AT313981B - Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Hochfrequenz-Planartransistors - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Hochfrequenz-Planartransistors

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AT313981B AT242770A AT242770A AT313981B AT 313981 B AT313981 B AT 313981B AT 242770 A AT242770 A AT 242770A AT 242770 A AT242770 A AT 242770A AT 313981 B AT313981 B AT 313981B
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    • H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
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    • H02G3/02—Details
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AT242770A 1969-03-18 1970-03-16 Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Hochfrequenz-Planartransistors AT313981B (de)

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NL (1) NL6916374A (de)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2429957A1 (de) * 1974-06-21 1976-01-08 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer dotierten zone eines leitfaehigkeitstyps in einem halbleiterkoerper

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DE2429957A1 (de) * 1974-06-21 1976-01-08 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer dotierten zone eines leitfaehigkeitstyps in einem halbleiterkoerper

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NL6916374A (de) 1970-09-22
DE1913681A1 (de) 1970-10-01
SE348318B (de) 1972-08-28
FR2035028B1 (de) 1974-09-20
GB1262396A (en) 1972-02-02
CH503377A (de) 1971-02-15

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