BR112020000879A2 - aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor - Google Patents

aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor Download PDF

Info

Publication number
BR112020000879A2
BR112020000879A2 BR112020000879-6A BR112020000879A BR112020000879A2 BR 112020000879 A2 BR112020000879 A2 BR 112020000879A2 BR 112020000879 A BR112020000879 A BR 112020000879A BR 112020000879 A2 BR112020000879 A2 BR 112020000879A2
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
audio
transistors
improvement
thermal coupling
heatsink
Prior art date
Application number
BR112020000879-6A
Other languages
English (en)
Inventor
Juliano Anflor
Original Assignee
Juliano Anflor
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Juliano Anflor filed Critical Juliano Anflor
Publication of BR112020000879A2 publication Critical patent/BR112020000879A2/pt

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion

Abstract

APERFEIÇOAMENTO EM ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR. A presente invenção pertence ao setor tecnológico de amplificadores de áudio e compreende, mais precisamente, um Transistor SMD ou driver de áudio (1) soldado diretamente em placa de núcleo de metal (2) com transferência de calor para o dissipador aprimorado (3). Esta concepção proporciona a transferência de calor ideal, já que o componente (1) é soldado diretamente em um material altamente condutivo termicamente.

Description

APERFEIÇOAMENTO EM ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE
TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR Setor tecnológico da invenção
[0001] A presente invenção pertence, de modo geral, ao setor tecnológico de dispositivos eletrônicos e se refere, mais especificamente, ao setor de amplificadores de áudio, tendo por finalidade melhorar o acoplamento térmico entre transistor SMD (surface mount device) e drivers de áudio com seus dissipadores de calor, reduzindo a temperatura de trabalho e permitindo, assim, o aumento da densidade de potencia de amplificadores de áudio, redução do custo do produto e aumento da confiabilidade, ao mesmo tempo em que elimina componentes de fixação e isolação elétrica entre a placa e o dissipador, reduzindo o tempo de fabricação do produto, suas dimensões e custo.
Estado da técnica conhecido
[0002] O estado da técnica deste setor tecnológico compreende duas modalidades de encapsulamento de transistores para amplificadores de áudio, sendo conhecidos o PTH (pin through hole) e o SMD (surface mount device).
[0003] Os componentes PTH são montados diretamente no dissipador através de parafusos, presilhas e isolante elétrico, por isso possuem um acoplamento térmico adequado, mas a fixação é cara, de montagem lenta e ocupa muito espaço.
[0004] Os componentes SMD são montados diretamente na placa de circuito impresso (PCB), que é produzida em fibra de vidro com baixa condutividade térmica. Para fazer a transferência térmica entre o componente SMD e um dissipador acoplado em baixo da placa são usadas “vias” em baixo do transistor. O acoplamento térmico é prejudicado devido ao fato das “vias” não possuírem boa condutividade térmica, o que faz com que o componente SMD opere em uma temperatura mais alta em relação aos componentes PTH. Uma via de 0,6mm possui em média uma resistência térmica de 96.8 *C/W, o que significa que a cada watt dissipado no componente, sua temperatura se elevará em 96.8 ºC. A adição de mais vias reduz a resistência térmica, mas esta solução é limitada pelo tamanho reduzido do transistor ou driver de áudio. Em 270 mm? de placa com o máximo de vias possíveis, a resistência térmica cai para 12 ºC/W. Para exemplificar, em um amplificador de áudio de 100W e 90% de eficiência, há uma potencia de 10W dissipada no transistor ou driver de áudio que precisa ser transferida para o dissipador de calor e as vias não dão a condução térmica adequada à essa aplicação. Nesse exemplo, o componente chegaria a 120ºC dissipando uma potencia de 10W, sendo que a maioria dos transistores possuem uma temperatura de trabalho máxima de 150ºC. Outra desvantagem se refere a necessidade de usar isolante elétrico entre a placa e o dissipador.
Novidade e objetivos da invenção
[0005] A presente invenção se refere a um acoplamento térmico aperfeiçoado entre o transistor e o driver de áudio com o dissipador de calor abaixo da placa, capaz de eliminar as deficiências do estado da técnica. Assim, a invenção compreende a substituição do núcleo da placa de circuito impresso por um núcleo constituído por um material termicamente eficiente, como alumínio, cobre ou cerâmica, permitindo que o transistor ou o driver de áudio tenha um acoplamento térmico direto com o dissipador e uma transferência de calor equivalente aos componentes PTH. Uma vez que os transistores e drivers são fixados diretamente na placa e esta é isolada eletricamente, a instalação da placa no dissipador é facilitada, pois elimina a necessidade de empregar isolantes elétricos e componentes de fixação como parafusos e presilhas (necessários nos componentes PTH).
[0006] As vantagens são várias. Ao trocar o núcleo da placa para metal, o componente SMD opera em uma temperatura menor, aumentando a confiabilidade do produto, já que a potencia máxima de trabalho do transistor ou driver é inversamente proporcional à sua temperatura de operação (Figura 1). Dessa forma é possível também utilizar um componente de potencia menor e mais barato garantindo a mesma confiabilidade na aplicação.
[0007] Em alguns casos, a placa de metal pode substituir o dissipador, já que é produzida no mesmo material que os dissipadores de calor e pode assumir a mesma função.
Descrição dos desenhos anexos
[0008] A fim de que a presente invenção seja plenamente compreendida e levada à prática por qualquer técnico no assunto, a mesma será explicada de forma clara, concisa e suficiente, tendo como base os desenhos anexos abaixo listados, que são apenas exembplificativos de concretizações preferenciais sem ter a finalidade de limitar o escopo da invenção apenas aos exemplos ilustrados, pois qualquer um versado na técnica sabe que inúmeras alterações, supressões, adições e substituições podem ser realizadas sem escapar do escopo da proteção:
[0009] Figura 1 apresenta uma curva típica de corrente máxima de operação versus temperatura de um transistor.
[0010] Figura 2 apresenta o estado da técnica atual, ilustrando um transistor SMD ou driver de áudio montado em placa de fibra de vidro padrão com vias para transferência térmica.
[0011] Figura 3 apresenta a invenção proposta, em que o transistor SMD ou driver de áudio é montado em placa de núcleo de metal com transferência de calor para o dissipador aprimorado.
Descrição detalhada da invenção
[0012] A presente invenção, revelada neste relatório descritivo, compreende Transistor SMD ou driver de áudio (1) soldado diretamente em placa de núcleo de metal (2) com transferência de calor para o dissipador aprimorado (3). Esta concepção proporciona a transferência de calor ideal, já que o componente (1) é soldado diretamente em um material altamente condutivo termicamente.
[0013] Em uma concretização preferencial da invenção é utilizada uma placa (2) com núcleo de alumínio, cobre ou cerâmica. Na figura 1 é apresentada a curva típica de corrente máxima de operação versus temperatura de um transistor e, como já explanado anteriormente, com os componentes instalados de modo convencional em uma placa de 270 mm?, em um amplificador de áudio de 100 W e 90% de eficiência há uma potencia de 10 W dissipada no transistor ou driver de áudio que precisa ser transferida para o dissipador de calor e componente eleva a sua temperatura a 120 ºC. Na mesma área de 270-mm?, com os componentes instalados de acordo com a presente invenção, a resistência térmica de uma placa de núcleo de metal (2) é de apenas 0,2 ºC/W e um componente (2) que dissipa os mesmos 10 W elevaria sua temperatura em apenas 2ºC.
[0014] Em dois protótipos montados de acordo com a invenção, um amplificador de 800W e outro de 1200W. No amplificador de 800W a densidade de potência (Watt/Cm?) aumentou em torno de 2x e no amplificador de 1200W a densidade de potência aumentou em torno de 3x evidenciando a grande melhoria que a patente proposta oferece ao produto, visto que a redução do tamanho da placa e do dissipador resultam em uma grande redução de custo. Os dois protótipos atingiram a potencia especificada e tiveram performance equivalente ou melhor que os produtos sem a utilização das melhorias citadas na invenção.
[0015] Tratou-se no presente relatório descritivo de uma invenção revestida de aplicação industrial, novidade e atividade inventiva, sendo, portanto, dotada de todos os requisitos legais para receber a patente pleiteada.

Claims (1)

  1. Reivindicações: 1- APERFEIÇOAMENTO EM ACOPLAMENTO TÉRMICO
    ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR caracterizado por compreender Transistor SMD ou driver de áudio (1) soldado diretamente em placa de núcleo de metal (2) com transferência de calor para o dissipador aprimorado (3).
    2- APERFEIÇOAMENTO EM ACOPLAMENTO TÉRMICO
    ENTRE TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR de acordo com a reivindicação 1 e ainda caracterizado por a placa (2) ter núcleo escolhido do grupo formado por alumínio, cobre ou cerâmica.
    60 RT
    5.0
    SS E. IDA ||| = A ; EN ENES 11 8 so DN o V A 7 ' ii TA [X) 50 75 100 125 150 Ty . Ambient Temperature (ºC) Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature Fig.1 Transistor SMD ou Driver de audio ps 777 Pode mara devido Dissipador de calor
    N co : eo
    OD Lu
    Resumo:
    APERFEIÇOAMENTO EM ACOPLAMENTO TÉRMICO ENTRE
    TRANSISTOR E DRIVERS DE AUDIO COM DISSIPADOR DE CALOR A presente invenção pertence ao setor tecnológico de amplificadores de áudio e compreende, mais precisamente, um Transistor SMD ou driver de áudio (1) soldado diretamente em placa de núcleo de metal (2) com transferência de calor para o dissipador aprimorado (3). Esta concepção proporciona a transferência de calor ideal, já que o componente (1) é soldado diretamente em um material altamente condutivo termicamente.
BR112020000879-6A 2019-07-09 2019-07-09 aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor BR112020000879A2 (pt)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/BR2019/050261 WO2021003539A1 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 Aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BR112020000879A2 true BR112020000879A2 (pt) 2021-03-23

Family

ID=74113530

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BR112021010446-1A BR112021010446A2 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor
BR112020000879-6A BR112020000879A2 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BR112021010446-1A BR112021010446A2 (pt) 2019-07-09 2019-07-09 Acoplamento térmico entre transistor e drivers de áudio com dissipador de calor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220068757A1 (pt)
CN (1) CN113544868A (pt)
BR (2) BR112021010446A2 (pt)
WO (1) WO2021003539A1 (pt)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2984774A (en) * 1956-10-01 1961-05-16 Motorola Inc Transistor heat sink assembly
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6507240B2 (en) * 2001-02-09 2003-01-14 Brent K. Butler Hybrid audio amplifier
WO2007005864A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 King Owyang Complete power management system implemented in a single surface mount package
JP2007335663A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
TWI475799B (zh) * 2010-10-12 2015-03-01 Generalplus Technology Inc 音頻功率放大電路的熱保護電路與方法
DE112014002061T5 (de) * 2013-10-29 2016-01-07 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitermodul
EP3131376B1 (en) * 2014-06-04 2021-08-04 Huawei Technologies Co., Ltd. Electronic device
CN205022168U (zh) * 2015-09-17 2016-02-10 三门县职业中等专业学校 一种传送带商标烫印机不粘标热辊
WO2020033632A2 (en) * 2018-08-08 2020-02-13 Kuprion Inc. Electronic assemblies employing copper in multiple locations

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021003539A1 (pt) 2021-01-14
US20220068757A1 (en) 2022-03-03
BR112021010446A2 (pt) 2021-08-24
CN113544868A (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150048073A1 (en) Heating element and circuit module stack structure
US6984887B2 (en) Heatsink arrangement for semiconductor device
TW200506586A (en) Fanless heat sink for computer equipment
TW201204227A (en) Heat dissipation apparatus
US20130170136A1 (en) Pcb heat sink for power electronics
BR112020000879A2 (pt) aperfeiçoamento em acoplamento térmico entre transistor e drivers de audio com dissipador de calor
TW201201000A (en) Heat dissipation apparatus
TW201144987A (en) Heat sink and electronic device
CN215871957U (zh) 一种厚金、沉金与osp结合的精细线路柔性线路板
RU85285U1 (ru) Устройство для отвода тепла от печатной платы
CN209435532U (zh) 一种新型pcb线路板
JP2012146406A (ja) Led照明回路及びled照明器具
KR100756535B1 (ko) 피씨비 생산 기법을 응용한 고효율 방열기 구조 및 이를이용한 방열기 일체형 열전소자 구조.
JP6503650B2 (ja) 電力変換装置の冷却構造
KR20180019221A (ko) 반도체 장치의 방열 구조
JP4743094B2 (ja) 電気回路装置
US20040226696A1 (en) Surface mount resistors as heat transfer augmentation devices
CN215956971U (zh) 一种应用于pcb板的散热结构
CN213403983U (zh) 一种散热体结构
CN215991724U (zh) 一种具有散热功能的电路板
CN216721656U (zh) 一种hdi高密度积层线路板
CN113885678B (zh) 一种散热组件及具有该散热组件的笔记本电脑
CN219499614U (zh) 一种散热型pcb线路板
JP2005093630A (ja) 電子機器の放熱構造
TW201144992A (en) Heat dissipation structure