle-même servir de cathode lorsqu'elle est formée  d'une matière     conductrice    et non réactive, comme  le carbone ou le graphite.

   Avec les électrodes liqui  des (fondues)     formées    de germanium ou d'alliages de  silicium ou de germanium, la cellule est composée ou       pourvue    d'une matière conductrice, telle que du car  bone ou du graphite, conduisant le courant jusque  dans le bain de métal fondu contenu dans la     cellule.     Dans une telle cellule, ou même dans les cellules  possédant des anodes solides séparées, une cathode  séparée formée de     carbone,    de graphite ou d'une  autre matière conductrice et non réactive peut être       utilisée.     



       L'électrolyte    peut     appartenir    à plusieurs types       différents.    L'un de ces types     d'électrolyte    est essen  tiellement composé d'une cryolite de formule géné  rale     Me3AlF0,    dans laquelle Me est un métal     alcalin.     La cryolite peut être seule ou accompagnée de     fluo-          rures    alcalins ou     alcalino-terreux    ou de fluorure  d'aluminium. Les     fluorures        alcalins    et alcalino-ter  reux et leurs mélanges sont également     satisfaisants.     



  Un second type d'électrolyte approprié est com  posé d'un     fluorure,    c'est-à-dire un     fluorure        alcalin,     un fluorure     alcalino-terreux    ou un mélange de ceux-         ci,    ou d'une cryolite avec ou sans autre     fluorure,     l'électrolyte contenant en outre un oxyde, de préfé  rence un oxyde de l'élément à affiner. Pour l'affinage  du silicium, l'oxyde préféré est la silice.  



  Un troisième type d'électrolyte est composé de  chlorures     alcalins    ou alcalino-terreux ou d'un mélange  de ceux-ci, et contient un fluorure ou     fluosilicate          alcalin    ou     alcalino-terreux.     



  Ces types d'électrolytes ont pour caractéristique  importante l'absence de constituants susceptibles de  libérer des cations dont le potentiel de décharge,  dans les conditions de l'électrolyse, serait inférieur à  celui du silicium ou du     germanium,    respectivement.  Les chlorures alcalins ou alcalino-terreux ne convien  nent pas avec le     silicium    en l'absence de     fluorure,     car ils réagissent avec le silicium en formant des  chlorures de     silicium    qui s'échappent du bain. Lors  que des     fluorures    sont présents dans le bain, le sili  cium est probablement retenu sous forme de fluorure  double.

   Parmi ces trois types d'électrolytes, les     fluo-          rures    additionnés d'oxydes sont les plus efficaces. Les       oxydés    peuvent être présents dans leurs intervalles  de solubilité. Cependant, dans     certains    cas la pré  sence d'un excès d'oxyde permet une dissolution con  tinue de l'oxyde dans l'électrolyte en cours     d'opéra-          tion.        Ainsi,

          on        peut        ajouter        jusqu'à        10        %        de        silice     à l'électrolyte utilisé pour l'affinage du silicium.  



  La température de la cellule doit évidemment être  maintenue suffisamment haute pour que l'électrolyte  utilisé soit à l'état fondu. Le plus souvent, la tem  pérature de la cellule est maintenue au voisinage de  10000 C, bien qu'elle puisse être comprise entre 500  et 1000 C avec les électrolytes composés de chlo  rures et de     fluorures.    Les autres types d'électroly  tes susmentionnés se     comportent    le mieux entre 800  et 1100 C.  



  La densité de courant cathodique maintenue dans  la cellule est avantageusement comprise entre environ  5 et 150     A/dm2.    Pour un rendement optimum, la  densité de courant est comprise entre 25 et 80     A/dm2.     Le potentiel appliqué entre les électrodes permet de  régler la densité de courant.  



  On     utilise    de préférence une cellule d'électrolyse  formée, ou au moins doublée intérieurement, d'une  matière qui résiste à la corrosion dans les conditions  de travail. Le carbone, le graphite, le nitrure de bore  ou le carbure de     silicium    avec un liant non attaqué  par les fluorures en fusion, tel que le     nitrure    de       silicium,    sont appropriés. Lorsque l'anode     utilisée     est une anode solide du métal à affiner, la cellule  peut être un creuset de graphite et peut être connec  tée dans le circuit électrique de manière à servir  de cathode.

   L'anode est de préférence montée de  manière à     pouvoir    être animée d'un mouvement de  progression dans l'électrolyte afin de réaliser une ali  mentation continue en élément en cours d'affinage,  ce dernier se     déposant    sur la paroi de la cellule d'où  il peut être retiré. Lorsque l'élément est obtenu à  l'état solide, comme dans le cas du silicium et éga  lement dans le cas du germanium lorsque la tempé-      rature est inférieure à son point de fusion     (958,5o    C),  l'élément se dépose principalement sur les parois de  la cellule, mais on en trouve également dans la masse  de l'électrolyte. Dans ces conditions, pour récupérer  tout le métal formé, il est nécessaire de traiter tout  le contenu de la cellule ou creuset.

   Lorsqu'on traite  du germanium et que l'électrolyte est maintenu     au-          dessus    du point de fusion de cet élément, le métal  se trouve à l'état fondu au fond du creuset, et il  peut être isolé facilement sans qu'une quantité exces  sive de bain soit entraînée.

   On peut également     munir     la cellule d'une anode     mobile    de l'élément à     affiner     et d'une cathode mobile en carbone, en graphite ou  matière analogue, sur laquelle une couche ou boule  de l'élément affiné et de l'électrolyte se dépose.     Evi-          demment,    les conditions de travail avec les cathodes  mobiles doivent être telles que les éléments se dépo  sent à l'état solide. Lorsqu'une quantité suffisante de  l'élément affiné s'est déposée, on retire la cathode de  la cellule et on la remplace par une nouvelle cathode.  



  Lorsque l'anode est en un alliage en fusion du  métal à affiner, elle se trouve à l'état liquide en  dessous de l'électrolyte et au contact du fond de  la cellule. Une cellule en graphite ou en matière  conductrice semblable sert à conduire le     courant    à  l'anode. Une cathode en graphite ou en carbone est  montée de façon amovible dans la cellule     afin    de  pouvoir être retirée pour que le silicium puisse en  être séparé. Dans le travail en continu, des additions  de l'élément sont effectuées de manière à maintenir  raisonnablement constante la concentration de l'élé  ment dans l'anode en fusion.  



  La cellule peut être chauffée par tout moyen  approprié, par exemple par des résistances électri  ques, et la cellule peut également être chauffée uni  quement par le courant circulant entre l'anode et la  cathode. Avec ce     dernier    type de chauffage, il est  nécessaire d'électrolyser sous une densité de courant  suffisamment élevée, ce qui n'est pas possible sans  dépasser les densités de courant recommandées, à  moins que la cellule soit suffisamment grande pour  supporter une intensité de, par exemple, 1000 A. La  température de la cellule est maintenue en     modifiant     la distance entre les électrodes.

   Le métal déposé, qu'il  se trouve dans la boule cathodique, sur les     parois     de la cellule, dispersé dans le bain ou rassemblé au  fond du creuset, doit être séparé de l'électrolyte qui  y adhère. Pour cette séparation, on peut utiliser dif  férentes méthodes : on peut traiter la masse pulvérisée  avec une solution diluée de soude caustique ou de  chlorure d'aluminium, ou même parfois seulement  avec de l'eau chaude, pour dissoudre les cryolites et  les fluorures en laissant le métal intact. Il est égale  ment possible de tirer parti de la différence de den  sité entre les métaux et les matières qui les accom  pagnent, ou d'utiliser des méthodes mécaniques, telles  que centrifugation, séparation par vibration, sépara  tion hydrodynamique, etc.

   Il est encore possible de  distiller ou     sublimer    la masse     cathodique    sous vide.  Comme les     fluorures    présents sont beaucoup plus    volatils que le silicium ou le germanium avec les  quels     ils    sont mélangés,     ils    sont     facilement    séparés  et récupérés. Certains procédés combinant le traite  ment chimique et la séparation mécanique ou phy  sique peuvent être adaptés à cette opération.  



  Bien que le procédé selon l'invention soit prin  cipalement destiné à la production de     silicium    et de  germanium de haute pureté, du silicium de qualité  variable peut être produit à partir d'anodes en sili  cium de différentes puretés. L'affinage     conformément     à l'invention donne des produits d'une pureté de       99,9        %        ou        supérieure.        Après        une        ultrapurification     physique, par exemple par croissance d'un cristal  unique ou par fusion sur zone, ces produits sont uti  lisables comme semi-conducteurs, comme par exem  ple     transistors,

      diodes et redresseurs. Cependant, les  produits obtenus par le procédé selon l'invention  peuvent être     utilisés    directement, sans autre     ultra-          purification,    pour la fabrication de silicones, d'allia  ges spéciaux, d'éléments optiques pour radiations  infrarouges, de     batteries    solaires, etc.  



  Le dessin annexé représente, à titre d'exemple,  deux cellules pour la mise en     oeuvre    du procédé  selon l'invention.  



  La     fig.    1 est une coupe d'une cellule à anode  solide ;  la     fig.    2 est une coupe d'une cellule à anode en  fusion et cathode séparée.  



  La cellule représentée à la     fig.    1 comprend un  creuset de graphite 10 entouré d'un cylindre réfrac  taire 11     portant    un enroulement de chauffage par       résistance    12,     chauffant    le creuset et son contenu.  Une barre 13 de l'élément à affiner, montée mobile  pour son     introduction    dans le creuset 10, forme  l'anode de la cellule. Le creuset 10 est connecté au  pôle négatif de la source de courant continu et     forme     la cathode de la cellule.

   L'électrolyte 14 est fondu       dans    la cellule ou     il    est introduit à l'état fondu dans  la     cellule,    en quantité telle que sa profondeur soit       suffisante    pour permettre l'immersion d'au moins la  partie inférieure de l'anode 13. Il n'est pas néces  saire que l'entrée du creuset soit couverte.  



  La     fig.    2 représente une cellule dans laquelle le  métal à affiner ou un     alliage    de ce métal, à l'état  fondu, sert d'anode. Un creuset 20, en carbone ou  en graphite, est connecté à la     borne    positive d'une  source de courant continu et un bain 21 de métal  ou d'alliage en fusion, en contact avec ce creuset,  forme l'anode de la cellule. Une barre cathodique  séparée 22 en carbone, en graphite ou en matière  semblable est montée mobile dans le creuset avec  son extrémité inférieure immergée dans l'électrolyte  en fusion 23,à distance du bain 21.  



  Dans ces deux cellules, le métal     affiné    se dépose  sur la cathode lorsque le courant circule entre l'anode  et la cathode.  



  Les exemples suivants     illustrent    le procédé selon  l'invention.      <I>Exemple 1</I>  On a chauffé 200 g de     Na3AIF0    et 4 g de     SiO2     dans le creuset de graphite jusqu'à ce que l'électro  lyte fonde et que la température atteigne près de  10000 C.

   On a placé au centre du creuset une anode  cylindrique formée de silicium technique produit au       four        électrique        (98,2        %        Si).        L'anode    a     été        prépa-          rée    en fondant du     silicium,    en le refroidissant et en  le     solidifiant        dans    un moule de graphite comportant  une     extrémité    fermée servant ultérieurement de borne  pour connecter l'anode à une source de courant con  tinu.

   On a fait passer un courant continu dans la  cellule, entre l'anode et le creuset     servant    de cathode.  La     densité    de     courant    a été d'environ 100     A/dm2.     



  Après quatre heures d'électrolyse, on a retiré  l'anode, celle-ci étant fortement attaquée, et on a vidé  le creuset, avec le dépôt qui s'était formé sur sa paroi.  On a     pulvérisé    le contenu du creuset et on l'a im  mergé dans une solution de     chlorure    d'aluminium à       13%        jusqu'à        ce        que        l'électrolyte        mélangé        se        soit        dis-          sous.    On a traité le résidu avec une solution d'acide  fluorhydrique, puis d'acide chlorhydrique,

   et on l'a  recueilli sur un filtre. On a obtenu 6 g de cristaux de       silicium        d'une        pureté        de        99,9        %.     



       Le        rendement        du        courant    a     été        d'environ        60        %.     <I>Exemple 2</I>  En procédant de la manière décrite dans l'exem  ple 1, on a fondu dans un creuset de graphite un élec  trolyte composé de 12 parties de     NaF,    43     parties    de       KF    et 45 parties de     LiF,

      exprimées en pour-cent       moléculaires.        On    a     ajouté        1%        de        K2SiF6        au        mélange     avant, pendant ou après la     fusion.    La température  de l'électrolyte a été maintenue à environ     5501,    C.

    On a introduit dans     l'électrolyte    en     fusion    une     élec-          trode        solide        composée        de        germanium    à     98-99        %    à       affiner,    et on a fait passer un courant continu entre  l'anode et la cellule fonctionnant comme cathode,  sous une     densité    de courant de 100     A/dm2.     



  Après quatre heures d'électrolyse, on a retiré  l'anode et le contenu du creuset, on a pulvérisé ce  contenu et on l'a traité à l'eau bouillante acidulée à  l'acide chlorhydrique, pour dissoudre les composants  solubles.  



  Après filtration et séchage, on a obtenu du ger  manium à 99,9 0/0.  



  <I>Exemple 3</I>  En procédant de la manière décrite dans l'exem  ple 1, on a fondu 200 g de     Na3AlFo    et 4 g de     SiO2     pour former un électrolyte. On a fondu un alliage de       cuivre        et        de        silicium        contenant        16        %        de        Si        et        préparé     à     partir    de cuivre électrolytique et de silicium       99,

  9        %        produit        par        électrolyse        directe,        on    a     coulé        cet          alliage    dans le creuset et on l'a     recouvert    de l'électro  lyte en     fusion.    On a immergé une barre de graphite  dans le bain, en la maintenant à distance de l'alliage  en fusion.

   On a raccordé le creuset à un pôle d'une  source de courant continu et la barre à l'autre pôle  de manière que     l'alliage    en     fusion    forme l'anode et    la barre de graphite forme la cathode. La cellule a  été maintenue à une température de 10000 C et la  densité de courant a été maintenue à 50     A/dm2    pen  dant quatre heures. Il s'est formé une boule autour  de la cathode, que l'on a séparée, après quoi on  l'a traitée afin     d'éliminer    l'électrolyte adhérant à  la cathode, de la même     manière    que décrit dans  l'exemple 1.  



       On    a     obtenu        du        silicium    à     99,99        %        avec        un        ren-          dement    du courant supérieur à 80 0/0.  



  <I>Exemple 4</I>  Le fond d'un four à cavité, semblable à celui uti  lisé pour l'affinage de l'aluminium et dans lequel la  température est maintenue par passage d'un courant  continu à travers le four, a été revêtu de carbone. Le  fond de la cavité avait une surface de 100     dm2.    La  borne positive d'une source de courant continu a été  connectée au revêtement de carbone.

   On a coulé dans       le        four        un        alliage        cuivre-silicium        contenant        16        %        de          silicium    technique (98,2 0/0) et on a     recouvert        l'alliage     d'un électrolyte fondu contenant, en pour-cent     molé-          culaires,        71        %        de        Na3AIF0,

          27        %        de        NaF        et    2     %        de          SiO2.    Une cathode en graphite pur, d'une section  transversale de 40     dm2,    a été immergée dans l'élec  trolyte. On a fait passer un courant continu de  2000 A entre l'anode et la cathode, correspondant à  une densité de courant d'environ 50     A/dm2.    On a  maintenu la température du four au voisinage de       9001,    C en réglant la     distance    entre les électrodes. On  a changé la cathode à intervalles fixes.

   On a séparé  la boule de silicium     affiné    qui s'était formée autour  de la cathode, et on l'a traitée de la même manière  que dans l'exemple 1.  



  Le silicium ainsi obtenu a présenté une pureté de       99,9        %        et        le        rendement        du        courant    a     été        proche          de        80        %.  



  Process for refining silicon and dW - germanium The subject of the present invention is a process for refining impure silicon and germanium by electrolysis in a molten electrolyte.



  Heretofore, silicon and germanium intended to be ultrapurified by zone refining, crystal growth, etc., have been prepared by complicated chemical processes that are expensive, have low productivity and require difficult controls.



  It has also been proposed an electrolytic process for manufacturing silicon, using an electrolyte composed of a molten bath of alkali chlorides and an alkali fluosilicate, using a silicon carbide anode and the silicon removed from the latter settling on the cathode of the electrolytic cell. This process is not suitable for the production of very pure silicon and it has not been used for this purpose.

   When the anode is formed from commercial grade SiC, the purity of the silicon deposited on the cathode is only about 92%,

       that is, it is of lower purity or quality than commercial silicon (96 to 98% Si) which is produced in an electric furnace.

       As the cost price of commercial grade SiC is higher than that of silicon produced in an electric furnace, the SiC process is not competitive.

   Even using highly purified SiC, that is, a very expensive material, the purity of silicon obtained by electrolysis is only about 99.3% and it is not suitable for many jobs requiring silicon. very pure.

   In addition, during electrolysis, the electrolyte rapidly charges with carbon from the SiC and small particles of SiC from the anodic attack.



  In accordance with the method according to the invention, an electric current is passed between a cathode and an anode, through a molten salt electrolyte containing a fluoride, said anode being either made of impure metallic silicon or germanium, or of an impure silicon alloy. with a metal more noble than silicon is an impure alloy of germanium with a metal more noble than germanium.

   It is thus possible to deposit on the cathode silicon or germanium with a purity of 99.9%, or even 99,

  99% depending on the purity of the anodic metal. The finding that silicon and germanium can be purified by electrolysis is surprising, since it was generally believed that compounds of these elements give very little or no cations in the molten state. However, we do not intend to be limited by any theoretical explanation of the process.



  It has been discovered that silicon and germanium can be used in the form of solid or liquid anode with equally satisfactory results. Thus, a solid anode can be formed from silicon produced in an electric furnace or by igneous electrolysis.

    For example, a solid silicon anode produced in an electric furnace allows the production of silicon refined to 99.6%. Starting from 99% silicon at 99.9 0/0,

          99.99% silicon and above can be obtained by the process according to the invention. Solid anodes can also be formed from alloys of silicon or germanium with more noble metals.

   However, the alloy metal tends to collect in the electrolyte and contaminate it, which necessitates the treatment of the electrolyte for the recovery of the alloy metal when the latter is expensive. In addition, it is difficult to completely recover the alloy metal. Excellent results are also obtained with liquid anodes composed of an alloy of silicon or germanium with another more noble metal, provided that the alloy is in the liquid state at the temperature of the electrolysis.

   The alloy metal can be gold or silver, but these metals are precious and inevitably lose some. On an industrial scale, copper alloys are the most suitable.



  Due to its melting point of less than 960.1 C and its specific gravity of 5.35, germanium can be used as a solid anode or be melted to form a liquid anode, since it is easy to operate the cell at a temperature of 10,000 C or higher. On the other hand, since silicon has a melting point of 14200 C, it is impractical to operate the cell at a temperature high enough for the silicon to be kept molten.

   Therefore, in order for silicon to be present in a liquid anode leading to electrolysis at 1000 neck below, a liquid alloy of silicon with a more noble metal, such as copper, is used. This germanium with a liquid anode, to prevent germanium from falling into the anode, it is necessary to electrolyze at a temperature slightly above the melting point of germanium, so that the ger manium solidifies into a ball on the cathode, which is a little cooler than the electrolyte.



  The cathode of the electrolytic cell may be formed from any material capable of withstanding the high temperatures prevailing in the cell, for example carbon, graphite or silicon carbide treated so as to be conductive. With the solid anodes of silicon, germanium or their solid alloys mentioned above, the cell can itself serve as a cathode when it is formed from a conductive and non-reactive material, such as carbon or graphite. .

   With liquid (molten) electrodes formed from germanium or alloys of silicon or germanium, the cell is composed or provided with a conductive material, such as carbon or graphite, conducting the current into the bath of molten metal contained in the cell. In such a cell, or even in cells having separate solid anodes, a separate cathode formed of carbon, graphite, or other conductive and non-reactive material can be used.



       The electrolyte can be of several different types. One of these types of electrolyte consists essentially of a cryolite of the general formula Me3AlFO, in which Me is an alkali metal. Cryolite can be alone or accompanied by alkali or alkaline earth fluorides or aluminum fluoride. Alkali and alkaline earth fluorides and mixtures thereof are also satisfactory.



  A second type of suitable electrolyte is composed of a fluoride, i.e. an alkali fluoride, an alkaline earth fluoride or a mixture thereof, or of a cryolite with or without other fluoride, the electrolyte further containing an oxide, preferably an oxide of the element to be refined. For refining silicon, the preferred oxide is silica.



  A third type of electrolyte is composed of alkali or alkaline earth chlorides or a mixture thereof, and contains an alkali or alkaline earth fluoride or fluosilicate.



  The important characteristic of these types of electrolytes is the absence of constituents capable of releasing cations, the discharge potential of which, under the conditions of electrolysis, would be lower than that of silicon or germanium, respectively. Alkali or alkaline earth chlorides are not suitable with silicon in the absence of fluoride, as they react with silicon to form silicon chlorides which escape from the bath. When fluorides are present in the bath, the silicon is probably retained as double fluoride.

   Of these three types of electrolytes, fluorides with added oxides are the most effective. Oxides can be present in their solubility ranges. However, in some cases the presence of an excess of oxide allows continued dissolution of the oxide in the electrolyte during operation. So,

          up to 10% of silica can be added to the electrolyte used for refining the silicon.



  The temperature of the cell must obviously be kept high enough for the electrolyte used to be in the molten state. Most often, the temperature of the cell is maintained in the vicinity of 10,000 C, although it can be between 500 and 1000 C with electrolytes composed of chlorides and fluorides. The other types of electrolytes mentioned above perform best between 800 and 1100 C.



  The cathode current density maintained in the cell is advantageously between approximately 5 and 150 A / dm2. For optimum efficiency, the current density is between 25 and 80 A / dm2. The potential applied between the electrodes makes it possible to adjust the current density.



  Preferably an electrolytic cell formed, or at least internally lined, from a material which resists corrosion under working conditions is used. Carbon, graphite, boron nitride or silicon carbide with a binder not attacked by molten fluorides, such as silicon nitride, are suitable. When the anode used is a solid anode of the metal to be refined, the cell can be a graphite crucible and can be connected in the electrical circuit so as to serve as a cathode.

   The anode is preferably mounted so as to be able to be driven by a forward movement in the electrolyte in order to achieve a continuous supply of the element being refined, the latter being deposited on the wall of the cell. where it can be removed. When the element is obtained in the solid state, as in the case of silicon and also in the case of germanium when the temperature is below its melting point (958.5o C), the element is deposited. mainly on the walls of the cell, but it is also found in the bulk of the electrolyte. Under these conditions, to recover all the metal formed, it is necessary to treat all the contents of the cell or crucible.

   When germanium is treated and the electrolyte is maintained above the melting point of this element, the metal is in the molten state at the bottom of the crucible, and it can be isolated easily without too much. if the bath is trained.

   The cell can also be provided with a mobile anode of the element to be refined and with a mobile cathode made of carbon, graphite or the like, on which a layer or ball of the refined element and of the electrolyte is deposited. . Obviously, the working conditions with the mobile cathodes must be such that the elements are deposited in the solid state. When a sufficient amount of the refined element has deposited, the cathode is removed from the cell and replaced with a new cathode.



  When the anode is made of a molten alloy of the metal to be refined, it is in the liquid state below the electrolyte and in contact with the bottom of the cell. A cell made of graphite or similar conductive material is used to conduct current to the anode. A graphite or carbon cathode is removably mounted in the cell so that it can be removed so that the silicon can be separated therefrom. In continuous work additions of the element are made so as to keep the concentration of the element in the molten anode reasonably constant.



  The cell can be heated by any suitable means, for example by electric resistors, and the cell can also be heated only by the current flowing between the anode and the cathode. With the latter type of heating, it is necessary to electrolyze under a sufficiently high current density, which is not possible without exceeding the recommended current densities, unless the cell is large enough to withstand an intensity of, for example, 1000 A. The temperature of the cell is maintained by changing the distance between the electrodes.

   The deposited metal, whether it is in the cathode ball, on the walls of the cell, dispersed in the bath or collected at the bottom of the crucible, must be separated from the electrolyte which adheres to it. For this separation, different methods can be used: the pulverized mass can be treated with a dilute solution of caustic soda or aluminum chloride, or even sometimes only with hot water, to dissolve the cryolites and fluorides in leaving the metal intact. It is also possible to take advantage of the difference in density between metals and the materials that accompany them, or to use mechanical methods, such as centrifugation, vibration separation, hydrodynamic separation, etc.

   It is still possible to distill or sublimate the cathode mass under vacuum. As the fluorides present are much more volatile than the silicon or germanium with which they are mixed, they are easily separated and recovered. Certain processes combining chemical treatment and mechanical or physical separation can be adapted to this operation.



  Although the process according to the invention is primarily intended for the production of high purity silicon and germanium, silicon of varying quality can be produced from silicon anodes of different purities. Refining according to the invention gives products of 99.9% purity or better. After physical ultrapurification, for example by growth of a single crystal or by melting on an area, these products can be used as semiconductors, such as for example transistors,

      diodes and rectifiers. However, the products obtained by the process according to the invention can be used directly, without further ultra-purification, for the manufacture of silicones, special alloys, optical elements for infrared radiations, solar batteries, etc.



  The appended drawing represents, by way of example, two cells for implementing the method according to the invention.



  Fig. 1 is a section of a solid anode cell; fig. 2 is a sectional view of a cell with a molten anode and a separate cathode.



  The cell shown in FIG. 1 comprises a graphite crucible 10 surrounded by a refractory cylinder 11 carrying a resistance heating coil 12, heating the crucible and its contents. A bar 13 of the element to be refined, movably mounted for its introduction into the crucible 10, forms the anode of the cell. The crucible 10 is connected to the negative pole of the direct current source and forms the cathode of the cell.

   The electrolyte 14 is melted in the cell or it is introduced in the molten state into the cell, in an amount such that its depth is sufficient to allow the immersion of at least the lower part of the anode 13. It does not It is not necessary for the entrance to the crucible to be covered.



  Fig. 2 shows a cell in which the metal to be refined or an alloy of this metal, in the molten state, serves as an anode. A crucible 20, made of carbon or graphite, is connected to the positive terminal of a direct current source and a bath 21 of molten metal or alloy, in contact with this crucible, forms the anode of the cell. A separate cathode bar 22 of carbon, graphite or similar material is movably mounted in the crucible with its lower end immersed in the molten electrolyte 23, away from the bath 21.



  In these two cells, the refined metal is deposited on the cathode when current flows between the anode and the cathode.



  The following examples illustrate the process according to the invention. <I> Example 1 </I> 200 g of Na3AIF0 and 4 g of SiO2 were heated in the graphite crucible until the electrolyte melted and the temperature reached nearly 10,000 C.

   A cylindrical anode formed from technical silicon produced in an electric furnace (98.2% Si) was placed in the center of the crucible. The anode was prepared by melting silicon, cooling it and solidifying it in a graphite mold having a closed end subsequently serving as a terminal for connecting the anode to a DC source.

   A direct current was passed through the cell, between the anode and the crucible serving as the cathode. The current density was approximately 100 A / dm2.



  After four hours of electrolysis, the anode was removed, the latter being strongly attacked, and the crucible was emptied, with the deposit which had formed on its wall. The contents of the crucible were pulverized and immersed in a 13% aluminum chloride solution until the mixed electrolyte dissolved. The residue was treated with a solution of hydrofluoric acid, then hydrochloric acid,

   and collected on a filter. 6 g of silicon crystals with a purity of 99.9% were obtained.



       The current efficiency was about 60%. <I> Example 2 </I> By proceeding in the manner described in Example 1, an elec trolyte composed of 12 parts of NaF, 43 parts of KF and 45 parts of LiF was melted in a graphite crucible,

      expressed in molecular percent. 1% K2SiF6 was added to the mixture before, during or after melting. The temperature of the electrolyte was maintained at about 5501, C.

    A solid electrode composed of 98-99% germanium to be refined was introduced into the molten electrolyte, and a direct current was passed between the anode and the cell functioning as a cathode, at a current density of. 100 A / dm2.



  After four hours of electrolysis, the anode and the contents were removed from the crucible, the contents were pulverized and treated with boiling water acidulated with hydrochloric acid, to dissolve the soluble components.



  After filtration and drying, 99.9% ger manium was obtained.



  <I> Example 3 </I> By proceeding in the manner described in Example 1, 200 g of Na3AlFo and 4 g of SiO2 were melted to form an electrolyte. An alloy of copper and silicon containing 16% Si and prepared from electrolytic copper and silicon 99 was melted,

  9% produced by direct electrolysis, this alloy was poured into the crucible and covered with the molten electrolyte. A graphite bar was immersed in the bath, keeping it away from the molten alloy.

   The crucible was connected to one pole of a direct current source and the bar to the other pole so that the molten alloy forms the anode and the graphite bar forms the cathode. The cell was maintained at a temperature of 10,000 C and the current density was maintained at 50 A / dm2 for four hours. A ball formed around the cathode, which was separated, after which it was treated to remove electrolyte adhering to the cathode, in the same manner as described in Example 1.



       99.99% silicon was obtained with a current efficiency greater than 80%.



  <I> Example 4 </I> The bottom of a cavity furnace, similar to that used for refining aluminum and in which the temperature is maintained by passing a direct current through the furnace, has been coated with carbon. The bottom of the cavity had an area of 100 dm2. The positive terminal of a direct current source was connected to the carbon coating.

   A copper-silicon alloy containing 16% technical silicon (98.2%) was poured into the furnace and the alloy was covered with a molten electrolyte containing, in molecular percent, 71% of Na3AIF0,

          27% NaF and 2% SiO2. A pure graphite cathode, with a cross section of 40 dm2, was immersed in the electrolyte. A direct current of 2000 A was passed between the anode and the cathode, corresponding to a current density of about 50 A / dm2. The oven temperature was maintained in the vicinity of 9001 ° C by adjusting the distance between the electrodes. The cathode was changed at fixed intervals.

   The refined silicon ball which had formed around the cathode was separated, and treated in the same manner as in Example 1.



  The silicon thus obtained exhibited a purity of 99.9% and the current yield was close to 80%.

 

Claims (1)

REVENDICATION Procédé d'affinage du silicium et du germanium impurs, caractérisé en ce que l'on fait passer un cou rant électrique entre une cathode et une anode, à travers un électrolyte salin en fusion contenant un fluorure, ladite anode étant soit en silicium ou germa nium métalliques impurs, soit en alliage impur de silicium avec un métal plus noble que le silicium soit un alliage impur de germanium avec un métal plus noble que le germanium. SOUS-REVENDICATION 1. Procédé selon la revendication, caractérisé en ce que l'anode est solide et en ce que l'électrolyte est maintenu à une température inférieure au point de fusion de ladite anode. 2. CLAIM Process for refining impure silicon and germanium, characterized in that an electric current is passed between a cathode and an anode, through a molten saline electrolyte containing a fluoride, said anode being either made of silicon or impure metallic germa nium, either an impure alloy of silicon with a metal more noble than silicon or an impure alloy of germanium with a metal more noble than germanium. SUB-CLAIM 1. A method according to claim, characterized in that the anode is solid and in that the electrolyte is maintained at a temperature below the melting point of said anode. 2. Procédé selon la revendication, caractérisé en ce que l'anode est en un alliage qui est en fusion à la température de l'électrolyte. 3. Procédé selon la revendication, caractérisé en ce que l'électrolyte comprend au moins un fluorure de métal alcalin ou de métal alcalino-terreux et au plus 10 % d'un oxyde du métal à affiner. 4. Process according to claim, characterized in that the anode is made of an alloy which is molten at the temperature of the electrolyte. 3. Method according to claim, characterized in that the electrolyte comprises at least one fluoride of an alkali metal or of an alkaline earth metal and at most 10% of an oxide of the metal to be refined. 4. Procédé selon la revendication, caractérisé en ce que l'anode est en un alliage en fusion de cuivre et de silicium contenant moins de 35 % de silicium. 5. Procédé selon la revendication, caractérisé en ce que l'anode est du germanium fondu à la tempé rature de l'électrolyte en fusion. 6. Process according to claim, characterized in that the anode is made of a molten alloy of copper and silicon containing less than 35% silicon. 5. Method according to claim, characterized in that the anode is germanium molten at the temperature of the molten electrolyte. 6. Procédé selon la revendication, caractérisé en ce que l'électrolyte comprend au moins une cryolite de formule générale Me3AIFs, dans laquelle Me est un métal alcalin, et au plus 10% d'un oxyde du métal à affiner. 7. Process according to claim, characterized in that the electrolyte comprises at least one cryolite of general formula Me3AIFs, in which Me is an alkali metal, and at most 10% of an oxide of the metal to be refined. 7. Procédé selon la revendication pour l'affinage du silicium, caractérisé en ce que la densité de cou rant est comprise entre 5 et 150 A/dm2, en ce que l'anode est composée de silicium à 96-99,9 0/0, et en ce que l'on maintient la température de l'électrolyte entre 500 et 1100 C. 8. Procédé selon la sous-revendication 7, carac- térisé en ce que l'électrolyte contient au plus 10 % de silice. 9. Process according to claim for refining silicon, characterized in that the current density is between 5 and 150 A / dm2, in that the anode is composed of 96-99.9 0/0 silicon, and in that the temperature of the electrolyte is maintained between 500 and 1100 C. 8. A method according to sub-claim 7, characterized in that the electrolyte contains at most 10% silica. 9. Procédé selon la revendication pour l'affinage du germanium, caractérisé en ce que la densité de courant est comprise entre 5 et 150 A/dm2, en ce que l'anode est composée de germanium à 96-99,9 0/0, et en ce que l'on maintient la température de l'élec trolyte en dessous du point de fusion du germanium. 10. Process according to claim for refining germanium, characterized in that the current density is between 5 and 150 A / dm2, in that the anode is composed of germanium at 96-99.9 0/0, and in that the temperature of the electrolyte is maintained below the melting point of germanium. 10. Procédé selon la revendication pour l'affi nage du silicium, caractérisé en ce que la densité de courant est comprise entre 5 et 150 A/dm2, en ce que l'anode est composée d'un alliage en fusion de silicium d'une pureté de 96 à 99,9 % avec un métal plus noble, ledit alliage contenant moins de 50 0/0 de silicium, Process according to claim for refining silicon, characterized in that the current density is between 5 and 150 A / dm2, in that the anode is composed of a molten silicon alloy of a purity from 96 to 99.9% with a more noble metal, the said alloy containing less than 50% of silicon, et en ce que l'on maintient la tempé rature de l'électrolyte au-dessus du point de fusion de l'alliage. and in that the temperature of the electrolyte is maintained above the melting point of the alloy.
CH314563A 1962-03-14 1963-03-12 Refining process for silicon and germanium CH410441A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US179726A US3219561A (en) 1962-03-14 1962-03-14 Dual cell refining of silicon and germanium
US179725A US3254010A (en) 1962-03-14 1962-03-14 Refining of silicon and germanium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH410441A true CH410441A (en) 1966-03-31

Family

ID=26875592

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH314563A CH410441A (en) 1962-03-14 1963-03-12 Refining process for silicon and germanium
CH319963A CH409416A (en) 1962-03-14 1963-03-13 Process for manufacturing refined silicon and germanium and electrolytic cell for implementing this process

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH319963A CH409416A (en) 1962-03-14 1963-03-13 Process for manufacturing refined silicon and germanium and electrolytic cell for implementing this process

Country Status (5)

Country Link
US (2) US3219561A (en)
CH (2) CH410441A (en)
DE (2) DE1217077B (en)
GB (2) GB993192A (en)
NL (2) NL290208A (en)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH426279A (en) * 1965-06-15 1966-12-15 Fiduciaire Generale S A Electrolytic cell for the manufacture of silicon
US3983012A (en) * 1975-10-08 1976-09-28 The Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University Epitaxial growth of silicon or germanium by electrodeposition from molten salts
US4142947A (en) * 1977-05-12 1979-03-06 Uri Cohen Electrodeposition of polycrystalline silicon from a molten fluoride bath and product
FR2480796A1 (en) * 1980-04-21 1981-10-23 Extramet Sarl High purity silicon deposit formation - by electrolytic deposition from alkali (ne earth) metal halide melt contg. dissolved silicon
US4448651A (en) * 1982-06-10 1984-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for producing silicon
NO156172C (en) * 1984-02-13 1987-08-12 Ila Lilleby Smelteverker PROCEDURE FOR THE PREPARATION OF PURIFIED SILICONE BY ELECTROLYTIC REFINING.
WO2007106709A2 (en) 2006-03-10 2007-09-20 Elkem As Method for electrolytic production and refining of metals
NO20063072L (en) * 2006-03-10 2007-09-11 Elkem As Method for electrolytic refining of metals
US7901561B2 (en) * 2006-03-10 2011-03-08 Elkem As Method for electrolytic production and refining of metals
CN101743342A (en) 2007-06-18 2010-06-16 Rec斯坎沃佛股份有限公司 Method for recovering elemental silicon from cutting remains
US8460535B2 (en) 2009-04-30 2013-06-11 Infinium, Inc. Primary production of elements
WO2010137555A1 (en) 2009-05-26 2010-12-02 住友化学株式会社 Process for producing refined metal or metalloid
WO2012083480A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-28 Epro Development Limited Method and apparatus for producing pure silicon
CN103243385B (en) * 2013-05-13 2016-04-27 北京科技大学 Electrorefining-liquid cathode in-situ directional solidification prepares the method for high purity single crystal silicon
CN110482556B (en) * 2019-09-10 2020-12-08 中国科学院合肥物质科学研究院 A kind of slag-forming agent for removing boron in low-temperature refining of silicon material and using method thereof
CN112708764A (en) * 2020-12-15 2021-04-27 湖南腾驰环保科技有限公司 Method for comprehensively recovering germanium dioxide and copper from copper-germanium alloy material
CN115305507B (en) * 2021-05-08 2024-09-03 中南大学 Method for producing metal aluminum by molten salt electrolysis of aluminum oxide
CN115305568A (en) * 2021-05-08 2022-11-08 中南大学 Smelting method of polycrystalline silicon

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE533780A (en) *
US800984A (en) * 1905-06-02 1905-10-03 Henry M Chance Process of purifying metals.
US2755240A (en) * 1953-11-02 1956-07-17 Shawinigan Water And Power Com Electrolysis of titanium tetrachloride to produce titanium
US3009870A (en) * 1954-05-25 1961-11-21 Ver Aluminum Werke Electrolytic cell
GB833767A (en) * 1956-10-19 1960-04-27 Timax Corp Continuous electrolytic production of titanium
US2952605A (en) * 1956-12-29 1960-09-13 Montedison Spa Refractories resistant to aggressive melts and treatment for obtaining them
US2892763A (en) * 1957-04-12 1959-06-30 American Potash & Chem Corp Production of pure elemental silicon
US2940911A (en) * 1959-01-02 1960-06-14 American Potash & Chem Corp Electrorefining of elemental boron
US3030284A (en) * 1960-11-03 1962-04-17 American Potash & Chem Corp Electrolytic production of elemental boron

Also Published As

Publication number Publication date
US3254010A (en) 1966-05-31
DE1217077B (en) 1966-05-18
GB989452A (en) 1965-04-22
NL290209A (en)
NL290208A (en)
CH409416A (en) 1966-03-15
DE1213627B (en) 1966-03-31
US3219561A (en) 1965-11-23
GB993192A (en) 1965-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH410441A (en) Refining process for silicon and germanium
CH643000A5 (en) PROCESS FOR PRODUCING EXTREMELY PURE ALUMINUM.
JP5183498B2 (en) Electrolytic production of silicon and scouring method
US4738759A (en) Method for producing calcium or calcium alloys and silicon of high purity
NO147862B (en) PROCEDURE FOR CONCENTRATION OF A SUSPENSION OF SOLID MATERIAL IN A PRESSURE FILTER, AND PRESSURE FILTER THEREOF
CN101400811B (en) Method for electrolytic production and refining of metals
CA1251160A (en) Process for the production of a metal by way of halogen electrolysis in a molten salt bath, including double simultaneous and continuous deposition, and devices used in said process
FR2649417A1 (en) PROCESS FOR OBTAINING URANIUM FROM OXIDE AND USING A CHLORIDE PATH
US4287030A (en) Process for producing high-purity indium
FR2559473A1 (en) Process for the production of purified silicon
EP0197867B1 (en) Process for improving the purity of transition metals obtained by electrolysis of their halides in molten salts baths
US1066787A (en) Process of producing zinc from blue powder.
US2821506A (en) Purification of titanium and zirconium metal
SU165544A1 (en) METHOD OF ELECTROLYTIC TELLURIUM OBTAINING
CH385497A (en) Process for the electrolytic production of tantalum or niobium
SU253369A1 (en) METHOD OF GRINDING INDIA
CH381435A (en) Tantalum electrolytic manufacturing process
CA1193996A (en) Process and apparatus for the recuperation of zinc from industrial wastes containing zinc
US3108934A (en) Process for the manufacture of antimony of high purity
SU713928A1 (en) Method of preparing electrolyte for aluminium production
FR2655055A1 (en) Aluminium electrorefining process
BE449561A (en)
EP0105896B1 (en) Apparatus for continuous production of zinc electroplated sheet
BE521185A (en)
UA56428A (en) Tin-iron alloys by chloride melts electrolyze separation method