AT303118B - Verfahren zum Herstellen mindestens eines pn-Übergangs in einem aus Germanium bestehenden Halbleiterbauelement durch Diffusion - Google Patents
Verfahren zum Herstellen mindestens eines pn-Übergangs in einem aus Germanium bestehenden Halbleiterbauelement durch DiffusionInfo
- Publication number
- AT303118B AT303118B AT730169A AT730169A AT303118B AT 303118 B AT303118 B AT 303118B AT 730169 A AT730169 A AT 730169A AT 730169 A AT730169 A AT 730169A AT 303118 B AT303118 B AT 303118B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- germanium
- diffusion
- junction
- producing
- semiconductor component
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681764760 DE1764760A1 (de) | 1968-07-31 | 1968-07-31 | Verfahren zum Herstellen von doppeldiffundierten Germaniumplanartransistoren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT303118B true AT303118B (de) | 1972-11-10 |
Family
ID=5698119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT730169A AT303118B (de) | 1968-07-31 | 1969-07-29 | Verfahren zum Herstellen mindestens eines pn-Übergangs in einem aus Germanium bestehenden Halbleiterbauelement durch Diffusion |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT303118B (de) |
| CH (1) | CH504104A (de) |
| DE (1) | DE1764760A1 (de) |
| FR (1) | FR1598801A (de) |
| GB (1) | GB1226072A (de) |
| NL (1) | NL6911090A (de) |
-
1968
- 1968-07-31 DE DE19681764760 patent/DE1764760A1/de active Pending
- 1968-12-27 FR FR1598801D patent/FR1598801A/fr not_active Expired
-
1969
- 1969-07-18 NL NL6911090A patent/NL6911090A/xx unknown
- 1969-07-29 AT AT730169A patent/AT303118B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-07-29 CH CH1152169A patent/CH504104A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-07-30 GB GB1226072D patent/GB1226072A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1226072A (de) | 1971-03-24 |
| FR1598801A (de) | 1970-07-06 |
| DE1764760A1 (de) | 1971-10-07 |
| NL6911090A (de) | 1970-02-03 |
| CH504104A (de) | 1971-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH427044A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers mit einem geschützten pn-Übergang | |
| CH415856A (de) | Verfahren zum Herstellen eines pn-Übergangs in einer Halbleiteranordnung | |
| CH331017A (de) | Verfahren zur Herstellung eines PN-Überganges in einem Halbleiter | |
| CH505470A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung | |
| CH514935A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement | |
| CH423728A (de) | Verfahren zum Herstellen von pn-Übergängen in Silizium | |
| CH516227A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Halbleitervorrichtung | |
| CH421309A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement | |
| CH483726A (de) | Verfahren zum Zerlegen einer Halbleiterscheibe | |
| CH498490A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1803028B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistors | |
| CH376186A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, insbesondere eines Transistors | |
| AT307504B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| AT256940B (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht | |
| AT321991B (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes mit einer schottky-sperrschicht | |
| DE1800347B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| CH458299A (de) | Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht | |
| CH462338A (de) | Anordnung mit einem lichtempfindlichen Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung | |
| CH457630A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterdetektors | |
| CH470759A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| CH479163A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| AT292786B (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| AT310813B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang | |
| AT245045B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang | |
| CH452708A (de) | Verfahren zum Herstellen einer aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Halbleitervorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ELJ | Ceased due to non-payment of the annual fee |