BRPI0803541A2 - mÉtodo de fabricaÇço para cÉlula fotoeletroquÍmica de semicondutor e cÉlula fotoeletroquÍmica de semicondutor - Google Patents

Abstract

MÉTODO DE FABRICAÇçO PARA CÉLULA FOTOELETROQUÍMICA DE SEMICONDUTOR E CÉLULA FOTOELETRO-QUÍMICA DE SEMICONDUTOR. A presente invenção refere-se a um método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica de semicondutor, que compreende as etapas de queimar uma base feita de titânio ou de uma liga de titânio em uma atmosfera de 700 °C a 1000 °C a uma taxa de aumento de temperatura não menor do que 5 °C/segundo, de modo que uma camada de óxido de titânio seja formada sobre a superfície, e assim, misturando o metal de titânio dentro da dita camada de óxido de titânio.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "MÉTODO DEFABRICAÇÃO PARA CÉLULA FOTOELETROQUÍMICA DE SEMICONDUTOR E CÉLULA FOTOELETROQUÍMICA DE SEMICONDUTOR".

ANTECEDENTES DA INVENÇÃO

CAMPO DA INVENÇÃO

A presente invenção refere-se a um método de fabricação parauma célula fotoeletroquímica de semicondutor e uma célula fotoeletroquímica de semicondutor, e em particular a um método de fabricação para umacélula fotoeletroquímica de semicondutor que tem efeitos de fotocatalisadore uma célula fotoeletroquímica de semicondutor a qual é fabricada de acordocom este método.

DESCRIÇÃO DA TÉCNICA RELATIVA

Quando a luz atinge um único cristal ou partículas microscópicasde um semicondutor de oxido do tipo N tal como o oxido de titânio em umasolução de eletrólito como mostrado na Figura 5, os elétrons em uma bandade valência (V.B) são excitados e movem-se para uma banda de condução(C.B). Uma reação de oxidação (Red -> Ox) ocorre na vizinhança de furos(h+) dos quais os elétrons foram removidos na banda de valência enquantouma reação de redução (Ox Red) ocorre na vizinhança da banda de condução onde os elétrons excitados (e) existem.

Na interface de contato entre a solução de eletrólito e o semi-condutor, no entanto, a banda curva devido a uma barreira de Schottky, demodo que nenhuma reação de redução ocorra a menos que os elétrons movam-se sobre esta barreira. Portanto, somente uma ligeira quantidade deelétrons contribui para a reação de redução, e consequentemente, a reaçãode oxidação ocorre somente ligeiramente.

Foi esclarecido em 1972, no entanto, que a eletrólise de águadevido à luz pode ser induzida pela utilização de platina para o contraeletrodo em uma célula fotoeletroquímica de semicondutor (NATURE vol. 238, N2 5358, pp. 37-38 (1972)). Além disto, é conhecido que efeitos similares podem ser conseguidos conectando os eletrodos de platina a um únicocristal de oxido de titânio ou fazendo com que partículas microscópicas deoxido de titânio carreguem partículas microscópicas de platina (CHEMICALPHYSICS LETTERS vol. 88, N2 1, pp. 50-54 (1982)). Neste caso, a platina éfeita ser carregada utilizando um método onde a substância conseguida pelaredução de oxido de titânio imerso em um ácido platínico com formaldeído é aquecida a uma alta temperatura.

De acordo com a técnica anterior acima descrita, no entanto, emqualquer caso, a platina onerosa é utilizada para os eletrodos, e o método defabricação para os eletrodos é também complicado, de modo que é difícildizer que a técnica é prática. Após as descobertas acima descritas, um dospresentes inventores desenvolveu um método de acordo com o qual o titânioé queimado a 700 °C a 800 °C e por meio disto um semicondutor do tipo Nque tem um cristal do tipo de anatásio pode ser gerado, e o titânio é quei-mado a 1200 °C a 1500 °C e por meio disto um semicondutor do tipo N quetem um cristal do tipo de rutilo pode ser fabricado (Publicação de Patente

Não Examinada Japonesa Número H6 (1994)-90824), mas neste caso, efei-tos de fotocatalisador eficientes não podem ser providos pela mistura deuma quantidade apropriada de metal de titânio em uma camada de oxido detitânio que é formada sobre a superfície após a queima.

Mais ainda, apesar de uma invenção relativa a um método para fabricar um material de fotocatalisador executando uma oxidação anódicasobre o metal de titânio e queimando isto em uma atmosfera de 500 °C tersido proposta (Publicação de Patente Não Examinada Japonesa Número2000-271493), o pré-processamento é complicado, e assim, este não podeser dito ser um método simples ou prático.

SUMÁRIO DA INVENÇÃO

Portanto, um objetivo da presente invenção é de prover, em vistados problemas com a técnica anterior acima descrita, um método de fabrica-ção para uma célula fotoeletroquímica de semicondutor a qual pode ser fa-bricada de acordo com um método simples sem utilizar um metal preciosooneroso e que tem excelentes efeitos de fotocatalisador, assim como umacélula fotoeletroquímica de semicondutor que é fabricada de acordo comeste método.O objetivo acima descrito é conseguido pelas invenções de acordo com as reivindicações. Isto quer dizer, o método de fabricação parauma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com a presenteinvenção está caracterizado por prover tal configuração que uma base feitade titânio ou de uma liga de titânio é queimada em uma atmosfera de 700 °Ca 1000 °C com uma taxa de aumento de temperatura não menor do que 5°C/segundo, de modo que uma camada de oxido de titânio seja formada sobre a superfície e o metal de titânio é misturado na camada de oxido de titânio acima descrita.

Nesta configuração, uma célula fotoeletroquímica de semicondutor que tem excelentes efeitos de fotocatalisador na qual nenhum materialoneroso tal como um metal precioso é utilizado para um eletrodo, e uma reação de fotocatalisador a qual é mais reativa do que aqueles conseguidos natécnica anterior ocorre quando irradiada com luz, de modo que uma grandecorrente eletromotora flui, pode ser conseguida.

Como mostrado na Figura 1, o metal de titânio está adjacente aooxido de titânio na estrutura de uma célula de acordo com a presente invenção, e portanto, na interface, nenhuma barreira de Schottky como aquela nainterface de contato entre a solução de eletrólito e o semicondutor é formada, e portanto, os elétrons que recebem a energia luminosa podem ser facilmente excitado para uma banda de condução, uma reação de reduçãoeficiente ocorre na porção de metal de titânio, e uma reação de oxidaçãoeficiente ocorre na porção de semicondutor. Isto é diferente da técnica anterior, onde, como mostrado na Figura 5, uma barreira de Schottky é formadana totalidade da interface de contato entre a superfície inteira do semicondutor e a solução de eletrólito. Conseqentemente, no caso da célula de acordocom a presente invenção, a eficiência da reação de fotocatalisador torna-sesignificativamente mais alta em comparação com a técnica anterior, de modoque uma maior corrente eletromotora é gerada para a mesma intensidade deluz irradiada, ou uma reação de fotocatalisador eficiente ocorre para umamenor quantidade de luz irradiada. Em um caso onde a temperatura para aqueima é mais baixa do que 700 °C, a eficiência de geração de oxido de ti-tânio como um semicondutor de oxido do tipo N é fraca, e efeitos de fotocatalisador suficientes não podem ser conseguidos, e em um caso onde atemperatura de queima excede 1000 °C, os efeitos de fotocatalisador também não podem ser conseguidos. A temperatura para a queima de preferência excede 810 °C e não é mais alta do que 1000 °C. Além disso, em umcaso onde a taxa de aumento de temperatura no tempo da queima é maisbaixa do que 5 °C/segundo, uma quantidade apropriada de metal de titânionão pode ser misturada na camada de oxido de titânio que é gerada sobre asuperfície da base após a queima, o que não é preferível.

Como um resultado, um método de fabricação para uma célulafotoeletroquímica de semicondutor a qual é fabricada de acordo com um método simples sem utilizar um metal precioso oneroso e tem excelentes efeitos de fotocatalisador, podem ser providos.

Além disso, o método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com a presente invenção pode ser caracterizado por prover tal configuração que uma base feita de titânio ou umaliga de titânio é queimada em uma atmosfera de 900 °C a 1000 °C para formar uma camada de oxido de titânio sobre a superfície, e após isto, temperada em água fria para misturar o metal de titânio na camada de oxido detitânio acima descrita.

Também nesta configuração, uma célula fotoeletroquímica desemicondutor que tem excelentes efeitos de fotocatalisador na qual nenhummaterial oneroso tal como um metal precioso é utilizado para um eletrodo euma reação de fotocatalisador que tem uma atividade mais alta do que aquela conseguida na técnica anterior ocorre quando irradiada com luz, euma grande corrente eletromotora flui, pode ser conseguida. Neste caso, atemperatura de queima é alta, e portanto, a camada de revestimento de oxido gerada que tem altas propriedades de isolamento pode ser facilmenteremovida através de tempera, de modo que o metal de titânio pode ser misturada na camada de oxido de titânio na estrutura inferior. É de preferênciaque tal água fria não esteja mais quente do que 10 °C.

É preferido adicionalmente executar um processamento mecâni-co de modo a remover parcialmente a camada de oxido de titânio geradaacima descrita, de modo que a área de superfície de metal de titânio na camada de oxido de titânio acima descrita torna-se 10% a 30%.

Nesta configuração, a camada de metal de titânio pode ser seguramente exposta da camada de oxido de titânio. Por meio disto, para oprocessamento mecânico, tal método para remover parcialmente a camadade oxido de titânio criando fendas utilizando um polidor ou similar ou limandoou cortando a superfície da camada de oxido de titânio utilizando um gabarito tal como uma lima ou uma ferramenta de corte, pode ser adotado. Além disso, no caso onde a área de superfície de metal de titânio foi exposta dacamada de oxido de titânio acima descrita é de 10% a 30% da área de superfície da camada de oxido de titânio, efeitos de fotocatalisador estáveis e eficientes podem ser conseguidos. Em um caso onde a área de superfície demetal de titânio é menor do que 10%, é difícil conseguir efeitos de fotocatalisador eficientes, enquanto que em um caso onde a área de superfície de metal de titânio excede 30%, os efeitos de fotocatalisador conseguidos dacamada de oxido de titânio são reduzidos.

A configuração da célula fotoeletroquímica de semicondutor deacordo com a presente invenção está caracterizada pelo fato de que a célulafotoeletroquímica de semicondutor é fabricada de acordo com um método defabricação para uma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordocom qualquer uma das Reivindicações 1 a 3.

Nesta configuração, uma célula fotoeletroquímica de semicondutor a qual é fabricada em um método simples sem utilizar um metal precioso oneroso e tem excelentes efeitos de fotocatalisador pode ser provida.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

Figura 1 é um diagrama que mostra uma reação de fotocatalisador em uma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com a presente invenção.

Figura 2 é um fluxograma que mostra esquematicamente umprocesso de fabricação para a célula fotoeletroquímica de semicondutor daFigura 1.Figura 3 é um diagrama que mostra um método para medir umacorrente eletromotora nos exemplos e nos exemplos comparativos.

Figura 4 é um gráfico que mostra uma mudança em pH que indica a decomposição de ácido láctico pela célula fotoeletroquímica de semi-condutor da Figura 1.

Figura 5 é um diagrama que mostra uma reação de fotocatalisador na célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com a técnicaanterior.

DESCRIÇÃO DETALHADA DAS MODALIDADES PREFERIDAS

As modalidades da presente invenção estão descritas em detalhes com referência aos desenhos. A Figura 2 é um fluxograma que mostraesquematicamente um processo de fabricação para uma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com a presente modalidade.

O titânio ou uma liga de titânio pode ser utilizado para uma baseutilizada para uma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo coma presente modalidade, e uma forma apropriada sua pode ser selecionadade acordo com a aplicação sem nenhuma limitação específica, como formade placa, forma de haste ou forma de bulbo. Um exemplo que utiliza o titâniopuro (pureza: não menor do que 99,0%) em forma de haste está citado nadescrição.

Primeiro, é preferível lavar com ácido a base feita de titânio emforma de haste com antecedência (NQ1). A lavagem com ácido pode ser executada de acordo com um método convencional, conhecido, por exemplo,imergindo a base em uma solução de ácido hidrofluorídrico a 5% em pesoaté 10% em peso por um período de tempo predeterminado.

Após as manchas e similares sobre a superfície da base seremlavadas com ácido e removidas, a base é suficientemente lavada com água(N92) e polida de modo que a superfície torne-se mais lisa, se necessário(N93).

Então, a base é queimada em uma atmosfera (N94), de modoque um filme de revestimento de oxido de titânio seja formado sobre a superfície da base. A temperatura para aquecimento é de 700 °C a 1000 °C, emais de preferência, excede 810 °C e não é mais alta do que 1000 °C. Taltemperatura é mantida por um minuto até duas horas, mais de preferência 4minutos até 30 minutos.

Após manter a base a uma temperatura predeterminada por umperíodo de tempo predeterminado, a base é temperada em água fria nãomais quente do que 10 °C (N95), de modo que um rachamento ocorra nofilme de revestimento de oxido de titânio que está formado sobre a superfícieda base, e assim, o filme de revestimento de oxido é parcialmente removido.Apesar do filme de revestimento cair naturalmente em muitos casos, este pode ser mecanicamente removido se necessário. Como um resultado, asuperfície da base tem uma estrutura onde o oxido de titânio e o metal detitânio coexistem. Neste caso, a espessura do filme de revestimento de oxidode titânio é de aproximadamente 0,1 |a.m a 30 |im, e mais de preferência,aproximadamente 0,5 jim a 10 (im.

A seguir, fendas são criadas sobre a base onde o filme de revestimento de oxido de titânio foi formado com um polidor ou similar (ns6). Isto é para seguramente e estavelmente expor o metal de titânio da superfície dabase, e uma forma e um número de fendas apropriados podem ser selecionados, e é de preferência para criar fendas de tal modo que a área de superfície do metal de titânio exposto torne-se aproximadamente 10% a 30% dacamada de oxido de titânio. No caso onde a área exposta de metal de titânioé maior do que isto, os efeitos de fotocatalisador do oxido de titânio torna-semenor, o que não é preferível. A etapa de criar fendas, no entanto, não ésempre necessária, e pode ser omitida quando a área exposta de metal detitânio é feita maior temperando a base após a base ser queimada a umaalta temperatura.

EXEMPLOS

TESTE DE QUEIMA

EXEMPLO 1

Uma haste de titânio puro (99,5% por peso) que tem um diâmetro de aproximadamente 3 mm e um comprimento de aproximadamente 80mm foi utilizada como uma base. Esta base foi lavada com ácido, isto é, umasolução de ácido hidrofluorídrico, com antecedência e seca, e após isto, aquecida e queimada em uma atmosfera de 1000 °C por 4 minutos a 30 minutos a uma taxa de aumento de temperatura de 7 °C/segundo em um fornoelétrico, e então temperada em água fria de aproximadamente 10 °C. A razão de exposição de metal de titânio sobre a superfície da camada de oxido de titânio foi encontrada da área de superfície da base após imagens de raios X de Ti e O foram feitas utilizando um EPMA (JXA-8800RM, feito por JEOL Ltd.)- Neste caso do Exemplo 1, a camada de superfície mais externaque tem altas propriedades isolantes foi removida através da tempera, e aproximadamente 20% de metal de titânio foram misturados dentro da camada de oxido de titânio na porção de estrutura inferior.

EXEMPLO 2

O mesmo processamento que aquele no Exemplo 1 foi executado, exceto que a taxa de aumento de temperatura foi ajustada para 5°C/segundo e a temperatura de sinterização foi ajustada para 810 °C. NoExemplo 2, apesar da camada de superfície mais externa não ter sido removida através de tempera, o oxido de titânio sobre a superfície gerada não tinha altas propriedades isolantes, e foi descoberto que aproximadamente20% de metal de titânio foram misturados dentro da camada de oxido detitânio quando a estrutura foi observada.

EXEMPLO 3

O mesmo processamento que aquele no Exemplo 2 foi executado, exceto que a temperatura para queima foi ajustada para 700 °C. A camada de superfície mais externa não foi removida neste exemplo, mesmoatravés de tempera, como no Exemplo 2.

EXEMPLO COMPARATIVO 1

O mesmo processamento que aquele no Exemplo 2 foi executado, exceto que a temperatura para queima foi ajustada para 1200 °C. Nestecaso, apesar da camada de superfície mais alta que tem propriedades isolantes mais altas ter sido removida através de tempera como no Exemplo 1,praticamente nenhum metal de titânio foi misturado na camada de oxido detitânio na porção de estrutura inferior.EXEMPLO COMPARATIVO 2

O mesmo processamento que aquele no Exemplo 2 foi executa-do, exceto que a temperatura para queima foi ajustada para 500 °C. Nestecaso, a camada de superfície mais alta não foi removida mesmo através detempera, como nos Exemplos 2 e 3, e a geração da camada de oxido detitânio foi insuficiente.

A corrente eletromotora foi medida para cada um dos Exemplos1 a 3 e dos Exemplos Comparativos 1 e 2 de acordo com o seguinte método.Isto quer dizer, uma amostra de cada um dos exemplos e exemplo comparativos acima descritos foi colocada dentro de um recipiente que contém uma solução salina de 0,1% como uma solução de eletrólito, e um eletrodo emforma de haste onde a platina foi depositada sobre o metal de titânio foi utilizado como um contra-eletrodo 2.

Como mostrado na Figura 3 (que mostra somente um exemplo onde a Amostra de Exemplo 1 é utilizada), estes dois eletrodos 1 e 2 foram eletricamente conectados um no outro através de ummedidor de corrente 3, e isto foi utilizado com a fonte de luz (energia luminosa: hv) de uma lâmpada fluorescente (6 W), de modo que a corrente que flui foi medida. Os resultados da medição estão mostrados naTABELA 1

<table>table see original document page 10</column></row><table>

Pode ser visto da Tabela 1 que uma corrente eletromotora daqual o nível é mais alto do que aquele dos exemplos comparativos foi geradanos Exemplos 1 a 3, onde a base foi aquecida a uma temperatura de 700 °Ca 1000 °C por 4 minutos a 30 minutos. É mais preferível para o caso serqueimado a 810 °C a 1000 °C.

EFEITOS DA TEMPERA

A seguir, a Tabela 2 mostra os resultados de medição de umacorrente eletromotora no caso onde a amostra da Modalidade 1 foi temperada em água fria não mais quente do que 10 °C , assim como no caso onde a amostra foi naturalmente resfriada na atmosfera após ter sido retirada doforno. No caso onde a amostra não foi temperada após ser queimada a 1000°C, um espesso filme de revestimento de oxido de titânio cobriu a superfície,impedindo que uma quantidade apropriada de oxido de titânio fosse misturada em um metal de titânio, e uma grande corrente eletromotora não pode ser gerada.TABELA 2

<table>table see original document page 12</column></row><table>Além disso, no caso onde a temperatura para a queima era de 700 °Ca 810 °C, apesar de nenhum filme de revestimento de oxido de titânio tersido removido através da tempera, uma quantidade apropriada de oxido detitânio e de metal de titânio pôde ser misturada dentro da superfície, e umagrande quantidade de corrente fotoeletromotora pôde ser gerada, devido àalta taxa de aumento de temperatura (não menos do que 5 °C/segundo), além do acima.

EFEITOS DA TAXA DE AUMENTO DE TEMPERATURA

A Tabela 3 mostra os efeitos da taxa de aumento de temperatura. No caso onde a taxa de aumento de temperatura foi mais baixa do que 5°C/segundo quando a base foi queimada em uma atmosfera de 700 °C a1000 °C, uma quantidade apropriada de metal de titânio não pôde ser misturada na camada de oxido de titânio que foi gerada sobre a superfície da base após a queima, e uma grande quantidade de corrente fotoeletromotora não pôde ser gerada. Especificamente, no caso mais baixo do que 900 °C(700 °C a 810 °C), uma grande quantidade de corrente fotoeletromotora nãopôde ser gerada quando a taxa de aumento de temperatura era baixa.

TABELA 3

<table>table see original document page 13</column></row><table>TESTE DE DECOMPOSIÇÃO DE ÁCIDO LÁCTICO

A seguir, um teste de decomposição de ácido láctico foi executado utilizando a amostra do Exemplo 2 acima descrito (do qual o tempo para queima foi de 4 minutos). O ácido láctico foi diluído a 0,01% com 0,3 M deuma solução de sulfato de potássio, e mais ainda, hidróxido de sódio foi adicionado, e por meio disto, o pH foi ajustado para 5,7. A amostra do Exemplo 2 foi colocada dentro de 2 ml de dessa solução de ácido láctico, e esta foiirradiada com luz de uma lâmpada química de 20 W de uma distância de 2,5cm (A). O pH foi medido utilizando um medidor de pH comercialmente disponível (M-8, feito por Horiba, Ltd.). Para o propósito de comparação, a mudança no pH no caso onde a amostra do Exemplo 2 foi colocada dentro dasolução de ácido láctico acima descrita, mas esta não foi irradiada com luz(B) está mostrada juntamente com a mudança em pH de somente a soluçãode ácido láctico acima descrita (C). Aqui, de modo a acelerar a mistura dasolução, um borbulhamento com oxigênio foi utilizado. A Figura 4 mostra amudança no pH durante o curso de irradiação neste caso.

Pode ser visto da Figura 4 que a decomposição do ácido lácticona solução de ácido láctico dentro da qual a amostra do Exemplo 2 acimadescrito foi colocada, progrediu quando irradiada com luz, e neste caso, pode também ser visto que a reação de fotocatalisador com certeza progrediu.

Neste caso, o ácido láctico decompôs através de uma reação de fotocatalisador de modo a mudar para ácido pirúvico, como mostrado nas seguintes fórmulas. Mais ainda, os íons de hidrogênio gerados foram reduzidos porelétrons (e') em uma banda de condução de metal de titânio, e o pH aumentou.

CH3CHOHCOOH+2p+-> CH3COCOOH+2H+CH3COCOOH+2H++2e -> CH3COCOOH+H2OUTRAS MODALIDADES

(1) Apesar do titânio puro ser citado como um exemplo de uma base na descrição das modalidades acima descritas, vários tipos de ligas detitânio, tais como as ligas de titânio - alumínio - vanádio, as ligas de titânio -molibdênio - zircônio e as ligas de titânio - alumínio - estanho podem ser uti-lizadas como a base da presente invenção.

(2) Uma célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordocom a presente invenção pode ser amplamente utilizada na indústria alimentícia, na indústria química, na indústria médica, na indústria de equipamentos ambientais e similares, devido aos seus efeitos de fotocatalisador.

Claims (10)

1. Método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica desemicondutor, que compreende as etapas de:queimar uma base feita de titânio ou de uma liga de titânio emuma atmosfera de 700 °C a 1000 °C a uma taxa de aumento de temperaturanão menor do que 5 °C/segundo, de modo que uma camada de oxido detitânio seja formada sobre a superfície, e assim, misturando o metal de titânio dentro da dita camada de oxido de titânio.

2. Método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica desemicondutor, de acordo com a reivindicação 1, em quea base é resfriada em água fria não mais quente do que 10 °Capós uma camada de oxido de titânio ter sido formada sobre a superfícieatravés da queima.

3. Método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica desemicondutor, de acordo com a reivindicação 1, em queum processamento mecânico é adicionalmente executado demodo a remover parcialmente a dita camada de oxido de titânio que foi gerada, de modo que a área de superfície de metal de titânio na dita camadade oxido de titânio torna-se 10% a 30%.

4. Método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica desemicondutor, que compreende as etapas de:queimar uma base feita de titânio ou uma liga de titânio em umaatmosfera de 900 °C a 1000 °C de modo que uma camada de oxido de titânio seja formada sobre a superfície; eapós isto, temperar a base em água fria de modo que o metal detitânio seja misturado na dita camada de oxido de titânio.

5. Método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica desemicondutor, de acordo com a reivindicação 4, em quea base é resfriada em água fria não mais quente do que 10 °Capós uma camada de oxido de titânio ter sido formada sobre a superfícieatravés da queima.

6. Método de fabricação para uma célula fotoeletroquímica desemicondutor, de acordo com a reivindicação 4, em queum processamento mecânico é adicionalmente executado demodo a remover parcialmente a dita camada de oxido de titânio que foi gerada, de modo que a área de superfície de metal de titânio na dita camada de oxido de titânio torna-se 10% a 30%.

7. Célula fotoeletroquímica de semicondutor, que compreendeuma base feita de titânio ou de uma liga de titânio a qual é queimada em uma atmosfera de 700 °C a 1000 °C a uma taxa de aumento detemperatura não menor do que 5 °C/segundo, por meio de que uma camadade oxido de titânio é formada sobre a superfície, e assim, o metal de titânio émisturado na dita camada de oxido de titânio.

8. Célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com areivindicação 7, em que a base é resfriada em água fria não mais quente do que 10 °Capós uma camada de oxido de titânio ter sido formada sobre a superfícieatravés da queima de modo que o metal de titânio é misturado na dita camada de oxido de titânio.

9. Célula fotoeletroquímica de semicondutor, que compreendeuma base feita de titânio ou uma liga de titânio a qual é queimada em uma atmosfera de 900 °C a 1000 °C de modo que uma camada deoxido de titânio seja formada sobre a superfície; eum metal de titânio o qual é, após isto, misturado na dita camada de oxido de titânio temperando a base em água fria.

10. Célula fotoeletroquímica de semicondutor de acordo com areivindicação 9, em que a base é resfriada em água fria não mais quente do que 10 °Capós uma camada de oxido de titânio ter sido formada sobre a superfícieatravés da queima de modo que o metal de titânio é misturado na dita camada de oxido de titânio.