AT225237B - Verfahren zum Ziehen von dünnen stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze - Google Patents

Description

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  Verfahren zum Ziehen von dünnen stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze 
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13 zwischen dem flüssigen und erstarrten Teil von einer Ringelektrode 14 konzentrisch umgeben. Zwischen dieser Ringelektrode und dem Materialstrang 1 liegt eine entsprechend bemessene Gleichspannung, welche die zur Vermeidung der besprochenen Störungen erforderliche, die Wirkung der   Oberflächenspannur g kom-   pensierende Feldstärke erzeugt.

   Die zu der Erfindung führenden Untersuchungen haben nämlich ergeben, dass die besprochene Störung auf Grund der   Oberflächenspannung   des betreffenden Halbleitermaterials hervorgerufen ist und dass deshalb eine Reduktion der   Oberflächenspannung   durch ein elektrisches Feld die- se Störung auf relativ einfache Weise beheben kann. Dieses beträgt bei Silizium in Anbetracht der für diesen
Halbleiter geltenden Oberflächenspannung mindestens 5 kV/cm. Bei andern Halbleitern können entspre- chend geringe Werte eingestellt werden. Dieser Wert gilt für die Normalkomponente der Feldstärke in be- zug auf die Oberfläche des Materialstranges 1. 



    PATENTANSPRÜCHE ;    
1. Verfahren zum Ziehen dünner   stabförmiger   Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelzc, wo-   bei zur Erzielung eines gleichmässigen Kristallwachstums   während des Ziehprozesses Kristall und Schmelze gegen ihre Umgebung elektrostatisch aufgeladen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die Schmelze durch Erhitzen des oberen Endes eines aufrecht gehalterten Stabes aus dem betreffenden Halbleitermaterial, dessen Durchmesser grösser als der des herzustellenden dünnen Stabes ist, durch Einwirkung einer das Stabende konzentrisch umgebenden Wärmequelle erzeugt und das Aufschmelzen so gesteuert wird, dass die Schmelze vom nicht aufgeschmolzenen Teil des Stabes frei getragen wird,

   dass dann mit der Schmelze in an sich bekannter Weise ein Keimkristall aus dem betreffenden Halbleiter in Berührung gebracht und mit einer so grossen Geschwindigkeit von der Schmelze zurückgezogen wird, dass vom Keimkristall aus der Schmelze ein dem Durchmesser des zu erzielenden Stabes entsprechender Strang von flüssigem Halbleitermaterial mitgeführt und progressiv zum Erstarren gebracht wird, dass ferner nach Massgabe des Materialverbrauches der Schmelze neue Teile des dickeren Halbleiterstabes in den die Schmelze erzeugenden Einflussbereich der Wärmequelle nachgeschoben werden und dass schliesslich das elektrostatische Feld zwischen der Schmelze und einer den der Schmelze entnommenen dünnen Materialstrang in der Höhe der Erstarrungsgrenze konzentrisch umschliessenden ringförmigen Elektrode erzeugt wird.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die senkrecht zur Oberfläche des Materialstranges stehende Komponente der elektrischen Feldstärke bei der Herstellung von Siliziumstäben mindestens 5 kV/cm beträgt.