AT243530B - Wässerige Badlösung zur Herstellung von Magnetschichtspeichern mit hoher Speicherdichte - Google Patents
Wässerige Badlösung zur Herstellung von Magnetschichtspeichern mit hoher SpeicherdichteInfo
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Description
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Wässerige Badlösung zur Herstellung von Magnetschichtspeichern mit hoher Speicherdichte
Die Erfindung betrifft-eIne wässerige Badlösung, die zur Ablagerung eines magnetisierbaren Kobalt- überzuges auf einem katalytisch aktivierten Träger zur Herstellung von Magnetschichtspeichem mit hoher Speicherdichte dient, welche sich für eine Verwendung in modernen Elektronenrechnern und Datenverarbeitungsgeräten eignen.
Die chemische Reduktion von Kobaltionen, die durch das Vorhandensein von Hypophosphitionen in der Lösung bewirkt wird, ist eine bekannte autokatalytische Reduktionserscheinung, die bereits bei der chemischen Ablagerung metallischen Kobalts für Oberflächenvergütungs- und Rostschutzzwecke und für die Herstellung lichtreflektierender und lichtstreuender Gegenstände Verwendung findet.
EMI1.1
stellten Überzüge nicht die für magnetische Datenspeichervorrichtungen erforderlichen magnetischen und physikalischen Eigenschaften.
Es ist deshalb die Aufgabe der Erfindung, die Zusammensetzung einer solchen wässerigen Badlösung zu finden, mittels der durch Reduktionsniederschlag auf einem katalytisch aktivierten Träger magnetische Datenspeichervorrichtungen hergestellt werden können, die besonders zweckmä- ssige Eigenschaften, beispielsweise eine über 200 Oersted liegende magnetische Koerzitivkraft, eine annähernd rechteckige magnetischeHysteresisschleife sowie neben einer hohen Widerstandsfähigkeit gegen- über mechanischer Abnutzung annähernd gleichbleibende physikalische und magnetische Eigenschaften besitzen.
Die Erfinderin hat gefunden, dass durch eine innerhalb eines bestimmten Bereiches liegende Ge- samtkobalt-Hypophosphition'"nkonzentration zusätzlich zu der Einstellung von Kobalt-undHypophosphitionenkonzentrationen gemäss dem Stand der Technik durch die sich ergebende Badlösung Überzüge erzielt werden, die die vorgenannten zweckmässigen magnetischen Eigenschaften besitzen und dadurch die Herstellung magnetischer Datenspeichervorrichtungen ermöglichen.
Gegenstand der Erfindung ist somit eine wässerige Badlösung, zur Herstellung von Magnetschichtspei- chem mit hoher Speicherdichte durch Reduktionsniederschlag eines magnetisierbaren Kobaltüberzuges auf einen katalytisch aktivierten Träger, wobei die Badlösung Kobalt- und Hypophosphitionen in einem Kon-
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men und kann entweder metallisch oder nichtmetallisch sein. Vorzugsweise soll der Träger jedoch ein verhältnismässig dünnes Blatt oderBand aus Polyäthylenterephthalat mit einer Dicke in der Grössenordnung von 0, 07 mm sein.
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BADZUSAMMENSETZUNG
EMI3.1
<tb>
<tb> Konzentration <SEP> Kobalt- <SEP> und <SEP> Hypophosphitionenkonzentration <SEP> Magnetische
<tb> der <SEP> einzelnen <SEP> Verbindungen <SEP> Eigenschaften
<tb> (A) <SEP> (B) <SEP> (C) <SEP> (D) <SEP> (E) <SEP> (F) <SEP> (G) <SEP> (H) <SEP> (I) <SEP> (1) <SEP> (K)
<tb> Bad <SEP> CoCl2 <SEP> . <SEP> 6 <SEP> H2O <SEP> NaH2PO2 <SEP> . <SEP> H2O <SEP> H3C6H5O7 <SEP> . <SEP> H2O <SEP> NH4Cl <SEP> Co++ <SEP> H2PO2- <SEP> Co++:
H2PO2- <SEP> Co+++H2PO2- <SEP> Hc <SEP> Br <SEP> Bs
<tb> ni.
<tb> g/l <SEP> g/l <SEP> g/l <SEP> g/l <SEP> g/l <SEP> g/l <SEP> g/l <SEP> Oer <SEP> Gauss <SEP> Gauss
<tb> stedt
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<tb>
EMI3.2
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Wie in der vorangehenden Tabelle gezeigt, hat sich herausgestellt, dass, wenn die Gesamtkonzentration der Kobalt- und Hypophosphitionen im Bereich zwischen 2, 0 und 8, 2 g/l, vorzugsweise 4, 0 g/l, und das Verhältnis der Kobaltionen- zur Hypophosphitionenkonzentration zwischen 0, 2 und 1, 7, vorzugsweise bei 0, 86 liegt, metallische Kobaltablagerungen erzielt werden, die eine magnetische Koerzitivkraft im Bereich von 288 bis 319 Oerstedt, eine annähernd rechtec1dgeHysteresisschleife (als Grad für die Rechteckigkeit dient der Quotient aus der remanenten Magnetisierung und der Sättigungsmagnetisierung), und auch neben einer hohen Widerstandsfähigkeit gegenüber mechanischer Abnutzung annähend konstante,
gleichbleibende physikalische und magnetische Eigenschaften besitzen.
Obwohl es sich bei dem oder den verwendeten komplexbildenden Mittel bzw. Mitteln um einen beliebigen einer Vielzahl dem Fachmann bekannter Stoffe handeln kann, wird vorzugsweise Zitronensäure in einer Menge angewendet, die Zitrationen in einer Konzentration ergibt, die mindestens gleich der Konzentration der vorhandenen Kobaltionen ist. wodurch lösliche Kobaltkomplexe gebildet werden, was einen Niederschlag der Kobaltionen verhindert. Ausserdem sollen in der Badlösung Ammoniumionen in einer Konzentration von zumindest 0, 3 g/1 der wässerigen Lösung vorhanden sein.
Nachdem die gewünschte BadwL1ng mit der bevorzugten Konzentration hergestellt ist, wird die Arbeitstemperatur annähernd konstant auf einer zwischen 550C und 900C liegenden Temperatur, vorzugsweise auf 80 C, und der PH-Wert durch fortlaufendes Zuführen von Natriumhydroxyd mittels einerperistaltischen Pumpe zwischen 7, 0 und 9, 0, vorzugsweise auf 8, 2 gehalten. Nach Bereiten der Badlösung wird der aktivierte, mit einemKlebstoffüberzug versehene Träger ungefähr eine Stunde lang in diese Badlösung getaucht. Nach dem Herausnehmen aus der Badlösung wird der beschichtete Träger abgespült und getrocknet und kann nun in bekannter Weise als magnetische Datenspeichervorrichtung hoher Speicherdichte verwendet werden.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Wässerige Badlösung zur Herstellung von Magnetschichtspeichern mit hoher Speicherdichte durch Reduktionsniederschlag eines magnetisierbaren Kobaltüberzuges auf einen katalytisch aktivierten Träger,
EMI4.1
und2, 0 bis 8,2 g/l liegt.
Claims (1)
- 2. Badlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Ammoniumionen in eine Konzentration von mindestens 0,3 g/l enthalten sind. EMI4.2 chen Menge zugesetzt wird, dass die Konzentration der dadurch frei werdenden Zitrationen der Kobaltionenkonzentration zumindest gleich ist.
Applications Claiming Priority (1)
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| US243530XA | 1961-09-14 | 1961-09-14 |
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| AT723762A AT243530B (de) | 1961-09-14 | 1962-09-11 | Wässerige Badlösung zur Herstellung von Magnetschichtspeichern mit hoher Speicherdichte |
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| AT (1) | AT243530B (de) |
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1962
- 1962-09-11 AT AT723762A patent/AT243530B/de active
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