WO2025197828A1

WO2025197828A1 - サブマウント、半導体装置、サブマウントの製造方法、及び半導体装置の製造方法

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Publication number: WO2025197828A1
Application number: PCT/JP2025/010113
Authority: WO
Inventors: 昇井上; 教夫池戸; 徹高山; 剛荒木
Original assignee: Nuvoton Technology Corp Japan
Current assignee: Nuvoton Technology Corp Japan
Priority date: 2024-03-22
Filing date: 2025-03-17
Publication date: 2025-09-25
Anticipated expiration: 2026-09-22

Abstract

サブマウント（７）は、第一主面（７７）と、第一主面（７７）の裏側に位置する第二主面（７８）と、第一主面（７７）に対して凹んだ領域、又は、第二主面（７８）に対して凹んだ領域である第一凹領域（７１）とを有する電気絶縁性の絶縁層（７０）と、第一凹領域（７１）の少なくとも一部を覆う第一金属層（金属層（８２））とを備え、第一金属層の第一凹領域（７１）に対向する位置における厚さは、第一凹領域（７１）の深さより大きい。

Description

サブマウント、半導体装置、サブマウントの製造方法、及び半導体装置の製造方法

　本開示は、サブマウント、半導体装置、サブマウントの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

　従来、半導体発光素子などの素子を搭載するためにサブマウントが用いられている。サブマウントは、素子の実装基台として機能し、かつ、放熱部材としても機能する。半導体発光素子の一例である半導体レーザ素子においては、高出力化が求められている。例えば、半導体レーザ素子において、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｗａｖｅ）駆動で投入電力を２０Ｗ以上に増大することが求められている。これに伴い、半導体レーザ素子が搭載されるサブマウントの放熱性能の向上が求められている。

　例えば、特許文献１には、放熱性能を向上できるサブマウントとして、Ｃｕと絶縁性材料とを組み合わせたサブマウントが開示されている。

特開２０２３－１６４２８８号公報

　しかしながら、半導体レーザ素子では、さらなる高出力化が求められており、特許文献１に記載されたサブマウントでも放熱性能が十分ではない。

　本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、放熱性能が高いサブマウントなどを提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本開示に係るサブマウントは、第一主面と、前記第一主面の裏側に位置する第二主面と、前記第一主面に対して凹んだ領域、又は、前記第二主面に対して凹んだ領域である第一凹領域とを有する電気絶縁性の絶縁層と、前記第一凹領域の少なくとも一部を覆う第一金属層とを備え、前記第一金属層の前記第一凹領域に対向する位置における厚さは、前記第一凹領域の深さより大きい。

　上記目的を達成するために、本開示に係る半導体装置は、前記サブマウントと、前記はんだ層に接合される半導体素子とを備える。

　上記目的を達成するために、本開示に係るサブマウントの製造方法は、第一主面と、前記第一主面の裏側に位置する第二主面と、前記第一主面に対して凹んだ領域、又は、前記第二主面に対して凹んだ領域である第一凹領域とを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記第一凹領域の少なくとも一部を覆う第一金属層を形成する金属層形成工程とを含み、前記第一金属層の前記第一凹領域に対向する位置における厚さは、前記第一凹領域の深さより大きい。

　上記目的を達成するために、本開示に係る半導体装置の製造方法は、前記サブマウントの製造方法と、前記はんだ層に半導体発光素子を接合する素子接合工程とを含む。

　本開示によれば、放熱性能が高いサブマウントなどを提供できる。

実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す上面図である。実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す下面図である。実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す第一の断面図である。実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す第二の断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの構成を示す第一の断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの構成を示す第二の断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの下地層の積層構成を示す断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの下地層の積層構成を示す断面図である。実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す平面図である。実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す断面図である。実施の形態１に係るはんだ層の半導体発光素子付近におけるＳｎの分布を示す模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の絶縁層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の絶縁層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の下地層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の下地層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の金属層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の金属層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の平坦化工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の中間層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の中間層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の被覆層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の被覆層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法のバリア層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法のバリア層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法のはんだ層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法のはんだ層形成工程を説明する模式的な断面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の表面層形成工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係るサブマウントの製造方法の分割工程を説明する模式的な上面図である。実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の加熱工程を示す模式的な断面図である。実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の当接工程を示す模式的な断面図である。実施の形態１の変形例に係る絶縁層形成工程において用いられる第一成形体を示す模式的な上面図である。実施の形態１の変形例に係る絶縁層形成工程において用いられる第一成形体を示す模式的な断面図である。実施の形態１の変形例に係る絶縁層形成工程において用いられる第二成形体の構成を示す模式的な上面図である。実施の形態１の変形例に係る絶縁層形成工程の積層工程における第一成形体及び第二成形体を示す模式的な断面図である。実施の形態１の変形例に係る絶縁層形成工程の焼成工程における第一成形体及び第二成形体を示す模式的な断面図である。実施の形態１の変形例に係る絶縁層形成工程で形成される絶縁層を示す模式的な断面図である。実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す第一の断面図である。実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す第二の断面図である。実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す上面図である。実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。実施の形態３の変形例１に係る半導体装置の構成を示す模式的な上面図である。実施の形態３の変形例２に係る半導体装置の構成を示す模式的な上面図である。実施の形態３の変形例３に係る半導体装置の構成を示す模式的な上面図である。実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す第一の断面図である。実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す第二の断面図である。実施の形態５に係るサブマウントの構成を示す断面図である。変形例１に係る絶縁層の構成を示す模式的な側面図である。変形例２に係る半導体装置の構成を示す模式的な断面図である。変形例３に係るサブマウントの構成を示す模式的な上面図である。変形例３に係るサブマウントの構成を示す模式的な断面図である。

　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、ステップ（工程）及びステップの順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。

　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

　また、本明細書において、等しいなどの要素間の関係性を示す用語、及び、平行、垂直、円、円筒などの要素の形状などを示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。

　（実施の形態１）
　実施の形態１に係る半導体装置などについて説明する。

　［１－１．半導体装置の構成］
　本実施の形態に係るサブマウント、半導体発光素子、及びそれらを備える半導体装置について図１～図４を用いて説明する。図１及び図２は、それぞれ、本実施の形態に係る半導体装置１の構成を示す上面図及び下面図である。図３及び図４は、それぞれ、本実施の形態に係る半導体装置１の構成を示す第一の断面図及び第二の断面図である。図３には、図１及び図２に示されるＩＩＩ－ＩＩＩ線における半導体装置１の断面が示されている。図４には、図１及び図２に示されるＩＶ－ＩＶ線における半導体装置１の断面が示されている。各図には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、右手系の直交座標系である。Ｙ軸方向は、半導体発光素子１０が出射する光（レーザ光）の光軸に平行な方向である。Ｚ軸方向は、サブマウント７が備える絶縁層７０の第一主面７７に垂直な方向である。

　本実施の形態に係る半導体装置１は、図１～図４に示されるように、サブマウント７と、サブマウント７のはんだ層８６に接合される半導体発光素子１０とを備える。

　サブマウント７は、半導体発光素子１０などの素子が実装される基台である。本実施の形態に係るサブマウント７について、図１～図４に加えて、図５～図８を用いて説明する。図５及び図６は、それぞれ、本実施の形態に係るサブマウント７の構成を示す第一の断面図及び第二の断面図である。図５には、図３に示される断面と同じ位置におけるサブマウント７の断面が示されている。図６には、図４に示される断面と同じ位置におけるサブマウント７の断面が示されている。図７及び図８は、それぞれ、本実施の形態に係るサブマウント７の下地層８１及び下地層９１の積層構成を示す断面図である。図７及び図８には、それぞれ、下地層８１及び下地層９１の平坦な部分の一部が拡大して示されている。

　本実施の形態に係るサブマウント７は、素子が実装される基台である。本実施の形態では、サブマウント７には、半導体発光素子１０が実装される。図３～図６に示されるように、サブマウント７は、絶縁層７０と、金属層８２とを備える。本実施の形態では、サブマウント７は、下地層８１と、中間層８３と、被覆層８４と、バリア層８５と、はんだ層８６と、下地層９１と、金属層９２と、中間層９３と、被覆層９４とをさらに備える。また、図５及び図６に示されるように、素子が実装されていない状態のサブマウント７は、表面層８７を備えてもよい。

　絶縁層７０は、第一主面７７と、第一主面７７の裏側に位置する第二主面７８と、第一主面７７に対して凹んだ領域、又は、第二主面７８に対して凹んだ領域である第一凹領域７１とを有する電気絶縁性の層である。本実施の形態では、第一凹領域７１は、第一主面７７に対して凹んだ領域である。第一凹領域７１は、絶縁層７０を貫通しない。言い換えると、第一凹領域７１の深さは、絶縁層７０の第一凹領域７１が形成されていない部分の厚さ（つまり、第一主面７７と第二主面７８との間の距離）より小さい。絶縁層７０は、第一主面７７と第二主面７８とを有する板状の部材である。絶縁層７０は、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣなどの電気絶縁材料で形成される。絶縁層７０の第一凹領域７１が形成されていない部分の厚さは、１５０μｍ以上である。絶縁層７０の第一凹領域７１が形成されていない部分の厚さは、２００μｍ以下であってもよい。本実施の形態においては、第一凹領域７１の深さは５０μｍである。第一凹領域７１における絶縁層７０の最も薄い部分の厚さＴ０は、１５０μｍ未満である。本実施の形態では、厚さＴ０は、５０μｍ以上、１５０μｍ未満である。厚さＴ０は、５０μｍ以上、１００μｍ未満であってもよいし、５０μｍ以上、７５μｍ未満であってもよい。

　本実施の形態では、第一凹領域７１は、第一主面７７に平行な第一方向に延在する幅Ｗ１の溝状の形状を有する。第一方向は、各図のＹ軸方向に平行な方向である。第一凹領域７１の幅Ｗ１は、第一主面７７に平行で、かつ、第一方向に対して垂直な第二方向における第一凹領域７１の最大寸法である。幅Ｗ１は、例えば、０．４ｍｍ程度である。第二方向は、各図のＸ軸方向に平行な方向である。第一凹領域７１の周縁は、図３に示されるように、第一主面７７に対して傾斜した傾斜部７１ｓを有する。第一凹領域７１は、第一凹領域７１の第二方向における両方の端部に傾斜部７１ｓを有する。このため、第一凹領域７１の第二方向における幅は、第一主面７７に近づくにしたがって大きくなる。本実施の形態では、第一凹領域７１の第一方向に垂直な断面は、台形状の形状を有する。

　絶縁層７０の第一方向における寸法は、例えば、１．５ｍｍ程度であり、第二方向における寸法は、例えば、１．５ｍｍ程度である。

　下地層８１は、第一凹領域７１の少なくとも一部を覆う金属からなる導電層である。本実施の形態では、下地層８１は、図６などに示されるように、下地部８１Ｍと、露出部８１Ｌと有する。下地層８１は、第一主面７７の平面視において、絶縁層７０のＸ軸方向及びＹ軸方向両端部（つまり、絶縁層７０の周縁部）を除く領域に配置される部分と、当該部分から第一凹領域７１に沿って絶縁層７０のＹ軸方向の一方端まで延在する部分、及び他方端まで延在する部分とを有する。下地部８１Ｍは、下地層８１のうち、絶縁層７０と金属層８２との間に配置され、金属層８２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地層８１は、第一主面７７又は第一凹領域７１に接する。下地部８１Ｍは、第一凹領域７１のＹ軸方向両端部を除く全領域と、当該領域に隣接する第一主面７７に配置される（図５及び図６など参照）。下地部８１Ｍの第一方向及び第二方向の各々における寸法は、例えば、１．４ｍｍ程度である。露出部８１Ｌは、下地層８１のうち、金属層８２から露出する部分である。露出部８１Ｌは、第一主面７７に配置される。本実施の形態では、下地層８１は、４個の露出部８１Ｌを有する。２個の露出部８１Ｌは、下地部８１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部８１Ｌは、下地部８１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。露出部８１Ｌは、例えば、金属層８２などをメッキによって形成する工程などにおいて下地層８１に電力を供給するための電極として利用できる。

　図７に示されるように、本実施の形態に係る下地層８１は、第一層８１ａと、第二層８１ｂと、第三層８１ｃと、第四層８１ｄとを有する。第一層８１ａは、第一主面７７に配置され、第一主面７７及び第一凹領域７１に接する、厚さ０．１μｍのＴｉ層である。第二層８１ｂは、第一層８１ａに配置される（つまり、第一主面７７に第一層８１ａを介して配置される）厚さ５μｍのＣｕ層である。第三層８１ｃは、第二層８１ｂに配置される（つまり、第一主面７７に第一層８１ａ及び第二層８１ｂを介して配置される）厚さ１．０μｍ以上のＮｉ層である。第四層８１ｄは、第三層８１ｃに配置される（つまり、第一主面７７に第一層８１ａ、第二層８１ｂ、及び第三層８１ｃを介して配置される）厚さ０．１μｍ以上のＡｕ層である。

　図３～図６に示される金属層８２は、第一主面７７に配置される金属からなる導電層である。金属層８２は、第一凹領域７１の少なくとも一部を覆う第一金属層の一例である。金属層８２の熱伝導率は、絶縁層７０の熱伝導率より大きい。金属層８２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層８２は、下地層８１を介して、第一主面７７の一部、及び第一凹領域７１の一部を覆う。金属層８２は、下地層８１の下地部８１Ｍ上に配置される。金属層８２は、下地部８１Ｍの全領域上に配置される。金属層８２は、第一凹領域７１に対向する位置に配置される厚膜部８２Ｄと、第一主面７７に対向する位置に配置される薄膜部８２Ｆとを有する。

　金属層８２の第一凹領域７１に対向する位置における厚さ（Ｚ軸方向における寸法）は、第一凹領域７１の深さより大きい。つまり、金属層８２の第一凹領域７１に対向する各位置における厚さ（Ｚ軸方向における寸法）は、当該各位置における第一凹領域７１の第一主面７７からの深さより大きい。したがって、厚膜部８２Ｄの絶縁層７０から遠い側の表面（つまり、中間層８３との界面）は、第一主面７７よりＺ軸方向正側に位置する。

　本実施の形態では、第二方向における第一凹領域７１の幅Ｗ１は、厚膜部８２Ｄの最大厚さＴ１の２倍以上である。厚膜部８２Ｄの最大厚さＴ１は、例えば、６０μｍ以上、２５０μｍ以下である。薄膜部８２Ｆの厚さは、例えば、０μｍ以上、１５０μｍ以下であるが、１０μｍ以上であってもよい。

　中間層８３は、金属層８２を介して第一主面７７に配置される金属からなる導電層である。本実施の形態では、中間層８３は、下地層８１及び金属層８２を介して第一主面７７に配置される。また、中間層８３は、金属層８２と被覆層８４との間に配置され、金属層８２の全領域に配置される。中間層８３は、金属層８２と被覆層８４との間の密着性を高める機能を有してもよい。本実施の形態では、中間層８３は、厚さ１μｍ以上のＮｉ層である。

　被覆層８４は、金属層８２を介して第一主面７７に配置される金属からなる導電層である。本実施の形態では、被覆層８４は、下地層８１、金属層８２、及び中間層８３を介して第一主面７７に配置される。また、被覆層８４は、中間層８３の全領域に配置される。本実施の形態では、被覆層８４は、厚さ０．５μｍ以上のＡｕ層である。

　バリア層８５は、金属層８２を介して第一主面７７に配置される金属からなる導電層である。本実施の形態では、バリア層８５は、被覆層８４、中間層８３、金属層８２、及び下地層８１を介して第一主面７７に配置される。また、バリア層８５は、金属層８２とはんだ層８６との間に配置される。より詳しくは、バリア層８５は、被覆層８４とはんだ層８６との間に配置される。

　図１、図３、及び図５に示されるように、バリア層８５は、第一凹領域７１に対応する領域に配置される。つまり、図１に示されるように、第一主面７７の平面視において、バリア層８５は、第一凹領域７１に重なる領域に配置され、第一方向に延在する。バリア層８５は、金属層８２の第一方向における一方端から他方端まで延在する。また、バリア層８５の第二方向における寸法は、第一凹領域７１の第二方向における幅Ｗ１より大きくてもよい。バリア層８５の第二方向における寸法は、例えば、０．７ｍｍである。

　バリア層８５は、はんだ層８６に含まれる金属原子の被覆層８４への拡散を抑制する機能を有してもよい。例えば、はんだ層８６がＳｎを含む場合には、バリア層８５は、Ｓｎ原子のＡｕからなる被覆層８４への拡散を抑制してもよい。本実施の形態では、バリア層８５は、厚さ０．２５μｍ以上のＰｔ層である。

　はんだ層８６は、金属層８２を介して第一主面７７に配置されるはんだからなる導電層である。本実施の形態では、はんだ層８６は、下地層８１、金属層８２、中間層８３、被覆層８４、及びバリア層８５を介して第一主面７７に配置される。

　図１、図３、及び図５に示されるように、はんだ層８６は、金属層８２の第一凹領域７１に対応する領域に配置される。つまり、図１に示されるように、第一主面７７の平面視において、はんだ層８６は、第一凹領域７１に重なる領域に配置され、第一方向に延在する。はんだ層８６は、金属層８２の第一方向における一方端から他方端まで延在する（図４など参照）。また、はんだ層８６の第二方向における寸法は、第一凹領域７１の第二方向における幅Ｗ１より大きくてもよい。はんだ層８６の第二方向における寸法は、例えば、０．７ｍｍである。つまり、はんだ層８６は、バリア層８５の全領域に配置される。本実施の形態では、はんだ層８６は、厚さ４．０μｍのＡｕＳｎ層である。はんだ層８６におけるＡｕの含有率は、例えば、７０±３ｗｔ％である。

　図５及び図６に示される表面層８７は、金属層８２及びはんだ層８６を介して第一主面７７に配置される金属からなる導電層である。本実施の形態では、サブマウント７に半導体発光素子１０を接合するために加熱する際に、表面層８７は、はんだ層８６に拡散し、はんだ層８６と一体化される（図３及び図４参照）。表面層８７は、例えば、厚さ０．０４μｍのＡｕ層である。

　下地層９１は、第二主面７８に配置される金属からなる導電層である。下地層９１は、第二主面７８に接する。本実施の形態では、下地層９１は、図６などに示されるように、下地部９１Ｍと、露出部９１Ｌと有する。下地部９１Ｍは、下地層９１のうち、絶縁層７０と金属層９２との間に配置され、金属層９２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地部９１Ｍは、第二主面７８の第一凹領域７１に対応する領域に配置される。つまり、下地部９１Ｍは、第二主面７８の平面視において、第一凹領域７１に重なる領域に配置される（図５など参照）。下地部９１Ｍの第一方向及び第二方向の各々における寸法は、例えば、１．４ｍｍ程度である。本実施の形態では、下地部９１Ｍは、絶縁層７０を介して、下地部８１Ｍと対向する位置に配置される。露出部９１Ｌは、下地層９１のうち、金属層９２から露出する部分である。本実施の形態では、下地層９１は、４個の露出部９１Ｌを有する。２個の露出部９１Ｌは、下地部９１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部９１Ｌは、下地部９１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。露出部９１Ｌは、例えば、金属層９２などをメッキによって形成する工程などにおいて下地層９１に電力を供給するための電極として利用できる。

　図８に示されるように、本実施の形態に係る下地層９１は、第一層９１ａと、第二層９１ｂと、第三層９１ｃと、第四層９１ｄとを有する。第一層９１ａは、第二主面７８に配置され、第二主面７８に接する、厚さ０．１μｍのＴｉ層である。第二層９１ｂは、第一層９１ａに配置される（つまり、第二主面７８に第一層９１ａを介して配置される）厚さ５μｍのＣｕ層である。第三層９１ｃは、第二層９１ｂに配置される（つまり、第二主面７８に第一層９１ａ及び第二層９１ｂを介して配置される）厚さ１．０μｍ以上のＮｉ層である。第四層９１ｄは、第三層９１ｃに配置される（つまり、第二主面７８に第一層９１ａ、第二層９１ｂ、及び第三層９１ｃを介して配置される）厚さ０．１μｍ以上のＡｕ層である。

　図３～図６に示される金属層９２は、第二主面７８に配置される金属からなる導電層である。金属層９２の熱伝導率は、絶縁層７０の熱伝導率より大きい。金属層９２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層９２は、下地層９１の下地部９１Ｍ上に配置される。金属層９２は、下地部９１Ｍの全領域上に配置される。本実施の形態では、金属層９２の厚さは、例えば、５０μｍ以上、１５０μｍ以下である。

　中間層９３は、金属層９２を介して第二主面７８に配置される金属からなる導電層である。本実施の形態では、中間層９３は、下地層９１及び金属層９２を介して第二主面７８に配置される。また、中間層９３は、金属層９２と被覆層９４との間に配置され、金属層９２の全領域に配置される。中間層９３は、金属層９２と被覆層９４との間の密着性を高める機能を有してもよい。本実施の形態では、中間層９３は、厚さ１μｍ以上のＮｉ層である。

　被覆層９４は、金属層９２を介して第二主面７８に配置される金属からなる導電層である。本実施の形態では、被覆層９４は、下地層９１、金属層９２、及び中間層９３を介して第二主面７８に配置される。また、被覆層９４は、中間層９３の全領域に配置される。本実施の形態では、被覆層９４は、厚さ０．５μｍ以上のＡｕ層である。

　図１～図４に示される半導体発光素子１０は、サブマウント７に実装される素子の一例である。半導体発光素子１０は、動作時に発熱し、図３に破線矢印で示されるように、サブマウント７において熱が拡散しながら伝導する。本実施の形態に係る半導体発光素子１０について、図１～図４、図９及び図１０を用いて説明する。図９及び図１０は、それぞれ、本実施の形態に係る半導体発光素子１０の構成を示す平面図及び断面図である。図１０には、図９のＸ－Ｘ線における半導体発光素子１０の断面が示されている。

　図１０に示されるように、本実施の形態では、半導体発光素子１０は、半導体積層体１０Ｓを備え、半導体積層体１０Ｓの積層方向（つまり、Ｚ軸方向）に垂直な方向の端面１０Ｆ（図１及び図９参照）から光を出射する。本実施の形態では、半導体発光素子１０は、図１及び図９に示されるように、共振器を形成する二つの端面１０Ｆ及び１０Ｒを有する窒化物半導体レーザ素子である。端面１０Ｆは、レーザ光を出射するフロント端面であり、端面１０Ｒは、端面１０Ｆより反射率が高いリア端面である。本実施の形態では、端面１０Ｆ及び１０Ｒの反射率は、それぞれ、６％及び９８％である。また、半導体発光素子１０は、端面１０Ｆと端面１０Ｒとの間に形成された導波路を有する。本実施の形態に係る半導体発光素子１０の共振器長（つまり、端面１０Ｆと端面１０Ｒと間の距離）は１０００μｍ程度である。また、半導体発光素子１０は、例えば、４０５ｎｍ帯にピーク波長を有する青紫光を出射する。

　図１及び図４に示されるように半導体発光素子１０の端面１０Ｆ側の端部は、はんだ層８６の端部から第一方向に突出してもよい。これにより、半導体発光素子１０からのレーザ光がはんだ層８６によって遮られることを抑制できる。

　図１０に示されるように、半導体発光素子１０は、基板２１と、半導体積層体１０Ｓと、絶縁層３０と、密着層３２と、コンタクト電極４０と、パッド層５０と、Ｎ側電極６０とを備える。

　基板２１は、半導体発光素子１０の基台となる板状部材である。本実施の形態では、基板２１は、Ｎ型ＧａＮ基板である。

　半導体積層体１０Ｓは、窒化物半導体を含む積層体である。半導体積層体１０Ｓは、積層方向（つまり、各図のＺ軸方向）に積層された複数の半導体層を有する。本実施の形態では、半導体積層体１０Ｓは、Ｎ側半導体層２２と、活性層２３と、Ｐ側半導体層２４と、コンタクト層２５とを有する。

　Ｎ側半導体層２２は、基板２１と活性層２３との間に配置される第一導電型の第一半導体層の一例である。Ｎ側半導体層２２は、窒化物半導体を含む。本実施の形態では、Ｎ側半導体層２２は、活性層２３より屈折率が低いＮ型クラッド層を含む。Ｎ側半導体層２２は、例えば、Ｎ型ＡｌＧａＮ層である。なお、Ｎ側半導体層２２は、Ｎ型クラッド層以外の層を含んでもよい。Ｎ側半導体層２２は、例えば、バッファ層、光ガイド層などを含んでもよい。

　活性層２３は、Ｎ側半導体層２２とＰ側半導体層２４との間に配置される発光層である。本実施の形態では、活性層２３は、窒化物半導体を含み、量子井戸構造を有する。活性層２３は、単一の量子井戸を有していてもよいし、複数の量子井戸を有していてもよい。本実施の形態では、活性層２３は、ＩｎＧａＮからなる複数のバリア層と、ＩｎＧａＮからなる複数のウェル層とを有する。

　Ｐ側半導体層２４は、活性層２３より基板２１から遠い位置に配置される第二導電型の第二半導体層の一例である。Ｐ側半導体層２４は、窒化物半導体を含む。本実施の形態では、Ｐ側半導体層２４は、活性層２３より屈折率が低いＰ型クラッド層を含む。Ｐ側半導体層２４は、例えば、Ｐ型ＡｌＧａＮ層である。なお、Ｐ側半導体層２４は、Ｐ型クラッド層以外の層を含んでもよい。Ｐ側半導体層２４は、例えば、光ガイド層、電子障壁層などを含んでもよい。また、Ｐ側半導体層２４は、超格子構造を有してもよい。

　Ｐ側半導体層２４には、リッジ２４Ｒ及び二つの突出部２４Ｐが形成されている。リッジ２４Ｒ及び二つの突出部２４Ｐの各々は、Ｐ側半導体層２４のうち、Ｚ軸方向に突出する部分であり、Ｙ軸方向に延在する。リッジ２４Ｒは、二つの突出部２４Ｐの間に配置される。Ｐ側半導体層２４には、リッジ２４Ｒに沿って配置され、Ｙ軸方向に延びる二つの溝２４Ｔが形成されている。二つの突出部２４Ｐの各々とリッジ２４Ｒとの間に溝２４Ｔが形成されている。本実施の形態では、リッジ幅（つまり、リッジ２４ＲのＸ軸方向の寸法）は、３０μｍ程度である。図９における点線は、溝２４Ｔの側面の位置に対応する。

　コンタクト層２５は、Ｐ側半導体層２４より基板２１から遠い位置に配置され、コンタクト電極４０とオーミック接触する層である。本実施の形態では、コンタクト層２５は、Ｐ型ＧａＮ層である。

　絶縁層３０は、半導体積層体１０Ｓとパッド層５０との間に配置され、電気的に絶縁性を有する層である。絶縁層３０は、リッジ２４Ｒの上面に対応する位置に開口部（又はスリット）を有する。本実施の形態では、絶縁層３０は、Ｐ側半導体層２４の上面のうち、リッジ２４Ｒの上面以外の領域に配置される。なお、絶縁層３０は、リッジ２４Ｒの上面の一部に配置されていてもよい。絶縁層３０を形成する材料は絶縁材料であれば、特に限定されない。本実施の形態では、絶縁層３０は、ＳｉＯ_２からなる。

　密着層３２は、絶縁層３０の上方に配置される層である。密着層３２は、絶縁層３０とパッド層５０との間に配置され、パッド層５０と絶縁層３０との間の密着性を高める機能を有する。密着層３２は、絶縁層３０の開口部に対応する位置に開口部（又はスリット）を有する。本実施の形態では、基板２１の上面視において、密着層３２の開口部の内部に絶縁層３０の開口部が配置される。密着層３２は、Ｔｉ及びＣｒの少なくとも一方を含んでもよい。密着層３２がＴｉを含み、かつ、絶縁層３０が酸化物である場合には、密着層３２と絶縁層３０との密着性をより一層高めることができる。絶縁層３０が酸化物の場合、金属膜からなる密着層３２も酸化物を形成しやすい材料であると、強力に結合するからである。本実施の形態では、密着層３２は、絶縁層３０に配置されるＴｉ膜と、Ｔｉ膜を介して絶縁層３０に配置されるＰｔ膜とを含む積層構造を有する。

　コンタクト電極４０は、半導体積層体１０Ｓに接する電極である。コンタクト電極４０は、コンタクト層２５と対向し、かつ、コンタクト層２５に接する。本実施の形態では、コンタクト電極４０は、リッジ２４Ｒに配置される。コンタクト電極４０は、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、及びＰｔの少なくとも一つで形成された単層膜又は多層膜であってもよいし、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ；Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ；Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩｎＧａＺｎＯ_ｘ（ＩＧＺＯ）等の透明金属酸化物からなる透明導電膜であってもよい。本実施の形態では、コンタクト電極４０は、コンタクト層２５に接するＰｄ層と、Ｐｔ層を介してコンタクト層２５に配置されるＰｔ層とを有する。

　パッド層５０は、コンタクト電極４０に接する導電層である。パッド層５０は、Ａｕを含む。本実施の形態では、パッド層５０は、厚さ約４μｍのＡｕ層である。パッド層５０の詳細構成については、後述する。

　Ｎ側電極６０は、基板２１の半導体積層体１０Ｓが配置される主面の反対側の主面に配置される導電層である。Ｎ側電極６０は、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔの少なくとも一つで形成された単層膜又は多層膜である。

　本実施の形態に係るパッド層５０の詳細構成及び効果について説明する。

　図１０に示されるように、パッド層５０は、コンタクト領域５１と、外部領域５２とを有する。

　コンタクト領域５１は、パッド層５０のうち、パッド層５０とコンタクト電極４０とが接する領域に積層される領域である。本実施の形態では、半導体積層体１０Ｓとパッド層５０との間の領域のうち、半導体積層体１０Ｓとコンタクト領域５１との間の領域には、絶縁層３０は配置されない。

　サブマウント７に半導体発光素子１０が接合される際に、はんだ層８６は加熱される。これに伴い、はんだ層８６が溶融する。溶融したはんだ層８６に半導体発光素子１０のパッド層５０が押し付けられる。この状態ではんだ層８６を冷却することで、はんだ層８６が凝固する。これにより、はんだ層８６にパッド層５０が接合される。以上のような接合工程において、パッド層５０の一部と、はんだ層８６の一部とが、混ざり合う。はんだ層８６のＳｎ原子の一部は、Ａｕからなるパッド層５０に拡散する。

　パッド層５０は、はんだ層８６に接合されることで、大部分がはんだ層８６と混ざり合い、はんだ層８６の一部となる。

　［１－２．半導体装置の製造方法］
　本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。まず、半導体装置１が備えるサブマウント７の製造方法について、図１２～図２８を用いて説明する。図１２、図１４、図１６、図１９、図２１、図２３、図２５、図２７、及び図２８の各々は、本実施の形態に係るサブマウント７の製造方法の各工程を説明する模式的な上面図である。図１３、図１５、図１７、図１８、図２０、図２２、図２４、及び図２６の各々は、本実施の形態に係るサブマウント７の製造方法の各工程を説明する模式的な断面図である。図１３には、図１２に示されるＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線における絶縁層７０の断面の一部が示されている。図１５には、図１４に示されるＸＶ－ＸＶ線における絶縁層７０などの断面の一部が示されている。図１７には、図１６に示されるＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線における絶縁層７０などの断面の一部が示されている。図１８には、図１７に示される断面と同じ位置における絶縁層７０などの断面が示されている。図２０には、図１９に示されるＸＸ－ＸＸ線における絶縁層７０などの断面の一部が示されている。図２２には、図２１に示されるＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線における絶縁層７０などの断面の一部が示されている。図２４には、図２３に示されるＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線における絶縁層７０などの断面の一部が示されている。図２６には、図２５に示されるＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線における絶縁層７０などの断面の一部が示されている。

　まず、図１２及び図１３に示されるように、第一主面７７と、第一主面７７の裏側に位置する第二主面７８と、第一主面７７に対して凹んだ領域、又は、第二主面７８に対して凹んだ領域である第一凹領域７１とを有する絶縁層７０を形成する（絶縁層形成工程）。本実施の形態では、複数のサブマウント７を同時に形成するために、サブマウント７より大きい寸法の基板状の絶縁層７０を準備し、絶縁層７０の第一主面７７に複数の第一凹領域７１を形成する。また、本実施の形態では、第一凹領域７１は、第一主面７７に対して凹んだ領域である。第一凹領域７１は、例えば、機械加工、又はレーザ加工によって形成される。なお、図１２においては、一本の第一凹領域７１が、複数のサブマウント７において分割して利用されるが、図１２に示される各第一凹領域７１が分割されていてもよい。例えば、各第一凹領域７１の長さを、一つのサブマウント７に対応する長さ毎に分割してもよい。

　続いて、図１４及び図１５に示されるように、第一主面７７に、下地層８１を形成する（下地層形成工程）。本実施の形態では、第一主面７７の平面視において、下地層８１は、下地部８１Ｍに対応する矩形状の部分と、当該矩形状の部分から、第一凹領域７１に沿ってＹ軸方向に延在する帯状の部分（露出部８１Ｌに対応する部分）とを有する。下地層８１は、第一凹領域７１にも形成される。また、下地層形成工程において、第二主面７８に下地層９１を形成する。下地層８１及び下地層９１は、例えば、スパッタリング又は電子ビーム蒸着法と、フォトリソグラフィとを用いて形成される。

　続いて、図１６及び図１７に示されるように、第一凹領域７１の少なくとも一部を覆う金属層８２を形成する（金属層形成工程）。金属層８２の第一凹領域７１に対向する位置（厚膜部８２Ｄ）における厚さは、第一凹領域７１の深さより大きい。本実施の形態では、金属層８２は、下地層８１の下地部８１Ｍの全領域に配置される。また、金属層形成工程において、第二主面７８に配置される金属層９２も形成される。金属層９２は、下地層９１の下地部９１Ｍの全領域に配置される。金属層８２及び金属層９２は、例えば、メッキによって形成される。金属層８２の表面（絶縁層７０から遠い側の端面）には、第一凹領域７１の形状に対応する凹部が形成されている。

　続いて、図１８に示されるように、金属層８２の表面を平坦化する（平坦化工程）。平坦化工程においては、例えば、金属層８２の表面を研削することで、金属層８２の表面が平坦化される。

　続いて、図１９及び図２０に示されるように、中間層８３を形成する（中間層形成工程）。本実施の形態では、第一主面７７に下地層８１及び金属層８２を介して中間層８３を形成する。中間層８３は、金属層８２の全領域に配置される。本実施の形態に係る中間層形成工程において、中間層９３も形成される。第二主面７８に下地層９１及び金属層９２を介して中間層９３を形成する。中間層９３は、金属層９２の全領域に配置される。中間層８３及び中間層９３は、例えば、メッキ、スパッタリング又は電子ビーム蒸着法と、フォトリソグラフィとを用いて形成される。

　続いて、図２１及び図２２に示されるように、被覆層８４を形成する（被覆層形成工程）。本実施の形態では、第一主面７７に下地層８１、金属層８２、及び中間層８３を介して被覆層８４を形成する。被覆層８４は、中間層８３の全領域に配置される。本実施の形態に係る被覆層形成工程において、被覆層９４も形成される。第二主面７８に下地層９１、金属層９２、及び中間層９３を介して被覆層９４を形成する。被覆層９４は、中間層９３の全領域に配置される。被覆層８４及び被覆層９４は、例えば、メッキ、スパッタリング又は電子ビーム蒸着法と、フォトリソグラフィとを用いて形成される。

　なお、本実施の形態では、中間層形成工程と被覆層形成工程とを個別に行う例を示したが、中間層形成工程と被覆層形成工程とをまとめて行うことも可能である。つまり、マスクを形成した後、各中間層、及び各被覆層を構成する導電膜をスパッタリングなどにより順次形成し、エッチングによって、マスク及びマスク上の導電膜を除去してもよい。

　続いて、図２３及び図２４に示されるように、バリア層８５を形成する（バリア層形成工程）。本実施の形態では、第一主面７７に下地層８１、金属層８２、中間層８３、及び被覆層８４を介してバリア層８５を形成する。バリア層８５は、中間層８３及び被覆層８４を介して、金属層８２の第一凹領域７１に対向する領域に配置される。バリア層８５は、例えば、スパッタリング又は電子ビーム蒸着法と、フォトリソグラフィとを用いて形成される。

　続いて、図２５及び図２６に示されるように、金属層８２を介して第一主面７７に配置されるはんだ層８６を形成する（はんだ層形成工程）。本実施の形態では、第一主面７７に下地層８１、金属層８２、中間層８３、被覆層８４、及びバリア層８５を介してはんだ層８６を形成する。はんだ層８６は、中間層８３、被覆層８４、及びバリア層８５を介して、金属層８２の第一凹領域７１に対向する領域に配置される。本実施の形態では、はんだ層８６は、バリア層８５の全領域に配置される。はんだ層８６は、例えば、スパッタリング又は電子ビーム蒸着法と、フォトリソグラフィとを用いて形成される。

　続いて、図２７（及び図５）に示されるように、金属層８２を介して第一主面７７に配置される表面層８７を形成する（表面層形成工程）。本実施の形態では、第一主面７７に下地層８１、金属層８２、中間層８３、被覆層８４、バリア層８５、及びはんだ層８６を介して表面層８７を形成する。表面層８７は、はんだ層８６の全領域に配置される。表面層８７は、例えば、スパッタリング又は電子ビーム蒸着法と、フォトリソグラフィとを用いて形成される。

　また、本実施の形態では、バリア層形成工程、はんだ層形成工程、及び表面層形成工程を個別に行う例を示したが、これらの工程についても中間層形成工程及び被覆層形成工程と同様に、まとめて行うことも可能である。

　続いて、図２８に破線で示されるように、絶縁層７０を分割する（分割工程）。例えば、図２８の破線に沿って絶縁層７０をダイシングすることで、絶縁層７０を個片化する。

　以上の工程により、サブマウント７を製造できる。

　続いて、半導体装置１の製造方法について、図２９及び図３０を用いて説明する。図２９は、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法の加熱工程を示す模式的な断面図である。図３０は、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法の当接工程を示す模式的な断面図である。図２９及び図３０には、図３と同様の位置におけるサブマウント７などの断面が示されている。

　半導体装置１の製造方法において、サブマウント７のはんだ層８６に半導体発光素子１０を接合する（接合工程）。本実施の形態の接合工程では、まず、図２９に示されるように、サブマウント７のはんだ層８６を加熱する（加熱工程）。これにより、はんだ層８６が溶融される。続いて、図３０に示されるように、半導体発光素子１０をはんだ層８６に当接させる（当接工程）。続いて、はんだ層８６を冷却することで、はんだ層８６に半導体発光素子１０を接合することができる。

　なお、本実施の形態に係る接合工程では、当接工程の前に、加熱工程を行ったが、当接工程の後に加熱工程を行ってもよい。

　以上のような工程により、半導体装置１を製造できる。

　なお、上記絶縁層形成工程では、第一凹領域７１を機械加工などにより形成する例を示したが、絶縁層形成工程における第一凹領域７１の形成方法は、この例に限定されない。以下、絶縁層形成工程の変形例について、図３１～図３６を用いて説明する。図３１及び図３２は、それぞれ、本変形例に係る絶縁層形成工程において用いられる第一成形体７５を示す模式的な上面図、及び断面図である。図３２には、図３１のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線における第一成形体７５の断面が示されている。図３３は、本変形例に係る絶縁層形成工程において用いられる第二成形体７６の構成を示す模式的な上面図である。図３４は、本変形例に係る絶縁層形成工程の積層工程における第一成形体７５及び第二成形体７６を示す模式的な断面図である。図３５は、本変形例に係る絶縁層形成工程の焼成工程における第一成形体７５及び第二成形体７６を示す模式的な断面図である。図３６は、本変形例に係る絶縁層形成工程で形成される絶縁層７０を示す模式的な断面図である。図３４～図３６には、図３２と同様の位置における第一成形体７５などの断面が示されている。

　本変形例に係る絶縁層形成工程では、まず、図３１及び図３２に示される第一成形体７５、及び、図３３に示される第二成形体７６を準備する（成形体準備工程）。第一成形体７５及び第二成形体７６の各々は、焼成されることで絶縁層７０の一部となる部材である。第一成形体７５及び第二成形体７６は、絶縁層７０を構成する顆粒状の原材料を加圧及び成形した部材である。第一成形体７５及び第二成形体７６には、バインダーが含まれてもよい。図３１及び図３２に示されるように、第一成形体７５は、板状の形状を有し、複数の貫通孔７５ｈが形成されている。図３３に示されるように、第二成形体７６は、板状の形状を有する。

　続いて、図３４に示されるように、第一成形体７５と第二成形体７６とを積層する（積層工程）。本工程において、第一成形体７５と第二成形体７６とを、加圧などにより一体化してもよい。本工程により、絶縁層７０と同様の形状を有する成形体を形成できる。

　続いて、図３５に示されるように、積層された第一成形体７５及び第二成形体７６を加熱することで焼成する（焼成工程）。これにより、図３６に示されるように絶縁層７０を製造できる。

　本変形例に係る絶縁層形成工程では、焼成前の成形体において第一凹領域７１に対応する形状を設ける。焼成前の成形体は、焼成後の成形体より靭性が高いため、焼成後の成形体より破損しにくい。このため、絶縁層７０の最も薄い部分に対応する第二成形体７６の厚さを１５０μｍ未満にすることができる。

　本変形例に係る絶縁層形成工程では、第一凹領域７１の形成のために機械加工などが不要であるため、加工時の絶縁層７０が破損すること、及び、加工時に発生したデブリが絶縁層７０に残留することを回避できる。

　［１－３．効果など］
　本実施の形態に係るサブマウント７などの効果について説明する。

　本実施の形態に係るサブマウント７は、第一主面７７と、第一主面７７の裏側に位置する第二主面７８と、第一主面７７に対して凹んだ領域である第一凹領域７１とを有する電気絶縁性の絶縁層７０と、第一凹領域７１の少なくとも一部を覆う金属層８２とを備え、金属層８２の第一凹領域７１に対向する位置における厚さは、第一凹領域７１の深さより大きい。

　このように、本実施の形態に係るサブマウント７の絶縁層７０は、第一凹領域７１を有し、第一凹領域７１の少なくとも一部に金属層８２が配置されている。つまり、絶縁層７０の一部が、絶縁層７０よりも熱伝導率が大きい（つまり、熱抵抗が小さい）金属層８２に置き換えられている。したがって、本実施の形態に係るサブマウント７においては、第一凹領域７１を有さない絶縁層を有するサブマウントなどと比較して、放熱性能を高めることができる。

　サブマウント７の放熱性能を高めるために、絶縁層７０の厚さを低減することが求められる。一方で、ＡｌＮ、ＳｉＣなどの電気絶縁材料で形成される絶縁層７０の破損を回避しつつ、安定的に製造及び使用するためには、少なくとも１５０ｎｍ程度の厚さが必要と考えられる。本実施の形態では、絶縁層７０に第一凹領域７１を形成することで、つまり、絶縁層７０の構造的な強度を確保しつつ、絶縁層７０の厚さを部分的に１５０ｎｍ未満とすることが可能となる。したがって、第一凹領域７１を放熱経路として利用することで、サブマウント７における放熱性能を高めることができる。また、絶縁層７０の第一凹領域７１の周縁部は、破損しやすい（つまり、割れやすい）が、第一凹領域７１を金属層８２で覆うことで、第一凹領域７１の周縁部の破損を抑制できる。

　本実施の形態に係るサブマウント７は、金属層８２を介して第一主面７７に配置されるはんだ層８６を備え、はんだ層８６は、金属層８２の、第一凹領域７１に対応する領域に配置されてもよい。

　これにより、はんだ層８６に半導体発光素子１０などの素子を接合することが可能となる。はんだ層８６が第一凹領域７１に対応する領域に配置されることで、第一凹領域７１を接合された素子の放熱経路として利用できる。第一凹領域７１においては、比較的熱伝導率が小さい（つまり、熱抵抗が大きい）絶縁層７０の厚さが小さいため、放熱経路における熱抵抗を低減できる。ここで、図３などに示されるように、第一主面７７に垂直な（第一方向に垂直な）断面視において、第一凹領域７１の第一主面７７に平行な方向（つまり第二方向）における幅は素子の発熱領域の第一主面７７に平行な方向における幅より広くてもよい。発熱領域の幅は、図１０に示される半導体発光素子１０の例においては、リッジ幅（つまり、リッジ２４ＲのＸ軸方向における幅）が相当する。半導体発光素子１０以外の素子においては、例えば、電流が通過する領域などを発熱領域と定義してもよい。発熱領域の幅よりも第一凹領域７１の幅が広い場合には、効率的に第一凹領域７１を含む放熱経路を利用できる。さらに、第一主面７７に垂直な断面視において、第一凹領域７１の第一主面７７に平行な方向における幅は素子の第一主面７７に平行な方向における幅より広くてもよい。素子の幅よりも第一凹領域７１の幅が広い場合には、素子内で広がった熱が、より効率的に第一凹領域７１を含む放熱経路を利用できる。

　本実施の形態に係るサブマウント７において、はんだ層８６は、第一主面７７に平行な第一方向に延在し、第一主面７７に平行で、かつ、第一方向に対して垂直な第二方向における第一凹領域７１の幅Ｗ１は、金属層８２の第一凹領域７１に対向する位置における最大厚さＴ１の２倍以上であってもよい。

　このようなサブマウント７のはんだ層８６に半導体発光素子１０などの素子を接合した場合、素子で発生した熱は、第一主面７７に垂直な方向に伝導し、かつ、当該に対する角度が最大４５度程度の方向まで拡散する（図３の破線矢印参照）。本実施の形態に係るサブマウント７において、第一凹領域７１の幅Ｗ１を、金属層８２の第一凹領域７１に対向する位置における最大厚さＴ１の２倍以上とすることで、はんだ層８６に接合された素子で発生した熱の大部分の放熱経路が第一凹領域７１を通る。したがって、放熱経路における熱抵抗を低減できる。

　本実施の形態に係るサブマウント７において、第一凹領域７１の周縁は、第一主面７７に対して傾斜した傾斜部７１ｓを有してもよい。

　このように第一凹領域７１の周縁が傾斜部７１ｓを有することで、第一凹領域７１の周縁にステップ状部が形成されることを抑制できる。ステップ状部を含む領域に金属層８２を形成する場合、ステップ状部において、金属層８２が途切れる場合がある。本実施の形態では、第一凹領域７１の周縁が傾斜部７１ｓを有することで、ステップ状部を低減できるため、金属層８２などが途切れることを低減できる。

　本実施の形態に係る半導体装置１は、サブマウント７と、はんだ層８６に接合される半導体発光素子１０とを備える。

　本実施の形態に係る半導体装置１によれば、上述したサブマウント７と同様の効果が奏される。また、本実施の形態に係る半導体装置１では、絶縁層７０の第一凹領域７１に対応する位置に半導体発光素子１０が接合される。このため、半導体発光素子１０の放熱経路が第一凹領域７１を通る。したがって、放熱経路における熱抵抗を低減できる。これにより、半導体発光素子１０の温度上昇を抑制できる。

　本実施の形態に係るサブマウント７の製造方法は、第一主面７７と、第一主面７７の裏側に位置する第二主面７８と、第一主面７７に対して凹んだ領域である第一凹領域７１とを有する絶縁層７０を形成する絶縁層形成工程と、第一凹領域７１の少なくとも一部を覆う金属層８２を形成する金属層形成工程とを含む。金属層８２の第一凹領域７１に対向する位置における厚さは、第一凹領域７１の深さより大きい。

　これにより、上述したような放熱性能が高いサブマウント７を製造できる。

　本実施の形態に係るサブマウント７の製造方法は、金属層８２を介して第一主面７７に配置されるはんだ層８６を形成するはんだ層形成工程を含んでもよい。はんだ層８６は、金属層８２の、第一凹領域７１に対応する領域に配置されてもよい。

　これにより、半導体発光素子１０などの素子を接合することが可能なはんだ層８６を有するサブマウント７を製造できる。はんだ層８６が第一凹領域７１に対応する領域に配置されることで、第一凹領域７１を接合された素子の放熱経路として利用できる。第一凹領域７１においては、比較的熱伝導率が小さい（つまり、熱抵抗が大きい）絶縁層７０の厚さが小さいため、放熱経路における熱抵抗を低減できる。

　本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法は、サブマウント７の製造方法と、はんだ層８６に半導体発光素子１０を接合する素子接合工程とを含む。

　これにより、上述したサブマウント７の製造方法と同様の効果が奏される。また、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法では、絶縁層７０の第一凹領域７１に対応する位置に半導体発光素子１０が接合される。このため、半導体発光素子１０の放熱経路が第一凹領域７１を通る。したがって、放熱経路における熱抵抗を低減できる。これにより、半導体発光素子１０の温度上昇を抑制できる。

　（実施の形態２）
　実施の形態２に係るサブマウントなどについて説明する。本実施の形態に係るサブマウントは、主に、第一凹領域が形成される位置において、実施の形態１に係るサブマウント７と相違する。以下、本実施の形態に係るサブマウントなどについて、実施の形態１に係るサブマウント７などとの相違点を中心に説明する。

　［２－１．半導体装置の構成］
　本実施の形態に係る半導体装置の構成について図３７及び図３８を用いて説明する。図３７及び図３８は、それぞれ、本実施の形態に係る半導体装置１０１の構成を示す第一の断面図及び第二の断面図である。図３７及び図３８には、それぞれ、半導体装置１０１のＹ軸方向に垂直な断面、及び、Ｘ軸方向に垂直な断面が示されている。

　図３７及び図３８に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１０１は、半導体発光素子１０と、サブマウント１０７とを備える。本実施の形態に係るサブマウント１０７は、絶縁層１７０と、金属層１８２とを備える。本実施の形態では、サブマウント１０７は、下地層１８１と、中間層８３と、被覆層８４と、バリア層８５と、はんだ層８６と、下地層１９１と、金属層１９２と、中間層９３と、被覆層９４とをさらに備える。また、素子が実装されていない状態のサブマウント１０７は、実施の形態１に係るサブマウント７と同様に、表面層８７を備えてもよい。

　本実施の形態に係る絶縁層１７０は、第一主面１７７と、第一主面１７７の裏側に位置する第二主面１７８と、第二主面１７８に対して凹んだ領域である第一凹領域１７１とを有する電気絶縁性の層である。第一凹領域１７１は、第一主面１７７に平行な第一方向（Ｙ軸方向に平行な方向）に延在する幅Ｗ１の溝状の形状を有する。第一凹領域１７１の形状は、実施の形態１に係る第一凹領域７１の形状と同様である。

　下地層１８１は、第一主面１７７に配置される金属からなる導電層である。下地層１８１は、第一主面１７７に接する。本実施の形態では、下地層１８１は、図３８に示されるように、下地部１８１Ｍと、露出部１８１Ｌと有する。下地層１８１は、第一主面１７７の平面視において、絶縁層１７０のＸ軸方向及びＹ軸方向両端部（つまり、絶縁層１７０の周縁部）を除く領域に配置される部分と、当該部分から第一凹領域１７１に沿って絶縁層１７０のＹ軸方向の一方端まで延在する部分、及び他方端まで延在する部分とを有する。下地部１８１Ｍは、下地層１８１のうち、絶縁層１７０と金属層１８２との間に配置され、金属層１８２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地部１８１Ｍは、第一主面１７７の第一凹領域１７１に対応する領域に配置される。つまり、下地部１８１Ｍは、第一主面１７７の平面視において、第一凹領域１７１に重なる領域に配置される。本実施の形態では、下地部１８１Ｍは、絶縁層１７０を介して、下地部１９１Ｍと対向する位置に配置される。露出部１８１Ｌは、下地層１８１のうち、金属層１８２から露出する部分である。本実施の形態では、下地層１８１は、４個の露出部１８１Ｌを有する。２個の露出部１８１Ｌは、下地部１８１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部１８１Ｌは、下地部１８１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。露出部１８１Ｌは、例えば、金属層１８２などをメッキによって形成する工程などにおいて下地層１８１に電力を供給するための電極として利用できる。

　本実施の形態に係る下地層１８１は、実施の形態１に係る下地層８１と同様に多層構造を有してもよい。

　金属層１８２は、第一主面１７７に配置される第二金属層の一例である。金属層１８２は、第一主面１７７の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置される。金属層１８２の熱伝導率は、絶縁層１７０の熱伝導率より大きい。金属層１８２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層１８２は、下地層１８１の下地部１８１Ｍ上に配置される。金属層１８２は、下地部１８１Ｍの全領域上に配置される。

　はんだ層８６は、金属層１８２を介して第一主面１７７に配置されるはんだからなる導電層である。はんだ層８６は、金属層１８２の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置される。

　下地層１９１は、第一凹領域１７１の少なくとも一部を覆う金属からなる導電層である。本実施の形態では、下地層１９１は、図３８に示されるように、下地部１９１Ｍと、露出部１９１Ｌと有する。下地部１９１Ｍは、下地層１９１のうち、絶縁層１７０と金属層１９２との間に配置され、金属層１９２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地層１９１は、第二主面１７８又は第一凹領域１７１に接する。下地部１９１Ｍは、第一凹領域１７１のＹ軸方向両端部を除く全領域と、当該領域に隣接する第二主面１７８に配置される。露出部１９１Ｌは、下地層１９１のうち、金属層１９２から露出する部分である。露出部１９１Ｌは、第二主面１７８に配置される。本実施の形態では、下地層１９１は、４個の露出部１９１Ｌを有する。２個の露出部１９１Ｌは、下地部１９１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部１９１Ｌは、下地部１９１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。露出部１９１Ｌは、例えば、金属層１９２などをメッキによって形成する工程などにおいて下地層１９１に電力を供給するための電極として利用できる。

　本実施の形態に係る下地層１９１は、実施の形態１に係る下地層９１と同様に、多層構造を有してもよい。

　金属層１９２は、第二主面１７８に配置される金属からなる導電層である。金属層１９２は、第一凹領域１７１の少なくとも一部を覆う第一金属層の一例である。金属層１９２の熱伝導率は、絶縁層１７０の熱伝導率より大きい。金属層１９２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層１９２は、下地層１９１を介して、第二主面１７８の一部、及び第一凹領域１７１の一部を覆う。金属層１９２は、下地層１９１の下地部１９１Ｍ上に配置される。金属層１９２は、下地部１９１Ｍの全領域上に配置される。金属層１９２は、第一凹領域１７１に対向する位置に配置される厚膜部１９２Ｄと、第二主面１７８に対向する位置に配置される薄膜部１９２Ｆとを有する。

　金属層１９２の第一凹領域１７１に対向する位置における厚さ（Ｚ軸方向における寸法）は、第一凹領域１７１の深さより大きい。つまり、金属層１９２の第一凹領域１７１に対向する各位置における厚さ（Ｚ軸方向における寸法）は、当該各位置における第一凹領域１７１の第二主面１７８からの深さより大きい。したがって、厚膜部１９２Ｄの絶縁層１７０から遠い側の表面（つまり、中間層８３との界面）は、第二主面１７８よりＺ軸方向負側に位置する。

　本実施の形態では、第二方向における第一凹領域１７１の幅Ｗ１は、厚膜部１９２Ｄの最大厚さＴ１の２倍以上である。厚膜部１９２Ｄの最大厚さは、例えば、６０μｍ以上、２５０μｍ以下である。薄膜部１９２Ｆの厚さは、例えば、１０μｍ以上、１５０μｍ以下である。

　［２－２．半導体装置の製造方法］
　本実施の形態に係る半導体装置１０１の製造方法について説明する。本実施の形態に係る半導体装置１０１の製造方法は、サブマウント１０７の製造方法において、実施の形態１に係る半導体装置１の製造方法と相違する。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７の製造方法は、絶縁層形成工程、下地層形成工程、金属層形成工程、平坦化工程、及びはんだ層形成工程において、実施の形態１に係るサブマウント７の製造方法と相違する。

　本実施の形態に係る絶縁層形成工程においては、第一主面１７７と、第一主面１７７の裏側に位置する第二主面１７８と、第二主面１７８に対して凹んだ領域である第一凹領域１７１とを有する絶縁層１７０を形成する。

　本実施の形態に係る下地層形成工程においては、第一主面１７７に、下地層１８１を形成する。また、下地層形成工程において、第二主面１７８に下地層１９１を形成する。本実施の形態においては、下地層１９１は、第一凹領域１７１にも形成される。

　本実施の形態に係る金属層形成工程においては、第一凹領域１７１の少なくとも一部を覆う金属層１９２を形成する（金属層形成工程）。金属層１９２の第一凹領域１７１に対向する位置における厚さは、第一凹領域１７１の深さより大きい。また、本実施の形態では、また、金属層形成工程において、第一主面１７７に配置される金属層１８２を形成する。金属層１８２は、第一主面１７７の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置される。

　本実施の形態に係る平坦化工程においては、金属層１９２の表面を平坦化する。

　本実施の形態に係るはんだ層形成工程は、金属層１８２を介して第一主面１７７に配置されるはんだ層８６を形成する。はんだ層８６は、金属層１８２の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置される。

　以上のような工程を含む製造方法により、半導体装置１０１を製造できる。

　［２－３．効果など］
　本実施の形態に係るサブマウント１０７は、第一主面１７７と、第一主面１７７の裏側に位置する第二主面１７８と、第二主面１７８に対して凹んだ領域である第一凹領域１７１とを有する電気絶縁性の絶縁層１７０と、第一凹領域１７１の少なくとも一部を覆う金属層１９２とを備える。金属層１９２の第一凹領域１７１に対向する位置における厚さは、第一凹領域１７１の深さより大きい。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７によっても、実施の形態１に係るサブマウント７と同様の効果が奏される。また、本実施の形態に係るサブマウント１０７では、絶縁層１７０の第一主面１７７側に凹領域が形成されないため、第一主面１７７側に素子を実装する場合に、素子の位置及び傾きの精度を高めることができる。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７は、第一主面１７７に配置される金属層１８２を備えてもよい。金属層１８２は、第一主面１７７の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置されてもよい。

　サブマウント１０７がこのような金属層１８２を備えることで、サブマウント１０７の第一主面１７７側に素子を実装した場合に金属層１８２において放熱することが可能となる。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７は、金属層１８２を介して第一主面１７７に配置されるはんだ層８６を備えてもよい。はんだ層８６は、金属層１８２の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置されてもよい。

　サブマウント１０７がこのようなはんだ層８６を備えることで、サブマウント１０７に素子を実装できる。また、はんだ層８６が第一凹領域１７１に対応する領域に配置されることで、第一凹領域１７１を接合された素子の放熱経路として利用できる。第一凹領域１７１においては、比較的熱伝導率が小さい絶縁層１７０の厚さが小さいため、放熱経路における熱抵抗を低減できる。

　本実施の形態に係る半導体装置１０１は、サブマウント１０７と、はんだ層８６に接合される半導体発光素子１０とを備える。

　本実施の形態に係る半導体装置１０１によれば、上述したサブマウント１０７と同様の効果が奏される。また、本実施の形態に係る半導体装置１０１では、絶縁層１７０の第一凹領域１７１に対応する位置に半導体発光素子１０が接合される。このため、半導体発光素子１０の放熱経路が第一凹領域１７１を通る。したがって、放熱経路における熱抵抗を低減できる。これにより、半導体発光素子１０の温度上昇を抑制できる。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７の製造方法は、第一主面１７７と、第一主面１７７の裏側に位置する第二主面１７８と、第二主面１７８に対して凹んだ領域である第一凹領域１７１とを有する絶縁層１７０を形成する絶縁層形成工程と、第一凹領域１７１の少なくとも一部を覆う金属層１９２を形成する金属層形成工程とを含む。金属層１９２の第一凹領域１７１に対向する位置における厚さは、第一凹領域１７１の深さより大きい。

　これにより、放熱性能が高いサブマウント１０７を製造できる。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７の製造方法の金属層形成工程において、第一主面１７７に配置される金属層１８２を形成してもよい。金属層１８２は、第一主面１７７の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置されてもよい。

　本実施の形態に係るサブマウント１０７の製造方法は、金属層１８２を介して第一主面１７７に配置されるはんだ層８６を形成するはんだ層形成工程を含んでもよい。はんだ層８６は、金属層１８２の、第一凹領域１７１に対応する領域に配置されてもよい。

　本実施の形態に係る半導体装置１０１の製造方法は、サブマウント１０７の製造方法と、はんだ層８６に半導体発光素子１０を接合する素子接合工程とを含む。

　これにより、上述したサブマウント１０７の製造方法と同様の効果が奏される。また、本実施の形態に係る半導体装置１０１の製造方法では、絶縁層１７０の第一凹領域１７１に対応する位置に半導体発光素子１０が接合される。このため、半導体発光素子１０の放熱経路が第一凹領域１７１を通る。したがって、放熱経路における熱抵抗を低減できる。これにより、半導体発光素子１０の温度上昇を抑制できる。

　（実施の形態３）
　実施の形態３に係るサブマウントなどについて説明する。本実施の形態に係るサブマウントは、主に、第一凹領域の構成において、実施の形態１に係るサブマウント７と相違する。以下、本実施の形態に係るサブマウントなどについて、実施の形態１に係るサブマウント７などとの相違点を中心に説明する。

　［３－１．半導体装置の構成］
　本実施の形態に係る半導体装置の構成について図３９及び図４０を用いて説明する。図３９及び図４０は、それぞれ、本実施の形態に係る半導体装置２０１の構成を示す上面図及び断面図である。図４０には、半導体装置２０１のＸ軸方向に垂直な断面が示されている。

　図３９及び図４０に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置２０１は、半導体発光素子１０と、サブマウント２０７（図４０参照）とを備える。本実施の形態に係るサブマウント２０７は、絶縁層２７０と、金属層２８２とを備える。本実施の形態では、サブマウント２０７は、下地層２８１と、中間層８３と、被覆層８４と、バリア層８５と、はんだ層８６と、下地層９１と、金属層９２と、中間層９３と、被覆層９４とをさらに備える。また、素子が実装されていない状態のサブマウント２０７は、実施の形態１に係るサブマウント７と同様に、表面層８７を備えてもよい。

　本実施の形態に係る絶縁層２７０は、第一主面２７７と、第一主面２７７の裏側に位置する第二主面２７８と、第一主面２７７に対して凹んだ領域である第一凹領域２７１とを有する電気絶縁性の層である。

　本実施の形態に係る第一凹領域２７１は、各々が第一主面２７７に対して凹んだ領域である複数の第一凹部２７１ｒを有する。本実施の形態では、複数の第一凹部２７１ｒの各々は、円筒状の形状を有する凹部であり、図３９に示されるように、第一主面２７７の平面視において、円状の形状を有する。複数の第一凹部２７１ｒは、第一方向に沿って一列に配列されている。複数の第一凹部２７１ｒの各々は、第二方向における幅は、金属層２８２の第一凹領域２７１に対向する位置における最大厚さの２倍以上であってもよい。

　下地層２８１は、第一主面２７７に配置される金属からなる導電層である。下地層２８１は、第一主面２７７又は第一凹領域２７１に接する。本実施の形態では、下地層２８１は、図４０に示されるように、下地部２８１Ｍと、露出部２８１Ｌと有する。下地部２８１Ｍは、下地層２８１のうち、絶縁層２７０と金属層２８２との間に配置され、金属層２８２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地部２８１Ｍは、第一主面２７７の第一凹領域２７１に対応する領域に配置される。つまり、下地部２８１Ｍは、第一主面２７７の平面視において、第一凹領域２７１に重なる領域に配置される。本実施の形態では、下地部２８１Ｍは、絶縁層２７０を介して、下地部９１Ｍと対向する位置に配置される。図３９及び図４０に示されるように、露出部２８１Ｌは、下地層２８１のうち、金属層２８２から露出する部分である。本実施の形態では、下地層２８１は、４個の露出部２８１Ｌを有する。２個の露出部２８１Ｌは、下地部２８１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部２８１Ｌは、下地部２８１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。

　本実施の形態に係る下地層２８１は、実施の形態１に係る下地層８１と同様に多層構造を有してもよい。

　金属層２８２は、第一主面２７７に配置される金属からなる導電層である。金属層２８２は、第一凹領域２７１の少なくとも一部を覆う第一金属層の一例である。金属層２８２の熱伝導率は、絶縁層２７０の熱伝導率より大きい。金属層２８２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層２８２は、下地層２８１を介して、第一主面２７７の一部、及び第一凹領域２７１の一部を覆う。金属層２８２は、下地層２８１の下地部２８１Ｍ上に配置される。金属層２８２は、下地部２８１Ｍの全領域上に配置される。金属層２８２は、第一凹領域２７１に対向する位置に配置される厚膜部２８２Ｄと、第一主面２７７に対向する位置に配置される薄膜部２８２Ｆとを有する。

　［３－２．効果など］
　本実施の形態に係るサブマウント２０７において、第一凹領域２７１は、各々が、第一主面２７７に対して凹んだ領域である複数の第一凹部２７１ｒを含む。

　このようなサブマウント２０７によっても、実施の形態１に係るサブマウント１０７と同様の効果が奏される。さらに、第一凹領域２７１が互いに離隔された複数の第一凹部２７１ｒを含むことで、第一凹領域２７１が、連続した一つの凹部からなる場合より、絶縁層２７０における歪を低減することが可能となる。また、第一凹領域２７１が、複数の第一凹部２７１ｒを含む場合には、第一凹領域２７１に配置される金属層２８２の量を削減することが可能となる。

　［３－３．変形例］
　本実施の形態に係る第一凹領域２７１の変形例１～３について図４１～図４３を用いて説明する。図４１は、本実施の形態の変形例１に係る半導体装置２０１ａの構成を示す模式的な上面図である。図４２は、本実施の形態の変形例２に係る半導体装置２０１ｂの構成を示す模式的な上面図である。図４３は、本実施の形態の変形例３に係る半導体装置２０１ｃの構成を示す模式的な上面図である。

　本実施の形態の変形例１に係る半導体装置２０１ａは、図４１に示されるように、サブマウント２０７ａと、半導体発光素子１０とを備える。変形例１に係るサブマウント２０７ａは、絶縁層２７０ａを備える。絶縁層２７０ａは、第一主面２７７に対して凹んだ領域である第一凹領域２７１ａを有する。変形例１に係る第一凹領域２７１ａは、各々が第一主面２７７に対して凹んだ領域である複数の第一凹部２７１ｒａを含む。複数の第一凹部２７１ｒａは、第一方向に複数列に配列されていてもよい。図４１に示される例では、複数の第一凹部２７１ｒａは、二列に配列されている。また、複数の第一凹部２７１ｒａは、二列に配列された複数の第一凹部２７１ｒａの第一方向における位置が互いに異なっていてもよい。また、複数の第一凹部２７１ｒａの配置は、いわゆる千鳥配置であってもよい。

　このような構成を有する変形例１に係るサブマウント２０７ａ及び半導体装置２０１ａによっても、本実施の形態に係るサブマウント２０７及び半導体装置２０１と同様の効果が奏される。

　本実施の形態の変形例２に係る半導体装置２０１ｂは、図４２に示されるように、サブマウント２０７ｂと、半導体発光素子１０とを備える。変形例２に係るサブマウント２０７ｂは、絶縁層２７０ｂを備える。絶縁層２７０ｂは、第一主面２７７に対して凹んだ領域である第一凹領域２７１ｂを有する。変形例２に係る第一凹領域２７１ｂは、各々が第一主面２７７に対して凹んだ領域である複数の第一凹部２７１ｒｂを含む。複数の第一凹部２７１ｒｂは、第一方向に一列に配列されている。図４２に示されるように、変形例２に係る複数の第一凹部２７１ｒｂは、半導体発光素子１０のリッジ２４Ｒに対応する領域に配置される。つまり、変形例２に係る複数の第一凹部２７１ｒｂは、第一主面２７７の平面視において、半導体発光素子１０のリッジ２４Ｒと重なる。

　このような構成を有する変形例２に係るサブマウント２０７ｂ及び半導体装置２０１ｂによっても、本実施の形態に係るサブマウント２０７及び半導体装置２０１と同様の効果が奏される。さらに、変形例２に係る複数の第一凹部２７１ｒｂは、リッジ２４Ｒに対応する領域に配置される。これにより、第一凹領域２７１ｂを縮小することで絶縁層２７０ｂの歪をより一層低減できる。さらに、第一凹領域２７１ｂは、半導体発光素子１０における発熱量が特に多い領域であるリッジ２４Ｒに対応する領域に第一凹領域２７１ｂが配置されるため、放熱性能の低下を抑制できる。また、複数の第一凹部２７１ｒｂは、リッジ２４Ｒに対応する領域のみに配置されてもよい。これにより、第一凹領域２７１ｂをより一層縮小できる。したがって、絶縁層２７０ｂの歪をより一層低減できる。

　本実施の形態の変形例３に係る半導体装置２０１ｃは、図４３に示されるように、サブマウント２０７ｃと、半導体発光素子１０とを備える。変形例３に係るサブマウント２０７ｃは、絶縁層２７０ｃを備える。絶縁層２７０ｃは、第一主面２７７に対して凹んだ領域である第一凹領域２７１ｃを有する。変形例３に係る第一凹領域２７１ｃは、各々が第一主面２７７に対して凹んだ領域である複数の第一凹部２７１ｒｃを含む。複数の第一凹部２７１ｒｃは、第一方向に複数列に配列されていてもよい。図４３に示される例では、複数の第一凹部２７１ｒｃは、二列に配列されている。また、複数の第一凹部２７１ｒｃは、リッジ２４Ｒに対応する領域の外側に当該領域に沿って配置されている。

　このような構成を有する変形例３に係るサブマウント２０７ｃ及び半導体装置２０１ｃによっても、本実施の形態に係るサブマウント２０７及び半導体装置２０１と同様の効果が奏される。さらに、変形例３に係る複数の第一凹部２７１ｒｃは、半導体発光素子１０における発熱量が特に多い領域であるリッジ２４Ｒに対応する領域に沿って配置されるため、サブマウント２０７ｃの放熱性能を高めることができる。

　また、複数の第一凹部２７１ｒｃは、リッジ２４Ｒに対応する領域の外側に配置される。これにより、リッジ２４Ｒに対応する絶縁層２７０ｃの第一主面２７７側の領域を平坦化できる。したがって、リッジ２４Ｒの位置及び傾きの精度を高めることができる。

　また、本実施の形態、及びその変形例に係る各サブマウントにおいては、各第一凹領域は、第一主面２７７に対して凹んだ領域であったが、第二主面２７８に対して凹んだ領域であってもよい。

　（実施の形態４）
　実施の形態４に係るサブマウントなどについて説明する。本実施の形態に係るサブマウントは、主に、絶縁層が第一凹領域に加えて第二凹領域を有する点において、実施の形態１に係るサブマウント７と相違する。以下、本実施の形態に係るサブマウントなどについて、実施の形態１に係るサブマウント７などとの相違点を中心に説明する。

　［４－１．半導体装置の構成］
　本実施の形態に係る半導体装置の構成について図４４及び図４５を用いて説明する。図４４及び図４５は、それぞれ、本実施の形態に係る半導体装置３０１の構成を示す第一の断面図及び第二の断面図である。図４４及び図４５には、それぞれ、半導体装置３０１のＹ軸方向に垂直な断面、及び、Ｘ軸方向に垂直な断面が示されている。

　図４４及び図４５に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置３０１は、半導体発光素子１０と、サブマウント３０７とを備える。本実施の形態に係るサブマウント３０７は、絶縁層３７０と、金属層３８２とを備える。本実施の形態では、サブマウント３０７は、下地層３８１と、中間層８３と、被覆層８４と、バリア層８５と、はんだ層８６と、下地層３９１と、金属層３９２と、中間層９３と、被覆層９４とをさらに備える。また、素子が実装されていない状態のサブマウント３０７は、実施の形態１に係るサブマウント７と同様に、表面層８７を備えてもよい。

　本実施の形態に係る絶縁層３７０は、第一主面３７７と、第一主面３７７の裏側に位置する第二主面３７８と、第一主面３７７に対して凹んだ領域である第一凹領域３７１とを有する電気絶縁性の層である。本実施の形態では、第一凹領域３７１は、第一方向に延在する幅Ｗ１の溝状の形状を有する。第一凹領域３７１の第二方向における幅Ｗ１は、実施の形態１に係る第一凹領域７１の第二方向における幅Ｗ１と同程度であってもよい。絶縁層３７０は、第二主面３７８に対して凹んだ領域である第二凹領域３７２を有する。本実施の形態では、第二凹領域３７２は、第一方向に延在する幅Ｗ２の溝状の形状を有する。第二凹領域３７２は、第一凹領域３７１に対応する領域に配置される。つまり、第二主面３７８の平面視において、第二凹領域３７２は、第一凹領域３７１に重なる。

　第二凹領域３７２の第二主面３７８の平面視における面積は、第一凹領域３７１の第一主面３７７の平面視における面積より大きい。また、図４４に示されるように、第二方向における第二凹領域３７２の幅Ｗ２は、第一凹領域３７１の第二方向における幅Ｗ１より大きい。

　絶縁層３７０の第一凹領域３７１及び第二凹領域３７２が形成されていない部分の厚さは、１５０μｍ以上である。絶縁層３７０の第一凹領域３７１及び第二凹領域３７２が形成されていない部分の厚さは、２００μｍ以下であってもよい。第一凹領域３７１と第二凹領域３７２との間における絶縁層３７０の最も薄い部分の厚さＴ０は、１５０μｍ未満である。本実施の形態では、厚さＴ０は、５０μｍ以上、１５０μｍ未満である。厚さＴ０は、５０μｍ以上、１００μｍ未満であってもよいし、５０μｍ以上、７５μｍ未満であってもよい。

　下地層３８１は、第一主面３７７に配置される金属からなる導電層である。下地層３８１は、第一主面３７７又は第一凹領域３７１に接する。本実施の形態では、下地層３８１は、図４５に示されるように、下地部３８１Ｍと、露出部３８１Ｌと有する。下地部３８１Ｍは、下地層３８１のうち、絶縁層３７０と金属層３８２との間に配置され、金属層３８２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地部３８１Ｍは、第一主面３７７の第一凹領域３７１に対応する領域に配置される。つまり、下地部３８１Ｍは、第一主面３７７の平面視において、第一凹領域３７１に重なる領域に配置される。本実施の形態では、下地部３８１Ｍは、絶縁層３７０を介して、下地層３９１の下地部３９１Ｍと対向する位置に配置される。露出部３８１Ｌは、下地層３８１のうち、金属層３８２から露出する部分である。本実施の形態では、下地層３８１は、４個の露出部３８１Ｌを有する。２個の露出部３８１Ｌは、下地部３８１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部３８１Ｌは、下地部３８１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。

　本実施の形態に係る下地層３８１は、実施の形態１に係る下地層８１と同様に多層構造を有してもよい。

　金属層３８２は、第一主面３７７に配置される金属からなる導電層である。金属層３８２は、第一凹領域３７１の少なくとも一部を覆う第一金属層の一例である。金属層３８２の熱伝導率は、絶縁層３７０の熱伝導率より大きい。金属層３８２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層３８２は、下地層３８１を介して、第一主面３７７の一部、及び第一凹領域３７１の一部を覆う。金属層３８２は、下地層３８１の下地部３８１Ｍ上に配置される。金属層３８２は、下地部３８１Ｍの全領域上に配置される。金属層３８２は、第一凹領域３７１に対向する位置に配置される厚膜部３８２Ｄと、第一主面３７７に対向する位置に配置される薄膜部３８２Ｆとを有する。金属層２８２の第一凹領域３７１に対向する位置における厚さは、第一凹領域３７１の深さより大きい。

　また、第二方向における第一凹領域３７１の幅Ｗ１は、厚膜部３８２Ｄの最大厚さＴ１の２倍以上であってもよい。厚膜部３８２Ｄの最大厚さＴ１は、例えば、６０μｍ以上、２５０μｍ以下である。薄膜部３８２Ｆの厚さは、例えば、１０μｍ以上、１５０μｍ以下である。

　下地層３９１は、第二主面３７８に配置される金属からなる導電層である。下地層３９１は、第二主面３７８又は第二凹領域３７２に接する。本実施の形態では、下地層３９１は、図４５に示されるように、下地部３９１Ｍと、露出部３９１Ｌと有する。下地部３９１Ｍは、下地層３９１のうち、絶縁層３７０と金属層３９２との間に配置され、金属層３９２の下地となる部分である。本実施の形態では、下地部３９１Ｍは、第二主面３７８の第二凹領域３７２に対応する領域に配置される。つまり、下地部３９１Ｍは、第二主面３７８の平面視において、第二凹領域３７２に重なる領域に配置される。本実施の形態では、下地部３９１Ｍは、絶縁層３７０を介して、下地層３８１の下地部３８１Ｍと対向する位置に配置される。露出部３９１Ｌは、下地層３９１のうち、金属層３９２から露出する部分である。本実施の形態では、下地層３９１は、４個の露出部３９１Ｌを有する。２個の露出部３９１Ｌは、下地部３９１Ｍの第一方向における一方の端部に接続されており、他の２個の露出部３９１Ｌは、下地部３９１Ｍの第一方向における他方の端部に接続されている。

　本実施の形態に係る下地層３９１は、実施の形態１に係る下地層９１と同様に多層構造を有してもよい。

　金属層３９２は、第二主面３７８に配置される金属からなる導電層である。金属層３９２は、第二凹領域３７２の少なくとも一部を覆う第二金属層の一例である。金属層３９２の熱伝導率は、絶縁層３７０の熱伝導率より大きい。金属層３９２は、例えば、Ｃｕからなる。本実施の形態では、金属層３９２は、下地層３９１を介して、第二主面３７８の一部、及び第二凹領域３７２の一部を覆う。金属層３９２は、下地層３９１の下地部３９１Ｍ上に配置される。金属層３９２は、下地部３９１Ｍの全領域上に配置される。金属層３９２は、第二凹領域３７２に対向する位置に配置される厚膜部３９２Ｄと、第二主面３７８に対向する位置に配置される薄膜部３９２Ｆとを有する。金属層３９２の第二凹領域３７２に対向する位置における厚さは、第二凹領域３７２の深さより大きい。

　また、第二方向における第二凹領域３７２の幅Ｗ２は、厚膜部３９２Ｄの最大厚さＴ２の２倍以上であってもよい。厚膜部３９２Ｄの最大厚さＴ２は、例えば、６０μｍ以上、２５０μｍ以下である。薄膜部３８２Ｆの厚さは、例えば、１０μｍ以上、１５０μｍ以下である。

　［４－２．半導体装置の製造方法］
　本実施の形態に係る半導体装置３０１の製造方法について説明する。本実施の形態に係る半導体装置３０１の製造方法は、サブマウント３０７の製造方法において、実施の形態１に係る半導体装置１の製造方法と相違する。

　本実施の形態に係るサブマウント３０７の製造方法は、絶縁層形成工程、下地層形成工程、金属層形成工程、及び平坦化工程において、実施の形態１に係るサブマウント７の製造方法と相違する。

　本実施の形態に係る絶縁層形成工程においては、第一主面３７７と、第一主面３７７の裏側に位置する第二主面３７８と、第一主面３７７に対して凹んだ領域である第一凹領域３７１とを有する絶縁層３７０を形成する。本実施の形態では、絶縁層３７０は、第二主面３７８に対して凹んだ領域である第二凹領域３７２を有する。第一凹領域３７１及び第二凹領域３７２は、実施の形態１に係る第一凹領域７１と同様に形成できる。

　本実施の形態に係る金属層形成工程において、第一凹領域３７１の少なくとも一部を覆う金属層３８２を形成する。さらに、金属層形成工程において、第二凹領域３７２の少なくとも一部を覆う金属層３９２を形成する。

　本実施の形態に係る平坦化工程においては、金属層３８２の表面を平坦化する。また、平坦化工程において、金属層３９２の表面を平坦化してもよい。

　［４－３．効果など］
　本実施の形態に係るサブマウント３０７は、第二主面３７８に配置される金属層３９２を備える。絶縁層３７０は、第二主面３７８に対して凹んだ領域である第二凹領域３７２を有し、第二凹領域３７２は、第一凹領域３７１に対応する領域に配置される。金属層３９２は、第二凹領域３７２の少なくとも一部を覆い、金属層３９２の第二凹領域３７２に対向する位置における厚さは、第二凹領域３７２の深さより大きい。

　本実施の形態に係るサブマウント３０７によっても、実施の形態１に係るサブマウント７と同様の効果が奏される。さらに、本実施の形態に係るサブマウント３０７では、絶縁層３７０の第一主面３７７側及び第二主面３７８側の両方に凹領域が形成されるため、絶縁層３７０の一方の主面側だけに凹領域が形成される場合より、絶縁層３７０の反りを抑制できる。

　本実施の形態に係るサブマウント３０７は、金属層３８２を介して第一主面３７７に配置されるはんだ層８６を備えてもよい。はんだ層８６は、金属層３８２の、第一凹領域３７１に対応する領域に配置されてもよい。第二凹領域３７２の第二主面３７８の平面視における面積は、第一凹領域３７１の第一主面３７７の平面視における面積より大きくてもよい。

　このようなサブマウント３０７により、はんだ層８６に素子などを接合できる。上述したとおり、素子で発生した熱は、拡散しながら伝導するため、第一凹領域３７１より、はんだ層８６から遠い第二凹領域３７２の面積を大きくすることで、第一凹領域３７１に伝導する熱の経路が第二凹領域３７２の外側にはみ出すことを低減できる。ここで、第一凹領域３７１及び第二凹領域３７２を通る放熱経路では、絶縁層３７０の厚さが小さいため、熱抵抗が低い。したがって、本実施の形態に係るサブマウント３０７によれば、放熱性能をさらに高めることができる。

　本実施の形態に係るサブマウント３０７は、金属層３８２を介して第一主面３７７に配置されるはんだ層８６を備えてもよい。はんだ層８６は、金属層３８２の、第一凹領域３７１に対応する領域に配置され、かつ、第一主面３７７に平行な第一方向に延在し、第一主面３７７に平行で、かつ、第一方向に対して垂直な第二方向における第二凹領域３７２の幅Ｗ２は、第一凹領域３７１の第二方向における幅Ｗ１より大きくてもよい。

　このようなサブマウント３０７により、はんだ層８６に素子などを接合できる。上述したとおり、素子で発生した熱は、拡散しながら伝導するため、第一凹領域３７１より、はんだ層８６から遠い第二凹領域３７２の幅を大きくすることで、第一凹領域３７１に伝導する熱の経路が第二凹領域３７２の外側にはみ出すことを低減できる。ここで第一凹領域３７１及び第二凹領域３７２を通る放熱経路では、絶縁層３７０の厚さが小さいため、熱抵抗が低い。したがって、本実施の形態に係るサブマウント３０７によれば、放熱性能をさらに高めることができる。

　本実施の形態に係るサブマウント３０７の製造方法の金属層形成工程において、第二主面３７８に配置される金属層３９２を形成する。絶縁層３７０は、第二主面３７８に対して凹んだ領域である第二凹領域３７２を有する。金属層３９２は、第二凹領域３７２の少なくとも一部を覆う。金属層３９２の第二凹領域３７２に対向する位置における厚さは、第二凹領域３７２の深さより大きい。

　これにより、上述した本実施の形態に係るサブマウント３０７と同様の効果が奏される。

　（実施の形態５）
　実施の形態５に係るサブマウントについて説明する。本実施の形態に係るサブマウントは、金属層の構成において、実施の形態１に係るサブマウント７と相違する。以下、本実施の形態に係るサブマウントについて、実施の形態１に係るサブマウント７などとの相違点を中心に説明する。

　［５－１．サブマウントの構成］
　本実施の形態に係る半導体装置の構成について図４６を用いて説明する。図４６は、本実施の形態に係るサブマウント４０７の構成を示す断面図である。図４６には、サブマウント４０７のＹ軸方向に垂直な断面が示されている。

　本実施の形態に係るサブマウント４０７は、絶縁層７０と、金属層４８２とを備える。本実施の形態では、サブマウント４０７は、下地層８１と、中間層４８３と、被覆層４８４と、バリア層４８５と、はんだ層４８６と、表面層４８７と、下地層９１と、金属層９２と、中間層９３と、被覆層９４とを備える。

　本実施の形態に係る金属層４８２は、厚膜部４８２Ｄと薄膜部４８２Ｆとを有する。金属層４８２は、表面に凹部４８２ｕを有する点において、実施の形態１に係る金属層８２と相違する。金属層４８２の凹部４８２ｕは、第一凹領域７１に対応する領域に形成されている。金属層４８２は、実施の形態１の、平坦化工程を行う前の金属層８２に相当する。つまり、本実施の形態に係るサブマウント４０７の製造方法は、平坦化工程を有さない点において、実施の形態１に係るサブマウント７の製造方法と相違する。

　本実施の形態に係る中間層４８３、被覆層４８４、バリア層４８５、はんだ層４８６、及び表面層４８７は、それぞれ、実施の形態１に係る中間層８３、被覆層８４、バリア層８５、はんだ層８６、及び表面層８７と同様の組成及び厚さを有する層である。本実施の形態では、これらの各層は、金属層４８２の表面に沿った断面形状を有する。例えば、表面層４８７は、凹部４８７ｕを有し、はんだ層４８６は、凹部４８６ｕを有する。

　［５－２．効果］
　本実施の形態に係るサブマウント４０７において、金属層４８２は、表面に形成された凹部４８２ｕを有する。

　これにより、凹部４８２ｕが有する金属層４８２と、表面が平坦な金属層９２とに基づいて、サブマウント４０７の第一主面７７側と第二主面７８側とを識別することができる。したがって、サブマウント４０７の素子が実装される側の面を容易に識別することができる。

　（変形例など）
　以上、本開示に係るサブマウントなどについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態に限定されるものではない。

　例えば、実施の形態１では、第一凹領域７１の傾斜部７１ｓは、平面状の形状を有したが、傾斜部の構成はこれに限定されない。傾斜部の変形例について、図４７を用いて説明する。図４７は、変形例１に係る絶縁層５７０の構成を示す模式的な側面図である。図４７に示される絶縁層５７０は、第一凹領域５７１を有する。第一凹領域５７１の周縁は、傾斜部５７１ｓを有する。図４７に示されるように、傾斜部５７１ｓは、曲面状の形状を有してもよい。これにより、第一凹領域５７１の周縁の破損を抑制できる。

　また、上記各実施の形態及び変形例においては、第一主面に配置される金属層と第二主面に配置される金属層とが対応する位置に配置されたが、各金属層の構成はこれに限定されない。各金属層の構成の変形例について、図４８及び図４９を用いて説明する。図４８及び図４９は、それぞれ、変形例２及び変形例３に係る半導体装置１の構成を示す模式的な断面図である。図４８及び図４９には、半導体装置１の半導体発光素子１０を通り、Ｘ軸に垂直な断面の一部が示されている。

　図４８及び図４９に示される各半導体装置１は、金属層９２などの端部の位置において、実施の形態１に係る半導体装置１と相違する。

　図４８に示されるように、金属層９２の第一方向における端面のうち、半導体発光素子１０の端面１０Ｆに近い側の端面９２Ｅは、金属層８２の第一方向における端面のうち、半導体発光素子１０の端面１０Ｆに近い側の端面８２Ｅより、Ｙ軸方向正側に位置してもよい。半導体発光素子１０においては、端面１０Ｆ付近における発熱が最も多い。半導体発光素子１０の端面１０Ｆ付近において発生した熱は、図４８の破線矢印で示されるように金属層８２から絶縁層７０に向かって伝導する。本変形例では、この熱が、図４８に破線矢印で示されるように、金属層９２においてＹ軸方向正向きに拡散できる。したがって、サブマウント７における放熱性能をさらに高めることができる。

　また、上記各実施の形態及び変形例に係る各サブマウントにおいては、第一主面側に、金属層を含む一体化された一つの電極だけが形成されたが、電極構成はこれに限定されない。電極構成の変形例について図４９及び図５０を用いて、説明する。図４９及び図５０は、それぞれ、変形例３に係るサブマウント６０７の構成を示す模式的な上面図及び断面図である。図５０には、サブマウント６０７のＹ軸方向に垂直な断面が示されている。

　図４９及び図５０に示されるように、本変形例に係るサブマウント６０７は、実施の形態１に係るサブマウント７と同様に、絶縁層７０と、金属層８２と、下地層８１と、中間層８３と、被覆層８４と、バリア層８５と、はんだ層８６と、下地層９１と、金属層９２と、中間層９３と、被覆層９４とをさらに備える。さらに、サブマウント６０７は、下地層６８１と、金属層６８２と、中間層６８３と、被覆層６８４とを備える。

　本変形例に係る下地層６８１、金属層６８２、中間層６８３、及び被覆層６８４は、それぞれ、実施の形態１に係る下地層８１、金属層８２、中間層８３、及び被覆層８４と同様の組成及び厚さを有する。下地層６８１は、第一主面７７に配置され、離隔領域８０ｉを介して、下地層８１から離隔して配置されている。金属層６８２は、下地層８１を介して第一主面７７に配置され、金属層８２から離隔されている。中間層６８３は、下地層８１及び金属層６８２を介して第一主面７７に配置され、中間層８３から離隔されている。被覆層６８４は、下地層８１、金属層６８２、及び中間層６８３を介して第一主面７７に配置され、被覆層８４から離隔されている。

　以上のように、下地層６８１、金属層６８２、中間層６８３、及び被覆層６８４を含む電極は、下地層８１、金属層８２、中間層８３、及び被覆層８４を含む電極から電気的に絶縁された電極として機能する。この金属層６８２などを含む電極は、例えば、中継用の電極として利用できる。

　また、上記各実施の形態においては、半導体装置が備える素子は、半導体発光素子１０であったが、素子の構成は、これに限定されない。半導体装置が備える素子は、例えば、半導体発光素子以外の任意の半導体素子であってもよい。

　また、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

　本開示に係るサブマウントなどは、例えば、高出力の半導体発光素子を含む半導体装置などにおいて特に利用可能である。

　１、１０１、２０１、２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、３０１　半導体装置
　７、１０７、２０７、２０７ａ、２０７ｂ、２０７ｃ、３０７、４０７、６０７　サブマウント
　１０　半導体発光素子
　１０Ｆ、１０Ｒ　端面
　１０Ｓ　半導体積層体
　２１　基板
　２２　Ｎ側半導体層
　２３　活性層
　２４　Ｐ側半導体層
　２４Ｐ　突出部
　２４Ｒ　リッジ
　２４Ｔ　溝
　２５　コンタクト層
　３０　絶縁層
　３２　密着層
　４０　コンタクト電極
　５０　パッド層
　５１　コンタクト領域
　５２　外部領域
　６０　Ｎ側電極
　７０、１７０、２７０、２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃ、３７０、５７０　絶縁層
　７１、１７１、２７１、２７１ａ、２７１ｂ、２７１ｃ、３７１、５７１　第一凹領域
　７１ｓ、５７１ｓ　傾斜部
　７５　第一成形体
　７５ｈ　貫通孔
　７６　第二成形体
　７７、１７７、２７７、３７７　第一主面
　７８、１７８、２７８、３７８　第二主面
　８０ｉ　離隔領域
　８１、１８１、２８１、９１、１９１、２８１、３８１、３９１、６８１　下地層
　８１ａ、９１ａ　第一層
　８１ｂ、９１ｂ　第二層
　８１ｃ、９１ｃ　第三層
　８１ｄ、９１ｄ　第四層
　８１Ｌ、９１Ｌ、１８１Ｌ、１９１Ｌ、２８１Ｌ、３８１Ｌ、３９１Ｌ　露出部
　８１Ｍ、９１Ｍ、１８１Ｍ、１９１Ｍ、２８１Ｍ、３８１Ｍ、３９１Ｍ　下地部
　８２、１８２、９２、１９２、２８２、３８２、３９２、４８２、６８２　金属層
　８２Ｄ、１９２Ｄ、３８２Ｄ、３９２Ｄ、４８２Ｄ　厚膜部
　８２Ｅ、９２Ｅ　端面
　８２Ｆ、１９２Ｆ、３８２Ｆ、３９２Ｆ、４８２Ｆ　薄膜部
　８３、９３、４８３、６８３　中間層
　８４、９４、４８４、６８４　被覆層
　８５、４８５　バリア層
　８６、４８６　はんだ層
　８７、４８７　表面層
　２７１ｒ、２７１ｒａ、２７１ｒｂ、２７１ｒｃ　第一凹部
　３７２　第二凹領域
　４８２ｕ、４８６ｕ、４８７ｕ　凹部

Claims

　第一主面と、前記第一主面の裏側に位置する第二主面と、前記第一主面に対して凹んだ領域、又は、前記第二主面に対して凹んだ領域である第一凹領域とを有する電気絶縁性の絶縁層と、
　前記第一凹領域の少なくとも一部を覆う第一金属層とを備え、
　前記第一金属層の前記第一凹領域に対向する位置における厚さは、前記第一凹領域の深さより大きい
　サブマウント。
　前記第一凹領域は、前記第一主面に対して凹んだ領域である
　請求項１に記載のサブマウント。
　前記サブマウントは、前記第二主面に配置される第二金属層を備え、
　前記絶縁層は、前記第二主面に対して凹んだ領域である第二凹領域を有し、
　前記第二凹領域は、前記第一凹領域に対応する領域に配置され、
　前記第二金属層は、前記第二凹領域の少なくとも一部を覆い、
　前記第二金属層の前記第二凹領域に対向する位置における厚さは、前記第二凹領域の深さより大きい
　請求項２に記載のサブマウント。
　前記第一金属層を介して前記第一主面に配置されるはんだ層を備え、
　前記はんだ層は、前記第一金属層の、前記第一凹領域に対応する領域に配置される
　請求項２又は３に記載のサブマウント。
　前記第一金属層を介して前記第一主面に配置されるはんだ層を備え、
　前記はんだ層は、前記第一金属層の、前記第一凹領域に対応する領域に配置され、
　前記第二凹領域の前記第二主面の平面視における面積は、前記第一凹領域の前記第一主面の平面視における面積より大きい
　請求項３に記載のサブマウント。
　前記第一金属層を介して前記第一主面に配置されるはんだ層を備え、
　前記はんだ層は、前記第一金属層の、前記第一凹領域に対応する領域に配置され、かつ、前記第一主面に平行な第一方向に延在し、
　前記第一主面に平行で、かつ、前記第一方向に対して垂直な第二方向における前記第二凹領域の幅は、前記第一凹領域の前記第二方向における幅より大きい
　請求項３に記載のサブマウント。
　前記はんだ層は、前記第一主面に平行な第一方向に延在し、
　前記第一主面に平行で、かつ、前記第一方向に対して垂直な第二方向における前記第一凹領域の幅は、前記第一金属層の前記第一凹領域に対向する位置における最大厚さの２倍以上である
　請求項４～６のいずれか１項に記載のサブマウント。
　前記第一凹領域は、前記第二主面に対して凹んだ領域であり、
　前記サブマウントは、前記第一主面に配置される第二金属層を備え、
　前記第二金属層は、前記第一主面の、前記第一凹領域に対応する領域に配置される
　請求項１に記載のサブマウント。
　前記第二金属層を介して前記第一主面に配置されるはんだ層を備え、
　前記はんだ層は、前記第二金属層の、前記第一凹領域に対応する領域に配置される
　請求項８に記載のサブマウント。
　前記第一凹領域は、各々が、前記第一主面に対して凹んだ領域、又は、前記第二主面に対して凹んだ領域である複数の第一凹部を含む
　請求項１～９のいずれか１項に記載のサブマウント。
　前記第一凹領域の周縁は、前記第一主面に対して傾斜した傾斜部を有する
　請求項１～１０のいずれか１項に記載のサブマウント。
　請求項４～７、９のいずれか１項に記載のサブマウントと、
　前記はんだ層に接合される半導体素子とを備える
　半導体装置。
　前記第一主面に垂直な断面視において、前記第一凹領域の前記第一主面に平行な方向における幅は、前記半導体素子の発熱領域の前記第一主面に平行な方向における幅より広い
　請求項１２に記載の半導体装置。
　前記第一主面に垂直な断面視において、前記第一凹領域の前記第一主面に平行な方向における幅は、前記半導体素子の前記第一主面に平行な方向における幅より広い
　請求項１３に記載の半導体装置。
　サブマウントの製造方法であって、
　第一主面と、前記第一主面の裏側に位置する第二主面と、前記第一主面に対して凹んだ領域、又は、前記第二主面に対して凹んだ領域である第一凹領域とを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
　前記第一凹領域の少なくとも一部を覆う第一金属層を形成する金属層形成工程とを含み、
　前記第一金属層の前記第一凹領域に対向する位置における厚さは、前記第一凹領域の深さより大きい
　サブマウントの製造方法。
　前記第一凹領域は、前記第一主面に対して凹んだ領域である
　請求項１５に記載のサブマウントの製造方法。
　前記金属層形成工程において、前記第二主面に配置される第二金属層を形成し、
　前記絶縁層は、前記第二主面に対して凹んだ領域である第二凹領域を有し、
　前記第二金属層は、前記第二凹領域の少なくとも一部を覆い、
　前記第二金属層の前記第二凹領域に対向する位置における厚さは、前記第二凹領域の深さより大きい
　請求項１６に記載のサブマウントの製造方法。
　前記第一金属層を介して前記第一主面に配置されるはんだ層を形成するはんだ層形成工程を含み、
　前記はんだ層は、前記第一金属層の、前記第一凹領域に対応する領域に配置される
　請求項１６又は１７に記載のサブマウントの製造方法。
　前記第一凹領域は、前記第二主面に対して凹んだ領域であり、
　前記金属層形成工程において、前記第一主面に配置される第二金属層を形成し、
　前記第二金属層は、前記第一主面の、前記第一凹領域に対応する領域に配置される
　請求項１５に記載のサブマウントの製造方法。
　前記第二金属層を介して前記第一主面に配置されるはんだ層を形成するはんだ層形成工程を含み、
　前記はんだ層は、前記第二金属層の、前記第一凹領域に対応する領域に配置される
　請求項１９に記載のサブマウントの製造方法。
　請求項１８又は２０に記載のサブマウントの製造方法と、
　前記はんだ層に半導体発光素子を接合する素子接合工程とを含む
　半導体装置の製造方法。