ES2266060T3 - Sistema y procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash. - Google Patents

Sistema y procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash. Download PDF

Info

Publication number
ES2266060T3
ES2266060T3 ES01119611T ES01119611T ES2266060T3 ES 2266060 T3 ES2266060 T3 ES 2266060T3 ES 01119611 T ES01119611 T ES 01119611T ES 01119611 T ES01119611 T ES 01119611T ES 2266060 T3 ES2266060 T3 ES 2266060T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
flash memory
temperature
data block
data
consistency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES01119611T
Other languages
English (en)
Inventor
Cornelius Peter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BCS Automotive Interface Solutions GmbH
Original Assignee
BCS Automotive Interface Solutions GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BCS Automotive Interface Solutions GmbH filed Critical BCS Automotive Interface Solutions GmbH
Application granted granted Critical
Publication of ES2266060T3 publication Critical patent/ES2266060T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G11C16/3431Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16HGEARING
    • F16H61/00Control functions within control units of change-speed- or reversing-gearings for conveying rotary motion ; Control of exclusively fluid gearing, friction gearing, gearings with endless flexible members or other particular types of gearing
    • F16H61/12Detecting malfunction or potential malfunction, e.g. fail safe; Circumventing or fixing failures

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Control Of Transmission Device (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)

Abstract

Sistema (10) para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash (12), con un sensor de temperatura (18) que mide la temperatura que caracteriza a la memoria flash y una unidad de control (16) unida al sensor de temperatura y a la memoria flash, que comprende un generador de tiempo y está realizada de tal manera que puede recibir las señales de temperatura del sensor de temperatura y mediante integración, a lo largo del tiempo de los valores de temperatura determinados a partir de ahí, pueda determinar un valor de carga térmica acumulada de la memoria flash, caracterizado porque la memoria flash está programada antes de su funcionamiento a alta temperatura, de tal manera que cada bloque de datos está almacenado redundante en la memoria flash y porque la unidad de control (16) puede verificar la consistencia de los bloques de datos, - si el valor de la carga térmica acumulada rebasa un valor límite de carga térmica predeterminado, y - la temperatura actual que caracterizala memoria flash desciende por debajo de un valor límite de temperatura predeterminado, que está elegido de tal manera que exista la posibilidad de efectuar de forma segura un régimen de borrado/programación de la memoria flash, - en cuyo caso la unidad de control, a continuación - si ha comprobado la consistencia de un bloque de datos, puede realizar una actualización de las células de memoria de la memoria flash pertenecientes al bloque de datos y a continuación - si ha comprobado que uno de los bloques de datos almacenados redundantes no tiene consistencia con el bloque o con los correspondientes otros bloques de datos, puede restablecer el bloque de datos incorrecto en la memoria flash, mediante una nueva programación sirviéndose de un bloque de datos correcto, de manera que tenga consistencia con respecto al bloque de datos correcto.

Description

Sistema y procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash.
La invención se refiere a un sistema y a un procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash conforme al preámbulo de la reivindicación 1 o de la reivindicación 7, respectivamente, que puede encontrar su aplicación especialmente en combinación con equipos de control de la transmisión de automóviles.
El empleo de memorias flash (por ejemplo, FEPROMs) en automóviles para almacenar parámetros específicos del vehículo ofrece la posibilidad de fabricar, por ejemplo, un equipo de control de la transmisión en grandes series y, por lo tanto, de forma económica, no programándolo hasta su instalación en un modelo de vehículo. Las memorias flash presentan una elevada densidad de memoria y se pueden borrar por bloques, con lo cual queda garantizada una programación rápida y sencilla. El empleo de esta clase de memorias a altas temperaturas, superiores a 100ºC, como las que se producen en el sector del automóvil, por ejemplo, en la zona de la transmisión, en cuyo entorno pueden estar dispuestas las memorias flash, plantea sin embargo considerables problemas ya que debido a la movilidad de los electrones, que aumenta de forma exponencial con la temperatura, las células de la memoria van perdiendo su carga con el tiempo, con lo cual disminuye el tiempo de retención de los datos almacenados, el llamado "Data Retention Time".
La patente US 5.896.318 describe una memoria plana para su empleo en automóviles. Con el fin de no tener que realizar con demasiada frecuencia los procesos de actualización necesarios debido a que el tiempo de retención de los datos almacenados se reduce debido a las altas temperaturas, se van comprobando sucesivamente cada una de las células de memoria para saber si existe la probabilidad de una pronta pérdida de datos. Para ello se aplica una primera tensión de prueba en la línea de palabras de la célula de memoria que se trata de comprobar y se determina si la célula de memoria está ON y a continuación, una segunda tensión de prueba mediante la cual se comprueba si la célula de memoria está OFF. Los resultados de la comprobación se almacenan en una segunda unidad de memoria. De este modo solamente se realiza un proceso de actualización para aquellas células de memoria para las cuales se haya comprobado una próxima pérdida de datos. Se propone que mediante un sensor de temperatura se mida la temperatura del entorno de la memoria y a partir de ahí se determine un valor de carga térmica. Si éste rebasa un valor previamente determinado, se activa el proceso de comprobación de la próxima pérdida de datos.
La patente JP 05 788 A describe la supervisión de los datos en una memoria no-volátil mediante datos de comprobación de variaciones de datos que están almacenados en una segunda memoria. Se lleva a cabo un proceso de actualización si en el curso de la comprobación periódica de los datos se comprueba que se ha producido una variación en los datos.
En la patente JP 11 232 887 A solamente se realiza un proceso de realización para una Flash-ROM, si la temperatura del entorno de la memoria se encuentra dentro de una gama de temperaturas predeterminada.
El objetivo de la invención es por lo tanto crear un sistema y un procedimiento para el funcionamiento de una memoria flash en los que se reduzca el riesgo de pérdida de datos cuando aquella se utilice a altas temperaturas, como las que aparecen, por ejemplo, en el entorno de la transmisión de un automóvil.
Para resolver este objetivo la invención crea un sistema para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash que presenta las características de la reivindicación 1.
En el caso de que exista un fallo en uno de los bloques de datos, la unidad de control está en condiciones, debido a la redundancia de los datos almacenados a recurrir a otro bloque de datos y en segundo lugar, a reparar el bloque de datos defectuoso sirviéndose del otro bloque de datos. Además, la actualización periódica del contenido de la memoria reduce el riesgo de una pérdida de datos condicionada térmicamente.
El objetivo de la invención se resuelve además por medio del correspondiente procedimiento según la reivindicación 7.
Otras configuraciones y ventajas de la invención se deducen de las subreivindicaciones.
La invención se describe a continuación sirviéndose de una forma de realización preferida, haciéndose para ello referencia a los dibujos que se adjuntan. Las figuras muestran:
Fig. 1 un esquema de bloques de un sistema conforme a la invención para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash;
Fig. 2 esquemáticamente, una transmisión de un automóvil en la que se utiliza el sistema representado en la figura 1.
El sistema 10 representado en la figura 1 lleva una memoria flash 12, que está organizada en tres bloques 14a, 14b y 14c, una unidad de control 16 y un sensor de temperatura 18 que está en contacto térmico con la memoria flash 12 o su entorno inmediato. El sensor de temperatura 18 está en comunicación con la unidad de control 16 y le suministra a ésta constantemente señales que representan los valores de temperatura actuales. La unidad de control, que puede contener, por ejemplo, un procesador con memoria ROM, no representado, convierte estas señales en valores de temperatura digitales. A través de las líneas de control y de datos 20, la unidad de control 16 puede borrar individualmente cada uno de los tres bloques 14a, 14b, 14c, escribirlos (programarlos) y leerlos. Además de esto, la unidad de control 16 está en comunicación a través de las líneas 22 con otras unidades situadas fuera del sistema, no representadas en la figura 1, con las cuales puede intercambiar instrucciones y datos.
En los tres bloques 14a, 14b, 14c, están almacenados en cada caso bloques de datos idénticos, que preferentemente están complementados respectivamente con sumas de control, también registradas en los bloques.
Un ejemplo de aplicación del sistema 10 está representado en la figura 2. Aquí, un equipo de control de la transmisión 30 conforme a la invención va instalado en una transmisión 32 de un automóvil. El equipo de control de la transmisión 30 se compone del sistema 10 de la figura 1, de un microcontrolador 34 y de una memoria no volátil (ROM) 36. El equipo de control de la transmisión 30 está en comunicación con una palanca selectora 38 y un servomotor 49 para la transmisión 32. En la ROM 36 está almacenado el sistema operativo del microcontrolador 34, que está en comunicación con la unidad de control 16. En la memoria flash 12 están almacenados los parámetros y programas óptimos para el cambio de las marchas de la transmisión.
El equipo de control de la transmisión 30 tiene como objetivo controlar de forma óptima la transmisión 32 de acuerdo con las peticiones formuladas por la palanca selectora 38. Para ello, la unidad de control recibe de la palanca selectora 38 la solicitud de cambiar la transmisión 32 a una marcha más alta o más baja, o a asumir el control automático de la transmisión. Mediante los datos almacenados en la memoria flash 12, el microcontrolador 34 controla entonces al servomotor 40 para efectuar el cambio de las marchas de la transmisión. Dado que el equipo de control de la transmisión 30 y, por lo tanto, también el sistema 10, está en contacto térmico directo 42 con la transmisión 32, la memoria flash 12 está expuesta a las temperaturas del aceite de la transmisión, que normalmente alcanzan hasta 140ºC y que debido a influencias de radiación de un catalizador, que en determinadas condiciones puede estar dispuesto en las proximidades, pueden alcanzar hasta 150ºC.
Al conectar el encendido, el microcontrolador 34 hace que el sistema 10 pase del estado pasivo al estado activo, en el cual pueden transferir al microcontrolador 34 los parámetros y programas para el cambio de las marchas de la transmisión. Al pasar al estado activo, la unidad de control 16 lleva a cabo una verificación de consistencia de los bloques de datos almacenados en la memoria flash, por medio de las sumas de comprobación almacenadas correspondientes a éstos. Las sumas de control permiten efectuar una comprobación rápida de la corrección de los bloques de datos. Pero también existe la posibilidad de comparar entre sí los datos de los distintos bloques 14a, 14b, 14c, bit a bit. La verificación de consistencia también puede realizarse de forma sucesiva, en cuyo caso se comprueba primero la suma de comprobación y si se determina algún fallo en la suma de comprobación se lleva a cabo la verificación bit a bit. Si la comprobación da como resultado que todos los datos están en orden, la unidad de control puede transferir un bloque de datos cualquiera para el control de la transmisión 32. Si en el curso de la verificación se comprueba que hay fallos en los bloques de datos, entonces la unidad de control selecciona para el control de la transmisión un bloque de datos que no tenga ningún fallo.
Al desconectar a continuación el encendido, el sistema 10 vuelve a pasar al estado pasivo. Entonces, un bloque de datos eventualmente defectuoso es reparado por la unidad de control 16, para lo cual se borra el bloque de datos defectuoso completo y se vuelve a sobreescribir con los datos de uno de los bloques de datos exentos de fallos. Ahora bien, esta reparación solamente tiene lugar si la temperatura de la memoria flash, vigilada mediante el sensor de temperatura 18, ha descendido por debajo de un valor límite de temperatura determinado, en este caso de 120ºC, habiéndose elegido el valor límite de temperatura de tal manera que quede garantizado un proceso seguro de borrado y programación de la memoria flash. Por encima de una temperatura de 120ºC no se realizan procesos de escritura y borrado con el fin de evitar una carga adicional de la memoria flash y el consiguiente riesgo de pérdida de datos.
Para el caso improbable de que los tres bloques de datos presenten fallos, el microcontrolador 34 puede controlar la transmisión mediante un programa de emergencia que no está optimizado y que está almacenado en la ROM 36.
Además de esto, la unidad de control 16 determina constantemente un valor de carga térmica acumulada para los datos en la memoria flash. Para ello la unidad de control 16 integra a lo largo del tiempo la temperatura de la memoria flash 12, determinada por el sensor de temperatura 18 y transmitida a la unidad de control 16, asignándose a cada valor de temperatura un valor de ponderación en función de la temperatura. Los factores de ponderación se pueden asignar, por ejemplo, determinando para cada valor de temperatura un tiempo mínimo durante el cual los datos se mantienen almacenados sin fallos a temperatura constante.
Si el valor de carga térmica obtenido por medio de la integración rebasa un valor límite de carga térmica predeterminado (que puede corresponder, por ejemplo, a una carga de la memoria flash de 120ºC a lo largo de 30 horas, de 130ºC a lo largo de 10 horas, de 140ºC a lo largo de 3 horas o de 150ºC a lo largo de 1 hora, o las correspondientes combinaciones a base de temperaturas intermedias y tiempos), para el cual se pueda excluir con suficiente probabilidad la pérdida total de datos, entonces la unidad de control 16 lleva a cabo un proceso de actualización (Refresh), en cuanto el sistema 10 se encuentre en estado pasivo y la temperatura vigilada de la memoria flash 12 haya descendido por debajo del valor límite de temperatura. Para ello se comprueban primeramente todos los bloques 14a, 14b, 14c en la forma antes descrita, mediante una verificación de consistencia para determinar la ausencia de fallos. A continuación se elige un primer bloque, cuyo bloque de datos se borra íntegramente y se vuelve a sobreescribir con el bloque de datos de un bloque contiguo exento de fallos. A continuación se lleva a cabo este mismo proceso con el bloque siguiente, hasta que se hayan sobrescrito de nuevo todos los bloques. Después de esta actualización se inicia de nuevo la integración del valor de carga térmica. Si en el curso de la verificación se ha comprobado que el bloque de datos de uno de los bloques tiene algún defecto, entonces se elige este bloque como primero, se borra y se programa de nuevo, con el fin de que se mantenga por lo menos un bloque de datos exento de fallos. De esta manera se repara el bloque de datos defectuoso aprovechando la redundancia de los datos en la forma antes descrita en el curso de la actualización.
Si durante la reparación o la actualización de un bloque de datos el sistema 10 pasa del estado pasivo al estado activo, la unidad de control 16 interrumpe el proceso de reparación o actualización y solamente lo reanuda cuando el sistema 10 vuelva a encontrarse en estado pasivo y la temperatura de la memoria flash vigilada mediante el sensor de temperatura 18 haya descendido por debajo de un determinado valor límite de temperatura, en este caso de 120ºC.
La actualización periódica del contenido de la memoria reduce el riesgo de una pérdida de datos, pudiendo optimizarse el número de procesos de escritura y borrado adaptando para ello el tiempo entre dos procesos de actualización consecutivos, es decir, el tiempo del ciclo, en función de las temperaturas a las que había estado expuesta la memoria flash desde la última actualización. De este modo se puede reducir al mínimo la carga de la memoria y también el consumo de corriente del sistema, incrementando al máximo la vida útil de la memoria flash.

Claims (7)

1. Sistema (10) para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash (12), con un sensor de temperatura (18) que mide la temperatura que caracteriza a la memoria flash y una unidad de control (16) unida al sensor de temperatura y a la memoria flash, que comprende un generador de tiempo y está realizada de tal manera que puede recibir las señales de temperatura del sensor de temperatura y mediante integración, a lo largo del tiempo de los valores de temperatura determinados a partir de ahí, pueda determinar un valor de carga térmica acumulada de la memoria flash, caracterizado porque la memoria flash está programada antes de su funcionamiento a alta temperatura, de tal manera que cada bloque de datos está almacenado redundante en la memoria flash y porque la unidad de control (16) puede verificar la consistencia de los bloques de datos,
- si el valor de la carga térmica acumulada rebasa un valor límite de carga térmica predeterminado, y
- la temperatura actual que caracteriza la memoria flash desciende por debajo de un valor límite de temperatura predeterminado, que está elegido de tal manera que exista la posibilidad de efectuar de forma segura un régimen de borrado/programación de la memoria flash,
- en cuyo caso la unidad de control, a continuación
- si ha comprobado la consistencia de un bloque de datos, puede realizar una actualización de las células de memoria de la memoria flash pertenecientes al bloque de datos y a continuación
- si ha comprobado que uno de los bloques de datos almacenados redundantes no tiene consistencia con el bloque o con los correspondientes otros bloques de datos, puede restablecer el bloque de datos incorrecto en la memoria flash, mediante una nueva programación sirviéndose de un bloque de datos correcto, de manera que tenga consistencia con respecto al bloque de datos correcto.
2. Sistema según la reivindicación 1, caracterizado porque los bloques de datos están dotados en cada caso de una suma de control que se utiliza para la comprobación de la consistencia.
3. Sistema según la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque para garantizar la redundancia, los bloques de datos están almacenados idénticos varias veces en la memoria flash.
4. Sistema según la reivindicación 3, caracterizado porque la unidad de control está realizada de tal manera que puede comprobar la consistencia de los bloques de datos registrados varias veces mediante su comparación bit a bit.
5. Equipo de control de la transmisión (32) con un sistema según una de las reivindicaciones 1 a 4.
6. Transmisión (30), que está unida a un equipo de control de la transmisión (32) conforme a la reivindicación 5.
7. Procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash (12), con los pasos siguientes: se mide una temperatura que caracteriza la temperatura de la memoria flash, y se integran a lo largo del tiempo los valores de temperatura medidos, para determinar un valor de carga térmica acumulada de la memoria flash, caracterizado porque la memoria flash (12) está programada antes de su funcionamiento a alta temperatura, de manera que cada bloque de datos está almacenado redundante en la memoria flash y porque el procedimiento comprende los pasos siguientes:
- se comprueba la consistencia de los bloques de datos,
- si el valor de carga térmica acumulada rebasa un valor de carga térmica predeterminada,
- y si la temperatura actual que caracteriza la memoria flash no alcanza un valor límite de temperatura predeterminado, que está elegido de tal manera que se tenga la posibilidad de efectuar con seguridad un régimen de borrado y programación de la memoria flash,
en tal caso
- si se comprueba la consistencia de un bloque de datos, se lleva a cabo una actualización de las células de memoria de la memoria flash pertenecientes al bloque de datos y a continuación
- si se comprueba que uno de los bloques de datos almacenados redundantes no tiene consistencia con el bloque o con los correspondientes otros bloques de datos, se restablece en la memoria flash el bloque de datos incorrecto mediante una nueva programación sirviéndose de un bloque de datos correcto, de manera que tenga consistencia con el bloque de datos correcto.
ES01119611T 2000-08-18 2001-08-17 Sistema y procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash. Expired - Lifetime ES2266060T3 (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10040890A DE10040890C1 (de) 2000-08-18 2000-08-18 System und Verfahren zum sicheren Hochtemperaturbetrieb eines Flash-Speichers
DE10040890 2000-08-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2266060T3 true ES2266060T3 (es) 2007-03-01

Family

ID=7653198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES01119611T Expired - Lifetime ES2266060T3 (es) 2000-08-18 2001-08-17 Sistema y procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6636937B2 (es)
EP (1) EP1182667B1 (es)
JP (1) JP2002163895A (es)
DE (2) DE10040890C1 (es)
ES (1) ES2266060T3 (es)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8027194B2 (en) 1988-06-13 2011-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory system and method of accessing a semiconductor memory device
KR101464256B1 (ko) * 2008-06-13 2014-11-25 삼성전자주식회사 온도 센서를 포함하는 메모리 시스템
US6931480B2 (en) * 2001-08-30 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for refreshing memory to preserve data integrity
KR100525573B1 (ko) * 2002-03-26 2005-11-02 봇슈 가부시키가이샤 차량의 구동열에 대한 제어 방법 및 장치와 차량용 자동변속 장치
US7034507B2 (en) * 2003-07-03 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Temperature sensing device in an integrated circuit
US7460394B2 (en) * 2006-05-18 2008-12-02 Infineon Technologies Ag Phase change memory having temperature budget sensor
US7856424B2 (en) 2006-08-04 2010-12-21 Apple Inc. User interface for backup management
US8370853B2 (en) 2006-08-04 2013-02-05 Apple Inc. Event notification management
US7860839B2 (en) 2006-08-04 2010-12-28 Apple Inc. Application-based backup-restore of electronic information
US8311988B2 (en) 2006-08-04 2012-11-13 Apple Inc. Consistent back up of electronic information
US7853566B2 (en) * 2006-08-04 2010-12-14 Apple Inc. Navigation of electronic backups
US9009115B2 (en) 2006-08-04 2015-04-14 Apple Inc. Restoring electronic information
US8166415B2 (en) 2006-08-04 2012-04-24 Apple Inc. User interface for backup management
JP2008196531A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Hitachi Ltd 自動変速機用制御装置の動作制御装置
EP2151146B1 (en) * 2007-05-15 2011-02-23 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Reliable lighting system
US8429425B2 (en) 2007-06-08 2013-04-23 Apple Inc. Electronic backup and restoration of encrypted data
US8099392B2 (en) 2007-06-08 2012-01-17 Apple Inc. Electronic backup of applications
US8010900B2 (en) 2007-06-08 2011-08-30 Apple Inc. User interface for electronic backup
US20080307017A1 (en) 2007-06-08 2008-12-11 Apple Inc. Searching and Restoring of Backups
EP2372553B1 (en) * 2007-06-08 2013-01-30 Apple Inc. Application-based backup-restore of electronic information
US8307004B2 (en) 2007-06-08 2012-11-06 Apple Inc. Manipulating electronic backups
US8468136B2 (en) 2007-06-08 2013-06-18 Apple Inc. Efficient data backup
US8725965B2 (en) * 2007-06-08 2014-05-13 Apple Inc. System setup for electronic backup
US8745523B2 (en) 2007-06-08 2014-06-03 Apple Inc. Deletion in electronic backups
JP2009026119A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Denso Corp メモリ制御装置、信頼性判定期間の更新方法、及びデータの書込み方法
JP4525816B2 (ja) * 2007-09-28 2010-08-18 株式会社デンソー 電子機器及びプログラム
US8938655B2 (en) * 2007-12-20 2015-01-20 Spansion Llc Extending flash memory data retension via rewrite refresh
US20090292971A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Chun Fung Man Data recovery techniques
US7859932B2 (en) * 2008-12-18 2010-12-28 Sandisk Corporation Data refresh for non-volatile storage
CN104766633A (zh) * 2008-12-30 2015-07-08 E·孔法洛涅里 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器
CN101889313B (zh) * 2008-12-30 2014-12-03 E·孔法洛涅里 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器
WO2010076826A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Emanuele Confalonieri Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory
JP2011159351A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリシステム
US8984029B2 (en) 2011-01-14 2015-03-17 Apple Inc. File system management
US8943026B2 (en) 2011-01-14 2015-01-27 Apple Inc. Visual representation of a local backup
JP2012238364A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Ricoh Co Ltd 画像処理装置、リフレッシュ方法およびプログラム
JP5498529B2 (ja) * 2012-05-11 2014-05-21 株式会社東芝 記憶装置及び情報処理装置
DE102013206440B4 (de) * 2013-04-11 2021-07-01 Zf Friedrichshafen Ag Steuergerät zur Betätigung eines Aktors, Getriebe und Fahrzeugsteuersystem
US10241717B2 (en) * 2013-12-30 2019-03-26 Qualcomm Technologies International, Ltd. Memory boosting
KR102210964B1 (ko) * 2014-05-13 2021-02-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법
US11670394B2 (en) * 2021-08-18 2023-06-06 Nxp B.V. Temperature exposure detection based on memory cell retention error rate
US20230065593A1 (en) * 2021-08-31 2023-03-02 Micron Technology, Inc. Memory traffic monitoring

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3133304A1 (de) * 1981-08-22 1983-03-03 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur erhoehung der zuverlaessigkeit von halbleiterspeichern in kraftfahrzeugen
JPH0528788A (ja) * 1991-03-28 1993-02-05 Nec Corp 不揮発性メモリ装置
JP4001945B2 (ja) 1995-10-13 2007-10-31 ソニー株式会社 半導体メモリのリフレッシュ方法
JPH1021693A (ja) 1996-07-03 1998-01-23 Nissan Motor Co Ltd 半導体記憶装置
JP3596989B2 (ja) * 1996-10-03 2004-12-02 邦博 浅田 半導体記憶装置
US5925908A (en) * 1997-07-30 1999-07-20 Motorola, Inc. Integrated circuit including a non-volatile memory device and a semiconductor device
DE19740525C1 (de) * 1997-09-15 1999-02-04 Siemens Ag Verfahren zur Abspeicherung und Wiedergewinnung von Daten in einem Steuersystem, insbesondere in einem Kraftfahrzeug
JPH11232887A (ja) * 1998-02-18 1999-08-27 Denso Corp 電子装置
JP2000011670A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Canon Inc 不揮発性メモリを有する機器
JP2000100193A (ja) * 1998-09-28 2000-04-07 Sanyo Electric Co Ltd 不揮発性メモリ及びその冗長データの書き込み方法
JP3078530B2 (ja) * 1998-10-12 2000-08-21 ローム株式会社 不揮発性半導体メモリic及びそのバーンインテスト方法
US6801994B2 (en) * 2000-12-20 2004-10-05 Microsoft Corporation Software management systems and methods for automotive computing devices
JP2003006041A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6636937B2 (en) 2003-10-21
DE10040890C1 (de) 2002-01-31
EP1182667A2 (de) 2002-02-27
DE50110385D1 (de) 2006-08-17
EP1182667B1 (de) 2006-07-05
JP2002163895A (ja) 2002-06-07
US20020021599A1 (en) 2002-02-21
EP1182667A3 (de) 2004-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2266060T3 (es) Sistema y procedimiento para el funcionamiento seguro a alta temperatura de una memoria flash.
US8406951B2 (en) Electronic control system for vehicles
ES2389696T3 (es) Procedimiento para el control de un accionamiento híbrido en un vehículo ferroviario
JP3969494B2 (ja) 車載電子制御装置
US20070005204A1 (en) Vehicle-mounted data rewriting control system
KR100545131B1 (ko) 제어시스템
US9110842B2 (en) Control device for vehicle and error processing method in control device for vehicle
JP2020004245A (ja) プログラム更新装置、プログラム更新システム、プログラム更新方法、およびプログラム更新プログラム
US6438056B2 (en) Method and device for refreshing the memory content of a memory cell of a read-only memory
EP0973170B1 (en) Apparatus and method for controlling electric power supply in nonvolatile memory rewriting operation
JP5503960B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
US20110098904A1 (en) Data write device and data write method
JP2004519057A (ja) 目的メモリー領域に対するデータ量格納方法、および、記憶システム
CN100378676C (zh) 用于监视微控制器单元操作的方法和基础芯片
US8341343B2 (en) Controller
CN101366009B (zh) 具有错误校正的数据处理系统及其运行方法
JP2002334023A (ja) 電子制御装置
JP4538852B2 (ja) 車両用制御装置
JP2002187505A (ja) 車載システム
JP2009107358A (ja) 車載制御装置
JP2015162102A (ja) 車両用制御装置
JP4367275B2 (ja) データ記憶装置
CN115217646B (zh) 一种废气再循环阀控制方法、装置及存储介质
JP2008196531A (ja) 自動変速機用制御装置の動作制御装置
CN100407156C (zh) 用于监控微控制器单元的操作的方法和基片