AT210175B - Transistor-Torschaltung - Google Patents

Description

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  Transistor-Torschaltung 
 EMI1.1 
 

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 EMI2.1 
 

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 stellt und erreicht bei einer Induktivität der Spule 132 von 0, 2 mH einen Wert von zirka 35 V. Dadurch wird der Emitter des Transistors 2 vorübergehend stark negativ in bezug auf dessen Basiselektrode, so dass dieser Transistor wieder gesperrt werden würde, falls seine Basiszone nicht einen Überfluss von freien La- dungsträgern enthalten würde. Dank dieses Überflusses von freien Ladungsträgern verursacht das zeitweise
Wiederunterbrechen des Basisstromes des Transistors 2 keine Unterbrechung des Stromimpulses durch die in Reihe geschalteten Transistoren 2 und 13 durch die Schreibspule 132 und ihre Diode 132'. Diese zeit- weise Unterbrechung ist in der 5.

   Zeile der Fig. 3 ersichtlich und der Stromimpuls   1132   durch die Spu- le 132 ist in der letzten Zeile dieser Figur dargestellt. Während der negativen Spannungsspitze am Emit- ter des Transistors 2 wird der Strom für den Impuls durch die Schreibspule 132 einfach aus der Reserve von freien Ladungsträgern der Basiszone des Transistors 2 geschöpft. 



   Am Ende des   Stromimpulses Ic2, zugeführt   an dem Kollektor des Transistors 2, verursacht die Hinter- flanke dieses Impulses eine scharfe positive Spannungsspitze am Emitter des Transistors 2, nämlich durch plötzliche Unterbrechung des Stromes durch die Schreibspule 132. Diese scharfe positive Spitze könnte auch nach dem Ende des Kollektor-Stromimpulses über die Emitter-Basisstrecke und die Steuerimpuls- quelle geführt werden, und dadurch verkleinert werden, was die Flankensteilheit des Stromimpulses und den Nutzeffekt der Schreibeinrichtung verschlechtern würde. Die scharfe und starke Basisstromspitze (in der 5. Zeile der Fig. 3 gestrichelt dargestellt) wird jedoch durch die Induktanz 25 unterdrückt und kann auch in dieser Induktanz keine Gegenspannungsspitze erzeugen, da die Induktanz durch die Diode 26 stark gedämpft ist.

   Die Hinterflanke des Impulses durch die Schreibspule 132 wird dementsprechend sehr wenig verzerrt. 



   Die Diode   132'und   die entsprechenden Dioden der verschiedenen Schreibspulen der Matrize, teil- weise dargestellt In Fig. 1, entkoppeln die verschiedenen Schreibspulen einer vertikalen oder einer hori- zontalen Reihe in bezug aufeinander, so dass die durch einen Stromimpuls über einer Schreibspule erzeug- ten Spannungsimpulse keine Ströme durch die andern Schreibspulen verursachen können. 



   Abgesehen von der dadurch entstehenden starken Verzerrung der Stromimpulse durch die Schreibspule 132 ist zu beachten, dass beim zeitweisen Widersperren des Transistors 2 von Fig. 2 die Verlustleistung in diesem Transistor stark ansteigen würde und den maximal zulässigen Wert bald überschreiten könnte. Auch beim Steuern der Basiselektrode dieses Transistors mittels einer Spannung grösserer Ampli-   tude   als die, die von der Gegenspannungsspitze über der induktiven Belastung herrühren und an seinem Emitter wirksam wäre, würde die für den Transistor zulässige Grenze der Verlustleistung und/oder der Emitter-Basisspannung bald überschritten sein. 



   Abgesehen von der beschriebenen Anwendung in einer Matrize oder in ähnlichen Einrichtungen, wobei die Erzeugung eines Stromimpulses durch eine induktive Belastung vom gleichzeitigen Auftreten zweier Wahl- oder Steuersignale abhängig gemacht werden muss, kann die Torschaltung nach der Erfindung in jedem Fall angewendet werden, in welchem eine induktive Belastung über einen als Emitterverstärker geschalteten Transistor mit Stromimpulsen gespeist werden soll. Die   Emitterverstärkerschaltung   ist dabei öfters sehr zweckmässig infolge ihres geringen   Eigenwiderstandes   und ihres hohen Eingangswi-   derstandes.   



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Torschaltung mit einem Transistor, über dem am Kollektor angelegte rückwärtsgerichtete Impulse in Abhängigkeit eines der Basis zugeführten Steuersignals Stromimpulse durch eine im Emitterkreis geschaltete induktive Belastung erzeugen oder nicht, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Amplitude des der Basis zugeführten vorwärtsgerichteten Steuersignals, bedeutend kleiner als die Amplitude der über der Belastung durch die Stromimpulse erzeugten verhältnismässig kurzen Gegenspannungsimpulse, der durch dieses Steuersignal erzeugte Basisstrom bedeutend grösser gewählt ist als der dem Sättigungswert des Kollektorstromes entsprechende Wert, so dass durch das Steuersignal ein Überfluss von freien Ladungsträgem in der Basiszone des Transistors erzeugt wird,

   welche ein vorübergehendes Sperren des Transistors durch den darauffolgenden Gegenspannungsimpuls verhindern.

Claims (1)

1. 2. Torschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuersignal der Basis über einen Widerstand zugeführt wird, welcher den bei leitendem Transistor fliessenden Basisstrom in der Hauptsache bestimmt.

   3. Torschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Basiskreis eine Induktanz enthält, welche die Basisstromspitze, die die am Ende des Stromimpulses infolge der Belastung auftretende vorwärtsgerichtete Emitterspannungsspitze hervorruft, mindestens teilweise unterdrückt. <Desc/Clms Page number 4>

   4. Torschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis-Induktanz durch eine damit parallel geschaltete, in bezug auf den vorwärtsgerichteten Basisstrom in der Sperrichtung geschaltete Diode gedämpft ist.

   5. Torschaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, mit einem zweiten Transistor vom selben Leitungstyp, wodurch die Erzeugung eines Stromimpulses durch die induktive Belastung vom gleichzeitigen Auftreten eines zweiten Steuersignals abhängig gemacht wird, dadurch gekennzeich- net, dass die induktive Belastung zwischen dem Emitter des erstgenannten Transistors und dem Kollektor des zweiten Transistors geschaltet ist.

   6. Torschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter des zweiten Transistors an einem Punkt festen Potentials liegt und das zweite Steuersignal seiner Basis zugeführt wird.

   7. Torschaltung nach Anspruch 5 oder 6, wobei verschiedene induktive Belastungen mit dem Kollek- tor des zweiten Transistors und/oder mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden sind, dadurch ge- kennzeichnet, dass eine in bezug auf die am Kollektor des ersten Transistors angelegten Impulse in der Durchlassrichtung geschaltete Diode in Reihe mit jeder induktiven Belastung geschaltet ist, so dass die durch einen Stromimpuls über einer induktiven Belastung erzeugten Spannungsspitzen keine Ströme durch die andern induktiven Belastungen abgeben.