BR112019019521A2

BR112019019521A2 - fita para processamento de semicondutores

Info

Publication number: BR112019019521A2
Application number: BR112019019521A
Authority: BR
Inventors: Sendai Akira; Hashimoto Kosuke; Sano Toru
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2018-03-28
Filing date: 2018-07-18
Publication date: 2020-04-22
Also published as: WO2019187184A1; JP2019175958A; TW201942964A; TWI685028B; KR102112789B1; KR20190113746A; JP6535117B1; SG11201906504SA; CN110546738B; MY187864A; CN110546738A; BR112019019521B1

Abstract

é fornecida uma fita para processamento de semicondutores que pode ser induzida a retrair por aquecer suficientemente em um curto período de tempo e pode reter uma largura de corte. uma fita para processamento de semicondutores 10 da invenção inclui uma fita adesiva temporária 15 tendo uma película de substrato 11; e uma camada adesiva temporária 12 formada em pelo menos um lado da superfície da película de substrato 11, na qual em relação à fita adesiva temporária 15, a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica em qualquer uma primeira direção por 1ºc entre 40ºc e 80ºc medida no momento de aumentar a temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na segunda direção perpendicular à primeira direção por 1ºc entre 40ºc e 80ºc medida no momento de aumentar a temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, é um valor negativo.

Description

FITA PARA PROCESSAMENTO DE SEMICONDUTORES

CAMPO TÉCNICO [001] A presente invenção refere-se a uma fita expansível para processamento de semicondutores, que pode ser utilizada para fixar uma pastilha em um processo de corte de dividir uma pastilha em elementos semelhantes a fragmentos, os quais também podem ser utilizados em um processo de ligação ou processo de montagem para ligar um fragmento e outro fragmento ou um fragmento e um substrato após o corte, e que também pode ser utilizado em um processo de divisão de uma camada adesiva ao longo dos fragmentos por expansão.

ESTADO DA TÉCNICA [002] Convencionalmente, num processo de produção de um dispositivo semicondutor, tal como um circuito integrado (IC), um processo de trituração posterior de triturar a superfície traseira de uma pastilha para reduzir a espessura da pastilha após a formação de um padrão de circuito; um processo de corte de aderência de uma fita para processamento de semicondutor tendo adesividade e elasticidade temporárias para a superfície traseira da pastilha, e, então, dividir a pastilha em unidades de fragmento; um processo de expansão de expandir a fita para processamento de semicondutores (expansão); um processo de coleta de coletar os fragmentos divididos; e um processo de ligação de molde (montagem) de aderência dos fragmentos coletados a um suporte conector, um substrato de embalagem ou semelhante (ou numa embalagem empilhada, os fragmentos são laminados um sobre o outro e aderidos), são realizados.

[003] No processo de trituração posterior, uma fita

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2/79 protetora de superfície é usada para proteger a superfície formada por padrão de circuito de uma pastilha (superfície frontal da pastilha) contra contaminação. Após a conclusão da trituração da superfície posterior da pastilha, quando esta fita protetora de superfície é destacada da superfície frontal da pastilha, a fita para processamento de semicondutores (fita de ligação de molde/corte) que será descrita abaixo é laminada na superfície traseira da pastilha e, em seguida, a fita para o lado de processamento de semicondutores é fixada a uma mesa de sucção. A fita protetora da superfície é submetida a um tratamento para baixar a força adesiva direcionada para a pastilha e, em seguida, a fita protetora da superfície é destacada. A pastilha a partir da qual a fita protetora de superfície foi destacada é removida da mesa de sucção em um estado tendo a pastilha laminada na superfície traseira, e é fornecida ao processo de corte subsequente. Enquanto isso, o tratamento para diminuir a força adesiva é um tratamento de irradiação com raios de energia em um caso em que a fita protetora de superfície é formada por um componente que é curável por raios de energia, como radiação ultravioleta, e o tratamento é um tratamento por aquecimento em um caso, em que a fita protetora de superfície é formada a partir de um componente termoendurecível.

[004] No processo de corte para o processo de montagem após o processo de trituração posterior, é usada uma fita para processamento de semicondutores, em que uma camada adesiva temporária e uma camada adesiva são laminadas nesta ordem em uma película de substrato. Geralmente, em um caso, em que é utilizada uma fita para processamento de

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3/79 semicondutores, primeiramente, a camada adesiva da fita para processamento de semicondutores é laminada na superfície traseira de uma pastilha de modo a fixar a pastilha, e a pastilha e a camada adesiva são cortadas em unidades de fragmento usando uma lâmina de corte. Depois disso, um processo de expansão de ampliar a distância entre os fragmentos por expandir a fita na direção do diâmetro da pastilha é realizado. Este processo de expansão é realizado a fim de aumentar a capacidade de reconhecimento de fragmentos por uma câmera CCD ou similar no processo subsequente de coleta, e para evitar o dano de fragmentos causados por fragmentos adjacentes sendo colocados em contato uns com os outros quando os fragmentos são coletados. Subsequentemente, os fragmentos são destacados, juntamente com a camada adesiva, a partir da camada adesiva temporária e, em seguida, são coletados durante o processo de coleta, e os fragmentos são diretamente aderidos a um suporte conector, um substrato de embalagem, ou similar durante o processo de montagem. Como tal, quando uma fita para processamento de semicondutores é utilizada, é possível aderir os fragmentos ligados à camada adesiva diretamente a um suporte conector, a um substrato de embalagem ou semelhante. Portanto, um processo para aplicar um adesivo ou um processo para aderir separadamente uma película de ligação de molde a vários fragmentos pode ser omitido.

[005] Contudo, no processo de corte descrito acima, como descrito acima, uma vez que a pastilha e a camada de adesivo são cortadas em conjunto utilizando uma lâmina de corte, não apenas são geradas as aparas da pastilha, mas também as aparas da camada adesiva. Então, em um caso, em

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4/79 que a apara da camada adesiva obstrui as ranhuras em corte da pastilha, os fragmentos grudam uns nos outros, causando a falha de coleta ou algo semelhante, e há um problema que o rendimento de produção dos dispositivos semicondutores é diminuído.

[006] A fim de resolver esse problema, tem sido proposto um método de cortar apenas a pastilha usando uma lâmina no processo de corte, expandindo a fita para processamento de semicondutores no processo de expansão e, assim, dividindo a camada adesiva para cada um dos fragmentos individuais (por exemplo, Documento de Patente 1) . De acordo com tal método para dividir a camada adesiva utilizando a tensão no momento da expansão, as aparas do adesivo não são geradas, e não há influência adversa no processo de captação.

[007] Além disso, nos últimos anos, um método chamado corte invisível (stealth dicing) , pelo qual uma pastilha pode ser cortada de maneira sem contato usando um aparelho de processamento a laser, tem sido sugerido como um método de corte de pastilha. Por exemplo, o Documento de Patente 2 revela, como um método de corte invisível, um método para cortar um substrato semicondutor, o método incluindo uma etapa de irradiação de um substrato semicondutor, sobre o qual uma folha foi aderida através de uma camada adesiva (camada de resina ligada ao molde) interpostas entre si, com luz de laser, ajustando a luz focada para o interior do substrato semicondutor, assim, formando regiões modificadas por absorção de múltiplos fótons no interior do substrato semicondutor, e utilizando estas regiões modificadas como partes cortadas planejadas; e uma etapa de cortar o substrato semicondutor e a camada

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5/79 adesiva ao longo das partes cortadas planejadas, expandindo a folha.

[008] Além disso, como outro método para cortar uma pastilha usando um aparelho de processamento a laser, por exemplo, proposto no documento de Patente 3 é um método de dividir uma pastilha, o método incluindo uma etapa de montar uma camada adesiva (película adesiva) para o molde ligando na superfície traseira de uma pastilha; uma etapa de laminar uma fita adesiva temporária protetora expansível no lado da camada adesiva da pastilha, na qual a camada adesiva foi laminada; uma etapa de irradiação da pastilha adesiva temporária de fita adesiva protetora com luz de laser através da superfície da pastilha ao longo do caminho e, desse modo, dividindo a pastilha em fragmentos individuais; uma etapa de expandir a fita adesiva temporária de proteção para aplicar força elástica à camada adesiva e romper a camada adesiva para cada um dos fragmentos; e uma etapa de destacar os fragmentos tendo a camada adesiva rompida laminada sobre a mesma, a partir da fita adesiva temporária de proteção.

[009] De acordo com estes métodos de corte de pastilha descritos no Documento de Patente 2 e no Documento de Patente 3, uma vez que uma pastilha é cortada de maneira sem contato por meio de irradiação com luz de laser e expansão de uma fita, a carga física na pastilha é pequena, e o corte da pastilha é habilitado sem gerar aparas da pastilha (fragmentos), como no caso de realizar o corte da lâmina da corrente principal recente. Além disso, uma vez que a camada adesiva é dividida pela expansão da camada adesiva, não há possibilidade de gerar aparas da camada adesiva. Portanto, foi dada atenção a esses métodos como uma

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6/79 excelente tecnologia que pode substituir o corte da lâmina.

[0010] No entanto, nos métodos de divisão de uma camada adesiva por expandir através da expansão, como descrito nos Documentos de Patente 1 a 3, no caso da utilização de uma fita convencional para processamento de semicondutores, existe um problema que juntamente com um aumento na quantidade de expansão, a porção empurrada para cima por um anel de expansão é alongada, e após a expansão ser desfeita, a porção relevante torna-se frouxa de modo que a distância entre as aparas (doravante, largura de corte) não pode ser retida.

[0011] Assim, os métodos de divisão da camada adesiva por expansão, desfazendo a expansão, fazendo com que

as porções de folga	da fita	para processamento	de
semicondutores retraiam	por calor	e, assim, mantendo	a
largura do corte, foram de Patente 4 e 5). LISTA DE CITAÇÃO DOCUMENTO DE PATENTE	sugeridos	(por exemplo, Documentos
[0012] Documento	de Patente	1: JP 2007-5530 A
[0013] Documento	de Patente	2: JP 2003-338467 A
[0014] Documento	de Patente	3: JP 2004-273895 A
[0015] Documento	de patente	4: WO 2016/152957 A
[0016] Documento	de Patente	5: JP 2015-211081 A

SUMÁRIO DA INVENÇÃO

PROBLEMA A SER RESOLVIDO PELA INVENÇÃO [0017] No entanto, em relação a um método de induzir a folga de uma fita para processamento de semicondutores induzida por expansão para retrair por aquecimento, geralmente, um método de induzir um par de bocais de ar

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7/79 quente orbitar em torno da porção em forma de anel que foi empurrada por um anel de expansão e cedeu, expondo, assim, a porção de folga ao ar quente, e retraindo por calor a porção de folga, tem sido usado.

[0018] Na fita para processamento de semicondutores descrita no Documento de Patente 4, quando a fita é aquecida por 10 segundos a 100°C, a retração térmica na direção longitudinal e na direção da largura da fita é de 0% a 20%. No entanto, quando a fita é aquecida fazendo com que bicos de ar quente orbitem em torno, a temperatura perto da superfície da fita para processamento de semicondutores aumenta lentamente e, portanto, há um problema que leva algum tempo para eliminar a folga em todos os locais da forma do anel. Além disso, existe um problema que a capacidade de retenção para a largura de corte não é suficiente, as camadas adesivas entram em contato umas com as outras, e, sofrem readesão, e o rendimento do produto da produção do componente semicondutor é deteriorado.

[0019] Além disso, a fita para processamento de semicondutores, descrita no Documento de Patente 5, tem uma razão de retração de 0,1% ou maior a 130°C a 160°C (ver reivindicação 1 do Documento de Patente 5), e a temperatura induzindo a retração é alta. Portanto, no caso de ocorrer retração por aquecimento usando ar quente, uma alta temperatura e um longo tempo de aquecimento são necessários, e há um risco de que o ar quente possa ter influência mesmo na camada adesiva na vizinhança da periferia externa da pastilha, e a camada adesiva dividida pode ser fundida e ligada por fusão novamente.

[0020] Assim, é um objetivo da invenção fornecer uma

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8/79 fita para o processamento de semicondutores, que pode ser retraída por aquecimento suficiente em um curto período de tempo, e pode suficientemente reter uma largura de corte na medida em que pode suprimir contato e readesão entre as camadas adesivas.

MEIOS PARA RESOLVER PROBLEMAS [0021] A fim de resolver os problemas descritos acima, a fita para processamento de semicondutores, de acordo com a invenção, compreende uma fita adesiva temporária tendo uma película de substrato e uma camada adesiva temporária formada em pelo menos um lado da superfície da película de substrato, e em relação à fita adesiva temporária, a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD por 1°C entre 40°C e 80°C, a qual foi medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD por 1°C entre 40°C e 80°C, a qual foi medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, é um valor negativo.

[0022] É preferível que a fita para processamento de semicondutores tenha uma camada adesiva e uma película de liberação laminada nesta ordem no lado da camada adesiva temporária.

[0023] Além disso, é preferível que a fita para processamento de semicondutores seja usada para corte de lâminas com corte total e meio corte, corte a laser de corte total ou corte invisível induzido por laser.

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EFEITO DA INVENÇÃO [0024] Quando a fita para processamento de semicondutores, de acordo com a invenção, é usada, a fita pode ser induzida a retrair por aquecimento suficiente em um curto período de tempo, e uma largura de corte suficiente pode ser retida na medida em que pode suprimir o contato e readesão entre as camadas adesivas.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS [0025] A Fig. 1 é uma vista em corte transversal que ilustra esquematicamente a estrutura de uma fita para processamento de semicondutores de acordo com uma modalidade da invenção;

[0026] A Fig. 2 é uma vista em corte transversal que ilustra o estado em que uma fita protetora de superfície é laminada para uma pastilha;

[0027] A Fig. 3 é uma vista em corte transversal para descrever um processo de laminar uma pastilha e uma estrutura em anel à fita para processamento de semicondutores, de acordo com uma modalidade da invenção;

[0028] A Fig. 4 é uma vista em corte transversal para descrever um processo de destacar uma fita protetora da superfície da superfície de uma pastilha;

[0029] A Fig. 5 é uma vista em corte transversal que ilustra um estado, no qual uma região modificada é formada num pastilha por processamento a laser;

[0030] A Fig. 6(a) é uma vista em corte transversal que ilustra um estado, no qual a fita para processamento de semicondutor, de acordo com uma modalidade da invenção, é montada num aparelho de expansão;

[0031] A Fig. 6(b) é uma vista em corte transversal

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que ilustra uma	operação	de	divisão de	uma pastilha	em
fragmentos por	expansão	da	fita para	processamento	de
semicondutores;	e a Fig.	6	(c) é uma	vista em corte
transversal que	ilustra	a	fita para	processamento	de
semicondutores,	uma camada	adesiva e fragmentos após	a

expansão;

[0032] A Fig. 7 é uma vista em corte transversal para descrever um processo de retração por calor;

[0033] A Fig. 8 é um diagrama explicativo que ilustra o local de medição da largura de corte para uma avaliação de Exemplos e Exemplos Comparativos; e [0034] A Fig. 9 é um exemplo dos resultados de medição para a taxa de deformação térmica.

MODO(S) PARA REALIZAR A INVENÇÃO [0035] As modalidades da invenção serão descritas em detalhe abaixo.

[0036] A Fig. 1 é uma vista em corte transversal ilustrando uma fita para processamento de semicondutores 10 de acordo com uma modalidade da invenção. Pretende-se que a fita para o processamento semicondutor 10 da invenção seja tal que, quando uma pastilha é dividida em fragmentos por expansão, uma camada adesiva 13 é dividida juntamente com os fragmentos. Esta fita para processamento de semicondutores 10 inclui uma fita adesiva temporária 15 composta por uma película de substrato 11 e uma camada adesiva temporária 12 proporcionada na película de substrato 11; e uma camada adesiva 13 proporcionada na camada adesiva temporária 12, e a superfície traseira de uma pastilha é laminada sobre a camada adesiva 13. As respectivas camadas podem ser cortadas antecipadamente numa forma predeterminada (pré-cortada) de

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11/79 acordo com o processo ou aparelho usado. Além disso, a fita para processamento de semicondutores 10 da invenção pode estar na forma, em que a fita foi cortada para cada folha de pastilha, ou pode estar na forma, em que uma folha longa formada por uma pluralidade de peças da fita que foi cortado para cada folha de pastilha, é enrolada em uma forma de rolo. Na descrição a seguir, as configurações das várias camadas serão descritas.

<Película de substrato>

[0037] Quando a película de substrato 11 tem expansibilidade uniforme e isotrópica, é preferível do ponto de vista que a pastilha possa ser cortada sem inclinar em qualquer direção durante o processo de expansão e o material para a película de substrato 11 não é, particularmente, limitado. Geralmente, as resinas reticuladas possuem alta força de restauração contra o arrasto em comparação com as resinas não reticuladas, e possuem alta tensão de contração quando o calor é aplicado às resinas em um estado esticado após o processo de expansão. Portanto, as resinas reticuladas são excelentes do ponto de vista de eliminar a folga produzida na fita após o processo de expansão, através de aquecimento e retração, e aplicar tensão à fita para, assim, manter de forma estável as distâncias (larguras de corte) entre os fragmentos individuais. Entre as resinas reticuladas, as resinas reticuladas termoplásticas são mais preferencialmente, usadas. Por outro lado, as resinas não reticuladas têm baixa força de restauração contra arrasto, comparadas às resinas reticuladas. Portanto, após o processo de expansão em uma região de baixa temperatura, como uma faixa de -15°C a 0°C, quando a fita é relaxada e retorna à

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12/79 temperatura normal, ela é direcionada para um processo de coleta e processo de montagem, a fita não retrai facilmente. Portanto, é excelente do ponto de vista que as camadas adesivas aderidas aos fragmentos possam ser impedidas de entrar em contato umas com as outras. Entre as resinas não reticuladas, as resinas não reticuladas à base de olefinas são mais, preferencialmente, usadas.

[0038] Um exemplo de tal resina reticulada termoplástica é uma resina ionomérica obtida por reticulação, por exemplo, um copolímero binário de ácido etileno (met)acrílico ou um copolímero ternário contendo ácido etileno (met)acrílico-alquil éster de ácido (met)acrílico como componentes constituintes do polímero principal, com um íon metálico. Tal resina de ionômero é apropriada para o processo de expansão em termos de expansibilidade uniforme, e é, particularmente, adequada do ponto de vista de que a força restauradora trabalha fortemente no momento do aquecimento devido à reticulação. O íon metálico que deve ser incluído na resina de ionômero não é, particularmente, limitado; no entanto, exemplos disso incluem zinco e sódio. O íon zinco é menos susceptível à eluição, e é preferível do ponto de vista da baixa contaminação. No alquil éster do ácido (met)acrílico do copolímero ternário, um grupo alquil tendo 1 a 4 átomos de carbono é preferível do ponto de vista de ter um elevado módulo elástico e ser capaz de propagar grande força à pastilha. Exemplos de tais alquil ésteres de ácido (met)acrílico incluem metacrilato de metil, metacrilato de etil, metacrilato de propil, metacrilato de butil, acrilato de metil, acrilato de etil, acrilato de propil e acrilato de

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13/79 butil.

[0039] Além disso, no que se refere à resina reticulada termoplástica, além das resinas ionoméricas, um produto obtido por reticular uma resina selecionada de um polietileno de baixa densidade tendo um peso específico de 0,910 ou superior e inferior a 0,930, um polietileno de densidade ultrabaixa tendo um peso específico inferior a 0,910 e outros copolímeros de etileno-acetato de vinil, por irradiação da resina com raios de energia, tal como um feixe de elétron, também é adequado. Uma vez que tal resina reticulada termoplástica possui locais reticulados e locais não reticulados coexistindo na resina, a resina reticulada termoplástica possui certa expansibilidade uniforme. Além disso, como a força restauradora trabalha fortemente no momento do aquecimento, uma resina reticulada termoplástica também é adequada para eliminar a folga da fita causada pelo processo de expansão. Além disso, como as resinas reticuladas termoplásticas dificilmente contêm cloro na composição da cadeia molecular, mesmo se as fitas que se tornaram desnecessárias após o uso forem incineradas, as resinas reticuladas termoplásticas não geram hidrocarbonetos aromáticos dorados, tal como a dioxina e seus análogos e, portanto, as resinas impõem menos ônus ao meio ambiente. Quando a quantidade de raios de energia a ser irradiado para o polietileno ou copolímero de acetato de etileno-vinil é apropriadamente regulada, uma resina tendo expansibilidade uniforme suficiente pode ser obtida.

[0040] Além disso, um exemplo da resina não reticulada pode ser uma composição de resina mista de, por exemplo, polipropileno e um copolímero de estirenoPetição 870190093778, de 19/09/2019, pág. 22/95

14/79 butadiene .

[0041] Em relação ao polipropileno, por exemplo, um homopolímero de propileno ou um copolímero de propilenoetileno do tipo em bloco ou do tipo aleatório, pode ser usado. Um copolímero de propileno-etileno do tipo aleatório tem baixa rigidez e é preferível. Quando o teor percentual de uma unidade constituinte de etileno no copolímero de propileno-etileno é de 0,1% em peso ou mais, o copolímero de propileno-etileno é excelente do ponto de vista da rigidez de uma fita resultante e do ponto de vista de que a compatibilidade entre a resinas na composição de resina mista é alta. Quando se diz que uma fita tem rigidez adequada, a capacidade de corte da pastilha é aumentada e, num caso em que as resinas têm alta compatibilidade, a quantidade da composição de resina mista extrusada é, facilmente, estabilizada. O teor percentual é mais preferencialmente 1% em peso ou mais. Além disso, quando o teor percentual de uma unidade constituinte de etileno no copolímero de propilenoetileno é de 7% em peso ou menos, é excelente do ponto de vista de que o polipropileno é estabilizado e é facilmente polimerizado. O teor percentual é mais preferencialmente 5% em peso ou menos.

[0042] Em relação ao copolímero de estirenobutadieno, um copolímero de estireno-butadieno hidrogenado pode ser usado. Quando um copolímero de estireno-butadieno é hidrogenado, o copolímero de estireno-butadieno tem compatibilidade satisfatória com propileno, e a fragilização e descoloração, causada pela deterioração oxidativa atribuída às duplas ligações em butadieno, pode ser evitada. Além disso, quando o teor percentual de uma unidade

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15/79 constituinte de estireno no copolímero de estireno-butadieno é de 5% em peso ou mais, é preferível do ponto de vista que o copolímero de estireno-butadieno é estabilizado e é facilmente polimerizado. Além disso, quando o teor percentual é de 40% em peso ou menos, o copolímero de estireno-butadieno é flexível e é excelente tendo em vista

a expansibilidade.	0	teor	percentual	é,	mais
preferencialmente, 25%	em	peso	ou menos, e	ainda	mais
preferencialmente, 15%	em	peso	ou menos. Em	relação ao
copolímero de estireno-	-butadieno,	um copolímero	do tipo em

bloco e um copolímero de tipo aleatório podem ser usados. Um copolímero do tipo aleatório é preferível porque a fase de estireno é uniformemente dispersa, o aumento excessivo na rigidez pode ser suprimido e a expansibilidade é aumentada.

[0043] Quando a percentagem de teor de polipropileno na composição de resina mista é de 30% em peso ou mais, é excelente do ponto de vista que a irregularidade da espessura da película de substrato pode ser suprimida. Quando a espessura é uniforme, a expansibilidade, provavelmente, se tornará isotrópica. Além disso, as propriedades de relaxamento de tensão da película de substrato tornam-se excessivamente fortes, e pode ser facilmente evitado que a distância entre os fragmentos se torne menor ao longo do tempo, e que as camadas adesivas entrem em contato umas com as outras e sejam fundidas novamente. O teor percentual é, mais preferencialmente, 50% em peso ou mais. Além disso, quando a percentagem de teor de polipropileno é de 90% em peso ou menos, a rigidez da película de substrato pode ser facilmente ajustada, conforme apropriado. Se a rigidez da película de substrato ficar muito alta, a força necessária

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16/79 para expandir a película de substrato aumentará. Consequentemente, a carga do aparelho é aumentada, e há ocasiões em que uma expansão suficiente para a divisão da pastilha ou da camada adesiva 13 pode não ser alcançada. Portanto, é importante ajustar adequadamente a rigidez. 0 limite inferior do teor percentual do copolímero de estirenobutadieno na composição de resina mista é, de preferência, 10% em peso ou mais, e é fácil ajustar a rigidez da película de substrato a um nível apropriado para o aparelho. Quando o limite superior é de 70% em peso ou menos, é excelente do ponto de vista que a irregularidade da espessura pode ser suprimida, e o limite superior é, mais preferencialmente, 50% em peso ou menos.

[0044] Entretanto, no exemplo ilustrado na Fig. 1, a película de substrato 11 é uma camada única; no entanto, a invenção não está limitada a isto, e a película de substrato pode ter uma estrutura multicamada obtida por laminação de dois ou mais tipos de resinas, ou duas ou mais camadas de um único tipo de resina podem ser laminadas. No que diz respeito aos dois ou mais tipos de resinas, é preferível que as resinas sejam coerentemente reticuláveis ou não reticuláveis, do ponto de vista de que as características das respectivas resinas são exibidas de uma maneira melhorada. Quando as resinas são laminadas em combinação de resinas reticuláveis e resinas não reticuláveis, é preferível do ponto de vista que os defeitos das respectivas resinas são constituídos um para o outro. A espessura da película de substrato 11 não é particularmente definida; no entanto, é desejável que a película de substrato tenha uma resistência que é apenas suficiente para ser

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17/79 facilmente esticada e permanecer sem ruptura durante o processo de expansão da fita para processamento de semicondutores 10. Por exemplo, é desejável que a espessura seja de cerca de 50pm a 300pm, e a espessura é, mais preferencialmente, de 70pm a 200pm.

[0045] Em relação ao método para a produção de uma película multicamada de substrato 11, um método de extrusão, um método de laminação e similares, os quais são convencionalmente conhecidos, podem ser usados. No caso de usar um método de laminação, um adesivo pode ser interposto entre as camadas. Em relação ao adesivo, qualquer adesivo convencionalmente conhecido pode ser usado.

[0046] A camada adesiva temporária 12 pode ser formada aplicando uma composição adesiva temporária sobre a película de substrato 11. É desejável que a camada adesiva temporária 12, que constitui a fita para processamento de semicondutores 10 da invenção, não cause desprendimento da camada adesiva 13 no momento de corte e que tenha propriedades de retenção na medida em que os defeitos, tais como a passagem de fragmentos, não ocorram, ou tem características em que o desprendimento da camada adesiva 13 se torna fácil no momento da coleta.

[0047] Em relação à fita para processamento de semicondutores 10 da invenção, a configuração da composição adesiva temporária que constitui a camada adesiva temporária 12 não é, particularmente, limitada. No entanto, a fim de melhorar o desempenho de coleta após o corte, é preferível uma composição adesiva temporária curável por raios de energia, e é preferível um material que possa ser facilmente

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18/79 destacado da camada adesiva 13 após a cura. De acordo com uma modalidade, uma composição adesiva temporária incluindo 60% em mol ou mais de um (met) acrilato tendo uma cadeia alquil tendo 6 a 12 átomos de carbono como uma resina básica, e incluindo também um polímero (A) tendo uma ligação dupla de carbono-carbono curável por raios de energia tendo um valor de iodo de 5 a 30, pode ser mencionada como um exemplo. Aqui, os raios de energia significam raios de luz, como a radiação ultravioleta, ou radiação ionizante, como um feixe de elétrons.

[0048] Em relação a tal polímero (A), quando a quantidade de introdução das ligações duplas carbono-carbono curáveis por raios de energia é 5 ou mais como um valor de iodo, é excelente do ponto de vista que o efeito de reduzir a força adesiva temporária após a irradiação com raios de energia é aumentada. O valor de iodo é, mais preferencialmente, 10 ou mais. Além disso, quando a quantidade de introdução como um valor de iodo é de 30 ou menos, é excelente do ponto de vista que a energia de retenção de fragmentos superior é exibida até a coleta dos fragmentos após a irradiação com raios de energia, e é fácil ampliar as lacunas entre os fragmentos no momento da expansão imediatamente antes do processo de coleta. Quando as lacunas entre os fragmentos podem ser suficientemente ampliadas antes do processo de coleta, é preferível porque o reconhecimento de imagem de cada fragmento no momento da coleta é facilitado, ou é mais fácil coletar os fragmentos. Além disso, quando a quantidade de introdução das ligações duplas carbono-carbono é de 5 a 30 como um valor de iodo, é preferível porque o polímero (A) é estável e a sua produção

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19/79 é facilitada.

[004 9] Além disso, quando o polímero (A) tem uma temperatura de transição vítrea de -70°C ou superior, é excelente do ponto de vista da resistência ao calor contra o calor associado à irradiação com raios de energia, e a temperatura de transição vítrea é, mais preferencialmente, -66°C ou superior. Além disso, quando a temperatura de transição vítrea é de 15°C ou inferior, é excelente do ponto de vista do efeito de impedir a passagem de fragmentos após o corte em uma pastilha com um estado de superfície rugosa. A temperatura de transição vítrea é, mais preferencialmente, 0°C ou inferior, e, ainda mais preferencialmente, -28°C ou inferior.

[0050] O polímero (A) pode ser um polímero produzido por qualquer método; no entanto, por exemplo, um polímero obtido por mistura de um copolímero acrílico e um composto tendo uma ligação dupla de carbono-carbono curável por raios de energia, ou um polímero obtido por reação de um copolímero acrílico tendo um grupo funcional ou um copolímero metacrílico (Al) tendo um grupo funcional, com um composto (A2) tendo um grupo funcional que pode reagir com o grupo funcional acima mencionado e tendo uma ligação dupla de carbono-carbono curável por raios de energia, é usado.

[0051] Entre estes, um exemplo do copolímero metacrílico (Al) tendo um grupo funcional é um polímero obtido por copolimerização de um monômero (Al-1) tendo uma ligação dupla de carbono-carbono, como um alquil éster de ácido acrílico ou um alquil éster de ácido metacrílico e um monômero (Al-2) tendo uma ligação dupla de carbono-carbono e tendo um grupo funcional. Exemplos do monômero (Al-1)

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20/79 incluem acrilato de hexil, acrilato de n-octil, acrilato de iso-octil, acrilato de 2-etilhexil, acrilato de dodecil, acrilato de decil e acrilato de lauril, todos tendo uma cadeia alquil tendo 6 a 12 átomos de carbono; acrilato de pentil, acrilato de n-butil, acrilato de isobutil, acrilato de etil e acrilato de metil, todos os quais são monômeros tendo uma cadeia alquil tendo 5 ou menos átomos de carbono; e metacrilatos semelhantes a estes.

[0052] Enquanto isso, em relação ao monômero (Al-1), um componente tendo uma cadeia alquil tendo 6 ou mais átomos de carbono é excelente em vista das propriedades de coleta, uma vez que a força de descasque entre a camada adesiva temporária e a camada adesiva pode ser feita pequena. Além disso, um componente tendo uma cadeia alquil tendo 12 ou menos átomos de carbono tem um baixo módulo elástico à temperatura ambiente e é excelente tendo em vista a força adesiva da interface entre a camada adesiva temporária e a camada adesiva. Quando a força adesiva da interface entre a camada adesiva temporária e a camada adesiva é alta, é preferível no momento de expandir a fita e cortar uma pastilha, porque o deslizamento interfacial entre a camada adesiva temporária e a camada adesiva pode ser suprimido, e a capacidade de corte é aprimorada.

[0053] Além disso, como um monômero tendo uma cadeia alquil com um número maior de átomos de carbono é usado como o monômero (Al-1), a temperatura de transição vítrea é reduzida. Portanto, uma composição adesiva temporária tendo uma temperatura de transição vítrea desejada pode ser produzida selecionando apropriadamente o monômero (Al-1). Além disso, com o propósito de melhorar vários desempenhos,

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21/79 tais como compatibilidade em adição à temperatura de transição vítrea, um composto de baixo peso molecular possuindo uma ligação dupla de carbono-carbono, tal como acetato de vinil, estireno ou acrilonitrila, pode também ser incorporado. Nesse caso, tal composto de baixo peso molecular

é incorporado	numa	quantidade	na faixa de	5% em	massa ou
menos em relação à [0054] Por	massa total outro lado,	do monômero exemplos do	(Al-1). grupo	funcional
transportado	pelo	monômero	(Al-2) incluem	um grupo
carboxila, um	grupo hidroxila	, um grupo	amino,	um grupo
anidrido de	ácido	cíclico, um grupo epóxi e	um grupo

isocianato. Exemplos específicos do monômero (Al-2) incluem ácido acrílico, ácido metacrílico, ácido cinâmico, ácido itacônico, ácido fumárico, ácido ftálico, acrilatos de 2hidroxialquil, metacrilatos de 2-hidroxialquil, monoacrilatos de glicol, monometacrilatos de glicol, acrilamida de N-metilol, metacrilamida de N-metilol, álcool alílico, acrilatos de N-alquilaminoetil, metacrilatos de Nalquilaminoetil, acrilamidas, metacrilamidas, anidrido maleico, anidrido itacônico, anidrido fumárico, anidrido ftálico, acrilato de glicidil, metacrilato de glicidil e alil glicidil éter.

[0055] Além disso, em relação ao grupo funcional utilizado para o composto (A2), num caso em que o grupo funcional transportado pelo composto (Al) é um grupo carboxila ou um grupo anidrido de ácido cíclico, o grupo funcional do composto (A2) pode ser um grupo hidroxila, um grupo epóxi, um grupo isocianato ou semelhantes; no caso de um grupo hidroxila, o grupo funcional pode ser um grupo anidrido de ácido cíclico, um grupo de isocianato ou

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22/79 semelhantes; no caso de um grupo amino, o grupo funcional pode ser um grupo epóxi, um grupo isocianato ou semelhante; e no caso de um grupo epóxi, o grupo funcional pode ser um grupo carboxila, um grupo anidrido de ácido cíclico, um grupo amino ou semelhantes. Exemplos específicos destes incluem os mesmos grupos que os mencionados como exemplos específicos para o monômero (Al-2). Além disso, como o composto (A2), um composto, no qual uma porção dos grupos isocianato de um composto poli-isocianato foi uretanizado utilizando grupos hidroxila ou grupos carboxila e um monômero possuindo uma ligação dupla carbono-carbono curável por raios de energia, também pode ser usado.

[0056] Entretanto, no que diz respeito à reação entre o composto (Al) e o composto (A2), um produto tendo características desejadas em relação às características, tais como o valor ácido ou o valor do grupo hidroxila, pode ser produzido deixando grupos funcionais não reagidos. Quando os grupos OH são deixados sem reagir, de tal modo que o valor do grupo hidroxila do polímero (A) é ajustado para 5 a 100, a força adesiva temporária após irradiação com raios de energia é reduzida e, desse modo, o risco de falha de coleta pode ser ainda mais reduzido. Além disso, quando os grupos COOH são deixados sem reagir, de tal modo que o valor ácido do polímero (A) é ajustado para 0,5 a 30, um efeito de melhorar o estado após a restauração da camada adesiva temporária após a fita para processamento de semicondutores da invenção foi expandido, é obtido, o que é preferível. Quando o valor do grupo hidroxila do polímero (A) é 5 ou maior, é excelente do ponto de vista do efeito de reduzir a força adesiva temporária após irradiação com raios de

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23/79 energia, e quando o valor do grupo hidroxila é 100 ou menos, é excelente do ponto de vista da fluidez do adesivo temporário após a irradiação com raios de energia. Além disso, quando o valor ácido é 0,5 ou maior, é excelente do ponto de vista das propriedades de restauração da fita, e quando o valor ácido é de 30 ou menos, é excelente do ponto de vista da fluidez do adesivo temporário.

[0057] Em relação à sintese do polímero (A), descrito acima, como o solvente orgânico no caso de realizar a reação por polimerização em solução, um solvente à base de cetona, um solvente à base de éster, um solvente à base de álcool, ou um solvente aromático pode ser usado. Entretanto, entre estes, um solvente que, geralmente, é um bom solvente para polímeros acrílicos e tem um ponto de ebulição de 60°C a 120°C, como tolueno, acetato de etil, álcool isopropílico, benzeno metil cellosolve, etil cellosolve, acetona, ou metil etil cetona, é preferido. Em relação ao iniciador de polimerização, é usualmente usado um gerador de radicais baseados em azobis, como α,α'-azobisisobutironitrila, ou um gerador de radicais à base de peróxido orgânico, como o peróxido de benzoil. Neste momento, se necessário, um catalisador e um inibidor de polimerização podem ser usados em combinação, e regulando a temperatura de polimerização e o tempo de polimerização, um polímero (A) tendo um peso molecular desejado pode ser obtido. Além disso, em conexão com a regulação do peso molecular, é preferível utilizar mercaptano ou um solvente à base de tetracloreto de carbono. Entretanto, esta reação não se destina a estar limitada a polimerização em solução, e outros métodos, tais como a polimerização em massa e a polimerização em suspensão também

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24/79 podem ser utilizadas.

[0058] O polímero (A) pode ser obtido desta maneira como descrito acima; no entanto, de acordo com a invenção, quando o peso molecular do polímero (A) é ajustado para 300.000 ou mais, é excelente do ponto de vista do aumento da força de coesão. A alta força coesiva leva a um efeito de supressão do deslizamento na interface entre a camada adesiva temporária e a camada adesiva no momento da expansão, e uma vez que a propagação da força elástica à camada adesiva é facilmente alcançada, é preferível do ponto de vista de que a divisibilidade da camada adesiva é aumentada. Quando o peso molecular do polímero (A) é ajustado para 2.000.000 ou menos, é excelente do ponto de vista da supressão da gelificação no momento da síntese e no momento do revestimento. Entretanto, o peso molecular de acordo com a invenção significa o peso molecular médio da massa calculado em relação aos padrões de poliestireno.

[0059] Além disso, no que diz respeito à fita para processamento de semicondutores 10 da invenção, a composição de resina que constitui a camada adesiva temporária 12 pode ainda incluir um composto (B) que atua como um agente de reticulação, além do polímero (A) . Exemplos destes incluem um poli-isocianato, uma resina de melamina-formaldeído e uma resina epóxi, e estes podem ser utilizados isoladamente ou em combinação de dois ou mais tipos destes. Este composto (B) reage com o polímero (A) ou a película de substrato, e o composto (B) pode aumentar, através da estrutura reticulada resultante, a força de coesão do adesivo temporário contendo os polímeros (A) e (B) como componentes principais, após a aplicação da composição adesiva temporária.

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25/79 [0060] Não há limitações particulares no poliisocianato, e os seus exemplos incluem isocianatos aromáticos, tais como di-isocianato de 4,4'-difenilmetano, di-isocianato de tolileno, di-isocianato de xilileno, di isocianato de 4,4'-difenil éter, e di-isocianato de 4,4'[2,2-bis(4-fenoxifenil)propano]; di-isocianato de hexametileno, di-isocianato de 2,2,4-trimetilhexametileno, di-isocianato de isoforona, di-isocianato de 4,4'diciclohexilmetano, di-isocianato de 2,4' diciclohexilmetano, di-isocianato de lisina e tri-isocianato de lisina. Especificamente, CORONATE L (fabricado pela Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., nome comercial) e semelhantes podem ser usados. Em relação à resina de melamina-formaldeído, especificamente, NIKALAC MX-45 (fabricado pela Sanwa Chemical Co., Ltd., nome comercial), MELAN (fabricado pela Hitachi Chemical Co., Ltd., nome comercial) e semelhantes podem ser utilizados. Em relação à resina epóxi, TETRAD-X (fabricada pela Mitsubishi Chemical Corp., nome comercial) e similares podem ser utilizados. De acordo com a invenção, é particularmente preferível utilizar um poli-isocianato.

[0061] Uma camada adesiva temporária, em que a quantidade de adição do composto (B) foi ajustada para 0,1 partes em massa ou mais em relação a 100 partes em massa do polímero (A), é excelente em vista da força coesiva. A quantidade de adição do composto (B) é, mais preferencialmente, de 0,5 partes em massa ou mais. Além disso, uma camada adesiva temporária, em que a quantidade de adição do composto (B) foi ajustada para 10 partes em massa ou menos, é excelente tendo em vista supressão da rápida

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26/79 gelificação no momento da aplicação e, assim, a funcionalidade satisfatória para a incorporação, aplicação ou semelhante do adesivo temporário é obtido. A quantidade de adição é, mais preferencialmente, 5 partes em massa ou menos.

[0062] Além disso, de acordo com a invenção, a camada adesiva temporária 12 pode também incluir um iniciador de fotopolimerização (C). O iniciador de fotopolimerização (C) incluído na camada adesiva temporária 12 não está particularmente limitado, e qualquer iniciador de fotopolimerização convencionalmente conhecido pode ser usado. Exemplos destes incluem benzofenonas, tais como benzofenona, 4,4'-dimetilaminobenzofenona, 4,4'dietilaminobenzofenona e 4,4'-diclorobenzofenona; acetofenonas, tais como acetofenona e dietoxiacetofenona; antraquinonas, tais como 2-etilantraquinona e tbutilantraquinona; 2-clorotioxantona, etil éter benzoína, isopropil éter benzoína, benzil, um dímero de 2,4,5-triarilimidazol (dímero de lofina) e um composto à base de acridina, e estes podem ser usados sozinhos ou em combinação de dois ou mais tipos disso. Em relação à quantidade de adição do iniciador de fotopolimerização (C), é preferível incorporar o iniciador de polimerização (C) numa quantidade de 0,1 partes em massa ou mais, e mais preferencialmente, 0,5 partes em massa ou mais, relativamente a 100 partes em massa do polímero (A). Além disso, o limite superior da quantidade de adição é, de preferência, 10 partes em massa ou menos e, mais preferencialmente, 5 partes em massa ou menos.

[0063] Além disso, no adesivo temporário curável por raio de energia, usado para a invenção, um promotor de

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27/79 aderência, um modificador de adesividade temporária, um tensoativo e similares, ou outros modificadores podem ser incorporados, quando necessário. Além disso, uma carga de composto inorgânico pode também ser adicionada como apropriada.

[0064] A camada adesiva temporária 12 pode ser formada utilizando um método convencional para formar uma camada adesiva temporária. A camada adesiva temporária 12 pode ser formada numa película de substrato 11, por exemplo, por um método de formação de uma camada adesiva temporária por aplicação da composição adesiva temporária, descrita acima, numa superfície predeterminada da película de substrato 11, ou um método de aplicação da composição adesiva temporária num separador (por exemplo, uma película ou folha plástica tendo um agente de liberação aplicado) para formar a camada 12 adesiva temporária e depois transferindo a camada 12 adesiva temporária para uma superfície predeterminada do substrato. Entretanto, a camada adesiva temporária 12 pode estar na forma de uma única camada, ou pode ter uma forma laminada.

[0065] A espessura da camada adesiva temporária 12 não é, particularmente, limitada; no entanto, quando a espessura é de 2 pm ou mais, é excelente do ponto de vista da força de aderência, e a espessura é, mais preferencialmente, de 5 pm ou mais. Quando a espessura é de 15 pm ou menos, obtém-se um excelente desempenho de coleta e a espessura é, mais preferencialmente, de 10 pm ou menos.

[0066] A fita adesiva temporária 15 é tal que a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD (Direção

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28/79 da Máquina) por 1°C entre 40°C e 80°C, a qual foi medida no momento do aumento da temperatura por meio de uma máquina de teste de caracteristicas termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD (Sentido Transversal) por 1°C entre 40°C e 80°C, a qual foi medida no momento do aumento da temperatura por meio de uma máquina de teste de caracteristicas termomecânicas, é um valor negativo, isto é, menor que zero. A direção MD é uma direção de fluxo no momento da formação da película, e a direção TD é uma direção perpendicular à direção MD.

[0067] Ajustando a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD da fita adesiva temporária 15 por 1°C entre 40°C e 80°C, a qual foi medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD por 1°C entre 40°C e 80°C, a qual foi medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, para um valor negativo, a fita para o processamento de semicondutores 10 pode ser induzida a retrair por aquecimento a uma temperatura baixa por um curto período de tempo. Portanto, mesmo em um caso em que um processo de retração por calor de uma porção de folga da fita para processamento de semicondutores 10, induzindo o uso de um par de bocais de ar quente orbitar ao redor da porção de folga, a folga produzida pela expansão em um curto período de tempo pode ser eliminada sem retrair por calor várias vezes, enquanto reduz a

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29/79 quantidade de expansão, e uma largura de corte apropriada pode ser retida.

[0068] A taxa de deformação térmica pode ser calculada pela seguinte fórmula (1) medindo a quantidade de deformação induzida pela temperatura de acordo com JIS K7197:2012.

Taxa de deformação térmica TMA (%) = (Quantidade de deformação no comprimento da amostra/comprimento da amostra antes da medição) X 100 (1) [0069] Entretanto, em relação à quantidade de deformação, a direção de expansão da amostra é indicada como uma direção positiva, e a direção da contração é indicada como uma direção negativa.

[0070] O valor integral da taxa de deformação térmica corresponde a área ao redor da curva na direção MD ou pela curva na direção TD e o eixo X, como mostrado na Fig. 9, e a soma de o valor integral na direção MD e o valor integral na direção TD torna-se a soma da área incluindo os sinais. Portanto, é dito que a soma tem um valor negativo, está implícito que a fita adesiva temporária, geralmente, exibe um comportamento de retração entre 40°C e 80°C.

[0071] Para ajustar a soma do valor integral na direção MD e o valor integral na direção TD para um valor negativo, um processo de esticar a película de resina após a formação da película pode ser adicionado e, assim, a espessura da fita adesiva temporária 15 ou a quantidade de esticamento na direção MD ou TD podem ser ajustadas dependendo do tipo da resina que constitui a fita adesiva temporária 15. Exemplos do método de esticar a fita adesiva temporária na direção TD inclui um método de usar um tensor,

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30/79 um método envolvendo moldagem por sopro (enchimento) , e um método de usar um rolo de expansão. Exemplos do método de esticar a fita adesiva temporária na direção MD incluem um método de puxar no momento da extrusão de um molde e um método de puxar dentro dos rolos de transporte. Em relação ao método de obtenção da fita adesiva temporária 15 da invenção, qualquer método pode ser usado.

[0072] No que diz respeito à fita para processamento de semicondutores 10 da invenção, a camada adesiva 13 destina-se a ser tal que depois de uma pastilha ser ligada à fita para processamento de semicondutores 10 e cortada, quando os fragmentos são coletados, a camada adesiva 13 é separada da camada adesiva temporária 12 e adere aos fragmentos. Em seguida, a camada adesiva é usada como um adesivo para fixar os fragmentos em um substrato ou uma estrutura de chumbo.

[0073] A camada adesiva 13 não é, particularmente, limitada; no entanto, a camada adesiva 13 pode ser qualquer adesivo do tipo película que é, geralmente, utilizada em pastilhas, e um exemplo disso, é uma camada adesiva contendo uma resina termoplástica e um componente termicamente polimerizável. A resina termoplástica utilizada para a camada adesiva 13 da invenção é, de preferência, uma resina tendo termoplasticidade, ou uma resina que tem termoplasticidade num estado não curado e forma uma estrutura reticulada após ser aquecida. Não existem limitações particulares, mas de acordo com uma modalidade, uma resina termoplástica tendo um peso molecular médio ponderado de 5.000 a 200.000 e uma temperatura de transição vítrea de 0°C

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31/79 a 150°C pode ser usada. Além disso, de acordo com outra modalidade, pode ser utilizada uma resina termoplástica tendo um peso molecular médio ponderado de 100.000 a 1.000.000 e uma temperatura de transição vitrea de -50°C a 20°C.

[0074] Exemplos da resina termoplástica formadora incluem uma resina poli-imida, uma resina poliamida, uma resina polieterimida, uma resina poliamidaimida, uma resina de poliéster, uma resina poliesterimida, uma resina fenóxi, uma resina polissulfona, uma resina poliéter sulfona, um resina de sulfeto de polifenileno, e uma resina de poliéter cetona. Entre eles, é preferível usar uma resina de poliimida ou uma resina de fenóxi. Em relação à resina termoplástica formadora, é preferível usar um polímero contendo um grupo funcional.

[0075] Uma resina de poli-imida pode ser obtida submetendo um dianidrido de ácido tetracarboxílico e uma diamina a uma reação de condensação por um método conhecido. Ou seja, uma reação de adição é realizada em um solvente orgânico usando um dianidrido de ácido tetracarboxílico e uma diamina em quantidades equimolares ou em quantidades quase equimolares (a ordem de adição dos vários componentes é arbitrária) a uma temperatura de reação de 80°C ou inferior e, de preferência, de 0°C a 60°C. À medida que a reação progride, a viscosidade do líquido da reação aumenta lentamente e é produzido um ácido de poliamida, que é um precursor da poli-imida. Este ácido poliamídico pode ter o seu peso molecular regulado submetendo o ácido de poliamida à despolimerização por aquecimento do composto a uma temperatura de 50°C a 80°C. A resina de poli-imida pode ser

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32/79 obtida submetendo o produto da reação (ácido de poliamida) a ciclização por desidratação. A ciclização por desidratação pode ser realizada por um método de ciclização térmica para realizar um tratamento térmico, e um método de ciclização química usando um agente desidratante.

[0076] O dianidrido do ácido tetracarboxílico utilizado como matéria-prima de uma resina de poli-imida, não é particularmente limitado e, por exemplo, 1,2(etileno)bis(anidrido trimelítico) , 1,3(trimetileno)bis(anidrido trimelítico), 1,4(tetrametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,5(pentametileno)bis(anidrido trimelítico), 1, 6(hexametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,7(heptametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,8(octametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,9(nonametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,10(decametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,12(dodecametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,16(hexadecametileno)bis(anidrido trimelítico), 1,18-

(octadecametileno)bis(anidrido trimelítico),	dianidrido
piromelítico, dianidr	ido do	ácido	3,3',4,4'-
bifeniltetracarboxílico,	dianidrido	do ácido	• 2,2',3,3'-
bifeniltetracarboxílico,	dianidrido	de	2,2-bis(3,4-
dicarboxifenil)propano,	dianidrido	de	2,2-bis(2,3-
dicarboxifenil)propano,	dianidrido	de	1,1-bis(2,3-
dicarboxifenil)etano,	dianidrido	de	1,1-bis(3,4-
dicarboxifenil)etano,	dianidrido	de	bis (2,3-
dicarboxifenil)metano,	dianidrido	de	bis (3,4-
dicarboxifenil)metano,	dianidrido	de	bis (3,4-

dicarboxifenil)sulfona, dianidrido do ácido 3,4,9,10Petição 870190093778, de 19/09/2019, pág. 41/95

33/79 perilenotetracarboxilico, dianidrido de bis(3,4dicarboxifenil) éter, dianidrido do ácido benzeno-1,2,3,4tetracarboxilico, dianidrido do ácido 3,4,3',4'benzofenonatetracarboxilico, dianidrido do ácido 2, 3, 2',3'benzofenonatetracarboxilico, dianidrido do ácido 3,3,3', 4'benzofenonatetracarboxilico, dianidrido do ácido 1,2,5,6naftalenotetracarboxilico, dianidrido do ácido 1,4,5,8naftalenotetracarboxilico, dianidrido do ácido 2,3,6,7naftalenotetracarboxilico, dianidrido do ácido 1,2,4,5naftalenotetracarboxilico, dianidrido do ácido 2,6dicloronaftaleno-1,4,5,8-tetracarboxilico, dianidrido do ácido 2,7-dicloronaftaleno-1,4,5,8-tetracarboxilico, dianidrido do ácido 2,3,6,7-tetracloronaftaleno-l,4,5,8tetracarboxilico, dianidrido do ácido fenantreno-1,8,9,10tetracarboxilico, dianidrido do ácido pirazina-2,3,5,6tetracarboxilico, dianidrido do ácido tiofeno-2,3,5,6tetracarboxilico, dianidrido do ácido 2,3,3',4'bifeniltetracarboxilico, dianidrido do ácido 3,4,3',4'bifeniltetracarboxilico, dianidrido do ácido 2,3,2',3'bifeniltetracarboxilico, dianidrido de bis(3,4dicarboxifenil) dimetilsilano, dianidrido de bis(3,4dicarboxifenil) metilfenilsilano, dianidrido de bis(3,4dicarboxifenil)difenilsilano, dianidrido de l,4-bis(3,4dicarboxifenildimetilsilil)benzeno, dianidrido de 1,3bis(3,4-dicarboxifenil)-1,1,3,3-tetrametildiciclohexano, pfenilenobis(anidrido trimelitico) , dianidrido do ácido etilenotetracarboxilico, dianidrido do ácido 1,2,3,4butanotetracarboxilico, dianidrido do ácido decahidronaftaleno-1,4,5,8-tetracarboxilico, dianidrido do ácido 4,8-dimetil-l,2,3,5,6,7-hexahidronaftaleno-l, 2,5,6Petição 870190093778, de 19/09/2019, pág. 42/95

34/79 tetracarboxilico, dianidrido do ácido ciclopentano-1,2,3,4tetracarboxilico, dianidrido do ácido pirrolidina-2,3,4,5tetracarboxilico, dianidrido do ácido 1,2,3,4ciclobutanotetracarboxilico, dianidrido de ácido bis(exobiciclo[2,2,1]heptano-2,3-dicarboxilico, dianidrido do ácido biciclo[2,2,2]-oct-7-eno-2,3,5,6-tetracarboxilico, dianidrido de 2,2-bis(3,4-dicarboxifenil)hexafluoropropano, dianidrido de 2,2-bis[4-(3,4dicarboxifenil)fenil]hexafluoropropano, dianidrido de sulfeto de 4,4'-bis(3,4-dicarboxifenoxi)difenil, 1,4-bis (2hidroxihexafluoroisopropil)benzenobis(anidrido trimelitico), l,3-bis(2hidroxihexafluoroisopropil)benzenobis(anidrido trimelitico), dianidrido do ácido 5-(2,5dioxotetrahidrofuril)-3-metil-3-ciclohexeno-l, 2dicarboxilico, dianidrido do ácido tetrahidrofurano-2,3, 4,5tetracarboxilico e semelhantes podem ser utilizados. Estes compostos podem ser utilizados isoladamente ou em combinação de dois ou mais tipos dos mesmos.

[0077] A diamina utilizada como matéria-prima de uma poli-imida não é, particularmente, limitada e, por exemplo, diaminas aromáticas como o-fenilenodiamina, mfenilenodiamina, p-fenilenodiamina, 3,3'-diaminodifenil éter, éter 3,4'-diaminodifenil, éter 4,4'-diaminodifenil, 3,3'-diaminodifenilmetano, 3,4'-diaminodifenilmetano, éter 4,4'-diaminodifenilmetano, bis(4-amino-3,5dimetilfenil)metano, bis(4-amino-3,5-diisopropilfenil)metano, 3,3'-diaminodifenildifluorometano, 3,4'-diaminodifenildifluorometano, 4,4'diaminodifenildifluormetano, 3,3'-diaminodifenilsulfona,

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3,4'-diaminodifenilsulfona, 4,4'-diaminodifenilsulfona, sulfeto de 3,3'-diaminodifenil, sulfeto de 3,4'diaminodifenil, sulfeto de 4,4'-diaminodifenil, 3,3'diaminodifenil cetona, 3,4'-diaminodifenil cetona, 4,4'diaminodifenil cetona, 2,2-bis(3-aminofenil)propano, 2,2'(3,4'-diaminodifenil)propano, 2,2-bis(4-aminofenil)propano, 2,2-bis(3-aminofenil)hexafluoropropano, 2,2—(3,4'— diaminodifenil)hexafluoropano, 2,2-bis(4-aminofenil) hexafluoropano, 1,3-bis(3-aminofenoxi)benzeno, l,4-bis(3aminofenoxi)benzeno, 1,4-bis(4-aminofenoxi)benzeno, 3,3'(1,4-fenilenobis(1-metiletilideno))bisanilina, 3,4' — (1,4 — fenilenobis(1-metiletilideno)bisanilina, 4,4'- (1,4fenilenobis(1-metiletilideno)bisanilina, 2,2-bis(4-(3aminofenoxi)fenil)propano, 2,2-bis(4-(4aminofenoxi)fenil)propano, 2,2-bis(4-(3aminofenoxi)fenil)hexafluoropropano, 2,2-bis(4-(4aminofenoxi)fenil)hexafluoropropano, sulfeto de bis (4-(3aminofenoxi)fenil), sulfeto bis(4-(4-aminofenoxi)fenil), bis(4-(3-aminofenoxi)fenil)sulfona, bis(4-(4-aminofenoxi) fenil)sulfona e ácido 3,5-diaminobenzóico; e diaminas alifáticas, como 1,2-diaminoetano, 1,3-diaminopropano, 1,4diaminobutano, 1,5-diaminopentano, 1,6-diaminohexano, 1,7diaminoheptano, 1,8-diamino-octano, 1,9-diaminononano, 1,1O-diaminodecano, 1,11-diaminoundecano, 1,12diaminododecano, 1,2-diaminociclohexano, um diaminopolissiloxano representado pela seguinte Fórmula Geral (1), 1,3-bis(aminometil)ciclohexano, e polioxialquilenodiaminas, tais como JEFFAMINE D-230, D-400, D-2000, D-4000, ED-600, ED-900, ED-2001 e EDR-148 fabricadas por Sun Techno Chemical Co., Ltd.; e similares podem ser

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36/79 usadas. Estes compostos podem ser utilizados isoladamente ou em combinação de dois ou mais tipos dos mesmos. A temperatura de transição vítrea da resina de poli-imida é, preferencialmente, de 0°C a 200°C, e o peso molecular médio ponderado é, preferencialmente, de 10.000 a 200.000.

[Fórmula Química 1]

H-gN — —-NH2 ^4 yni ^4 em que Ri e R2 representam, cada um, um grupo hidrocarboneto divalente tendo 1 a 30 átomos de carbono, enquanto que Ri's e R2' s podem ser, respectivamente, idênticos ou diferentes; Rs e R4 representam, cada um, um grupo hidrocarboneto monovalente, enquanto que Rs's e R^s podem ser, respectivamente, idênticos ou diferentes; e m representa um número inteiro de 1 ou maior.

[0078] No que diz respeito à resina fenóxi, que é uma das resinas termoplásticas preferidas para além das acima descritas, é preferida uma resina que possa ser obtida por um método de reação de vários bisfenóis com epicloridrina, ou um método para reagir uma resina epóxi líquida com um bisfenol. Exemplos do bisfenol incluem bisfenol A, bisfenolbisfenol AF, bisfenol AD, bisfenol F e bisfenol S. Como uma resina fenóxi tem uma estrutura semelhante à de uma resina epóxi, uma resina fenóxi tem alta compatibilidade com resinas epóxi e é adequada para conferir adesividade satisfatória a uma película adesiva.

[0079] Um exemplo da resina fenóxi utilizada para a

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37/79 invenção é uma resina que tem uma unidade de repetição representada pela seguinte fórmula geral (2): [Fórmula Química 2]

[0080] Na fórmula geral (2) acima descrita, X representa uma ligação simples ou um grupo de ligação divalente. Exemplos do grupo de ligação divalente incluem um grupo alquileno, um grupo fenileno, -0-, -S-, -SO- e -SO2-. Aqui, o grupo alquileno é, preferencialmente, um grupo alquileno tendo 1 a 10 átomos de carbono e, mais preferencialmente, -C(Ri) (R2)-. Ri e R2 representam, cada um, um átomo de hidrogênio ou um grupo alquil. 0 grupo alquil é, preferencialmente, um grupo alquil linear ou ramificado tendo 1 a 8 átomos de carbono, e os seus exemplos incluem metil, etil, n-propil, isopropil, iso-octil, 2-etilhexil e 1,3,3-trimetilbutil. Além disso, o grupo alquil pode ser substituído com um átomo de halogênio, e os seus exemplos incluem um grupo trifluorometil. X é, preferencialmente, um grupo alquileno, -0-, -S-, um grupo fluoreno, ou -SO2-, e, mais preferencialmente, um grupo alquileno ou -SO2-. Entre eles, -C(CH3)2-, -CHÍCHs)-, -CH2-, e -SO2- são preferidos; C(CH3)2-, —CHÍCHs)—, e -CH2- são mais preferidos; e -C(CHs)2é particularmente preferido.

[0081] Quando a resina fenóxi representada pela Fórmula Geral (2) tem unidades repetidas, a resina fenóxi pode ser uma resina tendo uma pluralidade de unidades repetidas com diferentes X's da Fórmula Geral (2) acima descrita, ou a resina fenóxi pode ser composto apenas de

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38/79 unidades repetidas com X's idênticos. De acordo com a invenção, é preferida uma resina composta apenas por unidades repetidas com X's idênticos.

[0082] Além disso, quando um substituinte polar tal como um grupo hidroxila ou um grupo carboxila é incorporado na resina fenóxi representada pela Fórmula Geral (2), a compatibilidade com um componente polimerizável termicamente é aumentada, e uma aparência externa uniforme ou características uniformes podem ser transmitidas.

[0083] Quando o peso molecular mássico médio da resina fenóxi é de 5.000 ou mais, é excelente do ponto de vista das propriedades de formação da película. O peso molecular médio mássico é mais preferencialmente 10.000 ou mais, e ainda mais preferencialmente 30.000 ou mais. Além disso, quando o peso molecular médio mássico é de 150.000 ou menos, é preferível do ponto de vista da fluidez no momento da ligação por pressão térmica e da compatibilidade com outras resinas. O peso molecular médio mássico, mais preferencialmente, 100.000 ou menos. Além disso, quando a temperatura de transição vítrea é -50°C ou superior, é excelente do ponto de vista das propriedades de formação de película, e a temperatura de transição vítrea é, mais preferencialmente, 0°C ou superior e, ainda mais preferencialmente, 50°C ou superior. Quando a temperatura de transição vítrea é de 150°C, é obtida uma excelente força adesiva da camada adesiva 13 no momento da ligação do molde. A temperatura de transição vítrea é, mais preferencialmente, 120°C ou inferior, e, ainda mais preferencialmente, 110°C ou inferior.

[0084] Por outro lado, exemplos do grupo funcional

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39/79 para o polímero contendo um grupo funcional, como descrito acima, incluem um grupo glicidil, um grupo acriloil, um grupo metacriloil, um grupo hidroxila, um grupo carboxila, um grupo isocianurato, um grupo amino, e um grupo amida, e entre eles, um grupo glicidil é preferido.

[0085] Exemplos do componente de elevado peso molecular contendo um grupo funcional incluem copolímeros (met)acrílicos contendo grupos funcionais, tais como um grupo glicidil, um grupo hidroxila e um grupo carboxila.

[0086] Em relação aos copolímeros (met)acrílicos, por exemplo, um copolímero de éster (met)acrílico e uma borracha acrílica podem ser usados, e uma borracha acrílica é preferida. Uma borracha acrílica é uma borracha que contém um éster de ácido acrílico como componente principal e é, principalmente, formada a partir de um copolímero de acrilato de butil e acrilonitrila ou semelhantes, ou um copolímero de acrilato de etil e acrilonitrila ou semelhantes.

[0087] Num caso em que o composto contém um grupo glicidil, como um grupo funcional, a quantidade de uma unidade repetitiva contendo grupo glicidil é, preferencialmente, 0,5% a 6,0% em peso, mais preferencialmente, 0,5% a 5,0% em peso e, particularmente preferido, 0,8% a 5,0% em peso. Uma unidade de repetição contendo grupo glicidil é um monômero constituinte para um copolímero (met)acrílico contendo grupos glicidil, e exemplos específicos destes incluem acrilato de glicidil e metacrilato de glicidil. Quando a quantidade da unidade de repetição contendo grupo glicidil está nesta faixa, a força adesiva pode ser assegurada, e também, a gelificação pode ser evitada.

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40/79 [0088] Exemplos do monômero constituinte para o copolimero (met)acrílico diferente do acrilato de glicidil e metacrilato de glicidil, incluem (met)acrilato de etil e (met)acrilato de butil, e estes podem ser usados sozinhos ou em combinação com dois ou mais tipos disso. Entretanto, de acordo com a invenção, o (met)acrilato de etil representa acrilato de etil e/ou metacrilato de etil. A razão de mistura, no caso da utilização de monômeros funcionais em combinação, pode ser determinada levando em consideração a temperatura de transição vítrea do copolimero (met)acrílico. Quando a temperatura de transição vítrea é ajustada para 50°C ou superior, é preferível do ponto de vista que excelentes propriedades de formação de película são obtidas, e a aderência excessiva à temperatura normal pode ser suprimida. Quando a força de aderência à temperatura normal é excessiva, o manuseio da camada adesiva torna-se difícil. A temperatura de transição vítrea é, mais preferencialmente, de -20°C ou superior, e ainda mais preferencialmente, de 0°C ou superior. Além disso, quando a temperatura de transição vítrea é ajustada para 30°C ou inferior, é excelente do ponto de vista da força adesiva da camada adesiva no momento da ligação de molde, e a temperatura de transição vítrea é, mais preferencialmente, 20°C ou inferior.

[0089] Em um caso em que um componente de alto peso molecular contendo um monômero funcional é produzido pela polimerização dos monômeros mencionados acima, o método de polimerização não é, particularmente, limitado e, por exemplo, métodos como polimerização por esfera e polimerização de solução podem ser usados. Acima de tudo, a polimerização por esfera é preferida.

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41/79 [0090] De acordo com a invenção, quando o peso molecular médio ponderado do componente de alto peso molecular contendo um monômero funcional é 100.000 ou mais, é excelente do ponto de vista das propriedades de formação de película, e o peso molecular médio ponderado é mais preferencialmente 200.000 ou mais, e, ainda mais preferencialmente, 500.000 ou mais. Além disso, quando o peso molecular médio ponderado é ajustado para 2.000.000 ou menos, é excelente do ponto de vista que a fluidez a quente da camada adesiva no momento da ligação de molde é aumentada. Quando a fluidez a quente da camada adesiva no momento da ligação de molde é aumentada, é obtida uma adesão satisfatória entre a camada adesiva e a aderência, e a força adesiva pode ser aumentada. Além disso, a irregularidade da superfície do aderente é incorporada e, assim, os vazios podem ser facilmente suprimidos. O peso molecular médio ponderado é, mais preferencialmente, 1.000.000 ou inferior, e, ainda mais preferencialmente, 800.000 ou menos, e quando o peso molecular médio ponderado é ajustado para 500.000 ou menos, efeitos superiores podem ser obtidos.

[0091] Além disso, o componente termicamente polimerizável não é, particularmente, limitado desde que o componente termicamente polimerizável possa ser polimerizado por calor, e exemplos incluem compostos tendo grupos funcionais, tais como um grupo glicidil, um grupo acriloil, um grupo metacriloil, um grupo hidroxila, um grupo carboxila, um grupo isocianurato, um grupo amino e um grupo amida; e materiais de acionamento. Estes compostos podem ser utilizados isoladamente ou em combinação de dois ou mais tipos dos mesmos; no entanto, quando se considera a

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42/79 resistência ao calor da camada adesiva, é preferível que a camada adesiva contenha uma resina termoendurecível que é curada pelo calor e exerce uma ação adesiva, juntamente com um agente de cura e um acelerador. Exemplos da resina termoendurecível incluem uma resina epóxi, uma resina acrílica, uma resina de silicone, uma resina fenólica, uma resina de poli-imida termoendurecível, uma resina de poliuretano, uma resina de melamina e uma resina de ureia. Particularmente, do ponto de vista da obtenção de uma camada adesiva com excelente resistência ao calor, viabilidade e confiabilidade, é mais preferível usar uma resina epóxi.

[0092] A resina epóxi não é, particularmente limitada, desde que a resina epóxi esteja curada e tenha uma ação adesiva, e uma resina epóxi bifuncional, como epóxi bisfenol A, ou uma resina epóxi do tipo novolac, como uma resina epóxi do novolac tipo fenol ou uma resina epóxi do tipo cresol novolac pode ser usada. Também podem ser aplicadas resinas epóxi, geralmente conhecidas, tais como uma resina epóxi polifuncional, uma resina epóxi do tipo glicidilamina, uma resina epóxi contendo anel heterocíclico e uma resina epóxi alicíclica.

[0093] Os exemplos da resina epóxi do tipo bisfenol A incluem a série EPIKOTE (EPIKOTE 807, EPIKOTE 815, EPIKOTE 825, EPIKOTE 827, EPIKOTE 828, EPIKOTE 834, EPIKOTE 1001, EPIKOTE 1004, EPIKOTE 1007 e EPIKOTE 1009) fabricadas pela Mitsubishi Chemical. Corp.; DER-330, DER-301 e DER-361 fabricado por Dow Chemical Co.; e YD8125 e YDF8170 fabricadas por Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Exemplos da resina epóxi do tipo fenol novolac incluem EPIKOTE 152 e EPIKOTE 154, fabricadas por Mitsubishi Chemical Corp.; EPPN

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201 fabricada pela Nippon Kayaku Co., Ltd.; e DEN-438 fabricada por Dow Chemical Co. Exemplos da resina epóxi do tipo o-cresol novolac incluem EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN104S, EOCN-1012, EOCN-1025 e EOCN-1027 fabricadas pela Nippon Kayaku Co., Ltd.; e YDCN701, YDCN702, YDCN703 e YDCN704 fabricadas por Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Exemplos da resina epóxi polifuncional incluem EPON1031S fabricada pela Mitsubishi Chemical Corp.; ARALDITE 0163, fabricada por Ciba Specialty Chemicals Corp.; e DENACOL EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX411 e EX-321 fabricadas pela Nagase ChemteX Corp. Exemplos da resina epóxi do tipo amina incluem o EPIKOTE 604 fabricada pela Mitsubishi Chemical Corp.; YH-434 fabricada pela Tohto Chemical Industry Co., Ltd.; TETRAD-X e TETRAD-C fabricadas por Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.; e ELM-120 fabricada por Sumitomo Chemical Co., Ltd. Exemplos da resina epóxi contendo anel heterocíclico incluem ARALDITE PT810 fabricada por Ciba Specialty Chemicals Corp.; ERL4234, ERL4299, ERL4221 e ERL4206 fabricadas por Union Carbide Corp. Estas resinas epóxi podem ser utilizadas isoladamente ou em combinação de dois ou mais tipos destas.

[0094] A fim de curar a resina termoendurecível, aditivos podem ser adicionados a ela, conforme apropriado. Exemplos de tais aditivos incluem um agente de cura, um acelerador de cura e um catalisador. No caso da adição de um catalisador, um co-catalisador pode ser usado conforme necessário.

[0095] Em um caso em que uma resina epóxi é usada como a resina termoendurecível, é preferível usar um agente de cura de resina epóxi ou um acelerador de cura, e é mais

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44/79 preferível usá-los em combinação. Exemplos do agente de cura incluem uma resina fenólica, diciandiamida, um complexo de trifluoreto de boro, um composto de hidrazida orgânica, uma amina, uma resina de poliamida, um composto de imidazol, um composto de ureia ou tioureia, um composto de polimercaptana, uma resina de polissulfeto tendo grupos mercapto nos terminais, um anidrido ácido e um agente de cura leve/ultravioleta. Estes podem ser usados isoladamente ou em combinação de dois ou mais tipos dos mesmos.

[0096] Entre estes, exemplos do composto complexo de trifluoreto de boro incluem complexos de amina e trifluoreto de boro com vários compostos de amina (de preferência, compostos de amina primária), e exemplos do composto de hidrazida orgânica incluem dihidrazida de ácido isoftálico.

[0097] Exemplos da resina fenólica incluem resinas fenólicas do tipo novolac, tais como uma resina novolac de fenol, uma resina fenol aralquil, uma resina novolac de cresol, uma resina novolac de terc-butilfenol e uma resina novolac de nonilfenol; uma resina fenólica do tipo resol e um polioxiestireno, tal como poli(para-oxiestireno). Entre eles, é preferido um composto fenólico tendo pelo menos dois grupos hidroxila fenólicos na molécula.

[0098] Exemplos do composto fenólico tendo pelo menos dois grupos de hidroxila fenólicos na molécula incluem uma resina novolac de fenol, uma resina novolac de cresol, uma resina novolac de t-butilfenol, uma resina novolac de diciclopentadieno cresol, uma resina novolac de diciclopentadieno fenol, uma resina novolac de fenol modificada com xilileno, uma resina novolac de naftol, uma resina novolac de trisfenol, uma resina novolac de

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45/79 tetraquisfenol, uma resina novolac de bisfenol A, uma resina poli(p-vinilfenol) e uma resina fenol aralquil. Além disso, entre estas resinas fenólicas, uma resina de fenol novolac e uma resina de fenol aralquil são particularmente preferidas, e estas podem aumentar a fiabilidade da ligação.

[0099] Os exemplos da amina incluem aminas alifáticas semelhantes a cadeias (dietilenotriamina, trietilenotetramina, hexametilenodiamina, N,Ndimetilpropilamina, benzildimetilamina, 2(dimetilamino)fenol, 2,4, 6-tris(dimetilaminometil)fenol, mxilenodiamina, e semelhantes), aminas ciclicas alifáticas (N-aminoetilpiperazina, bis(3-metil-4aminociclohexil)metano, bis(4-aminociclohexil)metano, mentenodiamina, isoforonodiamina, 1,3bis(aminometil)ciclohexano, e similares), aminas heterociclicas (piperazina, N,N-dimetilpiperazina, trietilenodiamina, melamina, guanamina e semelhantes), aminas aromáticas (meta-fenilenodiamina, 4,4'diaminodifenilmetano, diamino-4,4'-diaminodifenilsulfona, e semelhantes), resinas de poliamida (poliamidoamina é preferida; produto de condensação de um dimero de ácido e uma poliamina), compostos de imidazol (2-fenil-4,5dihidroximetilimidazol, 2-metilimidazol, 2,4dimetilimidazol, 2-n-heptadecilimidazol, trimelitato de 1cianoetil-2-undecilimidazólio, um aduto de epóxi-imidazol e semelhantes), compostos de ureia ou de tioureia (um composto de N, N-dialquilureia, um composto de N,N-dialquiltioureia e semelhantes), compostos de polimercaptana, resinas de polissulfeto tendo grupos mercapto nos terminais, anidridos de ácido (anidrido tetrahidroftálico e semelhantes), e

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46/79 agentes de cura luz/ultravioleta (hexafluorofosfato de difeniliodônio, hexafluorofosfato de trifenilsulfônio e semelhantes).

[00100] O acelerador de cura não é, particularmente, limitado desde que seja capaz de curar uma resina termoendurecível, e os seus exemplos incluem um imidazol, um derivado de dicianodiamida, uma dihidrazida do ácido dicarboxílico, trifenilfosfina, tetrafenilborato de tetrafenilfosfônio, 2-etil-4-metilimidazol-tetrafenilborato e 1,8-diazabiciclo[5.4.0]undeceno-7-tetrafenilborato.

[00101] Exemplos do imidazol incluem imidazol, 2metilimidazol, 2-etilimidazol, 2-etil-4-metilimidazol, 2fenilimidazol, 2-fenil-4-metilimidazol, l-benzil-2metilimidazol, l-benzil-2-etilimidazol, l-benzil-2-etil-5metilimidazol, 2-fenil-4-metil-5-hidroxidimetilimidazol e 2-fenil-4,5-di-hidroximetilimidazol.

[00102] O teor do agente de cura para uma resina epóxi ou um acelerador de cura na camada adesiva não é, particularmente, limitado, e o teor ideal varia dependendo do tipo do agente de cura ou do acelerador de cura.

[00103] No que diz respeito às proporções de mistura da resina epóxi e da resina fenólica, por exemplo, é preferível que as resinas sejam misturadas de tal modo que a proporção de grupos hidroxila na resina fenólica seja de 0,5 a 2,0 equivalentes por equivalente de grupos epóxi nos componentes de resina epóxi. A proporção de grupos de hidroxila é, mais preferencialmente, de 0,8 a 1,2 equivalentes. Isto é, é porque quando as proporções de mistura dos dois componentes não estão na faixa descrita acima, a reação de cura não prossegue suficientemente e as

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características	da camada	adesiva	são	facilmente
deterioradas.	Relativamente	às	outras	resinas
termoendurecíveis	e ao agente	de cura,	de acordo com uma

modalidade, a proporção de mistura do agente de cura é de 0,5 a 20 partes em massa em relação a 100 partes em massa das resinas termoendurecíveis e, de acordo com outra modalidade, a proporção do agente de cura é de 1 a 10 partes em massa. É preferível que o teor do acelerador de cura seja menor que o teor do agente de cura, e o teor do acelerador de cura é de preferência 0,001 a 1,5 partes em massa, e mais preferivelmente, 0,01 a 0,95 partes em massa, em relação a 100 partes em massa das resinas termoendurecíveis. Quando o teor do acelerador de cura é ajustado para a faixa descrita acima, o acelerador de cura pode ajudar suficientemente o progresso da reação de cura. O teor do catalisador é, de preferência, de 0,001 a 1,5 partes em massa, e mais preferencialmente, de 0,01 a 1,0 partes em massa, em relação a 100 partes em massa das resinas termoendurecíveis.

[00104] Além disso, a camada adesiva 13 da invenção pode ter uma carga incorporada como apropriada de acordo com o uso. Assim, o aumento da capacidade de corte, o aumento da capacidade de manuseio, o ajuste da viscosidade do material fundido e a conferir tixotropia para a camada adesiva num estado não curado, e a conferir condutividade térmica e aumento da força adesiva para a camada adesiva num estado curado, pode ser promovido.

[00105] A carga utilizada para a invenção é, de preferência, uma carga inorgânica. A carga inorgânica não é, particularmente, limitada e, por exemplo, hidróxido de alumínio, hidróxido de magnésio, carbonato de cálcio,

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48/79 carbonato de magnésio, silicato de cálcio, silicato de magnésio, óxido de cálcio, óxido de magnésio, alumina, nitreto de alumínio, fios de borato de alumínio, nitreto de boro, silica cristalina, silica amorfa e óxido de antimônio podem ser usados. Além disso, estes podem ser usados como substâncias únicas ou como misturas de dois ou mais tipos dos mesmos.

[00106] Além disso, entre as cargas inorgânicas descritas acima, do ponto de vista de melhorar a condutividade térmica, é preferível usar alumina, nitreto de alumínio, nitreto de boro, silica cristalina, silica amorfa ou semelhantes. Além disso, do ponto de vista de ajustar a viscosidade do material fundido ou conferir tixotropia, é preferível usar hidróxido de alumínio, hidróxido de magnésio, carbonato de cálcio, carbonato de magnésio, silicato de cálcio, silicato de magnésio, óxido de cálcio, óxido de magnésio, alumina, silica cristalina, silica amorfa ou semelhante. Além disso, do ponto de vista de melhorar a capacidade de corte, é preferível utilizar alumina ou silica.

[00107] Quando a proporção de teor do material de carga é de 30% em massa ou mais, é excelente do ponto de vista da capacidade de ligação do fio. No momento da ligação do fio, é preferível que o módulo de armazenamento após a cura da camada adesiva aderida aos fragmentos que são fornecidos com fios, seja ajustado para a faixa de 20 a 1.000 MPa a 170°C, e quando a proporção do teor da carga é de 30% em massa ou mais, o módulo de armazenamento após a cura da camada de adesivo pode ser facilmente ajustado a esta faixa. Além disso, quando a proporção de teor da carga é de 75% em massa ou menos, obtêm-se excelentes propriedades de formação

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49/79 de película e excelente fluidez a quente da camada adesiva no momento da ligação do molde. Quando a fluidez a quente da camada adesiva no momento da ligação do molde é melhorada, consegue-se uma adesão satisfatória entre a camada adesiva e a aderência, e a força adesiva pode ser aumentada. Além disso, a irregularidade da superfície do aderente é incorporada e, portanto, torna-se fácil suprimir vazios. A proporção de teor é mais, preferencialmente, de 70% em massa ou menos, e, ainda mais preferencialmente, de 60% em massa ou menos.

[00108] A camada adesiva da invenção pode conter dois ou mais tipos de cargas tendo diferentes tamanhos médios de partículas como a carga. Neste caso, comparado com o caso de usar uma única carga, um aumento de viscosidade no caso, em que a proporção de teor da carga é alta na mistura de matérias-primas antes da formação da película, ou uma diminuição da viscosidade no caso em que a proporção do teor da carga é baixa, pode ser facilmente prevenida e propriedades de formação de película satisfatórias podem ser facilmente obtidas. A fluidez de uma camada adesiva não curada pode ser otimamente controlada, e também, após a cura da camada adesiva, é facilmente obtida uma força adesiva excelente.

[00109] Além disso, em relação à camada adesiva da invenção, o tamanho médio de partícula da carga é, preferencialmente, de 2,0 pm ou inferior e, mais preferencialmente, de 1,0 pm ou inferior. Quando o tamanho médio de partícula da carga é de 2,0 pm ou menos, a redução da espessura da película é facilmente alcançada. Aqui, uma película fina sugere uma espessura de 20 pm ou menos. Além

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50/79 disso, quando o tamanho médio das partículas é de 0,01 pm ou mais, obtém-se dispersibilidade satisfatória.

[00110] Além disso, do ponto de vista de impedir qualquer aumento ou diminuição da viscosidade da mistura de matérias-primas antes da formação da película, controlando otimamente a fluidez de uma camada adesiva não curada, e aumentando a força adesiva após a cura da camada adesiva, é preferível que a camada adesiva contém uma primeira carga tendo um tamanho médio de partícula na faixa de 0,1 a 1,0 pm, e uma segunda carga tendo um tamanho médio de partícula do tamanho de partícula primário na faixa de 0,005 a 0,03 pm. É preferível que a camada adesiva contenha uma primeira carga que tenha um tamanho médio de partícula na faixa de 0,1 a 1,0 pm e no qual 99% ou mais das partículas estejam distribuídas dentro da faixa de tamanho de partícula de 0,1 a 1,0 pm, e uma segunda carga que tem um tamanho médio de partícula do tamanho de partícula primário na faixa de 0,005 a 0,03 pm e no qual 99% ou mais das partículas são distribuídas dentro da faixa de tamanho de partícula de 0,005 a 0,1 pm.

[00111] O tamanho médio de partícula de acordo com a invenção significa o valor D50 de uma curva de distribuição de volume cumulativo, na qual 50% em volume de partículas têm diâmetros menores que este valor. De acordo com a invenção, o tamanho médio das partículas ou o valor D50 é medido por um método de difração a laser, por exemplo, utilizando Malvern MASTERSIZER 2000 fabricado por Malvern Instruments, Ltd. De acordo com esta tecnologia, o tamanho das partículas numa dispersão líquida é medido usando a difração de luz de laser baseada na aplicação de qualquer

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51/79 uma das teorias de Fraunhofer ou Mie. De acordo com a invenção, o tamanho médio de partícula ou o valor de D50 refere-se a uma análise de dispersão medida na faixa de 0,02° a 135° em relação à luz incidente do laser, utilizando a teoria de Mie ou uma teoria de Mie modificada para partículas não esféricas.

[00112] De acordo com uma modalidade da invenção, a composição adesiva temporária que constitui a camada adesiva 13 pode incluir 10% a 40% em massa de uma resina termoplástica tendo um peso molecular médio ponderado de 5.000 a 200.000; 10% a 40% em massa de um componente termicamente polimerizável; e 30% a 75% em massa de uma carga, em relação à quantidade total da composição adesiva temporária. Nesta modalidade, o teor da carga pode ser de 30% a 60% em massa, ou pode ser 40% a 60% em massa. Além disso, o peso molecular médio da massa da resina termoplástica pode ser de 5.000 a 150.000, ou pode ser de 10.000 a 100.000.

[00113] De acordo com outra modalidade, a composição adesiva temporária que constitui a camada adesiva 13 pode incluir 10% a 20% em massa de uma resina termoplástica tendo um peso molecular médio ponderado de 200.000 a 2.000.000; 20% a 50% em massa de um componente termicamente polimerizável; e 30% a 75% em massa de uma carga, em relação à quantidade total da composição adesiva temporária. Nesta modalidade, o teor da carga pode ser de 30% a 60% em massa, ou pode ser de 30% a 50% em massa. Além disso, o peso molecular médio mássico da resina termoplástica pode ser de 200.000 a 1.000.000 ou pode ser de 200.000 a 800.000.

[00114] O módulo de armazenamento e a fluidez após a

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52/79 cura da camada adesiva 13 podem ser otimizados ajustando a razão de mistura, e existe também tendência para se obter resistência térmica suficiente a alta temperatura.

[00115] Em relação à fita para processamento de semicondutores 10 da invenção, a camada adesiva 13 pode ser formada por laminação de uma camada que foi formada em uma película previamente (doravante, referido como uma película adesiva) diretamente ou indiretamente na película de substrato 11. É preferível que a temperatura no momento da laminação seja ajustada para a faixa de 10°C a 100°C, e uma pressão linear de 0,01 a 10 N/m é aplicada ao laminado. Entretanto, tal película adesiva pode ser uma camada adesiva 13 formada numa película de liberação e, nesse caso, a película de liberação pode ser retirada após a laminação, ou a película de liberação pode ser utilizada diretamente como película de cobertura para a fita para processamento de semicondutor 10 e descascada no momento de laminar uma pastilha nesta.

[00116] A película adesiva pode ser laminada sobre toda a superfície da camada adesiva temporária 12; no entanto, uma película adesiva que tenha sido cortada previamente para uma forma correspondente à forma da pastilha a ser laminada (pré-cortada) pode ser laminada na camada adesiva temporária 12. Como tal, num caso em que um corte de película adesiva correspondentemente à forma de uma pastilha é laminado, como ilustrado na Fig. 3, na área onde uma pastilha W é para ser laminada, a camada adesiva 13 está disponível. Na área onde uma estrutura de anel 20 deve ser laminada, apenas a camada adesiva temporária 12 está disponível, sem a camada adesiva 13. Geralmente, uma vez que

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53/79 a camada adesiva 13 não é facilmente destacada de um aderente, quando é usada uma película adesiva pré-cortada, a estrutura de anel 20 pode ser laminada na camada adesiva temporária 12. Assim, um efeito que o resíduo de adesivo não é suscetível de ser gerado na estrutura de anel 20 no momento do descascamento da fita adesiva após a utilização é obtido. <Aplicações de Uso>

[00117] A fita para processamento de semicondutores 10 da invenção deve ser usada para um método para produzir um dispositivo semicondutor, o método incluindo pelo menos um processo de expansão de divisão de uma camada adesiva 13 através de expansão. Portanto, não há limitações particulares em outros processos adicionais, na ordem dos processos, e semelhantes. Por exemplo, a fita para processamento de semicondutores 10 pode ser adequadamente utilizada para os seguintes métodos (A) a (E) para produzir um dispositivo semicondutor.

Método (A) para produzir dispositivo semicondutor [00118] Um método para produzir um dispositivo semicondutor, o método incluindo:

(a) uma etapa de laminar uma fita de proteção superficial na superfície frontal de uma pastilha tendo um padrão de circuito formado na mesma;

(b) uma etapa de trituração posterior de triturar a superfície traseira da pastilha;

(c) uma etapa de laminar a película adesiva laminada à camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores para a superfície traseira da pastilha num estado em que a pastilha foi aquecida a 70°C a 80°C;

(d) uma etapa de separar a fita de proteção superficial

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54/79 da superfície frontal da pastilha;

(e) uma etapa de irradiação de partes da divisão planejadas da pastilha com luz de laser, e regiões de formação modificadas por absorção multifotônica no interior da pastilha;

(f) uma etapa de dividir a pastilha e a película adesiva ao longo de linhas de divisão, expandindo a fita para processamento de semicondutores, e obtendo uma pluralidade de fragmentos ligados a película adesiva;

(g) uma etapa de eliminar qualquer folga produzida durante a etapa de expansão, aquecimento e retração das partes que não se sobrepõem aos fragmentos na fita para processamento de semicondutores, e mantendo as distâncias entre os fragmentos; e (h) uma etapa de coletar os fragmentos tendo a camada adesiva aderida neles, a partir da camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores.

[00119] O presente método para produzir um dispositivo semicondutor é um método de usar corte invisível. Método (B) para produzir dispositivo semicondutor [00120] Um método para produzir um dispositivo semicondutor, o método incluindo:

(c) uma etapa de laminar a película adesiva ligada à camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores à superfície traseira da pastilha num estado

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55/79 em que a pastilha foi aquecida a 70°C a 80°C;

(d) uma etapa de separar a fita de proteção superficial da superfície frontal da pastilha;

(e) uma etapa de irradiação da superfície frontal da pastilha ao longo de linhas de divisão com luz de laser, e divisão da pastilha em fragmentos individuais;

(f) uma etapa de dividir a película adesiva correspondentemente aos fragmentos expandindo a fita para o processamento de semicondutores, e obtendo uma pluralidade de fragmentos fixos à película adesiva;

(g) uma etapa de eliminar qualquer folga produzida durante a etapa de expansão, aquecimento e retração das partes que não se sobrepõem aos fragmentos na fita para processamento de semicondutores, e mantendo as distâncias entre os fragmentos; e (h) uma etapa de coletar os fragmentos tendo a camada adesiva aderida a estes, da camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores.

[00121] O presente método para produzir um dispositivo semicondutor é um método de usar corte a laser de corte total.

Método (C) para produzir dispositivo semicondutor [00122] Um método para produzir um dispositivo semicondutor, o método incluindo:

(c) uma etapa de laminar a película adesiva laminada

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56/79 à camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores para a superfície traseira da pastilha num estado em que a pastilha foi aquecida a 70°C a 80°C;

(e) uma etapa de cortar a pastilha ao longo de linhas de divisão utilizando uma lâmina de corte e dividindo a pastilha em fragmentos individuais;

(g) uma etapa de eliminar qualquer folga produzida durante a etapa de expansão, aquecimento e retração das partes que não se sobrepõem aos fragmentos na fita para processamento de semicondutores, e mantendo as distâncias entre os fragmentos; e (h) uma etapa de coletar os fragmentos tendo a película adesiva aderida nestes, da camada adesiva temporária da fita para o processamento de semicondutores.

[00123] O presente método para produzir um dispositivo semicondutor é um método de utilização de corte de lâmina de corte total.

Método (D) para produzir dispositivo semicondutor [00124] Um método para produzir um dispositivo semicondutor, o método incluindo:

(a) uma etapa de corte de uma pastilha tendo um padrão de circuito formado nela, a uma profundidade menor do que a espessura da pastilha, ao longo de linhas de divisão planejadas usando uma lâmina de corte;

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57/79 (b) uma etapa de laminar uma fita protetora de superfície na superfície frontal da pastilha;

(c) uma etapa de trituração posterior de triturar a superfície traseira da pastilha;

(d) uma etapa de laminar a película adesiva laminada à camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores na superfície traseira dos fragmentos num estado em que a pastilha foi aquecida a 70°C a 80°C;

(e) uma etapa de separar a fita protetora de superfície da superfície frontal da pastilha;

(g) uma etapa de eliminar qualquer folga produzida durante a etapa de expansão, aquecimento e retração das partes que não se sobrepõem aos fragmentos na fita para processamento de semicondutores, e mantendo as distâncias entre os fragmentos; e (h) uma etapa de coletar os fragmentos tendo a camada adesiva aderida nestes, da camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores.

[00125] O presente método para produzir um dispositivo semicondutor é um método de utilização de corte de lâminas de meio corte.

Método (E) para produzir dispositivo semicondutor [00126] Um método para produzir um dispositivo semicondutor, o método incluindo:

(a) uma etapa de laminar uma fita de proteção superficial na superfície frontal de uma pastilha tendo um

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58/79 padrão de circuito formado na mesma;

(b) uma etapa de irradiação de partes da divisão planejadas da pastilha com luz de laser e regiões de formação modificadas por absorção multifotônica no interior da pastilha;

(d) uma etapa de laminar a camada adesiva da fita para processamento de semicondutores para a superfície traseira da pastilha, num estado em que a pastilha foi aquecida a 70°C a 80°C;

(e) uma etapa de separar a fita protetora superficial da superfície frontal da pastilha;

(f) uma etapa de dividir a pastilha e a camada adesiva ao longo das linhas de divisão, expandindo a fita para processamento de semicondutores e obtendo uma pluralidade de fragmentos ligados a película adesiva;

(g) uma etapa de eliminar qualquer folga produzida durante a etapa de expansão, aquecimento e retração das partes que não se sobrepõem aos fragmentos na fita para processamento de semicondutores, e mantendo as distâncias entre os fragmentos; e (h) uma etapa de coletar os fragmentos tendo a camada adesiva aderidas nestes, da camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores.

[00127] O presente método para produzir um dispositivo semicondutor é um método de usar o corte invisível.

<Método de utilização>

[00128] O método de utilizar a fita para

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59/79 processamento de semicondutores 10 da invenção num caso em que a fita é aplicada ao método (A) para produzir um dispositivo semicondutor como descrito acima, será descrito com referência a Fig. 2 a Fig. 5. Primeiro, como ilustrado na Fig. 2, uma fita protetora superficial 14 para proteger um padrão de circuito, que contém um componente curável por ultravioleta no adesivo temporário, é laminada na superfície frontal de uma pastilha W tendo um padrão de circuito formado nela, e uma etapa de trituração posterior de triturar a superfície traseira da pastilha W é realizada.

[00129] Após a conclusão da etapa de trituração, como ilustrado na Fig. 3, a pastilha W é colocada em uma mesa de aquecimento 25 de um montador de pastilha, com o lado da superfície frontal voltado para baixo, e, então, uma fita para processamento de semicondutor 10 é laminado na superfície traseira da pastilha W. A fita para processamento de semicondutores 10, aqui utilizada, é uma fita adesiva obtida por laminação de películas adesivas que foram cortadas previamente (pré-cortadas) na forma correspondente à forma da pastilha W a ser laminada e na superfície que é laminada à pastilha W, uma camada adesiva temporária 12 é exposta na periferia da região onde uma camada adesiva 13 é exposta. Esta parte, na qual a camada adesiva 13 da fita para processamento de semicondutores 10 é exposta, e a superfície traseira da pastilha W é laminada em conjunto, e também, a parte na qual a camada adesiva temporária 12 é exposta na periferia da camada adesiva 13 e uma estrutura de anel 20 são laminadas juntas. Neste momento, a mesa de aquecimento 25 é ajustada para 70°C a 80°C, e, assim, a laminação por aquecimento é realizada. Na presente modalidade, uma fita

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60/79 para processamento de semicondutores 10 tendo uma fita adesiva temporária 15 composta de uma película de substrato 11 e uma camada adesiva temporária 12 proporcionada na película de substrato 11; e uma camada adesiva 13 proporcionada na camada adesiva temporária 12, é utilizada; no entanto, também é aceitável usar uma fita adesiva temporária e um adesivo tipo película separadamente. Neste caso, primeiramente, um adesivo do tipo película é laminado na superfície traseira de uma pastilha para formar uma camada adesiva, e uma camada adesiva temporária de uma fita adesiva temporária é laminada nesta camada adesiva. Neste momento, a fita adesiva temporária 15 de acordo com a invenção é utilizada como fita adesiva temporária.

[00130] Em seguida, a pastilha W tendo a fita para processamento de semicondutores 10 laminada é retirada da mesa de aquecimento 25, e como ilustrado na Fig. 4, a pastilha W é colocada em uma mesa de sucção 26, com o lado da fita para processamento de semicondutor 10 voltado para baixo. Em seguida, o lado da superfície do substrato da fita protetora superficial 14 é irradiado com, por exemplo, radiação ultravioleta a uma dose de 1.000 mJ/cm² utilizando uma fonte de raios de energia 27, através do lado superior da pastilha W que foi fixado por sucção para a mesa de sucção 26. A força adesiva da fita protetora superficial 14 para a pastilha W é diminuída, e a fita protetora superficial 14 é separada da superfície da pastilha W.

[00131] Em seguida, como ilustrado na Fig. 5, as partes de divisão planejadas da pastilha W são irradiadas com luz de laser, e, assim, as regiões 32 modificadas por absorção multifotônica são formadas no interior da pastilha

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W.

[00132] Em seguida, como ilustrado na Fig. 6 (a), a fita para processamento de semicondutores 10, com a qual a pastilha W e a estrutura de anel 20 são laminadas, é colocada numa plataforma 21 de um aparelho de expansão, com o lado da película de substrato 11 voltado para baixo.

[00133] Em seguida, como ilustrado na Fig. 6 (b) , um membro de empuxo 22 no formato cilíndrico do aparelho de expansão é levantado, em um estado de ter a estrutura de anel 20 fixa, e a fita para processamento de semicondutor 10 é expandida (expansão). Em relação às condições de expansão, a taxa de expansão é, por exemplo, de 5 a 500 mm/s, e a quantidade de expansão (quantidade de empuxo) é, por exemplo, de 5 a 25 mm. Como a fita para o processamento de semicondutores 10 é esticada na direção do diâmetro da pastilha W como tal, a pastilha W é dividida em unidades individuais de fragmentos 34, com as regiões modificadas 32 atuando como pontos de partida. Neste momento, na camada adesiva 13, o alongamento (deformação) causado pela expansão é suprimido na parte que está aderida à superfície traseira da pastilha W e a fratura não ocorre; no entanto, nas posições entre os fragmentos 34, a tensão causada pela expansão da fita é concentrada e ocorre a fratura. Portanto, como ilustrado na Fig. 6(c), a camada adesiva 13 é também dividida em conjunto com a pastilha W. Por isso, uma pluralidade de fragmentos 34 pode ser obtida tendo a camada adesiva 13 aderida aos mesmos.

[00134] Em seguida, como ilustrado na Fig. 7, o elemento de empuxo 22 é devolvido para a posição original, e um processo para eliminar qualquer folga na fita para

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62/79 processamento de semicondutores 10 produzida durante a etapa de expansão anterior e, assim, mantendo estavelmente as distâncias entre os fragmentos 34, é realizado. Neste processo, por exemplo, uma região 28 de retração por calor em forma anular entre a estrutura de anel 20 e a região onde existe um fragmento 34 na fita para processamento de semicondutor 10, é exposta a ar quente a 40°C a 120°C utilizando um bico de ar quente 29, desse modo, a pelicula de substrato 11 é aquecida para retrair, e a fita para processamento de semicondutor 10 é levada a um estado de tensão. Subsequentemente, a camada adesiva temporária 12 é submetida a um tratamento de cura por raios de energia, a um tratamento de cura térmica ou semelhante, e a força adesiva da camada adesiva temporária 12 à camada adesiva 13 é enfraquecida. Então, os fragmentos 34 são coletados.

[00135] A fita para processamento de semicondutores 10 de acordo com a presente modalidade é configurada para incluir uma camada adesiva 13 em uma camada adesiva temporária 12; no entanto, a fita para processamento de semicondutores 10 pode também ser configurada para não incluir uma camada adesiva 13. Neste caso, a fita para processamento de semicondutores pode ser usada para dividir uma pastilha apenas por laminação da pastilha sobre a camada adesiva temporária 12, ou é também aceitável que, no momento da utilização da fita para processamento de semicondutores, uma pelicula adesiva produzida da mesma maneira como no caso da camada adesiva 13 seja laminada na camada adesiva temporária 12 em conjunto com a pastilha, e a pastilha e a pelicula adesiva sejam divididas. <EXEMPLOS>

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63/79 [00136] Em seguida, a fim de esclarecer melhor os efeitos da invenção, Exemplos e Exemplos comparativos serão descritos em detalhe; no entanto, a invenção não se destina a ser limitada a estes Exemplos.

[Produção de fita para processamento de semicondutores] (1) Produção de película de substrato <Película de substrato A>

[00137] Esferas de resina de um ionômero de zinco de um copolímero de etileno-ácido metacrílico-metacrilato de etil sintetizado por um método de polimerização por radicais (teor de ácido metacrílico: 15%, metacrilato de etil: 5%, ponto de amolecimento: 72°C, ponto de fusão: 90°C, densidade: 0,96 g/cm³, teor de íon zinco: 5% em massa) foram fundidos a 230°C e as esferas de resina fundidas foram moldadas numa película longa tendo uma espessura de 150 pm utilizando uma extrusora. Posteriormente, a película longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura a 90 pm e, assim, a película de substrato A foi produzida.

<Película de substrato B>

[00138] A película de substrato B foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato A, exceto pelo fato de que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 180 pm, e a película longa foi esticada na direção TD para ajustar a espessura para 90 pm. <Película de substrato C>

[00139] A película de substrato C foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato A, exceto que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 215 pm, e a película longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura para 90 pm.

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64/79 <Pelicula de Substrato D>

[00140] Esferas de resina de um ionômero de zinco de um copolimero de etileno-ácido metacrilico-metacrilato de isobutil sintetizado por um método de polimerização por radicais (teor de ácido metacrilico: 11%, teor de metacrilato de isobutil: 9%, ponto de amolecimento: 64°C, ponto de fusão: 83°C, densidade: 0,95 g/cm³, teor de ion zinco: 4% em massa) foram fundidos a 230°C e as esferas de resina fundidas foram moldadas numa pelicula longa tendo uma espessura de 150 pm utilizando uma extrusora. Posteriormente, a pelicula longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura para 90 pm e, assim, a pelicula de substrato D foi produzida. <Pelicula de substrato E>

[00141] As esferas de resina obtidas pela mistura de um elastômero termoplástico hidrogenado à base de estireno e homopropileno (PP) em uma razão de mistura de 52:48 foram fundidas a 200°C, e as esferas de resina fundidas foram moldadas em uma pelicula longa tendo uma espessura de 150 pm usando uma extrusora. Posteriormente, a pelicula longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura a 90 pm, e assim, a pelicula de substrato E foi produzida. <Pelicula de substrato F>

[00142] As esferas de resina obtidas pela mistura de um elastômero termoplástico hidrogenado à base de estireno e homopropileno (PP) em uma razão de mistura de 64:36 foram fundidas a 200°C, e as esferas de resina fundidas foram moldadas em uma pelicula longa tendo uma espessura de 150 pm usando uma extrusora. Posteriormente, a pelicula longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura a 90 pm e, assim, a pelicula de substrato F foi produzida.

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65/79 [0115] <Pelicula de substrato G>

[00143] A película de substrato G foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato A, exceto que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 150 pm, e a película longa foi esticada na direção MD de modo a ajustar a espessura para 90 pm. <Película de Substrato H>

[00144] A película de substrato H foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato D, exceto que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 150 pm, e a película longa foi esticada na direção MD de modo a ajustar a espessura para 90 pm. <Película de Substrato I>

[00145] A película de substrato I foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato A, exceto pelo fato de que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 90 pm, e a película longa não foi submetida a um tratamento de alongamento. <Película de substrato J>

[00146] A película de substrato J foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato D, com a diferença de que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 90 pm e a película longa não foi submetida a um tratamento de alongamento.

[00147] A película de substrato K foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato E, exceto que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 90 pm e a película longa não foi submetida a um tratamento de alongamento.

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66/79 <Película de substrato L>

[00148] A película de substrato K foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato F, exceto pelo fato de que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 90 μιη, e a película longa não foi submetida a um tratamento de alongamento. <Película de substrato M>

[00149] A película de substrato M foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato A, exceto que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 110 μιη, e a película longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura para 90 μιη. <Película de substrato N>

[00150] A película de substrato N foi produzida da mesma maneira que no caso da película de substrato A, exceto que a película longa foi produzida para ter uma espessura de 120 pm, e a película longa foi esticada na direção TD de modo a ajustar a espessura para 90 μιη.

(2) Produção de copolímero acrílico [00151] Como um copolímero acrílico (Al) tendo grupos funcionais, forma-se um copolímero de acrilato de 2etilhexil, acrilato de 2-hidroxietil e ácido metacrílico, o copolímero tendo uma proporção de acrilato de 2-etilhexil de 60% mol e peso molecular médio de 700.000, foi produzido. Em seguida, adiciona-se metacrilato de 2-isocianatoetil de modo a obter um valor de iodo de 25 e, desse modo, um copolímero acrílico tendo uma temperatura de transição vítrea de -50°C, um valor do grupo hidroxila de 10 mg KOH/g e um valor ácido de 5 mg KOH/g foi produzido.

(3) Produção de composição adesiva

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67/79 [00152] A uma composição incluindo 40 partes em massa de uma resina epóxi, 1002 (fabricada pela Mitsubishi Chemical Corp., resina epóxi do tipo bisfenol A sólida, equivalente epóxi: 600); 100 partes em massa de uma resina epóxi, 806 (fabricada por Mitsubishi Chemical Corp., nome comercial, resina epóxi do tipo bisfenol F, equivalente epóxi: 160, peso específico: 1,20); 5 partes em massa de um agente de cura, DYHARD 100SF (fabricado por Degussa AG, nome comercial, dicianodiamida); 200 partes em massa de uma carga de silica, SO-C2 (fabricada por Admatechs Co., Ltd., nome comercial, tamanho médio de partícula: 0,5 pm) ; e 3 partes em massa de uma carga de silica, AEROSIL R972 (fabricada por Nippon Aerosil Co., Ltd., nome comercial, tamanho médio de partícula de tamanho de partícula primária: 0,016 pm) , MEK foi adicionado, e a mistura foi agitada e misturada. Assim, uma composição uniforme foi obtida.

[00153] A este, 100 partes em massa de uma resina fenóxi, PKHH (fabricada por InChem Corp., nome comercial, peso molecular médio mássico: 52.000, temperatura de transição vítrea: 92°C); 0,6 partes em massa de KBM-802 (fabricado por Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., nome comercial, mercaptopropiltrimetoxisilano) como agente de acoplamento; e 0,5 partes em massa de CUREZOL 2PHZ-PW (fabricado por Shikoku Chemical Corp., nome comercial, 2-fenil-4,5-dihidroximetilimidazol, temperatura de decomposição: 230 °C) como um acelerador de cura foram adicionados, e a mistura foi agitada e misturada até obter um estado uniforme. Esta foi ainda filtrada através de um filtro de 100 mesh, e foi submetida a remoção de espuma por vácuo. Assim, obteve-se um verniz de uma composição adesiva.

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68/79 <Exemplo 1>

[00154] Uma mistura obtida pela adição de 5 partes em massa de CORONATE L (fabricada pela Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) como poli-isocianato e 3 partes em massa de ESACURE KIP 150 (fabricada por Lamberti S.p.A.) como um iniciador de fotopolimerização a 100 partes por massa do copolimero acrilico, foi dissolvida em acetato de etil e a solução foi agitada. Assim, uma composição adesiva temporária foi produzida.

[00155] Em seguida, esta composição adesiva temporária foi aplicada num revestimento de liberação formado a partir de uma pelicula de tereftalato de polietileno tratado com liberação para obter uma espessura após secagem de 10 pm. A composição adesiva temporária foi seca durante 3 minutos a 110°C e, depois, foi laminada com uma pelicula de substrato. Assim, foi produzida uma folha adesiva temporária, na qual foi formada uma camada adesiva temporária sobre uma pelicula de substrato.

[00156] Em seguida, a composição adesiva acima mencionada foi aplicada num revestimento de liberação formado a partir de uma pelicula de tereftalato de polietileno tratado com liberação para se obter uma espessura após secagem de 20 pm e a composição adesiva foi seca durante 5 minutos a 110°C. Assim, foi produzida uma pelicula adesiva, na qual se formou uma camada adesiva sobre um revestimento de liberação.

[00157] A folha adesiva temporária foi cortada na forma mostrada na Fig. 3 e semelhantes, de tal modo que a folha adesiva temporária pode ser fixada a uma estrutura de anel de modo a cobrir a abertura. Além disso, a pelicula

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69/79 adesiva foi cortada na forma mostrada na Fig. 3 e semelhantes, de modo que a película adesiva pudesse cobrir a superfície traseira de uma pastilha. Depois, o lado da camada adesiva temporária da folha adesiva temporária e o lado da camada adesiva da película adesiva foram laminados em conjunto, de tal forma que as partes onde a camada adesiva temporária 12 foi exposta na periferia da película adesiva, como ilustrado na Fig. 3 assim, e, assim, uma fita para processamento de semicondutores foi produzida. <Exemplos 2 a 8 e Exemplos Comparativos 1 a 6>

[00158] As fitas para o processamento de semicondutores relacionadas com os Exemplos 2 a 8 e os Exemplos Comparativos 1 a 6 foram produzidas pela mesma técnica utilizada no Exemplo 1, com a exceção de se utilizarem as películas de substrato descritas na Tabela 1.

[00159] Cada uma das fitas adesivas temporárias das fitas para processamento de semicondutores relacionadas com Exemplos e Exemplos Comparativos foi cortada em um comprimento de 24 mm (direção, na qual a quantidade de deformação deve ser medida) e uma largura de 5 mm (direção cruzando ortogonalmente a direção, na qual a quantidade de deformação deve ser medida) , e a fita de corte foi usada como um espécime. Para os espécimes assim obtidos, a deformação induzida pela temperatura em duas direções, a saber, MD e TD, foi medida usando uma máquina de teste de características termomecânicas (fabricada pela Rigaku Corp., nome comercial: TMA8310) por um método de carga sob as seguintes condições de medição. (Condições de medição) Temperatura de medição: -60°C a 100°C

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Taxa de aumento de temperatura: 5°C/min Carga de medição: 19,6 mN Atmosfera de gás: atmosfera de nitrogênio (100 ml/min) Amostragem: 0,5 s Distância entre mandris: 20 mm [00160] Então, a taxa de deformação térmica foi calculada pela seguinte fórmula (1), e os valores integrais calculados a partir dos totais das somas das taxas de deformação térmica na direção MD e na direção TD, respectivamente, por 1°C entre 40°C e 80°C foram determinados. A soma dos valores integrais foi calculada. Os resultados são apresentados nas Tabelas 1 e 2.

Taxa de deformação térmica TMA (%) = (Deslocamento no comprimento da amostra/comprimento da amostra antes da medição) X 100 (1) [Avaliação de capacidade de retenção da largura de corte] [00161] Para cada uma das fitas para processamento de semicondutores dos Exemplos e Exemplos Comparativos descritos acima, uma pastilha foi dividida em fragmentos, e a capacidade de retenção da largura de corte foi avaliada pelo método descrito abaixo.

[00162] As seguintes etapas foram realizadas:

(c) uma etapa de trituração posterior de triturar a

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71/79 superfície traseira da pastilha;

(d) uma etapa de laminar a camada adesiva da fita para processamento de semicondutores para a superfície traseira da pastilha num estado em que a pastilha foi aquecida a 70°C a 80°C;

(g) uma etapa de eliminar qualquer folga produzida na etapa de expansão de (f), aquecimento e retração das partes que não se sobreponham aos fragmentos na fita para processamento de semicondutores (regiões de formato anular formadas entre a estrutura do anel e a região onde existe um fragmento), e mantendo as distâncias entre os fragmentos; e (h) uma etapa de coletar os fragmentos tendo a camada adesiva aderida a eles a partir da camada adesiva temporária da fita para processamento de semicondutores.

[00163] Na etapa (d), a pastilha foi laminada para a fita para o processamento de semicondutores de tal forma que as linhas de divisão da pastilha conformaram-se à direção MD e à direção TD da película de substrato.

[00164] Na etapa (f), a expansão foi realizada com o DDS2300 fabricado pela Disco Corp., pressionando uma estrutura de anel para corte que foi laminada na fita para processamento de semicondutor, usando um anel de expansão do DDS2300 fabricado pela Disco Corp, e pressionando, assim, a parte que não se sobrepôs à pastilha na periferia exterior

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72/79 do local laminado com pastilha da fita para processamento de semicondutores, contra um elemento de empuxo de forma circular. Além disso, em relação às condições da etapa (f), a quantidade de expansão foi ajustada de modo a obter uma taxa de expansão de 300 mm/s e uma altura de expansão de 10 mm. Aqui, a quantidade de expansão refere-se à quantidade de mudança nas posições relativas entre a estrutura do anel e o membro de empuxo antes de pressionar para baixo e depois de pressionar para baixo. O tamanho do fragmento foi ajustado para 1X1 mm nas laterais.

[00165] Na etapa (g), a expansão foi realizada novamente sob as condições de uma taxa de expansão de 1 mm/s e uma altura de expansão de 10 mm à temperatura ambiente, e, em seguida, um tratamento de retração térmica foi realizada sob as seguintes condições. [Condições 1] Definir a temperatura do aquecedor: 220°C Quantidade de ar quente: 40 L/min Distância entre aquecedor e fita para processamento de semicondutores: 20 mm Velocidade de rotação do aquecedor: 7°C/s [Condições 2] Definir a temperatura do aquecedor: 220°C Quantidade de ar quente: 40 L/min Distância entre aquecedor e fita para processamento de semicondutores: 20 mm Velocidade de rotação do aquecedor: 5°/s [00166] Em relação às fitas para processamento de semicondutores dos Exemplos 1 a 8 e Exemplos Comparativos 1 a 6, imediatamente após a etapa (g), como mostrado na Fig.

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8, a largura de corte X entre os fragmentos não danificados 50a na direção MD da fita adesiva temporária, como mostrada na extremidade mais a direita da Fig. 8 e um fragmento vizinho a partir do centro na direção MD do fragmento 50a (largura de corte na direção MD) , e a largura de corte Y entre o fragmento 50a e um fragmento vizinho a partir do centro na direção TD do fragmento 50a (largura de corte na direção TD) são medidos. Da mesma forma, a largura do corte na direção MD e a largura do corte na direção TD também são medidas para um fragmento não danificado 50b na direção MD da fita adesiva temporária, como mostrada na extremidade mais a esquerda na Fig. 8. Além disso, a largura do corte na direção MD e a largura do corte na direção TD também são medidas para que os fragmentos não danificados 51 nas duas extremidades mais distantes na direção TD da fita adesiva temporária, e para um fragmento 52 posicionado no centro. O valor médio da largura do corte na direção MD nos cinco pontos acima mencionados e o valor médio da largura do corte na direção TD nos cinco pontos acima mencionados são calculados. Um menor entre o valor médio em cinco pontos da largura de corte na direção MD e o valor médio em cinco pontos na largura de corte na direção TD foi designado como largura mínima de corte. Uma fita com largura mínima de 7 pm ou maior sob ambas as condições 1 e as condições 2 da etapa (g) , descritas acima, foi considerada como um excelente produto e foi classificada como ®; uma fita tendo uma largura de corte mínima de 7 pm ou maior nas condições 2 foi considerada como um bom produto e foi classificada como O; uma fita tendo uma largura mínima de corte de 5 pm ou maior nas condições 2 foi considerada como um produto aceitável e

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74/79 foi classificada como Δ; e uma fita tendo uma largura de corte mínima menor do que 5 gm em ambas as condições 1 e condições 2, foi considerada como um produto defeituoso e foi classificada como X. Os resultados são apresentados nas Tabelas 1 e 2.

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75/79 [TABELA 1]

	Exemplo 1	Exemplo 2	Exemplo 3	Exemplo 4	Exemplo 5	Exemplo 6	Exemplo 7	Exemplo 8
Película de substrato	A	B	C	D	E	F	G	H
Espessura antes do processamento [μιη]	150	180	215	150	150	150	150	150
Espessura depois do processamento [μιη]	90	90	90	90	90	90	90	90
Total da soma das taxas de deformação térmica na direção MD	-48	-25	5	41	47	29	-303	-104
Total da soma das taxas de deformação térmica na direção TD	-310	-341	-356	-193	-138	-66	138	103
Soma do total da soma das taxas de	-358	-366	-351	-152	-91	-37	-165	-1

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deformação térmica nas direções MD e TD
Resultados da largura de corte do fragmento	®	®	®	O	Δ	Δ	O	Δ

[Tabela 2]

	Exemplo Comparativo 1	Exemplo Comparativo 2	Exemplo Comparativo 3	Exemplo Comparativo 4	Exemplo Comparativo 5	Exemplo Comparativo 6
Película de substrato	I	J	K	L	M	N
Espessura antes do processamento [μιη]	90	90	90	90	110	120
Espessura depois do processamento [μιη]	90	90	90	90	90	90
Total da soma das taxas de deformação térmica na direção	-59	0	14	31	-56	-54

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MD
Total da soma das taxas de deformação térmica na direção TD	142	107	39	32	103	55
Soma do total da soma das taxas de deformação térmica nas direções MD e TD	83	107	53	63	47	1
Resultados da largura de corte do fragmento	X	X	X	X	X	X

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78/79 [00167] Como mostrado na Tabela 1, com relação às fitas para processamento de semicondutores relacionadas aos Exemplos 1 a 8, a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD da fita adesiva temporária por 1°C entre 40°C e 80°C medida no momento de elevar a temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD por 1°C entre 40°C e 80°C medida no momento de elevar temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, foi um valor negativo e, portanto, os resultados com excelente capacidade de retenção de largura de corte foram obtidos. Desse modo, as camadas adesivas entrando em contato e sofrendo readesão poderíam ser suprimidas.

[00168] Entretanto, no que diz respeito às fitas para processamento de semicondutores relacionadas com os Exemplos Comparativos 1 a 6, como mostrado na Tabela 2, a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD da fita adesiva temporária por 1°C entre 40°C e 80°C medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD por 1°C entre 40°C e 80°C medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, não foi um valor negativo, e, portanto, os resultados com baixa capacidade de retenção de largura de corte foram obtidos.

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EXPLICAÇÕES DE LETRAS OU NUMERAIS

FITA PARA PROCESSAMENTO DE SEMICONDUTORES

PELÍCULA DE SUBSTRATO

CAMADA ADESIVA TEMPORÁRIA

CAMADA ADESIVA

MEMBRO DE EMPUXO

REGIÃO DE RETRAÇÃO POR CALOR

BOCAL DE AR QUENTE

Claims

REIVINDICAÇÕES

1. Fita para processamento de semicondutores, caracterizada por compreender uma fita adesiva temporária tendo uma película de substrato; e uma camada adesiva temporária formada em pelo menos um lado da superfície da película de substrato,na qual em relação à fita adesiva temporária, a soma do valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD por 1°C entre 40°C e 80°C medida no momento do aumento de temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor integral calculado a partir do total da soma dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD por 1°C entre 40°C e 80°C medida no momento de aumentar a temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, é um valor negativo e a fita para processamento de semicondutores é usada para processamento de semicondutores, incluindo um processo de expansão da expandir a fita adesiva temporária.
2. Fita para processamento de semicondutores, caracterizado pelo fato de compreender uma fita adesiva temporária com um filme de substrato e uma camada adesiva temporária formada em pelo menos um lado da superfície do filme de substrato, em que o filme de substrato é formado a partir de uma resina de ionômero ou uma composição de resina mista de polipropileno e copolímero de estireno butadieno e em relação à fita adesiva temporária, a soma do valor integral calculado a partir da soma total dos valores da taxa de deformação térmica na direção MD por 1 °C entre 40 °C e 80 °C medidos no momento da elevar a temperatura por meio de uma máquina de picada de características

Petição 870200041631, de 31/03/2020, pág. 89/91

2/2 termomecânicas e o valor integral calculado a partir da soma total dos valores da taxa de deformação térmica na direção TD por 1 °C entre 40 °C e 80 °C medidos no momento da elevação temperatura por meio de um equipamento de teste de características termomecânicas, é um valor neqativo.
3. Fita para processamento de semicondutor, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizada em que uma camada adesiva é laminada no lado da camada adesiva temporária.
4. Fita para o processamento de semicondutores, de acordo com as reivindicações 1 a 3, caracterizada em que a fita para processamento de semicondutores é usada para corte de lâminas com corte total e metade do corte, corte a laser ou corte invisível usando um laser.