WO2025201071A1 - 用于半导体工艺设备的喷淋结构及半导体工艺设备 - Google Patents

用于半导体工艺设备的喷淋结构及半导体工艺设备

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WO2025201071A1
WO2025201071A1 PCT/CN2025/082306 CN2025082306W WO2025201071A1 WO 2025201071 A1 WO2025201071 A1 WO 2025201071A1 CN 2025082306 W CN2025082306 W CN 2025082306W WO 2025201071 A1 WO2025201071 A1 WO 2025201071A1
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WO
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chamber
cleaning
port
cavity
spray
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Application number
PCT/CN2025/082306
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English (en)
French (fr)
Inventor
刘俊义
许璐
谷彦龙
王文静
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Publication of WO2025201071A1 publication Critical patent/WO2025201071A1/zh
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/55—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof

Definitions

  • the present application belongs to the field of semiconductor technology, and specifically relates to a spray structure for semiconductor process equipment and semiconductor process equipment.
  • the purpose of the embodiments of the present application is to provide a spray structure for semiconductor process equipment and semiconductor process equipment, which can at least solve problems such as shower head clogging.
  • An embodiment of the present application provides a spray structure for semiconductor process equipment, the spray structure comprising a spray head and a liquid discharge cleaning assembly corresponding to the spray head, the liquid discharge cleaning assembly comprising: a cleaning component;
  • the internal spaces of the protection chamber, the drying chamber, and the cleaning chamber are connected to the internal space of the accommodating chamber through a first channel, a second channel, and a third channel, respectively;
  • the present application also provides a semiconductor process equipment, comprising: a process chamber, a carrying device and the above-mentioned spray structure;
  • the carrying device is arranged in the process chamber and is used to carry the wafer
  • the spray structure further includes a spray arm, which is disposed in the process chamber.
  • the spray head is connected to the spray arm and is used to spray process liquid onto the wafers carried by the carrying device.
  • the cleaning component is arranged in the process chamber
  • the shower head is arranged opposite to the accommodating cavity.
  • process liquid in a working state, can be sprayed through the spray head to facilitate process processing of the wafer; in a non-working state, liquid can be drained or the spray head can be cleaned through a liquid drainage and cleaning component, specifically including: the first port of the accommodating cavity can receive the residual liquid dripping from the spray head and discharge it through the second port; when the spray head needs to be cleaned, the spray head can also be located in the accommodating cavity; when the spray head and the cleaning cavity are arranged correspondingly, the cleaning liquid in the cleaning cavity can be sprayed to the spray head through the third channel, thereby cleaning the spray head to clean out the crystals accumulated in the spray head, effectively alleviating the blockage of the spray head.
  • the shower head after cleaning, can also be set corresponding to the drying chamber, and the drying gas in the drying chamber can be blown to the shower head through the second channel, so that the shower head after cleaning can be dried to prevent the residual cleaning liquid on the shower head and affect the process effect; in addition, during the cleaning or drying process, the protective gas in the protective chamber can be blown to the containing chamber through the first channel, and an air curtain is formed in the containing chamber, so as to block the droplets splashed during the cleaning or drying process to prevent the droplets from flying around and splashing into the process chamber and affecting the subsequent process effect.
  • FIG1 is a schematic diagram of a chuck, a recovery pot, a spray arm, a spray head, and a drain box in the related art
  • FIG2 is a schematic diagram of a structure including a spray arm, a spray head, and a liquid drain box in the related art
  • FIG3 is a schematic diagram of a drain cleaning assembly disclosed in an embodiment of the present application.
  • FIG4 is a schematic diagram of a cleaning component disclosed in an embodiment of the present application.
  • FIG5 is a partial schematic diagram of the protection cavity disclosed in an embodiment of the present application.
  • FIG6 is a partial schematic diagram of a drying chamber disclosed in an embodiment of the present application.
  • FIG7 is a partial schematic diagram of a cleaning chamber disclosed in an embodiment of the present application.
  • FIG8 is a schematic diagram of a spray structure disclosed in an embodiment of the present application, wherein the spray head is located outside the accommodating cavity;
  • FIG9 is a schematic diagram of a spray structure disclosed in an embodiment of the present application, wherein the spray head is located within the accommodating cavity and is arranged corresponding to the cleaning cavity;
  • FIG13 is a schematic diagram of a semiconductor process equipment disclosed in an embodiment of the present application.
  • first,” “second,” and the like in the specification and claims of this application are used to distinguish similar objects, and are not used to describe a specific order or precedence. It should be understood that the terms used in this manner are interchangeable where appropriate, so that the embodiments of this application can be implemented in an order other than that illustrated or described herein, and that the objects distinguished by "first,” “second,” and the like are generally of the same type, and do not limit the number of objects; for example, the first object can be one or more.
  • the term “and/or” in the specification and claims refers to at least one of the connected objects, and the character “/" generally indicates that the objects connected are in an "or” relationship.
  • a process chamber in the related art is provided with a chuck 01, a recovery pot 02, a spray arm 03, a spray head 04, and a drain box 05.
  • the drain box 05 is a circular cup-shaped structure.
  • the internal space of the drain box 05 has openings at both the upper and lower ends of the drain box 05.
  • the upper opening faces the spray head 04, and the lower opening is connected to the factory drainage.
  • the chuck 01 and the recovery pot 02 are located in the middle of the process chamber.
  • the chuck 01 is used to clamp the wafer.
  • the recovery pot 02 is concentric with the chuck 01 and is used to recover the liquid used in the process.
  • the spray arm 03 can be selectively located above the recovery pot 02 or the chuck 01 in the process chamber.
  • the spray arm 03 sprays the liquid onto the wafer through the spray head 04.
  • the drain box 05 receives the liquid dripping from the spray head 04.
  • a plurality of spray arms 03 , a plurality of spray heads 04 and a plurality of drain boxes 05 are provided in the process chamber.
  • the plurality of spray heads 04 are connected to the plurality of spray arms 03 in a one-to-one correspondence.
  • the plurality of drain boxes 05 are respectively used to receive the liquid medicine dripping from the plurality of spray heads 04 .
  • each spray arm 03 drives the spray head 04 to repeat the above action; after the process is completed, each spray head 04 returns to its original position again and is located directly above the corresponding drain box 05, so that the chemical liquid remaining in the spray head 04 can drip into the drain box 05.
  • the liquid in the shower head 04 is prone to react and generate crystals, causing blockage of the shower head 04 and affecting the normal use of the shower head 04.
  • the crystals are also prone to fall off from the shower head 04 and fall onto the wafer surface, thereby affecting the product yield.
  • the first port 1111 can be located at the top of the accommodating cavity 111, and the second port 1112 can be located at the bottom of the accommodating cavity 111.
  • the spray head 142 can enter the accommodating cavity 111 from top to bottom, and the cleaning waste liquid can be discharged along the second port 1112 under the action of gravity.
  • the protection chamber 112, the drying chamber 113, and the cleaning chamber 114 are all disposed on the periphery of the accommodating chamber 111 and arranged along the direction from the first port 1111 to the second port 1112. In this way, different processing steps can be performed on the shower head 142 located in the accommodating chamber 111 to achieve a cleaning process for the shower head 142.
  • the protection chamber 112, the drying chamber 113, and the cleaning chamber 114 can be disposed sequentially along the direction from the first port 1111 to the second port 1112.
  • the protection chamber 112, the cleaning chamber 114, and the drying chamber 113 can also be disposed sequentially along the direction from the first port 1111 to the second port 1112. As long as the protection chamber 112 can be located close to the first port 1111, the specific arrangement is not limited.
  • the cleaning component 11 may be an integrated structure.
  • the cleaning component 11 may be divided into a receiving chamber 111, a protective chamber 112, a drying chamber 113, and a cleaning chamber 114.
  • the protective chamber 112 and the receiving chamber 111 may share a common sidewall
  • the drying chamber 113 and the receiving chamber 111 may share a common sidewall
  • the cleaning chamber 114 and the receiving chamber 111 may share a common sidewall
  • the protective chamber 112 and the drying chamber 113 may share a common sidewall
  • the drying chamber 113 and the cleaning chamber 114 may share a common sidewall.
  • the protective gas can enter the protective cavity 112 through the first through hole 1121, and then enter the accommodating cavity 111 through the first channel 1151, and can form an air curtain in the area near the first port 1111 in the accommodating cavity 111.
  • the air curtain can block the cleaning liquid splashed during the cleaning process, thereby preventing the cleaning liquid from splashing into the process chamber 20 through the first port 1111 and affecting the process effect.
  • the spray head 142 may move back and forth in the direction from the first port 1111 to the second port 1112, or the cleaning component 11 may move back and forth in the direction from the first port 1111 to the second port 1112.
  • both the spray head 142 and the cleaning component 11 may move back and forth in the direction from the first port 1111 to the second port 1112. All of the above methods can change the position of the spray head 142 in the accommodating cavity 111, so that the spray head 142 can be opposite to the third channel 1153 or the second channel 1152, thereby realizing switching between comprehensive cleaning and comprehensive drying of the spray head 142.
  • the spray structure in the embodiment of the present application can not only realize the process treatment of the wafer, but also receive and discharge the process liquid dripping from the spray head 142 in the non-process state to prevent the process liquid from dripping randomly and causing pollution. It can also realize the cleaning of the spray head 142 in the non-process state to ensure that the spray head 142 will not be blocked or cause process pollution.
  • the above-mentioned inclination angle range can be 50° to 70°, which can not only alleviate the splashing of the cleaning liquid into the process chamber 20, but also prevent the angle from being too large, thereby reducing the contact area between the cleaning liquid and the shower head 142 and ultimately affecting the cleaning effect.
  • the internal space of the cleaning chamber 114 can be connected to the internal space of the accommodating chamber 111 through multiple layers of third channels 1153, and the multiple layers of third channels 1153 are arranged along the direction from the first port 1111 to the second port 1112, and each layer includes several third channels 1153.
  • multiple layers of cleaning liquid can be sprayed toward the spray head 142 from around the spray head 142, thereby further increasing the cleaning area of the spray head 142 and further improving the cleaning efficiency and cleaning effect.
  • the second channel 1152 can be extended obliquely toward the second port 1112 along the direction from the drying chamber 113 to the receiving chamber 111, as shown in Figure 6. Based on this, the drying gas ejected through the second channel 1152 can be tilted at a certain angle toward the second port 1112, so that the blown cleaning liquid has a certain speed in the direction toward the second port 1112.
  • the cleaning liquid splashed during the drying process is affected by the pressure of the drying gas and flows with the drying gas toward the second port 1112, thereby reducing the splashing of the blown cleaning liquid toward the first port 1111, which helps to solve the problem of the blown cleaning liquid splashing into the process chamber 20 and affecting the cleanliness of the process chamber 20.
  • the second channel 1152 extends obliquely toward the second port 1112 at an angle ranging from 30° to 80°, for example, including 30°, 40°, 50°, 55°, 60°, 65°, 70°, 80°, etc. Of course, it can also be other degrees, which are not specifically limited here.
  • This design can reduce the amount of cleaning liquid splashing into the area of the shower head 142 facing the first port 1111, and alleviate the cleaning liquid from splashing into the process chamber 20.
  • the above-mentioned inclination angle can be in the range of 50° to 70°, which can not only alleviate the splashing of droplets into the process chamber 20, but also prevent the contact area between the drying gas and the shower head 142 from being reduced due to an excessively large angle, thereby affecting the drying effect.
  • the drying chamber 113 is arranged around the outer periphery of the accommodating chamber 111.
  • the internal space of the drying chamber 113 can be connected to the internal space of the accommodating chamber 111 through multiple second channels 1152, and the multiple second channels 1152 are arranged along the circumference of the accommodating chamber 111. In this way, dry gas can be blown out from a circle around the spray head 142 through the multiple second channels 1152 to increase the drying area of the spray head 142, thereby improving the drying efficiency and drying effect.
  • the internal space of the drying chamber 113 can be connected to the internal space of the accommodating chamber 111 through multiple layers of second channels 1152, and the multiple layers of second channels 1152 are arranged in the direction from the first port 1111 to the second port 1112, and each layer includes a plurality of second channels 1152.
  • multiple layers of drying gas can be blown out from around the shower head 142 to the shower head 142, thereby further increasing the drying area of the shower head 142 and further improving the drying efficiency and drying effect.
  • the drain cleaning assembly 10 may further include a lifting mechanism 12, as shown in Figures 3, 8, 9, and 10.
  • the lifting mechanism 12 is connected to the cleaning component 11 and is configured to drive the cleaning component 11 up and down, wherein the lifting direction is parallel to the direction from the first port 1111 to the second port 1112. Based on this, the lifting mechanism 12 can drive the cleaning component 11 up and down, allowing the spray head 142 to enter the receiving chamber 111 and move the third channel 1153 to a position corresponding to the spray head 142 to clean the spray head 142.
  • the second channel 1152 can also be moved to a position corresponding to the spray head 142 to dry the spray head 142.
  • the shower head 142 When the shower head 142 needs to be cleaned, the shower head 142 is placed into the accommodating cavity 111 and cleaned by the drainage cleaning assembly 10 to ensure the cleanliness of the shower head 142 and prevent the shower head 142 from being blocked and affecting the process effect.
  • the spray head 142 In the non-working state, the spray head 142 is located directly above the accommodating cavity 111 , and the spray head 142 can be cleaned. At this time, the cleaning component 11 is driven by the lifting mechanism 12 to perform a lifting motion.
  • the lifting mechanism 12 drives the cleaning component 11 to rise, so that the spray head 142 enters the accommodating chamber 111, and the cleaning chamber 114 is set corresponding to the spray head 142; the protection program and the drying program are started, and PN2 is introduced into the protection chamber 112 and the drying chamber 113 respectively.
  • the flow rate of PN2 introduced into the protection chamber 112 is set to approximately 1L, and the flow rate of PN2 introduced into the drying chamber 113 is set to be relatively small, approximately 0.5L; the cleaning program is started, and UPW is introduced into the cleaning chamber 114 to start the cleaning work, ensuring that the spray head 142 is cleaned and the upper area of the spray head 142 remains dry.
  • the cleaning time can be determined according to the usage time of the spray structure.
  • the lifting mechanism 12 drives the cleaning component 11 to descend a certain distance so that the drying chamber 113 and the spray head 142 are set correspondingly, and the flow rate of PN 2 entering the drying chamber 113 is switched to about 2L.
  • the drying time can be set according to the actual working conditions.
  • the introduction of PN 2 into the drying chamber 113 is stopped first, and then after a delay of a period of time (eg, 2s-3s), the introduction of PN 2 into the protection chamber 112 is stopped. At this point, the entire cleaning process is completed.
  • a period of time eg, 2s-3s

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract

本申请公开了一种喷淋结构及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种喷淋结构包括喷淋头和排液清洁组件，排液清洁组件包括：清洁部件；清洁部件包括容纳腔体、保护腔体、干燥腔体和清洗腔体，容纳腔体的两端分别设有第一端口和第二端口，保护腔体、干燥腔体和清洗腔体均设于容纳腔体的外周，并沿自第一端口至第二端口方向设置；保护腔体、干燥腔体和清洗腔体各自的内部空间分别通过第一通道、第二通道和第三通道与容纳腔体的内部空间连通；保护腔体设有用于接收保护气体的第一通孔，干燥腔体设有用于接收干燥气体的第二通孔，清洗腔体设有用于接收清洗液的第三通孔。一种半导体工艺设备，包括上述喷淋结构。本申请至少能够解决喷淋头堵塞等问题。

Description

用于半导体工艺设备的喷淋结构及半导体工艺设备 技术领域
本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种用于半导体工艺设备的喷淋结构及半导体工艺设备。
背景技术
在芯片生产流程中，清洗工序占据很大比例，随着芯片生产越来越先进精密，清洗的工艺要求也会有所提高，因此单片清洗设备在工艺流程中占的比例越来越大，清洗设备通过喷淋结构给晶圆提供工艺所需的工艺液体，喷洒到晶圆的表面进行刻蚀。使用的工艺液体会有一部分是无机酸、碱，与晶圆反应或者与空气反应生成无机盐，无机盐呈晶体状，随着长时间使用会附着在喷淋结构上，其中喷淋头上聚集的晶体最为严重，长期聚集的话会导致喷淋头堵塞或者是在工艺过程中脱落至晶圆表面，导致影响工艺效果。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种用于半导体工艺设备的喷淋结构及半导体工艺设备，至少能够解决喷淋头堵塞等问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
本申请实施例提供了一种用于半导体工艺设备的喷淋结构，所述喷淋结构包括喷淋头以及与所述喷淋头对应设置的排液清洁组件，所述排液清洁组件包括：清洁部件；
所述清洁部件包括容纳腔体、保护腔体、干燥腔体和清洗腔体，所述容纳腔体的两端分别设有第一端口和第二端口，所述第一端口用于进出所述喷淋头，所述第二端口用于排液，所述保护腔体、所述干燥腔体和所述清洗腔体均设于所述容纳腔体的外周，并沿自所述第一端口至所述第二端口的方向设置；
所述保护腔体、所述干燥腔体和所述清洗腔体各自的内部空间分别通过第一通道、第二通道和第三通道，与所述容纳腔体的内部空间连通；
所述保护腔体设有用于接收保护气体的第一通孔，所述干燥腔体设有用于接收干燥气体的第二通孔，所述清洗腔体设有用于接收清洗液的第三通孔。
本申请还提供了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、承载装置以及上述喷淋结构；
所述承载装置设于所述工艺腔室内，用于承载晶圆；
所述喷淋结构还包括喷淋臂，所述喷淋臂设于所述工艺腔室内，所述喷淋头与所述喷淋臂连接，用于向所述承载装置所承载的晶圆喷淋工艺液体；
所述清洁部件设于所述工艺腔室内；
在非工艺状态下，所述喷淋头与所述容纳腔体相对设置。
本申请实施例中，在工作状态下，通过喷淋头可以喷淋工艺液体，以便于对晶圆进行工艺处理；在非工作状态下，通过排液清洁组件可以进行排液或者对喷淋头进行清洗，具体包括：通过容纳腔体的第一端口可以承接喷淋头滴落的残液并经由第二端口排出；当需要清洁喷淋头时，还可以使喷淋头位于容纳腔体中；在喷淋头与清洗腔体对应设置的情况下，清洗腔体中的清洗液可以通过第三通道喷向喷淋头，从而可以对喷淋头起到清洗作用，以清洗掉喷淋头内积聚的晶体，有效缓解喷淋头堵塞的问题，并且还可以缓解喷淋头内的晶体脱落而影响工艺效果的问题；清洗完成后，喷淋头还可以与干燥腔体对应设置，干燥腔体内的干燥气体可以经由第二通道吹向喷淋头，从而可以对清洗后的喷淋头进行干燥处理，以防止喷淋头上残留清洗液而影响工艺效果；另外，在清洗或干燥过程中，保护腔体内的保护气体可以经由第一通道吹向容纳腔体内，并在容纳腔体内形成气帘，从而可以对清洗或干燥过程飞溅的液滴进行阻挡，以防止液滴乱飞以及飞溅至工艺腔室内而影响后续的工艺效果。
附图说明
图1为相关技术中的卡盘、回收锅、喷淋臂、喷淋头和排液盒等结构的示意图；
图2为相关技术中的喷淋臂、喷淋头和排液盒等结构的示意图；
图3为本申请实施例公开的排液清洁组件的示意图；
图4为本申请实施例公开的清洁部件的示意图；
图5为本申请实施例公开的保护腔体的局部示意图；
图6为本申请实施例公开的干燥腔体的局部示意图；
图7为本申请实施例公开的清洗腔体的局部示意图；
图8为本申请实施例公开的喷淋结构的示意图，其中，喷淋头位于容纳腔体之外；
图9为本申请实施例公开的喷淋结构的示意图，其中，喷淋头位于容纳腔体之内，并与清洗腔体对应设置；
图10为本申请实施例公开的喷淋结构的示意图，其中，喷淋头位于容纳腔体之内，并与干燥腔体对应设置；
图11为本申请实施例公开的排液清洁组件、供气管路和供液管路的示意图；
图12为本申请实施例公开的喷淋结构的俯视图；
图13为本申请实施例公开的半导体工艺设备的示意图。
附图标记说明：
01-卡盘；02-回收锅；02-喷淋臂；04-喷淋头；05-排液盒；
10-排液清洁组件；
11-清洁部件；
111-容纳腔体；1111-第一端口；1112-第二端口；
112-保护腔体；1121-第一通孔；
113-干燥腔体；1131-第二通孔；
114-清洗腔体；1141-第三通孔；
1151-第一通道；1152-第二通道；1153-第三通道；
116-排液管；
12-升降机构；121-驱动部件；122-支架；1221-避让孔；123-套筒；
131-第一供气管路；132-第二供气管路；133-供液管路；
141-喷淋臂；142-喷淋头；
20-工艺腔室；30-承载装置。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。
参考图1和图2，相关技术中的一种工艺腔体，工艺腔体内设有卡盘01、回收锅02、喷淋臂03、喷淋头04和排液盒05等结构。排液盒05为圆形杯状结构，排液盒05的内部空间在排液盒05的上下两端均具有开口，上端开口正对喷淋头04，下端开口与厂务排液连接。卡盘01和回收锅02位于工艺腔体的中间位置，卡盘01用于夹持晶圆，回收锅02与卡盘01同心，用于回收工艺过程中使用的药液；喷淋臂03能够选择性地位于工艺腔体中回收锅02或卡盘01的上方，喷淋臂03通过喷淋头04向晶圆喷淋药液；排液盒05承接喷淋头04滴落的药液。示例性地，工艺腔体内设有多个喷淋臂03、多个喷淋头04和多个排液盒05，多个喷淋头04与多个喷淋臂03一一对应连接，多个排液盒05分别用于承接多个喷淋头04滴落的药液。
在进行工艺之前，每个喷淋头04位于原位，即位于相应的排液盒05正上方；在工艺时，卡盘01携带晶圆旋转，每个喷淋臂03自图1所示的原位在图1的俯视方向上逆时针旋转，并使相应的喷淋头04运动至卡盘01圆心位置的上方进行喷淋，与此同时，每个喷淋臂03还会以一定的速度顺时针向原位方向旋转，随着喷淋臂03的顺时针旋转，通过喷淋头04向卡盘01上的晶圆表面喷洒药液，药液在离心力的作用下会在晶圆的表面得以扩散，从而实现对晶圆的工艺处理，整个工艺过程中，每个喷淋臂03带动喷淋头04重复上述动作；工艺结束后，每个喷淋头04再次回到原位，并位于相应的排液盒05正上方，以便于喷淋头04残留的药液能够滴入排液盒05中。
然而，经过长时间使用后，喷淋头04内的药液容易发生反应而生成晶体，对喷淋头04造成堵塞，影响喷淋头04的正常使用，并且，在工艺过程中，晶体还容易从喷淋头04脱落而掉落至晶圆表面，从而影响产品良率。
基于上述情况，本申请实施例公开了一种用于半导体工艺设备的喷淋结构，包括喷淋头142以及与喷淋头142对应设置的排液清洁组件10。其中，排液清洁组件10用于对半导体工艺设备中喷射工艺液体的喷淋头142进行清洁，以防止喷淋头142堵塞或掉落晶体。参考图3至图13，所公开的排液清洁组件10包括：清洁部件11。
参考图3和图4，清洁部件11包括容纳腔体111、保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114。其中，容纳腔体111用于为喷淋头142提供放置空间，并且为清洁喷淋头142提供清洁环境，同时，还可以用于承接喷淋头142滴落的工艺液体。在工艺情况下，喷淋头142位于工艺腔室20内的承载装置30上方，以便于向位于承载装置30上的晶圆喷洒工艺液体，实现对晶圆的工艺处理。经过长时间的工艺之后，喷淋头142内容易积聚工艺液体结成的晶体，从而造成喷淋头142堵塞，影响正常的工艺过程。基于此，可以使喷淋头142置于容纳腔体111内，并在容纳腔体111内进行清洁处理，以清除掉喷淋头142处的晶体，防止喷淋头142被堵塞。
一些实施例中，容纳腔体111的两端分别设有第一端口1111和第二端口1112，如图4所示。其中，第一端口1111用于进出喷淋头142，还可以用于承接喷淋头142滴落的工艺液体，第二端口1112用于排液。在需要对喷淋头142进行清洁处理的情况下，可以使喷淋头142经由第一端口1111进入至容纳腔体111内，并进行清洁处理，清洁过程产生的废液可以沿着第二端口1112排出，以防止清洁废液在容纳腔体111内积聚而影响对喷淋头142的清洁过程。
在实际工况下，第一端口1111可以位于容纳腔体111的顶部，第二端口1112可以位于容纳腔体111的底部，此种情况下，可以使喷淋头142从上至下进入至容纳腔体111内，并使清洁废液在重力作用下沿第二端口1112排出。
本申请实施例中，保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114均设于容纳腔体111的外周，并沿自第一端口1111至第二端口1112的方向设置，如此，可以对位于容纳腔体111内的喷淋头142进行不同的处理步骤，以实现对喷淋头142的清洁处理。其中，保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114可以沿自第一端口1111至第二端口1112的方向依次设置，当然，还可以是保护腔体112、清洗腔体114和干燥腔体113沿自第一端口1111至第二端口1112的方向依次设置，只要能够使保护腔体112位于靠近第一端口1111的位置即可，具体布置形式不受限制。
示例性地，容纳腔体111可以为圆筒结构，圆筒结构的两端分别贯通，形成第一端口1111和第二端口1112；保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114均可以为圆环结构，分别套设在容纳腔体111的外侧，并沿自第一端口1111向第二端口1112的方向设置，以便于在不同的区域对喷淋头142进行不同的处理步骤。当然，容纳腔体111的横截面不仅限于圆形，相应地，保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114各自的横截面也不仅限于圆环形，还可以是其他形状，具体可以根据实际工况而设定。
一些实施例中，容纳腔体111、保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114可以分别为独立的结构，通过后期拼装形成整个清洁部件11。此种方式可以降低制造难度。
另一些实施例中，清洁部件11还可以为一体结构，此种情况下，清洁部件11整体可以被分隔开，形成容纳腔体111、保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114，并且，保护腔体112与容纳腔体111之间可以具有共同的侧壁，干燥腔体113与容纳腔体111之间具有共同的侧壁，清洗腔体114与容纳腔体111之间具有共同的侧壁，保护腔体112与干燥腔体113之间具有共同的侧壁，干燥腔体113与清洗腔体114之间具有共同的侧壁。此种方式可以节约清洁部件11的制造材料，降低成本。
为实现对喷淋头142的清洁处理，保护腔体112的内部空间通过第一通道1151与容纳腔体111的内部空间连通，干燥腔体113的内部空间通过第二通道1152与容纳腔体111的内部空间连通，清洗腔体114的内部空间通过第三通道1153与容纳腔体111的内部空间连通；另外，保护腔体112设有用于接收保护气体(如，PN2等)的第一通孔1121，干燥腔体113设有用于接收干燥气体(如，PN2等)的第二通孔1131，清洗腔体114设有用于接收清洗液(如，UltraPure Water，UPW)的第三通孔1141。
在一些实施例中，如图11所示，排液清洁组件10还可以包括第一供气管路131、第二供气管路132和供液管路133。其中，第一供气管路131与第一通孔1121连通，以便于通过第一通孔1121向保护腔体112内通入保护气体；第二供气管路132与第二通孔1131连通，以便于通过第二通孔1131向干燥腔体113内通入干燥气体；供液管路133与第三通孔1141连通，以便于通过第三通孔1141向清洗腔体114内通入清洗液。
基于上述设置，清洗液可以经由第三通孔1141进入清洗腔体114，而后经由第三通道1153进入容纳腔体111内，并喷向位于容纳腔体111内的喷淋头142，从而实现对喷淋头142的清洗，以去除喷淋头142内积聚的晶体，有效缓解喷淋头142堵塞的问题；待清洗完成后，干燥气体可以经由第二通孔1131进入干燥腔体113，而后经由第二通道1152进入容纳腔体111内，并喷向位于容纳腔体111内的喷淋头142，从而实现对喷淋头142的干燥，以去除喷淋头142附着的清洗液，保证喷淋头142干燥，防止喷淋头142将清洗液带入工艺腔室20而影响工艺效果。
并且，在清洗的同时，保护气体可以经由第一通孔1121进入保护腔体112，而后经由第一通道1151进入容纳腔体111内，并且可以在容纳腔体111内靠近第一端口1111的区域形成气帘，通过气帘可以对清洗过程中飞溅的清洗液起到阻挡作用，从而可以防止清洗液经由第一端口1111溅入工艺腔室20内而影响工艺效果。
在干燥的同时，保护气体同样可以经由第一通孔1121进入保护腔体112，而后经由第一通道1151进入容纳腔体111内，并且可以在容纳腔体111内靠近第一端口1111的区域形成气帘，通过气帘可以对干燥过程中吹起的清洗液起到阻挡作用，从而可以防止清洗液经由第一端口1111溅入工艺腔室20内而影响工艺效果。
此处需要说明的是，保护腔体112、干燥腔体113和清洗腔体114可以沿自第一端口1111至第二端口1112的方向依次设置，在喷淋头142进入容纳腔体111之后，为了实现在对喷淋头142的清洗和干燥之间切换，喷淋头142在容纳腔体111内可以相对于清洁部件11移动，以改变喷淋头142相对于第二通道1152和第三通道1153的位置，从而实现在对喷淋头142的全面清洗和全面干燥之间切换。
在一些实施例中，可以是喷淋头142在自第一端口1111至第二端口1112的方向上来回移动，还可以是清洁部件11在自第一端口1111至第二端口1112的方向上来回移动，当然，还可以是喷淋头142和清洁部件11均在自第一端口1111至第二端口1112的方向上来回移动，上述各种方式均可以改变喷淋头142在容纳腔体111内的位置，从而使喷淋头142能够与第三通道1153或第二通道1152相对，进而实现在对喷淋头142的全面清洗和全面干燥之间切换。
本申请实施例中，在工作状态下，通过喷淋头142可以喷淋工艺液体，以便于对晶圆进行工艺处理；在非工作状态下，可以通过排液清洁组件10承接并排出喷淋头142滴落的工艺液体，还可以对喷淋头142进行清洗，具体包括：通过容纳腔体111的第一端口1111可以承接非工作状态下喷淋头142滴落的残液并经由第二端口1112排出；当需要清洁喷淋头142时，在喷淋头142与清洗腔体114对应设置的情况下，清洗腔体114中的清洗液可以通过第三通道1153喷向喷淋头142，从而可以对喷淋头142起到清洗作用，以清洗掉喷淋头142内积聚的晶体，有效缓解喷淋头142堵塞的问题，并且还可以缓解喷淋头142内的晶体脱落而影响工艺效果的问题；清洗完成后，喷淋头142还可以与干燥腔体113对应设置，干燥腔体113内的干燥气体可以经由第二通道1152吹向喷淋头142，从而可以对清洗后的喷淋头142进行干燥处理，以防止喷淋头142上残留清洗液而影响工艺效果；另外，在清洗或干燥过程中，保护腔体112内的保护气体可以经由第一通道1151吹向容纳腔体111内，并在容纳腔体111内形成气帘，从而可以对清洗或干燥过程飞溅的液滴进行阻挡，以防止液滴乱飞以及飞溅至工艺腔室20内而影响后续的工艺效果。因此，本申请实施例中的喷淋结构既可以实现对晶圆的工艺处理，又可以在非工艺状态下承接并排出喷淋头142滴落的工艺液体，以防止工艺液体随意滴落而造成污染，还可以在非工艺状态下实现对喷淋头142的清洁，以保证喷淋头142不会堵塞或者造成工艺污染。
为防止清洗过程中清洗液从第一端口1111飞溅出而进入到工艺腔室20中，沿自清洗腔体114至容纳腔体111的方向，第三通道1153可以朝向第二端口1112的方向倾斜延伸，如图7所示。基于此，可以使经由第三通道1153喷射的清洗液朝向第二端口1112的方向倾斜一定角度，从而使清洗液在朝向第二端口1112的方向上具有一定的速度，以缓解清洗液朝向第一端口1111方向飞溅，有利于解决清洗液飞溅至工艺腔室20中而影响工艺腔室20洁净度的问题。
在一些实施例中，第三通道1153朝向第二端口1112方向倾斜延伸的倾斜角度范围为30°至80°，例如，包括30°、40°、50°、55°、60°、65°、70°、80°等，当然，还可以为其他度数，此处不作具体限定。此种设计方式可以减少飞溅至喷淋头142朝向第一端口1111方向区域的清洗液，缓解清洗液溅入工艺腔室20中。进一步地，上述倾斜角度范围可以是50°至70°，既可以缓解清洗液向工艺腔室20中飞溅，又可以防止角度过大而减小清洗液与喷淋头142的接触面积最终影响清洗效果。
一些实施例中，清洗腔体114环绕设置于容纳腔体111的外周，为提高对喷淋头142清洗的全面性，清洗腔体114的内部空间与容纳腔体111的内部空间之间可以通过多个第三通道1153连通，且多个第三通道1153沿容纳腔体111的周向排布，如此，可以通过多个第三通道1153从喷淋头142周围的一圈喷射清洗液，以增大对喷淋头142的清洗面积，进而可以提高清洗效率和清洗效果。
考虑到喷淋头142具有一定的长度，清洗腔体114的内部空间与容纳腔体111的内部空间之间可以通过多层第三通道1153连通，且多层第三通道1153沿自第一端口1111至第二端口1112的方向排布，而每层包括若干第三通道1153，由此，可以从喷淋头142周围向喷淋头142喷射多层清洗液，从而可以进一步增大对喷淋头142的清洗面积，以进一步提高清洗效率和清洗效果。
为防止干燥过程中清洗液从第一端口1111飞溅出而进入到工艺腔室20中，沿自干燥腔体113至容纳腔体111的方向，第二通道1152可以朝向第二端口1112的方向倾斜延伸，如图6所示。基于此，可以使经由第二通道1152喷射的干燥气体朝向第二端口1112的方向倾斜一定角度，使得被吹散的清洗液在朝向第二端口1112的方向上具有一定的速度，也即，干燥过程中飞溅的清洗液受到干燥气体的压力作用而随着干燥气体向第二端口1112方向流动，从而可以减少吹散的清洗液朝向第一端口1111方向飞溅，有利于解决吹散的清洗液飞溅至工艺腔室20中而影响工艺腔室20洁净度的问题。
在一些实施例中，第二通道1152朝向第二端口1112方向倾斜延伸的倾斜角度范围为30°至80°，例如，包括30°、40°、50°、55°、60°、65°、70°、80°等，当然，还可以为其他度数，此处不作具体限定。此种设计方式可以减少飞溅至喷淋头142朝向第一端口1111方向区域的清洗液，缓解清洗液溅入工艺腔室20中。进一步地，上述倾斜角度范围可以是50°至70°，既可以缓解液滴向工艺腔室20中飞溅，又可以防止因角度过大而减小干燥气体与喷淋头142的接触面积而影响干燥效果。
一些实施例中，干燥腔体113环绕设置于容纳腔体111的外周，为提高对喷淋头142干燥的全面性，干燥腔体113的内部空间与容纳腔体111的内部空间之间可以通过多个第二通道1152连通，且多个第二通道1152沿容纳腔体111的周向排布，如此，可以通过多个第二通道1152从喷淋头142周围的一圈吹出干燥气体，以增大对喷淋头142的干燥面积，进而可以提高干燥效率和干燥效果。
考虑到喷淋头142具有一定的长度，干燥腔体113的内部空间与容纳腔体111的内部空间之间可以通过多层第二通道1152连通，且多层第二通道1152沿自第一端口1111至第二端口1112的方向排布，而每层包括若干第二通道1152，由此，可以从喷淋头142周围向喷淋头142吹出多层干燥气体，从而可以进一步增大对喷淋头142的干燥面积，以进一步提高干燥效率和干燥效果。
为进一步缓解清洗过程中或干燥过程中清洗液从第一端口1111飞溅出而进入到工艺腔室20中，沿自保护腔体112至容纳腔体111的方向，第一通道1151可以朝向第一端口1111的方向倾斜延伸，如图5所示。基于此，可以使经由第一通道1151吹出的保护气体朝向第一端口1111方向倾斜一定角度，以便于在容纳腔体111内形成倾斜设置的气帘，通过气帘可以阻挡飞溅的清洗液，并将清洗液与工艺腔室20内部环境隔绝，进一步缓解清洗过程或干燥过程中飞溅的液滴进入工艺腔室20而影响工艺腔室20洁净度的问题。此处需要说明的是，由于保护气体具有一定的压力，在清洗过程或干燥过程中，出现清洗液飞溅时，会被保护气体的压力反击回第二端口1112，保证在清洗过程或干燥过程中不会有清洗液飞溅到工艺腔室20内部。
在一些实施例中，第一通道1151朝向第一端口1111方向倾斜延伸的倾斜角度范围为10°至50°，例如，包括10°、20°、25°、30°、35°、40°、50°等，当然，还可以为其他度数，此处不作具体限定。此种设计方式可以通过倾斜设置的气帘阻挡清洗液飞溅，从而减少飞溅至喷淋头142朝向第一端口1111方向区域的清洗液，缓解清洗液溅入工艺腔室20中。进一步地，上述倾斜角度范围可以是20°至40°，既可以缓解清洗液向工艺腔室20中飞溅，又可以防止角度过大减小气帘面积而影响保护效果。
一些实施例中，保护腔体112环绕设置于容纳腔体111的外周，为提高气帘对飞溅的清洗液阻挡的全面性，保护腔体112的内部空间与容纳腔体111的内部空间之间可以通过多个所述第一通道1151连通，且多个第一通道1151沿容纳腔体111的周向排布，如此，可以通过多个第一通道1151从喷淋头142周围的一圈吹出保护气体，以增大气帘面积，防止清洗液从第一端口1111飞溅出。
为进一步提高阻挡效果，保护腔体112的内部空间与容纳腔体111的内部空间之间可以通过多层第一通道1151连通，且多层第一通道1151沿自第一端口1111至第二端口1112的方向排布，而每层包括若干第一通道1151，由此，可以从喷淋头142周围吹出多层保护气体，从而使形成的气帘具有更厚的尺寸，进而提高对清洗液的阻挡效果，使清洗液不易穿过气帘而飞溅出第一端口1111。
本申请实施例中，清洗腔体114、干燥腔体113和保护腔体112各自具有容腔，气体(如，保护气体或干燥气体)或液体(如，清洗液)可以通过外界管路进入容腔，并释放掉外界管路中的高压力；进入容腔后，在分别通过各自对应的通道(如，第一通道1151、第二通道1152或第三通道1153)喷出，由于各通道可以沿容纳腔体111的周向排布，即，形成环形分布，可以使环形分布的每种通道喷出的压力相同，如，环形分布的第一通道1151中各个第一通道1151喷出的保护气体的压力相同，环形分布的第二通道1152中各个第二通道1152喷出的干燥气体的压力相同，环形分布的第三通道1153中各个第三通道1153喷出的清洗液的压力相同，从而可以缓解各类通道喷出压力不均而导致喷淋头142的一部分区域清洁效果较好，另一部分区域清洁效果不佳的问题，并且还可以在清洗过程中缓解由于压力不均导致压力较大的清洗液与压力较小的清洗液在喷出时相遇而容易造成飞溅的问题。
为实现喷淋头142在容纳腔体111内相对位置的切换，排液清洁组件10还可以包括升降机构12，如图3、图8、图9和图10所示，该升降机构12与清洁部件11连接，用于带动清洁部件11升降，其中，升降方向与自第一端口1111至第二端口1112的方向平行。基于此，可以通过升降机构12带动清洁部件11升降，从而使喷淋头142能够进入到容纳腔体111内，并使第三通道1153移动至与喷淋头142对应的位置，以实现对喷淋头142的清洗处理，还可以使第二通道1152移动至与喷淋头142对应的位置，以实现对喷淋头142的干燥处理；另外，升降机构12还可以通过带动清洁部件11升降而使喷淋头142位于容纳腔体111之外，以便于承接喷淋头142滴落的工艺液体。因此，通过清洁部件11的升降，可以适应喷淋头142的工作状态和非工作状态时清洁部件11的排液工作和清洁工作。
另外，由于升降机构12为非洁净结构，在布局时，可以将升降机构12设置在工艺腔室20的下方。
参考图3，在一些实施例中，升降机构12可以包括驱动部件121、支架122和套筒123。其中，支架122与驱动部件121的驱动端连接，套筒123与支架122连接，清洁部件11的至少部分设于套筒123中，如此，在驱动部件121的驱动作用下，支架122可以通过套筒123带动清洁部件11进行升降，以在升降方向上自由调节清洁部件11与喷淋头142的相对位置，从而满足不同处理步骤情况下的相对位置需求。示例性地，清洁部件11与套筒123可以同轴设置。
示例性地，驱动部件121可以为直线驱动模组，可以是电机与丝杆的组合，或升降电机单独驱动，或电机和升降顶杆的组合等，当然，还可以是液压缸、气缸等，只要能够实现直线运动即可，具体形式不作限定。
考虑到容纳腔体111内的液体(如，喷淋头142携带的工艺液体、或者清洗液等)需要排出，本申请实施例中，清洁部件11还可以包括排液管116，该排液管116的一端连接至第二端口1112，如此，容纳腔体111内的液体可以经由第二端口1112进入排液管116，最终通过排液管116排出，以避免液体在容纳腔体111内积存而影响对喷淋头142的清洁。
进一步考虑到清洁部件11的至少部分设于套筒123内，为避免零部件之间出现安装干涉，支架122可以设有避让孔1221，排液管116的另一端则穿过避让孔1221，用于与厂务端连接，如此，通过避让孔1221的设计，可以保证排液管116能够穿出套筒123而不受阻挡，进而不会影响正常排液。
在一些实施例中，排液清洁组件10还可以包括第一限位件(图中未示出)和第二限位件(图中未示出)。其中，第一限位件和第二限位件沿自第一端口1111至第二端口1112的方向间隔设置，驱动部件121的驱动端位于第一限位件与第二限位件之间。
基于上述设置，在驱动端与第一限位件接触的情况下，第三通道1153用于与喷淋头142对应设置，以便于通过第三通道1153向喷淋头142喷射清洗液而对喷淋头142进行清洗。
在驱动端与第二限位件接触的情况下，第二通道1152用于与喷淋头142对应设置，以便于通过第二通道1152向喷淋头142吹出干燥气体而对喷淋头142进行干燥。
本申请实施例中，通过第一限位件和第二限位件的设置，可以保证排液清洁组件10在升降方向上相对于喷淋头142的移动位置精度，以防止第三通道1153或第二通道1152与喷淋头142偏离过大距离而影响清洗或干燥效果。
示例性地，第一限位件和第二限位件均可以是电子限位件，如，位置传感器、压力传感器、接近开关等，还可以是机械限位件，如，限位块等，具体可以根据实际工况而选定。
基于上述喷淋结构，本申请实施例还公开了一种半导体工艺设备，参考图3至图13，所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室20、承载装置30以及上述喷淋结构。
其中，承载装置30设有工艺腔室20内，用于承载晶圆；喷淋结构还可以包括喷淋臂141，喷淋臂141设于工艺腔室20内，喷淋头142与喷淋臂141连接，用于向承载装置30所承载的晶圆喷淋工艺液体，以对晶圆进行工艺处理，如，刻蚀工艺等。
参考图12和图13，排液清洁组件10包括清洁部件11和升降机构12，升降机构12设于工艺腔室20的外侧，且升降机构12的至少部分延伸至工艺腔室20内，并与清洁部件11连接，清洁部件11设于工艺腔室20内。此处需要说明的是，由于升降机构12为非洁净部件，本申请实施例将升降机构12设置在工艺腔室20的外侧，可以有效防止升降机构12将灰尘、杂质等带入至工艺腔室20内造成工艺腔室20内部环境受到污染而对工艺造成不良影响。
在工艺状态下，喷淋臂141旋转至使喷淋头142到达晶圆的圆心上方，并进行喷淋工作，与此同时，喷淋臂141还带动喷淋头142旋转；喷淋工作结束后，喷淋臂141反向旋转至初始位置。在非工艺状态下，喷淋臂141在初始位置，此时，喷淋头142与容纳腔体111相对设置，并与容纳腔体111保持同心设置，以便于使喷淋头142内的工艺液体可以流入容纳腔体111内，并经由第二端口1112排出。
当需要对喷淋头142进行清洁处理时，使喷淋头142进入容纳腔体111，通过排液清洁组件10对喷淋头142进行清洁处理，以保证喷淋头142的洁净度，防止喷淋头142堵塞而影响工艺效果。
此处需要说明的是，工艺腔室20和承载装置30的具体结构及工作原理均可以参考相关技术，此处不作详细阐述。
本申请实施例中的清洁过程为：
在非工作状态下，喷淋头142位于容纳腔体111的正上方，可以进行喷淋头142的清洗工作，此时，清洁部件11由升降机构12带动而进行升降运动。
首先，升降机构12带动清洁部件11上升，使喷淋头142进入容纳腔体111，并使清洗腔体114与喷淋头142对应设置；启动保护程序和干燥程序，分别向保护腔体112和干燥腔体113内通入PN2，设定通入保护腔体112内PN2的流量约为1L，设定通入干燥腔体113内PN2的流量相对较小，约为0.5L；启动清洗程序，向清洗腔体114内通入UPW，开始清洗工作，保证喷淋头142被清洗，而喷淋头142上部区域仍为干燥状态，另外，清洗时长可以根据喷淋结构的使用时长决定。
清洗程序结束后，先停止通入UPW，继续执行保护程序和干燥程序；升降机构12带动清洁部件11下降一定距离，使干燥腔体113与喷淋头142对应设置，并切换通入干燥腔体113内的PN2的流量至2L左右，干燥时长可以根据实际工况而设定。
干燥程序结束后，先停止向干燥腔体113内通入PN2，然后延迟一段时间(如，2s-3s等)后，停止向保护腔体112内通入PN2，至此，整个清洁过程结束。
综上所述，本申请实施例既可以实现工艺处理，又可以对喷淋头142进行清洁处理，以防止喷淋头142堵塞或者喷淋头142内聚集的晶体掉落至晶圆表面而影响工艺效果。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (13)

  1. 一种用于半导体工艺设备的喷淋结构，其特征在于，所述喷淋结构包括喷淋头以及与所述喷淋头对应设置的排液清洁组件，所述排液清洁组件包括：清洁部件；
    所述清洁部件包括容纳腔体、保护腔体、干燥腔体和清洗腔体，所述容纳腔体的两端分别设有第一端口和第二端口，所述第一端口用于进出所述喷淋头，所述第二端口用于排液，所述保护腔体、所述干燥腔体和所述清洗腔体均设于所述容纳腔体的外周，并沿自所述第一端口至所述第二端口的方向设置；
    所述保护腔体、所述干燥腔体和所述清洗腔体各自的内部空间分别通过第一通道、第二通道和第三通道，与所述容纳腔体的内部空间连通；
    所述保护腔体设有用于接收保护气体的第一通孔，所述干燥腔体设有用于接收干燥气体的第二通孔，所述清洗腔体设有用于接收清洗液的第三通孔。
  2. 根据权利要求1所述的喷淋结构，其特征在于，沿自所述保护腔体至所述容纳腔体的方向，所述第一通道朝向所述第一端口的方向倾斜延伸。
  3. 根据权利要求1或2所述的喷淋结构，其特征在于，所述保护腔体环绕设置于所述容纳腔体的外周；
    所述保护腔体的内部空间与所述容纳腔体的内部空间之间通过多个所述第一通道连通，多个所述第一通道沿所述容纳腔体的周向排布，和/或，所述保护腔体的内部空间与所述容纳腔体的内部空间之间通过多层所述第一通道连通，多层所述第一通道沿自所述第一端口至所述第二端口的方向排布。
  4. 根据权利要求1所述的喷淋结构，其特征在于，沿自所述干燥腔体至所述容纳腔体的方向，所述第二通道朝向所述第二端口的方向倾斜延伸。
  5. 根据权利要求1或4所述的喷淋结构，其特征在于，所述干燥腔体环绕设置于所述容纳腔体的外周；
    所述干燥腔体的内部空间与所述容纳腔体的内部空间之间通过多个所述第二通道连通，多个所述第二通道沿所述容纳腔体的周向排布，和/或，所述干燥腔体的内部空间与所述容纳腔体的内部空间之间通过多层所述第二通道连通，多层所述第二通道沿所述第一端口至所述第二端口的方向排布。
  6. 根据权利要求1所述的喷淋结构，其特征在于，沿自所述清洗腔体至所述容纳腔体的方向，所述第三通道朝向所述第二端口的方向倾斜延伸。
  7. 根据权利要求1或6所述的喷淋结构，其特征在于，所述清洗腔体环绕设置于所述容纳腔体的外周；
    所述清洗腔体的内部空间与所述容纳腔体的内部空间之间通过多个所述第三通道连通，多个所述第三通道沿所述容纳腔体的周向排布，和/或，所述清洗腔体的内部空间与所述容纳腔体的内部空间之间通过多层所述第三通道连通，多层所述第三通道沿自所述第一端口至所述第二端口的方向排布。
  8. 根据权利要求1所述的喷淋结构，其特征在于，所述排液清洁组件还包括升降机构，所述升降机构与所述清洁部件连接，用于带动所述清洁部件升降，其中，升降方向与自所述第一端口至所述第二端口的方向平行。
  9. 根据权利要求8所述的喷淋结构，其特征在于，所述升降机构包括驱动部件、支架和套筒；
    所述支架与所述驱动部件的驱动端连接，所述套筒与所述支架连接，所述清洁部件的至少部分设于所述套筒中。
  10. 根据权利要求9所述的喷淋结构，其特征在于，所述排液清洁组件还包括第一限位件和第二限位件；
    所述第一限位件和所述第二限位件沿自所述第一端口至所述第二端口的方向间隔设置；
    所述驱动端位于所述第一限位件与所述第二限位件之间；
    在所述驱动端与所述第一限位件接触的情况下，所述第三通道用于与所述喷淋头对应设置；
    在所述驱动端与所述第二限位件接触的情况下，所述第二通道用于与所述喷淋头对应设置。
  11. 根据权利要求9所述的喷淋结构，其特征在于，所述清洁部件还包括排液管，所述排液管的一端连接至所述第二端口；
    所述支架设有避让孔，所述排液管的另一端穿过所述避让孔，用于与厂务端连接。
  12. 一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、承载装置以及权利要求1至11中任意一项所述的喷淋结构；
    所述承载装置设于所述工艺腔室内，用于承载晶圆；
    所述喷淋结构还包括喷淋臂，所述喷淋臂设于所述工艺腔室内，所述喷淋头与所述喷淋臂连接，用于向所述承载装置所承载的晶圆喷淋工艺液体；
    所述清洁部件设于所述工艺腔室内；
    在非工艺状态下，所述喷淋头与所述容纳腔体相对设置。
  13. 根据权利要求12所述半导体工艺设备，其特征在于，所述排液清洁组件还包括升降机构，所述升降机构为权利要求8或9所述的喷淋结构中排液清洁组件所包括的升降机构；
    所述升降机构设于所述工艺腔室的外侧，且所述升降机构的至少部分延伸至所述工艺腔室内，并与所述清洁部件连接。
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