BE826870A - Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de support chauffes - Google Patents

Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de support chauffes

Info

Publication number
BE826870A
BE826870A BE154492A BE154492A BE826870A BE 826870 A BE826870 A BE 826870A BE 154492 A BE154492 A BE 154492A BE 154492 A BE154492 A BE 154492A BE 826870 A BE826870 A BE 826870A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
electrode
reaction chamber
semiconductor material
support bodies
reaction
Prior art date
Application number
BE154492A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE2432383A external-priority patent/DE2432383C2/de
Application filed filed Critical
Publication of BE826870A publication Critical patent/BE826870A/fr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description


  "Enceinte de réaction pour le dépôt de matière semi-conductrice sur des corps de support chauffés"

  
La présente invention est relative à une enceinte de réaction pour le dépôt de matière semi-conductrice, en particulier de silicium, sur des corps de support en forme de barreau chauffés et à partir d'un gaz de réaction approprié traversant  <EMI ID=1.1> 

  
 <EMI ID=2.1> 

  
en forme de plateau munie des ajutages requis.pour l'amenée et l'évacuation du gaz de réaction ainsi que d'électrodes servant simultanément à maintenir et à chauffer par voie électrique les corps de support en forme de barreau faits de matière semi-conductrice ou conductrice, ainsi que par une cloche en quartz ou en verre posée de manière étanche au gaz sur la base et délimitant conjointement avec celle-ci le volume de réaction, les électrodes étant en outre amenées à traverser de manière mutuellement isolée et étanche au gaz la base an forme de plateau et, finalement, les électrodes ainsi que les autres éléments métalliques

  
de la base étant faits d'argent sur la surface limitrophe du volume de réaction.

  
Dans une demande de brevet allemand P 23 58 279.8,

  
on a décrit une enceinte-de réaction pour le dépôt de matière semi-conductrice, en particulier de silicium, sur des corps de support chauffés à partir d'un gaz de réaction approprié traversant cette enceinte de réaction qui présente, comme dépeint précédemment, une plaque d'acier servant de base et qui est recouverte sur la face dirigée vers le volume de réaction d'une couche d'argent. Cette dernière est débarrassée des pores et retassures grace à un processus de laminage ou de forgeage et elle est de préférence appliquée à l'état liquide par fusion sur la plaque d'acier, qui a été préalablement dotée des passages ou alésages appropriés pour recevoir les électrodes et les ajutages à gaz

  
de réaction, dont l'étanchéité est assurée avec du polytétrafluoro-éthylène. La couche d'argent est faite d'argent très pur
(argent fin). En ce qui concerne la nature des électrodes, aucune indication plus précise n'est donnée dans la demande précitée.

  
En outre, on a décrit dans une demande de brevet alle-mand P 23 58 053.2, une enceinte de réaction pour le dépôt de matière semi-conductrice, en particulier de silicium, sur des corps

  
et

  
&#65533; de support chauffés\à partir d'un gaz de réaction approprié

  
traversant l'enceinte de réaction, cette dernière étant constituée par une base en forme de plateau munie des ajutages requis pour l'amenée et l'évacuation du gaz de réaction ainsi que d'éléments de retenue pour les corps de support, cette base étant faite de métal et en particulier d'argent, et par une cloche, en particulier en quartz, posée de manière étanche au gaz sur la base, l'enceinte se caractérisant par le fait que la base est composée de deux pièces métalliques, en particulier en argent, disposées de manière mutuellement centrée en interposant un joint fait en particulier de polyfluoro-éthylène et que l'une des deux pièces métalliques est munie exclusivement des éléments de retenue pour les corps de support, et l'autre exclusivement des ajutages pour l'amenée et l'évacuation du gaz de réaction.

   La pièce centrale de la plaque de base est alors en général le support des ajutages d'amenée et d'évacuation pour le gaz de réaction, tandis qu'au contraire la pièce externe est le support des éléments de retenue servant simultanément d'électrodes pour le chauffage électrique des barreaux de support, ces éléments traversant en y étant adaptés, de façon mutuellement isolée et étanche au gaz, la partie les portant de la plaque de base métallique. On a exposé dans la description de cette demande que les électrodes individuelles peuvent être faites d'argent fin, avec pour chacune une garniture en graphite très pur.

  
La présente invention a pour base le problème d'offrir des dispositions supplémentaires qui facilitent la fabrication d'un dispositif tel que décrit dans les demandes précitées, en particulier celui décrit dans la demande de brevet P 73 58 279.8 et qui assurent une meilleure obturation étanche au gaz de l'agence-ment, ainsi qu'une réduction supplémentaire des impuretés entrat-

  
 <EMI ID=3.1> 

  
conductrice déposée.

  
Il est proposé suivant l'invention que les électrodes individuelles soient composées chacune d'un corps d'argent fin et d'au moins un corps d'un métal de moindre valeur mais bon conducteur de l'électricité, de telle sorte que seule la partie de l'électrode faite d'argent fin soit limitrophe du volume de réaction. Pour les corps en métal de moindre valeur, on envisage

  
 <EMI ID=4.1> 

  
me mesure que l'argent fin ou encore un alliage de cuivre bon conducteur. La matière d'étanchéité est à nouveau constituée de préférence par du polytétrafluoro-éthylène (Teflon) qui se caractérise comme on le sait par de bonnes propriétés mécaniques, électriques et thermiques. Les deux composants des électrodes individuelles peuvent être assemblés soit avec une soudure à l'argent, soit simplement en les pressant l'un sur l'autre, tout en établissant un bon contact électrique. De préférence, l'agencement est conçu de telle manière que les électrodes individuelles, au moins la partie faite d'argent fin, puissent aisément être remplacées. Finalement, il est prévu que l'intérieur des deux corps massifs constituant les électrodes individuelles soit réalisé

  
en tant que canal d'écoulement ou de circulation pour un agent de refroidissement, en particulier de l'eau de refroidissement.

  
D'autres détails et particularités de l'invention ressortiront de la description ci-après, donnée à titre non limitatif et en se référant au dessin annexé.

  
La figure unique représente une partie située autour d'une électrode d'une plaque de base métallique qui, d'une façon correspondant aux descriptions des demandes de brevet allemand

  
P 73 58 279.8 et P 23 58 053.2 fait partie dans son ensemble

  
d'une enceinte de réaction recevant des corps de support en forme  <EMI ID=5.1> 

  
de barreau ou de tube. La cloche en quartz ou en verre ainsi que les détails de réalisation des corps de support et l'alimentation en gaz de réaction et en courant de chauffage électrique ne seront

  
 <EMI ID=6.1> 

  
La partie illustrée au dessin d'une plaque de base métallique d'une enceinte de réaction suivant l'invention constitue simplement, comme déjà mentionné, le voisinage immédiat d'une seule électrode, de telle sorte qu'on doit prévoir de la même façon

  
au moins une seconde électrode pour pouvoir maintenir deux corps en forme de barreau ou de tube de même longueur, qui sont reliés

  
à leurs autres extrémités par un pont de matière conductrice.

  
Conformément aux considérations de la demande de brevet allemand P 23 58 279.8, la plaque de base est faite d'acier laminé sur laquelle est appliquée une épaisse couche d'argent fin condensé. Le noyau d'acier 1-de la plaque de base est un disque circulaire doté des passages appropriés pour la réception des électrodes ou, conformément aux considérations de la demande de brevet allemand P 23 58 053.2, une plaque d'acier en forme d'anneau circulaire. Le noyau 1 de la plaque de base est recouvert, comme mentionné, d'une épaisse couche d'argent 2 sur la face supérieure dirigée vers le volume de réaction et à l'endroit des évidements ou alésages.

  
Conformément aux principes de l'invention, l'électrode individuelle est constituée par une partie supérieure 3 en argent fin comprimé et une partie inférieure 4 en cuivre. Les deux parties sont creuses et, lors de l'utilisation, elles sont remplies

  
et en particulier parcourues par un agent de refroidissement liquide ou gazeux 5. La partie inférieure 4, faite de cuivre, de l'électrode est tubulaire et s'élargit vers le haut en un plateau 6-avec une surface d'appui plane sur laquelle est posé le bord inférieur 7, également élargi en forme de plateau, de la partie ............. d'électrode supérieure, de la manière illustrée au dessin.

  
La partie d'électrode supérieure 3 est tournée à partir d'un bloc d'argent fin comprimé et elle est également creuse, y compris son couronnement conique 8. Ce dernier sert à retenir

  
 <EMI ID=7.1> 

  
son tour d'un renfoncement pour la réception de l'extrémité inférieure d'un corps de support en forme de barreau ou de tube, fait de silicium très pur. Le corps de support porte la référence 10.

  
La partie d'électrode supérieure 3 et la partie d'électrode inférieure 4 sont reliées entre elles par leurs élargissements terminaux en forme de plateau 7 et 6 de manière tellement étroite que l'agent de refroidissement 5, circulant à l'intérieur, par exemple de l'eau ou un gaz de refroidissement fourni par une machine frigorifique, ne peut pas s'échapper. Par exemple, les deux parties d'électrode 3 et 4 sont soudées l'une à l'autre. Si les surfaces d'appui des deux plateaux 6 et 7 sont suffisamment bien rectifiées, il suffit de les presser l'une contre l'autre pour obtenir l'obturation étanche requise, éventuellement en interposant un mince anneau plat de matière de joint élastique. Ceci n'a pas été représenté dans l'exemple illustré au dessin.

   Dans ce but, le noyau en acier 1 de la plaque de base métallique de l'enceinte de réaction est muni d'un raccord creux cylindrique

  
12 qui fait saillie vers le bas et est disposé concentriquement par rapport aux deux parties d'électrode 3 et 4 disposées coaxialement entre elles et qui fixe simultanément, par l'intermédiaire d'une pièce d'écartement et d'étanchéité 18, faite de polytétrafluoro-éthylène, la position de l'électrode dans la plaque de

  
base métallique 1, 2. Comme on peut s'en rendre compte d'après

  
le dessin, le raccord métallique cylindrique 12 est muni sur sa face externe d'un pas de vis sur lequel est vissé un écrou 13. Le  <EMI ID=8.1> 

  
bord inférieur de ce dernier s'engage radialemeht vers l'intérieur en dessous du raccord 12 et repousse la partie d'électrode inférieure 4 avec son plateau 6, de préférence en interposant

  
une pièce d'étanchéité 14 en matière élastique, contre la plateau 7 de la partie d'électrode supérieure 3.

  
La partie d'électrode inférieure 4 est munie en un endroit approprié d'une pièce de raccord 15 pour le câble d'alimentation en courant 17. Par exemple, l'extrémité du cable 17 est introduite dans la pièce de raccordement 15 réalisée en forme de douille et adaptée à sa section transversale et dont l'extrémité est repoussée élastiquement, par exemple au moyen d'un écrou 16, sur la périphérie du conducteur 17 du câble.

  
Une seconde électrode (non représentée), conçue et raccordée de la même façon est ancrée également dans la même plaque de base 1 et elle maintient un second support en forme de barreau
10, qui est relié par son autre extrémité et par l'intermédiaire d'un pont conducteur au premier support 10. Le circuit est fermé de la sorte (non représenté).

  
Il doit être entendu que la présente invention n'est en aucune façon limitée aux formes de réalisation ci-avant et que bien des modifications peuvent ? être apportées sans sortir du cadre du présent brevet.

  
Ainsi, d'autres moyens peuvent en particulier être prévus pour maintenir les électrodes et leurs pièces, sans que ceci modifie le principe de l'invention. La pièce 13 peut par exemple, au lieu d'être réalisée par elle-même en tant qu'écrou, être vissée au moyen de vis de retenue sur le noyau 1 de la plaque de base métallique. Les joints peuvent aussi avoir une autre conception, de même que le raccordement de l'électrode à un cable d'alimentation. 

REVENDICATIONS

  
1. Enceinte de réaction pour le dépôt de matière semiconductrice, en particulier de silicium, sur des corps de support en forme de barreau chauffés et à partir d'un gaz de réaction approprié traversant l'enceinte de réaction, cette enceinte étant constituée par une base en métal en forme de plateau munie des ajutages requis pour l'amenée et l'évacuation du gaz de réaction ainsi que d'électrodes servant simultanément de moyens de retenue et de chauffage électrique pour les corps de support en forme de barreau faits de matière semi-conductrice ou conductrice et par une cloche en quartz ou en verre délimitant conjointement avec la base le volume de réaction, les électrodes traversant en outre de manière mutuellement isolée et étanche au gaz la base en forme de plateau et, finalement,

   les électrodes ainsi que les autres composants métalliques de la base étant faits d'argent sur la surface limitrophe du volume de réaction, caractérisée en ce que les électrodes individuelles sont composées chacune d'au moins un corps en argent fin et d'au moins un corps en un métal de moindre valeur mais bon conducteur de l'électricité, de telle manière que seule la partie d'électrode faite d'argent fin soit limitrophe du volume de réaction.

Claims (1)

  1. 2. Enceinte de réaction suivant la revendication 1, caractérisée en ce que les deux parties d'électrode forment un canal de circulation ou d'écoulement continu pour un agent de refroidissement liquide ou gazeux.
    3. Enceinte de réaction suivant l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les corps métalliques formant une électrode sont soudés ou brasés l'un sur l'autre.
    4. Enceinte de réaction suivant l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les corps métalliques formant une électrode sont pressés l'un contre l'autre en inter- , posant éventuellement un anneau de matière élastique.
    5. Enceinte de réaction pour le dépôt de matière semiconductrice sur les corps de support chauffés, telle que décrite ci-avant ou conforme au dessin annexé.
BE154492A 1974-07-05 1975-03-19 Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de support chauffes BE826870A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2432383A DE2432383C2 (de) 1973-11-22 1974-07-05 Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE826870A true BE826870A (fr) 1975-07-16

Family

ID=5919817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE154492A BE826870A (fr) 1974-07-05 1975-03-19 Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de support chauffes

Country Status (3)

Country Link
BE (1) BE826870A (fr)
IT (1) IT1039434B (fr)
PL (1) PL99018B1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100058988A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Mitsubishi Materials Corporation Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100058988A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Mitsubishi Materials Corporation Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon
EP2161241A3 (fr) * 2008-09-09 2010-12-08 Mitsubishi Materials Corporation Appareil de fabrication de silicium polycristallin
US8652256B2 (en) 2008-09-09 2014-02-18 Mitsubishi Materials Corporation Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon

Also Published As

Publication number Publication date
PL99018B1 (pl) 1978-06-30
IT1039434B (it) 1979-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0376387A1 (fr) Dispositif incluant un porte-échantillons chauffant
EP1169890B1 (fr) Cartouche pour torche a plasma et torche a plasma
EP1049820B1 (fr) Prodede de croissance cristalline sur substrat
CA1091736A (fr) Poches metallurgiques pour les traitements inductifs des metaux
FR2701598A1 (fr) Embase isolante pour un dispositif de lampe à décharge.
FR2560715A1 (fr) Procede et appareil pour fabriquer une ampoule d&#39;eclairage moyennant l&#39;utilisation d&#39;un gaz de scellement
FR2792493A1 (fr) Cartouche pour torche a plasma et torche a plasma equipee
FR2637733A1 (fr) Structure de rotor de tube a rayons x
BE826870A (fr) Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-conductrice sur des corps de support chauffes
FR2637734A1 (fr) Joint brase de structure de rotor
FR2572873A1 (fr) Electrode de paroi pour four metallurgique electrique a courant continu
FR2482078A1 (fr) Procede et dispositif pour la production de corps en verre de quartz, plats, transparents et pauvres en bulles
WO2003005771A1 (fr) Perfectionnements a la structure d&#39;un four a resistance graphite
FR2615049A1 (fr) Collecteur pour machine electrique tournante et procede de fabrication de ce collecteur
FR2593649A1 (fr) Laser a gaz scelle.
FR2532470A1 (fr) Dispositif d&#39;ionisation d&#39;un materiau par chauffage a haute temperature
CH620034A5 (fr)
FR2480496A1 (fr) Cathode pour tubes electroniques comportant deux corps creux
FR2973105A1 (fr) Four a haute temperature sous ultra vide
FR2665582A1 (fr) Source laser a vapeur metallique.
FR2729501A1 (fr) Amenee de courant haute tension entre une installation supraconductrice btc et une extremite de connexion a temperature ambiante d&#39;un cable haute tension
BE357686A (fr) appareil à rayons x à bac d&#39;huile
FR2494495A1 (fr) Cartouche coupe-circuit d&#39;appareil et procede pour sa fabrication
FR2471249A1 (fr) Procede, dispositif et metal d&#39;apport pour le brasage sans flux
EP0520374A1 (fr) Structure pour amenée de courant destinée à une installation fonctionnant à très basse température