BE894178A - Verschilvetsterker - Google Patents

Description

  VERS CH IL VERSTERKER 

  
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een verschilversterker met twee signaaltakken die elk in serie

  
met een gemeenschappelijke stroombron tussen de klemmen van een vermogenvoedingsbron verbonden zijn en elk een signaalingang hebben.

  
Ee n dergelijke versterker is bekend uit het VSA oktrooi 4 284 957. Indien deze versterker in staat moet zijn om te werken op of te weerstaan aan een betrekkelijk hoge spanning, bij voorbeeld hoger dan 200 Volts, als gevolg van zi j n aanwending in een telefonielij nketen waar dergelijke hoge waarden kunnen voorkomen bij belsignalen, dient elk van de twee serieketens gevormd door een signaaltak en de gemeenschappelijke stroombron hoogspanningsinrichtingen, zoals transistoren, te omvatten om aan een dergelijke hoge voedingsspanning te weerstaan. A nderzijds, opdat een dergelijke versterker in staat zou zij n om aan z ij n ingangen gelegde hoogspannings "common mode": signalen te weerstaan, dienen dergelijke hoogspanningsinrichting ook aanwezig te zijn in

  
elk van de twee serieketens gevormd door het gedeelte van een signaaltak dat zich uitstrekt tussen een ingang en de vermogenvoedingsklem waarmee deze gemeenschappelijke bron verbonden is. Dit is de reden waarom over het algemeen de meeste van

  
de inrichtingen, zoals tra nsistoren, gebru ikt in verschil versterkers die in staat zijn om aan een hoge spanning te weerstaan ook deze eige nschap bezitten.

  
Ee n nadeel van het gebruik van hoogspanningstransistoren, in het bijzonder in verschil-of operationele versterkers, waar de twee signaaltakken nauwkeurig aan elkaar moeten aangepast zijn, is dan de nauwkeurigheid van hun fabrikage, d.w.z. hun kwaliteit, kleiner dan deze van laagspanningstransistoren die in geintegreerde vorm bovendien minder siliciumoppervlakte vereisen.

  
Een doelstelling van de onderhavige uitvinding bestaat erin een verschil- of operationele versterker van het hierboven beschreven type te verschaffe n, maar waarin een merkelijk aantal laagspanningsinrichtingen gebruikt kunnen worden, niettegenstaande hij in staat is aan hoogspanningsingangssignalen te weerstaan.

  
Volgens de u itvinding wordt deze doelstelling bereikt doordat hij tussen elk van deze signaalingangen en deze gemeenschappelijke stroombron een parallelsignaaltak omvat, welke een lage impedantie heeft in vergelijking met deze van deze stroombron en in staat is om een nagenoeg constante spanning tussen elk van deze ingangen en het verbindingspunt van deze takken en deze stroombron te verwezenlijken.

  
Aldus, wanneer een "common mode" signaal bijvoorbeeld aan de ingangen van de versterker gelegd wordt, ver-

  
 <EMI ID=1.1> 

  
constante spanning ook over een gedeelte van elke signaaltak dat zich uitstrekt tussen een versterkeringang en het verbindingspunt. Zelfs als een hoogspanningsingangssignaal aangelegd wordt vereisen deze gedeelten van de signaaltakken daarom de aanwending van een hoogspanningsinrichting niet, w aarbij een dergelijke inrichting enkel in de stroombron vereist zijn.

  
Een andere kenmerkende eingenschap van de onderhavige verschilversterker is dat deze signaaltakken een paar hoogspanningstransistoren omvatten, elk met zij n basis verbonden met een respektieve signaalingang, met zijn collector

  
 <EMI ID=2.1>  verbonden met één van deze vermogenvoedingsklemmen en met z ij n emitter gekoppeld met dit verbindingspunt, waarbij

  
deze stroombron een derde hoogspanningstransistor omvat.

  
Aldus, door het gebruik van een totaal van slechts drie hoogspanningstransistoren is deze versterker nu in staat om niet enkel aan hoogspanningsingangssignalen maar ook aan een hoge voedingsspanning te weerstaan.

  
Nog een andere kenmerkende eigenschap van de onderhavige verschilversterker is dat deze parallelsignaaltakken uit de serieverbinding van dioden bestaan.

  
Zoals later zal worden beschreven zullen dergelijke dioden bij voorkeur door de emitter-basis juncties van laagspanningstransistoren verwezenlijkt worden.

  
De hierboven vermelde en andere doeleinden en kenmerken van de uitvinding zullen duidelijker worden en de uitvinding zelf als het best begrepen worden aan de hand van de hiernavolgende beschrijving van uitvoeringsvoorbeelden en van de bijbehorende tekeningen waarin :
Fig. 1 een stroomloopdiagram is van een eerste uitvoering van een verschilversterker volgens de uitvinding; Fig. 2 een stroomloopdiagram is van een tweede u itvoer ing .

  
De in Fig. 1 getoonde operationele versterker wordt gevoed vanuit een vermogenvoedingsbron, bijvoorbeeld klemmen +V en -V. Het ontwerp van de versterker is zodanig dat hij gebruikt kan worden in omstandigheden waarin de spanning die door deze bron geleverd wordt merkelijk hoger kan liggen dan hetgeen volstaat voor zijn eigenlijke werking. Het potentiaalverschil kan bij voorbeeld hoger zij n dan 200 Volts, opgewekt door het aanleggen van belstroom als de versterker deel uitmaakt van een telefonielijnketen. De versterker omvat een ingangstrap 1, een tussentrap 2, en een uitgangstrap 3. Ingangstrap 1 heeft een inverterende ingang aangeduid met - en een niet-inverterende ingang aangegeven

  
met +, en uitgangstrap 3 heeft een uitgang OUT.

  
Om met sukses aan een dergelijk hoog potentiaalverschil tussen de klemmen +V en -V te weerstaan, omvat de ingangstrap 1 eerst en vooral de hoogspannings NPN transistoren Ql en Q2 die in emittervolgeropstelling gebruikt worden. Hun collectoren zij n beide verbonden met -+V, hun basissen zij n respektievelijk verbonden met de ingangen + en -, en hun emitters zijn respektievelijk verbonden met deze van het

  
paar laagspannings PNP laterale trans istoren Q3/Q5 en Q4/Q6

  
 <EMI ID=3.1> 

  
en Q4/Q6 zowel als de collectoren van Q5 en Q6 zijn onderling verbonden, zodat laatstgenoemde twee transistoren als dioden werken. Aldus zijn de paren transistoren Q3/Q5 en Q4/Q6 elk in stroomspiegelopstelling verbonden. De collector van transistor Q3 is verbonden met de collector van de als diode geschakelde laagspannings NPN transistorQ7, en de collector van transistor Q4 is verbonden met de collector van laagspannings NPN transistor Q8 waarvan de basis met deze van

  
 <EMI ID=4.1> 

  
in stroomspiegelopstelling verbonden en zij vormen een aktieve belasting voor de transistoren Q3 en Q4. De collector van

  
Q8 vormt de uitgang O van de ingangstrap 1 die een voorspanning ontvangt van de stroombron welke de NPN transistoren Q13 en Q14, die in stroomspiegelopstelling verbonden zij n, zowel als weerstand R2 omvat. Laatstgenoemde transistor Q14 is een hoogspanningstransistor waarvan de collector verbonden is met het gemeenschappelijk verbindingspunt A van de emitters Q7 en Q8 en waarvan de basis verbonden is met deze van laagspanningstransistor Q13, zowel als met de collector daarvan, welke collector

  
 <EMI ID=5.1> 

  
Q13 en Q14 met -V verbonden zijn. 

  
De collectors en basissen van de als diode geschakelde transistoren Q5 en Q6 zijn via een aktieve belasting,

  
 <EMI ID=6.1> 

  
met de collector van laagspannings NPN transistor Q15 verbonden. Transistor Q19 is als diode geschakeld, zoals getoond, met zijn basis in stroomspiegelopstelling gekoppeld met deze

  
 <EMI ID=7.1> 

  
pektievelijk verbonden met deze van Qll/12 en Q15. De collectors en basissen van beide transistoren Q9 en Qll zij n onderling verbonden zodat, gez ien de emitter van Qll met de basis

  
van Q12 verbonden is, twee in serie verbonden voorwaarts gepolarizeerde diodejuncties aanwezig zij n tussen de gemeenschappelijke basis van Q9/10 en het hierboven vermelde gemeenschappelijke verb indingspunt A waarmee de emitters van

  
Q12 en Q15 verbonden zijn.

  
Transistor Q15 waarvan de basis verbonden is met de klem 0, d.w.z. met de uitgang van de ingangstrap (collector

  
van Q8) , maakt deel:: u it van de tusse ntrap 2 die werks als niveauverschuivende omvormer en als drijftrap. De collectoruitgang van Q15 en het verbindingspunt A zijn met zijn ingangsklemmen verbonden en hij omvat de hoogspanningstransistoren

  
Q16, Q17, Q18 en Q20. Hij zorgt voor de omvorming van een vlottend signaal dat verschijnt over de omvormeringangsklemmen van de omvormer, d.w.z. de basissen van Q16 en Q17, naar een niet-vlottend signaal dat verschijnt tussen de omvormer uitgangsklemmen, waarvan de klem door de klem -V van de vermogenvoedingsbron en de aktieve klem door de emitter van Q18 gevormd wordt. De collector van NPN transistor Q16 is verbonden met +V en zij n emitter is verbonden met de emittei van Q17, die een hoogspannings laterale PNP transistor is waarvan de collector verbonden is met de basis van NPN transistor Q19 wiens collector met de emitter van Q17 verbonden is. Transistor Q16 is

  
een emittervolger die een impedantieomzetting verschaft van de collector van Q15 naar de emitter van Q17. Transistor Q18, anderzijds, wordt gebruikt om de stroomversterkingsfactor beta van transistor Q17 te verbeteren. De samengestelde transistor Q17, Q18 heeft een beta factor die het produkt is van de individuele beta factoren van Q17 en Q18, maar werkt nog steeds als een PNP transistor en heeft een betrekkelijk kleine afsnijfrequentie. De emitteruitgang van Q18 die de aktieve uitgangsklem van de omvormer vormt is met het referentiepotentiaal -V via weerstand R3 verbonden. De basis van Q18 is verbonden met -V via het collector-emitterpad van laagspannings NPN transistor Q19 die, zoals Q14, in stroomspiegelopstell ing met transistor Q13 verbonden is. Q19 is e chter voorzien van een kleine emitter zodat zij n collector-

  
 <EMI ID=8.1> 

  
van Q14. De emitter van trans istor Q18 is verbonden met de basis van hoogspannings NPN transistor Q20 waarvan de emitter verbonden is rnet-V en waarvan de collector verbonden is met

  
de uitgangstrap 3 voor wie transistor Q20 de drij ftransistor vormt.

  
Deze uitgangstrap 3 omvat hoogspannings NPN transistor Q21 en hoogspannings PNP transistor Q22 waarvan de collector-emitterpaden tussen +V en -V in serie verbonden zij n, zoals getoond, en waarvan de bas issen onderling verbonden

  
z i j n via de "cross-over" verlage nde voorwaarts gepolarizeerde diodejuncties verschaft door de hoogspannings NPN transistoren Q23 en Q24 die onderling verbonden zijn zoals getoond. De u itgangstrap ontvangt een voorspanning van de stroombron, die bestaat uit weerstand Rl en de als diode geschakelde hoogspannings PNP transistor Q25, die in serie tussen +V en -V verbonden, zoals getoond. De basis van transistor 025 is verbonden met de basis van de hoogspannings stroomspiegelPNP transistor Q26 waarvan de emitter verbonden is met +V

  
en waarvan de collector met de basis van Q21 verbonden is.

  
 <EMI ID=9.1>  Deze van Q22 is verbonden met de collector van de hoogspanningsNPN drijftransistor Q20.

  
Uit hetgeen voorafgaat volgt dat de ingangstrap

  
 <EMI ID=10.1> 

  
serie met een gemeenschappelijke stroombron Q14 tussen de klemmen +V en -V van een vermogenvoedingsbron verbonden zij n en die elk een signaalingang, respektievelijk + en -, bezitten. Tussen elk van deze signaal ingangen en de gemeenschappelijke stroombron, d.w.z. na Ql en Q2, is een parallelsignaaltak verbonden welke respektievelijk de basis-emitter van transistoren

  
 <EMI ID=11.1> 

  
waarbij elke dergelijke parallels ignaaltak vier dergelijke  dioden in serie omvat welke een lage impedantie vertonen in vergelijking met deze van de stroombron .

  
Enkel de transistoren Ql, Q2 en Q14 zijn hoogspanningstransistoren opdat de ingangstrap in staat zou zijn te werken op en te weerstaan aan de hoger vermelde hoge voedingsspanning, die groter kan zij n dan 200 Volts.

  
Anderzijds kunnen de transistoren Q3, Q7 en Q4,

  
 <EMI ID=12.1> 

  
parallelsignaaltakken laagspanningstransistoren zijn omdat elk van deze paralleltakken tussen de emitters van Ql/2 en het verbindingspunt A een spanning verwezenlijkt die gelijk

  
is aan de som van vier emitter-basisspanningen en daarom klein is, zodat tussen elke signaalingang en punt A deze spanning geli jk is aan vij f emitter-basisspanningen. Bijgevolg, als een "common mode" signaal aan de versterkeringangen gelegd wordt bij ft de spanning tussen het gedeelte van de signaaltakken gelegen tussen een versterkeringang en het verbindingspunt A constant, terwijl de spanning op dit gemeenschappelijk verbindingspunt A in funct ie van de grootte van dit signaal verandert. Dit is een andere reden waarom Q14 een hoogspanningstransistor dient te zijn. 

  
Als een dergelijk "common mode"signaal wordt aangelegd, blijven de stromen in de takken Q3, Q7; Q4, Q8;

  
 <EMI ID=13.1> 

  
noeg constant, onafhankelijk van de grootte van dit signaal. Inderdaad, de collectorstromen van Q3 en Q4 zijn nagenoeg dezelfde, bijvoorbeeld I, als de basisstroom van Q15 verwaarloosd wordt, als gevolg van de stroomspiegelopstelling van

  
 <EMI ID=14.1> 

  
stelling van Q3 tot Q6 zijn ook de collectorstromen van Q5

  
en Q6 nagenoeg gelijk aan I, waarbij deze stroom naar punt

  
A vloeit via de als diode geschakelde transistoren Qll en Q12. Tenslotte, omdat Q9 en Q10 ook in stroomspiegelopstelling geschakeld zijn, zijn hun collectorstromen ook nagenoeg gelijk aan I. Bijgevolg, bij vervoerlozing van de basisstroom van t rans istor Q16 is de collectorstroom van Q15 ook nagenoeg gelijk aan I, d.w.z. één vierde van de stroom geleverd door de stroombron welke Q14 omvat.

  
Als een verschilspanningssignaal aan de versterker gelegd wordt heeft dit signaal geen invloed op de spanning

  
van het vlottend verbindingspunt A, maar een overeenkomstig uitgangssignaal verschijnt nu tussen de collector en emitter van Q8. In de tussentrap 2 wordt dit signaal versterkt door

  
 <EMI ID=15.1> 

  
verbonden is. De aldus over transistor Q15 opgewekte spanning wordt gelegd tussen de hoger vermelde ingangsklemmen van de omvormer, d.w.z. tussen de basissen van de hoogspanningstransistoren Q16 en Q17 die het vlottend signaal over Q17 versterken en het in een niet-vlottend en van niveau verschoven signaal omvormen, waarbij dit signaal verschaft wordt tussen

  
 <EMI ID=16.1> 

  
Dit signaal wordt dan verder versterkt door transistor Q20.

  
Zoals hierboven vermeld maken de als diode geschakel, transistoren Qll en Q12 de verandering van de spanning van het verbindingspunt met het "common mode" ingangs s ignaal  mogelijk. Er zijn twee dergelijke dioden in serie vereist om de goede werking van transistor Q10 mogelijk te maken.

  
 <EMI ID=17.1> 

  
emitterjuncties van Qlo en Q17 in serie verbonden is, is het noodzakelijk ook de basis van transistor Q10 met punt A via minstens twee dergelijke dioden&#65533;te verbinden. Anders beschouwd, de als diode geschakelde transistoren Qll en Q12 verzekeren eveneens dat, via Q10, een gepaste voorspanning tussen de basissen van de transistoren Q16 en Q17 gelegd wordt teneinde hun werking mogelijk te maken.

  
Het hoger vermelde uitgangssignaal van transistor

  
 <EMI ID=18.1> 

  
niet beschreven zal worden gezien deze zonder belang is voor

  
de onderhavige uitvinding en welbekend is uit blz. 300-308

  
van het boek "Analysis and design of analog integrated circuits" door P.R. Gray en R.G,.Meyer, 1977, gepubliceerd door J. Wiley and Sons. Dit boek beschrij ft op blz. 333 ook een ingangstrap met transistoren die overeenkomen met Ql tot Q4, Q7 en Q8.

  
In de onderhavige versterker vloeit een signaal gelegd aan de ingang via ingangstrap 1, transistoren Q17,

  
Q18, Q20 van de tussentrap 2, en de uitgangstrap 3 naar de uitgang OUT van de versterker. Aldus is Q17 de enige hoogspannings (PNP) laterale transistor die van dit signaalpad

  
deel uitmaakt. Uit blz. 59 van het boek "Analog integrated circuit design" door A.R. Grebeke, 1972, gepubliceerd door

  
Van Nostrand, Reinhold Company, volgt dat de afsnij frequentie of frequentie bij eenheidsversterking van een laterale transistor betrekkelijk klein is in vergelijking met deze van

  
 <EMI ID=19.1> 

  
zelfs nog kleiner voor een hoogspannings laterale transistor.

  
Anderzijds is het bekend om de stabiliteit van een verschilversterker te verbeteren door in zijn signaalpad

  
 <EMI ID=20.1>  een zogenaamde compensatie capacitantie in te brengen,

  
welke capacitantie de overheersende pool van de versterker in de richting van de lagere frequenties verschuift en aldus de frequentie bij eenheidsversterking van de versterker vermindert.

  
Bijgevolg, door de hoogspannings laterale trans istor Q17 in het signaalpad van de versterker te brengen wordt een compensatie-effect verkregen juist alsof een compensatie capacitantie gebruikt zou zij n.

  
Omdat de versterking verschaft door de hierboven beschreven versterker betrekkelijk groot is kan het nog nodig zijn om, benevens Q17, nog een compensatiecapacitantie te gebruiken, zoals Cl verbonden tussen de collector en basis van Q20. Klaarblijkelijk kan deze capacitantie dan kleiner zijn dan zonder transistor Q17.

  
De in Fig. 2 getoonde operationele versterker

  
 <EMI ID=21.1> 

  
doelmatige wijze op een geïntegreerde stroomloopchip vervaardigd te kunnen worden. Componenten die dezelfde functie hebben als in Fig. 1 zij n met dezelfde referenties aangeduid, echter voorzien van een accent .

  
Deze operationele versterker verschilt van deze

  
van Fig. 1 doordat :
- één enkele voorspanningsketen gebruikt wordt om alle drie <EMI ID=22.1> 

  
deze keten transistors Q' 25, Q' 2 6, klem HV-Rl-2, weerstand R'l, klem HVR1-1 en transistors Q'28 tot Q'33 omvat die alle verbonden zij n zoals getoond;
- de door een stroombron gevormde actieve belasting van de <EMI ID=23.1> 

  
waarvan de basis en emitter respectievelijk met de collector en basis van Q'7 verbonden zij n en waarvan de collector verbonden is met de verenigde collectors en basissen van  <EMI ID=24.1> 
- er geen gebruik gemaakt worde van een bijkomende versterkertrap Q9, Q10, Q15. In plaats daarvan wordt de spanning tussen de collector en emitter van Q'8 rechtstreeks aangelegd <EMI ID=25.1>  zoals getoond, met -V verbonden via transistor Q' 30 in paralle:
met de basis-emitterjunctie van transistor Q'36 en weerstanden R5 en R7 allemaal in serie:
- er geen gebru ik gemaakt wordt van een trans istor overeenkomend met Q20;
- er gebruik gemaakt wordt van een verschillende uitgangstrap die in beginsel gekend is uit blz. 308-311 van het hiervoor vermelde boek van P .R . Gray welke op blz . 313-316 ook beschermingsketens tegen overbelasting beschrijft.

Deze uitgangstrap omvat NPN transistors Q'34 tot

  
 <EMI ID=26.1> 
-V via stroomspiegeltransistor Q'33 en zijn basis is met de emitter van transistor Q'18 van de tussentrap 2' verbonden. Het collector-emitterpad van Q'35 is verbonden tussen +V en klem OUT via de overbelastingsbeschermingsweerstand R6, terwijl het collector-emitterpad van transistor Q'37 tussen deze klem OUT en -V verbonden is via overbelast ingsbeschermingsweerstand R7 . Het collector-emitterpad van Q'34 is in serie verbonden met weerstand R4 tussen +V en weerstand R6, waarbij de emitter van Q'34 met de basis van Q'35 verbonde n is. Klem OUT en het verbindingspunt van de collector van Q'26 en de basis van Q'34 zij n verbonden met de collector van Q'36 via

  
de als diode geschakelde transistoren, respektievelijk Q'39

  
en Q'38. De emitter van Q'36 is ook met de basis van Q'37

  
&#65533; 

  
verbonden. Het collector-emitterpad van overbelastingsbescher-

  
 <EMI ID=27.1> 

  
en klem OUT, waarbij de basis van Q'40 verbonden is met het verbindingspunt van weerstanden R4 en R6. Op gelijkaardige wijze is het collector-emitterpad van overbelast ingsbeschermingstransistor Q'41 is verbonden tussen de basis van Q'36 en -v, waarbij de basis van Q'41 verbonden is met het verbindingspunt van de weerstanden R5 en R7. De werking van deze uitgangstrap wordt niet in detail beschreven gezien ze b eke nd is uit het boek door P.R. Gray en zonder be lang is voor de onderhavige uitvinding.

  
 <EMI ID=28.1> 

  
Zonder transistor Q'32 zou de collectorspanning van Q'31 deze van het verbindingspunt A volgen en hetzelfde zou gelden voor de collectorstroom tengevolge van de helling van de karakteristiek collector-emitterspanning/collectorstroom d.w.z. tengevolge van de Early spanning. Door het gebruik van tra nsistor Q'32 wordt de collector van Q'31 op een vaste spanning gehouden, die gelijk is aan de vaste spanning op de basis van Q'29 verminderd met de basis-emitterspanning van

  
 <EMI ID=29.1> 

  
de spanningsvariaties op punt A, die nu gelijk is aan vier emitter-basisspanning onder de ingangsspanning omdat transistors Q9 en Q10 z ij n weggelaten.

  
Hoewel de principes van de uitvinding hierboven zijn beschreven aan de hand van bepaalde uitvoeringsvormen en wijzigingen daarvan, is het duidelijk, dat de beschrijving slechts bij wijze van voorbeeld is gegeven en de uitvinding niet daartoe is beperkt .

  
 <EMI ID=30.1> 

Claims (15)

CONCLUSIES

1. Verschilversterker met twee signaaltakken die elk in serie met een gemeenschappelijke stroonbron tussen de klemmen van een vermogenvoedingsbron verbonden zijn en elk een signaalingang hebben, met het kenmerk dat hij tussen elk van deze signaalingangen en deze gemeenschappelijke stroombron <EMI ID=31.1>

met deze van deze stroombron en in staat is om een nagenoeg constante spanning tussen elk van deze ingangen en het verbindingspunt (A) van deze takken en deze stroombron (Q14, Fig. 1) te verwezenlijken.

2. Verschilversterker volgens conclusie 1, met het kenmerk dat deze signaaltakken een paar hoogspanningstrans istoren (Ql/2, Fig. 1) omvatten, elk met zijn basis verbonden met een respektieve signaalingang, met zij n collector verbonden met één (+V, Fig. 1) van deze vermogenvoedingsklemmen en

met zijn emitter gekoppeld met dit verbindingspunt (A) , waarbij deze stroombron een derde hoogspanningstransistor (Q14, Fig. 1) omvat.

3. Verschilversterker volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat deze parallelsignaaltakken uit de serieverbinding

<EMI ID=32.1>

4. Verschilversterker volgens conclusies 2 en 3, met het kenmerk dat in elk van deze signaaltakken de emitter van de hoogspanningstransistor van dit paar (Q1/2, Fig. 1)

<EMI ID=33.1>

van de collector-emitterpaden van een earste (Q3/4, Fig. 1)

en een tweede (Q7/8, Fig. 1) laagspanningstransistor, waarbij de basissen van de eerste laagspanningstrans istoren (Q3/4) onderling verbonden zijn en de tweede laagspanningstrans istoren (Q7/8) in stroomspiegelopstelling verbonden zijn, en dat elk van deze parallelsignaaltakken de serieverbinding omvat van

<EMI ID=34.1> de basis-emitterjuncties van minstens één als diode geschakelde derde laagspanningstransistor (Q5/6, Fig. 1) en van, gemeenschappelijk voor de twee parallelsignaaltakken, als diode geschakelde vierde (Qll, Fig. 1) en vij fde (Q12, Fig. 12) laagspanningstransistoren, waarbij de basissen van deze

derde laagspanningstransistoren (Q5/6, Fig. 1) verbonden zijn met deze van deze eerste laagspanningstrans istoren (Q3/4, Fig. 1) en waarbij hun emitters met de respectieve emitters van dit paar hoogspanningstransistoren verbonden zijn.

5 . Versch ilversterker volgens conclusie 4, met het kenmerk dat deze serieverbinding van trans istor bas is-emitterj u nct ies verder de bas is-emitterju nctie van een zesde laagspanningstransistor (Q9/10, Fig. 1) omvat, waarbij deze basisemitterjunctie tussen deze van deze derde (Q5/6, Fig. 1) en vierde (Qll, Fig. 1) laagspanningstransistoren verbonden is,

en waarbij één (Q9, Fig. 1) van de zesde laagspanningstransis-

<EMI ID=35.1>

spiegelopstelling met de andere zesde laagspanningstransistor (Q10, Fig. 1) verbonden is.

6. Verschilversterker volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat hij een twee-klemmenuitgang (0, A) heeft met een eerste uitgangsklem (O) op één van deze signaaltakken en met een tweede uitgangsklem (A) gevormd door dit verbindingspunt, waarbij deze eerste (0) en tweede (A) uitgangsklemmen gekoppeld zijn met respectieve ingangsklemmen van een omvormer (Q15,

Q16, Q17, Q18, Fig. 1) d ie in staat is een vlottend uitgangssignaal d ie over deze u itgangsklemmen (0, A) verschi j nt om te vormen tot een niet-vlottend u itgangss ignaal dat versch ij nt tussen een derde uitgangsklem en een vierde uitgangsklem gevormd door één (-V) van de klemmen van deze vermogenvoedingsbron.

7. Verschilversterker volgens conclus ies 4 en 6,

met het kenmerk dat deze eerste uitgangsklem (O) genomen wordt op het verbindingspunt van de collectors van deze eerste

<EMI ID=36.1> (Q3/4, Fig. 1) en tweede (Q7/8, Fig. 1) laagspanningstransistoren die van deze ene signaaltak deel uitmaken.

8. Verschilversterker volgens conclusie 6, met het ke nmerk, dat deze omvormer min stens een vierde (Q16, Fig . 1) en een vijfde (Q17, Fig. 1) hoogspanningstransistor omvat waarvan de collector-emitterpaden in serie gekoppeld zijn tussen de andere klem (+V) van deze vermogenvoedingsbron en deze derde uitgangsklem, die met deze vierde uitgangsklem via een lage impedantie (R3, Fig. 1) gekoppeld is.

9. Verschilversterker volgens conclusies 5 en 8,

<EMI ID=37.1>

en van een zevende laagspanningstransistor (Q15, Fig. 1) waarvan de basis en emitter respectievelijk met deze eerste (0)

en tweede (A) uitgangsklemmen verbonden zijn.

10. Verschilversterker volgens conclusie 8, met het kenmerk dat deze vijfde hoogspanningstransistor (Q17, Fig. 1) een laterale transistor is.

11. Verschilversterker volgens conclusie 10, met het kenmerk dat elke vijfde hoogspanningstransistor (Q17, Fig. een PNP transistor is waarvan de emitter en collector respectievelijk verbonden zij n met de collector en basis

van een zesde hoogspanningstransistor (Q18, Fig. 1) welke een NPN transistor is waarvan de emitter deze derde uitgangsklem van deze omzetter vormt .

12. Verschilversterker volgens conclusie 10, met het kenmerk dat deze vijfde hoogspanr.ingstransistor (Q17, Fig. deel uitmaakt van het signaalpad tussen deze signaalingangen (W, -) en deze derde uitgangsklem.

13. Verschilversterker volgens conclusie 1, met het kenmerk dat deze stroombron de serieverbinding tussen deze vermogenvoedingsklemmen (+V, -V) omvat van minstens een <EMI ID=38.1>

zevende hoogspanningstransistor (Q'28, Fig. 2) die in stroomspiegelopstelling verbonden is met minstens één achtste hoogs panningstransistor (Q'31, Fig. 2) en waarvan de collector verbonden is met de basis van een negende hoogspanningstransistor (Q'29, Fig. 2) waarvan het collector-emitterpad

<EMI ID=39.1>

bron en de basis van deze zevende hoogspanningstransistor (Q'28, Fig. 2) en waarvan de basis verbonden is met de basis van deze derde hoogspanningstransistor (Q'32, Fig. 2) waarvan het collector-emitterpad in serie met het collector-emitterpad van deze achtste hoogspanningstrans istor (Q'31, Fig. 2) tussen dit verbindingspunt (A) en de andere klem (-V) van

deze vermogenvoedingsbron verbonden is.

14. Verschilversterker met een signaalpad dat zich uitstrekt van zijn ingang naar zij n uitgang, met het kenmerk dat dit signaalpad één laterale transistor (Q17, Fig. 1) omvat.

15. Verschilversterker volgens conclusie 14,

met het kenmerk dat deze laterale transistor (Q17, Fig. 1)

een hoogspanningstransistor is.