CH374773A - Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in einem Grundkörper aus einkristallinem Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in einem Grundkörper aus einkristallinem Halbleitermaterial

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CH374773A
CH374773A CH7851559A CH7851559A CH374773A CH 374773 A CH374773 A CH 374773A CH 7851559 A CH7851559 A CH 7851559A CH 7851559 A CH7851559 A CH 7851559A CH 374773 A CH374773 A CH 374773A
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CH7851559A 1958-09-30 1959-09-22 Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in einem Grundkörper aus einkristallinem Halbleitermaterial CH374773A (de)

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DES60101A DE1113520B (de) 1958-09-30 1958-09-30 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps

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DE1278016B (de) * 1963-11-16 1968-09-19 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
GB1072703A (en) * 1964-05-12 1967-06-21 Mullard Ltd Improvements in and relating to methods of manufacturing semiconductor bodies
DE1216989B (de) * 1964-06-24 1966-05-18 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit einem Siliziumkoerper

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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