BE782076A - Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels

Info

Publication number
BE782076A
BE782076A BE782076A BE782076A BE782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
devices
substrate
composition
products containing
electronical
Prior art date
Application number
BE782076A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Inventor
Physique Appliquees L E P De
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of BE782076A publication Critical patent/BE782076A/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • H10P14/24—
    • H10P14/3421—
    • H10P14/3441—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S118/00—Coating apparatus
    • Y10S118/90—Semiconductor vapor doping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/067—Graded energy gap
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
BE782076A 1971-04-15 1972-04-13 Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels BE782076A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7113279A FR2133498B1 (OSRAM) 1971-04-15 1971-04-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE782076A true BE782076A (nl) 1972-10-13

Family

ID=9075302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE782076A BE782076A (nl) 1971-04-15 1972-04-13 Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3925118A (OSRAM)
BE (1) BE782076A (OSRAM)
CA (1) CA994218A (OSRAM)
CH (1) CH582753A5 (OSRAM)
FR (1) FR2133498B1 (OSRAM)
GB (1) GB1387023A (OSRAM)
IT (1) IT954659B (OSRAM)
NL (1) NL7204858A (OSRAM)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2320774A1 (fr) * 1974-01-10 1977-03-11 Radiotechnique Compelec Procede et dispositif de depot de materiau dope
US4171996A (en) * 1975-08-12 1979-10-23 Gosudarstvenny Nauchno-Issledovatelsky i Proektny Institut Redkonetallicheskoi Promyshlennosti "Giredmet" Fabrication of a heterogeneous semiconductor structure with composition gradient utilizing a gas phase transfer process
JPS5296865A (en) * 1976-02-04 1977-08-15 Nec Corp Crystal grown unit for chemical compound semiconductor
US4400409A (en) * 1980-05-19 1983-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making p-doped silicon films
US4410558A (en) * 1980-05-19 1983-10-18 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous amorphous solar cell production system
JPS582294A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Fujitsu Ltd 気相成長方法
US4565905A (en) * 1982-04-28 1986-01-21 International Jensen Incoporated Loudspeaker construction
JPS59156996A (ja) * 1983-02-23 1984-09-06 Koito Mfg Co Ltd 化合物結晶膜の製造方法とその装置
US4553853A (en) * 1984-02-27 1985-11-19 International Business Machines Corporation End point detector for a tin lead evaporator
US4689094A (en) * 1985-12-24 1987-08-25 Raytheon Company Compensation doping of group III-V materials
JP3023982B2 (ja) * 1990-11-30 2000-03-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
CN1904128A (zh) * 2005-07-29 2007-01-31 深圳富泰宏精密工业有限公司 真空室进气调节装置及调节方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL256300A (OSRAM) * 1959-05-28 1900-01-01
NL262949A (OSRAM) * 1960-04-02 1900-01-01
US3184348A (en) * 1960-12-30 1965-05-18 Ibm Method for controlling doping in vaporgrown semiconductor bodies
NL288035A (OSRAM) * 1962-01-24
US3314393A (en) * 1962-07-05 1967-04-18 Nippon Electric Co Vapor deposition device
DE1521789A1 (de) * 1964-07-15 1969-10-16 Ibm Deutschland Verfahren zum chemischen Feinpolieren
US3441454A (en) * 1965-10-29 1969-04-29 Westinghouse Electric Corp Method of fabricating a semiconductor by diffusion
US3494743A (en) * 1967-11-01 1970-02-10 Atomic Energy Commission Vapor phase reactor for producing multicomponent compounds
US3635771A (en) * 1968-05-21 1972-01-18 Texas Instruments Inc Method of depositing semiconductor material
GB1298667A (en) * 1969-02-24 1972-12-06 Nat Res Dev Improvements in the separation of liquids
BE760041A (fr) * 1970-01-02 1971-05-17 Ibm Procede et appareil de transfert de masse gazeuse

Also Published As

Publication number Publication date
GB1387023A (en) 1975-03-12
NL7204858A (OSRAM) 1972-10-17
IT954659B (it) 1973-09-15
US3925118A (en) 1975-12-09
DE2217988B2 (de) 1977-07-07
CA994218A (en) 1976-08-03
FR2133498A1 (OSRAM) 1972-12-01
DE2217988A1 (de) 1972-10-19
FR2133498B1 (OSRAM) 1977-06-03
CH582753A5 (OSRAM) 1976-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE782076A (nl) Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL186608B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting.
NL7510336A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL180467C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een op een halfgeleidersubstraat aangegroeide epitaxiale laag van halfgeleidermateriaal, die in afzonderlijke eilandzones is verdeeld door een door plaatselijke oxydatie van halfgeleidermateriaal van de laag in de laag gevormd patroon van isolerend materiaal.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL186048B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL180527B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een bekledingspreparaat dat siloxaan en titanaat bevat alsmede voorwerpen die met een dergelijk preparaat zijn bekleed.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL169250C (nl) Keten voor het in een blokkerende toestand brengen van een in geleidende toestand verkerende stuurbare halfgeleidergelijkrichter met een halfgeleiderlichaam met vier lagen van afwisselend tegengesteld geleidingstype.
NL179571C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een stapel uit lagen.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL168997B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij groeven in een hoofdoppervlak van een plaatje halfgeleidermateriaal worden gevormd en waarbij het andere hoofdoppervlak zolang aan een lap- bewerking wordt onderworpen, dat ten minste een van de groeven wordt blootgelegd.
NL161619B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL151213B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL163063C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het lading- gekoppelde type voor het opslaan en in volgorde over- dragen van pakketten minderheidsladingsdragers.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL173386C (nl) Werkwijze voor het vormen van een metaaloxydebekleding op een ondergrond.
NL172606B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij de door onderverdeling van een plaat halfgeleidermateriaal te verkrijgen halfgeleiderelementen met behoud van de plaats ten opzichte van elkaar tijdelijk bijeen worden gehouden op een dragerlichaam.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL166171C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze.
NL166074C (nl) Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat.