AT303118B - Verfahren zum Herstellen mindestens eines pn-Übergangs in einem aus Germanium bestehenden Halbleiterbauelement durch Diffusion - Google Patents

Verfahren zum Herstellen mindestens eines pn-Übergangs in einem aus Germanium bestehenden Halbleiterbauelement durch Diffusion

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AT303118B AT730169A AT730169A AT303118B AT 303118 B AT303118 B AT 303118B AT 730169 A AT730169 A AT 730169A AT 730169 A AT730169 A AT 730169A AT 303118 B AT303118 B AT 303118B
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DE19681764760 DE1764760A1 (de) 1968-07-31 1968-07-31 Verfahren zum Herstellen von doppeldiffundierten Germaniumplanartransistoren

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