CH395680A - Verfahren zum Herstellen einkristalliner Schichten - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einkristalliner Schichten

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CH395680A
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Werner Dr Spielmann
Zerbst Manfred Dr Dipl-Phys
Raetzel Werner
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Siemens Ag
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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DE1961S0072962 DE1262979B (de) 1961-03-14 1961-03-14 Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einkristalliner Schichten durch Aufdampfen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1054802B (de) * 1956-03-05 1959-04-09 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Verdampfung von Stoffen, insbesondere zur Erzeugung der UEbergangszonen (junctions) von Transistoren
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