WO2026009773A1

WO2026009773A1 - 半導体製造装置で使用される部品アセンブリ、基板処理装置で使用される電極板、位置決め方法及び、半導体製造装置

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Publication number: WO2026009773A1
Application number: PCT/JP2025/022735
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Inventors: 祥友今田
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Filing date: 2025-06-24
Publication date: 2026-01-08
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Abstract

半導体製造装置における部品同士を組み付ける際の位置決めを簡単に行うことができる技術を提供する。半導体製造装置で使用される部品アセンブリは、第１の面を有する第１の部品と、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第１の位置決めピンと、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第２の位置決めピンと、を備え、第１の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きい。

Description

半導体製造装置で使用される部品アセンブリ、基板処理装置で使用される電極板、位置決め方法及び、半導体製造装置

　本開示の例示的実施形態は、半導体製造装置で使用される部品アセンブリ、基板処理装置で使用される電極板、位置決め方法及び、半導体製造装置に関する。

　電極板、冷却板などの部品が互いに組付けられている半導体製造装置の技術として、特許文献１に記載された技術がある。

特開２０２０－９１９４２号公報

　本開示は、半導体製造装置における部品同士を組み付ける際の位置決めを簡単に行うことができる技術を提供する。

　本開示の一つの例示的実施形態における半導体製造装置で使用される部品アセンブリは、第１の面を有する第１の部品と、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第１の位置決めピンと、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第２の位置決めピンと、を備え、第１の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きい。

　本開示の一つの例示的実施形態によれば、半導体製造装置における部品同士を組み付ける際の位置決めを簡単に行うことができる技術を提供することができる。

半導体製造装置で使用される部品アセンブリの構成例を説明するための図である。半導体製造装置で使用される部品アセンブリの構成例を説明するための図である。第１の部品の第１の面に配置された複数の位置決めピンの構成例を説明するための図である。第１の部品と第２の部品の位置決め方法のフローの例を説明するための図である。位置決め方法の工程ＳＴ２のフローの例を説明するための図である。第１の位置決めピンを第２の部品の第２の面に押し当てた状態の例を説明するための図である。第１の位置決めピンの位置を第２の面の第１の穴の位置に合わせた状態の例を説明するための図である。第１の位置決めピンを第１の穴に挿入した状態の例を説明するための図である。位置決め方法の工程ＳＴ３のフローの例を説明するための図である。第２の位置決めピンの位置を第２の面の第２の穴の位置に合わせた状態の例を説明するための図である。第２の位置決めピンを第２の穴に挿入した状態の例を説明するための図である。位置決め方法の工程ＳＴ４のフローの例を説明するための図である。第３の位置決めピンの位置を第２の面の第３の穴の位置に合わせた状態の例を説明するための図である。第３の位置決めピンを第３の穴に挿入した状態の例を説明するための図である。位置決めピンの他の配置例を説明するための図である。第１の部品と位置決めピンの他の構成例を説明するための図である。第１の部品と位置決めピンの他の構成例を説明するための図である。第１の部品と位置決めピンの他の構成例を説明するための図である。第１の部品の凹部の深さと位置決めピンの長さの他の例を説明するための図である。第１の部品の第１の面に配置された複数の位置決めピンの他の構成例を説明するための図である。第３の部品を説明するための図である。一体化した２本の位置決めピンの構成例を説明するための図である。直方体形状を有する位置決めピンの構成例を説明するための図である。第２の実施形態における半導体製造装置に用いられる部品アセンブリの構成例を説明するための図である。位置決めピンにおけるテーパ部の傾斜角の例を説明するための図である。第２の実施形態における第２の部品に対する第１の部品の位置決め方法のフローの一例を説明するための図である。工程ＳＴａ１において位置決めピンのテーパ部の一部を穴に挿入した状態を説明するための図である。工程ＳＴａ１において位置決めピンのテーパ部の一部を穴に挿入した状態を説明するための上面図である。工程ＳＴａ２において第１の部品を鉛直軸周りに回転させた状態を説明するための図である。工程ＳＴａ２において第１の部品を鉛直軸周りに回転させた状態を説明するための上面図である。工程ＳＴａ３において位置決めピンのストレート部を穴に挿入した状態を説明するための図である。工程ＳＴａ３において位置決めピンのストレート部を穴に挿入した状態を説明するための上面図である。部品アセンブリを用いる半導体製造装置の一例を説明するための図である。プラズマ処理装置におけるチャンバの天部の他の構成例を説明するための図である。

　以下、本開示の各実施形態について説明する。

　一つの例示的実施形態において、半導体製造装置で使用される部品アセンブリであって、第１の面を有する第１の部品と、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第１の位置決めピンと、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第２の位置決めピンと、を備え、第１の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きい、半導体製造装置で使用される部品アセンブリが提供される。

　一つの例示的実施形態において、第１の部品は、第１の面に配置され、第１の位置決めピンを差し込み可能に構成される第１の凹部と、第１の面に配置され、第２の位置決めピンを差し込み可能に構成される第２の凹部と、を有する。

　一つの例示的実施形態において、第１の凹部の深さは、第２の凹部の深さより小さく、第１の位置決めピンの長さは、第２の位置決めピンの長さと等しい。

　一つの例示的実施形態において、第１の凹部の深さは、第２の凹部の深さと等しく、第１の位置決めピンの長さは、第２の位置決めピンの長さより大きい。

　一つの例示的実施形態において、第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板である。

　一つの例示的実施形態において、第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、第２の部品は、第２の面と、第２の面に配置される第１の穴と、第２の面に配置される第２の穴と、を有し、第１の部品に配置された第１の位置決めピンが第１の穴に挿入され、第１の部品に配置された第２の位置決めピンが第２の穴に挿入されるように構成される、第２の部品をさらに備える。

　一つの例示的実施形態において、第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板であり、第２の部品は、基板処理装置で使用される電極支持体である。

　一つの例示的実施形態において、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される第３の位置決めピンをさらに備え、第３の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さより小さい。

　一つの例示的実施形態において、基板処理装置で使用される電極板であって、第１の面に配置され、第１の位置決めピンを差し込み可能に構成される第１の凹部と、第１の面に配置され、第２の位置決めピンを差し込み可能に構成される第２の凹部と、を有し、第１の凹部の深さは、第２の凹部の深さより小さい、基板処理装置で使用される電極板が提供される。

　一つの例示的実施形態において、第１の面に配置され、第３の位置決めピンを差し込み可能に構成される第３の凹部と、をさらに有し、第２の凹部の深さは、第３の凹部の深さより小さい。

　一つの例示的実施形態において、（ａ）半導体製造装置に用いられる第１の部品及び第２の部品を準備する工程であって、第１の部品は、第１の面を有し、第１の面には、第１の位置決めピンと第２の位置決めピンが配置され、第１の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きく、第２の部品は、第２の面を有し、第２の面には、第１の穴及び第２の穴が配置される、工程と、（ｂ）第１の部品の第１の位置決めピンを第２の部品の第１の穴に挿入する工程と、（ｃ）（ｂ）の後に、第１の部品の第２の位置決めピンを第２の部品の第２の穴に挿入する工程と、を含む、位置決め方法が提供される。

　一つの例示的実施形態において、（ａ）は、第１の位置決めピンを第１の部品の第１の面に配置される第１の凹部に差し込み、第２の位置決めピンを第２の部品の第２の面に配置される第２の凹部に差し込む工程を含む。

　一つの例示的実施形態において、（ａ）において、第１の位置決めピンの長さと第２の位置決めピンの長さは等しく、第１の凹部の深さは、第２の凹部の深さより小さい。

　一つの例示的実施形態において、（ｂ）は、（ｂ-１）部品搬送装置により第１の部品を保持し、部品搬送装置により第１の部品の第１の位置決めピンを第２の部品の第２の面に当てた状態で、部品搬送装置により第１の部品を水平方向に移動させて、第１の位置決めピンの位置を第１の穴の位置に合わせる工程と、（ｂ-２）（ｂ-１）の後に、部品搬送装置により第１の部品を鉛直方向に移動させ、第１の位置決めピンを第１の穴に挿入する工程と、を有する。

　一つの例示的実施形態において、（ｃ）は、（ｃ-１）部品搬送装置により第１の部品の第２の位置決めピンを第２の部品の第２の面に当てた状態で、部品搬送装置により第１の部品を水平方向に移動させ、第２の位置決めピンの位置を第２の穴の位置に合わせる工程と、（ｃ-２）（ｃ-１）の後に、部品搬送装置により第１の部品を鉛直方向に移動させ、第２の位置決めピンを第２の穴に挿入する工程と、を有する。

　一つの例示的実施形態において、（ａ）において、第１の面には、第３の位置決めピンがさらに配置され、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第３の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きく、第２の面には、第３の穴がさらに配置され、（ｄ）（ｃ）の後に、第１の部品の第３の位置決めピンを第２の部品の第３の穴に挿入する工程と、をさらに有する。

　一つの例示的実施形態において、半導体製造装置であって、第１の部品であって、第１の部品は、第１の面を有し、第１の面には、第１の位置決めピンと第２の位置決めピンが配置され、第１の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きい、第１の部品と、第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、第２の部品は、第２の面を有し、第２の面には、第１の穴及び第２の穴が配置される、第２の部品と、第１の部品を保持して搬送するように構成される部品搬送装置と、部品搬送装置を制御するように構成される制御部と、を備え、制御部は、（ａ）部品搬送装置により第１の部品を保持し、部品搬送装置により第１の部品の第１の位置決めピンを第２の部品の第２の面に当てた状態で、部品搬送装置により第１の部品を水平方向に移動させて、第１の位置決めピンの位置を第１の穴の位置に合わせる工程と、（ｂ）（ａ）の後に、部品搬送装置により第１の部品を鉛直方向に移動させ、第１の位置決めピンを第１の穴に挿入する工程と、（ｃ）（ｂ）の後に、部品搬送装置により第１の部品の第２の位置決めピンを第２の部品の第２の面に当てた状態で、部品搬送装置により第１の部品を水平方向に移動させ、第２の位置決めピンの位置を第２の穴の位置に合わせる工程と、（ｄ）（ｃ）の後に、部品搬送装置により第１の部品を鉛直方向に移動させ、第２の位置決めピンを第２の穴に挿入する工程と、を実行するように構成される、半導体製造装置が提供される。

　一つの例示的実施形態において、（ａ）において、第１の面には、第３の位置決めピンがさらに配置され、第２の位置決めピンの第１の面に対する高さは、第３の位置決めピンの第１の面に対する高さより大きく、第２の面には、第３の穴がさらに配置され、制御部は、（ｅ）（ｄ）の後に、第１の部品の第３の位置決めピンを第２の部品の第３の穴に挿入する工程をさらに実行するように構成される。

　一つの例示的実施形態において、半導体製造装置で使用される部品アセンブリであって、第１の面を有する第１の部品と、第１の面に配置され、第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンであって、複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有する、複数の位置決めピンと、を備える、半導体製造装置で使用される部品アセンブリが提供される。

　一つの例示的実施形態において、部品アセンブリは、第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、第２の部品は、第２の面と、第２の面に配置され、複数の位置決めピンが挿入される複数の穴を有する、第２の部品を、さらに備える。

　一つの例示的実施形態において、半導体製造装置であって、第１の部品であって、第１の部品は、第１の面を有し、第１の面には、第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンが配置され、複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有する、第１の部品と、第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、第２の部品は、第２の面を有し、第２の面には、複数の位置決めピンに対応する複数の穴が配置される、第２の部品と、第１の部品を保持して搬送するように構成される部品搬送装置と、部品搬送装置を制御するように構成される制御部と、を備え、制御部は、（ａ）部品搬送装置により、第１の部品を保持し、複数の位置決めピンの各々のテーパ部の一部を、第２の部品の対応する複数の穴に挿入する工程と、（ｂ）（ａ）の後に、部品搬送装置により、第１の部品を水平方向に自由に動くことができる状態にして、第１の部品を鉛直軸周りに回転させ、複数の位置決めピンの各々のテーパ部の一部を、対応する複数の穴の各々の内壁に接触させる工程と、（ｃ）（ｂ）の後に、部品搬送装置により、第１の部品を鉛直軸周りに自由に回転できる状態にして、第１の部品を鉛直方向に移動させ、複数の位置決めピンの各々のストレート部を、対応する複数の穴に挿入する工程と、を実行するように構成される、半導体製造装置が提供される。

　以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜半導体製造装置に用いられる部品アセンブリの一例＞
　図１は、半導体製造装置に用いられる部品アセンブリ２００の構成例を説明するための図である。一実施形態において、部品アセンブリ２００は、第１の部品２１０と、第２の部品２１１と、第１の位置決めピン２１２と、第２の位置決めピン２１３と、第３の位置決めピン２１４とを有する。

　一実施形態において、第１の部品２１０は、第２の部品２１１に対して位置決めされるものである。第１の部品２１０は、略円形の板形状を有する。第１の部品２１０は、第１の面２３０を有する。図２に示すように、第１の面２３０には、第１の凹部２４０、第２の凹部２４１及び第３の凹部２４２が形成されている。第１の凹部２４０、第２の凹部２４１及び第３の凹部２４２は、第１の面２３０における互いに異なる位置に配置されている。

　一実施形態において、第１の凹部２４０は、第１の位置決めピン２１２を差し込み可能に構成される。第１の凹部２４０は、第１の位置決めピン２１２の径と同じかそれよりわずかに大きい径を有する。第２の凹部２４１は、第２の位置決めピン２１３を差し込み可能に構成されている。第２の凹部２４１は、第２の位置決めピン２１３の径と同じかそれよりわずかに大きい径を有している。第３の凹部２４２は、第３の位置決めピン２１４を差し込み可能に構成されている。第３の凹部２４２は、第３の位置決めピン２１４の径と同じかそれよりわずかに大きい径を有している。一実施形態において、第１の凹部２４０の深さＤ１は、第２の凹部２４１の深さＤ２より小さい。第２の凹部２４１の深さＤ２は、第３の凹部２４２の深さＤ３より小さい（Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３）。

　一実施形態において、第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４は、円柱形状を有する。第１の位置決めピン２１２の長さＬ１は、第２の位置決めピン２１３の長さＬ２及び第３の位置決めピン２１４の長さＬ３と等しい。これにより、図３に示すように、第１の凹部２４０に差し込まれた時の第１の位置決めピン２１２の第１の面２３０に対する高さＨ１は、第２の凹部２４１に差し込まれた時の第２の位置決めピン２１３の第１の面２３０に対する高さＨ２より大きい。また、第２の位置決めピン２１３の第１の面２３０に対する高さＨ２は、第３の凹部２４２に差し込まれた時の第３の位置決めピン２１４の第１の面２３０に対する高さＨ３より大きい。すなわち、第１の面２３０に配置された３つの位置決めピン２１２、２１３、２１４の高さＨ１、Ｈ２、Ｈ３は互いに異なっている（Ｈ１＞Ｈ２＞Ｈ３）。第１の部品２１０は、第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４と同じ材質であってよく、異なる材質であってもよい。

　一実施形態において、図１に示すように、第２の部品２１１は、略円形の板形状を有する。第２の部品２１１は、第２の面２５０を有する。図１及び図２に示すように、第２の面２５０には、第１の穴２６０、第２の穴２６１及び第３の穴２６２が形成されている。第１の穴２６０、第２の穴２６１及び第３の穴２６２は、第２の面２５０の互いに異なる位置に配置される。第１の穴２６０、第２の穴２６１及び第３の穴２６２は、第１の部品２１０に配置された第１の位置決めピン２１２が第１の穴２６０に挿入され、第１の部品２１０に配置された第２の位置決めピン２１３が第２の穴２６１に挿入され、第１の部品２１０に配置された第３の位置決めピン２１４が第３の穴２６２に挿入されたときに、第２の部品２１１に対して第１の部品２１０が正しい位置に位置決めされるように配置されている。

　一実施形態において、第１の穴２６０は、第１の位置決めピン２１２の径よりわずかに大きい径を有する。第２の穴２６１は、第２の位置決めピン２１３の径よりわずかに大きい径を有している。第３の穴２６２は、第３の位置決めピン２１４の径よりわずかに大きい径を有している。第１の部品２１０及び第２の部品２１１の熱膨張を考慮して、第１の穴２６０、第２の穴２６１及び第３の穴２６２は、対応する位置決めピン２１２、２１３、２１４より大きく形成されてよい。一実施形態において、第１の穴２６０、第２の穴２６１及び第３の穴２６２は、第２の部品２１１を鉛直方向に貫通している。第１の穴２６０、第２の穴２６１及び第３の穴２６２は、有底孔であってよい。第２の部品２１１は、第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４と同じ材質であってよく、異なる材質であってもよい。第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４の材質は、第２の部品２１１の材質より低い硬度を有するものであってよい。第２の部品２１１に形成される穴の数は、位置決めピンの数と同じかそれより多くてもよい。

＜第２の部品に対する第１の部品の位置決め方法の一例＞
　図４は、第２の部品に対する第１の部品の位置決め方法（以下、「本位置決め方法」ともいう。）のフローの一例を説明するための図である。一実施形態において、本位置決め方法は、第１の部品２１０及び第２の部品を準備する工程ＳＴ１と、第１の位置決めピン２１２を第１の穴２６０に挿入する工程ＳＴ２と、第２の位置決めピン２１３を第２の穴２６１に挿入する工程ＳＴ３と、第３の位置決めピン２１４を第３の穴２６２を挿入する工程ＳＴ４とを含む。本位置決め方法は、工程ＳＴ１～ＳＴ４の全部又は一部を作業員によって行われてよいし、後述の半導体製造装置が有する制御部、部品搬送装置等により行われてよい。

　工程ＳＴ１では、図２に示すように、第１の部品２１０、第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４を準備し、第１の位置決めピン２１２を第１の部品２１０の第１の凹部２４０に差し込み、第２の位置決めピン２１３を第１の部品２１０の第２の凹部２４１に差し込み、第３の位置決めピン２１４を第１の部品２１０の第３の凹部２４２に差し込む。このとき、図３に示すように、第１の位置決めピン２１２の第１の面２３０に対する高さＨ１は、第２の位置決めピン２１３の第１の面２３０に対する高さＨ２より大きく、第２の位置決めピン２１３の第１の面２３０に対する高さＨ２は、第３の位置決めピン２１４の第１の面２３０に対する高さＨ３より大きくなる。すなわち、第１の部品２１０の第１の面２３０には、高さが異なる３本の位置決めピン２１２、２１３、２１４が配置される。

　工程ＳＴ２では、第１の部品２１０の第１の位置決めピン２１２を第２の部品２１１の第１の穴２６０に挿入する。一実施形態において、図５に示すように、工程ＳＴ２は、位置合わせ工程ＳＴ２－１と、挿入工程ＳＴ２－２を有してよい。

　工程ＳＴ２－１では、ロボットアームなどの部品搬送装置により第１の部品２１０を保持し、部品搬送装置により、図６に示すように第１の部品２１０の第１の位置決めピン２１２の先端を第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てる。そして押し当てた状態で、部品搬送装置により、第１の部品２１０を水平方向に移動させて、図７に示すように第１の位置決めピン２１２の位置を第１の穴２６０の位置に合わせる。このとき、第１の部品２１０は、水平面内の第１の方向、第１の方向に直角の第２の方向及び、回転方向に移動してよい。このとき、第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てたときに第１の位置決めピン２１２に作用する抗力をセンサにより検出しながら、抗力が所与の値以上にならないように第１の部品２１０を水平方向に移動させてよい。これにより、第２の部品２１１の損傷を抑制することができる。さらに、第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てたときに第１の位置決めピン２１２に作用する抗力をセンサにより検出しながら、第１の部品２１０を水平方向に移動させ、抗力が所与の値以下になった時の位置を、第１の位置決めピン２１２の位置と第１の穴２６０の位置が合った位置としてよい。

　図５に示す工程ＳＴ２－２では、部品搬送装置により、第１の部品２１０を鉛直方向に移動させ、図８に示すように第１の位置決めピン２１２を第１の穴２６０に挿入する。

　次に、図４に示す工程ＳＴ３では、第１の部品２１０の第２の位置決めピン２１３を第２の部品２１１の第２の穴２６１に挿入する。一実施形態において、図９に示すように、工程ＳＴ３は、位置合わせ工程ＳＴ３－１と、挿入工程ＳＴ３－２を有してよい。

　工程ＳＴ３－１では、部品搬送装置により第１の部品２１０の第２の位置決めピン２１３を第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てた状態で、部品搬送装置により、第１の部品２１０を水平方向に移動させて、図１０に示すように第２の位置決めピン２１３の位置を第２の穴２６１の位置に合わせる。このとき、第１の部品２１０は、水平面内の第１の方向、第１の方向に直角の第２の方向及び、回転方向に移動してよい。このとき、第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てたときに第２の位置決めピン２１３に作用する抗力をセンサにより検出しながら、抗力が所与の値以上にならないように第１の部品２１０を水平方向に移動させてよい。これにより、第２の部品２１１の損傷を抑制することができる。また、第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てたときに第２の位置決めピン２１３に作用する抗力をセンサにより検出しながら、第１の部品２１０を水平方向に移動させ、抗力が所与の値以下になった時の位置を、第２の位置決めピン２１３の位置と第２の穴２６１の位置が合った位置としてよい。

　図９に示す工程ＳＴ３－２では、部品搬送装置により、第１の部品２１０を鉛直方向に移動させ、図１１に示すように第２の位置決めピン２１３を第２の穴２６１に挿入する。

　次に、工程ＳＴ４では、第１の部品２１０の第２の位置決めピン２１３を第２の部品２１１の第２の穴２６１に挿入する。一実施形態において、図１２に示すように、工程ＳＴ４は、位置合わせ工程ＳＴ４－１と、挿入工程ＳＴ４－２を有してよい。

　次に、工程ＳＴ４－１では、部品搬送装置により第１の部品２１０の第３の位置決めピン２１４を第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てた状態で、部品搬送装置により、第１の部品２１０を水平方向に移動させて、図１３に示すように第３の位置決めピン２１４の位置を第３の穴２６２の位置に合わせる。このとき、第１の部品２１０は、水平面内の第１の方向、第１の方向に直角の第２の方向及び、回転方向に移動してよい。このとき、第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てたときに第３の位置決めピン２１４に作用する抗力をセンサにより検出しながら、抗力が所与の値以上にならないように第１の部品２１０を水平方向に移動させてよい。これにより、第２の部品２１１の損傷を抑制することができる。また、第２の部品２１１の第２の面２５０に押し当てたときに第３の位置決めピン２１４に作用する抗力をセンサにより検出しながら、第１の部品２１０を水平方向に移動させ、抗力が所与の値以下になった時の位置を、第３の位置決めピン２１４の位置と第３の穴２６２の位置が合った位置としてよい。

　図１２に示す工程ＳＴ４－２では、部品搬送装置により、第１の部品２１０を鉛直方向に移動させ、図１４に示すように第３の位置決めピン２１４を第３の穴２６２に挿入する。こうして３本の位置決めピン２１２～２１４が第２の部品２１１の穴２６０～２６１に挿入され、第１の部品２１０が第２の部品２１１に対して位置決めされる。

　その後、第１の部品２１０と第２の部品２１１が固定部材によって互いに固定されてよい。

　本例示的実施形態によれば、半導体製造装置で使用される部品アセンブリ２００が、第１の面２３０を有する第１の部品２１０と、第１の面２３０に配置される第１の位置決めピン２１２と、第１の面２３０に配置される第２の位置決めピン２１３と、第１の面２３０に配置され第３の位置決めピン２１４を備える。第１の位置決めピン２１２の第１の面２３０に対する高さＨ１は、第２の位置決めピン２１３の第１の面２３０に対する高さＨ２より大きく、第２の位置決めピン２１３の第１の面２３０に対する高さＨ２は、第３の位置決めピン２１４の第１の面２３０に対する高さＨ３より大きい。これにより、第１の部品２１０を第２の部品２１１に位置決めする際に、第１の部品２１０の第１の位置決めピン２１２を第２の部品２１１の第１の穴２６０に挿入し、その後第１の部品２１０の第２の位置決めピン２１３を第２の部品２１１の第２の穴２６１に挿入し、その後第１の部品２１０の第３の位置決めピン２１４を第２の部品２１１の第３の穴２６２に挿入することができる。このように、複数の位置決めピンを一つずつ順に穴に挿入できるので、位置決めピンの位置と穴の位置を合わせる作業（穴の位置を探る作業）が簡単になる。この結果、半導体製造装置における部品同士を組み付ける際の位置決めを簡単に行うことができる。また、部品搬送装置を用いても簡単に位置決めを行うことができる。

　本例示的実施形態において、第１の部品２１０は、第１の位置決めピン２１２を差し込み可能に構成される第１の凹部２４０と、第２の位置決めピン２１３を差し込み可能に構成される第２の凹部２４１と、第３の位置決めピン２１４を差し込み可能に構成される第３の凹部２４２を有し、第１の凹部２４０の深さＤ１は、第２の凹部２４１の深さＤ２より小さく、第２の凹部２４１の深さＤ２は、第３の凹部２４２の深さＤ３より小さく、第１の位置決めピン２１２の長さＬ１、第２の位置決めピン２１３の長さＬ２及び第３の位置決めピン２１４の長さＬ３は等しい。この場合、例えば、複数の位置決めピンを複数の凹部のうちのどの凹部に差し込んでもよいので、複数の位置決めピンの差し込む作業を簡単に行うことができる。

　図１５に示すように、第１の部品２１０が略円形の板形状を有する場合において、複数の位置決めピンの内の一つが第１の部品２１０の中心に配置され、その他の位置決めピンが第１の部品２１０の外周部に配置されてよい。第１の面２３０に対する高さが最も大きい第１の位置決めピン２１２が第１の部品２１０の中心に配置され、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４が第１の部品２１０の外周部に配置されてよい。

　以上の実施形態において、第１の部品２１０は、略円形の板形状を有していたが、他の形状を有してよい。図１６に示すように、第１の部品２１０は、円環形状を有し、その上面の第１の面２３０に位置決めピン２１２、２１３、２１４が配置されてよい。図１７に示すように、第１の部品２１０は、矩形の板形状を有し、その上面の第１の面２３０に位置決めピン２１２、２１３、２１４が配置されてよい。図１８に示すように、第１の部品２１０は、矩形の板形状で、中央に円柱状の中抜きを有する構造を有し、その上面の第１の面２３０に位置決めピン２１２、２１３、２１４が配置されてよい。

　図１９に示すように、第１の部品２１０の第１の凹部２４０の深さＤ１、第２の凹部２４１の深さＤ２及び第３の凹部２４２の深さＤ３が等しく、第１の位置決めピン２１２の長さＬ１が第２の位置決めピン２１３の長さＬ２より大きく、第２の位置決めピン２１３の長さＬ２が第３の位置決めピン２１４の長さＬ３より大きくてよい。この場合、図２０に示すように、第１の凹部２４０に差し込まれた第１の位置決めピン２１２の高さＨ１が、第２の凹部２４１に差し込まれた第２の位置決めピン２１３の高さＨ２より大きく、第２の位置決めピン２１３の高さＨ２が、第３の凹部２４２に差し込まれた第３の位置決めピン２１４の高さＨ３より大きくなる。

　一実施形態において、図２１に示すように、部品アセンブリ２００は、第２の部品２１１に対して位置決めされる第３の部品２７０をさらに備えてよい。第３の部品２７０は、第１の部品２１０と同時或いは前後に続けて位置決めされるものであってよい。第１の部品２１０は円形の板形状を有し、第３の部品２７０は、第１の部品２１０の周囲に配置される環状形状を有してよい。第３の部品２７０は、第１の面２３０と同じ高さの第３の面２８０を有してよい。第３の部品２７０の第３の面２８０には、第４の位置決めピン２９０と、第５の位置決めピン２９１と、第６の位置決めピン２９２が配置されてよい。第４の位置決めピン２９０、第５の位置決めピン２９１及び第６の位置決めピン２９２は、第１の部品２１０と同様に、第３の面２８０に配置された凹部にそれぞれ差し込まれたものであってよい。第４の位置決めピン２９０の第３の面２８０に対する高さＨ４は、第５の位置決めピン２９１の第３の面２８０に対する高さＨ５より大きく、第５の位置決めピン２９１の第３の面２８０に対する高さＨ５は、第６の位置決めピン２９２の第３の面２８０に対する高さＨ６より大きくてよい。さらに、第３の位置決めピン２１４の高さＨ３は、第４の位置決めピン２９０の高さＨ４より大きくてよい。すなわち、第１の位置決めピン２１２の高さＨ１、第２の位置決めピン２１３の高さＨ２、第３の位置決めピン２１４の高さＨ３、第４の位置決めピン２９０の高さＨ４、第５の位置決めピン２９１の高さＨ５及び第６の位置決めピン２９２の高さＨ６がこの順番に次第に小さくなってよい。

　第２の部品２１１の第２の面２５０には、第４の位置決めピン２９０が挿入される第４の穴２９５と、第５の位置決めピン２９１が挿入される第５の穴２９６と、第６の位置決めピン２９２が挿入される第６の穴２９７が配置されてよい。

　この場合、第１の部品２１０を第２の部品２１１に位置決めした後、第３の部品２７０の第４の位置決めピン２９０を第２の部品２１１の第４の穴２９５に合わせ挿入し、次に第５の位置決めピン２９１を第５の穴２９６に合わせ挿入し、次に第６の位置決めピン２９２を第６の穴２９７に合わせ挿入する。

　以上の実施の形態において、第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４は、第１の部品２１０と別体であったが、第１の部品２１０と一体であってよい。すなわち、第１の位置決めピン２１２、第２の位置決めピン２１３及び第３の位置決めピン２１４は、第１の部品２１０の第１の面２３０に予め配置されてよい。同様に、第４の位置決めピン２９０、第５の位置決めピン２９１及び第６の位置決めピン２９２は、第３の部品２７０と一体であってよい。

　第１の部品２１０及び／又は第３の部品２７０に配置される位置決めピンの数は、２本であってよい。例えば、以上の実施の形態において、部品アセンブリ２００は、第３の位置決めピン２１４や第６の位置決めピン２９２を備えていなくてよい。また、第１の部品２１０及び／又は第３の部品２７０に配置される位置決めピンは、２本、３本に限られず、４本以上であってよい。４本以上の位置決めピンは、第１の面２３０及び／又は第３の面２８０からの高さが互いに異なっていてよい。

　以上の実施の形態において、２本の位置決めピンが一体化してよい。例えば、図２２に示すように、第１の位置決めピン２１２と第２の位置決めピン２１３、第１の位置決めピン２１２と第３の位置決めピン２１４、或いは、第２の位置決めピン２１３と第３の位置決めピン２１４が一体化してよい。この場合、例えば、一体化した第１の位置決めピン２１２と第２の位置決めピン２１３は、第１の円柱部５００と、第１の円柱部５００上に配置される第２の円柱部５０１とを有してよい。第２の円柱部５０１の径は、第１の円柱部５００の径より小さく、第２の円柱部５０１の中心軸は、第１の円柱部５００の中心軸からずれている。そして、第１の円柱部５００は、第２の位置決めピン２１３として機能し、第１の円柱部５００及び第２の円柱部５０１は、第１の位置決めピン２１２として機能してよい。この場合、第２の円柱部５０１を、対応する第１の穴２６０に入れ、その後、第１の円柱部５００を、対応する第２の穴２６１に入れてよい。

　位置決めピンの形状は、以上の実施の形態のものに限られない。位置決めピンは、例えば水平方向に長い直方体形状を有してよい。例えば、図２３に示すように、第１の位置決めピン２１２は、水平方向に長い直方体形状を有し、第２の位置決めピン２１３は、第１の位置決めピン２１２と異なる水平方向に長い直方体形状を有してよい。この場合、第１の位置決めピン２１２に対応する第１の穴２６０と、第２の位置決めピン２１３に対応する第２の穴２６１は、直方体形状を有してよい。そして、第１の位置決めピン２１２を、対応する第１の穴２６０に入れ、その後、第２の位置決めピン２１３を対応する第２の穴２６１に入れてよい。

　部品搬送装置は、多関節アームを有する搬送ロボットであってよい。部品搬送装置は、第１の部品を保持するように構成される部品保持部（アーム）を有し、部品保持部を、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向（Ｚ軸方向）（三次元方向）に移動自在で、なおかつ、鉛直軸周りに回転自在であってよい。

　部品搬送装置が、第１の部品を保持して、位置決めピンを第２の部品の穴に挿入する際には、部品搬送装置又は半導体製造装置に取り付けられたカメラにより、第２の部品の穴の位置（座標）を把握し、その穴の位置情報を部品搬送装置にフィードバックして、部品搬送装置により第１の部品の位置決めピンを穴の位置に移動させてよい。また、部品搬送装置と半導体製造装置の位置関係を適切な位置になるように、予め穴の位置（座標）を固定しておき、その穴の位置情報を部品搬送装置にフィードフォワードして、部品搬送装置により第１の部品の位置決めピンを穴の位置に移動させてよい。

（第２の実施形態）
＜半導体製造装置に用いられる部品アセンブリの一例＞
　図２４は、第２の実施形態における半導体製造装置に用いられる部品アセンブリ６００の構成例を説明するための図である。一実施形態において、部品アセンブリ６００は、第１の部品２１０と、第２の部品２１１と、３つの位置決めピン６１０を有する。

　一実施形態において、第１の部品２１０は、第１の面２３０を有する。３つの位置決めピン６１０は、第１の面２３０の上方に突出するように構成される。３つの位置決めピン６１０の各々は、一定の径を有するストレート部６５０と、ストレート部６５０の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部６５１を有する。

　ストレート部６５０は、円柱形状を有する。テーパ部６５１は、先細りの円柱形状を有する。図２５に示すように、テーパ部６５１は、テーパ外周面６５１ａを有する。テーパ外周面６５１ａは、鉛直方向（Ｚ方向）に対し、１５°～４５°の範囲内の傾斜角α１を有する。３つの位置決めピン６１０は、同じ形状及び寸法を有してよい。

　図２４に示すように、第２の部品２１１は、第２の面２５０を有する。第２の面２５０は、３つの位置決めピン６１０が挿入される３つの穴６２０を有する。３つの穴６２０は、第１の部品２１０の３つの位置決めピン６１０の各々が、対応する３つの穴６２０に挿入されたときに、第２の部品２１１に対して第１の部品２１０が正しい位置に位置決めされるように配置されている。３つの穴６２０は、貫通穴であってよいし、底のある穴（凹部）であってよい。その他の第１の部品２１０及び第２の部品２１１の構成は、第１の実施の形態と同様であってよい。

＜第２の部品に対する第１の部品の位置決め方法の一例＞
　図２６は、第２の実施形態における第２の部品に対する第１の部品の位置決め方法（以下、「本位置決め方法」ともいう。）のフローの一例を説明するための図である。一実施形態において、本位置決め方法は、工程ＳＴａ１～ＳＴａ３を有する。本位置決め方法は、半導体製造装置の制御部により、部品搬送装置を用いて実行されてよい。制御部は、１つまたは複数の回路（Circuitry)であってもよいし、一体的にまとまって、あるいは部分的に分けられて設けられてもよい。なお、本位置決め方法の工程ＳＴａ１～ＳＴａ３の全部又は一部は、作業員によって行われてよい。

　工程ＳＴａ１では、部品搬送装置により、第１の部品２１０が保持され、図２７及び図２８に示すように、第１の部品２１０の複数の位置決めピン６１０の各々のテーパ部６５１の一部が、第２の部品２１１の対応する複数の穴６２０に挿入される。このとき、位置決めピン６１０の挿入量は、１ｍｍ～１０ｍｍの範囲内であってよい。カメラにより、第２の部品２１１の穴６２０の位置を検出し、部品搬送装置は、当該検出した穴６２０の位置情報に基づいて、第１の部品２１０を移動させ、複数の位置決めピン６１０を、複数の穴６２０に挿入してよい。また、半導体製造装置と部品搬送装置との位置関係に基づいて、予め第２の部品２１１の穴６２０の位置を設定し、当該設定されている穴６２０の位置情報に基づいて、第１の部品２１０を移動させ、複数の位置決めピン６１０を複数の穴６２０に挿入してよい。

　工程ＳＴａ２では、図２９及び図３０に示すように、部品搬送装置により、第１の部品２１０を水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に自由に動くことができる状態にして、第１の部品２１０を鉛直軸（Ｚ軸）周りに回転させ、複数の位置決めピン６１０の各々のテーパ部６５１の一部を、対応する複数の穴６２０の各々の内壁に接触させる。この際、先ず、部品搬送装置により、第１の部品２１０をＸ軸方向及びＹ軸方向に自由に動くことができる状態にして、第１の部品２１０をＺ軸周りに回転させる（図２６の工程ＳＴａ２－１）。そして、部品搬送装置（第１の部品２１０）のＸ軸方向及びＹ軸方向の移動量が零になったか否かを判断し（図２６の工程ＳＴａ２－２）、部品搬送装置のＸ軸方向及びＹ軸方向の移動量が零でない場合には、第１の部品２１０のＺ軸周りの回転を継続し、第１の部品２１０のＸ軸方向及びＹ軸方向の移動量が零になった場合には、第１の部品２１０のＺ軸周りの回転を停止させる（図２６の工程ＳＴａ２－３）。こうすることで、第１の部品２１０の中心Ｃ１と第２の部品２１１の中心Ｃ２が合わせられる。

　工程ＳＴａ３では、図３１及び図３２に示すように、部品搬送装置により、第１の部品２１０をＺ軸周りに自由に回転できる状態にして、第１の部品２１０を鉛直方向に移動させ、複数の位置決めピン６１０の各々のストレート部６５０を、対応する複数の穴６２０に挿入する。こうすることで、第１の部品２１０の回転方向の位置が微調整されつつ、複数の位置決めピン６１０が、対応する複数の穴６２０に挿入される。この結果、第１の部品２１０が第２の部品２１１に対して位置決めされる。

　本例示的実施形態によれば、半導体製造装置で使用される部品アセンブリ６００が、第１の部品２１０と、第１の部品２１０の第１の面２３０の上方に突出するように構成される複数の位置決めピン６１０と、を備える。複数の位置決めピン６１０の各々は、一定の径を有するストレート部６５０と、ストレート部６５０の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部６５１と、有する。これにより、第１の部品２１０を第２の部品２１１に位置決めする際に、（ａ）部品搬送装置により、第１の部品２１０を保持し、複数の位置決めピン６１０の各々のテーパ部６５１の一部を、第２の部品２１１の対応する複数の穴６２０に挿入する工程と、（ｂ）（ａ）の後に、部品搬送装置により、第１の部品２１０を水平方向に自由に動くことができる状態にして、第１の部品２１０を鉛直軸周りに回転させ、複数の位置決めピン６１０の各々のテーパ部６５１の一部を、対応する複数の穴６２０の各々の内壁に接触させる工程と、（ｃ）（ｂ）の後に、部品搬送装置により、第１の部品２１０を鉛直軸周りに自由に回転できる状態にして、第１の部品２１０を鉛直方向に移動させ、複数の位置決めピン６１０の各々のストレート部６５０を、対応する複数の穴６２０に挿入する工程と、を実行することができる。この場合、複数の位置決めピン６１０の先端を、第２の部品２１１の対応する複数の穴６２０に挿入する作業が簡単になり、位置決めピンの位置と穴の位置を合わせる作業（穴の位置を探る作業）が簡単になるため、半導体製造装置における部品同士を組み付ける際の位置決めを簡単に行うことができる。また、部品搬送装置を用いても簡単に位置決めを行うことができる。

＜部品アセンブリが使用される半導体製造装置の一例＞
　一実施形態において、部品アセンブリが使用される半導体製造装置は、プラズマ処理装置を含む。プラズマ処理装置は基板処理装置の一例である。

　以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図３３は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

　プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源システム３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電チャック電極１１１１ｂとを含む。なお、静電チャック電極１１１１ｂは、吸着電極（ｃｌａｍｐｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）ともいう。一実施形態において、静電チャック電極１１１１ｂは、チャック電源に電気的に接続又は結合される。チャック電源は、ＤＣ電源であってもよく、ＡＣ電源であってもよい。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述する電源３１及び／又は電源３２に電気的に接続又は結合される少なくとも１つのバイアス電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのバイアス電極が下部電極として機能する。また、基台１１１０の導電性部材とセラミック部材１１１１ａ内のバイアス電極とが複数の下部電極として機能してもよい。一実施形態において、後述する電圧パルス生成部として機能する第１の電圧生成部３２ａは、セラミック部材１１１１ａ内のバイアス電極に電気的に接続又は結合され、後述する第１のＲＦ生成部３１ａは、基台１１１０の導電性部材に電気的に接続又は結合される。また、静電チャック電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ；Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

　電源システム３０は、プラズマ処理チャンバ１０に電気的に接続又は結合される電源３１を含む。一実施形態において、電源３１は、少なくとも１つのインピーダンス整合器を介してプラズマ処理チャンバ１０に電気的に接続又は結合される。インピーダンス整合器は、機械制御式整合器であってもよく、電子制御式整合器であってもよい。電源３１は、少なくとも１つのＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが生成される。従って、電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

　電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に電気的に接続又は結合され、プラズマ処理空間１０ｓにおいてプラズマを生成するためにソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合器を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に電気的に接続又は結合される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つの下部電極に電気的に接続又は結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合器を介して少なくとも１つの下部電極に電気的に接続又は結合される。第１のＲＦ生成部３１ａが下部電極に電気的に接続又は結合される場合、第２のＲＦ生成部３１ｂは、同じ下部電極に電気的に接続又は結合されてもよく、他の下部電極に電気的に接続又は結合されてもよい。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

　また、電源システム３０は、プラズマ処理チャンバ１０に電気的に接続又は結合される電源３２を含んでもよい。電源３２は、第１の電圧生成部３２ａ及び第２の電圧生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１の電圧生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に電気的に接続又は結合され、第１の電圧信号を生成するように構成される。生成された第１の電圧信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２の電圧生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に電気的に接続又は結合され、第２の電圧信号を生成するように構成される。生成された第２の電圧信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

　種々の実施形態において、第１及び／又は第２の電圧信号がパルス化されてもよい。この場合、第１の電圧生成部３２ａ及び／又は第２の電圧生成部３２ｂは、電圧パルスのシーケンスを生成するように構成される電圧パルス生成部として機能する。従って、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。一実施形態において、電圧パルスのシーケンスは、複数のサイクルを有し、各サイクルは、第１の期間に電圧パルスのバーストを含み、第２の期間に一定の基準電圧を含む。即ち、電圧パルスのシーケンスにおいて、電圧パルスのバーストが繰り返される。電圧パルスの電圧レベルの絶対値は、基準電圧の電圧レベルの絶対値よりも大きい。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせを有する任意波形であってもよく、任意波形が経時的に変化してもよい。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１サイクル内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２の電圧生成部３２ａ，３２ｂは、電源３１に加えて設けられてもよく、第１の電圧生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。本開示に記載されている処理部２ａ１により実現される機能は、当該記載された機能を実現するようにプログラムされた、汎用プロセッサ、特定用途プロセッサ、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、ＡＳＩＣｓ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、従来型の回路（ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ　ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）、及び／又はそれらの組合せを含む、回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）又は処理回路（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）において実装されてもよい。プロセッサは、トランジスタやその他の回路（ｏｔｈｅｒ　ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）を含む、回路又は処理回路とみなされる。プロセッサは、記憶部２ａ２に格納されたプログラムを実行する、プログラムされたプロセッサであってもよい。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。本開示において、回路、ユニット、手段は、記載された機能を実現するようにプログラムされたハードウェア、又は実行するように構成されたハードウェアである。当該ハードウェアは、本開示に記載されているあらゆるハードウェア、又は、当該記載された機能を実現するようにプログラムされた、又は、実行するものとして知られているあらゆるハードウェアであってもよい。当該ハードウェアが回路のタイプであるとみなされるプロセッサである場合、当該回路、手段、又はユニットは、ハードウェアと、当該ハードウェア及び又はプロセッサを構成する為に用いられるソフトウェアの組合せである。

＜シャワーヘッド１３の構成＞
　上述のシャワーヘッド１３は、複数の部品から構成されてよい。シャワーヘッド１３は、上部電極アセンブリ３００を有してよい。一実施形態において、上部電極アセンブリ３００は、シャワーヘッド電極３１０と、シャワーヘッド電極３１０の上部に配置され、シャワーヘッド電極３１０を支持する電極支持体（クーリングプレート）３１１を有する。シャワーヘッド電極３１０は、略円形の板形状を有する。シャワーヘッド電極３１０は、複数のガス導入口１３ｃを有する。シャワーヘッド電極３１０は、電源システム３０からソースＲＦ信号やＤＣ信号が供給される上部電極を構成する。シャワーヘッド電極３１０は、導電性を有する材料により形成される。シャワーヘッド電極３１０の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、炭素（Ｃ：グラファイト等）、シリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、またはこれらの材料を組み合わせたもの等であってよい。

　電極支持体３１１は、下面に凹みを有する略円形の板形状を有する。電極支持体３１１は、シャワーヘッド電極３１０の上面に積層されることで、シャワーヘッド電極３１０との間にガス拡散室１３ｂを形成する。また、電極支持体３１１は、シャワーヘッド電極３１０と密着するように設けられると共に、図示しない冷却機構を内部に有する。これにより、電極支持体３１１は、プラズマの入熱により高温となるシャワーヘッド電極３１０との間で熱を伝達し、冷却機構によりシャワーヘッド電極３１０を冷却することができる。

　電極支持体３１１の冷却機構は、電極支持体３１１の円周方向に延設される渦巻き状または環状の冷媒流路（不図示）を有する。冷却機構は、低温の冷媒を、プラズマ処理チャンバ１０の外部に設けられたチラーユニットから電極支持体３１１の冷媒流路に供給および排出して冷媒を循環させる。冷媒は、冷却水やガルデン（登録商標）等であってよい。電極支持体３１１は、シャワーヘッド電極３１０を冷却するために、熱伝導率が高い材料により形成されてよい。電極支持体３１１の材質は、特に限定されないが、例えば、陽極酸化処理がされたアルミニウムやアルミニウム合金等であってよい。

　以上のように構成されたプラズマ処理装置１において、上部電極アセンブリ３００が部品アセンブリ２００、６００であり、シャワーヘッド電極（電極板）３１０が第１の部品２１０であり、電極支持体３１１が第２の部品２１１であってよい。

　一実施形態におけるプラズマ処理装置１において、静電チャック１１１１が第１の部品２１０であってよく、基台１１１０が第２の部品２１１であってよい。リングアセンブリ１１２が第１の部品２１０であってよく、静電チャック１１１１が第２の部品２１１であってよい。チャンバ１０が第１の部品２１０であってよく、チャンバ１０に隣接される真空搬送チャンバ（図示せず）が第２の部品２１１であってよい。その他、第１の部品２１０及び第２の部品２１１は、プラズマ処理装置１で使用され互いに位置合わせされる他の部品であってよい。

　図３４に示すように、プラズマ処理装置１は、チャンバ１０の天部に、内側上部電極４００と、外側上部電極４０１と、内側クランプ４０２と、外側クランプ４０３と、外側接地用部材４０４と、電極支持体４０５と、第１の絶縁体４０６と、第２の絶縁体４０７を有してよい。電極支持体４０５は、略円形の板形状を有し、チャンバ１０の天部の中央に配置されている。第１の絶縁体４０６は、環状形状を有し、電極支持体４０５の外側壁を囲むように配置される。第２の絶縁体４０７は、環状形状を有し、第１の絶縁体４０６の外側壁を囲むように配置される。第２の絶縁体４０７の外側壁は、チャンバ１０の側壁１０ａに接続されている。

　内側上部電極４００は、円形の板形状を有し、電極支持体４０５の下部であって、基板支持部１１の基板支持面に対向するように配置される。内側上部電極４００の下面の径は、基板支持部１１上の基板Ｗと同程度の径（直径）を有する。内側上部電極４００は、環状の内側クランプ４０２により電極支持体４０５に固定されている。外側上部電極４０１は、環状形状を有し、内側上部電極４００の外側に配置される。外側上部電極４０１は、基板支持部１１の周囲に配置されるエッジリングに対向するように配置される。外側上部電極４０１の径は、エッジリングと同程度かそれより大きい径（内径及び外径）を有する。外側上部電極４０１は、環状の外側クランプ４０３によって第１の絶縁体４０６に固定されている。外側上部電極４０１は内側上部電極４００と電気的に絶縁されている。外側上部電極４０１と内側上部電極４００との間には、隙間が形成されてよいし、リング状の絶縁体が配置されてもよい。外側上部電極４０１と内側上部電極４００には、電源システム３０からソースＲＦ信号やＤＣ信号が供給される。外側接地用部材４０４は、環状形状を有し、外側上部電極４０１の外側に配置される。外側接地用部材４０４の上面は、第２の絶縁体４０７の下面に密着し、外側接地用部材４０４の外側壁は、チャンバ１０の側壁１０ａに接続されている。

　図３４に示す態様のプラズマ処理装置１において、電極支持体４０５は第２の部品２１１であってよい。この場合、内側上部電極４００は第１の部品２１０であってよい。内側クランプ４０２は第３の部品２７０であってよい。

　第１の絶縁体４０６は第２の部品２１１であってよい。この場合、外側上部電極４０１は第１の部品２１０であってよい。外側クランプ４０３は第３の部品２７０であってよい。さらに、第２の絶縁体４０７は、第２の部品２１１であってよく、その場合外側接地用部材４０４が第１の部品２１０であってよい。

　以上の実施の形態において、第１の部品２１０、第２の部品２１１及び第３の部品２７０は、環状のもの、円盤状のものであってよい。第１の部品２１０、第２の部品２１１及び第３の部品２７０は、基板処理装置における上部電極の周囲に位置するグランドリング、デポシールド等であってよい。位置決めピンの材質は、樹脂製であってよく、金属製であってよい。位置決めピンが挿入される穴は、貫通穴であってよいし、底のある穴（凹部）であってもよい。第１の部品２１０は、プラズマ処理装置で用いられる消耗部品であってよく、この場合、消耗部品は、位置決めピンを備えた状態で流通してよい。

　本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。

　１．位置調整方法であって、第１の部品と、前記第１の部品と隣接する第２の部品と、前記第１の部品の第一面側から突出するよう備えられ、前記第一面側から前記第一面に対して突出した長さを異ならせた少なくとも２つ以上のピンを含む複数のピンと、を提供する工程と、前記第一の面と対向する面側の前記第２の部品において前記複数のピンに対応する位置に形成された複数の穴に対し、前記複数のピンを前記第一面側から突出した長さの長い順に挿入する工程と、を提供する位置調整方法。
　２.電極板と、前記電極板の第一面側に形成された凹部に差し込まれる複数のピンと、を有し、前記複数のピンは前記第一面側から前記第一面に対して突出した長さが異なるピンを少なくとも２つ以上含む、電極アセンブリ。
　３.第一面と前記第一面と反対側の第二面とを有する本体からなり、前記本体には、前記第一面から前記第二面に向かう第一の凹部と、前記第一面に前記第一の凹部とは異なる位置に形成され、前記第一面から前記第二面に向かう第二の凹部が形成され、前記第一の凹部の深さと前記第二の凹部の深さとは異なる、電極板。

（付記１）
　半導体製造装置で使用される部品アセンブリであって、
　第１の面を有する第１の部品と、
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される第１の位置決めピンと、
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される第２の位置決めピンと、を備え、
　前記第１の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きい、
半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記２）
　前記第１の部品は、
　前記第１の面に配置され、前記第１の位置決めピンを差し込み可能に構成される第１の凹部と、
　前記第１の面に配置され、前記第２の位置決めピンを差し込み可能に構成される第２の凹部と、を有する、
付記１に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記３）
　前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さより小さく、
　前記第１の位置決めピンの長さは、前記第２の位置決めピンの長さと等しい、
付記２に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記４）
　前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さと等しく、
　前記第１の位置決めピンの長さは、前記第２の位置決めピンの長さより大きい、
付記２に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記５）
　前記第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板である、
付記１から４のいずれか一項に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記６）
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面と、前記第２の面に配置される第１の穴と、前記第２の面に配置される第２の穴と、を有し、前記第１の部品に配置された前記第１の位置決めピンが前記第１の穴に挿入され、前記第１の部品に配置された前記第２の位置決めピンが前記第２の穴に挿入されるように構成される、第２の部品をさらに備える、
付記１から５のいずれか一項に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記７）
　前記第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板であり、
　前記第２の部品は、基板処理装置で使用される電極支持体である、
付記６に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記８）
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される第３の位置決めピンをさらに備え、
　前記第３の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより小さい、
付記１から７のいずれか一項に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記９）
　基板処理装置で使用される電極板であって、
　第１の面に配置され、第１の位置決めピンを差し込み可能に構成される第１の凹部と、
　前記第１の面に配置され、第２の位置決めピンを差し込み可能に構成される第２の凹部と、を有し、
　前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さより小さい、
基板処理装置で使用される電極板。

（付記１０）
　前記第１の面に配置され、第３の位置決めピンを差し込み可能に構成される第３の凹部と、をさらに有し、
　前記第２の凹部の深さは、前記第３の凹部の深さより小さい、
付記９に記載の基板処理装置で使用される電極板。

（付記１１）
（ａ）半導体製造装置に用いられる第１の部品及び第２の部品を準備する工程であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、第１の位置決めピンと第２の位置決めピンが配置され、前記第１の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きく、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、第１の穴及び第２の穴が配置される、工程と、
（ｂ）前記第１の部品の前記第１の位置決めピンを前記第２の部品の前記第１の穴に挿入する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記第１の部品の前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の穴に挿入する工程と、を含む、
位置決め方法。

（付記１２）
　前記（ａ）は、前記第１の位置決めピンを前記第１の部品の前記第１の面に配置される第１の凹部に差し込み、前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に配置される第２の凹部に差し込む工程を含む、
付記１１に記載の位置決め方法。

（付記１３）
　前記（ａ）において、前記第１の位置決めピンの長さと前記第２の位置決めピンの長さは等しく、前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さより小さい、
付記１２に記載の位置決め方法。

（付記１４）
　前記（ｂ）は、
（ｂ-１）部品搬送装置により前記第１の部品を保持し、前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第１の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させて、前記第１の位置決めピンの位置を前記第１の穴の位置に合わせる工程と、
（ｂ-２）前記（ｂ-１）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第１の位置決めピンを前記第１の穴に挿入する工程と、を有する、
付記１１から１３のいずれか一項に記載の位置決め方法。

（付記１５）
　前記（ｃ）は、
（ｃ-１）前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させ、前記第２の位置決めピンの位置を前記第２の穴の位置に合わせる工程と、
（ｃ-２）前記（ｃ-１）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第２の位置決めピンを前記第２の穴に挿入する工程と、を有する、
付記１４に記載の位置決め方法。

（付記１６）
　前記（ａ）において、前記第１の面には、第３の位置決めピンがさらに配置され、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第３の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きく、前記第２の面には、第３の穴がさらに配置され、
（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記第１の部品の前記第３の位置決めピンを前記第２の部品の前記第３の穴に挿入する工程と、をさらに有する、
付記１１から１５のいずれか一項に記載の位置決め方法。

（付記１７）
　半導体製造装置であって、
　第１の部品であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、第１の位置決めピンと第２の位置決めピンが配置され、前記第１の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きい、第１の部品と、
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、第１の穴及び第２の穴が配置される、第２の部品と、
　前記第１の部品を保持して搬送するように構成される部品搬送装置と、
　前記部品搬送装置を制御するように構成される制御部と、を備え、
　前記制御部は、
（ａ）前記部品搬送装置により前記第１の部品を保持し、前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第１の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させて、前記第１の位置決めピンの位置を前記第１の穴の位置に合わせる工程と、
（ｂ）前記（ａ）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第１の位置決めピンを前記第１の穴に挿入する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させ、前記第２の位置決めピンの位置を前記第２の穴の位置に合わせる工程と、
（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第２の位置決めピンを前記第２の穴に挿入する工程と、を実行するように構成される、
半導体製造装置。

（付記１８）
　前記（ａ）において、前記第１の面には、第３の位置決めピンがさらに配置され、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第３の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きく、前記第２の面には、第３の穴がさらに配置され、
　前記制御部は、
（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の部品の前記第３の位置決めピンを前記第２の部品の前記第３の穴に挿入する工程をさらに実行するように構成される、
付記１７に記載の半導体製造装置。

（付記１９）
　半導体製造装置で使用される部品アセンブリであって、
　第１の面を有する第１の部品と、
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンであって、前記複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、前記ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有する、複数の位置決めピンと、を備える、半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記２０）
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面と、前記第２の面に配置され、前記複数の位置決めピンが挿入される複数の穴を有する、第２の部品を、さらに備える、
付記１９に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記２１）
　前記第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板であり、
　前記第２の部品は、基板処理装置で使用される電極支持体である、
付記２０に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。

（付記２２）
　半導体製造装置であって、
　第１の部品であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、前記第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンが配置され、前記複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、前記ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有する、第１の部品と、
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、前記複数の位置決めピンに対応する複数の穴が配置される、第２の部品と、
　前記第１の部品を保持して搬送するように構成される部品搬送装置と、
　前記部品搬送装置を制御するように構成される制御部と、を備え、
　前記制御部は、
（ａ）前記部品搬送装置により、前記第１の部品を保持し、前記複数の位置決めピンの各々の前記テーパ部の一部を、前記第２の部品の対応する前記複数の穴に挿入する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の後に、前記部品搬送装置により、前記第１の部品を水平方向に自由に動くことができる状態にして、前記第１の部品を鉛直軸周りに回転させ、前記複数の位置決めピンの各々の前記テーパ部の前記一部を、対応する前記複数の穴の各々の内壁に接触させる工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記部品搬送装置により、前記第１の部品を鉛直軸周りに自由に回転できる状態にして、前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記複数の位置決めピンの各々の前記ストレート部を、対応する前記複数の穴に挿入する工程と、を実行するように構成される、
半導体製造装置。

（付記２３）
（ａ）半導体製造装置に用いられる第１の部品及び第２の部品を準備する工程であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、前記第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンが配置され、前記複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、前記ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有し、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、前記複数の位置決めピンが挿入される複数の穴が配置される、工程と、
（ｂ）前記複数の位置決めピンの各々の前記テーパ部の一部を、前記第２の部品の対応する前記複数の穴に挿入する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記第１の部品を水平方向に自由に動くことができる状態にして、前記第１の部品を鉛直軸周りに回転させ、前記複数の位置決めピンの各々の前記テーパ部の前記一部を、対応する前記複数の穴の各々の内壁に接触させる工程と、
（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記第１の部品を鉛直軸周りに自由に回転できる状態にして、前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記複数の位置決めピンの各々の前記ストレート部を、対応する前記複数の穴に挿入する工程と、を含む、位置決め方法。

　以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。

１……プラズマ処理装置、１０……チャンバ、２００……部品アセンブリ、２１０……第１の部品、２１１……第２の部品、２１２……第１の位置決めピン、２１３……第２の位置決めピン、２１４……第３の位置決めピン、２３０……第１の面、２４０……第１の凹部、２４１……第２の凹部、２４２……第３の凹部、２５０……第２の面、２６０……第１の穴、２６１……第２の穴、２６２……第３の穴、Ｗ…基板

Claims

　半導体製造装置で使用される部品アセンブリであって、
　第１の面を有する第１の部品と、
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される第１の位置決めピンと、
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される第２の位置決めピンと、を備え、
　前記第１の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きい、
半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の部品は、
　前記第１の面に配置され、前記第１の位置決めピンを差し込み可能に構成される第１の凹部と、
　前記第１の面に配置され、前記第２の位置決めピンを差し込み可能に構成される第２の凹部と、を有する、
請求項１に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さより小さく、
　前記第１の位置決めピンの長さは、前記第２の位置決めピンの長さと等しい、
請求項２に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さと等しく、
　前記第１の位置決めピンの長さは、前記第２の位置決めピンの長さより大きい、
請求項２に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板である、
請求項１に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面と、前記第２の面に配置される第１の穴と、前記第２の面に配置される第２の穴と、を有し、前記第１の部品に配置された前記第１の位置決めピンが前記第１の穴に挿入され、前記第１の部品に配置された前記第２の位置決めピンが前記第２の穴に挿入されるように構成される、第２の部品をさらに備える、
請求項１に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板であり、
　前記第２の部品は、基板処理装置で使用される電極支持体である、
請求項６に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される第３の位置決めピンをさらに備え、
　前記第３の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより小さい、
請求項１に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　基板処理装置で使用される電極板であって、
　第１の面に配置され、第１の位置決めピンを差し込み可能に構成される第１の凹部と、
　前記第１の面に配置され、第２の位置決めピンを差し込み可能に構成される第２の凹部と、を有し、
　前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さより小さい、
基板処理装置で使用される電極板。
　前記第１の面に配置され、第３の位置決めピンを差し込み可能に構成される第３の凹部と、をさらに有し、
　前記第２の凹部の深さは、前記第３の凹部の深さより小さい、
請求項９に記載の基板処理装置で使用される電極板。
（ａ）半導体製造装置に用いられる第１の部品及び第２の部品を準備する工程であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、第１の位置決めピンと第２の位置決めピンが配置され、前記第１の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きく、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、第１の穴及び第２の穴が配置される、工程と、
（ｂ）前記第１の部品の前記第１の位置決めピンを前記第２の部品の前記第１の穴に挿入する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記第１の部品の前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の穴に挿入する工程と、を含む、
位置決め方法。
　前記（ａ）は、前記第１の位置決めピンを前記第１の部品の前記第１の面に配置される第１の凹部に差し込み、前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に配置される第２の凹部に差し込む工程を含む、
請求項１１に記載の位置決め方法。
　前記（ａ）において、前記第１の位置決めピンの長さと前記第２の位置決めピンの長さは等しく、前記第１の凹部の深さは、前記第２の凹部の深さより小さい、
請求項１２に記載の位置決め方法。
　前記（ｂ）は、
（ｂ-１）部品搬送装置により前記第１の部品を保持し、前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第１の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させて、前記第１の位置決めピンの位置を前記第１の穴の位置に合わせる工程と、
（ｂ-２）前記（ｂ-１）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第１の位置決めピンを前記第１の穴に挿入する工程と、を有する、
請求項１１に記載の位置決め方法。
　前記（ｃ）は、
（ｃ-１）前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させ、前記第２の位置決めピンの位置を前記第２の穴の位置に合わせる工程と、
（ｃ-２）前記（ｃ-１）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第２の位置決めピンを前記第２の穴に挿入する工程と、を有する、
請求項１４に記載の位置決め方法。
　前記（ａ）において、前記第１の面には、第３の位置決めピンがさらに配置され、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第３の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きく、前記第２の面には、第３の穴がさらに配置され、
（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記第１の部品の前記第３の位置決めピンを前記第２の部品の前記第３の穴に挿入する工程と、をさらに有する、
請求項１１に記載の位置決め方法。
　半導体製造装置であって、
　第１の部品であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、第１の位置決めピンと第２の位置決めピンが配置され、前記第１の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きい、第１の部品と、
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、第１の穴及び第２の穴が配置される、第２の部品と、
　前記第１の部品を保持して搬送するように構成される部品搬送装置と、
　前記部品搬送装置を制御するように構成される制御部と、を備え、
　前記制御部は、
（ａ）前記部品搬送装置により前記第１の部品を保持し、前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第１の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させて、前記第１の位置決めピンの位置を前記第１の穴の位置に合わせる工程と、
（ｂ）前記（ａ）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第１の位置決めピンを前記第１の穴に挿入する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品の前記第２の位置決めピンを前記第２の部品の前記第２の面に当てた状態で、前記部品搬送装置により前記第１の部品を水平方向に移動させ、前記第２の位置決めピンの位置を前記第２の穴の位置に合わせる工程と、
（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記部品搬送装置により前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記第２の位置決めピンを前記第２の穴に挿入する工程と、を実行するように構成される、
半導体製造装置。
　前記（ａ）において、前記第１の面には、第３の位置決めピンがさらに配置され、前記第２の位置決めピンの前記第１の面に対する高さは、前記第３の位置決めピンの前記第１の面に対する高さより大きく、前記第２の面には、第３の穴がさらに配置され、
　前記制御部は、
（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の部品の前記第３の位置決めピンを前記第２の部品の前記第３の穴に挿入する工程をさらに実行するように構成される、
請求項１７に記載の半導体製造装置。
　半導体製造装置で使用される部品アセンブリであって、
　第１の面を有する第１の部品と、
　前記第１の面に配置され、前記第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンであって、前記複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、前記ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有する、複数の位置決めピンと、を備える、半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面と、前記第２の面に配置され、前記複数の位置決めピンが挿入される複数の穴を有する、第２の部品を、さらに備える、
請求項１９に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　前記第１の部品は、基板処理装置で使用される電極板であり、
　前記第２の部品は、基板処理装置で使用される電極支持体である、
請求項２０に記載の半導体製造装置で使用される部品アセンブリ。
　半導体製造装置であって、
　第１の部品であって、前記第１の部品は、第１の面を有し、前記第１の面には、前記第１の面の上方に突出するように構成される複数の位置決めピンが配置され、前記複数の位置決めピンの各々は、一定の径を有するストレート部と、前記ストレート部の先端に接続され、先端に近づくにつれて次第に細くなるように構成されるテーパ部と、有する、第１の部品と、
　前記第１の部品が位置決めされる第２の部品であって、前記第２の部品は、第２の面を有し、前記第２の面には、前記複数の位置決めピンに対応する複数の穴が配置される、第２の部品と、
　前記第１の部品を保持して搬送するように構成される部品搬送装置と、
　前記部品搬送装置を制御するように構成される制御部と、を備え、
　前記制御部は、
（ａ）前記部品搬送装置により、前記第１の部品を保持し、前記複数の位置決めピンの各々の前記テーパ部の一部を、前記第２の部品の対応する前記複数の穴に挿入する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の後に、前記部品搬送装置により、前記第１の部品を水平方向に自由に動くことができる状態にして、前記第１の部品を鉛直軸周りに回転させ、前記複数の位置決めピンの各々の前記テーパ部の前記一部を、対応する前記複数の穴の各々の内壁に接触させる工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記部品搬送装置により、前記第１の部品を鉛直軸周りに自由に回転できる状態にして、前記第１の部品を鉛直方向に移動させ、前記複数の位置決めピンの各々の前記ストレート部を、対応する前記複数の穴に挿入する工程と、を実行するように構成される、
半導体製造装置。