JP2023098599A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板支持部に対するリングアセンブリの適切な位置決めが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理チャンバと、基板支持面及びリング支持面を有する基板支持部と、少なくとも３つの貫通孔を有する絶縁性リングであって、貫通孔の各々は、絶縁性リングの径方向における第１の幅と、絶縁性リングの周方向において第１の幅よりも小さい第２の幅と、を有する上側孔部分と、横から見て下方に向けて広がるフレア形状を有する下側孔部分と、を有する絶縁性リングと、下面に貫通孔の各々に対応する少なくとも３つの溝を有する導電性リングであって、溝の各々は、導電性リングの径方向における第３の幅と、導電性リングの周方向における第４の幅とを有し、第４の幅は、第３の幅よりも小さい導電性リングと、溝の各々に対応する少なくとも３つのリフトピンと、少なくとも１つのアクチュエータと、を含む、プラズマ処理装置。【選択図】図４Ａ

Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

特許文献１には、環状部材が載置される環状部材載置面と、前記環状部材載置面から突出可能に構成される３本以上のリフターと、を有する基板支持台が開示されている。特許文献１の記載によれば、前記環状部材の底面における前記リフターそれぞれに対応する位置に、上方に凹む凹面から形成される凹部が設けられており、平面視において、前記凹部は、前記環状部材載置面の上方への前記環状部材の搬送精度より大きく、且つ、前記リフターの上端部よりも大きく形成される。また、前記リフターの上端部は半球状に形成され、前記凹面は、前記リフターの上端部の前記半球状を形成する凹面よりも曲率が小さく形成される。

特開２０２１－１４１３１３号公報

本開示にかかる技術は、基板支持部に対するリングアセンブリの適切な位置決めが可能なプラズマ処理装置を提供する。

本開示の一態様は、基板を処理するプラズマ処理装置であって、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有する基板支持部と、前記リング支持面上に配置され、少なくとも３つの貫通孔を有する絶縁性リングであって、前記少なくとも３つの貫通孔の各々は、上側孔部分及び下側孔部分を有し、前記上側孔部分は、前記絶縁性リングの径方向における第１の幅と、前記絶縁性リングの周方向における第２の幅とを有し、前記第２の幅は、前記第１の幅よりも小さく、前記下側孔部分は、横から見て下方に向けて広がるフレア形状を有する、絶縁性リングと、前記絶縁性リングによって支持され、下面に前記少なくとも３つの貫通孔の各々に対応する少なくとも３つの溝を有する導電性リングであって、前記少なくとも３つの溝の各々は、前記導電性リングの径方向における第３の幅と、前記導電性リングの周方向における第４の幅とを有し、前記第４の幅は、前記第３の幅よりも小さい、導電性リングと、前記リング支持面の下方に配置され、前記少なくとも３つの溝の各々に対応する少なくとも３つのリフトピンであって、前記少なくとも３つのリフトピンの各々は、上側支持部分及び下側支持部分を有し、前記上側支持部分は、前記絶縁性リングの前記貫通孔を介して前記導電性リングの前記溝の底面と接触することで前記導電性リングを下方から支持するように構成され、前記下側支持部分は、前記下側孔部分を規定する前記絶縁性リングの傾斜面と接触することで前記絶縁性リングを下方から支持するように構成される、少なくとも３つのリフトピンと、前記少なくとも３つのリフトピンを縦方向に移動させるように構成される少なくとも１つのアクチュエータと、を含む。

本開示によれば、基板支持部に対するリングアセンブリの適切な位置決めが可能なプラズマ処理装置を提供することができる。

プラズマ処理システムの構成の概略を示す説明図である。 実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 図２の部分拡大図である。 絶縁性リングの構成の概略を示す説明図である。 絶縁性リングの構成の概略を示す説明図である。 内側エッジリングの構成の概略を示す説明図である。 内側エッジリングの構成の概略を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 絶縁性リングに対する貫通孔の他の形成例を示す説明図である。 リングアセンブリの交換処理の様子を示す図である。 リングアセンブリの交換処理の様子を示す図である。 リングアセンブリの交換処理の様子を示す図である。 リングアセンブリの交換処理の様子を示す図である。 リングアセンブリの交換処理の様子を示す図である。 内側エッジリングの他の構成例を示す図である。 内側エッジリングの他の構成例を示す図である。 内側エッジリングの他の構成例を示す図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。 内側エッジリングに対する溝の他の形成例を示す説明図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体基板（以下、単に「基板」という。）に対して、プラズマを用いて、エッチング等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理は、減圧可能に構成された処理容器内に配置された基板支持部に、基板が載置された状態で行われる。

また、この基板支持台は、プラズマ処理の際に基板の中央部と周縁部とで良好且つ均一な処理結果を得るために、基板支持部上の基板の周囲を囲むように配置された複数の環状部材を備える。複数の環状部材は、基板支持部上の基板に隣接するように配置されるエッジリングや、エッジリングの外側面を覆うように配置されるカバーリングを含む。これら環状部材は、プラズマに晒されることにより消耗するため、定期的な交換が必要となる。環状部材の交換は、例えば、環状部材を支持した状態で昇降するリフターと、環状部材を搬送する搬送機構とを用いて行われる。

ここで、これらリフターや搬送機構を用いた環状部材の交換を行う場合、例えば搬送機構による搬送精度などに起因し、基板支持部上の所望の位置に対して、これら環状部材を適切に配置できない場合がある。そして、近年の環状部材の搬送機能の実現にあたっては、搬送機構による搬送精度と比較して、基板支持部に対する環状部材の設置精度の向上がより求められている。

特許文献１に記載のプラズマ処理装置では、エッジリングの底面に搬送機構による搬送精度よりも大きい溝を形成し、且つ、カバーリングに搬送機構による搬送精度よりも大きい貫通孔を形成し、これにより環状部材の位置決め精度を向上することを図っている。しかしながら、特許文献１に示されるプラズマ処理装置を用いて環状部材の交換を行った場合、例えば環状部材の機差（例えば加工公差）や熱膨張等の影響によりリフターと溝（貫通孔）の位置に相対的なズレが生じた際に、環状部材の位置決め精度が悪化するおそれや、又はリフターや環状部材に損傷を与えるおそれがある。

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板支持部に対するリングアセンブリの適切な位置決めが可能なプラズマ処理装置を提供する。以下、本実施形態にかかる基板処理装置を備えるプラズマ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理システム＞
一実施形態において、プラズマ処理システムは、図１に示すようにプラズマ処理装置１、搬送装置２及び制御部３を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

搬送装置２は、基板Ｗ及び後述するリングアセンブリ１２０を保持して搬送する搬送アーム２ａを含む。ウェハは基板Ｗの一例である。搬送装置２は、例えばプラズマ処理装置１の外部と、プラズマ処理装置１の内部に配置された基板支持部１１との間で基板Ｗ及びリングアセンブリ１２０を搬送可能に構成されている。

制御部３は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１及び搬送装置２に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部３は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１及び搬送装置２の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部３の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部３は、処理部３ａ１、記憶部３ａ２及び通信インターフェース３ａ３を含んでもよい。制御部３は、例えばコンピュータ３ａにより実現される。処理部３ａ１は、記憶部３ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部３ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部３ａ２に格納され、処理部３ａ１によって記憶部３ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ３ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース３ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部３ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部３ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース３ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。

＜プラズマ処理装置＞
続いて、上述したプラズマ処理装置１の一例として、容量結合型のプラズマ処理装置１の構成例について説明する。図２はプラズマ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図３は図２に示す基板支持部１１の構成の一部を拡大して示す部分拡大図である。

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

基板支持部１１は、本体部１１０、リングアセンブリ１２０及びリフター１３０を含む。本体部１１０は、基板Ｗを支持するための中央領域１１０ａと、リングアセンブリ１２０を支持するための環状領域１１０ｂとを有する。本体部１１０の環状領域１１０ｂは、平面視で本体部１１０の中央領域１１０ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１０の中央領域１１０ａ上に配置され、リングアセンブリ１２０は、本体部１１０の中央領域１１０ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１０の環状領域１１０ｂ上に配置される。従って、中央領域１１０ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１０ｂは、リングアセンブリ１２０を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

図３に示すように、一実施形態において本体部１１０は、基台１１１、静電チャック１１２、支持体１１３及び絶縁体１１４を含む。

基台１１１は、導電性部材を含む。基台１１１の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１２は、基台１１１の上に配置される。静電チャック１１２は、セラミック部材１１２ａとセラミック部材１１２ａ内に配置される静電電極１１２ｂとを含む。セラミック部材１１２ａは、中央領域１１０ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１２ａ及び支持体１１３は、環状領域１１０ｂを有する。なお、支持体１１３のような環状絶縁部材に代えて、環状静電チャックのような静電チャック１１２を囲む他の部材が環状領域１１０ｂを有してもよい。リングアセンブリ１２０は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、図示のように静電チャック１１２と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。又は、環状静電チャックや環状絶縁部材の構成を省略し、静電チャック１１２のみの上にリングアセンブリ１２０を配置してもよい。

また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１２ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１２ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

支持体１１３は、例えば石英等の絶縁性材料を用いて、平面視環状に形成された部材であり、基台１１１及び静電チャック１１２を支持する。一実施形態において、支持体１１３には、上記したようにリングアセンブリ１２０が載置される。また支持体１１３には、厚み方向に貫通する複数、本実施形態においては３つの貫通孔１１３ａが形成されている。貫通孔１１３ａには、図３に示すようにリフター１３０の後述するリフトピン１３１が挿通される。

絶縁体１１４は、セラミック等で形成された円筒状の部材であり、支持体１１３を支持する。絶縁体１１４は、例えば、支持体１１３の外径と同等の外径を有するように形成され、支持体１１３の周縁部を支持する。

環状部材としてのリングアセンブリ１２０は複数の環状部材を含む。図３に一例として示すように、リングアセンブリ１２０は、複数の環状部材として絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３を含む。外側エッジリング１２２と内側エッジリング１２３は、一例としてシリコン、炭化シリコン又は石英等から形成される。絶縁性リング１２１は、環状領域１１ｂ（リング支持面）を構成する支持体１１３に支持される。内側エッジリング１２３は、環状領域１１０ｂ（リング支持面）を構成する静電チャック１１２及び絶縁性リング１２１に支持される。すなわち環状領域１１ｂ（リング支持面）を構成する支持体１１３には、絶縁性リング１２１と内側エッジリング１２３がこの順に積層して支持される。また、リングアセンブリ１２０はリフター１３０の動作により環状領域１１０ｂ（リング支持面）からリフトアップされ、これによりプラズマ処理装置１の外部に配置された搬送装置２との間での受け渡しが可能に構成されている。
なお、上記した内側エッジリング１２３は、本開示の技術に係る「導電性リング」を構成し得る。また、上記した外側エッジリング１２２は、本開示の技術に係る「追加の導電性リング」を構成し得る。換言すれば、環状部材としてのリングアセンブリ１２０は、複数の環状部材として絶縁性リング１２１、追加の導電性リング１２２及び導電性リング１２３を含む。

外側エッジリング１２２は絶縁性リング１２１と比較して厚み方向に大きく形成され、内側エッジリング１２３及び絶縁性リング１２１を囲むように配置されるとともに、外側エッジリング１２２の内側部分が絶縁性リング１２１の外側部分と縦方向に重複するように配置される。換言すれば、絶縁性リング１２１の上面は、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３の支持面を構成している。

なお、リングアセンブリ１２０の構成は図示の例に限定されるものではなく、例えば、絶縁性リング１２１と外側エッジリング１２２が一体に構成されていてもよい。この時、絶縁性リング１２１と外側エッジリング１２２は同一部材で構成されてもよく、すなわち、外側エッジリング１２２が絶縁性リングの一部として機能してもよく、絶縁性リング１２１が追加の導電性リングの一部として機能してもよい。

また絶縁性リング１２１には、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、厚み方向に貫通する複数の、本実施形態においては３つの貫通孔１２１ａが形成されている。貫通孔１２１ａは支持体１１３に形成された貫通孔１１３ａと対応する位置に形成され、図３に示すように後述するリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａが挿通される。

３つの貫通孔１２１ａは、上側孔部分１２１ａ１と下側孔部分１２１ａ２を有する。
貫通孔１２１ａの上側孔部分１２１ａ１は、絶縁性リング１２１の径方向Ｒ１に延伸する第１の幅Ｗ１が、当該径方向Ｒ１と直交する絶縁性リング１２１の周方向Ｃ１に延伸する第２の幅Ｗ２と比較して大きく形成された略矩形形状を有する。第１の幅Ｗ１は、少なくとも後述するリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの径（後述する第５の幅Ｗ５）と比較して大きく形成される。第２の幅Ｗ２は、上側支持部分１３１ａの径（第５の幅Ｗ５）と比較して大きく、且つ後述するリフトピン１３１の下側支持部分１３１ｂの径（後述する第６の幅Ｗ６）と比較して小さく形成される。
絶縁性リング１２１の下側孔部分１２１ａ２は、上側孔部分１２１ａ１の第１の幅Ｗ１及び第２の幅Ｗ２が下方（絶縁性リング１２１の底面）に向けて広がるフレア形状（傾斜面１２１１ａ）を有する。下側孔部分１２１ａ２の傾斜面１２１１ａ下端は、少なくとも搬送装置２によるリングアセンブリ１２０の搬送精度よりも大きく形成されることが望ましい。
本実施形態に係る絶縁性リング１２１においては、これにより上側孔部分１２１ａ１にリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａが挿通されるとともに、下側孔部分１２１ａ２の傾斜面１２１１ａにリフトピン１３１の下側支持部分１３１ｂが周方向Ｃ１側（第２の幅Ｗ２側）で２点接触する。

なお、上記したように上側孔部分１２１ａ１においては、径方向Ｒ１に延伸する第１の幅Ｗ１を周方向Ｃ１に延伸する第２の幅Ｗ２と比較して大きく形成するが、第１の幅Ｗ１と第２の幅Ｗ２の大きさは可能な限り同程度とすることが望ましい。換言すれば、上側孔部分１２１ａ１は、平面視において略正方形形状を有することが望ましい。

導電性リングとしての内側エッジリング１２３はフォーカスリングと呼ばれる場合もあり、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。また、追加の導電性リングとしての外側エッジリング１２２は、基板支持部１１上における平面視での導電性部分（内側エッジリング１２３）の面積を実質的に拡張する。内側エッジリング１２３及び外側エッジリング１２２は、上記したようにシリコン、炭化シリコン又は石英等から形成され得る。

内側エッジリング１２３の底面には、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、複数、本実施形態においては３つの溝１２３ａが形成されている。溝１２３ａは絶縁性リング１２１に形成された貫通孔１２１ａと対応する位置に形成され、その底面１２３ａ１に、貫通孔１２１ａに挿通されたリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端部が接触する。

３つの溝１２３ａは、図５Ｂに示すように、底面１２３ａ１における内側エッジリング１２３の径方向Ｒ２に延伸する第３の幅Ｗ３が、当該径方向Ｒ２と直交する内側エッジリング１２３の周方向Ｃ２に延伸する第４の幅Ｗ４と比較して大きく形成された略長穴形状を有する。第３の幅Ｗ３は、上側支持部分１３１ａの径（第５の幅Ｗ５）と比較して大きく形成される。第４の幅Ｗ４は、後述するリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの径（後述する第５の幅Ｗ５）と略同一の大きさで形成される。
また３つの溝１２３ａの底面１２３ａ１は、特に第４の幅Ｗ４の延伸方向に対して、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端部形状と嵌合する形状を有する。具体的には、本実施形態においては、後述するように上側支持部分１３１ａは、その先端部が突出する半球形状１３１ａ１を有するが、溝１２３ａの底面１２３ａ１は、当該半球形状１３１ａ１と略同一の曲率を有する凹形状（以下、湾曲形状を有する底面１２３ａ１を「湾曲底面１２３ａ１’」という場合がある。）で形成される。
３つの溝１２３ａのフレア状側面１２３ａ２は、底面１２３ａ１の第３の幅Ｗ３及び第４の幅Ｗ４が下方（内側エッジリング１２３の底面）に向けて広がるように傾斜部が形成されている。溝１２３ａの傾斜部下端は、少なくとも搬送装置２による内側エッジリング１２３の搬送精度よりも大きく形成されることが望ましい。
本実施形態に係る内側エッジリング１２３においては、これにより底面１２３ａ１に対してリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａが内側エッジリング１２３の周方向（第４の幅Ｗ４方向）に向けて線接触する。

なお、溝１２３ａの深さは、一例として０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。

一実施形態においてリフター１３０は、複数、本実施形態においては絶縁性リング１２１の貫通孔１２１ａ及び内側エッジリング１２３の溝１２３ａと対応する３つのリフトピン１３１と、少なくとも１つのアクチュエータ１３２を含む。またリフトピン１３１は、径が異なる複数の円柱支持部分を含む。図３に一例として示すように、リフトピン１３１は、上側支持部分１３１ａ及び下側支持部分１３１ｂを含む。上側支持部分１３１ａ及び下側支持部分１３１ｂは一体に構成され得る。

上側支持部分１３１ａは、少なくとも絶縁性リング１２１に形成された貫通孔１２１ａの第１の幅Ｗ１及び第２の幅Ｗ２よりも小径の第５の幅Ｗ５を有する。第５の幅Ｗ５は、内側エッジリング１２３に形成された溝１２３ａの第４の幅Ｗ４と略同一の大きさを有する。上側支持部分１３１ａは後述の下側支持部分１３１ｂの上面から軸方向に連接され、アクチュエータ１３２の動作により下側支持部分１３１ｂと一体に縦方向（軸方向）に移動する。そして上側支持部分１３１ａは、貫通孔１２１ａを介して絶縁性リング１２１の上面から突没自在に構成され、これにより絶縁性リング１２１の上面に支持された内側エッジリング１２３の下面、より具体的には内側エッジリング１２３に形成された溝１２３ａの底面１２３ａ１を支持して縦方向に移動（リフトアップ）させる。

また上側支持部分１３１ａの先端部は、上方に向けて漸次細くなる半球形状１３１ａ１で形成されている（図５Ｂを参照）。当該半球形状１３１ａ１は、内側エッジリング１２３に形成された溝１２３ａの湾曲底面１２３ａ１’の凹面と略同一の曲率を有する。これにより上側支持部分１３１ａの先端部は、内側エッジリング１２３に形成された溝１２３ａと線接触可能に構成される。

下側支持部分１３１ｂは少なくとも絶縁性リング１２１に形成された貫通孔１２１ａの第２の幅Ｗ２よりも大径（図３の第６の幅Ｗ６）を有する。すなわち下側支持部分１３１ｂは、上側支持部分１３１ａの外周から径方向外側に突出する段差部を上面に有している。そして下側支持部分１３１ｂは、貫通孔１２１ａの下側孔部分１２１ａ２に形成された傾斜面１２１１ａを段差部により支持可能に構成され、これにより絶縁性リング１２１の下面を支持して縦方向に移動（リフトアップ）させる。またこの時、絶縁性リング１２１上に保持された外側エッジリング１２２も同時に縦方向に移動（リフトアップ）される。

アクチュエータ１３２はリフトピン１３１を縦方向（軸方向）に沿って移動させ、環状領域１１０ｂ（リング支持面）の上方でリングアセンブリ１２０（絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３）の昇降を行う。これにより、基板支持部１１と搬送装置２の搬送アーム２ａとの間でのリングアセンブリ１２０の受け渡しを行う。アクチュエータの一例は、電気式アクチュエータやエアシリンダ、モータ等を含む。

なお、リフター１３０に配置されるアクチュエータ１３２の数は特に限定されるものではない。すなわち、例えば複数のリフトピン１３１を１つのアクチュエータ１３２により一体に縦方向に移動させてもよい。また例えば、リフトピン１３１のそれぞれに対応して複数のアクチュエータ１３２を配置し、それぞれのリフトピン１３１を独立して縦方向に移動させてもよい。

また、基板支持部１１は、静電チャック１１２、リングアセンブリ１２０及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１ａが基台１１１内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１２のセラミック部材１１２ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と静電チャック１１２の上面との間の間隙に伝熱ガス（バックサイドガス）を供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

図２の説明に戻る。
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給部２０からガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓに導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる、１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、上記実施形態では図３に示したようにリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端部を半球形状１３１ａ１で形成したが、図６Ａに示すように、上側支持部分１３１ａの先端部は略平坦面１３１ａ２を有していてもよい。この場合、上側支持部分１３１ａの先端部と溝１２３ａの底面とを線接触させるため、当該溝１２３ａの底面形状も、上記した湾曲底面１２３ａ１’に代え上側支持部分１３１ａの先端部と係合する平坦底面１２３ａ１’’を有していることが望ましい。
またこの場合、図６Ｂに示すように、導電性リング１２３の少なくとも３つの溝１２３ａの各々は、平坦底面１２３ａ１’’と、平坦底面１２３ａ１’’から下方に延在する垂直側面１２３ａ３と、垂直側面１２３ａ３から下方に向けて広がるフレア状側面１２３ａ２と、によって規定されてもよい。

また例えば、上記実施形態では絶縁性リング１２１に形成される貫通孔１２１ａを略矩形形状、望ましくは略正方形形状で形成したが、図６Ｃに示すように、貫通孔１２１ａは四隅のラウンド形状が大きな略長穴形状で形成されていてもよい。この場合、略長穴形状の貫通孔１２１ａは、絶縁性リング１２１の径方向Ｒ１に延伸する第１の幅Ｗ１が、周方向Ｃ１に延伸する第２の幅Ｗ２と比較して大きいこと、すなわち、絶縁性リング１２１の径方向Ｒ１に長手方向を有する長穴形状であることが望ましい。

＜効果等＞
一実施形態に係るプラズマ処理システムは以上のように構成される。即ち、一実施形態に係るプラズマ処理システムは、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１、絶縁性リング１２１、導電性リング１２３、少なくとも３つのリフトピン１３１、及び少なくとも１つのアクチュエータ１３２を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置され、基板支持面１１０ａ及びリング支持面１１０ｂを有する。絶縁性リング１２１は、リング支持面１１０ｂ上に配置され、少なくとも３つの貫通孔１２１ａを有する。少なくとも３つの貫通孔１２１ａの各々は、上側孔部分１２１ａ１及び下側孔部分１２１ａ２を有する。上側孔部分１２１ａ１は、絶縁性リング１２１の径方向Ｒ１における第１の幅Ｗ１と、絶縁性リング１２１の周方向Ｃ１における第２の幅Ｗ２とを有する。第２の幅Ｗ２は、第１の幅Ｗ１よりも小さく、下側孔部分１２１ａ２は、横から見て下方に向けて広がるフレア形状を有する。導電性リング１２３は、絶縁性リング１２１によって支持され、下面に少なくとも３つの貫通孔１２１ａの各々に対応する少なくとも３つの溝１２３ａを有する。少なくとも３つの溝１２３ａの各々は、導電性リング１２３の径方向Ｒ２における第３の幅Ｗ３と、導電性リング１２３の周方向Ｃ２における第４の幅Ｗ４とを有する。第４の幅Ｗ４は、第３の幅Ｗ３よりも小さい。少なくとも３つのリフトピン１３１は、リング支持面１１０ｂの下方に配置され、少なくとも３つの溝１２３ａの各々に対応する。少なくとも３つのリフトピン１３１の各々は、上側支持部分１３１ａ及び下側支持部分１３１ｂを有する。上側支持部分１３１ａは、絶縁性リング１２１の貫通孔１２１ａを介して導電性リング１２３の溝１２３ａの底面１２３ａ１と接触することで導電性リング１２３を下方から支持するように構成される。下側支持部分１３１ｂは、下側孔部分１２１ａ２を規定する絶縁性リング１２１の傾斜面１２１１ａと接触することで絶縁性リング１２１を下方から支持するように構成される。少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、少なくとも３つのリフトピン１３１を縦方向に移動させるように構成される。リフトピン１３１の下側支持部分１３１ｂは、絶縁性リング１２１の周方向Ｃ１において傾斜面１２１１ａと接触することなく、絶縁性リング１２１の径方向Ｒ１において傾斜面１２１１ａと２点で接触するように構成される。

一実施形態において、絶縁性リング１２１の少なくとも３つの貫通孔１２１ａの各々は、上から見て矩形形状を有する。一実施形態において、上側支持部分１３１ａは、第２の幅Ｗ２よりも小さい第１の直径Ｗ５を有する円柱形状を有し、下側支持部分１３１ｂは、第２の幅Ｗ２よりも大きい第２の直径Ｗ６を有する円柱形状を有する。一実施形態において、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端は、半球形状１３１ａ１を有する。一実施形態において、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端は、平坦面１３１ａ２を有する。一実施形態において、導電性リング１２３の少なくとも３つの溝１２３ａの各々は、平坦底面１２３ａ１’’と、平坦底面１２３ａ１’’から下方に延在する垂直側面１２３ａ３と、垂直側面１２３ａ３から下方に向けて広がるフレア状側面１２３ａ２と、によって規定される。一実施形態において、導電性リング１２３の少なくとも３つの溝１２３ａの各々は、湾曲底面１２３ａ１’によって規定される。一実施形態において、導電性リング１２３の少なくとも３つの溝１２３ａの各々は、平坦底面１２３ａ１’’と、平坦底面１２３ａ１’’から下方に向けて広がるフレア状側面１２３ａ２と、によって規定される。一実施形態において、プラズマ処理システム１は、導電性リング１２３及び絶縁性リング１２１の周囲を囲むように配置される追加の導電性リング１２２を更に含む。追加の導電性リング１２２の少なくとも一部は、絶縁性リング１２１の外側部分と縦方向に重複する。

また、一実施形態に係るプラズマ処理システム１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１、第１の環状部材１２１、第２の環状部材１２３、少なくとも３つのリフトピン１３１、及び少なくとも１つのアクチュエータ１３２を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置され、基板支持面１１０ａ及びリング支持面１１０ｂを有する。第１の環状部材１２１は、リング支持面１１０ｂ上に配置され、少なくとも３つの貫通孔１２１ａを有する。少なくとも３つの貫通孔１２１ａの各々は、上側孔部分１２１ａ１及び下側孔部分１２１ａ２を有する。上側孔部分１２１ａ１は、第１の方向Ｒ１における第１の幅Ｗ１と、第１の方向Ｒ１と直交する第２の方向Ｃ１における第２の幅Ｗ２とを有する。第２の幅Ｗ２は、第１の幅Ｗ１よりも小さい。下側孔部分１２１ａ２は、横から見て下方に向けて広がるフレア形状１２１１ａを有する。第２の環状部材１２３は、第１の環状部材１２１によって支持され、下面に少なくとも３つの貫通孔１２１ａの各々に対応する少なくとも３つの溝１２３ａを有する。少なくとも３つの溝１２３ａの各々は、第３の方向Ｒ２における第３の幅Ｗ３と、第３の方向Ｒ２と直交する第４の方向Ｃ２における第４の幅Ｗ４とを有する。第４の幅Ｗ４は、前記第３の幅Ｗ３よりも小さい。少なくとも３つのリフトピン１３１は、リング支持面１１０ｂの下方に配置され、少なくとも３つの溝１２３ａの各々に対応する。少なくとも３つのリフトピン１３１の各々は、上側支持部分１３１ａ及び下側支持部分１３１ｂを有する。上側支持部分１３１ａは、第１の環状部材１２１の貫通孔１２１ａを介して第２の環状部材１２３の溝１２３ａの底面１２３ａ１と接触することで第２の環状部材１２３を下方から支持するように構成される。下側支持部分１３１ｂは、下側孔部分１２１ａ２を規定する第１の環状部材１２１の傾斜面１２１１ａと接触することで第１の環状部材１２１を下方から支持するように構成される。少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、少なくとも３つのリフトピン１３１を縦方向に移動させるように構成される。

プラズマ処理システムにおいては、搬送装置２を用いてプラズマ処理装置１内に基板Ｗを搬入し、搬入された基板Ｗに対してエッチング等の所望のプラズマ処理を施した後、搬送装置２を用いてプラズマ処理装置１の外部に基板Ｗを搬出する。
本実施形態において、内側エッジリング１２３及び外側エッジリング１２２は導電性材料で形成されている。したがって、プラズマ処理システムでのプラズマ処理に際しては、リングアセンブリ１２０の上方、より具体的には、導電性リングとしての内側エッジリング１２３及び追加の導電性リングとしての外側エッジリング１２２の上方にシースが形成される。これにより、基板支持部１１に保持された基板Ｗの中央部と周縁部とで良好且つ均一なプラズマ処理結果を得ることができる。

ここで、上記したように、近年のプラズマ処理システムにおいては、基板支持部１１に対するリングアセンブリ１２０の設置精度の向上が求められている。
特許文献１には、環状部材の設置精度の向上を図るため、エッジリングに形成する溝及びカバーリングに形成する貫通孔を、搬送機構による環状部材の搬送精度よりも大きく形成することが開示されているが、この場合、例えば環状部材の機差（例えば加工公差）や熱膨張等の影響によりリフターと溝（貫通孔）の位置にズレが生じた際に、環状部材の位置決め精度が悪化するおそれがある。

この点、本開示の技術に係るプラズマ処理装置１によれば、カバーリングに相当する絶縁性リング１２１に第１の幅Ｗ１が第２の幅Ｗ２と比較して大きい略矩形形状で貫通孔１２１ａを形成するとともに、内側エッジリング１２３に第３の幅Ｗ３が第４の幅Ｗ４と比較して大きい略長穴形状で溝１２３ａを形成する。
これにより、上記した加工公差等の影響によりリフトピン１３１の位置と貫通孔１２１ａ（溝１２３ａ）の位置とにズレが生じた場合であっても、絶縁性リング１２１がリフトピン１３１を軸として摺動可能、すなわち貫通孔１２１ａ（溝１２３ａ）の長手方向に対してフリーな状態となるため、適切に絶縁性リング１２１を所望の位置へと導くことができる。またこの時、追加の導電性リングとしての外側エッジリング１２２は絶縁性リング１２１の上面に保持されているため、当該外側エッジリング１２２の位置も同時に補正される。

またこの時、上記したようにリフトピン１３１の下側支持部分１３１ｂは貫通孔１２１ａの下側孔部分１２１ａ２の傾斜部に対して２点接触する。このため、下側支持部分１３１ｂと下側孔部分１２１ａ２の傾斜部が周方向の３点以上で接触する場合や線接触、面接触する場合と比較して容易に絶縁性リング１２１が摺動し、当該絶縁性リング１２１（リングアセンブリ１２０）の位置ズレ補正をより適切に行うことができる。

またこの時、上記したようにリフトピン１３１の上側支持部分１３１ａは溝１２３ａの底面１２３ａ１に対して線接触する。
上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの底面１２３ａ１が１点又は２点のみで接触する場合、上側支持部分１３１ａと底面１２３ａ１は相対的に容易に摺動するため、内側エッジリング１２３の位置ズレ補正を容易にできるものの、この一方、容易に摺動するため、リフトピン１３１の縦方向の移動に際して内側エッジリング１２３の位置にズレが生じやすくなる。
一方、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの底面１２３ａ１が面接触する場合、底面１２３ａ１と上側支持部分１３１ａの相対的な摺動を抑制できるものの、この一方、摺動が抑制されるため、内側エッジリング１２３の位置ズレ補正が困難になる。
この点、以上の実施形態では、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａは溝１２３ａの底面１２３ａ１に対して線接触するため、上側支持部分１３１ａに対して底面１２３ａ１を摺動させて内側エッジリング１２３の位置ズレ補正が適切に行えるとともに、リフトピン１３１の縦方向の移動に際しての内側エッジリング１２３の位置ズレも適切に抑制できる。

なお、このように絶縁性リング１２１に第１の幅Ｗ１が第２の幅Ｗ２と比較して大きい略矩形形状で貫通孔１２１ａが形成された場合、上記したように絶縁性リング１２１が貫通孔１２１ａの長手方向に対して摺動し、これにより、リフトピン１３１の縦方向の移動に際して絶縁性リング１２１に位置にズレが生じるおそれがある。
かかる点を鑑みて、絶縁性リング１２１の位置ズレを抑制（絶縁性リング１２１の配置精度を向上）させるため、上記したように貫通孔１２１ａは略正方形形状に形成することが望ましい。またこの時、貫通孔１２１ａの長手方向の幅（第２の幅Ｗ２）は、当該貫通孔１２１ａの傾斜部に対してリフトピン１３１の下側支持部分１３１ｂが２点接触する大きさで設定されることが望ましい。
これにより、少なくとも下側支持部分１３１ｂと傾斜部を２点接触させることで絶縁性リング１２１の位置ズレ補正を実施できると共に、貫通孔１２１ａの長手方向に対するリフトピン１３１のフリー幅を小さくし、リフトピン１３１の縦方向の移動に際しての絶縁性リング１２１の位置ズレを抑制できる。

＜リングアセンブリの交換方法＞
続いて、以上のように構成されたリングアセンブリ１２０の交換処理について、図面を用いて説明する。なお、以下の処理は、一例として制御部３による制御の下、行われる。

（ステップＳｔ１：内側エッジリング１２３の受け渡し、搬出）
先ず、交換対象の消耗した内側エッジリング１２３が、基板支持部１１上から搬送装置２に受け渡される。

具体的には、先ず、リフター１３０の上昇が行われ、図７に示すように、絶縁性リング１２１の上面から、支持体１１３の貫通孔１１３ａ及び絶縁性リング１２１の貫通孔１２１ａを通過したリフター１３０の上側支持部分１３１ａへ、内側エッジリング１２３が受け渡される。この際、リフター１３０の上昇は、下側支持部分１３１ｂへ絶縁性リング１２１が受け渡されない範囲で行われ、また、上側支持部分１３１ａの先端部が所望の高さＨ１になるまで行われる。ここでの所望の高さＨ１は、支持体１１３に載置された絶縁性リング１２１に保持された外側エッジリング１２２の上面を基準とした、リフター１３０上側支持部分１３１ａの高さである。また、所望の高さＨ１は、支持体１１３に載置された絶縁性リング１２１上の外側エッジリング１２２と上側支持部分１３１ａに支持された内側エッジリング１２３との間を、搬送アーム２ａを挿抜させたときに、当該搬送アーム２ａが、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３等と干渉しない高さである。

続いて、内側エッジリング１２３がプラズマ処理装置１のプラズマ処理チャンバ１０内から搬出される。

具体的には、減圧されたプラズマ処理チャンバ１０内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム２ａが挿入される。そして、支持体１１３に載置された絶縁性リング１２１上の外側エッジリング１２２と、リフター１３０の上側支持部分１３１ａに支持された内側エッジリング１２３との間に、搬送アーム２ａが移動される。

次いで、リフター１３０の下降が行われ、リフター１３０の上側支持部分１３１ａから搬送アーム２ａへ、内側エッジリング１２３が受け渡される。続いて、搬送アーム２ａがプラズマ処理チャンバ１０から抜き出され、内側エッジリング１２３単体が、プラズマ処理装置１外へ搬出される。搬出された内側エッジリング１２３は、一例として収納モジュール（図示せず）内に搬入される。

（ステップＳｔ２：絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２の受け渡し、搬出）
内側エッジリング１２３がプラズマ処理装置１から搬出されると、次いで、交換対象の消耗した絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２が、基板支持部１１上から搬送装置２に受け渡される。

具体的には、先ず、リフター１３０の上昇が行われ、図８に示すように、基板支持部１１の環状領域１１０ｂ（リング支持面）の上面から、支持体１１３の貫通孔１１３ａを通過したリフター１３０の下側支持部分１３１ｂへ、絶縁性リング１２１が受け渡される。この時、外側エッジリング１２２は絶縁性リング１２１上に保持されているため、外側エッジリング１２２も絶縁性リング１２１を介して下側支持部分１３１ｂに受け渡される。この際、リフター１３０の上昇は、下側支持部分１３１ｂの段差部が所望の高さＨ２になるまで行われる。ここでの所望の高さＨ２は、基板支持部１１の上面（より具体的には静電チャック１１２の上面）を基準とした、リフター１３０下側支持部分１３１ｂの高さである。また、所望の高さＨ２は、静電チャック１１２と下側支持部分１３１ｂに支持された絶縁性リング１２１との間を、搬送アーム２ａを挿抜させたときに、当該搬送アーム２ａが、絶縁性リング１２１及び静電チャック１１２等と干渉しない高さである。

続いて、絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２がプラズマ処理装置１のプラズマ処理チャンバ１０内から搬出される。

具体的には、減圧されたプラズマ処理チャンバ１０内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム２ａが挿入される。そして、静電チャック１１２と、リフター１３０の下側支持部分１３１ｂに支持された絶縁性リング１２１との間に、搬送アーム２ａが移動される。

次いで、リフター１３０の下降が行われ、リフター１３０の下側支持部分１３１ｂから搬送アーム２ａへ、絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２が受け渡される。続いて、搬送アーム２ａがプラズマ処理チャンバ１０から抜き出され、絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２が、プラズマ処理装置１外へ搬出される。搬出された絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２は、一例として収納モジュール（図示せず）内に搬入される。

（ステップＳｔ３：リングアセンブリ１２０の搬入、載置）
内側エッジリング１２３、絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２がプラズマ処理装置１から搬出されると、次いで、交換対象の新たなリングアセンブリ１２０（絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３）が、プラズマ処理装置１内に搬入される。

具体的には、絶縁性リング１２１と、当該絶縁性リング１２１上に保持された外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３を含む新たなリングアセンブリ１２０を保持した搬送装置２の搬送アーム２ａが、プラズマ処理チャンバ１０内に、搬入出口（図示せず）を介して挿入される。この際、プラズマ処理チャンバ１０は減圧されていてもよい。そして、図９に示すように、基板支持部１１の環状領域１１０ｂの上方へ、上記新たなリングアセンブリ１２０が搬送アーム２ａによって搬送される。

続いて、新たなリングアセンブリ１２０が、搬送装置２から基板支持部１１の環状領域１１０ｂに載置される。

具体的には、リフター１３０の上昇が行われ、図１０Ａに示すように、内側エッジリング１２３が、搬送アーム２ａに保持された絶縁性リング１２１の上面から、当該絶縁性リング１２１の貫通孔１２１ａを通過したリフター１３０の上側支持部分１３１ａへ、受け渡される。
この時、絶縁性リング１２１の貫通孔１２１ａ及び内側エッジリング１２３の溝１２３ａは、上記したように傾斜部の下端が少なくとも搬送装置２による内側エッジリング１２３の搬送精度よりも大きく形成される。このため、搬送装置２の搬送精度に起因してリフトピン１３１と貫通孔１２１ａ、溝１２３ａの位置にズレが生じていた場合であっても、適切にリフトピン１３１を貫通孔１２１ａに挿通し、更に溝１２３ａの底面１２３ａ１へと導くことができる。

次いで、リフター１３０の上昇を継続し、図１０Ｂに示すように、搬送アーム２ａからリフター１３０の下側支持部分１３１ｂへ、絶縁性リング１２１が受け渡される。この時、絶縁性リング１２１上の外側エッジリング１２２も、同時に下側支持部分１３１ｂへと受け渡される。この際、リフター１３０の上昇は、下側支持部分１３１ｂの段差部が所望の高さＨ２になるまで行われる。
この時、本実施形態では絶縁性リング１２１の貫通孔１２１ａ及び内側エッジリング１２３の溝１２３ａが、径方向幅（第１の幅Ｗ１又は第３の幅Ｗ３）が周方向幅（第２の幅Ｗ２又は第４の幅Ｗ４）と比較して大きく形成されている。このため、加工公差等に起因してリフトピン１３１と貫通孔１２１ａの位置にズレが生じた場合であっても、適切にリフトピン１３１を貫通孔１２１ａに挿通し、更に溝１２３ａの底面１２３ａ１へと導くことができる。
またこの時、リフトピン１３１の下側支持部分１３１ｂは貫通孔１２１ａの傾斜部と２点接触し、これにより、リフトピン１３１を軸として絶縁性リング１２１が貫通孔１２１ａの長手方向に対してフリーな状態となる。このため、上記した種々の要因によりリフトピン１３１と貫通孔１２１ａ、溝１２３ａの位置にズレが生じていた場合であっても、貫通孔１２１ａの長手方向に対して絶縁性リング１２１が摺動し、絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２を適切に所望の位置へと位置決めできる。
また同様に、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａは溝１２３ａの底面１２３ａ１と線接触し、これにより、内側エッジリング１２３を適切に所望の位置へと位置決めできるとともに、後のリングアセンブリ１２０の載置に際しての内側エッジリング１２３の位置ズレを抑制できる。

続いて、搬送アーム２ａのプラズマ処理チャンバ１０からの抜き出しが行われる。また、リフター１３０の下降が行われる。これにより、絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３が基板支持部１１の環状領域１１０ｂの上面及び支持体１１３の上面に載置される。具体的には、まず、絶縁性リング１２１及び外側エッジリング１２２が支持体１１３の上面に載置され、次いで、内側エッジリング１２３が絶縁性リング１２１の上面及び基板支持部１１の環状領域１１０ｂの上面に載置される。
こうして、リングアセンブリ１２０を基板支持部１１上に載置するための一連の処理が完了する。

なお、上記実施形態ではリングアセンブリ１２０としての絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３の搬入、載置を同時に行ったが、これら絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２又は内側エッジリング１２３のいずれかの搬入、載置が独立して行われてもよい。
また、上記実施形態ではリングアセンブリ１２０としての絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２及び内側エッジリング１２３の受け渡し、搬出を順次行ったが、これら絶縁性リング１２１、外側エッジリング１２２又は内側エッジリング１２３のいずれかの受け渡し、搬出は同時に行われてもよい。この場合、内側エッジリング１２３は、絶縁性リング１２１上に載置された状態で、すなわち絶縁性リング１２１と一体に、リフトピン１３１と搬送アーム２ａとの間での受け渡し、プラズマ処理装置１からの搬出が行われてもよい。

＜エッジリングの変形例＞
図１１Ａ～図１１Ｃは、他の実施形態に係る内側エッジリング２２３の構成例を示す図である。
他の実施形態に係る内側エッジリング２２３においては、底面側に形成される複数、図示の例では３つの溝２２３ａ～２２３ｃのうち、少なくとも一の溝（図示の例では溝２２３ａ）を円形状で形成（図１１Ｂ）し、残り（図示の例では溝２２３ｂ、２２３ｃ）を長穴形状で形成（図１１Ｃ）するようにしてもよい。

一実施形態において、円形状を有する溝２２３ａは、その底面２２３ａ１において、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの幅（第５の幅Ｗ５）と略同一の直径（図１１の第１の直径Ｄ１）を有する。また、溝２２３ａの底面２２３ａ１は、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端部形状と嵌合する形状を有する。換言すれば、上側支持部分１３１ａの先端部は、内側エッジリング２２３に形成された溝２２３ａの底面２２３ａ１と面接触可能に構成される。
また、溝２２３ａの側面２２３ａ２は、底面２２３ａ１の第１の直径Ｄ１が下方（内側エッジリング２２３の底面）に向けて広がるように傾斜部（フレア形状）が形成されている。溝２２３ａの傾斜部下端は、少なくとも搬送装置２による内側エッジリング２２３の搬送精度よりも大きく形成されることが望ましい。

一実施形態において、長穴形状を有する溝２２３ｂ、２２３ｃは、上記実施形態で示した内側エッジリング１２３の溝１２３ａと同一の構造を有する。すなわち溝２２３ｂ、２２３ｃは内側エッジリング２２３の径方向に延伸する第３の幅Ｗ３が、当該径方向と直交する内側エッジリング２２３の周方向に延伸する第４の幅Ｗ４と比較して大きく形成され、その底面２２３ｂ１、２２３ｃ１は、特に第４の幅Ｗ４の延伸方向に対して、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端部形状と嵌合する形状を有する。また、溝２２３ｂ、２２３ｃの側面２２３ｂ２、２２３ｃ２には傾斜部が形成されている。溝１２３ａの傾斜部下端は、少なくとも搬送装置２による内側エッジリング１２３の搬送精度よりも大きく形成されることが望ましい。

上記実施形態で示したように、内側エッジリング１２３の底面に形成された３つの溝１２３ａ全てが長穴形状を有する場合、上記したように内側エッジリング１２３は溝１２３ａの長手方向に対してフリーな状態となるため、これにより内側エッジリング１２３が摺動して位置ズレの原因となるおそれがある。
そこで他の実施形態に係る内側エッジリング２２３においては、少なくとも１つの溝２２３ａを円形状で形成し、当該円形状の溝２２３ａを基点として内側エッジリング２２３の位置決めを行う。即ち、一実施形態に係るプラズマ処理システムは、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１、環状部材２２３、少なくとも３つの円柱状リフトピン１３１、及び少なくとも１つのアクチュエータ１３２を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置され、基板支持面１１０ａ及びリング支持面１１０ｂを有する。環状部材２２３は、リング支持面１１０ｂ上に配置され、下面に少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃを有する。少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃのうち第１の溝２２３ａは、上から見て円形状の底面２２３ａ１を有する。少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃのうち第２の溝２２３ｂ及び第３の溝２２３ｃは、環状部材２２３の径方向Ｒ３における第１の幅Ｗ３と、環状部材２２３の周方向Ｃ３における第２の幅Ｗ４とを有する底面２２３ｂ１、２２３ｃ１を有する。第２の幅Ｗ４は、第１の幅Ｗ３よりも小さい。少なくとも３つの円柱状リフトピン１３１は、リング支持面１１０ｂの下方に配置され、少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃの各々に対応する。少なくとも３つの円柱状リフトピン１３１の各々は、環状部材２２３の溝２２３ａ～２２３ｃの底面と接触することで環状部材２２３を下方から支持するように構成される。少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、少なくとも３つの円柱状リフトピン１３１を縦方向に移動させるように構成される。
これにより、略同一の大きさで形成された上側支持部分１３１ａの先端部と溝２２３ａの底面２２３ａ１が嵌合して面接触することから、内側エッジリング２２３とリフター１３０が少なくとも水平方向に摺動することが抑制される。また、残りの溝２２３ｂ、２２３ｃが長穴形状で形成されることから、上記した種々の要因により溝２２３ｂ、２２３ｃとリフトピン１３１の位置にズレが生じていた場合であっても、当該ズレを補正して適切にリフトピン１３１を溝２２３ｂ、２２３ｃへと導き、所望の位置へと内側エッジリング２２３を位置決めすることができる。

なお、上記実施形態では、少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃの内、１つの溝２２３ａを円形状で形成し、残りの溝２２３ｂ、２２３ｃを長穴形状で形成したが、例えば内側エッジリング２２３の位置決めを適切に行える場合には、少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃの各々が円形状で形成されてもよい。
換言すれば、一実施形態において、導電性リング１２３の少なくとも３つの溝２２３ａ～２２３ｃの各々は、リフトピン１３１の上側支持部分１３１ａの先端と嵌合可能な形状を有する底面２２３ａ１と、底面から下方に向けて広がるフレア状側面２２３ａ２と、によって規定される。

＜内側エッジリングに形成される溝の変形例＞
なお、内側エッジリングに形成される長穴形状の溝（内側エッジリング１２３の溝１２３ａ、内側エッジリング２２３の溝２２３ｂ、２２３ｃ）の断面形状は、上記実施形態に限定されるものではない。
例えば図１２Ａに示すように、溝１２３ａは略平坦面を有する平坦底面１２３ａ１’’と、平坦底面１２３ａ１’’から垂直下方に延在する垂直壁としての垂直側面１２３ａ３と、垂直側面１２３ａ３から下方に向けて広がる拡幅壁としてのフレア状側面１２３ａ２を有してもよい。この時、溝１２３ａの短手方向の第４の幅Ｗ４（垂直側面１２３ａ３部分の幅）は、リフトピン１３１に対して摺動可能にするために上側支持部分１３１ａの径（第５の幅Ｗ５）と比較して若干大きく形成されることが望ましい。この場合、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触方式は１点接触である。
例えば図１２Ｂに示すように、溝１２３ａは半球形状のリフトピン１３１の先端部（半球形状１３１ａ１）よりも大きな曲率を有する湾曲面により形成されていてもよい。換言すれば、溝１２３ａは湾曲形状の湾曲底面１２３ａ１’のみを有し、垂直側面１２３ａ３及びフレア状側面１２３ａ２を備えていなくてもよい。この時、溝１２３ａは、リフトピン１３１に対して摺動可能に構成される。この場合、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触方式は１点接触である。
例えば図１２Ｃに示すように、溝１２３ａは略平坦面を有する平坦底面１２３ａ１’’と、平坦底面１２３ａ１’’から下方に向けて幅が広がる拡幅壁としてのフレア状側面１２３ａ２を有してもよい。換言すれば、上記実施形態と比較して、図１２Ｃに示した例では平坦底面１２３ａ１’’はリフトピン１３１と嵌合する形状では形成されていない。この場合、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触方式は３点接触である。

また、上記の図５及び図１２Ａ～図１２Ｃに示した例においては、溝１２３ａの底面１２３ａ１（又は垂直側面１２３ａ３）から下方に向けて広がるフレア状側面１２３ａ２を、下方に向けて一定の割合で幅が広がる、側面視直線状の側面により構成したが、フレア状側面１２３ａ２は側面視湾曲状の側面により構成してもよい。
具体的に溝１２３ａは、図１２Ｄに一例として示すように、半球形状のリフトピン１３１の先端部（半球形状１３１ａ１）よりも大きな曲率を有する湾曲形状の湾曲底面１２３ａ１’と、湾曲底面１２３ａ１’から下方に向けて幅が広がり、上方（リフトピン１３１とは反対側）に向けて湾曲するフレア状湾曲側面１２３ａ４を有していてもよい。この場合、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触方式は１点接触である。

なお、フレア状湾曲側面１２３ａ４の曲率は特に限定されるものではない。換言すれば、本開示の技術に係るプラズマ処理装置１が備える内側エッジリング１２３には溝１２３ａが形成され、溝１２３ａは、底面１２３ａ１と、値が「０」以上の任意の曲率を有する１つ以上の側面（側面１２３ａ２、１２３ａ３及び１２３ａ４）により構成される。側面の曲率が「０」であるとは、側面が側面視直線状（側面１２３ａ２）であることを言う。曲率が「０」よりも大きいとは、側面が側面視湾曲状（側面１２３ａ４）であることを言う。

このように、溝１２３ａ（溝２２３ｂ、２２３ｃ）は任意の断面形状で形成され得る。この時、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触方式は断面形状により異なる。上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの位置合わせを容易にするという観点からは、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触面積は小さいほうが好ましい。また、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの設置精度を向上させるという観点からは、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触面積は大きいほうが好ましい。
このように、目的に応じて溝１２３ａ（溝２２３ｂ、２２３ｃ）の断面形状は適宜設計され得る。

また、内側エッジリングに形成される円形状の溝（内側エッジリング２２３の溝２２３ａ）の断面形状も、上記実施形態に限定されるものではない。
例えば図１３Ａに示すように、溝２２３ａは略平坦面を有する平坦底面２２３ａ１’’と、平坦底面２２３ａ１’’から垂直下方に延在する垂直壁としての垂直側面２２３ａ３と、垂直側面２２３ａ３から下方に向けて広がる拡幅壁としてのフレア状側面２２３ａ２を有してもよい。この時、溝２２３ａの第１の直径Ｄ１（垂直側面２２３ａ３部分の幅）は、リフトピン１３１の先端部を適切に平坦底面２２３ａ１’’に接触させるため、上側支持部分１３１ａの径（第５の幅Ｗ５）と比較して若干大きく形成されることが望ましい。また、この場合、上側支持部分１３１ａと溝１２３ａの接触方式は１点接触である。
例えば図１３Ｂに示すように、溝２２３ａは半球形状のリフトピン１３１の先端部よりも大きな曲率を有する湾曲面により形成されていてもよい。換言すれば、溝２２３ａは湾曲形状の湾曲底面２２３ａ１’のみを有し、フレア状側面２２３ａ２及び垂直側面２２３ａ３を備えていなくてもよい。この場合、上側支持部分１３１ａと溝２２３ａの接触方式は１点接触である。
例えば図１３Ｃに示すように、溝２２３ａは略平坦面を有する平坦底面２２３ａ１’’と、平坦底面２２３ａ１’’から下方に向けて幅が広がる拡幅壁としてのフレア状側面２２３ａ２を有してもよい。換言すれば、図１１に示した例と比較して、図１３Ｃに示した例では平坦底面２２３ａ１’’はリフトピン１３１と嵌合する形状では形成されていない。この場合、上側支持部分１３１ａと溝２２３ａの接触方式は３点接触である。
また図示は省略するが、円形状の溝２２３ａについても、図１２Ｄに示した例と同様に、フレア状側面１２３ａ２は側面視湾曲状の側面により構成してもよい。換言すれば、円形状の溝２２３ａは、図示しないフレア状湾曲側面を有していてもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

１ プラズマ処理装置
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１２ プラズマ生成部
１１０ｂ 環状領域
１２１ 絶縁性リング
１２１ａ 貫通孔
１２１ａ１ 上側孔部分
１２１ａ２ 下側孔部分
１２３ 内側エッジリング
１２３ａ 溝
１２３ａ１ 底面
１３１ リフトピン
１３１ａ 上側支持部分
１３１ｂ 下側支持部分
１３２ アクチュエータ
Ｗ１ 第１の幅
Ｗ２ 第２の幅
Ｗ３ 第３の幅
Ｗ４ 第４の幅

Claims (19)

1. プラズマ処理チャンバと、
   前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有する基板支持部と、
   前記リング支持面上に配置され、少なくとも３つの貫通孔を有する絶縁性リングであって、前記少なくとも３つの貫通孔の各々は、上側孔部分及び下側孔部分を有し、前記上側孔部分は、前記絶縁性リングの径方向における第１の幅と、前記絶縁性リングの周方向における第２の幅とを有し、前記第２の幅は、前記第１の幅よりも小さく、前記下側孔部分は、横から見て下方に向けて広がるフレア形状を有する、絶縁性リングと、
   前記絶縁性リングによって支持され、下面に前記少なくとも３つの貫通孔の各々に対応する少なくとも３つの溝を有する導電性リングであって、前記少なくとも３つの溝の各々は、前記導電性リングの径方向における第３の幅と、前記導電性リングの周方向における第４の幅とを有し、前記第４の幅は、前記第３の幅よりも小さい、導電性リングと、
   前記リング支持面の下方に配置され、前記少なくとも３つの溝の各々に対応する少なくとも３つのリフトピンであって、前記少なくとも３つのリフトピンの各々は、上側支持部分及び下側支持部分を有し、前記上側支持部分は、前記絶縁性リングの前記貫通孔を介して前記導電性リングの前記溝の底面と接触することで前記導電性リングを下方から支持するように構成され、前記下側支持部分は、前記下側孔部分を規定する前記絶縁性リングの傾斜面と接触することで前記絶縁性リングを下方から支持するように構成される、少なくとも３つのリフトピンと、
   前記少なくとも３つのリフトピンを縦方向に移動させるように構成される少なくとも１つのアクチュエータと、を含む、プラズマ処理装置。
2. 前記リフトピンの前記下側支持部分は、前記絶縁性リングの周方向において前記傾斜面と接触することなく、前記絶縁性リングの径方向において前記傾斜面と２点で接触するように構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記絶縁性リングの前記少なくとも３つの貫通孔の各々は、上から見て矩形形状を有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記上側支持部分は、前記第２の幅よりも小さい第１の直径を有する円柱形状を有し、前記下側支持部分は、前記第２の幅よりも大きい第２の直径を有する円柱形状を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記リフトピンの前記上側支持部分の先端は、半球形状を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記リフトピンの前記上側支持部分の先端は、平坦面を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記導電性リングの前記少なくとも３つの溝の各々は、
   平坦底面と、
   前記平坦底面から下方に延在する垂直側面と、
   前記垂直側面から下方に向けて広がるフレア状側面と、によって規定される、請求項１～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記導電性リングの前記少なくとも３つの溝の各々は、湾曲底面によって規定される、請求項１～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記導電性リングの前記少なくとも３つの溝の各々は、
   平坦底面と、
   前記平坦底面から下方に向けて広がるフレア状側面と、によって規定される、請求項１～６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記導電性リングの前記少なくとも３つの溝の各々は、
    前記リフトピンの前記上側支持部分の先端と嵌合可能な形状を有する底面と、
    前記底面から下方に向けて広がるフレア状側面と、を有する、請求項１～６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記導電性リング及び前記絶縁性リングの周囲を囲むように配置される追加の導電性リングを更に含み、前記追加の導電性リングの少なくとも一部は、前記絶縁性リングの外側部分と縦方向に重複する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
12. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有する基板支持部と、
    前記リング支持面上に配置され、下面に少なくとも３つの溝を有する環状部材であって、前記少なくとも３つの溝のうち第１の溝は、上から見て円形状の底面を有し、前記少なくとも３つの溝のうち第２の溝及び第３の溝は、前記環状部材の径方向における第１の幅と、前記環状部材の周方向における第２の幅とを有する底面を有し、前記第２の幅は、前記第１の幅よりも小さい、環状部材と、
    前記リング支持面の下方に配置され、前記少なくとも３つの溝の各々に対応する少なくとも３つの円柱状リフトピンであって、前記少なくとも３つの円柱状リフトピンの各々は、前記環状部材の前記溝の底面と接触することで前記環状部材を下方から支持するように構成される、少なくとも３つの円柱状リフトピンと、
    前記少なくとも３つの円柱状リフトピンを縦方向に移動させるように構成される少なくとも１つのアクチュエータと、を含む、プラズマ処理装置。
13. 前記円柱状リフトピンの先端は、半球形状を有する、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記円柱状リフトピンの先端は、平坦面を有する、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記環状部材の前記少なくとも３つの溝の各々は、
    平坦底面と、
    前記平坦底面から下方に延在する垂直側面と、
    前記垂直側面から下方に向けて広がるフレア状側面と、によって規定される、請求項１２又は１３に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記環状部材の前記少なくとも３つの溝の各々は、湾曲底面によって規定される、請求項１２又は１３に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記環状部材の前記少なくとも３つの溝の各々は、
    平坦底面と、
    前記平坦底面から下方に向けて広がるフレア状側面と、によって規定される、請求項１２～１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
18. 前記環状部材の前記少なくとも３つの溝の各々は、
    前記円柱状リフトピンの先端と嵌合可能な形状を有する底面と、
    前記底面から下方に向けて広がるフレア状側面と、によって規定される、請求項１２～１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
19. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有する基板支持部と、
    前記リング支持面上に配置され、少なくとも３つの貫通孔を有する第１の環状部材であって、前記少なくとも３つの貫通孔の各々は、上側孔部分及び下側孔部分を有し、前記上側孔部分は、第１の方向における第１の幅と、前記第１の方向と直交する第２の方向における第２の幅とを有し、前記第２の幅は、前記第１の幅よりも小さく、前記下側孔部分は、横から見て下方に向けて広がるフレア形状を有する、第１の環状部材と、
    前記第１の環状部材によって支持され、下面に前記少なくとも３つの貫通孔の各々に対応する少なくとも３つの溝を有する第２の環状部材であって、前記少なくとも３つの溝の各々は、第３の方向における第３の幅と、前記第３の方向と直交する第４の方向における第４の幅とを有し、前記第４の幅は、前記第３の幅よりも小さい、第２の環状部材と、
    前記リング支持面の下方に配置され、前記少なくとも３つの溝の各々に対応する少なくとも３つのリフトピンであって、前記少なくとも３つのリフトピンの各々は、上側支持部分及び下側支持部分を有し、前記上側支持部分は、前記第１の環状部材の前記貫通孔を介して前記第２の環状部材の前記溝の底面と接触することで前記第２の環状部材を下方から支持するように構成され、前記下側支持部分は、前記下側孔部分を規定する前記第１の環状部材の傾斜面と接触することで前記第１の環状部材を下方から支持するように構成される、少なくとも３つのリフトピンと、
    前記少なくとも３つのリフトピンを縦方向に移動させるように構成される少なくとも１つのアクチュエータと、を含む、プラズマ処理装置。
    

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