AT255509B - Druckempfindliche Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Druckempfindliche Halbleiteranordnung 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 



   Die Stelle auf der Basiselektrode, die zum Aufsetzen der Spitze dient, wird am besten in der Mitte zwischen   den beiden Elektiodenbegrenzungen gewählt. Sie   kann dabei, wie bei dem in Fig. 2 dargestellten Transistor, im senkrechten Teil des Hufeisens oder auch im waagrechten Teil, der streifenförmigen Emitterelektrode gegenüberstehen, angebracht werden. 



   Als Spitzenmaterial hat sich Rubin bzw. Borkarbid als besonders geeignet erwiesen. Es kann auch Molybdän verwendet werden ; dies erweist sich jedoch in den meisten Fällen als zu weich. 



   Um zu gewährleisten, dass die Druckänderung in einem Bereich erfolgt, in der die Druckempfindlichkeit besonders gross ist, kann durch einen entsprechenden Vordruck, der auf die Spitze 7 ausgeübt wird, der Bereich in dem die Druckänderung erfolgt, entsprechend eingestellt werden. 



   Wie bereits weiter oben ausgeführt wurde, ist auch ein Einfluss der Eindringtiefe der pn-Übergänge auf die Druckempfindlichkeit zu erwarten. Ein Wert für die Emittereindringtiefe und die Basiseindringtiefe, der kleiner als 1 li ist, hat sich als besonders günstig erwiesen. Allgemein kann man sagen, dass die pn-Übergänge möglichst dicht unter der Oberfläche liegen sollen. Es muss jedoch dabei immer sichergestellt bleiben, dass der Abstand der pn-Übergänge von der Oberfläche noch so gross ist, dass die pn- Übergänge durch die drückende Spitze nicht zerstört werden. Der geringe Abstand der pn-Übergänge von der Oberfläche muss nur an der Stelle, an der die Spitze aufsitzt, vorhanden sein. Es kann daher auch   z. B.   durch örtliches Abätzen nur an dieser Stelle der geringe Abstand eingestellt werden. 



   Es hat sich gezeigt, dass es günstig ist, dem Kollektorstrom einen Anfangswert zu geben,   d. h.   vor Ausübung des Druckes auf die Basiselektrode bzw. die Basiszone einen Wert für den Kollektorstrom einzustellen, der möglichst gering ist,   d. h.   nur so gross, dass der Transistor richtig arbeitet,   d. h.   eine merkliche Stromverstärkung zeigt. Durch die Einstellung eines geringen Kollektorstromes vor Ausübung des Druckes kann die Empfindlichkeit der Anordnung erhöht werden. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Druckempfindliche Halbleiteranordnung mit drei hintereinanderliegenden, als Emitter, Basis und Kollektor wirksamen, flächenhafte pn-Übergänge bildenden Halbleiterzonen, bei der auf einer der Zonen bzw. der mit dieser verbundenen Elektrode eine Spitze mit veränderbarem Auflagedruck aufsitzt, da-   durch gekennzeichnet,   dass die Spitze auf der Basiszone bzw. auf der Basiselektrode aufgesetzt ist.

Claims (1)

1. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Spitze auf der Basiselektrode etwa in der Mitte, zwischen den seitlichen Elektroden und Begrenzungen aufsitzt.

   3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass Emitterund Basisübergänge einen Abstand von dem Oberflächenteil, auf dem die Spitze aufsitzt, aufweisen, der kleiner als l ist.

   4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Basiszone im Bereich unter der Aufsatzstelle der Spitze klein gegen die Dicke der Basiszone ausserhalb des Bereiches der Aufsatzstelle der Spitze ist.