AT309390B - Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Körpers an einem in einer Halterung befestigten Keimkristall aus einem in einem kalten Spulentiegel mindestens auf die Schmelztemperatur erhitzten Schmelzgut - Google Patents

Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Körpers an einem in einer Halterung befestigten Keimkristall aus einem in einem kalten Spulentiegel mindestens auf die Schmelztemperatur erhitzten Schmelzgut

Info

Publication number
AT309390B
AT309390B AT855670A AT855670A AT309390B AT 309390 B AT309390 B AT 309390B AT 855670 A AT855670 A AT 855670A AT 855670 A AT855670 A AT 855670A AT 309390 B AT309390 B AT 309390B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
pulling
holder
melting temperature
seed crystal
melt material
Prior art date
Application number
AT855670A
Other languages
German (de)
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT309390B publication Critical patent/AT309390B/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
AT855670A 1969-09-24 1970-09-22 Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Körpers an einem in einer Halterung befestigten Keimkristall aus einem in einem kalten Spulentiegel mindestens auf die Schmelztemperatur erhitzten Schmelzgut AT309390B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691948194 DE1948194A1 (de) 1969-09-24 1969-09-24 Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Koerpers aus einem mindestens auf die Schmelztemperatur erhitzten Schmelzgut und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT309390B true AT309390B (de) 1973-08-10

Family

ID=5746317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT855670A AT309390B (de) 1969-09-24 1970-09-22 Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Körpers an einem in einer Halterung befestigten Keimkristall aus einem in einem kalten Spulentiegel mindestens auf die Schmelztemperatur erhitzten Schmelzgut

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3759670A (da)
AT (1) AT309390B (da)
BE (1) BE756590A (da)
CH (1) CH534541A (da)
DE (1) DE1948194A1 (da)
DK (1) DK124175B (da)
FR (1) FR2062437A5 (da)
GB (1) GB1284068A (da)
NL (1) NL7010531A (da)
SE (1) SE368663B (da)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT385059B (de) * 1983-05-31 1988-02-10 Avl Verbrennungskraft Messtech Verfahren zum zuechten von kristallen, insbesondere einkristallen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4049384A (en) * 1975-04-14 1977-09-20 Arthur D. Little, Inc. Cold crucible system
US4224100A (en) * 1978-06-16 1980-09-23 Litton Systems, Inc. Method and apparatus for making crystals
US4259278A (en) * 1979-07-09 1981-03-31 Ultra Carbon Corporation Method of reshaping warped graphite enclosures and the like
DE3316547C2 (de) * 1983-05-06 1985-05-30 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kalter Tiegel für das Erschmelzen nichtmetallischer anorganischer Verbindungen
CA1309755C (en) * 1987-03-30 1992-11-03 Hiroyoshi Nozaki Method of and apparatus for baking coating layer
JPH04331792A (ja) * 1991-04-30 1992-11-19 Osaka Titanium Co Ltd シリコン単結晶製造方法
US5885344A (en) * 1997-08-08 1999-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT385059B (de) * 1983-05-31 1988-02-10 Avl Verbrennungskraft Messtech Verfahren zum zuechten von kristallen, insbesondere einkristallen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
BE756590A (fr) 1971-03-24
SE368663B (da) 1974-07-15
CH534541A (de) 1973-03-15
US3759670A (en) 1973-09-18
DK124175B (da) 1972-09-25
NL7010531A (da) 1971-03-26
DE1948194A1 (de) 1971-04-01
GB1284068A (en) 1972-08-02
FR2062437A5 (da) 1971-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH440226A (de) Verfahren zum Ziehen von Kristallen aus der Schmelze
BE866991A (fr) Procede pour concentrer les solutions avec solidification simultanee
AT296388B (de) Verfahren zum Ziehen von Kristallen aus einer in einem Tiegel vorhandenen Schmelze
AT309390B (de) Verfahren zum Ziehen eines kristallinen Körpers an einem in einer Halterung befestigten Keimkristall aus einem in einem kalten Spulentiegel mindestens auf die Schmelztemperatur erhitzten Schmelzgut
CH365545A (de) Verfahren zum Herstellen von Kristallen aus hochreinem Halbleitermaterial aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze
CH461716A (de) Verfahren zur Ingangsetzung und Aufrechterhaltung der Metallzuführung zu einer Stranggiesskokille und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens
CH455161A (de) Verfahren zum Entschlacken der Schmelze in Tiegelschmelzöfen
AT288042B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erschmelzen und Gießen einer Legierung auf Titan-Nickelbasis
CH375527A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH456056A (de) Verfahren zum Kühlen der Kokillenhälften einer Giessmaschine mit Raupenkokille und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens
CH538885A (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen
DE1913881A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH442245A (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
AT299129B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
CH421902A (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AT283405B (de) Verfahren zum Regeln des thermischen Zustandes der Metallschmelze bei einem kontinuierlichen Frischverfahren
DE2126487B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufwachsen kristallinen materials aus einer loesung
CH426739A (de) Verfahren zum Herstellen von stabförmigem, kristallinem Halbleitermaterial durch Ziehen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze
CH493366A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anbringen einer Qualitätskennzeichnung auf Schweissstäben
CH371197A (de) Verfahren und Vorrichtung zum fortlaufenden induktiven Erwärmen von wenigstens ein Blechband enthaltendem Behandlungsgut
AT245044B (de) Vorrichtung zum Herstellen von Kristallen durch Ziehen aus der Schmelze
ATA814273A (de) Vorrichtung zur entnahme flussigen metalls aus einem schmelztiegel
CH534540A (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes
SU486780A1 (ru) Тигель дл выт гивани кристаллов из расплава по способу чохральского
AT316035B (de) Verfahren zum Anfahren einer Horizontal-Stranggußanlage mit einer Raupenkokille zum Bandgießen von Nichteisenmetallen und Gießeinrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee