AT207011B - Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl

Info

Publication number
AT207011B
AT207011B AT783058A AT783058A AT207011B AT 207011 B AT207011 B AT 207011B AT 783058 A AT783058 A AT 783058A AT 783058 A AT783058 A AT 783058A AT 207011 B AT207011 B AT 207011B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
deflection
charge carrier
carrier beam
pulse
values
Prior art date
Application number
AT783058A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Zeiss Carl Fa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Carl Fa filed Critical Zeiss Carl Fa
Application granted granted Critical
Publication of AT207011B publication Critical patent/AT207011B/de

Links

Landscapes

  • Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 terialbezirk um die bearbeitete Stelle. Dies bedeutet, dass unerwünscht grosse Schichten am Rand und unterhalb der bearbeiteten Fläche aufgeschmolzen werden. Dadurch werden die Verluste erhöht, und der gewünschte Arbeitseffekt wird gestört. 



   Diese Nachteile lassen sich erfindungsgemäss dadurch vermeiden, dass ein Ladungsträgerstrahl verwendet wird, dessen Arbeitsquerschnitt kleiner als die Fläche der zu bearbeitenden Materialstelle ist, und dass dieser Strahl in vorherbestimmter Weise so über die zu bearbeitende Materialstelle bewegt wird, dass deren Fläche vollständig aus einer Vielzahl von bearbeiteten Flächenelementen zusammengesetzt wird. 



  Eine weitere wesentliche Verbesserung ergibt sich durch eine solche Steuerung des Strahles, dass zeitlich unmittelbar nacheinander bearbeitete Flächenelemente durch eine Strecke getrennt sind, die grösser als der Durchmesser eines solchen Flächenelementes ist und über die der Strahl nicht oder nur sehr wenig auf das Material einwirkt. Auf diese Weise wird es möglich, in jedem Augenblick einen Teil des zu bearbeitenden Querschnittes mit einem Strahl sehr hoher Energiedichte zu bestrahlen, während die gesamte im Augenblick diesem Querschnitt zugeführte Energie das zulässige Mass nicht überschreitet. Ferner wird es auf diese Weise möglich, die eingestrahlte Energie entsprechend den an den verschiedenen Stellen der bearbeiteten Fläche gegebenenfalls unterschiedlichen Bedingungen zu wählen. 



   Es ist vorteilhaft, die zwischen zeitlich unmittelbar nacheinander bearbeiteten   Flächenelementen   gelegenen Strecken möglichst gross zu machen. 



   Bei Anwendung des erfindungsgemässen Verfahrens wird der thermisch beanspruchte Materialbereich an den Grenzflächen der bearbeiteten Stelle auf ein Minimum begrenzt, so dass sich sehr kleine Bearbeitungstoleranzen einhalten lassen. Ebenso wird es auch möglich, praktisch beliebig komplizierte Querschnittsformen herzustellen. 



   Im allgemeinen reicht es aus, die Form des   Arbeitsquerschnittes   des Ladungsträgerstrahles kreisförmig zu wählen. In manchen Fällen kann es aber auch vorteilhaft sein, einen Ladungsträgerstrahl zu verwenden, dessen Arbeitsquerschnitt quadratisch, rechteckig, dreieckig oder von irgendeiner andern Form ist. 



   Es ist   zweckmässig,   den Ladungsträgerstrahl während der Bewegung von Flächenelement zu Flächenelement abzuschalten. Um dabei ein möglichst grosses Arbeitsergebnis in möglichst kurzer Zeit zu er- zielen, ist es vorteilhaft, die sich ergebenden Ladungsträgerstrahlimpulse in möglichst kurzen zeitlichen Abständen auf das bearbeitete Material auftreffen zu lassen. Dies ist nur in begrenztem Masse möglich, da die in jedem Augenblick vorhandene thermische Beanspruchung eines grösseren Materialbereiches ein bestimmtes Mass nicht überschreiten darf. Werden jedoch, wie oben ausgeführt, zeitlich aufeinanderfolgende Impulse auf möglichst weit voneinander entfernt liegende Flächenelemente gerichtet, so lässt sich die Impulsfolgefrequenz zu einem für jede bearbeitete Querschnittsform und Matenalart günstigsten Maximalwert steigern. 



   Es ist ebenso möglich und in manchen Fällen zweckmässig, einen intermittierend gesteuerten Ladungsträgerstrahl zu verwenden, der auf jedem Flächenelement mit einer vorherbestimmten Anzahl von Impulsen zur Wirkung kommt und dessen Bewegung von einem Flächenelement zum andern während einer Impulspause vorgenommen wird. 



   Bei komplizierten Querschnittsformen der zu bearbeitenden Materialstelle kann es erforderlich sein, an verschiedenen Stellen des Querschnittes verschieden grosse Energiebeträge einzustrahlen. Zur Erreichung dieses Zieles ist es vorteilhaft, die Auftreffzeit und die Intensität des   Ladungsträgerstrahles. d. h.   



    . also   bei intermittierend gesteuertem Ladungsträgerstrahl die Impulsdauer und die impulsamplitude zu regeln. 



   Um den Bearbeitungseffekt nicht nur in einer verhältnismässig geringen Tiefe, sondern auch in grö- sseren Tiefen des bearbeiteten Materials genau bestimmen zu können, ist es zweckmässig, auch den Winkel, unter welchem der Ladungsträgerstrahl in jedem Augenblick auf die zu bearbeitende Materialstelle auftrifft. zu regeln. Zu diesem Zweck sind vorteilhaft bei einem an sich bekannten Gerät zur Materialbearbeitung mit Ladungsträgerstrahl zwei übereinander angeordnete und jeweils zur Strahlablenkung in zwei Richtungen dienende Ablenksysteme vorgesehen, die getrennt gesteuert werden. Dadurch wird es   möglich,   den Ladungsträgerstrahl beispielsweise um seinen Auftreffpunkt auf dem Material oder auch um einen Punkt, welcher weit vor oder weit hinter der Auftreffstelle liegt, zu kippen. 



   Eine besonders vorteilhafte Einrichtung zur Ausübung des Verfahrens nach der Erfindung besteht aus einem an sich bekannten Gerät zur Materialbearbeitung mit Ladungsträgerstrahlen, welches mit einem Gerät zur digitalen Steuerung der Ablenkwerte für den Ladungsträgerstrahl und der Bestimmungsgrössen für das Strahlerzeugungssystem kombiniert ist. Ein solches Steuergerät ist prinzipiell bekannt und besteht beispielsweise aus einem Programmspeicher und den   entsprechenden Entschlüsslern, die   jedes vom Programm- 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 speicher gelieferte Kommando in entsprechende Steuerwerte des Gerätes umsetzen. 



   Der Programmspeicher enthält dabei die gesamten zur Bearbeitung einer bestimmten Querschnittsform notwendigen Kommandos in Form von Impulsgruppen. Die den einzelnen Entschlüsslern   zugeordne-   ten Impulsgruppen können parallel angeordnet sein und direkt zu den Entschlüsslern gegeben werden, sie können jedoch auch jede andere Verteilung haben und dann durch entsprechende Weichen auf die zugeordneten Entschlüssler gegeben werden. Dabei kann beispielsweise für jede Ablenkrichtung ein gesonderter   Entschlüssler vorgesehen sein. In   diesem werden die Steuerimpulse mit Hilfe von Schaltern, beispielsweise Elektronenschaltern in bestimmte   Spannungs-bzw. Stromwerte   umgesetzt, welche den einzelnen Ablenkelementen zugeführt werden.

   Eine solche Einrichtung zur digitalen Steuerung der Ablenkwerte weist neben andern den Vorteil auf, dass in den Programmspeicher Steuerwerte eingegeben werden können, welche die Nichtlinearität und die Remanenz der Ablenksysteme von vornherein berücksichtigen. 



   Es ist ferner vorteilhaft, ein Gerät zur digitalen Steuerung der Bestimmungsgrössen des Strahlerzeugungssystems, beispielsweise zur Steuerung der Impulsdauer und der   Impulsamplitude,   vorzusehen. Ein solches Gerät besteht   zweckmässig   aus dem schon erwähnten Programmspeicher und einem gesonderten, dem speziellen Steuerzweck angepassten Entschlüssler. 



   Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Ausführungsbeispiele darstellenden Fig.   l - 6   näher er- läutert. Dabei zeigen :
Fig. 1 eine Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl nach der Erfindung in schematischer Darstellung ; Fig. 2 einen zu bearbeitenden Materialquerschnitt ; Fig. 3 ein von einem Ablenksystem bei Steuerung durch von Ablenkwinkel linear abhängige Stromwerte ausgeleuchtetes Feld ; Fig. 4 einen Teil einer Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl, welcher zwei übereinander angeordnete Ablenksysteme enthält ; Fig. 5 einen Entschlüssler zur Steuerung der Impulsamplitude und der Impulsdauer in schematischer Schaltung ;

   Fig. 6 einen Entschlüssler zur Steuerung eines Ablenksystems in schematischer Schaltung. 
 EMI3.1 
 
Zylinder 2 und der Anode 3 bestehendes Strahlerzeugungssystem angeordnet ist. Zur weiteren Formung des
Elektronenstrahles 15 dienen zwei Blenden 4 und 5, während eine elektromagnetische Linse 6, deren
Polschuhe mit 7 und 8 bezeichnet sind, zur Fokussierung des Elektronenstrahles auf das zu bearbeitende
Werkstück 10 dient. Das Werkstück 10 ist in einer Kammer 13 auf einem Tisch 11 angeordnet, welcher mittels einer Spindel 14 auf einem weiteren Tisch 12 verschoben werden kann. Dieser Tisch 12 kann mittels einer weiteren, hier nicht dargestellten Spindel senkrecht zur Zeichenebene verschoben wer- den. 



   Das dargestellte Gerät zur Materialbearbeitung mit Elektronenstrahl arbeitet mit Elektronenstrahl- impulsen. Bei 21 wird der Kathode 22 eine negative Hochspannung von beispielsweise -50 kV zugeführt.
Die Wehnelt-Elektrode 2 weist gegenüber der Kathode 22 eine negative Vorspannung auf und hat ein
Potential von beispielsweise-50 400 V. Dadurch ist das Strahlerzeugungssystem gesperrt. Wird nun der
Wehnelt-Elektrode 2 ein positiver Impuls   zugeführt, so wird während   der Dauer dieses Auslöseimpulses ein
Elektronenstrahlimpuls erzeugt, welcher auf das Werkstück 10 trifft. Zur Zuführung der Auslöseimpulse zur Wehnelt-Elektrode ist ein Impulstransformator 20 vorgesehen. Dieser dient dazu, die niederspannungs- seitig ankommenden Auslöseimpulse auf die an Hochspannung liegende Wehnelt-Elektrode zu übertra- gen. 



   Zur Steuerung des gesamten Gerätes ist ein Programmspeicher 16, welcher mit Entschlüsslern 17, 18 und 19 gekoppelt ist, vorgesehen. 



   Der Programmspeicher 16 besteht beispielsweise aus einem Magnetband mit vierundzwanzig nebeneinanderliegenden Spuren. Auf dieses Magnetband ist das gesamte Steuerprogramm zur Herstellung einer Bohrung bestimmter Querschnittsform aufgetragen. Beispielsweise dienen   die ersten acht Spuren   zur Steuerung des Entschlüsslers 17, die nächsten acht Spuren zur Steuerung des Entschlüsslers 18 und die letzten acht Spuren zur Steuerung des Entschlüsslers 19. 



   In Fig. 2 ist als Beispiel einer auszuführenden Bohrung ein Kreuz 25 eingezeichnet. Zur Programmierung wird dieses Kreuz vorteilhaft in acht symmetrische Abschnitte eingeteilt, von denen zwei mit 26 bzw. 27 bezeichnet sind. Programmiert wird jeweils einer dieser acht Abschnitte vollständig und es werden die Programme für alle acht Abschnitte so ineinandergeschachtelt, dass die zeitlich direkt nacheinander   auftreffendenElektronenstrahlimpulse räumlich   möglichst weit voneinander entfernt sind. Beispielsweise soll der erste Elektronenstrahlimpuls an der Stelle 28, und der zweite an der Stelle 29 auftreffen. Es schliessen sich entsprechende Auftreffstellen innerhalb der andern sechs Abschnitte an.

   Danach trifft der Elektronenstrahl an ändern, durch die Programmierung festgelegten Stellen des Querschnittes 25 auf, so dass 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 nach Ablauf des gesamten Programmes dieser Querschnitt vollständig nach Art eines Mosaiks, aus bearbeiteten   Flächenelementen   zusammengesetzt ist. 
 EMI4.1 
    Festlegungteilt. DieFeinheit   der Ablenkschritte und damitder Ablenkstromeinheit wird dabei zweckmässig durch die gewünschte Positionstoleranz des   Ladungsträgerstrahles   bestimmt. Der kleinste Ablenkschritt wird entsprechend dem Durchmesser des diese Positionstoleranz festlegenden Kreises gewählt. Ist die Positionstoleranz beispielsweise   :     l     ,   so sollte der kleinste Ablenkschritt 2 il betragen. 



   Hat beispielsweise die zu bearbeitende Materialstelle sowohl in der x-als auch in der y-Richtung eine Ausdehnung von 0, 5 mm, so ist die gesamte Fläche aus 40000 Bild-bzw. Arbeitspunkten zusammengesetzt. Bezeichnet man den kleinsten zur Unterbringung von zweihundert Ablenkschritten in der x-bzw. y-Richtung notwendigen Ablenkstromwert mit i, so lässt sich jeder der zweihundert Ablenkstromwerte durch eine entsprechende Kombination von Stromwerte, beispielsweise nach dem Dualsystem erreichen. 
 EMI4.2 
 lichen,
Der im Blockschaltbild der Fig. 1 mit 18 bezeichnete Entschlüssler 18 ist in Fig. 6 in rein Schematischer Darstellung gezeichnet. Es sind hier acht parallelgeschaltete, mit einer Batterie 70 verbundene
Widerstände 61-68 vorgesehen, denen jeweils ein Schalter zugeordnet ist.

   Die Widerstandswerte entsprechen der Dualreihe   1 - 128.   Schliesst man nun beispielsweise den dem Widerstand 61 zugeordneten Schalter, so fliesst durch einen Widerstand 69 der Strom i. Die den einzelnen Widerständen entsprechenden Stromwerte sind in Fig. 6 angegeben. Durch Schliessen einer entsprechenden Schalterkombination kann jeder   Stromwert i bis   200i ohne weiteres erreicht werden. Man muss sich nun vorstellen, dass der Widerstand 69 durch die zur Ablenkung des Elektronenstrahles in einer Richtung dienenden Ablenkspulen gebildet wird, und dass die in Fig. 6 dargestellten Schalter beispielsweise als Elektronenschalter ausgebildet sind. 



   Besteht beispielsweise, wie schon oben angegeben, der Programmspeicher 16 aus einem Magnetband mit vierungzwanzig Spuren, von denen acht Spuren dem Entschlüssler 18 zugeordnet sind, so ist jedem der Schalter   61 - 68   eine Spur des Magnetbandes zugeordnet. Enthält nun beispielsweise die dem Schalter 68 zugeordnete Spur des Magnetbandes einen Impuls, so wird durch diesen der Schalter geschlossen und durch das Ablenksystem fliesst der Ablenkstromwert 128i. 



   Hinsichtlich des Entschlüsslers 19 gilt das Obengesagte, da dieser entsprechend dem Entschlüssler 18 aufgebaut ist. 



   In vielen Fällen ist es vorteilhaft, das in Fig. 1 in einer Ebene dargestellte Ablenksystem 9 in zwei Ebenen anzuordnen, so dass also die zur Ablenkung des Elektronenstrahles in zueinander senkrechten Richtungen dienenden beiden Ablenksysteme übereinander angeordnet sind. 



   In Fig. 5 ist eine prinzipielle Schaltung des im Blockschaltbild der Fig. 1 mit 17 bezeichneten Entschlüsslers   dargestellt. Dieser Entschlüssler   enthält beispielsweise einen aus den beiden Elektronenröhren 80 und 81, sowie den zugeordneten Schaltelementen in bekannter Weise aufgebauten Univibrator. Durch die Widerstände 84,85 bzw. 86 kann die vom Univibrator abgegebene Impulsdauer geregelt werden, während die Impulsamplitude durch entsprechende Abgriffe am Anodenwiderstand 87, 88, 89, 90 gewählt werden kann. Die in Fig. 5 dargestellten Schalter sind nun wieder als Elektronenschalter zu denken, die jeweils einer Spur des Magnetbandes des Programmspeichers 16 zugeordnet sind. In dem in Fig. 5 dargestellten Beispiel sind durch entsprechende Impulse auf den   zugeordneten Magnetbandspuren die Schalter   86 und 88 geschlossen worden.

   Der Univibrator liefert also   einen Impuls gewünschter   Dauer und gewünschter Ampli-    tude, sobald über   82 ein   Kommandoimpuls   zugeführt wird. Dieser Kommandoimpuls ist auf eine weitere Magnetbandspur aufgetragen. 



   Die Arbeitsweise der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung ist folgende :
Zunächst wird auf dem Magnetband des Programmspeichers 16 auf Grund der durch Material und gewünschte Bearbeitungsform gegebenen Bedingung die Programmierung des Arbeitsvorganges mit bekannten Mitteln vorgenommen. Nach dieser Programmierung enthält das Magnetband Impulsgruppen, die während des Arbeitsvorganges über die Kanäle   57,   58 und 59 auf die Entschlüssler 17, 18 und 19 gegeben werden. Diese Entschlüssler enthalten, wie ausgeführt, Elektronenschalter, die   auf"Ja-Nein"Kom-   mandos, wie sie vom Programmspeicher 16 geliefert werden, reagieren. Der Entschlüssler 19 bildet den   Ablenkwert in, während der Entschlüssler 18 den Ablenkwert iy bildet. Diese Ablenkwerte werden über Leitungen 55 bzw. 56 in das Ablenksystem 9 eingespeist.

   Zugleich werden durch den Entschlüssler 17 so-   

 <Desc/Clms Page number 5> 

 wohl Impulsamplitude als auch Impulsdauer festgelegt. Nach Festlegung der Ablenkwerte sowie der Impulsdaten wird über die entsprechende Magnetspur dem Entschlüssler 17 ein Kommandoimpuls übermittelt. 



  Dadurch wird der in seiner Amplitude und Dauer festgelegte Steuerimpuls ausgelöst und über die Leitung 54 und den Impulstransformator 20 der Wehnelt-Elektrode 2 zugeführt. Dadurch wird der eigentliche Arbeitsimpuls ausgelöst. der sodann an der durch das Ablenksystem 9 festgelegten Stelle auf das Werkstück 10 auftrifft. Nach Ablauf dieses Vorganges können beispielsweise die Entschlüssler 17, 18 und 19 durch geeignete Impulskommandos wieder auf Ausgangsstellung gebracht werden. Daran schliesst sich ein neuer vom Programmspeicher 16 gesteuerter Einstell- und Auslösevorgang an, so dass der nächste Arbeitsimpuls, gegebenenfalls mit geänderten   Impulsdaten,   auf eine andere Stelle des Werkstückes auftrifft. 



   Es ist auf diese Weise   möglich.   in der mit dem Elektronenstrahl erreichbaren Fläche auf dem Werkstück 10 praktisch jede beliebige Profilform abzurastern. 



   Die elektronenoptischen Ablenksysteme arbeiten bei grösseren Ablenkwinkeln nicht genügend linear und erzeugen beispielsweise bei Steuerung durch vom Ablenkwinkel linear abhängige Stromwerte Verzeichnungen des gewünschten Rasters. Die vom Ablenksystem unter diesen Bedingungen ausgeleuchtete 
 EMI5.1 
 
Punkt 31 erreicht. Dieser Fehler lässt sich nicht bei digitaler Steuerung von vornherein durch Berück- sichtigung der Nichtlinearität des Ablenksystems und entsprechende Wahl    desKommandos (x ,y)   ver- meiden. In der Möglichkeit Fehler der beschriebenen Art auf einfache Weise zu vermeiden, liegt ein wesentlicher Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung. 



   Bei der Ablenkung des Ladungsträgerstrahles mittels elektromagnetischer Ablenksysteme ist weiterhin damit zu   rechnen, dass   das Magnetmaterial der Ablenksysteme eine gewisse Remanenz besitzt, so dass die Ablenkwirkung eines bestimmten in dieses Ablenksystem geschickten Stromes von der bereits vorhandenen Vormagnetisierung des Kernmaterials mitbestimmt wird. Dadurch ergeben sich Schwierigkeiten in der Positionierung des Ladungsträgerstrahles,   d. h.   dieser Strahl erreicht infolge der vorhandenen Vormagnetisierung nicht die einem bestimmten Ablenkstromwert zugeordnete Auftreffstelle. 



   Dieser Fehler wird dadurch   vermieden, dass bei Verwendung   eines remanenzbehafteten Ablenksystems in den Programmspeicher des Gerätes zur digitalen Steuerung der Ablenkwerte Ablenkkommandos eingegeben werden, welche die durch den jeweils vorhergehenden Ablenkstromwert hervorgerufene Vormagnetisierung des Ablenksystems entweder direkt oder mittels eines das Ablenksystem auf einen definierten Wert der Remanenz steuernden Zwischenkommandos berücksichtigen. Dies ist bei Kenntnis des HystereseVerlaufs des verwendeten Magnetmaterials ohne weiteres möglich. Beispielsweise kann für jeden Ablenkwert eine Korrekturgrösse festgelegt werden, die dem nachfolgenden Kommando zu addieren bzw. von diesem abzuziehen ist, um die vorhandene Vormagnetisierung zu berücksichtigen.

   Das zur Programmerung dienende Gerät wird dann vorteilhaft so ausgebildet, dass diese Korrekturgrössen bei der Festlegung jedes Ablenkkommandos automatisch berücksichtigt werden. 



   In ähnlicher Weise ist es möglich, durch gleichzeitige Steuerung des elektronenoptischen Systems, wie der Elektronenstrahlquelle, der elektromagnetischen Linse 6, sowie beispielsweise durch passende Neigung der Achse des auf die Linse 6 gerichteten Elektronenstrahles zur Symmetrieachse dieser Linse, auch die bei der Auslenkung des Elektronenstrahles entstehenden elektronenoptischen Fehler weitgehend zu verringern. Hiezu sind unter Umständen weitere Ablenksysteme bzw. elektronenoptische Korrektursysteme wie   z. B.   ein Stigmator sowie die dazu passenden   Entschlüssler   erforderlich. 



   In manchen Fällen ist es erwünscht, ausser der Auftreffstelle auch noch den Auftreffwinkel des Elektronenstrahles am Werkstück 10 zu bestimmen. Zur Erreichung dieses Zieles ist es zweckmässig, zusätzlich zu dem in Fig. 1 dargestellten Ablenksystem 9 ein weiteres Ablenksystem vorzusehen. Eine   entspre-   chende Einrichtung ist beispielsweise in Fig. 4 dargestellt. Wie aus dieser Figur hervorgeht, sind unterhalb der elektromagnetischen Linse 6 zwei elektromagnetische Ablenksysteme 35 und 36 angeordnet. Mittels dieser beiden Ablenksysteme kann der Auftreffwinkel des Elektronenstrahles in weiten Grenzen geändert werden, wie dies beispielsweise an den beiden Strahlen 38 und 39 angedeutet ist. Diese beiden Strahlen treffen an derselben Stelle unter verschiedenen Winkeln auf das zu bearbeitende Werkstück 37 auf.

   Bei der in Fig. 4 dargestellten Einrichtung werden zweckmässig zwei weitere Entschlüssler für die Ablenkstromwerte des zusätzlichen   Ablenksystemes   verwendet. Die durch die beiden Systeme 35 und 36 fliessenden Ablenkströme müssen in jedem Zeitpunkt zueinander in einem bestimmten Verhältnis stehen. 



   Nach Beendigung eines Arbeitsvorganges, d. h. beispielsweise nach erfolgter Durchbohrung des Werk- 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 stückes 10 wird bei der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung das Werkstück mittels der Spindel 14 verschoben. Es ist prinzipiell möglich, auch diese Verschiebung automatisch vorzunehmen. Die Kommandos hiefür können ebenfalls auf dem Magnetband vorgesehen sein. Auf diese Weise wird ein vollautomatischer Arbeitslauf erreicht. 



   Der Programmspeicher 16 kann an Stelle eines Magnetbandes eine Magnettrommel enthalten. Ebenso ist es   möglich.   an Stelle eines Magnetbandes mit vierundzwanzig Magnetspuren ein Band mit einer anderen Spurenzahl oder auch mit nur einer Spur zu verwenden, wobei im letzten Fall die einzelnen Impulsgruppen hintereinander aufgetragen sind und eine entsprechende Umsteuerung auf die verschiedenen Kanäle vorzusehen ist. 



   Neben den ausserordentlich hohen Arbeitsgenauigkeiten, die bei Anwendung des   erfindungsgemässen   Verfahrens erzielt werden, ergibt sich auch eine sehr hohe Arbeitsgeschwindigkeit. So ist es beispielsweise möglich, Arbeitsimpulsfrequenzen von 1 kHz und mehr vorzusehen, wobei jeder Impuls das Werk- 
 EMI6.1 
 von   0, 5 mm   Dicke in etwa 5 sec fertigstellen. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Verfahren zur Materialbearbeitung mittels eines Laaungstragerstrahles dessen Arbeitsquerschnitt kleiner ist als die Fläche jeder einzelnen der zu bearbeitenden Materialstellen, dadurch gekennzeichnet, dass dieser Ladungsträgerstrahl in vorherbestimmter Weise so über jede einzelne Bearbeitungsstelle bewegt wird, dass deren gesamte Fläche vollständig aus einer Vielzahl von bearbeiteten Flächenelementen zusammengesetzt wird, wobei zeitlich unmittelbar nacheinander bearbeitete Flächenelemente durch eine Strecke getrennt sind, die grösser als der Durchmesser eines solchen Flächenelementes ist und über die der Strahl abgeschaltet wird oder nur sehr wenig auf das Material einwirkt.

Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen zeitlich unmittelbar nacheinander bearbeiteten Flächenelementen möglichst gross gemacht wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein intermittierend gesteuerter Ladungsträgerstrahl verwendet wird, der an jedem Flächenelement mit einer vorher bestimmten Anzahl von Impulsen zur Wirkung kommt und dessen Bewegung von einem Flächenelement zum andern während der Impulspausen vorgenommen wird.
    4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Auftreffzeit und die Intensität des Ladungsträgerstrahles geregelt wird.
    5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Auftreffwinkel des Ladungsträgerstrahles geregelt wird.
    6. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der kleinste Ablenkschritt entsprechend dem Durchmesser des die Positionstoleranz des Ladungsträgerstrahls festlegenden Kreises gewählt wird.
    7. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass in den Programmspeicher des Gerätes zur digitalen Steuerung der Ablenkwerte solche Steuerwerte eingegeben werden, welche die durch das Ablenksystem hervorgerufenen Abbildungsfehler automatisch korrigieren.
    8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei Verwendung eines remanenzbehafteten Ablenksystems in den Programmspeicher des Steuergerätes Ablenkkommandos eingegeben werden, welche die durch den jeweils vorhergehenden Ablenkstromwert hervorgerufene Vormagnetisierung des Ablenksystems bei jedem Ablenkstromwert entweder direkt oder mittels eines das Ablenksystem auf einen definierten Wert des Remanenz steuernden Zwischenkommandos berücksichtigen.
    9. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Kombination eines an sich bekannten Gerätes zur Materialbearbeitung mit Ladungsträgerstrahl mit einem Gerät zur digitalen Steuerung der Ablenkwerte für den Ladungsträgerstrahl und der Betriebswerte für das Strahlerzeugungssystem, bestehend aus einem Programmspeicher und den zugehörigen Entschlüsslern.
    10. Einrichtung nach Anspruch 9. dadurch gekennzeichnet, dass zur Strahlablenkung elektromagnetische oder elektrostatische Ablenkmittel vorgesehen sind, wobei die zur Ablenkung in verschiedenen Richtungen dienenden Ablenksysteme in getrennten Ebenen angeordnet und getrennt steuerbar sind.
    11. Einrichtung nach Anspruch 9 zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwei übereinander angeordnete und jeweils zur Strahlablenkung in zwei Richtungen dienende Ablenksysteme vorgesehen sind. <Desc/Clms Page number 7>
    12. Einrichtung nach Anspruch 9 zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Gerät zur digitalen Steuerung der Bestirnmungsgrössen des Strahlerzeugungssystems ein zur Regelung der Impulsdauer und der Impulsamplitude dienendes Element enthält.
    IS. Einrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass zur Kompensation der Bildfehler zusätzliche elektronenoptische Elemente sowie zusätzliche zur Steuerung dieser Elemente dienende Entschlüssier vorgesehen sind.
    14, Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13 zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche l bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verschiebung des Werkstückes vollautomatisch gesteuert wird.
AT783058A 1957-11-20 1958-11-11 Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl AT207011B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE207011T 1957-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT207011B true AT207011B (de) 1960-01-11

Family

ID=29557145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT783058A AT207011B (de) 1957-11-20 1958-11-11 Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT207011B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1053691B (de) Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungstraegerstrahl
DE2458370C2 (de) Energiestrahl-Gravierverfahren und Einrichtung zu seiner Durchführung
DE2918446C2 (de) Vorrichtung zum Implantieren von Ionen in eine Auftreffplatte
DE69110910T2 (de) Quelle für kohärente kurzwellenlängige Strahlung.
DE1106893B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes
DE1110342B (de) Verfahren zur Materialbearbeitung mittels eines Ladungstraegerstrahles
DE819112C (de) Kathodenstrahlroehre fuer Kode-Impulsgruppenmodulation
DE3025490C2 (de)
DE2153695C3 (de) Verfahren und Einrichtung zur Regelung des Strahlstroms in technischen Ladungsträgerstrahlgeräten, insb. Elektronenstrahl-Materialbearbeitungsmaschinen
DE2719725C2 (de) Einrichtung zur Elektronenstrahlerwärmung von Materialien
DE3114644A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von elektronenimpulsen hoher dichte
DE1072763B (de) Verfahren und Anordnung zum Verschweißen einer Deckplatte mit einem aus Streifen beliebiger Gestalt zusammengesetzten Bauteil
DE1064168B (de) Einrichtung zur Erzeugung und Formung eines Ladungstraegerstrahles
AT207011B (de) Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungsträgerstrahl
DE1565883B1 (de) Vorrichtung zum Erhitzen eines Materials mittels Elektronen
DE1565881B2 (de) Verfahren und Anordnung zum gesteuer ten Erwarmen eines Targetmatenals in einem Hochvakuum Elektronenstrahlofen
DE2731142C3 (de) Verfahren zur Feststellung der Lage eines Elektronenstrahls in bezug auf auf einem Objekt angeordnete Ausrichtmarkierungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE2918390C2 (de) Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen
DE965980C (de) Verfahren und Vorrichtung fuer die elektrische Speicherung von Angaben
DE2521591B2 (de) Verfahren und Anordnung zum korrigieren von Verzerrungen eines Ladungsträgerstrahls
DE1118375B (de) Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungstraegerstrahl
DE2108669C3 (de) Verfahren zur Bestrahlung eines selektierten Gebietes einer Oberflache eines Werkstückes mit geladenen Teilchen
EP0428867B1 (de) Verfahren zum Schutz einer Blende beim Erzeugen von Elektronenstrahlimpulsen
DE1126913B (de) Anordnung mit einer Kathodenstrahlroehre zur Wiedergabe farbiger Bilder
DE2230509C2 (de) Verfahren zum Auffinden des Mittelpunktes der kreisförmigen Öffnung eines Werkstückes und zur Erzeugung einer Schweißnaht unter Verwendung von Korpuskularstrahlen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens