BR112012007494A2 - dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações - Google Patents

Abstract

Dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações. Um dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações, incluindo: uma linha de transmissão (15) dos sinais de radiofreqüência; uma linha de referência de potencial con-figurada em um potencial de referência; um primeiro elemento condutor (22); uma primeira unidade de polarização (30, 34, 38; 46, 50), que polariza o primeiro elemento condutor (22) com uma primeira tensão de poIarização (Vmax); e uma pluralidade de primeiros comutadores controlados por tensão (26) conectados entre o primeiro elemento condutor (22) e a linha de transmissão (15).

Description

' Vv16 « Dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações.

CAMPO TÉCNICO A presente invenção se refere a um dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações.

FUNDAMENTO A figura 1 mostra um exemplo de um aparelho de radiocomunicação, no caso em questão um transceptor de rádio frequência 1, o qual no que se segue será abreviadamente referido como "transceptor 1º.

Em detalhe, o transceptor 1 compreende um estágio transmissor 2, e um estágio receptor 3, ambos os quais estão eletricamente conectados eletricamente a um estágio de comutação 4, o qual por sua vez é eletricamente conectado a uma antena 5, através da qual o transceptor 1 interfaceia com o mundo externo . O estágio de comutação 4 pode funcionar em uma primeira condição de - operação ou em uma segunda condição de operação, e pode ser controlado eletricamente. Em particular, na primeira condição de operação, o estágio de comutação . 4 acopla o estágio transmissor 2 na antena 5, e desacopla o estágio receptor 3 da antena

5. Em vez disso, na segundo condição de operação, o estágio de comutação 4 acoplo estágio receptor 3 na antena 5, e desacopla o estágio transmissor 2 da 5 antena.

Outros exemplos de aparelhos de radiocomunicação compreendem os receptores de rádio frequência, transmissores de rádio frequência e os transceptores full-duplex. Em particular, em comparação com o transceptor 1, os receptores de rádio frequência são desprovidos do estágio transmissor 2 e, portanto, . desprovidos também do estágio de comutação 4, Ao contrário, os transmissores de rádio frequência são desprovidos do estágio receptor 3, bem como desprovidos do estágio de comutação 4, enquanto que os transceptores full-duplex apresentam, em vez do estágio de comutação 4, um acoplador, ou então um circuito adicionador, de tal forma a habilitar a operação simultânea do estágio transmissor 2 e do estágio receptor 3. No que se segue, a referência geral será feita aos transceptores (não necessariamente o full- duplex), apesar da presente invenção encontrar uso também no caso de transmissores de rádio frequência e receptores de rádio frequência.

Mais uma vez com referência ao transceptor 1, de acordo com a condição de operação do estágio de comutação 4, a antena 5 emite os sinais eletromagnéticos vindos a partir do estágio transmissor 2, ou então recebe os sinais eletromagnéticos direcionados ao estágio receptor 3. Para este efeito, a antena 5 e, portanto, o transceptor 1 em si, são otimizados para operarem em uma dada banda de operação, ou seja, para transmitir e receber os sinais eletromagnéticos que apresentem frequências compreendidas na banda de operação.

Operacionalmente, a antena 5 habilita o transceptor 1 a

2/16 . receber e transmitir sinais úteis, ou seja, os sinais eletromagnéticos gerados por outros transceptores e direcionados ao transceptor 1, ou então, os sinais eletromagnéticos gerados pelo transceptor 1 e direcionados para outros transceptores. No entanto, através da antena 5, o transceptor 1 pode ser atingido por distúrbios de um tipo eletromagnético. Na prática, se o estágio transmissor 2, o estágio receptor 3 e o estágio de comutação 4 forem referidos como um todo, como "circuito a ser protegido", haverá uma conexão presente entre à antena 5 e o circuito a ser protegido, a qual é eletricamente equivalente a uma linha de transmissão e, tipicamente, compreende um trecho de cabo coaxial. Através de dita conexão, o distúrbio pode atingir e danificar o circuito a ser protegido.

A título de exemplo, no caso em que um raio atinja a antena 5, o transceptor 1 é atingido pelo distúrbio que apresenta uma duração limitada (alguns micro segundos), mas uma grande amplitude e uma frequência compreendida entre 1 MHz e 30 MHz, o que pode queimar o estágio transmissor 2 e o estágio receptor 3, este . último sendo tipicamente o elemento mais delicado do transceptor 1 inteiro. Da mesma forma, mesmo na ausência do distúrbio . apropriado, o transceptor 1 pode ser danificado no caso em que a antena 5 receba sinais eletromagnéticos emitidos por uma pluralidade de antenas externas que operem nas ' respectivas bandas de operação ao menos parcialmente sobrepostas à banda de operação do transceptor 1 . De fato, nas ditas condições, é possível que, apesar de cada um dos sinais eletromagnéticos recebidos pelo transceptor 1 não apresentar por si só uma potência suficiente para causar danos, a potência global associada aos sinais eletromagnéticos é tal que causa, com o passar do tempo, danos ao transceptor 1 devido . ao excesso de temperatura. A fim de proteger o transceptor 1, são conhecidos na arte os . 25 sistemas de proteção eletrônicos, que são geralmente instalados entre a antena 5e o estágio de comutação 4. Alternativamente, no caso de transmissores de rádio frequência ou então de receptores de rádio frequência, os sistemas de proteção eletrônicos são instalados, respectivamente, entre a antena e o estágio transmissor, ou então entre a antena e o estágio receptor.

Novamente a título de exemplo, o pedido de patente No. US2005/0063129 descreve um circuito de proteção contra a eletricidade estática para um dispositivo de alta frequência apresentando um terminal de sinal projetado para receber um sinal de alta frequência e um sinal de corrente contínua (DC). Em particular, o circuito de proteção compreende um elemento de corte de alta frequência, que apresenta um primeiro terminal conectado ao terminal de sinal, e um diodo de Schottky, o anodo do qual é conectado ao terra e o catodo do qual é conectado a um segundo terminal do elemento de corte de alta frequência.

Novamente a título de exemplo, o pedido de patente No.

WO02008/091254 descreve um circuito de proteção de um módulo de translação de frequência, que compreende uma primeira trajetória de sinal, que é definida entre uma linha de transmissão e um primeiro potencial de referência e tem a função de conduzir as sobre tensões negativas que são geradas entre a linha de transmissão e o primeiro potencial de referência. A primeira trajetória de sinal compreende um primeiro diodo e um primeiro diodo de corte; em adição, um segundo potencial de referência é acoplado a uma junção do primeiro diodo e do primeiro diodo de corte. Ademais, o circuito de proteção compreende uma segunda trajetória de sinal, definida entre a linha de transmissão e o primeiro potencial de referência, a segunda trajetória do sinal compreende um segundo diodo e um segundo diodo de corte e desempenha a função de conduzir as sobre tensões positivas que são geradas entre a linha de transmissão e o primeiro potencial de referência. Um segundo potencial de referência é acoplado a uma junção do segundo diodo e do segundo diodo de corte. . Em geral, de acordo com a banda de operação do transceptor 1, dois tipos diferentes de sistemas eletrônicos de proteção são disponíveis.

' Em particular, no caso em que a banda de operação pertença à banda chamada de ultra alta frequência (UHF), ou seja, maior do que centenas de megahertz, são utilizados os sistemas eletrônicos de proteção para transceptores que operem na banda de UHF, o que doravante será referido como "sistemas de proteção UHF".

Tipicamente, os sistemas de proteção UHF prevêem a presença de um toco de linha (stub). Por exemplo, novamente com referência ao | . transceptor 1, o toco de linha é inserido ao longo da conexão entre a antena 5 e o circuito | a ser protegido. A título de exemplo, no caso em que a conexão acima mencionada seja formada por um trecho de cabo coaxial, o toco de linha se afasta do cabo coaxial.

Em maior detalhe, o toco de linha é fechado na direção do terra por meio de um curto circuito, e apresenta um comprimento igual a N4, na qual à é um comprimento de onda projetado, tipicamente igual ao comprimento de onda que corresponde a uma frequência de banda central, a qual é localizada no centro da banda 3o de operação do transceptor 1.

Operacionalmente, na frequência de banda central, o toco de linha é eletricamente equivalente a um circuito aberto; portanto, permite a passagem de sinais eletromagnéticos a partir da antena 5 para o circuito a ser protegido. Em vez disso, nas frequências progressivamente mais baixas do que a frequência de banda central, o toco de linha progressivamente se assemelha a um curto circuito, de tal forma que os componentes espectrais de alta frequência (HF) do distúrbio, que geralmente têm amplitudes maiores do que os componentes de maiores frequências, são em colocados em curto circuito para o terra, sem atingir o circuito a ser protegido.

Na prática, os sistemas de proteção UHF são baseados no fato de que os sinais eletromagnéticos úteis e o distúrbio apresentam frequências diferentes. De fato, o toco de linha se comporta como um filtro passa banda, em ressonância com a alta impedância da frequência de banda central, e filtrando os componentes espectrais do distúrbio que apresentem frequências menores do que a banda de operação. Em adição, os sistemas de proteção UHF não necessitam de componentes eletrônicos de potência, ou seja, aqueles capazes de dissipar potências elevadas, devido ao fato das antenas dos transceptores, na medida em que são otimizadas para a banda UHF, realizam uma rejeição parcial dos componentes espectrais de HF do distúrbio.

No caso em que a banda de operação pertença a assim chamada banda HF, ou seja, que não exceda as centenas de megahertz, os sistemas eletrônicos de proteção são utilizados formados por componentes eletrônicos de - potência, que serão referidos a seguir como "sistemas de proteção HF", Em particular, os sistemas de proteção HF tipicamente usam ' diodos de potência, que são eletricamente dispostos de tal modo a funcionar como shunts em relação ao circuito a ser protegido. Novamente com referência ao transceptor 1, os diodos de potência acima mencionados são conectados na antena 5 e no circuito a ser protegido, de tal modo a realizar o corte dos sinais eletromagnéticos que passem na conexão entre a antena 5 e o circuito a ser protegido. Em outras palavras, os diodos de potência são conectados de tal forma que, se a tensão de entrada do circuito a ser protegido tender a exceder um limite de tensão, e, portanto, o circuito a ser protegido . tende a absorver uma corrente maior do que uma corrente máxima permitida, eles cortam esta tensão de entrada para a tensão limite, e absorvem a corrente que exceder a - 25 corrente máxima permitida, transmitindo-a para o terra.

Ao contrário dos sistemas de proteção UHF, no caso dos sistemas de proteção HF, é necessária a presença de componentes eletrônicos de potência. De fato, as antenas dos aparelhos de radiocomunicações, para os quais os sistemas de proteção HF são concebidos, são otimizadas para a banda HF e, portanto, não realizam qualquer filtragem dos componentes espectrais de HF do distúrbio. Os sistemas de proteção HF devem, portanto, serem capazes de dissipar as potências elevadas.

Os sistemas de proteção UHF e os sistemas de proteção HF descritos — anteriormente permitem uma proteção eficaz dos aparelhos de radiocomunicações que apresentam bandas operacionais compreendidas na banda UHF e banda HF, respectivamente; no entanto, eles apresentam alguns inconvenientes.

Em particular, os sistemas de proteção UHF operam eficazmente no caso de aparelhos de radiocomunicações de bandas de operação que,

além de pertencerem à banda UHF, apresentam larguras de banda da ordem de uma oitava. Em vez disso, no caso de bandas de operação maiores do que uma oitava, a utilização de sistemas de proteção UHF implica em uma deterioração do desempenho, uma vez que os tocos de linha não mais se comportam como circuitos abertos nas frequências dos sinais úteis. Em adição, os sistemas de proteção UHF não garantem proteção no que diz respeito ao distúrbio na banda UHF.

Por outro lado, os componentes eletrônicos de potência utilizados nos sistemas de proteção HF em geral introduzem contribuições capacitivas de tal forma que não é possível aplicar os sistemas de proteção HF quando as bandas de operação pertencem à banda UHF.

No passado, os inconvenientes acima mencionados tinham uma importância limitada, uma vez que, tradicionalmente, cada aparelho de radiocomunicações era concebido para funcionar na respectiva banda de operação, esta . banda de operação em geral apresentando uma amplitude limitada. Consequentemente, foi possível associar para cada aparelho de radiocomunicações um respectivo sistema de ' proteção, alternativamente, de um tipo HF ou UHF, de acordo com a banda de operação do aparelho de radiocomunicações em si. No entanto, hoje em dia os aparelhos de radiocomunicações apresentam bandas de operação cada vez mais amplas.

A título de exemplo, são conhecido da arte os chamados "Sistema de Rádio Definido por Software (Software-Defined Radio System SDR)", que apresenta bandas de operação muito largas. Em particular, se definirmos fmin e fmax como limite inferior e limite superior da banda de operação de um sistema SDR genérico, . fmax pode ser ainda três ordens de magnitude maior do que fmin. Consequentemente, os sistemas de proteção de um tipo conhecido não garantem, individualmente, uma proteção . 25 eficaz dos sistemas SDR.

Na presença de bandas de operação que se estendam tanto na banda HF como na banda UHF, é portanto conveniente utilizar tanto os sistemas de proteção HF como os sistemas de proteção UHF. Para este propósito, é, no entanto, necessário recorrer a um ou mais comutadores, por exemplo, formados por relês de potência. Estes interruptores realizam a função de conectar ao aparelho de radiocomunicações de forma alternada os sistemas de proteção HF ou então os sistemas de proteção UHF, de acordo com uma frequência de operação efetivamente utilizada pelo aparelho de radiocomunicação. Isso implica em um inevitável aumento da complexidade dos sistemas de proteção.

DESCRIÇÃO DA INVENÇÃO O objetivo da presente invenção é fornecer um dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações que irá superar, ao menos em parte, os inconvenientes da arte conhecida.

De acordo com a presente invenção, são fornecidos um dispositivo de proteção e um aparelho de radiocomunicações, tal como definido respectivamente nas reivindicações 1 e 16.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS Para uma melhor compreensão da invenção, as formas de realização da mesma serão descritas agora, apenas a título de exemplo não limitativo e com referência aos desenhos anexos, nos quais: — afigura 1 ilustra um diagrama de blocos de um transceptor de rádio frequência de um tipo conhecido; — afigura 2 ilustra um diagrama de circuito de um dispositivo de proteção de acordo com a presente invenção; — afigura3 ilustra uma secção transversal de uma micro tira; — afigura 4 ilustra um circuito elétrico equivalente de um dispositivo de proteção de - acordo com a presente invenção; —- afiguraSilustra um gráfico de Smith; ' — afigura 6 ilustra um diagrama de circuito de um dispositivo de proteção adicional de acordo com a presente invenção; e — afigura7 ilustra um diagrama de blocos de um aparelho de radiocomunicações.

MELHOR MODO PARA REALIZAR A INVENÇÃO A figura 2 ilustra um dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações, que é designado como um todo por 10 e que será doravante referido como "dispositivo de proteção 10”, . O dispositivo de proteção 10 compreende um terminal de entrada 12 e terminal de saída 14, conectado entre os quais está um micro tira 15, que é formada, conforme é conhecido, por um plano terra 17 (figura 3) e por uma tira de material condutor, que é designada por 16 e que será doravante referida como “caminho 16".

Em particular, o caminho 16 apresenta uma largura w, e é separado do plano terra 17 por uma camada dielétrica 13 que apresenta uma espessura Ss. A razão entre w/s pode ser menor do que um.

No detalhe, o caminho 16 está em um plano e define uma serpentina que apresenta um passo p. Na prática, se definirmos um eixo longitudinal H ao longo do qual a serpentina se desenvolva, o caminho 16 apresenta a forma de uma porção da senoide com amplitude igual a uma distância d, e um período igual ao passo p e, em adição, o caminho 16 define um número n de pontos de máxima 18 e um número n igual de pontos de mínima 20. Estes pontos de máxima e mínima 18, 20 são todos a uma distância d do eixo longitudinal H, mas são dispostos nos lados opostos em relação ao eixo longitudinal H em si. Ademais, ambos os terminais de entrada 12 e terminal de saída

14 ficam ao longo do eixo longitudinal H, dispostos separados por um comprimento LMAX.

O dispositivo de proteção 10 compreende ainda uma primeira tira de material condutor e uma segunda tira de material condutor, que são designadas, respectivamente, por 22 e 24, e que se estendem, respectivamente, entre um primeiro terminal 23a e um segundo terminal 23b, e entre um terceiro terminal 25a e um quarto terminal 25b. Pelas razões descritas abaixo, deste ponto em diante as primeira e segunda tiras de material condutor 22, 24 serão referidas como terra virtual positivo 22 e terra virtual negativo 24.

No detalhe, o terra virtual positivo 22 e o terra virtual negativo 24 ficam no mesmo plano em que o caminho 16 se encontra, e estão dispostos paralelamente em relação ao eixo longitudinal H. Em adição, o terra virtual positivo de 22 6 0 o terra virtual negativo 24 são ambos a uma distância D a partir do eixo longitudinal H, . e são dispostos nos lados opostos em relação ao eixo longitudinal H. Em particular, o terra virtual positivo 22 é disposto no mesmo lado em que estão localizados os pontos de ' máxima 18, enquanto que o terra virtual negativo 24 é disposto no mesmo lado em que estão localizados os pontos de minima 20. EM adição, a distância D é maior do que a distância d, de tal forma que o terra virtual positivo 22 e o terra virtual negativo 24 não ficam em contato ôhmico com o caminho 16, que é de fato compreendido entre o terra O) virtual positivo 22 e o terra virtual negativo 24.

O dispositivo de proteção 10 compreende ainda uma pluralidade de primeiros diodos 26 e uma pluralidade segundos diodos 28. Em particular, . no exemplo mostrado na figura 2, o dispositivo de proteção 10 compreende n primeiros diodos 26 e n segundos diodos 28, ambos os primeiros diodos 26 e os segundos diodos .25 28 sendo, por exemplo, diodos Schottky. Em maior detalhe, cada um dos primeiros diodos 26 . apresenta o anodo conectado a um respectivo ponto correspondente da máxima 18 do caminho 16, enquanto o respectivo catodo é conectado ao o terra virtual positivo 22. Em adição, cada um dos segundos diodos 28 apresenta o seu anodo conectado ao respectivo o terra virtual negativo 24, enquanto o respectivo catodo é conectado a um correspondente ponto da mínima 20.

Na prática, o caminho 16 é formado por uma sucessão de porções de caminho, que serão referidos deste ponto em diante como "porções de conexão 29". Cada porção de conexão 29 conecta um respectivo par de diodos formados por um primeiro diodo 26 e por um segundo diodo 28 adjacente um ao outro, ou seja, conectado entre um ponto de máxima 18 e um consecutivo ponto de minima 20 ao longo do caminho 16. As porções de conexão 29 apresentam um e o mesmo comprimento L; consequentemente, os diodos de qualquer par dos primeiros diodos 26 adjacentes um ao outro são dispostos a uma distância 2L, assim como também os diodos de qualquer par de segundos diodos 28 adjacentes um ao outro.

O dispositivo de proteção 10 compreende ainda um primeiro gerador de tensão 30 e um segundo gerador de tensão 32, e um primeiro resistor de pull- up 34 e um segundo resistor de pull-up 36.

No detalhe, o pólo negativo do primeiro gerador de tensão 30 é conectado ao terra, enquanto que o pólo positivo é conectado a um primeiro nó do primeiro resistor de pull-up 34, o segundo nó do primeiro resistor de pull-up 34 sendo conectado ao primeiro terminal 23a. Ao contrário, o pólo positivo do segundo gerador de tensão 32 é conectado ao terra, enquanto que o pólo negativo é conectado a um primeiro nó do segundo resistor de pull-up 36, o segundo nó do segundo resistor de pull-up 36 sendo conectado ao terceiro terminal 25a.

O dispositivo de proteção 10 compreende ainda um primeiro . diodo supressor de transiente de tensão e um segundo diodo supressor de transiente de tensão, que são também conhecidos como “transorbs" e são designados por 38 e 40, 1 respectivamente.

Em maior detalhe, os primeiro e segundo transorbs 38, 40 são ambos de um tipo unidirecional, ou seja, eles se comportam eletricamente como diodos Zener capazes de conduzir altas correntes. Em particular, o catodo do primeiro transorb 38 está conectado ao segundo terminal 23b, enquanto que o anodo do primeiro transorb 38 é conectado ao terra. Ao contrário, em relação ao segundo transorb 40, o anodo é conectado ao quarto terminal 25b, enquanto o catodo é conectado ao terra.

. O dispositivo de proteção 10 compreende ainda uma pluralidade de primeiros capacitores de referência 42 e uma pluralidade de segundos capacitores de referência 44. Em particular, no exemplo ilustrado na figura 2, o dispositivo de proteção 10 compreende n primeiros capacitores de referência 42 e n segundos capacitores de referência 44, de tal forma que com relação a cada um entre os primeiros capacitores de referência 42 um se encontra entre os primeiros diodos 26, e com relação a cada um dentre os segundos capacitores referência 44 um se encontra entre os segundos diodos 28.

Em maior detalhe, cada um dos primeiros capacitores de referência 42 é conectado entre o terra e um ponto correspondente do terra virtual positivo 22. Em particular, cada um dos primeiros capacitores de referência 42 é conectado ao terra virtual positivo 22 na proximidade do ponto em que o catodo do primeiro diodo 26 correspondente é conectado ao terra virtual positivo 22 em si. Da mesma forma, cada um dos segundos capacitores de referência 44 é conectado entre o terra e um ponto do terra virtual negativo 24 correspondente. Em particular, cada um dos segundos capacitores de referência 44 é conectado ao terra virtual negativo 24 na

| 916 proximidade do ponto em que o anodo do segundo diodo 28 correspondente é conectado ao terra virtual negativo 24 em si, A fim de evitar as ressonâncias parasitas entre cada um dos primeiro e segundo capacitores de referência 42, 44 e o terra, pode ser conectado um ' 5 respectivo resistor (não mostrado) que apresente uma resistência compreendida entre : 0,50 e 1,0. Alternativamente, é possível utilizar como os primeiro e segundo capacitores de referência 42, 44 que apresentem um fator de qualidade Q menor do que 200. | Operacionalmente, o dispositivo de proteção 10 pode ser conectado entre uma antena e um circuito genérico a ser protegido de um aparelho de radiocomunicações. Por exemplo, o terminal de entrada 12 pode ser conectado, por meio de uma primeira linha de transmissão T,., na antena, enquanto que o terminal de saída 14 pode ser conectado, por meio de uma segunda linha de transmissão Tou, no circuito a ser protegido (ou vice-versa). As primeira e segunda linhas de transmissão T,, Tou podem ter - uma e a mesma impedância característica, por exemplo 50 O, que será referida a partir daqui como “impedância característica de conexão Z,”. Consequentemente, a micro tira ' 15 e, em particular o caminho 16, funcionam como conexão entre a antena e os circuitos a serem protegidos.

No detalhe, o primeiro gerador de tensão 30 e o primeiro transorb 38 polariza o terra virtual positivo 22 a uma tensão máxima Vmax, enquanto que o segundo gerador de tensão 32 e o segundo 40 transorb polariza o terra virtual negativo 24 a uma tensão mínima Vmin. Em particular, assumindo que os primeiro e segundo transorbs 38, 40 apresentam uma e a mesma primeira tensão de condução Vbl (também . conhecida como tensão de ruptura e entendida como tensão entre anodo e catodo, que é portanto, positiva), e que os primeiro e segundo geradores de tensão 30, 32 geram tensões superiores em magnítude do que a Vbl, temos Vmax = Vbl e Vmin =-Vbl. Ao contrário, o caminho 16 apresenta zero volts.

Isto resulta em que, se a tensão de um ponto genérico do caminho 16 exceder a Vmax, por exemplo, em virtude de um distúrbio eletromagnético, ou então, devido a antena receber sinais de alta potência, os primeiros diodos 26 entram em condução e são atravessados pelas respectivas correntes; em adição, uma corrente como um todo igual à soma das correntes que atravessa os primeiros diodos 26 é colocada em curto circuito com o terra através do primeiro transorb 38.

Da mesma forma, se a tensão de um ponto genérico do | caminho 16 for menor (em magnitude e sinal) do que Vmin, os segundos diodos 28 ! 35 entrarão em condução e serão atravessados pelas respectivas correntes; em adição, | uma corrente como um todo igual à soma das correntes que atravessam os segundos ; diodos 28 será colocada em curto circuito com o terra através dos segundos transorb 40, Na prática, se em geral designarmos como "sinal de RF" |

' qualquer sinal eletromagnético que siga o caminho 16, acontecerá que, sempre que a . tensão do sinal de RF exceder em magnitude a primeira tensão de condução Vb1, o caminho 16 será colocado em curto circuito com o terra, em alternativa, através dos . primeiros diodos 26 ou através dos segundos diodos 28. Em vez disso, no caso em que a tensão do sinal de RF não exceda em magnitude a primeira tensão de condução Vb1, tanto os primeiros diodos 26 como os segundos diodos 28 serão inversamente polarizados.

Em uso, cada diodo dos primeiro e segundo diodos 26, 28 pode resistir a uma corrente máxima de diodo Id-max. Além disso, o dispositivo de | 10 proteção 10 pode ser feito de tal forma a ter dimensões negligenciáveis em relação ao comprimento de onda dos componentes espectrais mais significativos do distúrbio, que são tipicamente negligenciáveis para frequências maiores do que 60 MHz; de fato, o comprimento LMAX pode ser menor do que 4 ou 5 cm. Consequentemente, é correto - assumir que, do ponto de vista do distúrbio, os primeiros diodos 26 assim como os segunda diodos 28 operam em paralelo. Assim, o dispositivo de proteção 10 é capaz de ' colocar em curto circuito para o terra uma corrente igual a n-Id-max, portanto, dissipando uma potência igual a n-VyId-max, na qual V, é a tensão de limiar dos primeiro e segundo diodos 26, 28. Conforme aumente ou diminua o número de primeiro e segundo diodos 26, 28, a potência que o dispositivo de proteção 10 será capaz de dissipar proporcionalmente aumentará ou diminuirá. Além disso, no caso em que o distúrbio seja de um tipo não repetitivo, ou seja, apresentando uma duração de menor do que 2 us e um período não menor do que 10 s, os primeiro e segundo diodos 26, 28 poderão suportar correntes até . 10 vezes maior do que a corrente máxima do diodo Id-max, portanto, permitindo, para esse tipo de distúrbio, colocar em curto circuito com o terra uma corrente até dez vezes -25 maior do que n-Id-max.

Conforme mencionado anteriormente, ambos os primeiros diodos 26 e os segundos diodos 28 podem ser diodos Schottky, que são caracterizadas por uma elevada corrente máxima de diodo Id-max, uma baixa tensão de limiar Vy, uma alta velocidade de disparo, e além disso, uma baixa capacitância parasita Cd (menor do que 0,5 pF).

Independentemente do tipo de diodo, a capacitância parasita Cd inevitavelmente introduzida pelos primeiro e segundo diodos 26, 28 é compensada de forma distribuída pelo caminho 16 de modo a permitir a utilização do dispositivo de proteção 10 também ao longo da banda UHF.

3s A figura 4 ilustra um equivalente (ideal) do circuito elétrico para o caminho 16 e para os primeiro e segundo diodos 26, 28. Em particular, pode ser notado como cada porção de conexão 29 introduz uma indutância L. Pode, além disso, ser notado como o caminho 16 é conectado ao terminal de entrada 12 e ao terminal de saída 14 por meio de uma primeira porção de conexão e uma segunda porção de conexão, cada uma apresentando um comprimento igual a 1/2, de tal forma a introduzir, cada um deles, uma indutância igual a U2. Na prática, a capacitância parasita Cd dos primeiro e segundo diodos 26, 28 é compensada de forma distribuída pela indutância associada à micro tira 15, e em particular ao caminho 16, de tal forma que, durante a propagação ao longo da micro tira 15, o sinal de RF não sofre qualquer alteração, não obstante a presença dos primeiro e segundo diodos 26, 28. Em outras palavras, se o sinal de RF for tal que a tensão no caminho 16 fique compreendida entre Vmin e Vmax, para uma primeira aproximação, se propaga ao longo do caminho 16, como se a micro tira 15 fosse ideal, ou seja, como se os primeiro e segundo diodos 26, 28 estivessem ausentes, Além disso, do ponto de vista do sinal de RF, ambos os primeiros capacitores de referência 42 e os segundos capacitores de referência 44 . executam a função de fornecer aos primeiros diodos 26 e aos segundo os diodos 28, respectivamente, uma referência de terra.

Em outras palavras, a partir do ponto de vista : do sinal de RF que flui ao longo do caminho 16, cada capacitância parasita Cd é disposta em série com um primeiro capacitor de referência 42 correspondente ou segundo capacitor de referência 44. Usando os primeiro e segundo capacitores de referência 42, 44 apresentando capacitâncias maiores que ao menos uma ordem de magnitude do que a capacitância parasita Cd dos primeiro e segundo diodos 26, 28, obtém-se que, para o sinal de RF, cada um dos acima mencionados pontos de máxima 18 e pontos de mínima 20 é conectado ao terra através de um capacitor equivalente, que apresenta uma . capacitância aproximadamente igual à capacitância parasita Cd.

Puramente a título de exemplo, assumindo que a capacitância Cd seja aproximadamente igual a 0,5 pF, cada um dos primeiro e segundo capacitores de referência 42, 44 pode ter uma capacitância compreendida entre 10 pF e 100 pF.

Mais uma vez a um nível de projeto, a largura w do caminho 16, a sua espessura s e o material da camada dielétrica 13 podem ser escolhidos de tal forma que a micro tira 15 apresente uma impedância característica Zºe maior do que ou E) igual a duas vezes a impedância característica Zº de conexão, Por exemplo, se Z9 = 50 N, é possível definir Zº = 125 O.

Desta forma, cada porção de conexão 29 se aproxima a um indutor de uma forma quase ideal.

Além disso, a fim de compensar as capacitâncias parasitas Cd introduzidas pelos primeiro e segundo diodos 26, 28, ou seja, evitar que as reatâncias introduzidas por eles causem um afastamento progressivo Z, da impedância do caminho 16, a indutância L pode ser escolhida com base na seguinte relação: 1 o A“ na "ÓB Ge él wa nn ó nn nn Nu nn EI. EE---rrrIA”MÍ»|» PÊ5)-— *WMA A ôúU”Íi SSÊoA RPA ôÊueuââlíASAÊ!NRjh!A ºAÉ PP PÓ PASPASSSSSSSS NO o RR 12/16 . 12 Xe Xh TF max 01) Na qual Fax; é uma frequência máxima a que a utilização do dispositivo de proteção 10 é prevista, e Xc5o é a reatância introduzida por um único primeiro diodo 26 ou segundo diodo 28 na dita frequência máxima Fux, conforme a seguir: 1 XÁ 1y E =J——— “SP IREXC, (2) Como uma função da indutância L é então possível determinar, de um modo em si conhecido, as características geométricas da serpentina definida pelo caminho 16 e, em particular, o comprimento | das porções de conexão 29, . Por exemplo, para uma primeira aproximação do comprimento |, pode ser determinada lembrando que a micro tira 15 introduz uma indutância de aproximadamente 1 nH para ' cada milímetro de comprimento, ou então recorrendo a simuladores de circuitos de microondas prontamente disponíveis.

Além disso, é possível mostrar que, se as relações (1) e (2) forem respeitadas, na frequência máxima Fmax a impedância do caminho 16 será tal que, procedendo a partir do terminal de entrada 12 para o terminal de saída 14, imediatamente antes de cada primeiro diodo 26 ou segundo diodo 28, existirá uma impedância Za, enquanto que, imediatamente após cada primeiro diodo 26 ou segundo . diodo 28, existirá uma impedância Zb. Além disso, as relações aplicadas Z, = Zo + jX,, Zy = Zo+jX,, na qual X, = -X, = j2TFuaxL.

"25 Na prática, se Z 2 27,6, a impedância de qualquer ponto do caminho 16 é compreendida entre Z, e Z,, e em particular fica em um primeiro arco de circunferência S1 ou em um arco segundo de circunferência S2 de um gráfico de Smith, conforme mostrado na figura 5, onde é assumido que Z.= 50 N.

Em particular, tanto o primeiro arco de circunferência S1 como o segundo arco de circunferência S2 apresentam como extremos as impedâncias (normalizada em relação ao Z,5) Za e Zb; além disso, o primeiro arco de circunferência S1 pertence a uma circunferência que passa através do ponto de impedância infinita e através do ponto de impedância de unidade normalizada, enquanto que o segundo arco de circunferência S2 pertence à uma circunferência que passa através do ponto de impedância zero e através dos pontos (normalizados) de impedância Za e Zb. Em outras palavras, dada uma mesma indutância L, o comprimento |, e portanto o comprimento Luax do dispositivo de proteção 10, é minimizado em relação ao caso em que a micro tira 15 apresente uma impedância característica Z- < 27,.

Ao contrário, no que diz respeito à perda de retorno (RL) provocada pelo dispositivo de proteção 10, ela é dada por: RL =10- Los 222) ; Z,+Z, (3) Consequentemente, é possível escolher o número n de primeiro e segundo diodos 26, 28 como uma função da potência que se deseja dissipar através do dispositivo de proteção 10 e de uma perda de retorno máxima.

A forma de realização mostrada na figura 2 pode ser vantajosamente aplicada em receptores e transmissores de rádio frequência, ou seja, em aparelhos de radiocomunicações tais que o circuito a ser protegido compreenda, em alternativa, um estágio receptor ou um estágio transmissor. De fato, em geral o estágio - transmissor transmite sinais de alta potência para a antena; consequentemente, a tensão máxima Vmax e a tensão mínima Vmin deverão vantajosamente apresentar uma ' magnitude alta para prevenir o dispositivo de proteção 10 do corte desses sinais de alta potência, Em vez disso, em uso, o estágio receptor recebe a partir da antena sinais baixa potência, de tal forma que a tensão máxima Vmax e a tensão mínima Vmin podem apresentar uma magnitude reduzida de tal forma a otimizar a proteção conferida pelo dispositivo de proteção 10, sem em qualquer caso cortar os ditos sinais de baixa potência.

Puramente a título de exemplo, no caso em que o circuito a - ser protegido compreenda apenas um estágio transmissor, a primeira tensão de condução Vs, pode ser igual a 30 V. Além disso, os primeiro e segundo geradores de "25 tensão 30, 32 podem ambos fornecer uma tensão igual a 33 V. Finalmente, os primeiro e segundo resistores de pull-up 34, 36 podem apresentar uma resistência igual a 10 KO.

No caso de aparelhos de radiocomunicações que compreendem tanto o estágio receptor como o estágio transmissor, é possível utilizar o modo de realização mostrado na figura 6.

Em particular, o dispositivo de proteção 10 compreende um terceiro transorb 46 e um quarto transorb 48. Além disso, o dispositivo de proteção 10 compreende um primeiro transistor 50 e um segundo transistor 52, um terminal de controle TX/RX e um inversor lógico 54.

No detalhe, os terceiro e quarto transorbs 46, 48 são ambos de um tipo unidirecional; portanto, eles também se comportam eletricamente como diodos Zener, como os primeiro e segundo transorbs 38, 40. Em adição, os terceiro e quarto transorbs 46, 48 são os mesmos do outro, e apresentam uma e a mesma segunda tensão de condução Vb2, diferente da primeira tensão de condução Vb1. A esse respeito,

ao contrário, os primeiro e segundo transistores 50, 52, ambos desempenham a função de comutadores. Em adição, o primeiro transistor 50 é um MOSFET canal N, enquanto que o segundo transistor 52 é um MOSFET canal P.

Em maior detalhe, o terceiro transorb 46 tem o seu catodo conectado ao segundo terminal 23b e o seu anodo conectado a um primeiro terminal de condução (a distinção entre o terminal da fonte e o terminal de dreno não é importante para os propósitos da presente invenção) do primeiro transistor 50. Em adição, um segundo terminal de condução do primeiro transistor 50 e um terminal bu/k do primeiro transistor 50 são conectados ao terra, enquanto que o terminal gate do transistor primeiro 50 é conectado ao terminal de controle TX/RX.

O quarto transorb 48 tem o seu anodo conectado ao quarto terminal 25b e o seu catodo conectado a um primeiro terminal de condução do segundo transistor 52. Em adição, um segundo terminal de condução do segundo transistor 52 e - um terminal bulk do segundo transistor 52 são conectados ao terra, enquanto que o “as terminal gate do segundo transistor 52 é conectado a um terminal de saída do inversor ' lógico 54, o terminal de entrada do qual é conectado ao terminal de controle TX/RX.

Operacionalmente, a tensão máxima Vmax e a tensão mínima Vmin para as quais o terra virtual positivo 22 e o terra virtual negativo 24 são polarizados, e em particular, a magnitude da voltagem máxima Vmax e a tensão mínima Vmin, são controladas por meio do terminal de controle TX/RX, conforme descrito em maior detalhe a seguir, onde é assumido, a título de exemplo, que a segunda tensão de condução Vb2 é menor do que a primeira tensão de condução Vb1.

. No detalhe, quando o terminal de controle TX/RX assume um valor lógico "0", ou seja, um valor de tensão de tal que o primeiro transistor 50 fique em um estado de inibição, também o segundo transistor 52 será inibido, em virtude do inversor lógico 54. Consequentemente, o primeiro transorb 38 é conectado ao terra, enquanto que o terceiro transorb 46 é flutuante. Isso resulta em que a tensão máxima Vmax para o terra virtual positivo de 22 é igual à primeira tensão de condução Vb1. EM adição, o segundo transorb 46 é conectado ao terra, enquanto que o quarto transorb 48 é flutuante. Consequentemente, a tensão mínima Vmin do terra virtual negativo 24 é igual a Vb1.

Ao contrário, quando o terminal de controle TX/RX assume um valor lógico "1", ou seja, um valor de tensão tal que o primeiro transistor 50 fica em estado de condução, também o segundo transistor 52 ficará em condução, em virtude do inversor lógico 54.

Consequentemente, ambas os primeiro e terceiro transorbs 38, 46 são conectados ao terra, da mesma forma os segundo e quarto transorbs 40, 48. Isto resulta em que a tensão máxima Vmax para o terra virtual positivo 22 é igual à menor tensão entre a primeira e a segunda tensões de condução Vb1, Vb2; no caso em questão, com base nos pressupostos anteriores, a tensão máxima Vmax é igual à segunda tensão de condução Vb2. Da mesma forma, a tensão mínima Vmin do terra virtual negativo 24 é igual, em magnitude, à menor tensão entre as primeira e segunda tensões de condução Vb1, Vb2a; no caso em questão, com base nos pressupostos anteriores, a tensão mínima Vmin é igual a -Vb2. Na prática, no caso de aparelhos de radiocomunicações fornecido com ambos os estágio transmissor e estágio receptor, é possível conectar o forma de realização mostrada na figura 6 na maneira representada na figura 7.

Em particular, a figura 7 mostra um aparelho de radiocomunicações 60, que compreende a antena 5, o estágio transmissor 2, o estágio receptor 3 e o estágio de comutação 4. Além disso, o aparelho de radiocomunicações 60 compreende o dispositivo de proteção 10 da forma de realização ilustrada na figura 6, - que é conectada entre a antena 5 e o estágio de comutação 4.

“as Operacionalmente, assumindo mais uma vez que Vb2 <Vb1, ' quando o estágio de comutação 4 conectar o estágio transmissor 2 na antena 5, é possível ajustar no terminal de controle TX/RX o valor lógico "0", de tal forma que o dispositivo de proteção 10 entre em ação apenas para as tensões mais elevadas, em magnitude, do que Vb1. Em vez disso, quando o estágio de comutação 4 conectar o estágio receptor 3 na antena 5, é possível ajustar no terminal de controle TX/RX o valor lógico "1", de tal forma que o dispositivo de proteção 10 entre em ação para tensões mais elevadas, em magnitude, do que Vb2. Desta forma, é possível adaptar o disposítivo de « proteção 10 com as necessidades reais do circuito a ser protegido. De fato, como ' mencionado anteriormente, pode ser vantajoso quando a antena 5 estiver conectada ao "25 estágio transmissor 2, para a tensão máxima Vmax e a tensão minima Vmin apresentarem uma magnitude maior do que quando a antena 5 estiver conectada ao estágio receptor 3. Isto ocorre porque, durante a operação normal de um transceptor, o estágio transmissor 2 gera sinais de grande amplitude, enquanto que o estágio receptor 3 recebe sinais de pequena amplitude, As vantagens que o dispositivo de proteção 10 oferecerem emergem claramente a partir da descrição acima. Em particular, o dispositivo de proteção 10 permite a proteção de aparelhos de radiocomunicações que apresentem bandas de operação muito amplas. Além disso, o dispositivo de proteção 10 implica baixas perdas de inserção e perdas de retorno.

Finalmente, é evidente que modificações e variações podem ser feitas no dispositivo de proteção 10 descrito, sem por isso se afastar do âmbito da presente invenção, tal como definido pelas reivindicações anexas.

Por exemplo, o caminho 16 pode apresentar uma forma não senoidal, mas, por exemplo, uma forma de onda triangular. Alternativamente, o caminho 16 também pode ser retilineo, apesar de isso implicar em um aumento da LMAX. Em adição, em vez do micro tira 15, é possível utilizar uma linha coplanar ou então um outro tipo de linha de transmissão para sinais de rádio frequência.

No que diz respeito, em vez dos transorbs, é possível utilizar geradores de tensão no seu lugar. Em adição, os transorbs podem ser ausentes, como também os primeiro e segundo geradores de tensão 30, 32 e os primeiro e segundo resistores de pull-up 34, 36, uma vez que tanto o terra virtual positivo como o terra virtual negativo 22, 24 podem ser conectados diretamente ao terra, Neste caso, o dispositivo de proteção 10 entra em ação no caso em que a tensão de um ponto genérico do caminho 16 exceda, em magnitude, a tensão de limiar Vy dos primeiros diodos 26 e dos segundos diodos 28. Finalmente, as porções de conexão 29 podem apresentar - comprimentos diferentes uma do outra, por exemplo, os comprimentos das porções de “as conexão 29 podem ser compreendidos no intervalo de 1 + 0.1. . '

Claims (17)

Reivindicações

1. Dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações, caracterizado por compreender: — umalinhade transmissão (15) para os sinais de radiofrequência; —- um primeiro elemento condutor em forma de tira (22); — os primeiros meios de polarização (30, 34, 38; 46, 50), configurados para polarizar os primeiros elementos condutores (22) em uma primeira tensão de polarização (Vmax): e —- uma pluralidade de primeiros comutadores controlados por tensão (26), conectados entre o primeiro elemento condutor (22) e a linha de transmissão (15).

2. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender ainda uma linha de referência de potencial definida a um potencial de referência, e na qual os primeiros meios de polarização (30, 34, 38; 46, 50) . compreendem um primeiro gerador de tensão (30), conectado a um primeira extremidade “as do primeiro elemento condutor (22), e um primeiro comutador de absorção (38; 46, 50), ' conectado entre uma segunda extremidade do primeiro elemento condutor (22) e a linha de referência de potencial.

3. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por compreender ainda: - um segundo elemento condutor em forma de tira (24); —- os segundos meios de polarização (32, 36, 40; 48, 52), que são configurados para polarizar o segundo elemento condutor (24) com uma segunda tensão de polarização . (Vmin) e incluem um segundo gerador de tensão (32), conectado a uma primeira . extremidade do segundo elemento condutor (24), e um segundo comutador de ' 25 absorção (40; 48, 52), conectado entre uma segunda extremidade do segundo elemento condutor (24) e a linha de referência de potencial; e — Uma pluralidade de segundos comutadores controlados por tensão (28), conectados entre o segundo elemento condutor (24) e a linha de transmissão (15).

4, Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo fato de que a linha de transmissão (15) compreende um caminho (16) de material condutor, e os primeiros comutadores controlados por tensão são formados pelos primeiros diodos (26), cada primeiro diodo (26) apresentando o seu anodo conectado ao caminho (16) e o seu catodo conectado ao primeiro elemento condutor (22), e sendo que os segundos comutador controlada por tensão são formados pelos segundos diodos (28), cada segundo diodo (28) apresentando o seu catodo conectado ao caminho (16) e o seu anodo conectado ao segundo elemento condutor (24).

5. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo fato de que os primeiros diodos (26) são conectados ao caminho (16)

nos respectivos primeiros pontos (18) do caminho (16), dispostos a uma distância um do outro ao longo do caminho (16) ; sendo que os segundos diodos (28) são conectados ao caminho (16) nos respectivos segundos pontos (20) do caminho (16), dispostos a uma distância um do outro ao longo do caminho (16); e sendo que as distâncias mútuas entre os pares de primeiros pontos adjacentes (18) do caminho (16) e entre os pares dos segundos pontos adjacentes (20) do caminho (16) são as mesmas que a do outro, mas com uma diferença de + 10 %.

6. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 5, caracterizado pelo fato de que os primeiro e segundo pontos (18, 20) do caminho (16) são dispostos de forma alternada ao longo do caminho (16).

7. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de que cada segundo ponto (20) do caminho (16) é disposto em uma posição central em relação a um respectivo par de primeiros pontos adjacentes (18).

. 8. Dispositivo de proteção de acordo com qualquer uma “as dentre as reivindicações de 4 a 7, caracterizado pelo fato de que os primeiro e segundo ' comutadores de absorção compreendem, respectivamente, um primeiro transorb (38) e um segunda transorb (40), o primeira transorb (38) apresentando o seu catodo conectado ao primeiro elemento condutor (22) e o seu anodo conectado na linha de referência de potencial, o segundo transorb (40) apresentando o seu anodo conectado ao segundo elemento condutor (24) e o seu catodo conectado na linha de referência de potencial.

9. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo fato de que os primeiro e segundo comutadores de absorção - compreendem ainda um terceiro transorb (46) e um quarto transorb (48); os primeiro e ' segundo transorbs (38, 40) apresentando uma primeira tensão de condução (Vb1), os terceiro e quarto transorbs (46, 48) apresentando uma segunda tensão de condução (VB2) diferente da primeira tensão de condução (Vb1).

10. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 9, compreendendo ainda um primeiro transistor (50) e um segundo transistor (52) de um tipo MOSFET, e caracterizado pelo fato de que : — o terceiro transorb (46) tem o seu catodo conectado ao primeiro elemento condutor (22) e o seu anodo conectado a um primeira terminal de condução do primeira transistor (50); — o quarto transorb (48) tem o sua anodo conectado ao segundo elemento condutor (24) e o seu catodo conectado a um primeiro terminal de condução do segundo transistor (52); e - um segundo terminal de condução do primeiro transistor (50) e um segundo terminal de condução do segundo transistor (52) são conectados na linha de referência de potencial.

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11. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação | 10, caracterizado por compreender ainda um nó de controle (TX/RX) e um inversor (54), | o primeiro transistor (50) apresentando um terminal de controle conectado ao nó de | controle (TX/RX), o inversor (54) apresentando um terminal de entrada conectado ao nó de controle (TX/RX) e um terminal de saída conectado a um terminal de controle do segundo transistor (52) k

12. Dispositivo de proteção de acordo com qualquer uma dentre as reivindicações de 4 a 11, caracterizado pelo fato de que o camínho (16) | apresenta uma forma senoidal. À 10

13. Dispositivo de proteção de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo fato de que os primeiro e segundo elementos condutores (22, 24) | são dispostos em lados opostos em relação ao caminho (16). |

14. Dispositivo de proteção de acordo com qualquer uma : dentre as reivindicações de 4 a 13, caracterizado pelo fato de que os primeiro e segundo | "as diodos (26, 28) são diodos Schottky. '

15. Dispositivo de proteção de acordo com qualquer uma dentre as reivindicações de 3 a 14, caracterizado por compreender ainda: - uma pluralidade de primeiros capacitores de referência (42) conectados entre o primeiro elemento condutor (22) e na linha de referência de potencial; e —- uma pluralidade de segundos capacitores de referência (44) conectados entre o segundo elemento condutor (24) e a linha de referência de potencial.

16. Aparelho de radiocomunicações caracterizado por a compreender um dispositivo de proteção (10) de acordo com qualquer uma dentre as w reivindicações anteriores, e compreendendo ainda uma antena (5) e ao menos uma unidade eletrônica escolhida a partir de entre um estágio de transmissão (2) e um estágio de recepção (3), o dispositivo de proteção (10) sendo conectado entre a antena (5) e da unidade eletrônica.

17. Aparelho de radiocomunicações de acordo com a reivindicação 16, caracterizado pelo fato de que a linha de transmissão (15) é conectada a uma linha externa dos sinais de rádio frequência (Ti, Tow). à qual apresenta uma il primeira impedância característica (Z5), a linha de transmissão (15) apresentando uma | segunda impedância característica (Z=), ao menos igual a duas vezes a primeira | impedância característica (21).

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: mn Resumo Dispositivo “de proteção para aparelhos de radiocomunicações. Um dispositivo de proteção para aparelhos de radiocomunicações, incluindo: uma linha de transmissão (15) dos sinais de radiofreqiência; uma linha de referência de potencial configurada em um potencial de referência; um primeiro elemento condutor (22); uma primeira unidade de polarização (30, 34, 38; 46, 50), que polariza o primeiro elemento condutor (22) com uma primeira tensão de polarização (Vmax); e uma pluralidade de primeiros comutadores controlados por tensão (26) conectados entre o primeiro elemento condutor (22) e a linha de transmissão (15). ; 7

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