AT255510B - Druckempfindliche Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

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  Druckempfindliche Halbleiteranordnung 
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 sich auf eine druckempfindlicheTransistoren, gezogene Transistoren,   Epitaxialtransistoren   oder Mesatypen verwendet werden. Wesentlich ist es, solche Halbleiteranordnungen zu verwenden, bei denen die pn-Übergänge möglichst dicht unter der Oberfläche liegen. 
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 trode 4 eine Spitze 30 aufgesetzt, die   z. B.   in einem System bei in Gegentakt arbeitenden Druck- quellen betrieben werden. 



   Als Spitzenmaterial hat sich Rubin bzw. Borkarbid als besonders geeignet erwiesen. Es kann auch
Molybdän verwendet werden : dies erweist sich jedoch in den meisten Fällen als zu weich. 



   Um zu gewährleisten, dass die Druckänderung in einem Bereich erfolgt, in der die Druckempfind-   lichkeit besonders gross ist,   kann durch einen entsprechenden Vordruck der Bereich in dem die Druckände- rung erfolgt entsprechend eingestellt werden. 



   Weiterhin ist auch der Einfluss der Eindringtiefe der   pn-Übergänge   auf die Druckempfindlichkeit zu erwarten. Ein Wert für die Emittereindringtiefe, die kleiner als   1 lui   ist, hat sich als besonders   gunstig   er- wiesen. Allgemein kann man sagen, dass die   pn-Übergänge   möglichst dicht unter der   Oberfläche   liegen sollen. Es muss jedoch dabei immer sichergestellt bleiben, dass der Abstand der   pn-Übergänge   von der
Oberfläche noch so gross ist, dass die   pn-Übergänge   durch die drückende Spitze nicht zerstört werden. 



   Der geringe Abstand der   pn-Übergänge   von der Oberfläche muss nur an der Stelle, an der die Spitze aufsitzt, vorhanden sein. Es kann daher auch z. B. durch örtliches Abätzen nur an dieser Stelle der geringe
Abstand eingestellt werden. 



   Zur Einstellung von elektrischen Vorspannungen für Transistoren sind Batterien 27 und 28 vorge- sehen. 



   Durch Anlegen einer Modulationsspannung am Emitter des Transistors nach Fig. 1 kann ausserdem auch eine Modulation der Kollektorspannung erzielt werden. Dadurch kann z. B. ein Trägerwechselstrom über das Mikrophon direkt moduliert werden. 



   Es hat sich gezeigt, dass es günstig ist, dem Kollektorstrom einen Anfangswert zu geben,   d. h.   vor
Ausübung des Druckes auf die Basiselektrode bzw. die Basiszone einen Wert für den Kollektorstrom einzu- stellen, der möglichst gering ist,   d. h.   nur so gross, dass der Transistor richtig arbeitet,   d. h.   eine merk- liche Stromverstärkung zeigt. Durch die Einstellung eines geringen Kollektorstroms vor Ausübung des
Druckes kann die Empfindlichkeit der Anordnung erhöht werden. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Druckempfindliche Halbleiteranordnung mit drei hintereinanderliegenden, als Emitter, Basis und
Kollektor wirksamen,   flächenhafte pn-Übergänge   bildenden Halbleiterzonen, bei der auf wenigstens einer der Zonen bzw. der mit dieser verbundenen Elektrode eine Spitze mit veränderbarem Auflagedruck auf- sitzt,   dadurch     gekennzeichnet,   dass je eine Spitze auf der Basiszone bzw. Basiselektrode und i der Emitterzone bzw. der Emitterelektrode aufgesetzt ist.

Claims (1)

1. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Spitze auf der Basiselektrode etwa in der Mitte zwischen den seitlichen Elektrodenbegrenzungen aufsitzt.

   3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass Emitter- und Basisübergänge einen Abstand von dem Oberflächenteil auf dem die Spitze aufsitzt, aufweisen, der kleiner als 1 lui ist.

   4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Basisschicht im Bereich unter der Aufsatzstelle der Spitze klein gegen die Dicke der Basis- schicht ausserhalb des Bereiches der Aufsatzstelle der Spitze ist.