JP2006135272A - 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法 - Google Patents

基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 半導体ウェーハ等の基板を薄板化した後に、サポートプレートと基板とを接着している接着層に短時間のうちに溶剤が供給できる構造のサポートプレート、及びこのサポートプレートを用いた剥離方法を提供する。
【解決手段】 サポートプレート２は半導体ウェーハＷよりも大径で、貫通穴３が形成され、更に外縁部は貫通穴のない平坦部４なっている。このサポートプレート２の上から溶剤としてアルコールを注ぐと、アルコールはサポートプレート２の貫通孔３を介して接着剤層１に到達し接着剤層１を溶解し除去する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の基板を薄板化する際にバックアップのために基板に貼り合せるサポートプレートと、このサポートプレートの剥離方法に関する。
ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄厚の半導体チップとしなければならない。このため半導体チップの基になるウェーハの厚さは現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないと言われている。
半導体ウェーハの薄板化には従来から図７に示す工程を経ている。即ち、半導体ウェーハの回路（素子）形成面（Ａ面）に保護テープを貼付け、これを反転して半導体ウェーハの裏面（Ｂ面）をグラインダーで研削して薄板化し、この薄板化した半導体ウェーハの裏面をダイシングフレームに保持されているダイシングテープ上に固定し、この状態で半導体ウェーハの回路（素子）形成面（Ａ面）を覆っている保護テープを剥離し、この後ダイシング装置によって各チップ毎に切り離すようにしている。
上記した方法は特許文献１に開示されている。尚、特許文献１にあっては保護テープとして耐熱性保護テープを用い、剥離する際にはこの保護テープの一端に強粘着テープを粘着して薄板化した半導体ウェーハから引き剥がすようにしている。
また特許文献２には、保護テープの代わりに窒化アルミニウム−窒化硼素気孔焼結体にラダー型シリコーンオリゴマーを含浸せしめた保護基板を用い、この保護基板と半導体ウェーハとを熱可塑性フィルムを用いて接着するとともに、剥離するには８０℃の純水に入れ、３時間保持した後に剥離することが記載されている。
また特許文献３には、保護基板として半導体ウェーハと実質的に同一の熱膨張率のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素などの材料を用いることが記載されている。また特許文献３には、保護基板と半導体ウェーハとをポリイミドなどの熱可塑性樹脂を用いて接着し、グラインダーで薄板化した後、剥離する場合には水、アミンまたは水とアミンの混合溶液中に浸漬する方法、或いは水蒸気を用いる方法が提案されている。
また、技術分野は異なるが特許文献４にはカラーブラウン管用のシャドーマスクの一部（電子ビーム照射側）にインバー材（３６％Ｎｉ−Ｆｅ合金）を用いることが開示されている。
特開２００２−２７０６７６号公報 段落（００３５） 特開２００２−２０３８２１号公報 段落（００２０） 特開２００１−７７３０４号公報 段落（００１０）、（００１７）（００２０） 特許第３４４０３３３号公報 段落（０００７）
特許文献１に開示されるように保護テープを用いると、剥離の際に半導体ウェーハに割れや欠けが生じやすい。また保護テープだけでは半導体ウェーハを支えることができないため、搬送は人手によって行わなければならず自動化することができない。
特許文献２や特許文献３に開示されるように、保護テープの代わりにアルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素などをサポートプレートとして用いれば、ハンドリングや搬送の自動化が可能になる。しかしながら、剥離する際にサポートプレートと半導体ウェーハとの間に溶剤が浸入しにくく剥離に時間がかかってしまう。
また、サポートプレートと半導体ウェーハとを接着している熱可塑性フィルムが完全に溶けずにサポートプレートまたは半導体ウェーハの一方にくっついたまま残ってしまうことがある。
また最近では、サポートプレートとしてガラス基板を用い、このガラス基板と半導体ウェーハとを紫外線硬化型ワックスや両面接着テープで接着し、剥離の際には硬化に用いた紫外線と異なる波長の紫外線を照射してガラス基板と半導体ウェーハとを剥離する方法も知られているが、半導体ウェーハの回路形成面に紫外線を照射すると、素子（ＣＣＤやＣＭＯＳ）を破壊するおそれがある。
またアルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素などを保護基板として用いた場合には、剥離に磁石を用いることができないので、装置が複雑になる。
上記課題を解決すべく本発明に係るサポートプレートは、貼り合せる相手方の 基板と同径か基板よりも大径で厚み方向に溶剤が透過可能な多数の貫通孔が形成されたものとした。
また、サポートプレートの径を基板よりも大径とした場合には、外縁領域で基板のエッジ部がかかる部分よりも外側部分を貫通孔が形成されない平坦部とした構成としてもよい。
サポートプレートの材料としては、基板を貼り合わせた状態での熱（ 研削後のメタライジング）によって反りが発生するのを防止する必要があり、このためには、できるだけ基板の熱膨張係数に近い材料（５．０×１０−６以下）のもの、例えば熱膨張係数が１．５×１０−６以下の低熱膨張材、一例を挙げればＮｉ−Ｆｅ合金、セラミックス、ガラスを選定する。
基板を研削して薄板化した後に上記のサポートプレートを基板から剥離する方法は、サポートプレートと基板とを接着している接着剤を溶解せしめる溶剤をサポートプレートの外側から供給し、サポートプレートの貫通孔を介して前記溶剤を接着剤まで到達せしめ、硬化している接着剤を溶解せしめた後、サポートプレートを基板から剥離する。前記溶剤を供給する前に、サポートプレート付きの薄化ウェーハをダイシングテープに転写しておくことが好ましい。
前記溶剤の供給する治具としては、溶剤供給プレートとＯリングを備えた治具が考えられる。この場合、サポートプレートの上にＯリングを介して溶剤供給プレートを重ね、サポートプレート、Ｏリング及び溶剤供給プレートで囲まれる空間に溶剤供給プレートを介して溶剤を供給する。また溶剤供給の他の手段は、スプレー、超音波ノズルまたは２流体ノズル（気液混合ノズル）を介して行うか、溶剤を満たした槽に浸漬する。
サポートプレートを基板から剥離する手段としては、サポートプレートの周縁の一部をマグネットに吸着して剥離することが考えられる。またサポートプレートがガラスからなる場合はマグネットで吸着して剥離することができず、ガラスの端面に治具をひっかけ機械的に剥離する。
更に溶剤としてはアルコール、アルカリ、ケトン、アルコールとケトンとの混合溶液、或いはこれらを水で希釈した溶液などが考えられる。更に溶剤を短時間にうちに接着剤に行き渡らせるには、溶剤を回転又は振動している状態のサポートプレートに供給するか、溶剤を供給した後サポートプレートを回転又は振動せしめることが好ましい。なお、溶剤の温度を２５℃〜５０℃の間に加温することも好ましい。
本発明によれば、半導体ウェーハ等の基板のサポートプレートとして多数の貫通孔を有する多孔板を用いたため、サポートプレートの外側からアルコールなどの溶剤を供給すれば、貫通孔を介して溶剤が接着層まで直接到達するので、半導体ウェーハをサポートプレートから短時間のうちに剥離することができる。また、剥離する際に半導体ウェーハに割れや欠けを生じることもない。
また、サポートプレートの材料としてシリコンウェーハの熱膨張率（４．０×１０−６）に近い低熱膨張率材（１．５×１０−６以下）やＮｉ−Ｆｅ合金、セラミックス、ガラスなどを用いれば、熱処理の過程でウェーハとの熱膨張率の差に起因する反りが生じにくく、且つ溶剤によって接着層を溶解した後に、マグネットを用いてサポートプレートを取り外すことができる。
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係るサポートプレートとその剥離方法を組み込んだ半導体ウェーハの薄板化工程を説明した図である。
本発明にあっては先ず、半導体ウェーハＷの回路（素子）形成面に接着剤液を塗布する。塗布には例えばスピンナーを用いる。接着剤液としてはノボラックタイプのフェノール樹脂系材料とする。
次いで、上記の接着剤液を予備乾燥させて流動性を低減させ、接着剤層１としての形状維持を可能とする。予備乾燥にはオーブンを用いて例えば８０℃で５分間加熱する。接着剤層１の厚みは半導体ウェーハＷの表面に形成した回路の凹凸に応じて決定する。尚、一回の塗布では必要な厚みを出せない場合には、塗布と予備乾燥を複数回繰り返して行う。この場合、最上層以外の接着剤層の予備乾燥は接着剤に流動性を残さないように乾燥の度合いを強める。
以上によって所定厚みの接着剤層１が形成された半導体ウェーハＷにサポートプレート２を貼り付ける。サポートプレート２は図２及び図３に示すように半導体ウェーハＷよりも大径（半径で２ｍｍ）で、厚み０．５ｍｍの鉄−ニッケル合金（ニッケル３６％の合金：インバー）を用い、Φ０．５ｍｍの貫通穴３が０．７ｍｍピッチで形成され、更に外縁部は貫通穴のない平坦部４としている。
図３に示すように、上記平坦部４はサポートプレート２を半導体ウェーハＷに重ねた状態で、半導体ウェーハＷのエッジ部がかかる部分よりも外側部分としている。半導体ウェーハＷは薄板化されているため極めて割れや欠けが発生しやすい。特にエッジ部が貫通孔にかかると、この部分は何も支えがない状態になるので研削液の水圧或いはグラインダーの圧によって簡単に割れや欠けが発生してしまう。そこで、実施例にあっては平坦部４に半導体ウェーハＷのエッジ部がかかるようにしている。
サポートプレート２として前記したように磁性材料を用いれば、従来のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素などを保護基板として用いた場合に比べ、剥離に磁石を用いることができ、装置構成が簡略化される。
尚、サポートプレートとしては上記のものに限定されない。例えば基板と同径としたもの、平坦部４がなく外縁部まで貫通孔が形成されたもの、材質をセラミックスやガラスとしたもの使用できる。また貫通穴３の直径としては０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ、貫通孔のピッチとしては０．５ｍｍ〜１．０ｍｍが適当である。
またサポートプレート２を半導体ウェーハＷに貼り合せるには、図４に示す貼付け機５を用いる。貼付け機５はボトムプレート５１の上方にトッププレート５２を配置し、このトッププレート５２をモータ５３を駆動することで昇降動せしめるようにし、またトッププレート５２の下面にはセラミックスの焼結板５４を取り付け、この焼結板５４に排気管５５を接続している。
この貼付け機５を用いて貼り付けるには、ボトムプレート５１の上に、半導体ウェーハＷが下にサポートプレート２が上になるようにセットし、モータ５３を駆動してトッププレート５２を下降せしめ、焼結板５４をサポートプレート２に押し付ける。このとき、同時に加熱（２００℃以下）を行い接着剤層１中の溶剤を焼結板５４及び排気管５５を介して除去してもよい。
この後、貼付け機５から一体化した半導体ウェーハＷとサポートプレート２を取り外し、半導体ウェーハＷの裏面（Ｂ面）をグラインダー１０で研削し、半導体ウェーハＷを薄板化する。尚、研削にあたってはグラインダー１０と半導体ウェーハＷとの間に生じる摩擦熱を抑えるために水（研削液）を半導体ウェーハＷの裏面に供給しつつ行う。ここで、前記接着剤は水に不溶（アルコールに可溶）なものを選定しているため、研削の際に半導体ウェーハＷからサポートプレート２が剥がれることがない。
この薄板化した半導体ウェーハＷの裏面（Ｂ面）に必要に応じて回路などを形成した後、当該裏面をダイシングテープ１１上に固定する。このダイシングテープ１１は粘着性を有するとともにフレーム１２に保持されている。
この後、図５に示すように、サポートプレート２の上から溶剤としてアルコールを注ぐ。アルコールはサポートプレート２の貫通孔３を介して接着剤層１に到達し接着剤層１を溶解し除去する。この場合、フレーム１２を図示しないスピンナーにて回転せしめることで、アルコールを短時間のうちに接着剤層１の全面に行き渡らせることができる。ここで、スピンで溶剤処理をする際、ダイシングテープに純水をかけることでテープに触れる溶剤の濃度を薄めることが好ましい。用いるアルコールとしてはエタノールやメタノールなどの分子量が小さいものほど溶解性が高いので好ましい。また複数のアルコールを混合してもよい。以下の（表）はエタノールおよびメタノールと水との混合溶液を用いた場合の剥離に要する時間を比較したものであり、この表からアルコール:水が１:１以上であれば短時間のうちに剥離できると言える。またアルコールの代わりにケトンまたはアルコールとケトンとの混合溶液を用いてもよい。なお、溶剤の温度は２５℃〜５０℃の間に加温することによって、さらに剥離時間の短縮に貢献することができる。
図６は溶剤供給手段の具体例を示し、この例にあっては溶剤供給手段を溶剤供給プレート６０の下面にＯリング６１を設けている。溶剤供給プレート６０には溶剤（剥離液）供給管６２及び溶剤排出管６３が接続されている。而して、図６（ａ）の状態から溶剤供給プレート６０を降下させ、図６（ｂ）に示すように、サポートプレート２の上面にＯリング６１を介して溶剤供給プレート６０を重ね、次いでサポートプレート２、Ｏリング６１及び溶剤供給プレート６０で囲まれる空間に溶剤供給管６２から溶剤を供給し、サポートプレート２に形成した貫通孔３を介して接着剤層１を溶解し除去する。
このように、Ｏリング６１によって溶剤が供給される空間を制限することで、溶剤がダイシングテープ１１に降りかかることを防止でき、ダイシングテープ１１に極力溶剤がかかることを防ぐことができる。また、テープののりがウェーハ表面にかかることを防げる。
アルコールなどの溶剤をサポートプレート２の外側から接着剤層１に供給する手段としては、溶剤を満たした槽にサポートプレート２が接着した半導体ウェーハＷを浸漬してもよい、この場合超音波振動を加えれば更に効果的である。
以上の如くして接着剤層１を溶解せしめたならば、サポートプレート２を取り外す。実施例では、フレーム１２を回転させサポートプレート２上の余分な溶剤を除去した後、アーム１４の先端に取り付けたマグネット１５をサポートプレート２の周辺に近づけ磁力によって付着せしめ、次いで、アーム１４を斜め上方に引くことでサポートプレート２を周辺部から徐々に剥離する。
そして、サポートプレート２を取り外した後、ダイシング装置１３によって半導体ウェーハＷをチップサイズに切断する。切断後は、ダイシングテープ１１に紫外線を照射し、ダイシングテープ１１の粘着力を低下せしめて、切断したチップを個々に取り出す。
本発明に係る基板の貼付け方法をその一部に組み込んだ半導体ウェーハの薄板化工程を説明した図 サポートプレートの斜視図 サポートプレートを半導体ウェーハに重ねた状態の断面図 貼付け機の概略図 サポートプレートの上からアルコールを供給している状態を示す図 （ａ）は溶剤供給手段が上昇している状態を示す図、（ｂ）は溶剤供給手段が下降している状態を示す図 従来の半導体ウェーハの薄板化工程を説明した図
符号の説明
１…接着剤層、２…サポートプレート、３…貫通穴、４…平坦部、５…貼付け機、１０…グラインダー、１１…ダイシングテープ、１２…フレーム、１３…ダイシング装置、１４…アーム、１５…マグネット、５１…ボトムプレート、５２…トッププレート、５３…モータ、５４…焼結板、５５…排気管、Ｗ…半導体ウェーハ。

Claims (14)

  1. 半導体ウェーハ等の基板を薄板化する際に基板に貼り合せるサポートプレートであって、このサポートプレートは基板と同径か基板よりも大径で厚み方向に溶剤が透過する多数の貫通孔が形成されていることを特徴とする基板のサポートプレート。
  2. 請求項１に記載の基板のサポートプレートにおいて、このサポートプレートは基板よりも大径で、外縁領域で前記基板のエッジ部がかかる部分よりも外側部分は貫通孔が形成されない平坦部としたことを特徴とする基板のサポートプレート。
  3. 請求項１に記載の基板のサポートプレートにおいて、このサポートプレートは熱膨張係数が１．５×１０−６以下の低熱膨張材からなることを特徴とする基板のサポートプレート。
  4. 請求項１に記載の基板のサポートプレートにおいて、このサポートプレートはＮｉ−Ｆｅ合金からなることを特徴とする基板のサポートプレート。
  5. 請求項１に記載の基板のサポートプレートにおいて、このサポートプレートはガラスからなることを特徴とする基板のサポートプレート。
  6. 請求項１に記載の基板のサポートプレートにおいて、このサポートプレートはセラミックスからなることを特徴とする基板のサポートプレート。
  7. 請求項１に記載の基板のサポートプレートにおいて、前記貫通孔の直径は０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ、前記貫通孔のピッチは０．５ｍｍ〜１．０ｍｍであることを特徴とする基板のサポートプレート。
  8. 請求項１乃至請求項７に記載のサポートプレートを基板から剥離する方法であって、サポートプレートと基板とを接着している接着剤を溶解せしめる溶剤をサポートプレートの外側から供給し、サポートプレートの貫通孔を介して前記溶剤を接着剤まで到達せしめ、硬化している接着剤を溶解せしめた後、サポートプレートを基板から剥離することを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
  9. 請求項１乃至請求項７に記載のサポートプレートを基板から剥離する方法であって、サポートプレートをダイシングテープを貼ったフレームに貼り付けた後に、サポートプレートと基板とを接着している接着剤を溶解せしめる溶剤をサポートプレートの外側から供給し、サポートプレートの貫通孔を介して前記溶剤を接着剤まで到達せしめ、硬化している接着剤を溶解せしめた後、サポートプレートを基板から剥離することを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
  10. 請求項８または請求項９に記載のサポートプレートの剥離方法において、前記サポートプレートの上にＯリングを介して溶剤供給プレートを重ね、サポートプレート、Ｏリング及び溶剤供給プレートで囲まれる空間に溶剤供給プレートを介して溶剤を供給することを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
  11. 請求項８または請求項９に記載のサポートプレートの剥離方法において、前記溶剤の供給は、スプレー、超音波ノズルまたは２流体ノズルを介して行うか、溶剤を満たした槽に浸漬することを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
  12. 請求項８または請求項９に記載のサポートプレートの剥離方法において、前記溶剤はアルコール、ケトン、アルコールとケトンとの混合溶液、或いはこれらを水で希釈した溶液の何れかとすることを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
  13. 請求項１２に記載のサポートプレートの剥離方法において、前記溶剤は２５℃〜５０℃のいずれかの温度に温調してから供給することを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
  14. 請求項８または請求項９に記載のサポートプレートの剥離方法において、前記溶剤を回転又は振動している状態のサポートプレートに供給するか、溶剤を供給した後サポートプレートを回転又は振動せしめることを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
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CNB200410082083XA CN100375262C (zh) 2003-12-01 2004-12-01 基板的支承板以及支承板的剥离方法
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007138786A1 (ja) * 2006-06-01 2007-12-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム
WO2008007455A1 (fr) * 2006-07-14 2008-01-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Procédé d'amincissement de tranche et plaque de support
JP2009059778A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2009182067A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板を含む積層体および基板の処理方法
JP2009206452A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 処理液浸透ユニットおよび処理装置
JP2010042469A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート
KR20100137370A (ko) 2009-06-22 2010-12-30 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 방법
JP2011181941A (ja) * 2011-04-15 2011-09-15 Lintec Corp 半導体ウエハの処理方法
JP2012079836A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Shibaura Mechatronics Corp 基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
US8297568B2 (en) 2008-03-03 2012-10-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Sucking and holding device
JP2013503366A (ja) * 2009-08-27 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離
JP2013504178A (ja) * 2009-09-01 2013-02-04 エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー 製品基板をキャリア基板から剥離するための装置及び方法
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
JP2013034011A (ja) * 2012-11-05 2013-02-14 Lintec Corp 半導体ウエハの処理方法
JP2013065786A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理方法
JP2013524545A (ja) * 2010-04-23 2013-06-17 エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法
TWI406352B (zh) * 2010-03-16 2013-08-21 Ind Tech Res Inst 晶圓承載基板及其製造方法
KR20130127920A (ko) 2012-05-15 2013-11-25 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 및 이것에 이용되는 반도체 가공용 다이싱 테이프
JP2014082344A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体加工用粘着テープ
US8882930B2 (en) 2010-06-04 2014-11-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for processing process-target object
KR20160046884A (ko) 2014-03-03 2016-04-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 점착 테이프
KR20160079045A (ko) 2013-11-29 2016-07-05 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 점착 테이프
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
EP3174091A1 (en) 2015-11-27 2017-05-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate and method for processing wafer
KR101837227B1 (ko) 2011-01-07 2018-03-09 인텔 코포레이션 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2018137480A (ja) * 2012-09-19 2018-08-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を結合する方法
JP2018142631A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 日化精工株式会社 ウェーハの仮止め用サポート基板及びウェーハの仮止め処理方法
KR20240020656A (ko) 2022-08-08 2024-02-15 닛토덴코 가부시키가이샤 워크 처리 방법 및 워크 처리 장치

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4381860B2 (ja) * 2004-03-24 2009-12-09 日東電工株式会社 補強半導体ウエハに固定された補強板の分離方法およびその装置
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
JP3859682B1 (ja) * 2005-09-08 2006-12-20 東京応化工業株式会社 基板の薄板化方法及び回路素子の製造方法
JP4795772B2 (ja) * 2005-10-24 2011-10-19 リンテック株式会社 シート切断用テーブル及びシート貼付装置
JP5318324B2 (ja) * 2005-12-06 2013-10-16 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り合わせ方法
DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
US8268449B2 (en) 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
KR101243575B1 (ko) * 2006-06-30 2013-03-20 엘지디스플레이 주식회사 기판탈착장치 및 이를 이용한 기판탈착방법
JP2008021929A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
JP2008041987A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレートとウェハとの剥離方法及び装置
US7713835B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
JP4922752B2 (ja) * 2006-12-28 2012-04-25 東京応化工業株式会社 孔あきサポートプレート
JP4825695B2 (ja) 2007-01-19 2011-11-30 東京応化工業株式会社 液状溶剤当接ユニット
US7935780B2 (en) * 2007-06-25 2011-05-03 Brewer Science Inc. High-temperature spin-on temporary bonding compositions
JP4964107B2 (ja) * 2007-12-03 2012-06-27 東京応化工業株式会社 剥離装置
KR101096142B1 (ko) * 2008-01-24 2011-12-19 브레우어 사이언스 인코포레이션 캐리어 기판에 디바이스 웨이퍼를 가역적으로 장착하는 방법
JP5271554B2 (ja) * 2008-02-04 2013-08-21 東京応化工業株式会社 サポートプレート
JP2009295695A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Sumco Corp 半導体薄膜付基板およびその製造方法
JP5291392B2 (ja) * 2008-06-18 2013-09-18 東京応化工業株式会社 支持板剥離装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
JP5476046B2 (ja) * 2008-10-03 2014-04-23 東京応化工業株式会社 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体
CN101728226B (zh) * 2008-10-23 2011-08-17 亚泰半导体设备股份有限公司 分离装置及分离方法
US8092628B2 (en) * 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
JP4725639B2 (ja) * 2008-12-09 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4725638B2 (ja) * 2008-12-09 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4742252B2 (ja) * 2008-12-10 2011-08-10 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5662664B2 (ja) 2008-12-19 2015-02-04 東京応化工業株式会社 加工基板及びその製造方法
EP2230683B1 (de) * 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8771927B2 (en) * 2009-04-15 2014-07-08 Brewer Science Inc. Acid-etch resistant, protective coatings
JP5489546B2 (ja) * 2009-06-11 2014-05-14 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
DE102010007127A1 (de) * 2010-02-05 2011-08-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Behandlung eines temporär gebondeten Produktwafers
TWI455229B (zh) * 2010-03-19 2014-10-01 Ev Group Gmbh 用於將一晶圓自一載體剝除之裝置及方法
TWI467684B (zh) * 2010-03-19 2015-01-01 Ev Group Gmbh 用於將一晶圓自一載體剝除之裝置及方法
JP5728163B2 (ja) * 2010-04-02 2015-06-03 東京応化工業株式会社 剥離方法、および剥離液
US8302651B2 (en) * 2010-04-27 2012-11-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Stripping device and stripping method
US8852391B2 (en) 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
CN102486992A (zh) * 2010-12-01 2012-06-06 比亚迪股份有限公司 一种半导体器件的制造方法
WO2012097830A1 (de) * 2011-01-17 2012-07-26 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum ablösen eines produktsubstrats von einem trägersubstrat
JP6023724B2 (ja) * 2011-02-09 2016-11-09 ブランソン・ウルトラソニックス・コーポレーション 積層体を分離するための方法および装置
US20120247686A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 Memc Electronic Materials, Inc. Systems and Methods For Ultrasonically Cleaving A Bonded Wafer Pair
JP5647335B2 (ja) * 2011-03-29 2014-12-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 はんだ転写基材、はんだ転写基材の製造方法、及びはんだ転写方法
DE102011113642B4 (de) 2011-09-16 2013-06-06 Austriamicrosystems Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes unter Verwendung eines Hilfsträgers
WO2013066758A1 (en) 2011-10-31 2013-05-10 Memc Electronic Materials, Inc. Clamping apparatus for cleaving a bonded wafer structure and methods for cleaving
JP2013107168A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Toyo Quality One Corp ガラス研磨方法及びこれに用いる積層シート
US8696864B2 (en) 2012-01-26 2014-04-15 Promerus, Llc Room temperature debonding composition, method and stack
JP2013197511A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Toshiba Corp サポート基板、半導体装置の製造方法、半導体装置の検査方法
EP2747130B1 (en) 2012-12-21 2017-10-11 ams AG Method of producing a removable wafer connection and a wafer-carrier assembly
WO2014117853A1 (en) * 2013-01-31 2014-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Carrier substrate and method for fixing a substrate structure
EP2772939B1 (en) 2013-03-01 2016-10-19 Ams Ag Semiconductor device for detection of radiation and method of producing a semiconductor device for detection of radiation
US9269603B2 (en) * 2013-05-09 2016-02-23 Globalfoundries Inc. Temporary liquid thermal interface material for surface tension adhesion and thermal control
JP6123899B2 (ja) * 2013-08-07 2017-05-10 旭硝子株式会社 板状体の加工方法、および電子デバイスの製造方法
TW201519725A (zh) * 2013-11-14 2015-05-16 Wintek Corp 電子元件半成品、電子元件及其製造方法
EP2899760B1 (en) 2014-01-27 2018-08-29 ams AG Semiconductor device for optical applications and method of producing such a semiconductor device
US9333735B2 (en) 2014-04-03 2016-05-10 Globalfoundries Inc. Methods for operating a debonder
JP2015230964A (ja) * 2014-06-05 2015-12-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10147630B2 (en) * 2014-06-11 2018-12-04 John Cleaon Moore Sectional porous carrier forming a temporary impervious support
JP2016146449A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
WO2016142238A1 (en) 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
WO2016142240A1 (en) 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
US10354905B2 (en) 2015-03-11 2019-07-16 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
WO2016142239A1 (en) 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
CN104943320B (zh) * 2015-05-18 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种基板的贴合方法
CN105690974B (zh) * 2016-01-21 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性薄膜贴合与剥离方法、柔性基板制备方法、衬底基板
KR102434021B1 (ko) * 2017-11-13 2022-08-24 삼성전자주식회사 캐리어 기판의 디본딩 방법, 이를 수행하기 위한 장치 및 이를 포함하는 반도체 칩의 싱귤레이팅 방법
CN109004108B (zh) * 2018-08-02 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法和显示面板
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7262904B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN110676219B (zh) * 2019-10-31 2021-05-25 合肥新汇成微电子股份有限公司 一种应对真空异常的晶圆切割处理方法
US11791212B2 (en) * 2019-12-13 2023-10-17 Micron Technology, Inc. Thin die release for semiconductor device assembly

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) * 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
US3762038A (en) * 1970-09-09 1973-10-02 Texas Instruments Inc Thermal displays using air isolated integrated circuits and methods of making same
JPS608426Y2 (ja) * 1976-12-08 1985-03-25 シャープ株式会社 半導体ウエハ−の保持基板
JPS59157196A (ja) * 1983-02-28 1984-09-06 ダイキン工業株式会社 固定用ワックスの除去方法
US4466852A (en) * 1983-10-27 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for demounting wafers
US4866501A (en) * 1985-12-16 1989-09-12 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Wafer scale integration
JP2812405B2 (ja) * 1991-03-15 1998-10-22 信越半導体株式会社 半導体基板の製造方法
JP2593761B2 (ja) * 1992-02-06 1997-03-26 株式会社ノリタケカンパニーリミテド プラズマディスプレイパネル
US5273615A (en) * 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JP3440333B2 (ja) 1993-04-14 2003-08-25 大日本印刷株式会社 シャドウマスク
JP4220580B2 (ja) * 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
TW406381B (en) * 1997-09-10 2000-09-21 Nittetsu Micro Metal K K Method and device for arraying metallic sphere
US6076585A (en) * 1998-03-02 2000-06-20 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus therefor
JP2001077304A (ja) 1999-06-28 2001-03-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
JP2001185519A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2002203821A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
JP4497737B2 (ja) 2001-03-12 2010-07-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4447206B2 (ja) * 2002-10-18 2010-04-07 株式会社ディスコ 半導体ウエーハ保護ユニット及び半導体ウエーハ処理方法
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007138786A1 (ja) * 2006-06-01 2007-12-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム
JP2007324370A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム
WO2008007455A1 (fr) * 2006-07-14 2008-01-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Procédé d'amincissement de tranche et plaque de support
JP2008021937A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ウエハを薄くする方法及びサポートプレート
US8167687B2 (en) 2006-07-14 2012-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of thinning wafer and support plate
JP2009059778A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2009182067A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板を含む積層体および基板の処理方法
JP2009206452A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 処理液浸透ユニットおよび処理装置
US8297568B2 (en) 2008-03-03 2012-10-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Sucking and holding device
JP2010042469A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート
KR20100137370A (ko) 2009-06-22 2010-12-30 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 방법
DE102010024481A1 (de) 2009-06-22 2011-08-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa Ausrichtungsvorrichtung und Ausrichtungsverfahren
US8205349B2 (en) 2009-06-22 2012-06-26 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Alignment apparatus and alignment method
JP2013503366A (ja) * 2009-08-27 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離
JP2013504178A (ja) * 2009-09-01 2013-02-04 エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー 製品基板をキャリア基板から剥離するための装置及び方法
US9381732B2 (en) 2009-09-01 2016-07-05 Ev Group Gmbh Device for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9186877B2 (en) 2009-09-01 2015-11-17 Ev Group Gmbh Method for stripping a product substrate from a carrier substrate
US8986496B2 (en) 2009-09-01 2015-03-24 Ev Group Gmbh Device and method for stripping a product substrate from a carrier substrate
KR101487585B1 (ko) * 2009-09-01 2015-01-29 에베 그룹 게엠베하 캐리어 기판으로부터 생산 기판을 스트립하기 위한 장치 및 방법
US8894807B2 (en) 2009-09-01 2014-11-25 Ev Group Gmbh Device and method for detaching a semiconductor wafer from a substrate
TWI406352B (zh) * 2010-03-16 2013-08-21 Ind Tech Res Inst 晶圓承載基板及其製造方法
KR101476516B1 (ko) * 2010-04-23 2014-12-30 에베 그룹 게엠베하 제작 기판을 캐리어 기판으로부터 분리하기 위한 장치 및 방법
KR101742347B1 (ko) * 2010-04-23 2017-05-31 에베 그룹 게엠베하 제작 기판을 캐리어 기판으로부터 분리하기 위한 장치 및 방법
KR101454985B1 (ko) * 2010-04-23 2014-11-03 에베 그룹 게엠베하 제작 기판을 캐리어 기판으로부터 분리하기 위한 장치 및 방법
JP2013524545A (ja) * 2010-04-23 2013-06-17 エーファウ・グループ・ゲーエムベーハー キャリア基板から製品基板を分離する装置および方法
US9272501B2 (en) 2010-04-23 2016-03-01 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
US9457552B2 (en) 2010-04-23 2016-10-04 Ev Group Gmbh Method for detaching a product substrate off a carrier substrate
US8882930B2 (en) 2010-06-04 2014-11-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for processing process-target object
JP2012079836A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Shibaura Mechatronics Corp 基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
KR101837227B1 (ko) 2011-01-07 2018-03-09 인텔 코포레이션 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2011181941A (ja) * 2011-04-15 2011-09-15 Lintec Corp 半導体ウエハの処理方法
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
JP2013065786A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理方法
KR20130127920A (ko) 2012-05-15 2013-11-25 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 및 이것에 이용되는 반도체 가공용 다이싱 테이프
JP2018137480A (ja) * 2012-09-19 2018-08-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を結合する方法
JP2014082344A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体加工用粘着テープ
JP2013034011A (ja) * 2012-11-05 2013-02-14 Lintec Corp 半導体ウエハの処理方法
KR20160079045A (ko) 2013-11-29 2016-07-05 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 점착 테이프
KR20160046884A (ko) 2014-03-03 2016-04-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 점착 테이프
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
EP3174091A1 (en) 2015-11-27 2017-05-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate and method for processing wafer
US10115622B2 (en) 2015-11-27 2018-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate and method for processing wafer
US10991611B2 (en) 2015-11-27 2021-04-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate and method for processing wafer
JP2018142631A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 日化精工株式会社 ウェーハの仮止め用サポート基板及びウェーハの仮止め処理方法
KR20240020656A (ko) 2022-08-08 2024-02-15 닛토덴코 가부시키가이샤 워크 처리 방법 및 워크 처리 장치

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Publication number Publication date
CN1645591A (zh) 2005-07-27
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