JP2002163895A - フラッシュメモリの安全な高温作動のための装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高温での使用によってデータが失われないよ
うにする。 【解決手段】 装置１０にはと、温度センサー１８とフ
ラッシュメモリ１２とに結合された制御ユニット１６と
が設けられている。制御ユニット１６はタイマーを持っ
ていて、温度センサーから得た温度の値を時間に関して
積分することによって、フラッシュメモリの蓄積された
熱負荷の値を確立できるようになっている。蓄積された
熱負荷値が予め規定された値の限界を超えたとき、及び
フラッシュメモリの実際の温度が予め規定された温度の
限界以下になったときに、データの組の一貫性の検査が
なされ、一貫性がないことがはっきりしたときに、フラ
ッシュメモリ内の誤ったデータの組が一貫性を有するよ
うに正しいデータの組に基づいて再プログラミングされ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、より特別には、
自動車のトランスミッションコントローラと組み合わせ
られるフラッシュメモリの安全な高温での作動のための
装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】車両のパラメータを記憶するために自動
車にフラッシュメモリ（ｆｌａｓｈｍｅｍｏｒｙ）（例
えば、ＦＥＰＲＯＭ）を採用することは、例えば、車両
類に装備されるまで、プログラムされないトランスミッ
ションコントローラの費用に関して最も効率の良い大規
模な製造の可能性を提供する。フラッシュメモリは、高
い記憶密度を特徴としており且つブロック様式のクリア
リング（ｃｌｅａｒｉｎｇ）を許容し、それによって、
迅速で簡単なプログラミングが確保される。しかしなが
ら、例えば、フラッシュメモリが配置される環境におけ
るトランスミッション域内の自動車技術の分野で遭遇す
るかもしれない１００℃を越える高温でこのようなメモ
リを使用することは、温度によって対数的に増加する電
子易動度によって、記憶位置が時間と共にその電荷を喪
失して、データ保持時間が短くなるので、深刻な問題を
有する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従って、本願発明は、
例えば、自動車のトランスミッション域で遭遇するかも
しれない高温での使用によって、データが失われる虞が
減じられる、フラッシュメモリを作動させるための装置
及び方法を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本願発明は、フラッシュメモリ内に設定された各デ
ータの冗長性（ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）が省かれる（ｓ
ａｖｅされる）ように、高温で使用される前にプログラ
ムされるフラッシュメモリの安全な高温での作動のため
の装置を提供し、この装置は、フラッシュメモリの温度
を特徴付ける温度を検知する温度センサと、同温度セン
サとフラッシュメモリとに接続された制御ユニットであ
って、タイマーを含み、温度センサから温度信号を受け
取り、測定された温度の値を時間について積分すること
によって、フラッシュメモリの蓄積された熱負荷値を達
成することができるような構造とされている制御ユニッ
トと、を含み、同制御ユニットは、蓄積された熱負荷値
が予め規定された熱負荷の限界を超え、フラッシュメモ
リの実際の温度を特徴付ける温度がフラッシュメモリの
安全なクリアリング／プログラミングが可能なように選
択された予め規定された限度よりも低下したときに、デ
ータの組をチェックして一貫性検査（ｃｏｎｓｉｓｔｅ
ｎｃｙ）をし、次いで、データの組の一貫性検査を確立
したときに、データの組に関係するフラッシュメモリの
記憶部分のリフレッシュを実行することができ、冗長に
記憶されたデータの組のうちの一つが、それと適合する
一以上の対応するデータの組に対して一貫性を有しない
ときに、正しくないデータの組を、正しいデータの組に
基づいて再プログラミムすることによってフラッシュメ
モリを修復して、正しいデータの組に対して一貫性を有
するようにすることができる。この制御ユニットは、デ
ータの組の中にエラーが生じると、まず最初に、記憶さ
れたデータの冗長検査により、もう一つ別のデータの組
へと切り換えることができ、次に、他のデータの組に基
づいて、欠陥のあるデータの組を修復することができ
る。更に、定期的にリフレッシュすることにより、メモ
リの内容は、高温によるデータの喪失の危険性が減じら
れる。

【０００５】本願発明の目的は、更に、特許請求の範囲
に記載された対応する方法によって達成される。本願発
明の更に別の特徴及び利点は、特許請求の範囲における
従属項から読み取ることができる。

【０００６】

【発明の実施の形態】図１を参照すると、３つのブロッ
ク１４ａ、１４ｂ、１４ｃ内にまとめられているフラッ
シュメモリ１２と、制御ユニット１６と、温度センサー
１８と、を含んでおり、温度センサーは、フラッシュメ
モリ１２またはそれに隣接した環境と熱的に接触してい
る装置１０が図示されている。温度センサー１８は、制
御ユニット１６に接続されていて、制御ユニット１６に
実際の温度の値を示す信号が連続的に供給される。ＲＯ
Ｍメモリを含んでいる例えば処理装置（図示せず）を含
んでいても良い制御ユニットは、これらの信号を、デジ
タルの温度の値に変換する。図示されている制御及びデ
ータライン２０を介して、制御ユニット１６は、３つの
ブロック１４ａ、１４ｂ、１４ｃのおのおのをクリア
し、書き込み（プログラムし）及び読み取ることができ
る。更に、制御ユニット１６は、装置１０の外側に設け
られた他のアセンブリ（図１には示されていない）にラ
イン２２を介して接続されており、制御ユニット１６
は、この装置１０によって指示及びデータを取り替える
ことができる。

【０００７】同一のデータの組が３つのブロック１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ内に蓄積され、これらのデータの各
々は、同様に、ブロック内に蓄積されたチェックサムに
よって補足されるのが好ましい。

【０００８】図２を参照すると、本願発明のトランスミ
ッションコントローラが車両のトランスミッション３２
に結合されている、装置１０の一つの例示的な用途が示
されている。トランスミッションコントローラ３０は、
図１に示された装置１０と、マイクロコントローラ３４
と、読み出し専用記憶装置（ＲＯＭ）３６と、から構成
されている。トランスミッションコントローラ３０は、
セレクターレバー３８及びトランスミッション３２を位
置決めするためのサーボモーター４０に電気的に接続さ
れている。ＲＯＭ３６内には、制御ユニット１６に接続
されたマイクロコントローラ３４のための作動システム
がプログラムされている。フラッシュメモリ１２内に
は、トランスミッションのギヤ切り換えのための理想的
なパラメータ及びプログラムが蓄積されている。

【０００９】トランスミッションコントローラ３０は、
セレクターレバー３８によって指示されたようにトラン
スミッション３２を理想的に制御するタスクを有してい
る。この目的のために、制御ユニットは、トランスミッ
ション３２をより高いか又はより低いギヤへ切り換える
か又はトランスミッション３２の自動制御を引き継ぐ要
求をセレクターレバー３８から受け取る。フラッシュメ
モリ１２内に蓄積されたデータによって、マイクロコン
トローラ３４は、次いで、サーボモーター４０にギヤチ
ェンジをするための信号を送る。トランスミッションコ
ントローラ３０（従って、装置１０も）は、トランスミ
ッション３２と直に熱的に接触しているので、フラッシ
ュメモリ１２は、トランスミッション流体の温度にさら
され、この流体の温度は、典型的には１４０℃程度であ
り、任意に近くに設けられる触媒コンバータの放射線に
さらされることにより、１５０℃に達することさえある
かもしれない。

【００１０】点火装置をオンに切り換えると、装置１０
は、マイクロコントローラ３４によって、待機状態から
作動状態へと設定され、この状態で、ギヤチェンジパラ
メータ及びプログラムをマイクロコントローラ３４に送
ることができる。作動状態に入ると、制御ユニット１６
は、正確さのための迅速なデータの組の迅速なチェック
を可能にする、割り当てられた蓄積チェックサムに基づ
いて、フラッシュメモリ内に蓄積されたデータの組の一
貫性をチェックする。しかしながら、個々のブロック１
４ａ、１４ｂ、１４ｃのデータを相互にバイト形式で比
較することができる。一貫性のチェックはまた、まず最
初に、チェックサムがチェックされ、次いで、同チェッ
クサムがエラーを含んでいる場合には、バイト形式のチ
ェックがなされることによっても、うまく行うことがで
きる。チェックが、全てのデータが満足すべきものであ
ることを示している場合には、制御ユニット１６は、ト
ランスミッション３２を制御するためのデータの組を送
ることができる。チェックがデータの組の中にエラーが
存在することを示している場合には、次いで、制御ユニ
ットは、トランスミッションを制御するために、エラー
を含まないデータの組を選択する。

【００１１】続いて、点火装置をオフに切り換えると、
装置１０が待機状態に戻される。次いで、完全な欠陥デ
ータの組がクリアされ且つエラーを含まないデータの組
のうちの一つからのデータによって再プログラムされる
ことによって、エラーを含んでいるデータの組が制御ユ
ニット１６によって修復される。しかしながら、この修
復は、温度センサー１８によって監視されているフラッ
シュメモリの温度が臨界的な温度の限度（この場合には
１２０℃）より低下すると起こる。臨界的な温度の限度
は、フラッシュメモリのクリアリング及びプログラミン
グが完全に確保されるように選択される。１２０℃の臨
界温度よりも上では、フラッシュメモリ上のいかなる付
加的な負荷をも避け且つ付随的にデータが失われる虞を
避けるために、プログラミング及びクリアリング作用は
実行されない。

【００１２】３つのデータの組の全てがエラーを含んで
いるような有りそうにない場合のために、マイクロコン
トローラ３４は、ＲＯＭ３６内にプログラムされている
理想化された緊急ルーチンによって、トランスミッショ
ンを制御することができる。

【００１３】更に、制御ユニット１６は、フラッシュメ
モリ内のデータのための蓄積された熱負荷の値を連続的
に測定する。この目的のために、制御ユニット１６は、
温度センサー１８によって検知され且つ制御ユニット１
６に送られるフラッシュメモリ１２の温度を、時間に関
して積分し、各温度の値には、温度に依存する重み付け
ファクタが設けられている。この重み付けファクタは、
例えば、各温度の値に対して達成される最小データ保持
時間によって決定され、そして、この時間中に、データ
が一定温度でエラーがなく記憶される。

【００１４】積分によって得られた熱負荷値が、データ
の全損失が十分な確率で完全に排除される、予め規定さ
れた熱負荷の限度（例えば、１２０℃で３０時間、１３
０℃で１０時間、１４０℃で３時間若しくは１５０℃で
１時間又はこれらの中間の時間と温度の組み合わせに対
応することかできる）を超える場合には、制御ユニット
１６は、装置１０が待機状態にあり且つフラッシュメモ
リ１２の監視されている温度が温度の限界値以下に低下
するや否や、リフレッシュ作用を実行する。このように
する場合に、全てのブロック１４ａ、１４ｂ、１４ｃ
は、上記したように、一貫性の検査をすることによっ
て、エラーがないかどうか最初にチェックした。その後
に、データの組が全体的にクリアされた第１のブロック
が選択され、このブロックは、隣接するエラーがないブ
ロックのデータの組によって再プログラムされる。これ
に続いて、ブロック１４ａ、１４ｂ、１４ｃの全てが再
プログラムされるまで、次のブロック等に対して同じ作
用が実行される。このリフレッシュ作用の後に、熱負荷
値の積分が再スタートされる。チェックの際に一つのブ
ロックのデータの組がエラーを含んでいるように“見え
る”場合には、次いで、このブロックが最初に選択さ
れ、クリアされ、少なくとも一つのエラーを含まないデ
ータの組が残るように再プログラムされる。このように
して、上記したようなリフレッシュの間に、データの冗
長検査を使用して修復がなされる。

【００１５】データの組が修復されるか又はリフレッシ
ュされている間に、装置１０が待機状態から作動状態に
セットされる場合には、制御ユニット１６は、修復又は
リフレッシュ作用を中断し且つ装置１０が再び待機状態
となるまで継続せず、温度センサー１８によって監視さ
れているフラッシュメモリの温度は、臨界的な温度の限
界（この場合には１２０℃）以下に低下した。

【００１６】

【発明の効果】メモリ内容を定期的にリフレッシュする
ことによって、データが失われる虞が少なくなり、プロ
グラミングの数及びクリア作用が、連続する２つのリフ
レッシュ作用間の時間すなわちサイクルタイムを、最後
のリフレッシュ作用の後にフラッシュメモリが晒されて
来た温度の関数として適合させることによって、理想化
することができる。このようにして、メモリ内の負荷及
び装置の電流消費もまた最少化され、フラッシュメモリ
の有効寿命が最大化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】フラッシュメモリの安全な高温における動作の
ための本願発明による装置のブロック図である。

【図２】図１に示されたような装置が採用されている自
動車のトランスミッションの構成図である。

【符号の説明】

１２ フラッシュメモリ、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ ブ
ロック、１６ 制御ユニット、 １８ 温度センサ
ー、２０、２２ ライン、３０ トランスミッションコ
ントローラ、３２ トランスミッション、３４ マイク
ロコントローラ、３６ 読み出し専用記憶装置（ＲＯ
Ｍ）、３８ セレクターレバー、 ４０ サーボモー
ター、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 597013146 Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓｔｒ．２−８, 78315 Ｒａｄｏｌｆｚｅｌｌ，Ｇｅｒｍ ａｎｙ Ｆターム(参考） 3J552 MA01 NA01 PA01 PA51 PB04 PB09 PB10 RA30 SA30 TB17 VA47W VA47X VA76W 5B018 GA04 HA03 KA22 NA06 5B025 AD04 AD05 AD13 AD16 AE08 AE09 5L106 AA10 BB03 BB11 CC36

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高温での使用に先立って、フラッシュメ
   モリ（１２）内のデータの各組が冗長検査を受けるよう
   にプログラムされているフラッシュメモリ（１２）の安
   全な高温での動作のための装置（１０）であって、 フラッシュメモリの温度の特徴を示す温度を検知する温
   度センサー（１８）と、 同温度センサーとフラッシュメモリとに接続された制御
   ユニット（１６）であって、タイマーを含み且つ温度セ
   ンサーから温度信号を受け取り且つ測定した温度の値を
   時間について積分することにより、フラッシュメモリの
   蓄積された熱負荷の値を確立することができるような構
   造とされている、制御ユニットと、を含み、 同制御ユニットは、 蓄積された熱負荷値が予め規定された熱負荷値の限界を
   超え、フラッシュメモリの実際の温度を示す温度が、フ
   ラッシュメモリの安全なクリアリング／プログラミング
   が可能なように選択された予め規定された温度の限界以
   下に低下したときに、データの組をチェックして一貫性
   検査をし、 次いで、データの組と組み合わせられたフラッシュメモ
   リ内の記憶位置のリフレッシュを実行することができる
   データの一貫性検査を達成したとき、及び冗長に記憶さ
   れたデータの組の一以上が、それと適合する一以上の対
   応するデータの組に対して一貫性がないことがはっきり
   したときに、正しいデータの組に対して一貫性を有する
   ように、誤ったデータの組を再プログラムすることによ
   って、正しいデータの組に基づいてフラッシュメモリを
   修復することができるようになされた、装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の装置であって、 データの組の各々に、一貫性検査をするか否かをチェッ
   クするために使用されるチェックサムが設けられてい
   る、装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の装置であって、 フラッシュメモリ内の冗長検査を確保するためのデータ
   の組が、多様に等しく保存されている、装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の装置であって、 前記制御ユニットが、バイト形式の比較によって多様に
   保存されたデータの組の一貫性をチェックできるような
   構成とされている、装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の装
   置を含むトランスミッションコントローラ（３２）。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のトランスミッションコ
   ントローラ（３２）に結合されたトランスミッション
   （３０）。
7. 【請求項７】 高温での使用に先立って、フラッシュメ
   モリ（１２）内のデータの各組が冗長性を排除されるよ
   うにプログラムされているフラッシュメモリ（１２）の
   安全な高温での動作のための方法であって、 フラッシュメモリの温度を特徴付ける温度を検知するス
   テップと、 検知された温度の値を時間に関して積分して、フラッシ
   ュメモリの蓄積された熱負荷の値を確定するステップ
   と、 蓄積された熱負荷の値が予め規定された熱負荷の限界を
   超えたとき、及びフラッシュメモリの実際の温度が、フ
   ラッシュメモリの安全なクリアリング／プログラミング
   が可能であるように選択された予め規定された温度の限
   界以下に低下したとき、データの組が一貫性を有するか
   否かをチェックするステップと、を含み、 データの組の一貫性検査がなされるときに、データの組
   と組み合わせられたフラッシュメモリの記憶位置のリフ
   レッシュが実行され、 冗長に記憶されたデータの組のうちの一つが、それと適
   合する一以上の対応するデータの組に対して一貫性がな
   いことがはっきりしたときに、フラッシュメモリ内の誤
   ったデータの組が、正しいデータの組に対して一貫性を
   有するように正しいデータの組に基づいて再プログラミ
   ングすることによって修復される、方法。