JP2000011670A - 不揮発性メモリを有する機器 - Google Patents
不揮発性メモリを有する機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不揮発性メモリのデータ保持期間を実質的に
延長させる。 【解決手段】 不揮発性メモリを有する機器において、
前記不揮発性メモリに対する書き込み動作を実行してか
らの経過時間を計測するタイマーと、前記不揮発性メモ
リ近傍の温度を測定する温度センサーと、前記不揮発性
メモリに対する書き込み動作の回数をカウントするカウ
ンターと、前記タイマーによって計測される時間に対し
て、前記温度センサーによって測定される温度と、前記
カウンターによってカウントされる書き込む動作の回数
に基づく重み付けを行った後、前記タイマーによって計
測される重み付けされた経過時間が所定時間を超えたと
きに、前記不揮発性メモリに対して再度書き込み動作を
実行するリフレッシュ回路とを有する。
延長させる。 【解決手段】 不揮発性メモリを有する機器において、
前記不揮発性メモリに対する書き込み動作を実行してか
らの経過時間を計測するタイマーと、前記不揮発性メモ
リ近傍の温度を測定する温度センサーと、前記不揮発性
メモリに対する書き込み動作の回数をカウントするカウ
ンターと、前記タイマーによって計測される時間に対し
て、前記温度センサーによって測定される温度と、前記
カウンターによってカウントされる書き込む動作の回数
に基づく重み付けを行った後、前記タイマーによって計
測される重み付けされた経過時間が所定時間を超えたと
きに、前記不揮発性メモリに対して再度書き込み動作を
実行するリフレッシュ回路とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフラッシュメモリ等
の不揮発メモリのデータ保持期間を実質的に延長させる
機器に関するものである。
の不揮発メモリのデータ保持期間を実質的に延長させる
機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フラッシュメモリ等の不揮発メモリは、
書き込み／消去回数とデータ保持期間（データリテンシ
ョン）に制限がある。
書き込み／消去回数とデータ保持期間（データリテンシ
ョン）に制限がある。
【０００３】そしてそれは、単体のメモリ製品に比べ、
マイクロプロセッサーに内蔵されたものにおいては、回
数や期間の点でさらに劣っている。それは原理的にこれ
らの素子が電荷を素子内の特定の領域に貯え、その領域
に電荷があるか否かによって、情報の班別をやっている
為、電荷のもれや書き込み量のコントロールによってデ
ータ保持期間が左右される為である。
マイクロプロセッサーに内蔵されたものにおいては、回
数や期間の点でさらに劣っている。それは原理的にこれ
らの素子が電荷を素子内の特定の領域に貯え、その領域
に電荷があるか否かによって、情報の班別をやっている
為、電荷のもれや書き込み量のコントロールによってデ
ータ保持期間が左右される為である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のメモリのデータ保持期間は比較的短く10年間保証とい
われることが多い。例えばフラッシュメモリでは書き込
み／消去回数は１００回で保持期間１０年保証とか、Ｅ
ＥＰＲＯＭでは書き換え回数１万回でやはり保持期間１
０年保証である。これは紫外線消去タイプのＥＰＲＯＭ
でも同様のことがある。
のメモリのデータ保持期間は比較的短く10年間保証とい
われることが多い。例えばフラッシュメモリでは書き込
み／消去回数は１００回で保持期間１０年保証とか、Ｅ
ＥＰＲＯＭでは書き換え回数１万回でやはり保持期間１
０年保証である。これは紫外線消去タイプのＥＰＲＯＭ
でも同様のことがある。
【０００５】ところが、この様なメモリを製品に組み込
む時、１０年で動作しなくなってもよいという製品はほ
とんどない。
む時、１０年で動作しなくなってもよいという製品はほ
とんどない。
【０００６】メモリーのデータ保証は一般に書き換えを
保証回数行った後の保持期間保証であり、しかも、その
時の不良率を極めて低く押さえているので実害が発生す
ることはほとんどないが、フラッシュメモリのように元
々書き込み／消去回数が少ないメモリにおいては、その
余裕しろが少なく何らかの対策を電気製品側で行う必要
がある。
保証回数行った後の保持期間保証であり、しかも、その
時の不良率を極めて低く押さえているので実害が発生す
ることはほとんどないが、フラッシュメモリのように元
々書き込み／消去回数が少ないメモリにおいては、その
余裕しろが少なく何らかの対策を電気製品側で行う必要
がある。
【０００７】その為にＥＣＣといってメモリを余裕をも
って準備し一部のメモリに不具合があっても、エラーを
発見し、エラーを修正する技術が開発されている。
って準備し一部のメモリに不具合があっても、エラーを
発見し、エラーを修正する技術が開発されている。
【０００８】例えば８ｂｉｔのメモリに対し、数ｂｉｔ
のメモリを付加することでコンパクトフラッシュカード
等のメモリモジュールではＥＣＣを行っているが、本来
必要としているメモリの数割増のメモリをよけいに持つ
のはコスト的にも負担が大きい。
のメモリを付加することでコンパクトフラッシュカード
等のメモリモジュールではＥＣＣを行っているが、本来
必要としているメモリの数割増のメモリをよけいに持つ
のはコスト的にも負担が大きい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】フラッシュメモリのデー
タリテンションは一般に１０年程度と、短くしか保証さ
れていないので、本件では、タイマーと温度センサーを
使用し、メモリのデータリテンション保証期間が経過す
る前に前記メモリにすでに記憶してあるデータを再書き
込み（リフレッシュ）することで、実質的にデータリテ
ンション（データ保持期間）を延長させる。またその際
温度センサー出力によって、上記リフレッシュまでの期
間を短縮する。
タリテンションは一般に１０年程度と、短くしか保証さ
れていないので、本件では、タイマーと温度センサーを
使用し、メモリのデータリテンション保証期間が経過す
る前に前記メモリにすでに記憶してあるデータを再書き
込み（リフレッシュ）することで、実質的にデータリテ
ンション（データ保持期間）を延長させる。またその際
温度センサー出力によって、上記リフレッシュまでの期
間を短縮する。
【００１０】
【発明の実施の形態】（第１の実施例）本実施例では不
揮発メモリとして回数、期間の点で最も条件の悪いフラ
ッシュメモリをとりあげる。
揮発メモリとして回数、期間の点で最も条件の悪いフラ
ッシュメモリをとりあげる。
【００１１】フラッシュメモリは図３に示すように２１
のＰサブまたはＰウエルの基板にＮ+ の２３ドレインＤ
と２２ソースＳがあり、２４のゲートＧで構成された単
なるＮ−ｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴに、２５のフローティン
グゲートＦＧがサンドイッチされたものである。
のＰサブまたはＰウエルの基板にＮ+ の２３ドレインＤ
と２２ソースＳがあり、２４のゲートＧで構成された単
なるＮ−ｃｈ ＭＯＳ ＦＥＴに、２５のフローティン
グゲートＦＧがサンドイッチされたものである。
【００１２】この様に単純な構成の為、小さくでき、よ
って大容量の不揮発メモリとして、さかんに使われ始め
ている。この素子ではフローティングゲートＦＧに電荷
があるか否かによってゲートＧに引加した電圧によって
ドレイン電流が流れたり流れなかったりする。
って大容量の不揮発メモリとして、さかんに使われ始め
ている。この素子ではフローティングゲートＦＧに電荷
があるか否かによってゲートＧに引加した電圧によって
ドレイン電流が流れたり流れなかったりする。
【００１３】つまりＦＧに電荷があると、Ｇに電圧印加
してもドレイン電流は流れないが、ＦＧに電荷がなけれ
ばＧに電圧印加するとドレイン電流は流れる。通常消去
状態ではＦＧに電荷はなく、どのセルもドレイン電流を
流すことができこの状態をＨと呼ぶ。そしてＦＧに電荷
を書き込むことで、Ｇに電圧印加してもドレイン電流は
流れなくなり、この状態をＬと呼ぶ。従って、データを
書き込む時にはになっているｂｉｔに着目してそれに
対応するセルのＦＧのみに電荷を注入すればよいわけで
ある。しかしながら、ＦＧは他とは導通がとれていな
く、絶縁されているが、ＦＧの下の絶縁層を通してのリ
ークや複数のメモリーセルのゲートＧやドレインＤ、ソ
ースＳ等がマトリックス状に組みあわさってレイアウト
されていることによって種々のディスターブが発生す
る。
してもドレイン電流は流れないが、ＦＧに電荷がなけれ
ばＧに電圧印加するとドレイン電流は流れる。通常消去
状態ではＦＧに電荷はなく、どのセルもドレイン電流を
流すことができこの状態をＨと呼ぶ。そしてＦＧに電荷
を書き込むことで、Ｇに電圧印加してもドレイン電流は
流れなくなり、この状態をＬと呼ぶ。従って、データを
書き込む時にはになっているｂｉｔに着目してそれに
対応するセルのＦＧのみに電荷を注入すればよいわけで
ある。しかしながら、ＦＧは他とは導通がとれていな
く、絶縁されているが、ＦＧの下の絶縁層を通してのリ
ークや複数のメモリーセルのゲートＧやドレインＤ、ソ
ースＳ等がマトリックス状に組みあわさってレイアウト
されていることによって種々のディスターブが発生す
る。
【００１４】例えばマトリックスを表す表現として行
（ロウ）や列（コラム）があるが、同じロウ線の他のセ
ルを書き込むと、別のセルの貯えていた電荷が少し抜け
るといった悪影響などがある。
（ロウ）や列（コラム）があるが、同じロウ線の他のセ
ルを書き込むと、別のセルの貯えていた電荷が少し抜け
るといった悪影響などがある。
【００１５】また書き込み／消去回数をくり返すことに
よってＦＧ下の２６の絶縁層Ｉにストレスが与えられ、
欠陥が発生してリークが増えたり、絶縁層Ｉの中に電荷
がトラップされて消去できなくなったりする。この様な
フラッシュメモリのデータ保持能力は絶縁層Ｉの性能に
依存するので書き込み／消去回数Ｋに依存するばかりで
なく、温度にも依存する。
よってＦＧ下の２６の絶縁層Ｉにストレスが与えられ、
欠陥が発生してリークが増えたり、絶縁層Ｉの中に電荷
がトラップされて消去できなくなったりする。この様な
フラッシュメモリのデータ保持能力は絶縁層Ｉの性能に
依存するので書き込み／消去回数Ｋに依存するばかりで
なく、温度にも依存する。
【００１６】図４に２５℃で１０年データ保持を保証す
る為には例えば１２５℃で１０時間経ってもメモリがデ
ータを保持することを確認すればよい。といったよう
に、一般に温度によって加速される。
る為には例えば１２５℃で１０時間経ってもメモリがデ
ータを保持することを確認すればよい。といったよう
に、一般に温度によって加速される。
【００１７】一般によく使用されるものとしてアレニウ
スの式があるが、加速係数α、実使用時の温度Ｔ0 、加
速試験時の温度Ｔ1 、ボルツマン定数Ｂ、活性化エネル
ギーＥとして
スの式があるが、加速係数α、実使用時の温度Ｔ0 、加
速試験時の温度Ｔ1 、ボルツマン定数Ｂ、活性化エネル
ギーＥとして
【００１８】
【外１】 といった式がある。
【００１９】活性化エネルギーを１ｅｖ程度とすると、
１０℃温度を高めて試験するだけで、約３．５倍の加速
をしたことになる。
１０℃温度を高めて試験するだけで、約３．５倍の加速
をしたことになる。
【００２０】図４のように、温度による加速を行ない、
さらにマージンを持つために半導体メーカーでは、例え
ば１８０℃、１０００時間といったデータリテンション
試験を行なっている。
さらにマージンを持つために半導体メーカーでは、例え
ば１８０℃、１０００時間といったデータリテンション
試験を行なっている。
【００２１】以上の様に、フラッシュメモリのデータ保
持特性は書き込み／消去回数や温度に依存するので、本
発明ではそこに着目してデータの再書き込み（リフレッ
シュ）を行うことで実質的にデータ保持期間の延長を行
っている。
持特性は書き込み／消去回数や温度に依存するので、本
発明ではそこに着目してデータの再書き込み（リフレッ
シュ）を行うことで実質的にデータ保持期間の延長を行
っている。
【００２２】図１に本発明のシステムブロックを示す。
【００２３】１はｃｐｕで本システム全体のコントロー
ルを行うとともに次の図２のソフトフローを実行してい
る。
ルを行うとともに次の図２のソフトフローを実行してい
る。
【００２４】２はＦＬＳ（フラッシュメモリ）で、この
中にプログラムやデータなどを記憶する。
中にプログラムやデータなどを記憶する。
【００２５】３はＴＩＭ（タイマー）で、所定時間間隔
でＣＰＵに割り込みをかける。
でＣＰＵに割り込みをかける。
【００２６】４はＴＭＰ（温度センサー）で、５は本発
明のソフトフローを実現するのに使用する種々のレジス
タ群ＲＥＧである。
明のソフトフローを実現するのに使用する種々のレジス
タ群ＲＥＧである。
【００２７】ここでＫは書き換え回数あるいは書き込み
／消去回数を表すカウンタ、ｘは温度検出値、αは温度
加速係数、ｆ（ｘ）は温度加速係数のＬＵＴ（Ｌｏｏｋ
ｕｐ ＴＡＢＬＥ）あるいは式を表わす。Ｔｐａｓｓ
ｅｄは、経過時間レジスタで書き込みもしくは書き換え
を実行したときからの経過時間、ΔＴは割り込み間隔、
Ｔｌｉｍｉｔはフラッシュメモリのリフレッシュ間隔、
ｇ（ｋ）は書き換えによるデータ保持の劣化の加速係数
である。
／消去回数を表すカウンタ、ｘは温度検出値、αは温度
加速係数、ｆ（ｘ）は温度加速係数のＬＵＴ（Ｌｏｏｋ
ｕｐ ＴＡＢＬＥ）あるいは式を表わす。Ｔｐａｓｓ
ｅｄは、経過時間レジスタで書き込みもしくは書き換え
を実行したときからの経過時間、ΔＴは割り込み間隔、
Ｔｌｉｍｉｔはフラッシュメモリのリフレッシュ間隔、
ｇ（ｋ）は書き換えによるデータ保持の劣化の加速係数
である。
【００２８】図２にＣＰＵのソフトフローを示す。
【００２９】タイマーＴＩＭからのΔＴ間隔の割り込み
が発生すると、１１のタイマー割込処理ルーチンが呼ば
れる。
が発生すると、１１のタイマー割込処理ルーチンが呼ば
れる。
【００３０】１２で温度センサＴＭＰより温度ｘを検出
する。
する。
【００３１】次に１３で温度ｘに依存する加速係数αと
書き換えあるいは書き込み／消去回数Ｋに依存する加速
係数βを求める。これらについては図５、図６を基に後
述する。
書き換えあるいは書き込み／消去回数Ｋに依存する加速
係数βを求める。これらについては図５、図６を基に後
述する。
【００３２】１４で加速係数αとβをもとに経過時間Ｔ
ｐａｓｓｅｄに割り込み間隔ΔＴをα、βの係数倍して
加算する。つまり、温度が高い時は実際の経過時間より
も見かけ上経過時間が速く経過するように重みを付ける
ことになる。また、Ｋが大きい時も同様である。
ｐａｓｓｅｄに割り込み間隔ΔＴをα、βの係数倍して
加算する。つまり、温度が高い時は実際の経過時間より
も見かけ上経過時間が速く経過するように重みを付ける
ことになる。また、Ｋが大きい時も同様である。
【００３３】１５で、フラッシュメモリのデータリテン
ション保証期間に関連したリフレッシュ期間Ｔｌｉｍｉ
ｔに達したか否かを判別し、まだ達していない時は１８
でリターンする。もし、Ｔｌｉｍｉｔに達した時は１６
でフラッシュメモリの再書き込み（リフレッシュ）を行
う。そして１７で次回の為に経過時間Ｔｐａｓｓｅｄ←
０を代入して初期化する。
ション保証期間に関連したリフレッシュ期間Ｔｌｉｍｉ
ｔに達したか否かを判別し、まだ達していない時は１８
でリターンする。もし、Ｔｌｉｍｉｔに達した時は１６
でフラッシュメモリの再書き込み（リフレッシュ）を行
う。そして１７で次回の為に経過時間Ｔｐａｓｓｅｄ←
０を代入して初期化する。
【００３４】フラッシュメモリのリフレッシュは、デー
タの書き換えとは異なり、すでにフローティングゲート
ＦＧに貯えられた電荷が減ってしまったことを考慮し
て、電荷の残っているセルに再度適正量にするべく、電
荷注入を行う為に、消去動作は不要である。
タの書き換えとは異なり、すでにフローティングゲート
ＦＧに貯えられた電荷が減ってしまったことを考慮し
て、電荷の残っているセルに再度適正量にするべく、電
荷注入を行う為に、消去動作は不要である。
【００３５】ソフト的には、フラッシュメモリＦＬＳの
リードを行い、同じデータをＦＬＳに対して再書き込み
行うだけなので極めて危険が少ない。この時Ｔｌｉｍｉ
ｔを余り小さくしすぎると、ひんぱんにリフレッシュす
ることになるので、フローティングゲートＦＧの電荷が
減ってもいないのに無理やり追加しようとして、あまり
好ましくない。やはり、Ｔｌｉｍｉｔは数年といった単
位で設定すべきである。
リードを行い、同じデータをＦＬＳに対して再書き込み
行うだけなので極めて危険が少ない。この時Ｔｌｉｍｉ
ｔを余り小さくしすぎると、ひんぱんにリフレッシュす
ることになるので、フローティングゲートＦＧの電荷が
減ってもいないのに無理やり追加しようとして、あまり
好ましくない。やはり、Ｔｌｉｍｉｔは数年といった単
位で設定すべきである。
【００３６】ここで加速係数α、βについて説明する。
【００３７】図５は温度ｘによる加速係数αを求める式
ｆ（ｘ）である。アレニウスの式については図４の説明
を行ったが、温度が高くなるにつれて等比的に加速係数
は増大していく。
ｆ（ｘ）である。アレニウスの式については図４の説明
を行ったが、温度が高くなるにつれて等比的に加速係数
は増大していく。
【００３８】図６は消去回数Ｋに依存する加速係数βを
求める。グラフｇ（Ｋ）である。これもＫに対して等比
的あるいは指数的に劣化することが考えられる。
求める。グラフｇ（Ｋ）である。これもＫに対して等比
的あるいは指数的に劣化することが考えられる。
【００３９】ｆ（ｘ）、ｇ（ｋ）ともにＬＵＴや折れ線
式で表わして内蔵することが可能である。
式で表わして内蔵することが可能である。
【００４０】リフレッシュという概念はすでにＤＲＡＭ
（ダイナミックラム）で行われているが、これは微小キ
ャパシタに情報を貯え、これを数百ｍｓという極めて短
期間にリフレッシュしている。それに対して、いわゆる
不揮発メモリというジャンルでフラッシュメモリ、ＥＥ
ＰＲＯＭ、紫外線消去型ＥＰＲＯＭ、ＯＴＰＲＯＭ（ワ
ンタイムＥＰＲＯＭ）ＦＲＡＭ（強誘電体メモリ）等が
あるが、いずれも不揮発といいつつデータ保持の保証期
間は有限である。
（ダイナミックラム）で行われているが、これは微小キ
ャパシタに情報を貯え、これを数百ｍｓという極めて短
期間にリフレッシュしている。それに対して、いわゆる
不揮発メモリというジャンルでフラッシュメモリ、ＥＥ
ＰＲＯＭ、紫外線消去型ＥＰＲＯＭ、ＯＴＰＲＯＭ（ワ
ンタイムＥＰＲＯＭ）ＦＲＡＭ（強誘電体メモリ）等が
あるが、いずれも不揮発といいつつデータ保持の保証期
間は有限である。
【００４１】その意味では、いずれ、記憶忘れを行う可
能性はあり、しかも、そこには書き込み／消去回数Ｋと
温度ｘ依存による劣化の加速というものはつきまとう。
能性はあり、しかも、そこには書き込み／消去回数Ｋと
温度ｘ依存による劣化の加速というものはつきまとう。
【００４２】その点で、本件のデータ保持期間延長回路
はどのタイプの不揮発メモリにも有効であろう。
はどのタイプの不揮発メモリにも有効であろう。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フラッシュメモリ等の不揮発メモリのデータ保持期間を
温度や消去回数によって最適化されたリフレッシュ期間
でリフレッシュすることによって実質的に延長すること
ができるようになった。
フラッシュメモリ等の不揮発メモリのデータ保持期間を
温度や消去回数によって最適化されたリフレッシュ期間
でリフレッシュすることによって実質的に延長すること
ができるようになった。
【図１】本発明の回路ブロック図。
【図２】本発明のソフトフロー。
【図３】フラッシュメモリの構造図。
【図４】温度によるデータリテンション加速。
【図５】温度によるデータリテンション加速係数。
【図６】書き込み／消去回数によるデータリテンション
加速係数。
加速係数。
１ ＣＰＵ ２ フラッシュメモリ ３ タイマー ４ 温度センサー ２１ Ｐサブ又はＰ基板 ２２ ソース ２３ ドレイン ２４ ゲート ２５ フローティングゲート ２６ 絶縁層
Claims (5)
- 【請求項１】 不揮発性メモリを有する機器において、 前記不揮発性メモリに対する書き込み動作を実行してか
らの経過時間を計測するタイマーと、 前記タイマーによって計測される経過時間が所定時間を
超えたときに、前記不揮発性メモリに対して再度書き込
み動作を実行するリフレッシュ回路とを有することを特
徴とする不揮発性メモリを有する機器。 - 【請求項２】 不揮発性メモリを有する機器において、 前記不揮発性メモリに対する書き込み動作を実行してか
らの経過時間を計測するタイマーと、 前記不揮発性メモリ近傍の温度を測定する温度センサー
と、 前記タイマーによって計測される時間と、前記温度セン
サーによって測定される温度との２つの要素に基づい
て、前記不揮発性メモリに対して再度書き込み動作を実
行するリフレッシュ回路とを有することを特徴とする不
揮発性メモリを有する機器。 - 【請求項３】 不揮発性メモリを有する機器において、 前記不揮発性メモリに対する書き込み動作を実行してか
らの経過時間を計測するタイマーと、 前記不揮発性メモリ近傍の温度を測定する温度センサー
と、 前記不揮発性メモリに対する書き込み動作の回数をカウ
ントするカウンターと、 前記タイマーによって計測される時間と、前記温度セン
サーによって測定される温度と、前記カウンターによっ
てカウントされる書き込む動作の回数の３つの要素に基
づいて、前記不揮発性メモリに対して再度書き込み動作
を実行するリフレッシュ回路とを有することを特徴とす
る不揮発性メモリを有する機器。 - 【請求項４】 不揮発性メモリを有する機器において、 前記不揮発性メモリに対する書き込み動作を実行してか
らの経過時間を計測するタイマーと、 前記不揮発性メモリ近傍の温度を測定する温度センサー
と、 前記不揮発性メモリに対する書き込み動作の回数をカウ
ントするカウンターと、 前記タイマーによって計測される時間に対して、前記温
度センサーによって測定される温度と、前記カウンター
によってカウントされる書き込む動作の回数に基づく重
み付けを行った後、前記タイマーによって計測される重
み付けされた経過時間が所定時間を超えたときに、前記
不揮発性メモリに対して再度書き込み動作を実行するリ
フレッシュ回路とを有することを特徴とする不揮発性メ
モリを有する機器。 - 【請求項５】 前記温度センサーは、所定の時間間隔で
前記不揮発性メモリ近傍の温度を測定することを特徴と
する請求項２、３または４に記載の不揮発性メモリを有
する機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17880698A JP2000011670A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 不揮発性メモリを有する機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17880698A JP2000011670A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 不揮発性メモリを有する機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000011670A true JP2000011670A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16054988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17880698A Withdrawn JP2000011670A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 不揮発性メモリを有する機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000011670A (ja) |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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