AT297801B - Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung

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AT297801B AT1077168A AT1077168A AT297801B AT 297801 B AT297801 B AT 297801B AT 1077168 A AT1077168 A AT 1077168A AT 1077168 A AT1077168 A AT 1077168A AT 297801 B AT297801 B AT 297801B
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    • H10D62/102Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
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AT1077168A 1967-11-09 1968-11-06 Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung AT297801B (de)

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US4835585A (en) * 1984-11-26 1989-05-30 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Trench gate structures

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NL6815830A (de) 1969-05-13
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BR6803855D0 (pt) 1973-04-17
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JPS4822392B1 (de) 1973-07-05
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GB1202429A (en) 1970-08-19

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