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Germanium-Nadeltransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Germanium-Nadeltransistor mit einem Germaniumkristall, einem Basiskontakt und mindestens je einer an den Kristall angedrückten Kollektor- bzw. Emittemadel, wobei der Kristall Teile der n-Type und Teile der p-Type enthält. Nach den neuesten Theorien dieser Nadeltransistoren kommt die Transistorwirkung dadurch zustande, dass durch die Emitternadel Ladungsträger in den Germaniumkristall gelangen, welche in ihm entsprechend der Type des Kristalles (p-oder n-Type), im Verhältnis zu den die Stromführung bewirkenden Ladungsträgern ursprünglich nur in der Minderheit vorhanden waren.
Diese in der Minderheit vorhandenen Ladungsträger wandern zur Kollektornadel und beeinflussen in der Umgebung der Berührungsstelle des Kollektors mit dem Kristall die elektrischen Verhältnisse im Kristall derart, dass der Strom im Kollektorkreis zunimmt bzw. sich unter der steuernden Einwirkung des Emitterkreises ändert. So sind in einem Germanium-Kristall der n-Type die in Mehrheit vorhandenen Ladungsträger Elektronen, die in Minderheit vorhandenen Ladungsträger, die sogenannten Defektelektronen, die positiven Löcher. Das Eindringen (Emittieren) der Defekt-Elektronen wird dadurch ermöglicht, dass z.
B. an der Oberfläche eines Germanium-Kristalles der n-Type, zufolge des Energiezustandes der Oberfläche, eine an Mehrheitsladungsträgern verarmte Schicht vorhanden ist, die das Eindringen der Defekt-Elektronen von der Kontaktoberfläche, z. B. von der Nadelelektrode, in den Germaniumkristall unter der Einwirkung der auf die Emitternadel geschalteten positiven Spannung erleichtert. Die Emitter-Kontaktnadel positiver Vorspannung und die an Mehrheitsladungsträgern verarmte Oberflächenschicht des Germaniumkristalles sind also gleichwertig einer ideellen Schicht der p-Type, also einer als Mehrheits-Ladungsträger Löcher enthaltenden Schicht, die als auf der Oberfläche des Germaniumkristalles der n-Type liegend angenommen werden kann.
In bezug auf die Kollektornadel hat es sich gezeigt, dass eine gute Transistorwirkung nur mit einer Kollektornadel erreicht werden kann, wenn deren Material mindestens in Spuren, Elemente enthält, welche eine dem angewendeten Germaniumkristall entsprechende Leitfähigkeit sichern können, also z. B. im Falle eines Germaniumkristalles der n-Type Elemente der Gruppe V des Periodischen Systems.
Bekanntlich spielt auch das sogenannte Formieren in der Technologie der Herstellung der Germanium-Transistoren mit Nadelelektroden eine wesentliche Rolle. Das Wesen dieses Formierens besteht darin, dass mander in der Sperrichtung vorgespannten Kollektornadel einen Stromimpuls entsprechen-
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rungsprozesses darin besteht, dassinderunmittelbaren Umgebung der Kollektornadel im Germaniumkristall der Type n sich eine Schicht der p-Type ausbildet. Es gelang, das Vorhandensein dieser Schicht unmittelbar nachzuweisen. Im Laufe dieses Formierungsverfahrens können jedoch auch im Material der in der Regel aus Phosphorbronze bestehenden Nadel vorhandene Verunreinigungen, z. B.
Phosphor, in den Kristall gelangen, welche in einem Germaniumkristall Stromleitung der n-Type verursachen, obzwar diese Verunreinigungen eine nachweisbare Schicht der n-Type nicht erzeugen. Diese zum Teil nachweisbaren, zum Teil nicht nachweisbaren Schichten werden im Schrifttum zur Erklärung der von der Theorie abweichenden Eigenschaften des Germanium-Nadeltransistors herangezogen. So wird z. B. die den theoretischen Wert vielfach übersteigende Stromverstärkung auf diese Ursache zurückgeführt (siehe Theorie der
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p-n-p-n Übergänge).
Es ist nun bereits vorgeschlagen worden, die Kollektornadeln selbst aus verschiedenen Legierungen herzustellen. Beispielsweise ist es bereits bekannt. Phosphorbronze als Nadelmaterial zu verwenden. Es hat sich jedoch erwiesen, dass der Gehalt dieser Legierung an Kupfer einen schädlichen Einfluss ausübt, da das Kupfer rascher diffundiert als Phosphor und so im Kristall sogenannte Fallen bildet, welche das Entstehen der p-bzw. n-Schichten verhindern.
Ausserdem ist es ein Nachteil, dass, falls die Menge der Legierungskomponenten der Gruppe V über einem bestimmten Mass liegt, die Dianzen brüchig werden, so dass Nadeln aus solchen Bronze-Legierungen schwer hergestellt werden können. Die Bronze-Nadeln sind aber auch aus elektrischen Gründen nicht vorteilhaft, da im Falle des Gebrauches solcher Nadeln unter dem Einfluss des Formierens der Widerstand in der Sperrichtung abnimmt.
Es ist nun auch bereits bekannt, das Donator-oder Akzeptor-Material in Form von Verbindungen in Schichten auf den Nadeln aufzubringen. Diese Schichten können beispielsweise dadurch erhalten werden, dass das Drahtmaterial (Gold, Aluminium, Wolfram oder Platin-Rutheni'umlegiering) in Phosphorsäure eingetaucht wird. Ein anderer Vorschlag besteht darin. Nadeln aus Wolfram oder Phosphorbronze in Galliumhydroxydlösung zu tauchen oder in Antimonchloriddampf einzubringen. In allen diesen Fällen entsteht auf der Nadel eine aus der entsprechenden Verbindung des Donator- bzw. Akzeptor-Materials mit dem Nadelmaterial bestehende Schicht, welche nach der Formierung dem Kristall n-oder p-Eigenschaften verleiht.
Hiedurch konnten bereits gute Ergebnisse erzielt werden, wenn auch noch nicht alle Anforderungen vollauf erfüllt wurden. Die Ursache hiefür liegt darin, dass die Verbindungen des Donator- bzw. Akzeptor-Materials an sich den Halbleiter nicht entsprechend aktivieren können. Da hiezu bekanntlich der Einbau der Elemente in das Kristallgitter des Halbleiters nötig ist, müssen sich im Laufe des Formierens diese Verbindungen zersetzen, was jedoch gemäss Untersuchungen der Ar melderin nur in kleinem Ausmass stattfindet. Bei Verwendung leichter zersetzbarer Verbindungen werden jedoch im Laufe des Formierens nicht nur die gewünschten Komponenten diese ; Verbindungen, sondern auch für das Transistorverhalten schädliche Komponenten, z.
B. Sauerstoff, Chlor od. dgl., in das Kristallgitter des Halbleiters eingebaut.
Die vorliegende Erfindung setzt sich zur Aufgabe, die bekannten Transistorbauarten weiter zu verbessern und besteht im wesentlichen darin, dass mindestens zwischen einer der Nadeln und dem Kristall eine ausschliesslich aus einem dem Kristall Eigenschaften der Type p oder n verleihenden Element bestehende Schicht unter Zwischenschaltung eines metallischen Überzuges vorgesehen ist. Es liegt also zwischen zumindest einer der Nadeln und dem Kristall eine Schicht, welche amjciiliesslich aus einem elementaren Donator- oder Akzeptor-Material besteht. Hiedurch werden die oben erwähnten, auf die Verwendung von Verbindungen zurückzuführenden Schwierigkeiten vermieden und ein Transistor geschaf- fen, welcher bessere elektrische Eigenschaften als die bisher bekannten Transistoren aufweist.
Hiebei hat es sich durch die Versuche der Anmelderin ergeben, dass durch den metallischen Überzug einerseits ein befriedigendes Haften der elementaren Donator-bzw. Akzeptor-Schicht auf der Nadel bzw. dem Kristall erzielt werden kann und dass anderseits überraschenderweise die elektrischen Eigenschaften durch einen solchen metallischen Überzug poch weiter gesteigert werden können. Vor allem liegt der Eingangswiderstand der erfindungsgemässen Nadeltransistoren niedriger und der Ausgangswidersrand höher als der der bisher bekannten Nadeltransistoren, wobei gleichzeitig der Stromverst rkungskoeffizient IX grösser als bisher ist. Ferner ermöglicht die Charakteristikder erfindungsgemässen Transistoren die Anwendung niedri- gererBetriebsspannungen als bisher.
Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist zumindest eine der Nadeln zumindest an ihrer Spitze mit dem metallischen Überzug überzogen, auf welchem die elementare Schicht vorgesehen ist. Diese einfachere, kostensparende Anordnung der erfindungsgemässen Schichten bzw. Überzüge hat sich in besonderem Masse den bisher bekannten Transistortypen überlegen gezeigt.
Vorzugsweise ist im Rahmen der Erfindung die Ausbildung so getroffen, dass jede der Nadeln unter Zwischenschaltung des metallischen Überzuges mit einer elementaren Schicht überzogen ist, u. zw. Kol- lektornadel oder Kollektornadeln einerseits und Emitternadel oder Emitternadeln anderseits mit elementaren Schichten, welche dem Kristall Eigenschaften mit entgegengesetztem Vorzeichen (p) der a) verleihen, wobei eine weitere Steigerung der Qualität des Transistors erzielt wird. Hiebei können sich erfindungsgemäss die elementaren Schichten unter Zwischenschaltung des mendlischen Überzuges auch über die in der Nähe der Nadelspitzen gelegenen Oberflächenteile des Kristalles erstrecken, wobei die elementaren Schichten ein zusammenhängendes Ganzes bilden.
Diese Ausbildungen haben sich zur weiteren Steigerung der elektrischen Eigenschaften als besonders günstig erwiesen.
Das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung eines Germanium-Nadelu"lllsistors besteht im we-
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sentlichen darin, dass mal. die Nadel bzw. die Nadeln mit einem metallischen Überzug und hierauf zumindest im Bereiche ihrer Spitzen mit einer Schichte aus einem Element überzieht, welches dem Kristall Eigenschaften der Type p oder n erteilen kann, sodann den bereits vorher fertiggestellten Germaniumkristall, die Nadelelektroden, den Basiskontakt, die Halterungsvorrichtung und das Gehäuse zu einem Transistor in an sich bekannter Weise zusammenbaut und hierauf durch an sich bekannte Formierung im Kristall in der Umgebung der Spitzen der Emitternadel bzw. -nadeln je einen Streifen der Type n und einen Streifen der Type p bzw. in der Umgebung der Spitze der Kollektornadel bzw.
-nadeln je einen wohldefinierten Streifen der Type p ausbildet. Hiebei können im Rahmen der Erfindung die elementaren Überzüge auf die Nadel bzw. die Nadeln durch Eintauchen der N ? deln in eine Schmelze oder durch Emreiben der Nadel mit dem Material des Überzuges oder auf elektrolytischem Weg aufgebracht werden. Es können gegebenenfalls auch mehrere dieser Verfahren zusammen angewendet werden.
Die erfindungsgemässen Transistoren können auf zahlreichen Gebieten Anwendung finden. Insbesondere haben sie sich auf dem Gebiet der Oszillatoren und als Schalttransistoren bewährt.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand von Ausführungsbeispielen, von welchen zwei in den Fig. l und 2 der Zeichnung teilweise im Schnitt dargestellt sind, näher erklärt. Die Fig. 3, 4,5 und 6 zeigen Diagramme mit verschiedenen Parametern.
Beim Ausführungsbeispiel gemäss Fig. l bedeutet 10 die Kollektornadel, 11 die Emitternadel, 12 einen Germaniumkristall der Type n und 13 den üblichen Basiskontakt. 14 bezeichnet eine elementare Schicht gemäss der Erfindung, die zwischen der Kollektorelektrode 10 (unter Zwischenschaltung eines metallischen Überzuges) und dem Kristall 12 liegt und dem Germaniumkristall im vorliegenden Fall Eigenschaften der n-Type erteilt. Diese Schicht bedeckt zum Teil auch die Kollektorelektrode 10. Mit 15 ist jene Schicht bezeichnet, die im vorliegenden Fall eine Schicht der p-Type ist und die sich im Kristall in der Umgebung der Spitze der Kullektornadel zufolge aer Formierung ausbildet. Mit 16 ist jene Oberflächenschicht der Type p bezeichnet, welche an der Oberfläche des Kristalles von Anfang an vorhanden ist.
Mit 17 ist eine Schicht bezeichnet, die unter der in der Umgebung der Kollektornadel zwischen der Nadel und dem Kristall liegenden Schicht 14 liegt. Mit 15 ist eine weitere Schicht der Type p bezeichnet. Die Schicht 17 liegt oberhalb der Schicht 15. Die Schicht 17, die im Kristall entsteht, ist eine Schicht bzw. ein Streifen, der Type n. Diese Schicht bzw. dieser Streifen entsteht ebenfalls im Laufe des Formierens.
Im vorliegenden Fall wurde die Grundtype n des Germaniumkristalles im Laufe der Vorbereitung des Kristalles durch die Zugabe eines Elementes der Gruppe V gesichert. Die Nadelelektroden bestehen mit Rücksicht auf die erwünschten Festibkeits- und Elektrizitäts-Eigenschaften und unter Berücksichtigung der oben bereits angeführten Gründe vorteilhaft z. B. aus Tantal. Wolfram oder Molybdän. Die Schicht 14 besteht aus einem Element der Gruppe V des Periodischen Systems, z. B. Arsen. Die Schicht 14 kann hiebei-nicht nur zwischen der Nadelspitze und dem Kristall vorhanden sein, sondern kann auch eine kleinere oder grössere Fläche der Nadel bedecken, wie es als Beispiel in Fig. 1 dargestellt wurde, ist aber an der Nadel stets mit Hilfe einer zwischenliegenden indifferenten Metallschicht als Überzug aufgebracht.
Ferner kann die Schicht auch in der unmittelbaren Umgebung der Nadelspitze die Oberfläche des Kristalles bedecken. Der metallische Überzug an der Nadel, die elementare Schicht zwischen der Nadel und dem Kristall und der Überzug in der Umgebung der Nadel und auf der Oberfläche des Kristalls. welche Schichten und Überzüge oben beschrieben worden sind, können eine zusammenhängende Schicht bilden.
Im obenbeschriebenen Beispiel wurde angenommen, dass der Germaniumkristall ein solcher der Grundtype n ist. Man kann jedoch zur Herstellung des Transistors nach der Erfindung auch einen Germa- nium-Kristall der Type p verwenden. Selbstverständlich ist dann der Stoff, aus welchem die besagte elementare Schicht herzustellen ist, entsprechend zu wählen.
Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform. Bei dieser Ausführungsform liegt jene Schicht, welche aus einem Element besteht, welches dem Kristall die Eigenschaften der Type p bzw. n verleiht, nicht nur zwischen der Kollektornadel und dem Kristall, sondern im Sinne der Erfindung auch zwischen der Emit- temadel und dem Kristall. Die Kollektornadel ist mit 18, die Emitternadel mit 19, der Germaniumkristall der Type n mit 20 und die Basiselektrode mit 21 bezeichnet. Das Bezugszeichen 22 bezeichnet eine elementare Schicht, welche zwischen der Spitze der Kollektornadel und dem Kristall liegt und im vorliegenden Fall aus einem Element besteht, welches dem Kristall n-Eigenschaften verleiht. 23 bezeichnet die analoge elementare Schicht zwischen der Emitternadel und dem Kristall.
Diese Schicht besteht aus einem Element, welches dem Kristall p-Eigenschaften verleiht. 24 bezeichnet jene Schicht der Type n, welche im Germaniumkristall im Laufe des Formierens entsteht. 26 bezeichnet einen Abschnitt bzw.
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einen Teil des Kristalles, welcher unter dem ohenbezeichneten Teil der Type n liegt, die Type p aufweist und ebenfalls unter der Einwirkung des Formierens entsteht. Der Teil 25 der Type p entsteht ebenfalls unter der Einwirkung des Formierens und ist wesentlich wirksamer als die im Kristall auch ursprunglich vorhandene, auf dessen Oberfläche liegende Schicht der Type p.
Das Material, aus welchem die Nadeln hergestellt sind, ferner die Masse bzw. die Ausbreitung der erfindungsgemässen Schicht bzw. dieser Schichten können die gleichen sein, wie an Hand Fig. l beschieben.
Es ist natürlich nicht unbedingt notwendig, sowohl zwischen der Kollektornadel und dem Kristall als auch zwischen der Emitternadel und dem Kristall je eine Schicht gemäss der Erfindung herzustellen. Es genügt in gewissen Fällen, wenn diese Schicht gemäss der Erfindung nur zwischen einer der Nadeln und dem Kristall ausgebildet ist.
Der Transistor gemäss der Erfindung kann auf verschiedene Weisen hergestellt werden. Zwecks Ausbildung einer Schicht zwischen dem Kristall und der Nadelelektrode bzw. zwischen dem Kristall und den Nadelelektroden muss man zunächst die Naseln mit einer Schicht aus einem Element überziehen, welches die Fähigkeit hat, dem Germaniumkristall Eigenschaften der Type p bzw. der Type n zu erteilen. Dies kann z. B. dadurch geschehen, dass man die Nadel, die zweckmässig aus Wolfram oder Molybdän oder einem andern Material hoher Festigkeit, z. B. Tantal, besteht und zweckmässig durch schräges Eintauchen in ein schwefelsäurefreies Elektrolytbad zugespitzt ist, in eine Schmelze oder eine Lösung eines oder mehrerer Elemente der Gruppe III oder V des Periodischen Systems eintaucht.
Man kann als Überzugsstoff selbstverständlich auch ein anderes Element verwenden, welches fähig ist, dem Germaniumkristall Eigenschaften der Type p bzw. n zu erteilen. Zufolge des Eintauchens bleibt an der Oberfläche der Nadel eine genügende Menge des Stoffes haften, um die gewünschte Schicht zu erzeugen. So kann man z. B. eine Wolframnadel, die vorteilhaft nach dem obigen Verfahren zugespitzt ist, in eine Schmelze aus Indium oder Arsen eintauchen. Man kann jedoch auch so vorgehen, dass man die Spitze der Nadel mit dem gewünschten Element einfach einreibt. Es kann die Nadel ferner auch auf elektrolytischem Wege mit einem Überzug versehen werden, wobei man so vorgeht, dass man die metallische Nadel als Kathode schaltet und in einen Elektrolyten entsprechender Zusammensetzung, z.
B. einen solchen eintaucht, welcher ein Element der Gruppe III bzw. der Gruppe V des Periodischen Systems enthält, sodann die gewünschte Schicht auf die Oberfläche der Nadel durch Elektrolyse abscheidet. Um ein besseres Haften der durch Elektrolyse abzuscheidenden Schicht zu sichern, wird vorher auf die Metallnadel eine metallische Zwischenschicht aufgetragen. Wünscht man z. B. eine Nadel aus Tantal aus der sauren Lösung eines Wismuthsalzes durch Elektrolyse mit Wismuth zu überziehen, so kann man auf die Tantalschicht der Nadel zunächst eine Silberschicht auftragen, was durch einen an sich bekannten Prozess geschehen kann.
Nachdem man die Nadel bzw. die Nadeln mit der gewünschten Schicht bzw. dem gewünschten Überzug überzogen hat, wird der Transistor montiert. Man geht z. B. so vor, dass man einen Germaniumkristall der Type n auf dem Basiskontakt durch Löten befestigt, sodann zwei Nadeln an die Oberfläche des Kristalls mit Hilfe einer entsprechenden Einspann-und Einstellvorrichtung andrückt. Es muss mindestens die eine Nadel mit dem Überzug gemäss der Erfindung versehen sein. Es sei z. B. der Fall angenommen, dass die Kollektornadel aus Wolfram besteht und mit Arsen überzogen ist, so dass der Überzug dem Germaniumkristall Eigenschaften der Type n verleihen kann.
Dieser Überzug bedeckt die Wolframnadeln, die vorteilhaft nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt bzw. zugespitzt wurden, in einer Länge von 0, 5 - 1 mm, gerechnet von der Nadelspitze aus. Die Emitternadel kann z. B. aus Tantal bestehen und in der gleichen Weise wie oben beschrieben mit Indium überzogen sein. Das Indium ist fähig, dem Germaniumkristall Eigenschaften der Type p zu verleihen.
Der zusammenmontierte Transistor wird sodann in an sich bekannter Weise mit einem Gehäuse versehen. Zwischen der Basiselektrode und der Kollektornadel, ferner zwischen dem Basiskontakt und der Emittelnadel wird sodann ein Stromstoss durch den Kristall geleitet, dessen Grösse etwa 500 mA und dessen Zeitdauer etwa 0,5 sec beträgt. Dieser Vorgang wird Formieren genannt. Das Formieren kann selbstverständlich auch auf eine andere Weise vorgenommen werden.
Unter der Einwirkung des Formierens bilden sich die in den Fig. l und 2 dargestellten Übergangsschichten bzw. Übergangsstreifen aus. Gleichzeitig kann der Überzug von der Nadel zum Teil auf den Kristall gelangen und die Umgebung des Kristalles oberflächlich bedecken. Die so entstehende Deckschicht kann mit dem Überzug an der Nadel ein zusammenhängendes Ganzes bilden.
Der Transistor gemäss der Erfindung, welcher mit dem obenbeschriebenen Verfahren hergestellt worden ist, zeigt besondere vorteilhafte Eigenschaften, welche insbesondere besser als die der bisher bekannten Germanium-Nadeltransistoren sind. Fig. 3 zeigt die Ausgangscharakteristiken bisher bekannter Gvr-
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maniumnadeltransistoren. Es ist die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektorspannung, Emitterstrom als Parameter, dargestellt. Die mit strichlierten Linien gezeichnete Kurve zeigt die Charakteristik vor dem Formieren für Ie = 0.
Fig. 4 zeigt die Eingangscharakteristik bekannter Germanium-Nadeltransistoren. Die Kurven zeigen den Zusammenhang zwischen Emitterspannung und Emitterstrom, wobei der Kollektorstrom die Rolle des Parameters spielt.
Fig. 5 zeigt die Ausgangscharakteristik für einen Germanium-Nadeltransistor gemäss der Erfindung, bei welchem sich die erfindungsgemässe Schicht zwischen der Kollektornadel und dem Kristall befindet und welcher in der beschriebenen Weise formiert wurde. Die Figur zeigt den Zusammenhang zwischen Kollektorspannung und Kollektorstrom. Als Parameter dient der Emitterstrom, Die gestrichelte Kurve zeigt die Charakteristik vor dem Formieren für Ie = 0.
Fig. 6 zeigt die Eingangscharakteristik eines Germaniumnadeltransistors gemäss der Erfindung, bei welchem sich die erfindungsgemässe Schicht zwischen der Emitternadel und dem Kristall befindet und welcher, wie oben beschrieben, formiert wurde. Die Kurven zeigen den Zusammenhang zwischen der Emitterspannung und dem Emitterstrom. Als Parameter dient der Kollektorstrom.
Aus den Fig. 3 - 6 ist ersichtlich, dass der Nadeltransistor gemäss der Erfindung für den Fall, dass die erfindungsgem1 ! sse elementare Schicht bzw. der metallische Überzug zwischen der Kollektorelektrode und dem Kristall ausgebildet wurde (Fig. 5), einen Ausgangswiderstand von ungefähr 100000 - 250000 Ohm gegenüber einem Ausgangswiderstand bekannter Nadeltransistoren von im allgemeinen 25000 Ohm aufweist, wobei der Stromverstärkungsfaktor zu grösser als 3 ist. Der Stromverstärkungsfaktor bekannter Na- deltransistoren beträgt hingegen im allgemeinen nur a = 2, 2 - 2, 5.
Wurde die elementare Schicht bzw. der Überzug zwischen der Emitterelektrode und dem Kristall im Sinne der Erfindung ausgebildet, so beträgt der Eingangswiderstand unter 60 - 100 Ohm (Fig. 6) gegenüber dem Eingangswiderstand von 150 - 300 Ohm bisher bekannter Nadeltransistoren.
Aus den Figuren ist ferner ersichtlich, dass bei den bisher bekannten, insbesondere mit Nadeln aus Phosphorbronze arbeitenden Transistoren der Widerstand in der Sperrichtung zufolge des Formierens abnahm, obzwar die Stromverstärkul1g zunahm. Dagegen ändert sich bei den in erfindungsgemässer Weise ausgebildeten Transistoren mit Wolframnadeln der Widerstand in der Sperrichtung im Larfe des Formierens praktisch kaum bzw. nimmt eher etwas zu. Die Stromverstärkung nimmt hingegen in viel grö- sserem Masse zu als bei bekannten Transistoren mit Phosphorbronzenadeln.
Falls sowohl die Umgebung der Kollektorelektrode als auch die Umgebung der Emitterelektrode im Sinne der Erfindung ausgebildet worden ist, beträgt die Leistungsverstärkung mindestens 25 db. Man kann jedoch auch wesentlich höhere Leistungsverstärkungen in der Grössenanordnung von 40 - 45 db erreichen.
Ausserdem beträgt die Grenzfrequenz des Transistors gemäss der Erfindung in Verstärkerscbaltung etwa 2 MHz und erreicht sogar höhere Werte gegenüber den üblichen Werten bisher bekannter Transistoren in der Grösse von etwa 1 MHz.
Diese Eigenschaften des erfindungsgemässen Transistors ermöglichen es, einen Germaniumnadeltransistors bei geringerer Eingangsleistung, höherer Frequenz und niedrigerer Betriebsspannung mit grösserer Ausgangsleistung als Verstärker zu verwenden. Der Transistor gemäss der Erfindung ist also dementsprechend in Oszillatorkreisen, sowie auch in Schaltanordnungen vorteilhaft anwerdbar.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Germanium-Nadeltransistor mit einem Germaniumkristall, einem Basiskontakt und mindestens je einer an den Kristall angedrückten Kollektor- bzw. Emitternadel, wobei der Kristall Teile der n-Type und Teile der p-Type enthält, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwischen einer der Nadeln und dem Kristall eine ausschliesslich aus einem dem Kristall Eigenschaften der Type p oder n verleihenden Element bestehende Schicht unter Zwischenschaltung eines metallischen Überzuges vorgesehen ist.