AT214411B - Verfahren zum Herstellen einer hochreinen kompakten, in definierter Form vorliegenden Siliziumkarbidschicht - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer hochreinen kompakten, in definierter Form vorliegenden Siliziumkarbidschicht

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AT214411B AT589459A AT589459A AT214411B AT 214411 B AT214411 B AT 214411B AT 589459 A AT589459 A AT 589459A AT 589459 A AT589459 A AT 589459A AT 214411 B AT214411 B AT 214411B
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117383941A (zh) * 2023-11-01 2024-01-12 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队 一种高纯碳化硅粉体的制备工艺

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