BR112021010446A2 - Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor - Google Patents

Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor Download PDF

Info

Publication number
BR112021010446A2
BR112021010446A2 BR112021010446-1A BR112021010446A BR112021010446A2 BR 112021010446 A2 BR112021010446 A2 BR 112021010446A2 BR 112021010446 A BR112021010446 A BR 112021010446A BR 112021010446 A2 BR112021010446 A2 BR 112021010446A2
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
transistor
thermally conductive
conductive material
core
audio
Prior art date
Application number
BR112021010446-1A
Other languages
English (en)
Inventor
Juliano Anflor
Original Assignee
Juliano Anflor
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Juliano Anflor filed Critical Juliano Anflor
Publication of BR112021010446A2 publication Critical patent/BR112021010446A2/pt

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE ÁUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR. A invenção se refere ao acoplamento térmico entre o transistor SMD/driver de áudio e um dissipador de calor, em que o dito acoplamento térmico consiste em colocar, abaixo do transistor SMD ou driver de áudio, uma placa de núcleo de material condutor térmico capaz de eliminar as deficiências do estado da técnica. O transistor SMD ou driver de áudio (1) é soldado diretamente na parte superior da placa com núcleo de material condutor térmico (2), a qual promove a transferência de calor para um dissipador (3) que é soldado diretamente à parte inferior da placa com núcleo de material condutor térmico. Esta concepção proporciona uma transferência de calor ideal, já que o transistor ou driver de áudio (1) é soldado diretamente, através de um processo de refusão de solda em forno, a um material altamente condutivo termicamente. Os transistores e drivers são soldados diretamente na placa através de um material dielétrico altamente condutivo termicamente usado na sua construção, a instalação da placa com núcleo de material condutor térmico no dissipador é facilitada, pois elimina a necessidade de empregar isolantes elétricos e componentes de fixação como parafusos e presilhas.

Description

ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE ÁUDIO
COM DISSIPADOR DE CALOR Setor tecnológico da invenção
[001] A presente invenção pertence, de modo geral, ao setor tecnológico de dispositivos eletrônicos e se refere, mais especificamente, ao setor de amplificadores de áudio, tendo por finalidade melhorar o acoplamento térmico entre transistor SMD (surface mount device) e drivers de áudio com seus dissipadores de calor, reduzindo a temperatura de trabalho e permitindo, assim, o aumento da densidade de potência de amplificadores de áudio, redução do custo do produto e aumento da confiabilidade, ao mesmo tempo em que elimina componentes de fixação e isolamento elétrico entre a placa e o dissipador, reduzindo o tempo de fabricação do produto, suas dimensões e custo. Estado da técnica conhecido
[002] O estado da técnica deste setor tecnológico compreende duas modalidades de encapsulamento de transistores para amplificadores de áudio, sendo conhecidos o PTH (pin through-hole) e o SMD (surface mount device).
[003] Os componentes PTH são montados diretamente no dissipador através de parafusos, presilhas e isolante elétrico, por isso possuem um acoplamento térmico adequado. Contudo, a fixação é cara, de montagem lenta e ocupa muito espaço.
[004] Os componentes SMD atuais são soldados diretamente na placa de circuito impresso (PCB), que é produzida em fibra de vidro com baixa condutividade térmica. Para fazer a transferência térmica entre o componente SMD e um dissipador acoplado embaixo da placa de circuito impresso (PCB) são usadas “vias” logo abaixo do transistor, que são furos metalizados com cobre que tem a função de proporcionar a ligação elétrica/térmica entre um lado e outro da placa PCB. Nesta configuração, o acoplamento térmico é prejudicado devido ao fato de as “vias” não possuírem boa condutividade térmica, já que a espessura da metalização de cobre é muito fina, o que faz com que o componente SMD opere em uma temperatura mais alta em relação aos componentes PTH. Uma via de 0,6 mm possui em média uma resistência térmica de 96,8°C/W, o que significa que a cada watt dissipado no componente, sua temperatura se elevará em 96,8°C. A adição de mais vias reduz a resistência térmica, mas esta solução é limitada pelo tamanho reduzido do transistor ou driver de áudio. Em 270 mm2 de placa com o máximo de vias possíveis, a resistência térmica cai para 12°C/W. Para exemplificar, em um amplificador de áudio de 100 W e 90% de eficiência, há uma potência de 10 W dissipada no transistor ou driver de áudio que precisa ser transferida para o dissipador de calor e as vias não dão a condução térmica adequada à essa aplicação. Nesse exemplo, o componente chegaria a 120°C dissipando uma potência de 10 W, sendo que a maioria dos transistores possuem uma temperatura de trabalho máxima de 150°C. Outra desvantagem se refere à necessidade de usar isolante elétrico entre a placa e o dissipador.
[005] Nesse contexto, o documento US 6,828,170, publicado em 10/01/2002, revela um pacote de radiação óptica semicondutor incluindo um quadro, pelo menos um emissor de radiação óptica de semicondutor e um encapsulante. O quadro tem um membro de extração de calor, que suporta o emissor óptico semicondutor e fornece um ou mais caminhos térmicos para remover o calor gerado dentro do emissor para o ambiente, bem como pelo menos dois condutores elétricos para fornecer acoplamento elétrico à radiação óptica do semicondutor emissor. O encapsulante cobre e protege o emissor e os cabos opcionais de danos e permite que a radiação seja emitida do emissor para o ambiente. No entanto, tal documento não revela o emprego de dielétrico na interface entre a placa e o componente SMD, portanto, não o isolando eletricamente; além disso, tal documento não aponta para a instalação de dissipador do lado oposto da placa em relação ao componente SMD.
[006] O documento US 2002/0109544, publicado em 15/08/2002, revela um amplificador musical que inclui uma válvula de vácuo e um transistor. O tubo de vácuo é conectado à porta do transistor, de forma que o fluxo de corrente através do transistor seja controlado pelo tubo de vácuo. De acordo com um exemplo da invenção, o arranjo de tubo de vácuo-transistor é configurado em um arranjo "push-pull", onde uma combinação de tubo de vácuo-transistor controla tensões positivas, e outra combinação de tubo de vácuo-transistor controla as tensões negativas entregues pelo sistema, a saída do sistema estando em tensão aproximadamente zero quando não está sob carga. Tal documento não fornece solução técnica para reduzir o tamanho de placas com componentes SMD e evitar seu sobreaquecimento. Resta evidente, portanto, uma deficiência do estado da técnica, cuja solução técnica, proposta pela presente invenção, é descrita a seguir. Novidade e objetivos da invenção
[007] A presente invenção se refere a um acoplamento térmico aperfeiçoado entre o transistor SMD/driver de áudio e um dissipador de calor, em que o dito acoplamento térmico consiste em colocar, abaixo do transistor SMD/driver de áudio, uma placa de núcleo de material condutor térmico capaz de eliminar as deficiências do estado da técnica. Assim, a presente invenção compreende a substituição do núcleo das placas de circuito impresso, originalmente produzidas com compostos epóxi e/ou placas de fibras, por um núcleo constituído por um material com condutividade térmica compatível, como alumínio, cobre ou cerâmica. Tal substituição permite que o transistor ou o driver de áudio tenha um acoplamento térmico direto com o dissipador através da soldagem direta do mesmo na placa com núcleo de metal e uma transferência de calor equivalente aos componentes PTH. Uma vez que os transistores e drivers são soldados diretamente na placa com núcleo de material condutor térmico, isolada eletricamente entre o núcleo de material condutor térmico e o transistor através de um material dielétrico altamente condutivo termicamente usado na sua construção, a instalação da placa com núcleo de material condutor térmico no dissipador é facilitada, pois elimina a necessidade de empregar isolantes elétricos e componentes de fixação como parafusos e presilhas (necessários nos componentes PTH).
[008] As vantagens da invenção são várias, dentre as quais destacam-se as seguintes. Ao trocar as placas de circuito impresso (PCB) utilizadas no estado da técnica por uma placa de núcleo de material condutor térmico, o componente SMD operará em uma temperatura menor, aumentando a confiabilidade do produto, já que a potência máxima de trabalho do transistor ou driver é inversamente proporcional à sua temperatura de operação (Figura 1). Dessa forma, é possível também utilizar um componente de potência menor e mais barato, garantindo a mesma confiabilidade na aplicação. Tal característica de aprimoramento de dissipação permitirá, portanto, a fabricação de amplificadores de áudio com tamanho menor do que os disponíveis no estado da técnica.
[009] Em alguns casos, a placa de material condutor térmico pode substituir o dissipador, já que é produzida no mesmo material que os dissipadores de calor e pode assumir a mesma função. Descrição dos desenhos anexos
[0010] A fim de que a presente invenção seja plenamente compreendida e levada à prática por qualquer técnico no assunto, a mesma será explicada de forma clara, concisa e suficiente, tendo como base os desenhos anexos abaixo listados, que são apenas exemplificativos de concretizações preferenciais sem ter a finalidade de limitar o escopo da invenção apenas aos exemplos ilustrados, pois qualquer um versado na técnica sabe que inúmeras alterações, supressões, adições e substituições podem ser realizadas sem escapar do escopo da proteção:
[0011] Figura 1 apresenta uma curva típica de corrente máxima de operação versus temperatura de um transistor disponível no estado da técnica.
[0012] Figura 2 apresenta uma configuração de dispositivo disponível no estado da técnica atual, ilustrando um transistor SMD ou driver de áudio montado sobre uma placa de fibra de vidro padrão com vias para transferência térmica.
[0013] Figura 3 apresenta a invenção proposta, em que o transistor SMD ou driver de áudio é soldado sobre uma placa de núcleo de material condutor térmico com transferência de calor para um dissipador.
[0014] Figuras 4 e 5 apresentam comparações entre amplificador de 1200 W empregado no estado da técnica (à esquerda) e amplificador de 1200 W de acordo com a presente invenção, com dimensões inferiores (à direita).
[0015] Figuras 6 e 7 apresentam comparações entre amplificador de 800 W empregado no estado da técnica (à esquerda) e amplificador de 800 W de acordo com a presente invenção, com dimensões inferiores (à direita). Descrição detalhada da invenção
[0016] A invenção compreende transistor SMD ou driver de áudio (1) soldado diretamente na parte superior de uma placa com núcleo de material condutor térmico (2), a dita placa com núcleo de material condutor térmico promovendo transferência de calor para um dissipador (3), sendo o dito dissipador soldado diretamente à parte inferior da placa com núcleo de material condutor térmico. Esta concepção proporciona uma transferência de calor ideal, já que o transistor ou driver de áudio (1) é soldado diretamente, através de um processo de refusão de solda em forno, a um material altamente condutivo termicamente.
[0017] Em uma concretização preferencial da invenção é utilizada uma placa (2) com núcleo de alumínio, cobre ou cerâmica. Na figura 1 é apresentada a curva típica de corrente máxima de operação versus temperatura de um transistor e, como já explanado anteriormente, com os componentes instalados de modo convencional em uma placa de 270 mm2, um amplificador de áudio de 100 W e 90% de eficiência apresentará uma potência de 10 W dissipada no transistor ou driver de áudio que precisa ser transferida para o dissipador de calor, elevando a temperatura do componente montado em 120ºC. Na mesma área de 270 mm2, com os componentes instalados de acordo com a presente invenção, a resistência térmica de uma placa de núcleo de material condutor térmico (2) é de apenas 0,2°C/W e um componente (2) que dissipa os mesmos 10 W elevaria sua temperatura em apenas 2°C.
[0018] Dois protótipos foram montados de acordo com a invenção, um com um amplificador de 800 W e outro com um amplificador de 1200 W, ambos dotados de placa com núcleo de material condutor térmico. No amplificador de 800 W, a densidade de potência (Watt/cm³) aumentou em torno de 2x, e, no amplificador de 1200 W, a densidade de potência aumentou em torno de 3x, reduzindo as dimensões do produto final na mesma proporção, em comparação com os conhecidos até a presente data, evidenciando a grande melhoria que a patente proposta oferece ao produto, visto que a redução do tamanho da placa e do dissipador resultam em uma grande redução de custo. Os dois protótipos atingiram a potência especificada e tiveram desempenho térmico, potência e durabilidade equivalentes ou melhores que os produtos sem a utilização das melhorias citadas na invenção.
[0019] No exemplo revelado na Figura 4, tem-se a comparação entre um amplificador de 1200 W convencional e um empregando a presente tecnologia. O amplificador convencional possui dimensões de 7,1 cm por 10,5 cm. O amplificador de acordo com a presente invenção apresenta dimensões de 5 cm por 7 cm. Ambos permitem o funcionamento adequado do amplificador de 1200 W, permanecendo a temperaturas baixas, evidenciando o efeito técnico obtido pela presente invenção, que permitiu uma redução de 53% nas dimensões do amplificador.
[0020] Tratou-se no presente relatório descritivo de uma invenção revestida de aplicação industrial, novidade e atividade inventiva, sendo, portanto, dotada de todos os requisitos legais para receber a patente pleiteada.

Claims (1)

  1. REIVINDICAÇÕES 1- ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR que compreende transistor SMD ou driver de áudio, placa e dissipador de calor, caracterizado pela dita placa ser uma placa de núcleo de material condutor térmico (2), o dito transistor SMD ou driver de áudio (1) ser soldado na parte superior da dita placa de núcleo de material condutor térmico (2) e isolado eletricamente da dita placa de núcleo de material condutor térmico (2) através de um dielétrico, e o dito dissipador de calor (3) ser soldado na parte inferior da dita placa de núcleo de material condutor térmico(2). 2- ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a dita placa de núcleo de material condutor térmico (2) ter núcleo escolhido do grupo formado por alumínio, cobre ou cerâmica. 3- ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por o dito transistor SMD ou driver de áudio (1) ser soldado à dita placa de núcleo de metal via um processo de refusão de solda em forno. 4- ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a resistência térmica da placa de núcleo de material condutor térmico (2) ser de 0,2°C/W.
BR112021010446-1A 2019-07-09 2019-07-09 Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor BR112021010446A2 (pt)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/BR2019/050261 WO2021003539A1 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 Aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BR112021010446A2 true BR112021010446A2 (pt) 2021-08-24

Family

ID=74113530

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BR112021010446-1A BR112021010446A2 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor
BR112020000879-6A BR112020000879A2 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BR112020000879-6A BR112020000879A2 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220068757A1 (pt)
CN (1) CN113544868A (pt)
BR (2) BR112021010446A2 (pt)
WO (1) WO2021003539A1 (pt)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2984774A (en) * 1956-10-01 1961-05-16 Motorola Inc Transistor heat sink assembly
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6507240B2 (en) * 2001-02-09 2003-01-14 Brent K. Butler Hybrid audio amplifier
EP1900022B1 (en) * 2005-07-01 2015-10-07 Vishay-Siliconix Complete power management system implemented in a single surface mount package
JP2007335663A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
TWI475799B (zh) * 2010-10-12 2015-03-01 Generalplus Technology Inc 音頻功率放大電路的熱保護電路與方法
DE112014002061T5 (de) * 2013-10-29 2016-01-07 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitermodul
WO2015184603A1 (zh) * 2014-06-04 2015-12-10 华为技术有限公司 一种电子设备
CN205022168U (zh) * 2015-09-17 2016-02-10 三门县职业中等专业学校 一种传送带商标烫印机不粘标热辊
US11735548B2 (en) * 2018-08-08 2023-08-22 Kuprion Inc. Electronics assemblies employing copper in multiple locations

Also Published As

Publication number Publication date
BR112020000879A2 (pt) 2021-03-23
CN113544868A (zh) 2021-10-22
US20220068757A1 (en) 2022-03-03
WO2021003539A1 (pt) 2021-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040037044A1 (en) Heat sink for surface mounted power devices
FI88452C (fi) Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor
US6984887B2 (en) Heatsink arrangement for semiconductor device
JP2011187729A (ja) 電界放射低減構造
BR112021010446A2 (pt) Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor
US20110013366A1 (en) Electronic circuit board with a thermal capacitor
JP6790432B2 (ja) 半導体装置の放熱構造
CN215871957U (zh) 一种厚金、沉金与osp结合的精细线路柔性线路板
JP2013016606A (ja) パワーモジュールの冷却構造
JP6503650B2 (ja) 電力変換装置の冷却構造
JP4770518B2 (ja) 高出力増幅器
JP2000277976A (ja) 電気回路部の放熱装置
CN215956971U (zh) 一种应用于pcb板的散热结构
CN220692993U (zh) 一种用于磁悬浮分子泵的配电器及磁悬浮分子泵
CN219778877U (zh) Mos器件在印制电路板上的连接结构
CN214672591U (zh) 一种功率器件封装结构
CN220963320U (zh) 电子设备
JP5110383B2 (ja) 電気機器及び照明器具
CN210925990U (zh) 一种半导体器件
CN213044021U (zh) 一种陶瓷散热片固定机构
KR20160012570A (ko) 히트 싱크 체결장치 및 이를 포함하는 히트 싱크 어셈블리
JP2008270683A (ja) 積層基板
JP2022022924A (ja) 放熱端子付きプリント基板と及び放熱用ヒートシンク
WO2003019997A1 (en) Improved heat sink for surface mounted power devices
CN113053838A (zh) 双向散热封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
B06W Patent application suspended after preliminary examination (for patents with searches from other patent authorities) chapter 6.23 patent gazette]