BE841135A - Dispositif semiconducteur et procede pour sa fabrication - Google Patents

Dispositif semiconducteur et procede pour sa fabrication

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    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/40—Vertical BJTs
    • H10D10/441—Vertical BJTs having an emitter-base junction ending at a main surface of the body and a base-collector junction ending at a lateral surface of the body
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