AT236527B - Silizium-Halbleiterelement - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Silizium-Halbleiterelement 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

    oder eines Silizium-Halbleiterstromtores, insbesondere wenndiesezifischeStromtragfähigkeit des Halbleiterelementes   zu hoch sein würde, indem die Konzentration der Rebombinationzentren in ihr zu gering ist, um soviel grösser bemessen, dass damit die spezifische Strom-   tragfähigkeitdes Halbleiterelementes also verringert und dadurch in den angegebenen   Bereich hinein verlegt wird, bei welchem im Falle einer Stromdichte von 1 A je mm2 in Flussrichtung der Wert des Spannungs- 
 EMI2.1 
 nung Bezug genommen. 



   In dieser Figur sei in einem   zur Veranschaulichung gewählten Massstab   auf der Abszissenachse die Entfernung e aufgetragen, die zwischen beiden Oberflächen des Halbleiterkörpers besteht, die ihrer Lage nach durch die beiden vertikalen Linien A und B angedeutet sind. In der vertikalen Richtung ist die Störstellenkonzentration bzw. Zahl der Störstellen N je cm3 aufgetragen. Es ist bei dieser Darstellung angenommen, dass von einemHalbleiterkörper ausgegangen wird, der zunächst eine gleichmässige   schwachep-Dotierung,   die durch Sp angedeutet ist, besitzt, deren   Konzentrationswert durch die parallel zur Abszissenachse ein-   getragene Linie a gekennzeichnet ist. In diesen Halbleiterkörper ist nun von beiden Oberflächen aus je ein Störstellenmaterial eindotiert worden, u. zw. von links z. B.

   Bor, wodurch sich von der OberflächeA aus eine Störstellenverteilung für eine starke elektrische   p-Leitung   gemäss der Kurve b im Halbleiterkörper ergibt. 



   Von der rechten Oberfläche B aus ist ein Störstellenmaterial für Überschussleitung, nämlich   z. B.   



  Phosphor, eindotiert worden, so dass sich also'eine starke n-Dotierung gemäss der eingetragenen Kurve c hinsichtlich ihrer Konzentration von der Oberfläche B aus im Halbleiterkörper ergibt. An der Stelle, wo 
 EMI2.2 

Claims (1)

1. <Desc/Clms Page number 3> male in Kombination benutzt sind : a) Die Störstellenkonzentration besitzt jeweils in der eindotierten Zone an der Oberfläche des Halb- leiterkörpers einen Betrag in der Grössenordnung von etwa 1018 bis 1020 Störstellen je cm3 ; b) der Gradient der Störstellenverteilung bzw. die Störstellenkonzentration über der Entfernung von der Front des jeweiligen eindotierten Bereiches, also von einem ohmschen Übergang zwischen Bereichen verschieden hohen Dotierungsgrades bzw. von einem pn-Übergang zwischen Bereichen entgegengesetzten elektrischen Leitungstyps hat einen Wert von kleiner etwa 1017 X cm-4 ;

   c) die Dicke der mit höchstens etwa 1015 Störstellen je cms schwach dotierten Mittelzone, welche im Halbleiterkörper zwischen den stark dotierten Bereichen liegt, und die Konzentration der in dieser schwach dotierten Zone befindlichen Rekombinationszentren sind in ihrem Verhältnis so auf- einander abgestimmt, dass bei einem Strom von 1 Ase mm in der Flussrichtung des pn-Überganges im Halbleiterkörper an den Anschlüssen des Stromlaufes durch den Halbleiterkörper ein Spannungs- abfall zwischen etwa 1, 0 - 1, 15 V besteht.