JPWO2010010928A1 - コーティング組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
コーティング組成物及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010010928A1 JPWO2010010928A1 JP2010521737A JP2010521737A JPWO2010010928A1 JP WO2010010928 A1 JPWO2010010928 A1 JP WO2010010928A1 JP 2010521737 A JP2010521737 A JP 2010521737A JP 2010521737 A JP2010521737 A JP 2010521737A JP WO2010010928 A1 JPWO2010010928 A1 JP WO2010010928A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- coating composition
- resist pattern
- carbon atoms
- linear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 26
- -1 sulfonic acid compound Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 20
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 150000004714 phosphonium salts Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 57
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 20
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 17
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical group CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 8
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N diimidazo[1,3-b:1',3'-e]pyrazine-5,10-dione Chemical compound O=C1C2=CN=CN2C(=O)C2=CN=CN12 UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 2
- 229940116423 propylene glycol diacetate Drugs 0.000 claims description 2
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 9
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 8
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 8
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- VJGNLOIQCWLBJR-UHFFFAOYSA-M benzyl(tributyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CC1=CC=CC=C1 VJGNLOIQCWLBJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003270 Cymel® Polymers 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USFRYJRPHFMVBZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triphenyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 USFRYJRPHFMVBZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SLAFUPJSGFVWPP-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;iodide Chemical compound [I-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 SLAFUPJSGFVWPP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M methyltrioctylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCC[N+](C)(CCCCCCCC)CCCCCCCC XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M tetrapropylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N triacetin Chemical compound CC(=O)OCC(OC(C)=O)COC(C)=O URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPILPUZVTYHGIL-UHFFFAOYSA-M tributyl(methyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](C)(CCCC)CCCC IPILPUZVTYHGIL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQAYPFVXSPHGJM-UHFFFAOYSA-M trimethyl(phenyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 MQAYPFVXSPHGJM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NIDNOXCRFUCAKQ-RNGGSSJXSA-N (1r,2r,3s,4s)-bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1[C@@H]2C=C[C@H]1[C@H](C(=O)O)[C@@H]2C(O)=O NIDNOXCRFUCAKQ-RNGGSSJXSA-N 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-OLQVQODUSA-N (1s,2r)-cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)[C@H]1CCCC[C@H]1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- MCEKOERWHIKDFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrakis(butoxymethyl)urea Chemical compound CCCCOCN(COCCCC)C(=O)N(COCCCC)COCCCC MCEKOERWHIKDFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQNTZAWVZSKJKE-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrakis(methoxymethyl)urea Chemical compound COCN(COC)C(=O)N(COC)COC GQNTZAWVZSKJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical compound COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OC(C)=O LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVNIMHIOIXPIQT-UHFFFAOYSA-N 2-methoxybutane Chemical compound CCC(C)OC FVNIMHIOIXPIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPAGVACEWQNVQO-UHFFFAOYSA-N 3-acetyloxybutyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)CCOC(C)=O MPAGVACEWQNVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJWBTWIBUIGANW-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 RJWBTWIBUIGANW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 5-sulfosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC=C1O YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical group OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- MIAUJDCQDVWHEV-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O MIAUJDCQDVWHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IKWKJIWDLVYZIY-UHFFFAOYSA-M butyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CCCC)C1=CC=CC=C1 IKWKJIWDLVYZIY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001087 glyceryl triacetate Substances 0.000 description 1
- 235000013773 glyceryl triacetate Nutrition 0.000 description 1
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- RDMQYWPHYCZEKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonate;pyridin-1-ium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1 RDMQYWPHYCZEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- QUBQYFYWUJJAAK-UHFFFAOYSA-N oxymethurea Chemical compound OCNC(=O)NCO QUBQYFYWUJJAAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical group CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002622 triacetin Drugs 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNZBSNUICNVAAM-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[methyl-[methyl-(methyl-phenyl-trimethylsilyloxysilyl)oxy-phenylsilyl]oxy-phenylsilyl]oxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C=1C=CC=CC=1)O[Si](C)(O[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 FNZBSNUICNVAAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSYDJVRTHCWFP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane;hydrobromide Chemical compound Br.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CMSYDJVRTHCWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
- H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
Description
で表される有機溶媒を主成分とする溶剤、及び第4級アンモニウム塩又は第4級ホスホニウム塩を含む、レジストパターンを被覆する膜を形成するための、リソグラフィー用コーティング組成物である。
で表される有機溶媒を主成分とする溶剤、及び架橋剤、第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩及びスルホン酸化合物からなる群から選択される少なくとも1種を含み、前記ポリシランはその末端にシラノール基又は該シラノール基と水素原子を有する、レジストパターンを被覆する膜を形成するための、リソグラフィー用コーティング組成物である。
で表される1種又は2種以上の化合物の加水分解及び縮合反応により得られる生成物である。式(2)において、mが0の場合、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランを示す。オルガノポリシロキサンを得るための原料化合物として、式(2)で表される化合物を2種以上用いることが好ましい。加水分解の際及び/又は縮合反応の際、塩酸、硝酸、マレイン酸又は酢酸などの酸を用いることができる。
で表される少なくとも1種の単位構造を有する。
GPC装置:HLC−8220GPC(東ソー(株)製)
GPCカラム:Shodex〔登録商標〕KF803L,KF802,KF801(昭和電工(株)製)
カラム温度:40℃
溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
流量:1.0ml/min
標準試料:ポリスチレン(昭和電工(株)製)
テトラエトキシシラン20.31g、フェニルトリメトキシシラン1.49g、メチルトリエトキシシラン8.02g及びエタノール33.34gを100mlのフラスコに入れて溶解させ、得られた混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら加温し、還流させた。次にイオン交換水9.83gに塩酸0.03gを溶解させた水溶液を前記混合溶液に添加した。2時間反応させた後、得られた反応溶液を室温まで冷却した。その後、反応溶液に4−メチル−2−ペンタノール100gを加え、反応副生物であるメタノール及びエタノール、並びに水、塩酸を減圧留去し、加水分解縮合物溶液を得た。得られたポリマーのGPCによる平均分子量は、標準ポリスチレン換算でMw5500であった。なお、本明細書において“Mw”は重量平均分子量を表す。
テトラエトキシシラン76.76g、フェニルトリメトキシシラン8.12g及び4−メチル−2−ペンタノール84.88gを300mlのフラスコに入れて溶解させ、得られた混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら加温し、100℃で反応させた。次にイオン交換水28.75gにマレイン酸1.49gを溶解させた水溶液を前記混合溶液に添加した。1時間反応させた後、得られた反応溶液を室温まで冷却した。その後、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200gを加え、反応副生物であるメタノール及びエタノール、並びに水を減圧留去し、加水分解縮合物溶液を得た。得られたポリマーのGPCによる平均分子量は、標準ポリスチレン換算でMw4500であった。
テトラエトキシシラン24.99g、メチルトリエトキシシラン9.16g及びエタノール35.86gをフラスコに入れて溶解させ、得られた混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら加温し、還流させた。次に0.01M塩酸水溶液12.04gを前記混合溶液に添加した。なお、本明細書において、“M”はmol/Lを表す。2時間反応させた後、得られた反応溶液を室温まで冷却した。その後、反応溶液に4−メチル−2−ペンタノール100gを加え、反応副生物であるメタノール及びエタノール、並びに水、塩酸を減圧留去し、加水分解縮合物溶液を得た。得られたポリマーのGPCによる平均分子量は、標準ポリスチレン換算でMw4800であった。
テトラエトキシシラン24.96g、メチルトリエトキシシラン6.11g、ビニルトリエトキシシラン2.54g及びエタノール33.65gをフラスコに入れて溶解させ、得られた混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら加温し、還流させた。次に0.01M塩酸水溶液12.04gを前記混合溶液に添加した。2時間反応させた後、得られた反応溶液を室温まで冷却した。その後、反応溶液に4−メチル−2−ペンタノール100gを加え、反応副生物であるメタノール及びエタノール、並びに水、塩酸を減圧留去し、加水分解縮合物溶液を得た。得られたポリマーのGPCによる平均分子量は、標準ポリスチレン換算でMw4200であった。
合成例1にて得られた溶液25gに、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.01g、マレイン酸0.10g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.02gを加え、さらに4−メチル−2−ペンタノールを加え4.0質量%溶液とする。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。
合成例1にて得られた溶液25gに、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.02g、マレイン酸0.20g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.02gを加え、さらに4−メチル−2−ペンタノールを加え4.0質量%溶液とした。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。
合成例3にて得られた溶液25gに、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.01g、マレイン酸0.10g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.02gを加え、さらに4−メチル−2−ペンタノールを加え4.0質量%溶液とした。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。
合成例4にて得られた溶液25gに、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.01g、マレイン酸0.10g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.02gを加え、さらに4−メチル−2−ペンタノールを加え4.0質量%溶液とした。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。
上記実施例5で用いたポリシラン化合物を用意し、これを濃度20質量%で含む4−メチル−2−ペンタノール溶液165.0gに、架橋剤(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)4.16g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.21g及びp−トルエンスルホン酸0.42gを加え、さらに4−メチル−2−ペンタノールを加えて4.0質量%溶液とする。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。
前記式(17)で表されるポリシラン化合物(大阪ガスケミカル(株)製、重量平均分子量5600、数平均分子量1900、単位構造A及び単位構造Bをそれぞれ10モル%、90モル%の割合で含有し、末端に少なくともシラノール基を有する。)を用意する。各Rはそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、OH基又はフェニル基を表す。そして、式(17)の各Xは、OH基又はOH基と水素原子を表す。このポリシラン化合物を濃度20質量%で含む4−メチル−2−ペンタノール溶液165.0gに、架橋剤(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:CYMEL〔登録商標〕303)4.16g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.21g及びp−トルエンスルホン酸0.42gを加え、4.0質量%溶液とした。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。
合成例1にて得られた溶液25gに、マレイン酸0.10g、界面活性剤(DIC(株)製、商品名:メガファックR−30)0.02gを加え、さらに4−メチル−2−ペンタノールを加え4.0質量%溶液とする。そして、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。本比較例は、第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩のいずれも用いない点で、前記実施例1と異なる。
前記実施例5及び実施例6で用いたポリシラン化合物を用意し、これに4−メチル−2−ペンタノールを加え4.0質量%溶液とした後、孔径0.02μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、コーティング組成物(溶液)を調製した。本比較例は、架橋剤、スルホン酸化合物及び界面活性剤を用いない点で、前記実施例5及び実施例6と異なる。
<ドライエッチング速度>
実施例1乃至実施例7及び比較例1で調製されたコーティング組成物を用いて形成された被覆膜、及び有機フォトレジスト(住友化学(株)製、商品名:PAR855)を用いて形成されたフォトレジスト膜に対し、エッチングガスとしてCF4及びO2を使用してドライエッチングを行い、ドライエッチング速度を測定した。ドライエッチングに用いた装置はRIE−10NR(サムコ(株)製)である。そして、上記フォトレジスト膜のドライエッチング速度に対する上記被覆膜のドライエッチング速度の比(被覆膜/フォトレジスト膜)を求めた結果を表1に示す。
<溶剤耐性>
シリコンウエハー上に、実施例1で調製されたコーティング組成物をスピンコートし、次いでそのシリコンウエハーを150℃又は205℃で60秒間ベークすることにより、被覆膜がシリコンウエハー上に形成された試料を作製した。実施例2、実施例3、実施例4及び比較例1で調製されたコーティング組成物についても、同様の方法により試料を作製した。作製された各試料に形成されている被覆膜に、溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAと略称)又はプロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEと略称)を滴下し、60秒間保持した。その後、30秒間スピンドライを行い、さらに100℃で30秒間ベークし、試料から溶剤を除去した。溶剤を滴下する前と、滴下した溶剤を除去した後との間で、シリコンウエハー上の被覆膜の膜厚の変化を測定した。その結果を表2に示す。
<段差被覆性及び平坦性>
本発明に係るコーティング組成物を用いて、良好なコンタクトホールを得るためには、形成される被覆膜が、段差被覆性及び平坦性が高いことが必要となる。そこで、シリコン基板上に段差が形成された段差基板を用いて、本発明に係るコーティング組成物の塗布試験を行った。使用した段差基板は、(株)アドバンテックから入手したもので、段差の高さは80nm、被覆膜の厚さは110nm、ベーク温度及び時間は110℃,60秒である。孤立ラインのみを有する段差基板及びL/S(ラインアンドスペース)の異なる3種類の段差基板の合計4種類の段差基板を用い、実施例5で調製されたコーティング組成物をスピンコートし、上記の条件でベークして被覆膜を形成した。被覆膜を形成する前の段差基板の断面を走査型電子顕微鏡(以下、SEMと略称する)で撮影した像を図1(A)、(B)、(C)及び(D)に示し、並びに、被覆膜を形成した試料の断面をSEMで撮影した像を図1(a)、(b)、(c)及び(d)に示す。いずれの試料においても、段差基板の段差を十分に被覆できている。
<“リバーサルパターニング”への適用>
シリコンウエハー101上に、下記式(18a)、(18b)及び(18c):
で表される3種の単位構造を有する共重合体(重量平均分子量30000、単位構造(18a)、単位構造(18b)及び単位構造(18c)をそれぞれ34質量%、33質量%及び33質量%の比で含有する。)、架橋剤(日本サイテックインダストリーズ(株)製、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)及びピリジニウム−p−トルエンスルホン酸を含む組成物を用いてレジスト下層膜102を形成し、その上に、有機フォトレジスト(住友化学(株)製、商品名:PAR855)を用いて、図2(A)に示すようにレジストパターン103を形成した。ターゲットCD(Critical Dimension)は80nm、L/S(ラインアンドスペース)=80/100である。
次に、実施例5で調製されたコーティング組成物を、レジストパターン103を被覆するようにスピンコートし、110℃で60秒間ベークすることによって、図6(A)に示すように被覆膜204を形成した。その後、エッチングガスとしてCF4を用いたドライエッチングを行い、図7(A)に示すようにレジストパターン103の上部を露出させた。最後に、エッチングガスとしてO2を用いたドライエッチングを行い、図8(A)に示すようにレジストパターン103を除去した。
102 レジスト下層膜
103 レジストパターン
104 実施例1で調製されたコーティング組成物により形成された被覆膜
204 実施例5で調製されたコーティング組成物により形成された被覆膜
Claims (12)
- オルガノポリシロキサン、
下記式(1a)、式(1b)又は式(1c):
で表される有機溶媒を主成分とする溶剤、及び
第4級アンモニウム塩又は第4級ホスホニウム塩を含む、
レジストパターンを被覆する膜を形成するためのリソグラフィー用コーティング組成物。 - 請求項1において、前記オルガノポリシロキサンはかご型、ラダー型、直鎖型又は分岐型の主鎖を有するリソグラフィー用コーティング組成物。
- 請求項1又は請求項2において、前記オルガノポリシロキサンは下記式(2):
で表される1種又は2種以上の化合物の加水分解及び縮合反応により得られる生成物であるリソグラフィー用コーティング組成物。 - ポリシラン、
下記式(1a)、式(1b)又は式(1c):
で表される有機溶媒を主成分とする溶剤、及び
架橋剤、第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩及びスルホン酸化合物からなる群から選択される少なくとも1種を含み、
前記ポリシランはその末端にシラノール基又は該シラノール基と水素原子を有し、
レジストパターンを被覆して塗布されるものである、リソグラフィー用コーティング組成物。 - 請求項4において、前記ポリシランは直鎖型又は分岐型の主鎖を有するリソグラフィー用コーティング組成物。
- 請求項4又は請求項5において、前記ポリシランは下記式(4a)及び/又は下記式(4b):
で表される少なくとも1種の単位構造を有するリソグラフィー用コーティング組成物。 - 請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、前記架橋剤は、メチロール基又はアルコキシメチル基が結合した窒素原子を2つ乃至4つ有する含窒素化合物である、リソグラフィー用コーティング組成物。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記有機溶媒は4−メチル−2−ペンタノール、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、シクロヘキサノールアセテート又はシクロヘキサノールであるリソグラフィー用コーティング組成物。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記コーティング組成物はさらに有機酸を含む、リソグラフィー用コーティング組成物。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、前記コーティング組成物はさらに界面活性剤を含む、リソグラフィー用コーティング組成物。
- 被加工層が形成された半導体基板上に有機レジストを用いて第1のレジストパターンを形成する工程、前記第1のレジストパターンを被覆するように請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載のコーティング組成物を塗布する工程、前記コーティング組成物をベークして被覆膜を形成する工程、前記被覆膜をエッチングして前記第1のレジストパターンの上部を露出させる工程、及び前記第1のレジストパターンの一部又は全部を除去することにより前記被覆膜のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
- 請求項11において、前記被覆膜を形成する工程の後であって前記第1のレジストパターンの上部を露出させる工程の前に、有機レジストを用いて前記被覆膜上に第2のレジストパターンを形成する工程、及び前記第2のレジストパターンをマスクとして前記被覆膜をエッチングする工程をさらに含む、パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010521737A JP5397636B2 (ja) | 2008-07-24 | 2009-07-23 | コーティング組成物及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008191249 | 2008-07-24 | ||
JP2008191206 | 2008-07-24 | ||
JP2008191206 | 2008-07-24 | ||
JP2008191249 | 2008-07-24 | ||
JP2010521737A JP5397636B2 (ja) | 2008-07-24 | 2009-07-23 | コーティング組成物及びパターン形成方法 |
PCT/JP2009/063202 WO2010010928A1 (ja) | 2008-07-24 | 2009-07-23 | コーティング組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010010928A1 true JPWO2010010928A1 (ja) | 2012-01-05 |
JP5397636B2 JP5397636B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=41570388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010521737A Active JP5397636B2 (ja) | 2008-07-24 | 2009-07-23 | コーティング組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110117746A1 (ja) |
JP (1) | JP5397636B2 (ja) |
KR (1) | KR101541439B1 (ja) |
CN (1) | CN102084301B (ja) |
TW (1) | TWI481970B (ja) |
WO (1) | WO2010010928A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5663959B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2015-02-04 | Jsr株式会社 | 絶縁パターン形成方法及びダマシンプロセス用絶縁パターン形成材料 |
WO2012043890A1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Fujifilm Corporation | Gap embedding composition, method of embedding gap and method of producing semiconductor device by using the composition |
TWI541609B (zh) | 2011-02-17 | 2016-07-11 | 富士軟片股份有限公司 | 填隙組成物、填隙方法以及使用該組成物製造半導體元件的方法 |
US9165781B2 (en) | 2011-03-28 | 2015-10-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming pattern reversal film and method for forming reversal pattern |
US9068086B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-06-30 | Dow Global Technologies Llc | Compositions for antireflective coatings |
JP5829994B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US10289002B2 (en) * | 2013-12-19 | 2019-05-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Electron beam resist underlayer film-forming composition containing lactone-structure-containing polymer |
JP5822986B2 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-11-25 | ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation | レジスト被覆膜形成用材料 |
JPWO2016017346A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2017-04-27 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法 |
SG11201701362UA (en) * | 2014-08-25 | 2017-04-27 | Nissan Chemical Ind Ltd | Coating composition for pattern reversal on soc pattern |
KR101666171B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2016-10-13 | 롯데케미칼 주식회사 | 폴리카보네이트 폴리올 및 이의 제조 방법 |
US9633847B2 (en) * | 2015-04-10 | 2017-04-25 | Tokyo Electron Limited | Using sub-resolution openings to aid in image reversal, directed self-assembly, and selective deposition |
JP6803842B2 (ja) | 2015-04-13 | 2020-12-23 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング |
CN107709464B (zh) * | 2015-07-09 | 2021-09-28 | 东京应化工业株式会社 | 含硅树脂组合物 |
TWI731034B (zh) * | 2016-02-24 | 2021-06-21 | 日商日產化學工業股份有限公司 | 有機圖型平坦化用組成物、半導體裝置之製造方法、塗佈於有機圖型之階差基板平坦化用組成物所包含之聚矽氧烷之製造方法 |
JP7011229B2 (ja) * | 2016-10-04 | 2022-02-10 | 日産化学株式会社 | パターン反転のための被覆組成物 |
CN109863455A (zh) * | 2016-10-19 | 2019-06-07 | 日产化学株式会社 | 抗蚀剂图案被覆用水溶液及使用了该水溶液的图案形成方法 |
JP6999408B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2022-02-04 | 東京応化工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂組成物の製造方法、膜形成方法及び硬化物 |
JPWO2021182379A1 (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3924910B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2007-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TW521316B (en) * | 2000-11-09 | 2003-02-21 | Macronix Int Co Ltd | Manufacturing method for reducing critical dimensions |
CN1606713B (zh) * | 2001-11-15 | 2011-07-06 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于照相平版印刷术的旋涂抗反射涂料 |
JP3697426B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2005-09-21 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US7186656B2 (en) * | 2004-05-21 | 2007-03-06 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process |
EP1462486A3 (en) * | 2003-03-27 | 2005-01-05 | Toda Kogyo Corporation | Transparent coloring composition and color filter |
US8163460B2 (en) * | 2005-05-24 | 2012-04-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition for lithography containing polysilane compound |
US7482280B2 (en) * | 2005-08-15 | 2009-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming a lithography pattern |
JP5151038B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2013-02-27 | 富士通株式会社 | レジストカバー膜形成材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
US20070196773A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-23 | Weigel Scott J | Top coat for lithography processes |
EP1845132B8 (en) * | 2006-04-11 | 2009-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
US7855043B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
US7959818B2 (en) * | 2006-09-12 | 2011-06-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming a fine pattern of a semiconductor device |
TW200828402A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-01 | United Microelectronics Corp | Method of forming a pattern |
JP5003279B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2012-08-15 | Jsr株式会社 | 反転パターン形成方法 |
JP4880652B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
-
2009
- 2009-07-23 WO PCT/JP2009/063202 patent/WO2010010928A1/ja active Application Filing
- 2009-07-23 KR KR1020117004074A patent/KR101541439B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-23 US US13/054,665 patent/US20110117746A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-23 CN CN2009801263393A patent/CN102084301B/zh active Active
- 2009-07-23 JP JP2010521737A patent/JP5397636B2/ja active Active
- 2009-07-24 TW TW098125071A patent/TWI481970B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110034024A (ko) | 2011-04-04 |
JP5397636B2 (ja) | 2014-01-22 |
US20110117746A1 (en) | 2011-05-19 |
TW201022862A (en) | 2010-06-16 |
WO2010010928A1 (ja) | 2010-01-28 |
TWI481970B (zh) | 2015-04-21 |
KR101541439B1 (ko) | 2015-08-03 |
CN102084301A (zh) | 2011-06-01 |
CN102084301B (zh) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5397636B2 (ja) | コーティング組成物及びパターン形成方法 | |
US9069133B2 (en) | Anti-reflective coating for photolithography and methods of preparation thereof | |
EP3257069B1 (en) | Metal hardmask composition and processes for forming fine patterns on semiconductor substrates | |
KR101339763B1 (ko) | 반사방지 하드 마스크 조성물 | |
US7955782B2 (en) | Bottom antireflective coatings exhibiting enhanced wet strip rates, bottom antireflective coating compositions for forming bottom antireflective coatings, and methods for fabricating the same | |
WO2010032796A1 (ja) | サイドウォール形成用組成物 | |
US8263312B2 (en) | Antireflective coating material | |
US20080206690A1 (en) | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof | |
CN107337776B (zh) | 聚合物、有机层组成物以及形成图案的方法 | |
KR101316200B1 (ko) | 규소 함유막 형성용 조성물, 규소 함유막, 규소 함유막형성 기판 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR101655394B1 (ko) | 레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 | |
CN113015940A (zh) | 用于高分辨率图案化的含硅烷醇有机-无机杂化涂层 | |
JP5158382B2 (ja) | リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物及び半導体装置の製造方法 | |
WO2003044078A9 (en) | Anti-reflective coatings for photolithography and methods of preparation thereof | |
KR20170047745A (ko) | 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법 | |
KR101233905B1 (ko) | 규소 함유막 형성용 조성물, 규소 함유막, 규소 함유막형성 기판 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
TWI386438B (zh) | 用於半導體元件之具改良填隙特性的有機矽烷聚合物以及使用該聚合物之塗覆組成物 | |
KR101976016B1 (ko) | 중합체, 유기막 조성물 및 패턴형성방법 | |
KR101804258B1 (ko) | 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 | |
US8188576B2 (en) | Compound for filling small gaps in a semiconductor device, composition including the compound, and method of fabricating a semiconductor capacitor | |
TWI598379B (zh) | 聚合物、有機層組合物以及形成圖案的方法 | |
KR20190075581A (ko) | 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
KR102358171B1 (ko) | 하드마스크용 조성물 | |
KR102332698B1 (ko) | 하드마스크용 조성물 | |
TW202232235A (zh) | 用於平版印刷的化學勻相矽硬遮罩 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131008 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5397636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |