WO2025182702A1

WO2025182702A1 - 積層体及び積層体の製造方法

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Publication number: WO2025182702A1
Application number: PCT/JP2025/005531
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Inventors: 勇剛谷垣; 昂己石田; 大地宮崎
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Filing date: 2025-02-19
Publication date: 2025-09-04
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Abstract

半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備える積層体の製造方法を提供する。該積層体の製造方法により、高品質な表示装置や半導体装置を得ることができる。本発明は、第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程；光吸収層に物品を仮固定する工程；光吸収層をパターン加工する工程；第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程；及び第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程、を有する積層体の製造方法であって、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該光吸収層に凹部を形成する、積層体の製造方法である。

Description

積層体及び積層体の製造方法

　本発明は、積層体及び積層体の製造方法に関する。詳しくは、半導体チップ等の物品をレーザーによって転写する際に好適に用いられる積層体や積層体の製造方法、及びそれらを用いた表示装置の製造方法や半導体装置の製造方法に関する。

　近年、電子端末機器の高機能化、小型化、薄型化、及び軽量化が進んでいる。これらの電子端末機器には半導体装置が具備されており、例えば、プロセッサやメモリなどが挙げられる。一般にこれらの半導体製造工程において、半導体装置に組み込まれる半導体チップはプリント配線基板などにフリップチップボンダーなどを使用したピック・アンド・プレース法で移載・実装される。半導体装置の高性能化や小型化に伴い、半導体装置に組み込まれる半導体チップも小型化や薄型化されており、また半導体チップの実装数も増加している。そのため、小型化した多数の半導体チップを短時間で実装可能な方法が必要とされる。

　またスマートフォンやテレビなどの薄型ディスプレイにおいて、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、量子ドットディスプレイ、又はマイクロ発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）ディスプレイに関する技術が盛んに研究されている。中でもマイクロＬＥＤディスプレイは、高輝度、高コントラスト、高速応答性、低消費電力、及び広視野角などの特長を有するため、サイネージ、ＡＲ、ＶＲ、又は透明ディスプレイなどの新たな用途への展開が期待されている。マイクロＬＥＤディスプレイは、一辺の長さが数μｍ～数１００μｍの半導体チップであるＬＥＤを各画素に配列したディスプレイであるため、従来のピック・アンド・プレース法では生産性の大幅な低下が課題となる。従って、プロセスタイム削減のため、多数のＬＥＤを短時間で実装可能な方法が必要となる。

　半導体チップを高速で実装する方法としては、例えば、支持基板に粘着層を介して半導体チップを載置した後、支持基板側からレーザーを照射することで粘着層をアブレーションさせることで、半導体チップを別の基板に転写するレーザー転写技術を用いた方法が挙げられる（例えば、特許文献１及び２）。転写とは、半導体チップが元の基板から別の基板に移載されることをいう。アブレーションとは、対象物の固体表面や液体表面にレーザーなどの光を照射することで、光吸収、光エネルギーの熱化過程、及びプラズマ発生とともに対象物の表面が瞬間的に溶融及び蒸発し、イオン、電子、ラジカル、分子、クラスタ、及び固体片などが放出され、固体表面や液体表面の構成物質が爆発的に放出される現象をいう。

国際公開第２０２２／２０１７６７号特開２０２０－１８８０３７号公報

　しかしながら、特許文献１に記載の方法は、レーザーを照射して粘着層をアブレーションさせて半導体チップを転写する際、転写後の半導体チップ表面に粘着層由来の残渣が発生する。また、アブレーション時の粘着層の飛散による転写先の基板表面に残渣が付着する課題があった。さらに、レーザーの照射位置ズレや照射位置バラツキによる、半導体チップ転写時の位置精度が低下する課題があった。なお半導体チップ表面における粘着層の残渣や、転写先の基板表面における残渣を、デブリという。特許文献２に記載の方法は、粘着層の厚さが０．１～０．５μｍの薄膜であり、かつ粘着層がエッチングによってパターニングされているため、半導体チップ転写時のデブリ抑制には有効であるものの、半導体チップ転写時の位置精度の低下に課題があった。

　従って、特許文献１及び２に記載の方法は、転写時のデブリ抑制と位置精度とを兼ね備えるものではなく、更なる特性向上が望まれていた。本発明は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることと、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることを目的とする。

　上述した課題を解決するために、本発明の積層体の製造方法及び積層体は、以下の［１］～［２０］を提供する。
［１］（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、
　（１２）光吸収層に物品を仮固定する工程（以下、（１２）工程という）、
　（１３）光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３）工程という）、
　（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程、及び
　（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、該（１２）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１３）工程において、該光吸収層に凹部を形成する、積層体の製造方法。

　［２］前記（１３）工程において、前記光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、前記（１３）工程において、前記光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、［１］に記載の積層体の製造方法。

　［３］さらに、（０１）ドナー基板に物品を形成する工程を有し、前記（１２）工程が、（１２ａ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から光吸収層に転写する工程（以下、（１２ａ）工程という）を有し、該（１２ａ）工程において、該物品をマスクとして該光吸収層に活性化学線が照射されており、活性化学線の照射された該光吸収層の少なくとも一部が除去されている、［１］又は［２］に記載の積層体の製造方法。

　［４］前記（１３）工程において、前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ該複数の凸部の光吸収層の厚さより、該凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、さらに前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している、［１］～［３］のいずれかに記載の積層体の製造方法。

　［５］前記（１３）工程において、前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している、［１］～［３］のいずれかに記載の積層体の製造方法。

　［６］前記（１３）工程において、下記（ａ）～（ｃ）の条件のいずれかを満たす、［１］～［５］のいずれかに記載の積層体の製造方法。
（ａ）光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ａ）フォトリソグラフィーにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ａ）工程という）を有する
（ｂ）光吸収層が、ポジ型感光性組成物又はネガ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ）工程という）を有する
（ｃ）光吸収層が非感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程を有し、さらに、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である。

　［７］前記（１３）工程において前記（ａ）の条件を満たし、前記（１３ａ）工程が、（１３ａ－１）光吸収層の物品側から、物品をマスクとして光吸収層に活性化学線を照射する工程、及び、（１３ａ－２）現像液を用いて現像し、光吸収層をパターン加工する工程、を有する、［６］に記載の積層体の製造方法。

　［８］前記（１３）工程において前記（ｃ）の条件を満たし、前記（１３ｂ）工程が、（１３ｂ－１ａ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてドライエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、又は、（１３ｂ－１ｂ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてウェットエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、を有する、［６］に記載の積層体の製造方法。

　［９］前記（１３）工程の前又は前記（１３）工程の後、さらに、（１４）光吸収層のパターンを架橋させる工程（以下、（１４）工程という）を有し、　該（１４）工程が、（１４ａ）光吸収層のパターンを加熱して架橋させる工程、又は、（１４ｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程、を有する、［１］～［８］のいずれかに記載の積層体の製造方法。

　［１０］（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、
　（１２ｚ）光吸収層に物品を仮固定するとともに光吸収層をアブレーション加工する工程（以下、（１２ｚ）工程という）、
　（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程、及び
　（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に凹部を形成する、積層体の製造方法。

　［１１］第１基板、光吸収層、及び物品をこの順に有する積層体であって、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該光吸収層が凹部を有し、該光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、該光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、積層体。

　［１２］前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ該複数の凸部の光吸収層の厚さより、該凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、さらに前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している、［１１］に記載の積層体。

　［１３］前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している、［１１］に記載の積層体。

　［１４］前記光吸収層の厚さが５．０μｍ未満である、［１１］～［１３］のいずれかに記載の積層体。

　［１５］前記光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である、［１１］～［１４］のいずれかに記載の積層体。

　［１６］前記光吸収層の前記第１基板側である第１ａ面の面積を（Ｓ_１ａ）とし、該光吸収層の該第１ａ面と対向する第２ａ面の面積を（Ｓ_２ａ）とするとき、式（Ｓ－１）の関係を満たす、［１１］～［１５］のいずれかに記載の積層体。
（Ｓ_１ａ）≧（Ｓ_２ａ）　（Ｓ－１）。

　［１７］前記第１ａ面の面積（Ｓ_１ａ）と前記第２ａ面の面積（Ｓ_２ａ）との比を（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）とするとき、（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）が１．１０以上、３．００以下である、［１６］に記載の積層体。

　［１８］前記光吸収層の波長１８０～５５０ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度の最大値が０．３～１０．０である、［１１］～［１７］のいずれかに記載の積層体。

　［１９］前記光吸収層が（ＸＤａ）紫外線吸収剤を含有し、　該（ＸＤａ）紫外線吸収剤が、樹脂の構造単位中にトリアジン構造及び／又はベンゾトリアゾール構造を有する樹脂を含む、［１１］～［１８］のいずれかに記載の積層体。

　［２０］前記光吸収層が、下記（α）～（γ）の条件のいずれかを満たす、［１１］～［１９］のいずれかに記載の積層体。
（α）光吸収層がポジ型感光性組成物から形成した層であって、かつ該ポジ型感光性組成物が下記（１）、（３）、及び（４）の条件のうち少なくとも１つを満たす
（β）光吸収層がネガ型感光性組成物から形成した層であって、かつ該ネガ型感光性組成物が下記（２）～（４）の条件のうち少なくとも１つを満たす
（γ）光吸収層が非感光性組成物から形成した層であって、かつ該非感光性組成物が下記（５）の条件及び／又は下記（６）の条件を満たす
（１）（Ｃ１）ナフトキノンジアジド化合物及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（２）（Ｃ２）光重合開始剤及び（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有する
（３）（Ｃ３）光酸発生剤及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（４）（Ｃ４）光塩基発生剤及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（５）（Ｆ）架橋剤を含有する
（６）（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有する。

　本発明の積層体によれば、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。また本発明の積層体の製造方法によれば、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。

本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法を用いたマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスの一部を示す工程図である。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法を用いたマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスの一部を示す工程図である。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法を用いたマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスの一部を示す工程図である。

　本発明の積層体の製造方法について、半導体マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）が転写された積層体の製造プロセスを一実施態様として以下に説明する。図１～図３は積層体の製造方法を用いたマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスの一部を示す工程図である。図中、（１）は（工程１）と読み替える。図１および図２の（６）または図３の（４）もしくは（５）に示す積層体は、少なくとも物品を備え、光吸収層に凹部を有する積層体であり、該物品を別の積層体に転写するものである。本発明の一実施態様として、第１基板に、光吸収層及び物品をこの順で備えている。これを、第１の態様である積層体とする。本発明の別の一実施態様として、第１基板に、光吸収層、第１粘着層、及び物品をこの順で備えている。これを、第２の態様である積層体とする。第１基板に備える第１粘着層の有無や物品の供給方法、さらに光吸収層のパターン加工方法の代表的な製造方法の態様を、第３の態様から第８の態様である積層体の製造方法として以下に説明する。ただし、本発明は以下の各実施の形態に限定されるものではなく、発明の目的を達成でき、かつ発明の要旨を逸脱しない範囲内においての種々の変更は当然ありえる。

　本明細書においてシリコーン構造とは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を主骨格とし、ケイ素原子上に２つの有機基を有する構造をいう。すなわちシリコーン構造におけるケイ素原子は、２つの有機基と２つの酸素原子に結合する。またシロキサン構造とは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を主骨格とし、ケイ素原子上に１つの有機基を有する構造をいう。すなわちシロキサン構造におけるケイ素原子は、１つの有機基と３つの酸素原子に結合する。

　本発明の第１の態様及び第２の態様である積層体について述べる。なお本発明の積層体と記載する場合、本発明の第１の態様及び第２の態様である積層体に関する記載である。一方、特定の態様の積層体について述べる場合、本発明の第１の態様である積層体などと記載する。

　＜積層体（積層体１Ｘ）＞
　本発明の第１の態様である積層体は上記の［１１］の構成を有する。第１基板１に光吸収層２および物品４を有し、光吸収層２が凹部を有する。上記の構成とすることで、本発明の第１の態様である積層体を含む積層体の製造方法は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。これは光吸収層部が凹部を有するため、凹部を有しない場合と比較して、光吸収層の体積が低減することを意味する。その結果、物品を光吸収層から転写する際、アブレーションする光吸収層の体積が低減するため光吸収層の飛散も低減され、デブリ抑制の効果を奏功すると推定される。さらに、光吸収層の凹部はアブレーション特性が低下しており、また光吸収層の開口部はアブレーションしないため、レーザーの照射位置ズレや照射位置バラツキが打ち消され、優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。例えば、光吸収層に物品が接していない箇所を凹部としてパターン加工するか、開口部としてパターン加工することで光吸収層の体積を低減可能である。このようなパターン加工による凹部を有する光吸収層とすることや、パターン加工による開口部を有する光吸収層とすることが、上記の推定機構に基づくデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果を奏功する上でより好適である。

　また光吸収層の押し込み弾性率が特定範囲である、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度が特定範囲であるため、光吸収層が物品を保持する力を適度に維持することができ、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、物品を光吸収層から転写する際、少ないエネルギーで転写可能となるため物品表面の光吸収層の残存やアブレーション時の光吸収層の飛散が抑えられ、デブリ抑制の効果を奏功すると推定される。さらに、少ないエネルギーで転写可能であるため転写時の物品の挙動が安定する上、照射エネルギーのバラツキの絶対値も小さくなり、優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。

　＜積層体（積層体１Ｙ）＞
　本発明の第２の態様である積層体は、第１基板、光吸収層、第１粘着層、及び物品をこの順に有する積層体であって、該第１粘着層に接する複数の物品を有し、かつ該光吸収層及び該第１粘着層が凹部を有し、該第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、該第１粘着層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、積層体である。

　上記の構成とすることで、本発明の第２の態様である積層体は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。これは光吸収層部及び第１粘着層が凹部を有するため、凹部を有しない場合と比較して、光吸収層の体積及び第１粘着層の体積が低減することを意味する。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。また第１粘着層の押し込み弾性率が特定範囲である、及び／又は、第１粘着層のガラス転移温度が特定範囲であるため、第１粘着層が物品を保持する力を適度に維持することができ、第１粘着層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。

　さらに、積層体１Ｘおよび積層体１Ｙは、デブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果を奏功することで、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　＜積層体の構成＞
　本発明の第１の態様である積層体は、第１基板、光吸収層、及び物品をこの順に有する。本発明の第１の態様である積層体は光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ光吸収層が凹部を有する。光吸収層は複数の凹部を有することが好ましい。光吸収層は下記（ｐ）及び（ｑ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐ）光吸収層が凹部を有し、凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑ）光吸収層が凹部を有し、凹部は開口部である。

　本発明の第１の態様である積層体において光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層として存在していることが好ましい。本発明の第１の態様である積層体は複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接していることが好ましい。本発明の第１の態様である積層体は複数の凸部の光吸収層がそれぞれ独立して、複数の物品の少なくとも１つに接していることがより好ましい。

　本発明の第１の態様である積層体において光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在していることが好ましい。本発明の第１の態様である積層体は複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接していることが好ましい。本発明の第１の態様である積層体は複数の島状の光吸収層がそれぞれ独立して、複数の物品の少なくとも１つに接していることがより好ましい。

　なお本発明において、第１基板、光吸収層、及び物品をこの順に有する積層体を、積層体１Ｘという場合もある。また第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体を、積層体ａ１ｘという場合もある。

　本発明の第２の態様である積層体は、第１基板、光吸収層、第１粘着層、及び物品をこの順に有する。本発明の第２の態様である積層体は第１粘着層に接する複数の物品を有し、かつ光吸収層及び第１粘着層が凹部を有する。光吸収層及び第１粘着層は複数の凹部を有することが好ましい。光吸収層及び第１粘着層は下記（ｐｙ）及び（ｑｙ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐｙ）光吸収層及び第１粘着層が凹部を有し、凹部は第１粘着層の開口部であって、かつ凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑｙ）光吸収層及び第１粘着層が凹部を有し、凹部は開口部である。

　本発明の第２の態様である積層体において光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっていることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体において第１粘着層は同様の発明の効果の観点から、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の凸部の第１粘着層として存在していることが好ましい。また第１粘着層は、複数の凹部の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の凹部の第１粘着層として存在していることも好ましい。本発明の第２の態様である積層体は複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の第１粘着層の少なくとも１つに接していることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体は光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層として存在しており、かつ第１粘着層が、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の凸部の第１粘着層として存在しており、さらに複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の第１粘着層の少なくとも１つに接していること（以下、積層体の特定構成１という）が好ましい。本発明の第２の態様である積層体は複数の凸部の第１粘着層がそれぞれ独立して、複数の物品の少なくとも１つに接していることがより好ましい。本発明の第２の態様である積層体は複数の凸部の光吸収層がそれぞれ独立して、複数の凸部の第１粘着層の少なくとも１つに接していることがより好ましい。

　本発明の第２の態様である積層体において光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在していることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体において第１粘着層は同様の発明の効果の観点から、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の島状の第１粘着層として存在していることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体は複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の第１粘着層の少なくとも１つに接していることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体は光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ第１粘着層が、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の島状の第１粘着層として存在しており、さらに複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の第１粘着層の少なくとも１つに接していること（以下、積層体の特定構成２という）が好ましい。本発明の第２の態様である積層体は複数の島状の第１粘着層がそれぞれ独立して、複数の物品の少なくとも１つに接していることがより好ましい。本発明の第２の態様である積層体は複数の島状の光吸収層がそれぞれ独立して、複数の島状の第１粘着層の少なくとも１つに接していることがより好ましい。

　なお本発明において、第１基板、光吸収層、第１粘着層、及び物品をこの順に有する積層体を、積層体１Ｙという場合もある。また第１基板、光吸収層、及び第１粘着層をこの順に有する積層体を、積層体ａ１ｙという場合もある。

　＜第１基板＞
　本発明の積層体は第１基板を有する。第１基板はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、透光性基板が好ましい。透光性基板とは、波長１８０～１１００ｎｍにおける透過率の最大値が６０％以上である基板をいう。透光性基板の波長１８０～１１００ｎｍにおける透過率の最大値は７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上がさらに好ましい。透光性基板はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、波長１８０～５５０ｎｍにおける透過率の最大値が上記範囲であることが好ましく、波長１９３ｎｍ、波長２４８ｎｍ、波長２６６ｎｍ、波長３０８ｎｍ、波長３５１ｎｍ、波長３５５ｎｍ、又は波長５３２ｎｍにおける透過率の最大値が上記範囲であることがより好ましい。第１基板が多層構造の場合、多層構造とした場合の波長１８０～１１００ｎｍにおける透過率の最大値が６０％以上である基板をいう。第１基板の厚さを調整して波長１８０～１１００ｎｍにおける透過率を調整しても構わない。

　透光性基板は耐衝撃性向上の観点から、無機基板が好ましい。透光性基板である無機基板は、二酸化ケイ素又は三酸化二アルミニウムを有することが好ましく、アルカリガラス基板、無アルカリガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、石英ガラス基板、水晶基板、又はサファイア基板がより好ましい。透光性基板である無機基板の厚さは上記の透過率を損なわない範囲で選択することができ、ハンドリング性向上の観点から、０．１０ｍｍ以上が好ましく、０．３０ｍｍ以上がより好ましい。一方、厚さは入手容易性の観点から、５．０ｍｍ以下が好ましく、３．０ｍｍ以下がより好ましい。

　透光性基板はフレキシブル性向上及びハンドリング性向上の観点から、有機基板が好ましい。透光性基板である有機基板は、ポリエチレンテレフタレート基板、アラミド基板、ポリエステル基板、ポリプロピレン基板、シクロオレフィンポリマー基板、ポリカーボネート基板、セルローストリアセテート基板、又はポリイミド基板が好ましい。透光性基板である有機基板の厚さは上記の透過率を損なわない範囲で選択することができ、ハンドリング性向上の観点から、０．０５０ｍｍ以上が好ましく、０．１０ｍｍ以上がより好ましい。一方、厚さはレーザー照射時の光散乱抑制の観点から、３．０ｍｍ以下が好ましく、１．０ｍｍ以下がより好ましい。

　なお第１基板は、後述する（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程、において照射する活性化学線の波長における透過率の最大値が６０％以上であることがより好ましい。当該透過率の最大値に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の波長１８０～１１００ｎｍにおける透過率の最大値における例示及び好ましい記載と同様である。

　また第１基板は、後述する（１４ｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程、において照射する活性化学線の波長における透過率の最大値が６０％以上であることがより好ましい。当該透過率の最大値に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の波長１８０～１１００ｎｍにおける透過率の最大値における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜光吸収層；光吸収層の物性値＞
　本発明の第１の態様である積層体は光吸収層を有する。本発明の第１の態様である積層体において光吸収層は凹部を有する。本発明の第１の態様である積層体において、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率は１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度は－５０～１５０℃である。光吸収層の形状は前述のとおりである。

　本発明の第２の態様である積層体は光吸収層を有する。本発明の第２の態様である積層体において光吸収層は凹部を有する。本発明の第２の態様である積層体において、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率は１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度は－５０～１５０℃であることが好ましい。

　光吸収層の５０℃における押し込み弾性率はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、１．０×１０^３Ｐａ以上が好ましく、１．０×１０^４Ｐａ以上がより好ましく、５．０×１０^４Ｐａ以上がさらに好ましく、１．０×１０^５Ｐａ以上がさらにより好ましく、５．０×１０^５Ｐａ以上が特に好ましい。一方、５０℃における押し込み弾性率は同様の発明の効果の観点から、２．０×１０^９Ｐａ以下が好ましく、５．０×１０^８Ｐａ以下がより好ましく、２．０×１０^８Ｐａ以下がさらに好ましい。さらに上記押し込み弾性率は５．０×１０^７Ｐａ以下が好ましく、２．０×１０^７Ｐａ以下がより好ましく、５．０×１０^６Ｐａ以下がさらに好ましく、２．０×１０^６Ｐａ以下が特に好ましい。

　光吸収層のガラス転移温度はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、－５０℃以上が好ましく、－３０℃以上がより好ましく、－１０℃以上がさらに好ましい。一方、ガラス転移温度は同様の発明の効果の観点から、１５０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、７０℃以下がさらに好ましく、５０℃以下がさらにより好ましく、３０℃以下が特に好ましく、１０℃以下が最も好ましい。

　本発明の積層体において、下記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理後の光吸収層の５０℃における押し込み弾性率と、処理前の光吸収層の５０℃における押し込み弾性率との比（以下、特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比という）；（処理後の押し込み弾性率）／（処理前の押し込み弾性率））は、１．０×１０^２～１．０×１０^４であることが好ましい。また本発明の積層体において、下記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理後の光吸収層のガラス転移温度と、処理前の光吸収層のガラス転移温度との差（以下、特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差という）は、３０～１００℃であることが好ましい。
（ｘ１）光吸収層を１５０℃で３０分間加熱する
（ｘ２）光吸収層に、波長１８０～４５０ｎｍの範囲に極大波長を有する活性化学線を３００ｍＪ／ｃｍ^２照射する
（ｘ３）光吸収層に、波長１８０～４５０ｎｍの範囲に極大波長を有する活性化学線を３００ｍＪ／ｃｍ^２照射した後、光吸収層を１００℃で３０分間加熱する。

　上記特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比は上記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比のうち、少なくとも１つが１．０×１０^２～１．０×１０^４であることが好ましい。また上記特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差は上記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理前後の光吸収層のガラス転移温度差のうち、少なくとも１つが３０～１００℃であることが好ましい。

　上記特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、１．０×１０^２以上が好ましく、３．０×１０^２以上がより好ましく、５．０×１０^２以上がさらに好ましく、７．０×１０^２以上がさらにより好ましく、１．０×１０^３以上がさらに好ましい。一方、押し込み弾性率比は同様の発明の効果の観点から、１．０×１０^４以下が好ましく、７．０×１０^３以下がより好ましく、５．０×１０^３以下がさらに好ましい。

　上記特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、３０℃以上が好ましく、４０℃以上がより好ましく、５０℃以上がさらに好ましい。一方、ガラス転移温度差は同様の発明の効果の観点から、１００℃以下が好ましく、９０℃以下がより好ましく、８０℃以下がさらに好ましい。

　光吸収層の５０℃における押し込み弾性率、光吸収層のガラス転移温度、特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比、及び特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差は、後述する好適な光吸収層中の（ＸＡ）バインダー樹脂を用いることで上記範囲内に調整可能である。特に、後述する樹脂の構造単位中にシロキサン構造及び／又はシリコーン構造を有する（ＸＡ１ｘ）樹脂や、樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有する（ＸＡ１ｘ）樹脂；炭素数４～２０の脂肪族基を含む（メタ）アクリル酸エステル誘導体に由来する単位を有するアクリル樹脂である（ＸＡ２）樹脂；並びに、樹脂の構造単位中にシロキサン構造及び／又はシリコーン構造を有する（ＸＡ２）樹脂や、樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有する（ＸＡ２）樹脂は、これらの光吸収層の物性値を上記範囲内に調整する上で好適である。これらの光吸収層の物性値を上記範囲内に調整するため、上記の（ＸＡ１ｘ）樹脂や（ＸＡ２）樹脂における、樹脂の構造単位中に他の構造を含有させることや、後述する好適な光吸収層中の（ＸＡ）バインダー樹脂を二種類以上用いることも好ましい。

　光吸収層の厚さはレーザー照射のエネルギー低減及びデブリ抑制の観点から、５．０μｍ未満が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましく、３．０μｍ以下がさらに好ましく、２．０μｍ以下がさらにより好ましく、１．０μｍ以下が特に好ましい。一方、光吸収層の厚さは位置精度向上の観点から、０．１０μｍ以上が好ましく、０．３０μｍ以上がより好ましく、０．５０μｍ以上がさらに好ましい。なお光吸収層の厚さは、凸部の光吸収層の厚さに相当する。

　凹部の光吸収層の厚さは、２．０μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．５０μｍ以下がさらに好ましく、０．３０μｍ以下がさらにより好ましく、０．１０μｍ以下が特に好ましい。なお凹部に対応する箇所の光吸収層が存在しないことも好ましい。

　光吸収層の波長１８０～５５０ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度の最大値、および、光吸収層の波長１９３ｎｍ、波長２４８ｎｍ、波長２６６ｎｍ、波長３０８ｎｍ、波長３５１ｎｍ、波長３５５ｎｍ、又は波長５３２ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度は、レーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、０．３以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、１．０以上がさらに好ましい。さらに上記吸光度の最大値および上記吸光度は１．５以上が好ましく、２．０以上がより好ましく、２．５以上がさらに好ましく、３．０以上が特に好ましい。一方、上記吸光度の最大値および上記吸光度は、デブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１０．０以下が好ましく、８．０以下がより好ましく、７．０以下がさらに好ましく、６．０以下が特に好ましい。さらに上記吸光度の最大値は５．０以下が好ましく、４．５以下がより好ましく、４．０以下がさらに好ましい。

　光吸収層の波長１８０～５５０ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度の最大値は、後述する好適な光吸収層中の（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び／又は（ＸＤｂ）着色剤を用いることで上記範囲内に調整可能である。特に、後述するトリアジン構造、ベンゾトリアゾール構造、ベンゾフェノン構造、イソシアヌル酸構造、及び少なくとも２つのベンゼン構造からなる群より選ばれる一種類以上を有する（ＸＤａ）紫外線吸収剤や、特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤は、光吸収層の吸光度を上記範囲内に調整する上で好適である。光吸収層の吸光度を上記範囲内に調整するため、上記の（ＸＤａ）紫外線吸収剤とは別の（ＸＤａ）紫外線吸収剤や（ＸＤｂ）着色剤を含有させることや、後述する好適な光吸収層中の（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び／又は（ＸＤｂ）着色剤を二種類以上用いることも好ましい。

　なお光吸収層は、後述する（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程、において照射する活性化学線の波長における吸光度が上記範囲であることがより好ましい。

　また光吸収層は、後述する（１４ｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程、において照射する活性化学線の波長における透過率の吸光度が上記範囲であることがより好ましい。

　＜光吸収層の構成＞
　光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積を（Ｓ_１ａ）とし、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積を（Ｓ_２ａ）とするとき、式（Ｓ－１）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_１ａ）≧（Ｓ_２ａ）　（Ｓ－１）
　上記式（Ｓ－１）の関係を満たす場合、第１ａ面の面積（Ｓ_１ａ）と第２ａ面の面積（Ｓ_２ａ）との比を（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）とするとき、（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．７０以上がさらにより好ましく、２．００以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、５．００以下が好ましく、４．５０以下がより好ましく、４．００以下がさらに好ましく、３．５０以下がさらにより好ましく、３．００以下が特に好ましい。

　光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層として存在している場合、光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがより好ましい。また本発明の第１の態様である積層体が上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有する場合、光吸収層は上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことが特に好ましい。また本発明の第２の態様である積層体が上記の積層体の特定構成１又２を有する場合、光吸収層は上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことが特に好ましい。

　なお光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層として存在し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たす場合、複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層の断面における傾斜辺のテーパー角は９０°以下である。複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層の断面における傾斜辺のテーパー角はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、９０°以下が好ましく、８５°以下がより好ましく、８０°以下がさらに好ましく、７５°以下がさらにより好ましく、７０°以下が特に好ましい。一方、傾斜辺のテーパー角はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、３０°以上が好ましく、４５°以上がより好ましく、６０°以上がさらに好ましい。なお光吸収層の断面における傾斜辺のテーパー角とは、光吸収層の第１ａ面が接する第１基板の辺と、光吸収層の傾斜辺とが成す角という。

　光吸収層が上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことで光吸収層と物品とが接する面積を低減でき、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制できると考えられる。その結果、物品を光吸収層から転写する際、少ないエネルギーで転写可能となるため物品表面の光吸収層の残存や、アブレーション時の光吸収層の飛散が抑えられ、デブリ抑制の効果が顕著になると推定される。さらに、少ないエネルギーで転写可能であるため転写時の物品の挙動が安定する上、照射エネルギーのバラツキの絶対値も小さくなり、優れた位置精度の効果が顕著になると推定される。

　複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層は、レーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、それぞれの面積（以下、凸部又は島状の光吸収層の面積という）を（Ｓ_ｘ）とし、それぞれに接する複数の物品の面積を（Ｓ_ｙ）とするとき、式（Ｓ－ｘｙ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_ｘ）≧（Ｓ_ｙ）　（Ｓ－ｘｙ）
　上記式（Ｓ－ｘｙ）の関係を満たす場合、凸部又は島状の光吸収層の面積（Ｓ_ｘ）と物品の面積（Ｓ_ｙ）との比を（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）とするとき、（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．６５以上がさらにより好ましく、１．９０以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、４．５０以下が好ましく、４．００以下がより好ましく、３．５０以下がさらに好ましく、３．００以下がさらにより好ましく、２．７０以下が特に好ましい。

　なお光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積と、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積のうち、上記の島状の光吸収層の面積は第１基板側である第１ａ面の面積に対応する。

　また上記の凸部の光吸収層の面積と凹部の光吸収層の面積は、以下の（ａ１）～（ａ４）の方法により、光吸収層の凹部と凸部とを決定して求めるものとする。
（ａ１）平面視において、光吸収層に接する任意の物品と、当該任意の物品にそれぞれ隣接する物品（以下、「隣接する各物品」という）とを求める。
（ａ２）任意の物品と隣接する各物品との間の、最短距離を結ぶ各直線上において、光吸収層の厚さをそれぞれ１０点測定する。
（ａ３）測定したそれぞれの１０点の光吸収層の厚さについて、それぞれの光吸収層の厚さの最小値を求め、各最小値の平均値を算出する。
（ａ４）光吸収層の厚さが、上記で得られた平均値＋０．１０μｍ未満となる領域を光吸収層の凹部とし、光吸収層の厚さが、上記で得られた平均値＋０．１０μｍ以上となる領域を光吸収層の凸部とする。

　上記の平面視における平面とは、物品に水平な平面をいう。また平面視とは、物品に水平な平面をｘｙ軸平面とし、ｘｙ軸平面に対して直交する方向をｚ軸方向とした場合において、ｚ軸方向から見たｘｙ軸平面のうち、物品側の平面視をいう。なお平面視において特定の部材に着目する場合、特定の部材に重なる別の部材を透過して見たものとする。物品が平面でない場合、物品に接する光吸収層に水平な平面をｘｙ平面とする。

　また後述する複数の凸部の第１粘着層又は後述する複数の島状の第１粘着層は、レーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、それぞれの面積（以下、凸部又は島状の第１粘着層の面積という）を（Ｓ_ｐ）とし、それぞれに接する複数の物品の面積を（Ｓ_ｑ）とするとき、式（Ｓ－ｐｑ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_ｐ）≧（Ｓ_ｑ）　（Ｓ－ｐｑ）
　上記式（Ｓ－ｐｑ）の関係を満たす場合、凸部又は島状の第１粘着層の面積（Ｓ_ｐ）と物品の面積（Ｓ_ｑ）との比を（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）とするとき、（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．６５以上がさらにより好ましく、１．９０以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、４．５０以下が好ましく、４．００以下がより好ましく、３．５０以下がさらに好ましく、３．００以下がさらにより好ましく、２．７０以下が特に好ましい。

　なお第１粘着層の光吸収層側である面の面積と、その面と対向する面の面積のうち、上記の島状の第１粘着層の面積は光吸収層側である面の面積に対応する。

　また上記の凸部の第１粘着層の面積と凹部の第１粘着層の面積は、以下の（ｂ１）～（ｂ４）の方法により、第１粘着層の凹部と凸部とを決定して求めるものとする。
（ｂ１）平面視において、第１粘着層に接する任意の物品と、当該任意の物品にそれぞれ隣接する物品（以下、「隣接する各物品」という）とを求める。
（ｂ２）任意の物品と隣接する各物品との間の、最短距離を結ぶ各直線上において、第１粘着層の厚さをそれぞれ１０点測定する。
（ｂ３）測定したそれぞれの１０点の第１粘着層の厚さについて、それぞれの第１粘着層の厚さの最小値を求め、各最小値の平均値を算出する。
（ｂ４）第１粘着層の厚さが、上記で得られた平均値＋０．１０μｍ未満となる領域を第１粘着層の凹部とし、第１粘着層の厚さが、上記で得られた平均値＋０．１０μｍ以上となる領域を第１粘着層の凸部とする。

　上記の平面視における平面とは、物品に水平な平面をいう。また平面視とは、物品に水平な平面をｘｙ軸平面とし、ｘｙ軸平面に対して直交する方向をｚ軸方向とした場合において、ｚ軸方向から見たｘｙ軸平面のうち、物品側の平面視をいう。なお平面視において特定の部材に着目する場合、特定の部材に重なる別の部材を透過して見たものとする。物品が平面でない場合、物品に接する第１粘着層に水平な平面をｘｙ平面とする。

　光吸収層は位置精度向上の観点から、光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積を（Ｓ_１ａ）とし、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積を（Ｓ_２ａ）とするとき、式（Ｓ－２）の関係を満たすことも好ましい。
（Ｓ_１ａ）＜（Ｓ_２ａ）　（Ｓ－２）
　上記式（Ｓ－２）の関係を満たす場合、（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ）は位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．７０以上がさらにより好ましく、２．００以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ）は位置精度向上の観点から、５．００以下が好ましく、４．５０以下がより好ましく、４．００以下がさらに好ましく、３．５０以下がさらにより好ましく、３．００以下が特に好ましい。

　光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層として存在している場合、光吸収層は位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－２）の関係を満たすこともより好ましい。また本発明の第１の態様である積層体が上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有する場合、光吸収層は上記式（Ｓ－２）の関係を満たすこともより好ましい。また本発明の第２の態様である積層体が上記の積層体の特定構成１又２を有する場合、光吸収層は上記式（Ｓ－２）の関係を満たすこともより好ましい。

　なお光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層として存在し、かつ上記式（Ｓ－２）の関係を満たす場合、複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層の断面における傾斜辺のテーパー角は９０°超過である。複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層の断面における傾斜辺のテーパー角は位置精度向上の観点から、９０°超過が好ましく、９５°以上がより好ましく、１００°以上がさらに好ましく、１０５°以上がさらにより好ましく、１１０°以上が特に好ましい。一方、傾斜辺のテーパー角は位置精度向上の観点から、１５０°以下が好ましく、１３５°以下がより好ましく、１２０°以下がさらに好ましい。なお光吸収層の断面における傾斜辺のテーパー角とは、光吸収層の第１ａ面が接する第１基板の辺と、光吸収層の傾斜辺とが成す角という。

　光吸収層が上記式（Ｓ－２）の関係を満たすことで光吸収層と第１基板とが接する面積を低減でき、アブレーション時に光吸収層が第１基板から受ける反作用の力を抑制できると考えられる。その結果、反作用の力によって光吸収層から物品に伝わる過剰なエネルギーを抑制でき、転写時の物品の挙動が安定することで優れた位置精度の効果が顕著になると推定される。

　光吸収層は、感光性組成物からなる層又は非感光性組成物からなる層であることが好ましい。すなわち光吸収層は、感光性組成物から形成した層又は非感光性組成物から形成した層であることが好ましい。なお感光性組成物はポジ型感光性組成物又はネガ型感光性組成物である。

　＜光吸収層中の（ＸＡ）バインダー樹脂＞
　光吸収層は（ＸＡ）バインダー樹脂を含有することが好ましい。光吸収層中の（ＸＡ）バインダー樹脂は後述する組成物中の（Ａ）バインダー樹脂が好ましく、組成物中の（Ａ）バインダー樹脂に由来する構造を有する樹脂も好ましい。（ＸＡ）バインダー樹脂はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、酸性基を有することが好ましく、樹脂の構造単位中に酸性基を有することがより好ましい。酸性基は、フェノール性水酸基、ヒドロキシイミド基、ヒドロキシアミド基、シラノール基、メルカプト基、カルボキシ基、カルボン酸無水物基、及びスルホン酸基からなる群より選ばれる一種類以上の基が好ましく、（ＷＡ）弱酸性基：フェノール性水酸基、ヒドロキシイミド基、ヒドロキシアミド基、シラノール基、及びメルカプト基からなる群より選ばれる一種類以上の基がより好ましい。なお（ＷＡ）弱酸性基を有する（ＸＡ）バインダー樹脂を、（ＸＡ１）弱酸性基含有樹脂という場合もある。

　（ＸＡ）バインダー樹脂はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、ラジカル重合性基を有することが好ましく、樹脂の構造単位中にラジカル重合性基を有することがより好ましい。ラジカル重合性基はエチレン性不飽和二重結合基を有することが好ましく、光反応性基、炭素数２～５のアルケニル基、又は炭素数２～５のアルキニル基がより好ましい。光反応性基は、スチリル基、シンナモイル基、マレイミド基、ナジイミド基、又は（メタ）アクリロイル基が好ましく、デブリ抑制及び位置精度向上の観点から、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。一方、炭素数２～５のアルケニル基又は炭素数２～５のアルキニル基は、ビニル基、アリル基、２－メチル－２－プロペニル基、クロトニル基、２－メチル－２－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、２，３－ジメチル－２－ブテニル基、エチニル基、又は２－プロパルギル基が好ましく、デブリ抑制及び位置精度向上の観点から、ビニル基又はアリル基がより好ましい。

　（ＸＡ）バインダー樹脂はポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリアミドイミド前駆体、ポリアミド、ポリシロキサン、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、マレイミド－スチレン樹脂、マレイミド－トリアジン樹脂、マレイミド－オキサジン樹脂、フェノール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、フェノール基含有エポキシ樹脂、フェノール基含有アクリル樹脂、アクリル樹脂、多環側鎖含有樹脂、酸変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことが好ましい。

　（ＸＡ）バインダー樹脂は上記の発明の効果の観点から、（ＸＡ１）弱酸性基含有樹脂（以下、（ＸＡ１）樹脂という）を含むことが好ましい。（ＸＡ１）樹脂は、（ＸＡ１ｘ）樹脂：樹脂の構造単位中にイミド構造、アミド構造、オキサゾール構造、シロキサン構造、及びシリコーン構造（以下、イミド構造等という）からなる群より選ばれる一種類以上を有する樹脂、及び／又は、（ＸＡ１ｙ）樹脂：樹脂の構造単位中にフェノール性水酸基を有する樹脂を含有することが好ましい。

　（ＸＡ１ｘ）樹脂は上記の発明の効果の観点から、樹脂の構造単位中にイミド構造、アミド構造、及びオキサゾール構造からなる群より選ばれる一種類以上を有することがより好ましく、さらに樹脂の構造単位中にシロキサン構造及び／又はシリコーン構造を有することがさらに好ましい。（ＸＡ１ｘ）樹脂は上記の発明の効果の観点から、さらに樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有することもより好ましい。（ＸＡ１ｘ）樹脂は、樹脂の構造単位中にイミド構造、アミド構造、及びオキサゾール構造からなる群より選ばれる一種類以上を有し、かつ樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有することがさらに好ましい。

　樹脂の構造単位中にイミド構造等からなる群より選ばれる一種類以上を有する（ＸＡ１ｘ）樹脂のうち、樹脂の構造単位中にシロキサン構造及び／又はシリコーン構造を有する樹脂や、樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有する樹脂は、シロキサン構造、シリコーン構造、又はオキシアルキレン構造に由来する柔軟骨格に加え、イミド構造、アミド構造、又はオキサゾール構造による機械物性向上により、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率を１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａの範囲内に調整、及び、光吸収層のガラス転移温度を－５０～１５０℃の範囲内に調整、のうち少なくとも１つの観点で特に好適である。また当該（ＸＡ１ｘ）樹脂は、上記の特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比を１．０×１０^２～１．０×１０^４の範囲内に調整、及び、上記の特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差を３０～１００℃の範囲内に調整、のうち少なくとも１つの観点で特に好適である。

　（ＸＡ１ｘ）樹脂中のシロキサン構造及びシリコーン構造は、少なくとも２つのアルキレン基に結合しており、これらのアルキレン基を介した２価以上の構造であることが好ましい。上記の２価以上の構造は、３価以上がより好ましく、４価以上がさらに好ましい。一方、上記の２価以上の構造は６価以下が好ましい。上記のシロキサン構造及び／又はシリコーン構造が有するケイ素原子数は、５以上が好ましく、１０以上がより好ましく、１５以上がさらに好ましく、２０以上が特に好ましい。一方、上記のケイ素原子数は、５０以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３０以下がさらに好ましく、２７以下がさらにより好ましく、２５以下が特に好ましい。

　（ＸＡ１ｘ）樹脂中のシロキサン構造は、モノアルキルシロキサン構造が好ましい。上記のモノアルキルシロキサン構造が有するアルキル基の炭素数は、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上がさらに好ましい。一方、上記のアルキル基の炭素数は、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下がさらに好ましい。（ＸＡ１ｘ）樹脂中のシリコーン構造は、ジアルキルシリコーン構造及び／又はモノアルキルシリコーン構造が好ましい。上記のジアルキルシリコーン構造及びモノアルキルシリコーン構造が有するアルキル基の炭素数は、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上がさらに好ましい。一方、上記のアルキル基の炭素数は、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下がさらに好ましい。

　（ＸＡ１ｘ）樹脂中のオキシアルキレン構造は、２価以上の構造が好ましく、３価以上の構造がより好ましく、４価以上の構造がさらに好ましい。一方、上記のオキシアルキレン構造は６価以下の構造が好ましい。（ＸＡ１ｘ）樹脂中のオキシアルキレン構造が有するオキシアルキレン基の数は、２以上が好ましく、４以上がより好ましく、８以上がさらに好ましく、１０以上が特に好ましい。一方、上記のオキシアルキレン基の数は、３０以下が好ましく、２５以下がより好ましく、２０以下がさらに好ましく、１５以下が特に好ましい。上記のオキシアルキレン構造が有するオキシアルキレン基の炭素数は、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、３以上がさらに好ましい。一方、上記のオキシアルキレン基の炭素数は、６以下が好ましく、４以下がより好ましい。上記のオキシアルキレン基は、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、又はオキシブチレン基がより好ましい。

　（ＸＡ１ｘ）樹脂中のオキシアルキレン構造は、二種類以上の異なるオキシアルキレン基を有することが好ましく、三種類以上の異なるオキシアルキレン基を有することがより好ましい。上記の二種類以上の異なるオキシアルキレン基は炭素数が異なっても構わない。上記のオキシアルキレン構造は、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、及びオキシブチレン基からなる群より選ばれる二種類以上を有することがより好ましく、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、及びオキシブチレン基を有することがさらに好ましい。

　イミド構造等を有する構造単位及びフェノール性水酸基を有する構造単位はいずれも樹脂を構成する構造単位であって、繰り返し数が２以上の繰り返し単位である。これらの単位の繰り返し数は２以上が好ましく、５以上がより好ましく、１０以上がさらに好ましい。一方、繰り返し数は１０００以下が好ましい。

　（ＸＡ１）樹脂は（ＸＡ１ｘ）樹脂を含むことが好ましい。（ＸＡ１ｘ）樹脂は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリアミドイミド前駆体、ポリアミド、ポリシロキサン、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、マレイミド－スチレン樹脂、マレイミド－トリアジン樹脂、マレイミド－オキサジン樹脂、及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことが好ましく、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリアミドイミド前駆体、ポリアミド、及びそれらの共重合体（以下、弱酸性基を有するポリイミド系の樹脂という）からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことがより好ましい。（ＸＡ１ｘ）樹脂は単一の樹脂又はそれらの共重合体のいずれであっても構わない。弱酸性基を有するポリイミド系の樹脂はフェノール性水酸基を有するアミン残基を有することが好ましく、フェノール性水酸基を有するアミン残基が、フェノール性水酸基を有する環状構造を少なくとも２つ有することがより好ましい。なおフェノール性水酸基を有するアミン残基中のフェノール性水酸基は、樹脂中の構造及び／又は基と反応してベンゾオキサゾール環を形成していても構わない。すなわち樹脂の構造単位中にベンゾオキサゾール環を有する樹脂において、ベンゾオキサゾール環がフェノール性水酸基を有するアミン残基を有していても構わない。

　上記の（ＸＡ１ｘ）樹脂は（ＷＡ）弱酸性基を有し、かつ樹脂の構造単位中にイミド構造等を有するため、光吸収層中における水素結合形成や分子間相互作用が増大することで内部応力が発生し、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、少ないエネルギーで転写可能となるためデブリ抑制及び位置精度向上の効果が顕著になると推定される。

　（ＸＡ１）樹脂は（ＸＡ１ｙ）樹脂を含むことも好ましい。（ＸＡ１ｙ）樹脂は、フェノール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、フェノール基含有エポキシ樹脂、及びフェノール基含有アクリル樹脂からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことが好ましい。（ＸＡ１ｙ）樹脂は単一の樹脂又はそれらの共重合体のいずれであっても構わない。フェノール樹脂は、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、又はフェノールアラルキル樹脂が好ましい。ポリヒドロキシスチレンは、スチレン誘導体に由来する単位又は（メタ）アクリル酸エステル誘導体に由来する単位を有しても構わない。フェノール基含有エポキシ樹脂は、フェノール基含有カルド系樹脂又はフェノール基含有エポキシエステル樹脂が好ましい。フェノール基含有アクリル樹脂はスチレン誘導体に由来する単位を有しても構わない。なおフェノール基含有アクリル樹脂はポリヒドロキシスチレンとは異なる樹脂である。

　上記の（ＸＡ１ｙ）樹脂は（ＷＡ）弱酸性基を有するため、光吸収層中における水素結合形成や分子間相互作用が増大することで内部応力が発生し、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、少ないエネルギーで転写可能となるためデブリ抑制及び位置精度向上の効果が顕著になると推定される。

　（ＸＡ）バインダー樹脂は上記の発明の効果の観点から、（ＸＡ２）弱酸性基を有しない樹脂（以下、（ＸＡ２）樹脂という）を含むことも好ましく、カルボキシ基、カルボン酸無水物基、又はスルホン酸基を有することが好ましい。（ＸＡ２）樹脂は酸性基を有しない樹脂であっても構わない。（ＸＡ２）樹脂は、アクリル樹脂、多環側鎖含有樹脂、酸変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、及びエポキシ樹脂からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことが好ましい。（ＸＡ２）樹脂は単一の樹脂又はそれらの共重合体のいずれであっても構わない。アクリル樹脂はスチレン誘導体に由来する単位を有しても構わない。多環側鎖含有樹脂はカルド系樹脂が好ましい。酸変性エポキシ樹脂はエポキシ（メタ）アクリレート樹脂が好ましい。

　上記の（ＸＡ２）樹脂は、カルボキシ基、カルボン酸無水物基、又はスルホン酸基を有するため、光吸収層中における水素結合形成や分子間相互作用が増大することで内部応力が発生すると考えられる。またアクリル樹脂、多環側鎖含有樹脂、酸変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、及びエポキシ樹脂が有する樹脂の構造単位は、物品を保持する力を適度に維持することができ、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、少ないエネルギーで転写可能となるためデブリ抑制及び位置精度向上の効果が顕著になると推定される。

　（ＸＡ２）樹脂は上記の発明の効果の観点から、アクリル樹脂を含み、かつ炭素数４～２０の脂肪族基を含む（メタ）アクリル酸エステル誘導体に由来する単位を有することが好ましい。（ＸＡ２）樹脂中の上記の脂肪族基の炭素数は、４以上が好ましく、６以上がより好ましく、８以上がさらに好ましく、１０以上が特に好ましい。一方、上記の脂肪族基の炭素数は、２０以下が好ましく、１５以下がより好ましく、１２以下がさらに好ましい。上記の脂肪族基は、直鎖又は分岐のアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基が好ましい。（ＸＡ２）樹脂中の上記の脂肪族基は、二種類以上の異なる脂肪族基を有することも好ましい。上記の二種類以上の異なる脂肪族基は炭素数が異なっても構わない。

　（ＸＡ２）樹脂のうち、炭素数４～２０の脂肪族基を含む（メタ）アクリル酸エステル誘導体に由来する単位を有するアクリル樹脂は、脂肪族基を含む（メタ）アクリル酸エステル誘導体に由来する単位に由来する柔軟性向上と機械物性向上により、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率を１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａの範囲内に調整、及び、光吸収層のガラス転移温度を－５０～１５０℃の範囲内に調整、のうち少なくとも１つの観点で特に好適である。また当該（ＸＡ２）樹脂は、上記の特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比を１．０×１０^２～１．０×１０^４の範囲内に調整、及び、上記の特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差を３０～１００℃の範囲内に調整、のうち少なくとも１つの観点で特に好適である。

　光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、（ＸＡ２）樹脂は上記の発明の効果の観点から、アクリル樹脂を含み、かつ炭素数６～１５の芳香族基を含む（メタ）アクリル酸エステル誘導体に由来する単位、又は、炭素数６～１５のスチレン誘導体に由来する単位を有することが好ましい。（ＸＡ２）樹脂中の上記の芳香族基の炭素数は、６以上が好ましく、１０以上がより好ましい。一方、上記の芳香族基の炭素数は、１５以下が好ましく、１４以下がより好ましい。上記の芳香族基は、縮合多環式構造であっても構わない。

　（ＸＡ２）樹脂は上記の発明の効果の観点から、樹脂の構造単位中にイミド構造、アミド構造、オキサゾール構造、シロキサン構造、及びシリコーン構造（以下、イミド構造等という）からなる群より選ばれる一種類以上を有する樹脂を含有することも好ましい。

　（ＸＡ２）樹脂は上記の発明の効果の観点から、樹脂の構造単位中にイミド構造、アミド構造、及びオキサゾール構造からなる群より選ばれる一種類以上を有することがより好ましく、さらに樹脂の構造単位中にシロキサン構造及び／又はシリコーン構造を有することがさらに好ましい。（ＸＡ２）樹脂は上記の発明の効果の観点から、さらに樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有することもより好ましい。（ＸＡ２）樹脂は、樹脂の構造単位中にイミド構造、アミド構造、及びオキサゾール構造からなる群より選ばれる一種類以上を有し、かつ樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有することがさらに好ましい。

　（ＸＡ２）樹脂中のシロキサン構造、シリコーン構造、及びオキシアルキレン構造に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（ＸＡ１ｘ）樹脂における例示及び好ましい記載と同様である。

　樹脂の構造単位中にイミド構造等からなる群より選ばれる一種類以上を有する（ＸＡ２）樹脂のうち、樹脂の構造単位中にシロキサン構造及び／又はシリコーン構造を有する樹脂や、樹脂の構造単位中にオキシアルキレン構造を有する樹脂は、シロキサン構造、シリコーン構造、又はオキシアルキレン構造に由来する柔軟骨格に加え、イミド構造、アミド構造、又はオキサゾール構造による機械物性向上により、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率を１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａの範囲内に調整、及び、光吸収層のガラス転移温度を－５０～１５０℃の範囲内に調整、のうち少なくとも１つの観点で特に好適である。また当該（ＸＡ２）樹脂は、上記の特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比を１．０×１０^２～１．０×１０^４の範囲内に調整、及び、上記の特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度差を３０～１００℃の範囲内に調整、のうち少なくとも１つの観点で特に好適である。

　（ＸＡ２）樹脂は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリアミドイミド前駆体、ポリアミド、ポリシロキサン、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、マレイミド－スチレン樹脂、マレイミド－トリアジン樹脂、マレイミド－オキサジン樹脂、及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことが好ましく、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリアミドイミド前駆体、ポリアミド、及びそれらの共重合体（以下、弱酸性基を有しないポリイミド系の樹脂という）からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことがより好ましい。（ＸＡ２）樹脂は単一の樹脂又はそれらの共重合体のいずれであっても構わない。

　上記の（ＸＡ２）樹脂は樹脂の構造単位中にイミド構造等を有するため、光吸収層中における水素結合形成や分子間相互作用が増大することで内部応力が発生し、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、少ないエネルギーで転写可能となるためデブリ抑制及び位置精度向上の効果が顕著になると推定される。

　ポリイミド前駆体としては、例えば、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド、又はポリイソイミドが挙げられる。ポリイミドとしては、例えば、ポリイミド前駆体を脱水閉環させた樹脂が挙げられる。ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、例えば、ポリヒドロキシアミドが挙げられる。ポリベンゾオキサゾールとしては、例えば、ポリベンゾオキサゾール前駆体を脱水閉環させた樹脂が挙げられる。ポリアミドイミド前駆体としては、例えば、トリカルボン酸無水物などと、ジアミンなどとを反応させることで得られる樹脂が挙げられる。ポリアミドイミドとしては、例えば、ポリアミドイミド前駆体を脱水閉環させた樹脂が挙げられる。ポリアミドとしては、例えば、ジカルボン酸塩化物などと、ジアミンなどとを反応させることで得られる樹脂が挙げられる。

　なお（ＸＡ１ｘ）樹脂、（ＸＡ１ｙ）樹脂、及び（ＸＡ２）樹脂は、これらの中でそれぞれが別の樹脂を構成する構造や基を有する場合は、以下の表１－１に示す分類方法によりいずれかに分類するものとする。ある樹脂が（ＸＡ１ｘ）樹脂、（ＸＡ１ｙ）樹脂、及び（ＸＡ２）樹脂のうち２つ以上に該当しうる場合は、当該分類方法によりいずれの樹脂に該当するか決定する。

　＜光吸収層中の（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び（ＸＤｂ）着色剤＞
　光吸収層は（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び／又は（ＸＤｂ）着色剤を含有することが好ましい。光吸収層中の（ＸＤａ）紫外線吸収剤は後述する組成物中の（Ｄａ）紫外線吸収剤が好ましく、組成物中の（Ｄａ）紫外線吸収剤に由来する構造を有する化合物も好ましい。吸収層中の（ＸＤｂ）着色剤は後述する組成物中の（Ｄｂ）着色剤が好ましく、組成物中の（Ｄｂ）着色剤に由来する構造を有する化合物も好ましい。

　（ＸＤａ）紫外線吸収剤とは、紫外領域の波長（３８０ｎｍ未満）の光を吸収する化合物をいう。（ＸＤａ）紫外線吸収剤はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、フェノール性水酸基を有することが好ましく、少なくとも２つのフェノール性水酸基を有することがより好ましい。（ＸＤａ）紫外線吸収剤が有するフェノール性水酸基の数は、１つ以上が好ましく、２つ以上がより好ましく、３つ以上がさらに好ましく、４つ以上が特に好ましい。一方、フェノール性水酸基の数は、８つ以下が好ましく、６つ以下がより好ましい。

　（ＸＤａ）紫外線吸収剤はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、トリアジン構造、ベンゾトリアゾール構造、ベンゾフェノン構造、イソシアヌル酸構造、及び少なくとも２つのベンゼン構造からなる群より選ばれる一種類以上を有する化合物を含むことが好ましい。（ＸＤａ）紫外線吸収剤は、少なくとも２つのトリアジン構造、少なくとも２つのベンゾトリアゾール構造、少なくとも２つのベンゾフェノン構造、又は少なくとも２つのイソシアヌル酸構造を有する化合物を含むことがより好ましい。

　（ＸＤａ）紫外線吸収剤が有する、トリアジン構造の数、ベンゾトリアゾール構造の数、ベンゾフェノン構造の数、又はイソシアヌル酸構造の数は、２つ以上が好ましく、３つ以上がより好ましい。一方、トリアジン構造の数、ベンゾトリアゾール構造の数、ベンゾフェノン構造の数、又はイソシアヌル酸構造の数は、４つ以下が好ましい。また（ＸＤａ）紫外線吸収剤が有するベンゼン構造の数は、２つ以上が好ましく、３つ以上がより好ましく、４つ以上がさらに好ましい。一方、ベンゼン構造の数は、８つ以下が好ましく、６つ以下がより好ましい。

　光吸収層が（ＸＤａ）紫外線吸収剤を含有する場合、（ＸＤａ）紫外線吸収剤はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、樹脂の構造単位中にトリアジン構造、ベンゾトリアゾール構造、ベンゾフェノン構造、又はイソシアヌル酸構造を有する樹脂（以下、特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤という）を含むことが好ましく、樹脂の構造単位中にトリアジン構造及び／又はベンゾトリアゾール構造を有する樹脂を含むことがより好ましい。なお特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤は上記の（ＸＡ）バインダー樹脂とは異なる樹脂であるが、特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤は（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び（ＸＡ）バインダー樹脂の両方に該当する。すなわち光吸収層が特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤を含有する場合、光吸収層は（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び（ＸＡ）バインダー樹脂を含有するものとする。

　特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、ポリシロキサン、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、マレイミド－スチレン樹脂、マレイミド－トリアジン樹脂、マレイミド－オキサジン樹脂、フェノール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、フェノール基含有エポキシ樹脂、フェノール基含有アクリル樹脂、アクリル樹脂、多環側鎖含有樹脂、酸変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことが好ましく、フェノール基含有アクリル樹脂、アクリル樹脂、マレイミド－スチレン樹脂、ポリヒドロキシスチレン、及びそれらの共重合体からなる群より選ばれる一種類以上の樹脂を含むことがより好ましい。

　（ＸＤａ）紫外線吸収剤のうち、トリアジン構造、ベンゾトリアゾール構造、ベンゾフェノン構造、イソシアヌル酸構造、及び少なくとも２つのベンゼン構造からなる群より選ばれる一種類以上を有する化合物や、特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤は、光吸収層の波長１８０～５５０ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度の最大値を０．３～１０．０の範囲内に調整する上で特に好適である。

　（ＸＤｂ）着色剤とは、可視光線の波長（３８０～７８０ｎｍ）の光を吸収することで着色させる化合物をいう。着色させるとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、又は紫色とすることをいう。（ＸＤｂ）着色剤は顔料及び／又は染料を含むことが好ましい。（ＸＤｂ）着色剤は、黒色剤、二色以上の着色剤混合物、及び黒色以外の着色剤からなる群より選ばれる一種類以上を含むことが好ましい。黒色剤はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、有機黒色顔料及び／又は無機黒色顔料を含むことが好ましい。黒色剤はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、黒色染料を含むことが好ましい。（ＸＤｂ）着色剤における黒色とは、国際公開第２０１９／０８７９８５号の段落［０２８４］～段落［０２８５］に記載の通りである。

　有機黒色顔料は、ベンゾフラノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料、アゾ系黒色顔料、アントラキノン系黒色顔料、アニリン系黒色顔料、アゾ系黒色顔料、及びカーボンブラックからなる群より選ばれる一種類以上を含むことが好ましい。カーボンブラックは、樹脂被覆、染料被覆、酸化処理、イオン性基を有する有機基で表面修飾、又はスルホン酸基で表面処理されていることが好ましい。

　無機黒色顔料は、窒化物、炭化物、酸窒化物、微粒子、酸化物、複合酸化物、硫化物、硫酸塩、硝酸塩、及び炭酸塩からなる群より選ばれる一種類以上を含み、かつ、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、ハフニウム、タンタル、チタン、銅、鉄、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、及び銀からなる群より選ばれる一種類以上の金属元素を含むことが好ましい。無機黒色顔料はグラファイト又は銀スズ合金を含むことも好ましい。

　黒色染料は、金属元素を含む黒色染料又は金属元素を含まない黒色染料を含むことが好ましく、金属元素を含まない黒色染料を含むことがより好ましい。黒色染料はアゾ系黒色染料を含むことが好ましい。

　二色以上の着色剤混合物は二色以上の着色顔料混合物及び／又は二色以上の着色染料混合物を含むことが好ましく、二色以上が、青色及び／又は紫色を含み、かつ、赤色及び橙色を含むことがより好ましい。黒色以外の着色剤は着色顔料及び／又は着色染料を含むことが好ましい。着色顔料は、アントラキノン系顔料、ジケトピロロピロール系顔料、ペリレン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料、イミダゾロン系顔料、キナクリドン系顔料、ピランスロン系顔料、フタロシアニン系顔料、インダントロン系顔料、又はジオキサジン系顔料を含むことが好ましい。着色染料は、スクアリリウム系染料、キサンテン系染料、トリアリールメタン系染料、又はフタロシアニン系染料を含むことが好ましい。

　（ＸＡ）バインダー樹脂、（ＸＤａ）紫外線吸収剤、又は（ＸＤｂ）着色剤の波長１８０～５５０ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度の最大値は、レーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、０．３以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、１．０以上がさらに好ましい。さらに上記吸光度の最大値は１．５以上が好ましく、２．０以上がより好ましく、２．５以上がさらに好ましく、３．０以上が特に好ましい。一方、上記吸光度の最大値はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１０．０以下が好ましく、８．０以下がより好ましく、７．０以下がさらに好ましく、６．０以下が特に好ましい。さらに上記吸光度の最大値は５．０以下が好ましく、４．５以下がより好ましく、４．０以下がさらに好ましい。

　（ＸＡ）バインダー樹脂、（ＸＤａ）紫外線吸収剤、又は（ＸＤｂ）着色剤の波長１９３ｎｍ、波長２４８ｎｍ、波長２６６ｎｍ、波長３０８ｎｍ、波長３５１ｎｍ、波長３５５ｎｍ、又は波長５３２ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度は、レーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、０．３以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、１．０以上がさらに好ましい。さらに上記吸光度は１．５以上が好ましく、２．０以上がより好ましく、２．５以上がさらに好ましく、３．０以上が特に好ましい。一方、上記吸光度はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１０．０以下が好ましく、８．０以下がより好ましく、７．０以下がさらに好ましく、６．０以下が特に好ましい。さらに上記吸光度の最大値は５．０以下が好ましく、４．５以下がより好ましく、４．０以下がさらに好ましい。

　なお（ＸＡ）バインダー樹脂、（ＸＤａ）紫外線吸収剤、又は（ＸＤｂ）着色剤は、後述する（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程、において照射する活性化学線の波長における吸光度が上記範囲であることがより好ましい。

　また（ＸＡ）バインダー樹脂、（ＸＤａ）紫外線吸収剤、又は（ＸＤｂ）着色剤は、後述する（１４ｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程、において照射する活性化学線の波長における透過率の吸光度が上記範囲であることがより好ましい。

　＜感光性組成物又は非感光性組成物からなる光吸収層＞
　光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、ポジ型感光性組成物からなる層であることが好ましい。また本発明の第１の態様である積層体が上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有する場合、光吸収層はポジ型感光性組成物からなる層であることが特に好ましい。また本発明の第２の態様である積層体が上記の積層体の特定構成１又２を有する場合、光吸収層はポジ型感光性組成物からなる層であることが特に好ましい。光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、光吸収層は後述する組成物中の（Ｃ１）ナフトキノンジアジド化合物、（Ｃ３）光酸発生剤、及び（Ｃ４）光塩基発生剤からなる群より選ばれる一種類以上を含有することが好ましく、組成物中のこれらの化合物に由来する構造を有する化合物を含有することも好ましい。

　光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、本発明の第１の態様である積層体はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがさらに好ましく、上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことが特に好ましい。光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、本発明の第２の態様である積層体は同様の発明の効果の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがさらに好ましく、上記の積層体の特定構成１又２を有し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことが特に好ましい。上記式（Ｓ－１）の関係に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、光吸収層の厚さは５．０μｍ未満であることがより好ましい。光吸収層の厚さに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、ネガ型感光性組成物からなる層であることが好ましい。また本発明の第１の態様である積層体が上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有する場合、光吸収層はネガ型感光性組成物からなる層であることがより好ましい。また本発明の第２の態様である積層体が上記の積層体の特定構成１又２を有する場合、光吸収層はネガ型感光性組成物からなる層であることがより好ましい。光吸収層がネガ型感光性組成物からなる層である場合、光吸収層は後述する組成物中の（Ｃ２）光重合開始剤、（Ｃ３）光酸発生剤、及び（Ｃ４）光塩基発生剤からなる群より選ばれる一種類以上を含有することが好ましく、組成物中のこれらの化合物に由来する構造を有する化合物を含有することも好ましい。

　光吸収層がネガ型感光性組成物からなる層である場合、本発明の第１の態様である積層体はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがより好ましく、上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがさらに好ましい。光吸収層がネガ型感光性組成物からなる層である場合、本発明の第２の態様である積層体は同様の発明の効果の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがより好ましく、上記の積層体の特定構成１又２を有し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがさらに好ましい。上記式（Ｓ－１）の関係に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　光吸収層がネガ型感光性組成物からなる層である場合、光吸収層の厚さは５．０μｍ未満であることがより好ましい。光吸収層の厚さに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　光吸収層は位置精度向上の観点から、非感光性組成物からなる層であることが好ましい。また本発明の第１の態様である積層体が上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有する場合、光吸収層は非感光性組成物からなる層であることがより好ましい。また本発明の第２の態様である積層体が上記の積層体の特定構成１又２を有する場合、光吸収層は非感光性組成物からなる層であることがより好ましい。光吸収層が非感光性組成物からなる層である場合、光吸収層は後述する組成物中の（Ｆ）架橋剤及び／又は（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有することが好ましく、組成物中のこれらの化合物に由来する構造を有する化合物を含有することも好ましい。

　光吸収層が非感光性組成物からなる層である場合、本発明の第１の態様である積層体は位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがより好ましく、上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがさらに好ましい。光吸収層が非感光性組成物からなる層である場合、本発明の第２の態様である積層体は位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがより好ましく、上記の積層体の特定構成１又２を有し、かつ上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことがさらに好ましい。上記式（Ｓ－１）の関係に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　光吸収層が非感光性組成物からなる層である場合、光吸収層の厚さは５．０μｍ未満であることがより好ましい。光吸収層の厚さに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　本発明の第１の態様である積層体は位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－２）の関係を満たすことも好ましく、上記の［１２］の構成又は［１３］の構成を有し、かつ上記式（Ｓ－２）の関係を満たすことがより好ましい。本発明の第２の態様である積層体は位置精度向上の観点から、上記式（Ｓ－２）の関係を満たすことも好ましく、上記の積層体の特定構成１又２を有し、かつ上記式（Ｓ－２）の関係を満たすことがより好ましい。上記式（Ｓ－２）の関係に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　光吸収層はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、下記（α）～（γ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（α）光吸収層がポジ型感光性組成物から形成した層であって、かつポジ型感光性組成物が下記（１）、（３）、及び（４）の条件のうち少なくとも１つを満たす
（β）光吸収層がネガ型感光性組成物から形成した層であって、かつネガ型感光性組成物が下記（２）～（４）の条件のうち少なくとも１つを満たす
（γ）光吸収層が非感光性組成物から形成した層であって、かつ非感光性組成物が下記（５）の条件及び／又は下記（６）の条件を満たす
（１）（Ｃ１）ナフトキノンジアジド化合物及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（２）（Ｃ２）光重合開始剤及び（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有する
（３）（Ｃ３）光酸発生剤及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（４）（Ｃ４）光塩基発生剤及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（５）（Ｆ）架橋剤を含有する
（６）（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有する。

　光吸収層が上記（α）の条件を満たす場合、ポジ型感光性組成物はさらに上記（２）及び（６）の条件のうち少なくとも１つを満たすことも好ましい。光吸収層が上記（β）の条件を満たす場合、ネガ型感光性組成物はさらに上記（１）、（５）、及び（６）の条件のうち少なくとも１つを満たすことも好ましい。

　＜第１粘着層＞
　本発明の第２の態様である積層体は第１粘着層を有する。本発明の第２の態様である積層体において第１粘着層は凹部を有する。本発明の第２の態様である積層体において、第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率は１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、第１粘着層のガラス転移温度は－５０～１５０℃である。上述した光吸収層及び第１粘着層は下記（ｐｙ）及び（ｑｙ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐｙ）光吸収層及び第１粘着層が凹部を有し、凹部は第１粘着層の開口部であって、かつ凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑｙ）光吸収層及び第１粘着層が凹部を有し、凹部は開口部である。

　第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率及び第１粘着層のガラス転移温度に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層の５０℃における押し込み弾性率及び光吸収層のガラス転移温度における例示及び好ましい記載と同様である。

　また本発明の第２の態様である積層体において、上記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理後の第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率と、処理前の第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率との差、並びに、上記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理後の第１粘着層のガラス転移温度と、処理前の第１粘着層のガラス転移温度との差に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の特定処理前後の光吸収層の押し込み弾性率比及び特定処理前後の光吸収層のガラス転移温度における例示及び好ましい記載と同様である。

　第１粘着層の厚さはレーザー照射のエネルギー低減及びデブリ抑制の観点から、５．０μｍ未満が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましく、３．０μｍ以下がさらに好ましく、２．０μｍ以下がさらにより好ましく、１．０μｍ以下が特に好ましい。一方、第１粘着層の厚さは位置精度向上の観点から、０．１０μｍ以上が好ましく、０．３０μｍ以上がより好ましく、０．５０μｍ以上がさらに好ましい。

　凹部の第１粘着層の厚さは、２．０μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．５０μｍ以下がさらに好ましく、０．３０μｍ以下がさらにより好ましく、０．１０μｍ以下が特に好ましい。なお凹部に対応する箇所の第１粘着層が存在しないことも好ましい。

　第１粘着層のその他の物性値及びその他の構成に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層における例示及び好ましい記載と同様である。第１粘着層中の（ＸＡ）バインダー樹脂、（ＸＤａ）紫外線吸収剤、及び（ＸＤｂ）着色剤に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層における例示及び好ましい記載と同様である。第１粘着層は、ポジ型感光性組成物からなる層、ネガ型感光性組成物からなる層、又は非感光性組成物からなる層であることが好ましい。また第１粘着層は上記の光吸収層と同じ組成物からなる層であっても構わない。

　第１粘着層は、樹脂の構造単位中にポリジアルキルシリコーン構造を有する樹脂を含む層であることも好ましく、ポリジアルキルシリコーン構造を有する単位が主成分の単位である樹脂を含む層であることがより好ましく、これらの樹脂を主成分として含む層であることがさらに好ましい。樹脂における主成分の単位とは、樹脂の構造単位中にモル比基準で最も多く含まれる単位をいう。第１粘着層における主成分とは、第１粘着層の構成成分において質量基準で最も多く含まれる成分をいう。ポリジアルキルシリコーン構造はポリジメチルシリコーン構造がより好ましい。またこれらの樹脂は、さらに樹脂の構造単位中にポリモノアルキルモノアリールシリコーン構造を有しても構わない。

　＜物品＞
　本発明の第１の態様である積層体は物品を有する。本発明の第１の態様である積層体は光吸収層に接する複数の物品を有する。本発明の第２の態様である積層体は物品を有する。本発明の第２の態様である積層体は第１粘着層に接する複数の物品を有する。

　本発明の積層体における物品は別の積層体に移載された後、電子部品、電子装置、移動体、建造物、又は窓に具備されることが好ましい。電子部品としては、例えば、半導体装置、アンテナ、表示装置、光デバイス、プリント配線基板、半導体パッケージ、半導体装置を含む能動部品、又は受動部品が挙げられる。本発明の積層体は上記の電子部品、電子装置、移動体、建造物、又は窓の製造に用いられることが好ましい。

　半導体装置としては、例えば、ファンアウト・ウェハレベル・パッケージ構造、ファンアウト・パネルレベル・パッケージ構造、又はアンテナ・イン・パッケージ構造を有する半導体装置が挙げられる。アンテナとしては、例えば、マイクロストリップラインアンテナ又はストリップラインアンテナが挙げられる。表示装置としては、例えば、有機ＥＬディスプレイ、量子ドットディスプレイ、マイクロＬＥＤディスプレイ、ミニＬＥＤディスプレイ、又は液晶ディスプレイが挙げられる。金属張積層板としては、例えば、プリント配線基板が挙げられる。電子部品は中空構造体を有することも好ましい。中空構造体は中空構造支持材及び中空構造屋根材を有する。中空構造体を有する電子部品としては、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）等が挙げられる。半導体装置における上記のパッケージ構造はシングルダイ又はマルチダイを含む構造のいずれであってもよく、集積密度向上及び配線間の伝送損失抑制の観点から、マルチダイを含む構造が好ましい。マルチダイを含む構造はチップレット構造を有することが好ましく、ロジック、メモリ、アナログＩＣ（アナログ集積回路）、ＲＦ回路（高周波回路）、及びパワー半導体からなる群より選ばれる一種類以上のダイを含むことがより好ましく、二種類以上のダイを含むことがさらに好ましい。

　本発明の積層体は、上記の構成を有する半導体装置、アンテナ、表示装置、光デバイス、プリント配線基板、半導体パッケージ、半導体装置を含む能動部品、又は受動部品の製造に用いられることが好ましい。

　＜物品；半導体チップ＞
　物品は半導体チップであることが好ましい。半導体層は、ケイ素、炭化ケイ素、窒化ガリウム、インジウム窒化ガリウム、アルミニウム窒化ガリウム、三酸化二ガリウム、ヒ化ガリウム、アルミニウムガリウムヒ素、ガリウムヒ素リン、リン化インジウム、リン化ガリウム、セレン化亜鉛、アルミニウムインジウムガリウムリン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムガリウム亜鉛、ダイヤモンド、酸化アルミニウム亜鉛、又は酸化亜鉛を主成分として含むことが好ましい。半導体層における主成分とは、半導体層の構成成分において質量基準で最も多く含まれる成分をいう。

　半導体チップは、１つの面に複数の電極端子を有するフリップチップ型の構造を有することが好ましい。物品が１つの面に複数の電極端子を有する場合、物品の光吸収層側である面を第１ｂ面とし、物品の第１ｂ面と対向する面を第２ｂ面とするとき、物品は第１ｂ面に複数の電極端子を有することが好ましい。上記の構成とすることが、本発明の第１の態様である積層体における光吸収層の凹部又は光吸収層の開口部を、アルカリ現像又はエッチングで形成する際、電極端子の腐食抑制及び信頼性向上の観点から好適である。また上記の構成とすることが、本発明の第２の態様である積層体における光吸収層の凹部又は光吸収層の開口部と、第１粘着層の凹部又は第１粘着層の開口部を、アルカリ現像又はエッチングで形成する際、電極端子の腐食抑制及び信頼性向上の観点から好適である。

　また半導体チップは、１つの面と、その面とは異なる面とに複数の電極端子を有するバーティカル型を有することも好ましい。バーティカル構造は、１つの面と、その面と対向する面とに複数の電極端子を有する構造がより好ましい。上記の構成とすることが、本発明の積層体を用いた電子部品等の製造において、半導体装置の高集積化及び表示装置の解像度向上の観点から好適である。

　電極端子は導電層であることが好ましい。導電層とは体積抵抗率が１．０×１０^－８～１．０×１０^－４Ω・ｃｍである層をいう。電極端子は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｏ、又はＣｒを主成分の元素として含むことが好ましい。電極端子における主成分の元素とは、電極端子の構成元素において質量基準で最も多く含まれる元素をいう。電極端子の一辺の長さは０．２０μｍ以上、１００μｍ以下が好ましい。電極端子の高さは０．１０μｍ以上、５０μｍ以下が好ましい。

　物品は半導体チップであって、かつ半導体チップが発光素子であることが好ましい。発光素子である半導体チップは表示装置に具備されることが好ましい。上記の構成を有する表示装置は、マイクロＬＥＤディスプレイ又はミニＬＥＤディスプレイが好ましい。表示装置は、発光素子である半導体チップ、配線層、再配線層、及び再配線層の層間絶縁層を有し、半導体チップと配線層及び／又は半導体チップと再配線層とが電気的に接続されていることが好ましい。また表示装置は、さらに隔壁層及び／又は平坦化層を有することが好ましい。発光素子である半導体チップはＰ型半導体とＮ型半導体とが接合されたＰＮ接合ダイオードであることが好ましい。

　発光素子である半導体チップの一辺の長さは、０．５０μｍ以上が好ましく、５．０μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。一方、一辺の長さは、２００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましい。発光素子である半導体チップの一辺の厚さは、０．５０μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、５．０μｍ以上がさらに好ましい。一方、一辺の厚さは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以下がさらに好ましい。本発明の積層体は、上記の構成を有する表示装置の製造に用いられることが好ましい。

　物品は半導体チップであって、かつ半導体チップが、発光素子、受光素子、光結合素子、光フィルター素子、光変調素子、又は光増幅素子（以下、光通信素子等という）であることも好ましい。光通信素子等である半導体チップは光デバイスに具備されることが好ましい。上記の構成を有する光デバイスは、光通信素子等である半導体チップ、ロジック半導体チップ、パッケージ基板、及びプリント配線基板を有することが好ましい。

　光デバイスは、パッケージ基板上で封止された光通信素子等である半導体チップと、パッケージ基板上で封止されたロジック半導体チップとが、プリント配線基板上で電気的に接続されていることが好ましい。また光デバイスは、光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとがパッケージ基板上で封止されており、パッケージ基板を介して光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとが電気的に接続されていることがより好ましい。また光デバイスはさらにインターポーザを有し、インターポーザを介して光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとが電気的に接続されており、光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとがパッケージ基板上で封止されていることがさらに好ましい。また光デバイスは、光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとが上下に積層されて電気的に接続されており、光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとがパッケージ基板上で封止されていることが特に好ましい。なお光通信素子等である半導体チップとロジック半導体チップとが上下に積層されて電気的に接続される場合、電極同士がバンプ接合によって電気的に接続されることが好ましく、電極同士がバンプを用いずに電気的に直接接続されることがより好ましい。また光デバイスは、光通信素子等である半導体チップ及びロジック半導体チップが同一基板に形成され、かつ電気的に接続されていることも好ましい。

　光通信素子等である半導体チップの一辺の長さは、１０μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましい。一方、一辺の長さは、２０００μｍ以下が好ましく、１５００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下がさらに好ましい。光通信素子等である半導体チップの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、２．０以上が好ましく、３．０以上がより好ましく、５．０以上がさらに好ましく、７．０以上がさらにより好ましく、１０以上が特に好ましい。一方、短辺の長さに対する長辺の長さの比は、２００以下が好ましく、１５０以下がより好ましく、１００以下がさらに好ましい。なお短辺の長さに対する長辺の長さの比は、７０以下が好ましく、５０以下がより好ましく、４０以下がさらに好ましく、３０以下がさらにより好ましく、２０以下が特に好ましい。光通信素子等である半導体チップの一辺の厚さは、０．１０μｍ以上が好ましく、０．５０μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上がさらに好ましい。一方、一辺の厚さは、２０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５．０μｍ以下がさらに好ましい。本発明の積層体は、上記の構成を有する光デバイスの製造に用いられることが好ましい。

　＜積層体０Ａ；ドナー基板及び物品＞
　ドナー基板及び物品をこの順に有する積層体を、積層体０Ａという場合もある。本発明の第１の態様である積層体における物品は、積層体０Ａから積層体ａ１ｘの光吸収層に移載されたものであることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体における物品は、積層体０Ａから積層体ａ１ｙの第１粘着層に移載されたものであることが好ましい。

　ドナー基板は導電性制御及び絶縁性制御の観点から、半導電層を有する基板が好ましく、半導体層を有する基板がより好ましい。半導電層とは体積抵抗率が１．０×１０^－４～１．０×１０^８Ω・ｃｍである層をいう。半導体層は、Ｇａ、Ａｓ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、窒素、リン、炭素、又は酸素を主成分の元素として含むことが好ましい。半導体層における主成分の元素とは、半導体層の構成元素において質量基準で最も多く含まれる元素をいう。また半導体層は、ケイ素、炭化ケイ素、窒化ガリウム、インジウム窒化ガリウム、アルミニウム窒化ガリウム、三酸化二ガリウム、ヒ化ガリウム、アルミニウムガリウムヒ素、ガリウムヒ素リン、リン化インジウム、リン化ガリウム、セレン化亜鉛、アルミニウムインジウムガリウムリン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウムガリウム亜鉛、ダイヤモンド、酸化アルミニウム亜鉛、又は酸化亜鉛を主成分として含むことが好ましい。半導体層における主成分とは、半導体層の構成成分において質量基準で最も多く含まれる成分をいう。ドナー基板は半導体層を有する複数の層からなる基板であって、半導体層が主成分の層であることも好ましい。ドナー基板における主成分の層とは、ドナー基板を構成する複数の層のうち最も多くの質量を占める層をいう。またドナー基板は半導体層であることも好ましい。またドナー基板は絶縁層及び半導体層を有する複数の層からなる基板であって、絶縁層がアルカリガラス基板、無アルカリガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、石英ガラス基板、水晶基板、又はサファイア基板であることも好ましい。

　ドナー基板は光分解層を有することが好ましい。すなわち、ドナー基板を構成する複数の層のうち少なくとも１つが光分解層であることが好ましい。また積層体０Ａは、ドナー基板、光分解層、及び物品をこの順に有する積層体であることが好ましい。

　＜積層体０Ｂ及び積層体ａ０；第０基板、第０粘着層、及び物品＞
　第０基板、後述する第０粘着層、及び物品をこの順に有する積層体を、積層体０Ｂという場合もある。また第０基板及び後述する第０粘着層をこの順に有する積層体を、積層体ａ０という場合もある。本発明の第１の態様である積層体における物品は、積層体０Ａから積層体ａ０の第０粘着層に移載された後、積層体０Ｂから積層体ａ１ｘの光吸収層に移載されたものであることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体における物品は、積層体０Ａから積層体ａ０の第０粘着層に移載された後、積層体０Ｂから積層体ａ１ｙの第１粘着層に移載されたものであることが好ましい。

　第０基板は耐衝撃性向上の観点から、無機基板が好ましい。また第０基板はフレキシブル性向上及びハンドリング性向上の観点から、有機基板が好ましい。なお無機基板は半導体層を有する基板も好ましい。

　また第０基板はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、透光性基板が好ましい。透光性基板は耐衝撃性向上の観点から、無機基板が好ましい。また透光性基板はフレキシブル性向上及びハンドリング性向上の観点から、有機基板が好ましい。

　透光性基板、無機基板、有機基板、半導電層を有する基板、及び半導体層を有する基板に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の第１基板及びドナー基板における例示及び好ましい記載と同様である。

　第０粘着層は、樹脂の構造単位中にポリジアルキルシリコーン構造を有する樹脂を含む層であることも好ましい。ポリジアルキルシリコーン構造に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の第１粘着層における例示及び好ましい記載と同様である。第０粘着層は公知の粘着層など、公知の材料を用いても構わない。また第０粘着層は公知の組成物からなる層であっても構わない。なお第０粘着層は上記の第１粘着層と同じ組成物からなる層であっても構わない。

　＜積層体２及び積層体ａ２；第２基板、第２粘着層、及び物品＞
　第２基板、後述する第２粘着層、及び物品をこの順に有する積層体を、積層体２という場合もある。また第２基板及び後述する第２粘着層をこの順に有する積層体を、積層体ａ２という場合もある。本発明の第１の態様である積層体における物品は、積層体１Ｘから積層体ａ２の第２粘着層に移載されたものであることが好ましい。本発明の第２の態様である積層体における物品は、積層体１Ｙから積層体ａ２の第２粘着層に移載されたものであることが好ましい。

　第２基板は耐衝撃性向上の観点から、無機基板が好ましい。また第２基板はフレキシブル性向上及びハンドリング性向上の観点から、有機基板が好ましい。なお無機基板は半導体層を有する基板も好ましい。

　また第２基板はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、透光性基板が好ましい。透光性基板は耐衝撃性向上の観点から、無機基板が好ましい。また透光性基板はフレキシブル性向上及びハンドリング性向上の観点から、有機基板が好ましい。

　本発明の第１の態様である積層体における物品が、積層体１Ｘから積層体ａ２の第２粘着層に移載された後、物品が具備する電極端子などと積層体２が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、第２基板は導電性制御及び絶縁性制御の観点から、半導電層を有する基板が好ましく、半導体層を有する基板がより好ましい。本発明の第２の態様である積層体における物品が、積層体１Ｙから積層体ａ２の第２粘着層に移載された後、物品が具備する電極端子などと積層体２が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、第２基板は導電性制御及び絶縁性制御の観点から、半導電層を有する基板が好ましく、半導体層を有する基板がより好ましい。積層体２において、本発明の積層体から移載された物品が具備する電極端子などと積層体２が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、積層体２は絶縁層を有することが好ましい。絶縁層とは体積抵抗率が１．０×１０^８～１．０×１０^１８Ω・ｃｍである層をいう。

　第２粘着層は、樹脂の構造単位中にポリジアルキルシリコーン構造を有する樹脂を含む層であることも好ましい。ポリジアルキルシリコーン構造に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の第１粘着層における例示及び好ましい記載と同様である。第２粘着層は公知の粘着層など、公知の材料を用いても構わない。また第２粘着層は公知の組成物からなる層であっても構わない。なお第２粘着層は上記の第１粘着層と同じ組成物からなる層であっても構わない。

　本発明の積層体から移載された物品が半導体チップであって、かつ半導体チップが、上記の光通信素子等である場合、第２粘着層の波長１３００～１６００ｎｍにおける透過率の最大値は６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましく、９０％以上が特に好ましい。

　＜積層体３Ｊ、積層体３、及び積層体ａ３；素子基板、第３粘着層、及び物品＞
　素子基板、後述する第３粘着層、及び物品をこの順に有する積層体を、積層体３という場合もある。また素子基板及び後述する第３粘着層をこの順に有する積層体を、積層体ａ３という場合もある。素子基板及び物品をこの順に有する積層体を、積層体３Ｊという場合もある。本発明の積層体における物品は、積層体２から積層体ａ３の第３粘着層に移載されたものであることも好ましい。積層体２とは、本発明により第２基板と第２粘着層上に物品を転写された積層体のことである。本発明の積層体における物品は、積層体２から素子基板に移載されたものであることが好ましい。素子基板は素子基板に備えられた配線を有することが好ましい。

　本発明の積層体における物品が、積層体２から積層体ａ３の第３粘着層に移載された後、物品が具備する電極端子などと積層体３が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、素子基板は導電性制御及び絶縁性制御の観点から、半導電層を有する基板が好ましく、半導体層を有する基板がより好ましい。積層体３において、本発明の積層体から移載された物品が具備する電極端子などと積層体３が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、積層体３は絶縁層を有することが好ましい。絶縁層とは体積抵抗率が１．０×１０^８～１．０×１０^１８Ω・ｃｍである層をいう。

　本発明の積層体における物品が、積層体２から素子基板に移載された後、物品が具備する電極端子などと素子基板が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、素子基板は導電性制御及び絶縁性制御の観点から、半導電層を有する基板が好ましく、半導体層を有する基板がより好ましい。素子基板において、本発明の積層体から移載された物品が具備する電極端子などと素子基板が具備する配線とを電気的に接続させるものである場合、素子基板は絶縁層を有することが好ましい。絶縁層とは体積抵抗率が１．０×１０^８～１．０×１０^１８Ω・ｃｍである層をいう。

　また素子基板を支持基板として用い、素子基板の一部の層又は全ての層を剥離した態様であることも好ましい。素子基板を支持基板として用いて半導体チップなどの物品を配置した後、金属配線や層間絶縁層などを形成するＣｈｉｐ－ｆｉｒｓｔ（ＲＤＬ－ｌａｓｔ）の製造プロセスや、素子基板を支持基板として用いて金属配線や層間絶縁層などを形成した後、半導体チップなどの物品を配置するＣｈｉｐ－ｌａｓｔ（ＲＤＬ－ｆｉｒｓｔ）の製造プロセスに用いる場合に好適である。

　素子基板を支持基板として用いる場合、素子基板は耐衝撃性向上の観点から、無機基板の層を有することが好ましい。また素子基板はフレキシブル性向上及びハンドリング性向上の観点から、有機基板の層を有することが好ましい。なお物品が具備する電極端子などと素子基板が具備する配線との電気的接続は、はんだ接合、異方性導電フィルムによる接合、又は直接接合が好ましい。直接接合はハイブリッドボンディングなどのプラズマ処理による表面活性化による接合が好ましい。透光性基板、無機基板、有機基板、半導電層を有する基板、及び半導体層を有する基板に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の第１基板及びドナー基板における例示及び好ましい記載と同様である。

　第３粘着層は、樹脂の構造単位中にポリジアルキルシリコーン構造を有する樹脂を含む層であることも好ましい。ポリジアルキルシリコーン構造に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の第１粘着層における例示及び好ましい記載と同様である。第３粘着層は公知の粘着層など、公知の材料を用いても構わない。また第３粘着層は公知の組成物からなる層であっても構わない。なお第３粘着層は上記の第１粘着層と同じ組成物からなる層であっても構わない。

　本発明の積層体から移載された物品が半導体チップであって、かつ半導体チップが、上記の光通信素子等である場合、第３粘着層の波長１３００～１６００ｎｍにおける透過率の最大値は６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましく、９０％以上が特に好ましい。

　＜積層体１Ｘ、ａ１ｘ、１Ｙ、及びａ１ｙ；感光性組成物及び非感光性組成物＞
　以下、本発明の第１の態様である積層体における光吸収層、並びに、本発明の第２の態様である積層体における光吸収層又は第１粘着層を形成するための組成物について述べる。組成物は感光性組成物又は非感光性組成物である。ただし、感光性組成物又は非感光性組成物は以下の各実施の形態に限定されるものではなく、発明の目的を達成でき、かつ、発明の要旨を逸脱しない範囲内においての種々の変更は当然ありえる。なお感光性組成物はポジ型感光性組成物又はネガ型感光性組成物である。

　＜（Ａ）バインダー樹脂＞
　組成物は（Ａ）バインダー樹脂を含有することが好ましい。（Ａ）バインダー樹脂とは、組成物を硬化した硬化物中に少なくとも一部が残存する耐熱性を有する樹脂である。（Ａ）バインダー樹脂は、反応によって架橋構造が形成されて硬化する樹脂が好ましい。反応は、加熱によるもの、エネルギー線の照射によるもの等、特に限定されるものではなく、後述する（Ｆ）架橋剤によって架橋構造が形成されても構わない。（Ａ）バインダー樹脂は熱硬化性樹脂が好ましい。（Ａ）バインダー樹脂は、酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂又は有機溶剤可溶性構造を有する有機溶剤可溶性樹脂が好ましい。（Ａ）バインダー樹脂は、後述する（Ｃ）感光剤によって組成物にポジ型又はネガ型の感光性が付与され、ポジ型又はネガ型のパターンを形成可能な溶解性を有する樹脂が好ましい。（Ａ）バインダー樹脂に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層中の（ＸＡ）バインダー樹脂における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜（Ｂ）ラジカル重合性化合物＞
　組成物は、さらに（Ｂ）ラジカル重合性化合物（以下、（Ｂ）化合物という）及び／又は（Ｆ）架橋剤を含有することが好ましい。（Ｂ）化合物とは、ラジカル重合性基を有する化合物をいう。ラジカル重合性基に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層中の（ＸＡ）バインダー樹脂における例示及び好ましい記載と同様である。ラジカル重合性基はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、（メタ）アクリロイル基が好ましい。（Ｂ）化合物が有するラジカル重合性基数はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、２個以上が好ましく、３個以上がより好ましく、４個以上がさらに好ましい。一方、ラジカル重合性基数はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１２個以下が好ましく、１０個以下がより好ましく、８個以下がさらに好ましく、６個以下が特に好ましい。

　＜（Ｃ）感光剤＞
　感光性組成物は（Ｃ）感光剤を含有する。（Ｃ）感光剤とは、露光によって結合開裂、反応、又は構造変化して別の化合物を発生させることで、組成物にポジ型又はネガ型の感光性を付与する化合物をいう。（Ｃ）感光剤は、（Ｃ１）ナフトキノンジアジド化合物（以下、（Ｃ１）化合物という）、（Ｃ２）光重合開始剤（以下、（Ｃ２）化合物という）、（Ｃ３）光酸発生剤、及び（Ｃ４）光塩基発生剤からなる群より選ばれる一種類以上を含むことが好ましい。組成物にポジ型の感光性を付与することが、本発明の第１の態様である積層体における光吸収層の凹部又は光吸収層の開口部を、アルカリ現像で形成する上で好適である。また組成物にポジ型の感光性を付与することが、本発明の第２の態様である積層体における光吸収層の凹部又は光吸収層の開口部と、第１粘着層の凹部又は第１粘着層の開口部を、アルカリ現像で形成する上で好適である。

　（Ｃ１）化合物とは、露光によって構造変化してインデンカルボン酸及び／又はスルホインデンカルボン酸を発生する化合物をいう。（Ｃ１）化合物を含有させることがポジ型のパターン形成に好適である。露光時、（Ｃ１）化合物が構造変化した酸性化合物により、組成物の膜の露光部がアルカリ現像液に対して選択的に可溶化するため、デブリ抑制及び位置精度向上の効果が顕著となる。（Ｃ１）化合物はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸エステル構造（以下、５－エステル構造という）を有する化合物及び／又は１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸エステル構造（以下、４－エステル構造という）を有する化合物を含有することが好ましく、５－エステル構造を有する化合物及び４－エステル構造を含有する化合物を含有することがより好ましい。（Ｃ１）化合物はフェノール性水酸基の５－エステル構造又はフェノール性水酸基の４－エステル構造を有することが好ましい。

　（Ｃ２）化合物とは、露光によって結合開裂及び／又は反応してラジカルを発生する化合物をいう。（Ｃ２）化合物を含有させることがネガ型のパターン形成に好適である。露光時、（Ｃ２）化合物から発生するラジカルが僅かな量であっても上記の（Ｂ）化合物などのラジカル重合が連鎖的に進行するため、デブリ抑制及び位置精度向上の効果が顕著となる。（Ｃ２）化合物は、ベンジルケタール系化合物、α－ヒドロキシケトン系化合物、α－アミノケトン系化合物、ビイミダゾール系化合物、ホスフィンオキシド系化合物、オキシムエステル系化合物、アクリジン系化合物、チタノセン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、アセトフェノン系化合物、芳香族ケトエステル系化合物、又は安息香酸エステル系化合物が好ましく、デブリ抑制及び位置精度向上の観点から、オキシムエステル系化合物がより好ましい。オキシムエステル系化合物は、オキシムエステル構造（α－オキシム構造）を有する化合物及び／又はオキシムエステルカルボニル構造（β－オキシム構造）を有する化合物を含有することが好ましい。

　（Ｃ３）光酸発生剤とは、露光によって結合開裂及び／又は反応して酸を発生する化合物をいう。なお（Ｃ３）化合物は（Ｃ１）化合物とは異なる化合物である。（Ｃ３）化合物を含有させることがカチオン重合促進などの観点からネガ型のパターン形成に好適である。一方、樹脂などが酸解離性基で保護された酸性基を有する場合、露光によって酸性基を遊離させる観点からポジ型のパターン形成に好適であり、露光時の感度向上の効果が顕著となる。（Ｃ３）化合物としては、例えば、イオン性化合物又は非イオン性化合物が挙げられる。イオン性化合物は、トリオルガノスルホニウム塩系化合物が好ましい。非イオン性化合物は、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、リン酸エステル化合物、又はスルホンベンゾトリアゾール化合物が好ましい。

　（Ｃ４）光塩基発生剤とは、露光によって結合開裂及び／又は反応して塩基を発生する化合物をいう。（Ｃ４）化合物を含有させることがアニオン重合促進などの観点からネガ型のパターン形成に好適である。一方、樹脂などが塩基解離性基で保護された酸性基を有する場合、露光によって酸性基を遊離させる観点からポジ型のパターン形成に好適であり、露光時の感度向上の効果が顕著となる。（Ｃ４）化合物としては、例えば、イオン性化合物又は非イオン性化合物が挙げられる。イオン性化合物は、ジアザビシクロアルケン塩系化合物、トリアザビシクロアルケン塩系化合物、α－ケト四級アンモニウム塩系化合物、ベンジル四級アンモニウム塩系化合物、グアニジン塩系化合物、又はビグアニド塩系化合物が好ましい。イオン性化合物は、ケトプロフェン構造、オキソキサンテン構造、ベンゾフラン構造、又はナフタレン構造を有することが好ましい。非イオン性化合物は、ニトロベンジルカルバメート化合物、アントラセニルカルバメート化合物、ベンゾイン系カルバメート化合物、アントラキノン系カルバメート化合物、ヒドロキシシンナムアミド系化合物、又はクマリンアミド系化合物が好ましい。

　＜（Ｄａ）紫外線吸収剤及び（Ｄｂ）着色剤＞
　組成物は、さらに（Ｄａ）紫外線吸収剤及び／又は（Ｄｂ）着色剤を含有することが好ましい。（Ｄａ）紫外線吸収剤とは、紫外領域の波長（３８０ｎｍ未満）の光を吸収する化合物をいう。（Ｄｂ）着色剤とは、可視光線の波長（３８０～７８０ｎｍ）の光を吸収することで着色させる化合物をいう。着色させるとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、又は紫色とすることをいう。（Ｄａ）紫外線吸収剤及び（Ｄｂ）着色剤に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層中の（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び（ＸＤｂ）着色剤における例示及び好ましい記載と同様である。なお光吸収層中の特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤と同様、特定構造の（Ｄａ）紫外線吸収剤は上記の（Ａ）バインダー樹脂とは異なる樹脂であるが、特定構造の（Ｄａ）紫外線吸収剤は（Ｄａ）紫外線吸収剤及び（Ａ）バインダー樹脂の両方に該当する。すなわち組成物が特定構造の（Ｄａ）紫外線吸収剤を含有する場合、組成物は（Ｄａ）紫外線吸収剤及び（Ａ）バインダー樹脂を含有するものとする。

　＜（Ｅ）分散剤＞
　組成物は顔料の分散安定性向上の観点から、さらに（Ｅ）分散剤を含有することが好ましい。（Ｅ）分散剤とは、顔料表面と相互作用する構造と顔料同士の接近を阻害する構造とを有する化合物をいう。（Ｅ）分散剤は、塩基性基、酸性基、又はそれらの塩構造を有することが好ましく、塩基性基又はその塩構造を有することがより好ましい。

　＜（Ｆ）架橋剤＞
　組成物は、さらに（Ｂ）化合物及び／又は（Ｆ）架橋剤を含有することが好ましい。（Ｆ）架橋剤とは、樹脂などと反応可能な架橋性基、カチオン重合性基、又はアニオン重合性基を有する化合物をいう。（Ｆ）架橋剤はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、アルコキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、エポキシ基、オキセタニル基、及びブロックイソシアネート基（以下、特定の架橋性基という）からなる群より選ばれる一種類以上の基を有することが好ましい。アルコキシアルキル基はアルコキシメチル基又はアルコキシエチル基が好ましく、メトキシメチル基又はメトキシエチル基がより好ましい。ヒドロキシアルキル基はメチロール基又はエチロール基が好ましい。（Ｆ）架橋剤が有する特定の架橋性基数はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、２個以上が好ましく、３個以上がより好ましく、４個以上がさらに好ましく、６個以上が特に好ましい。一方、特定の架橋性基数はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１２個以下が好ましく、１０個以下がより好ましく、８個以下がさらに好ましい。

　＜その他の添加剤及び溶剤＞
　組成物はさらに、溶解促進剤、増感剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、撥インク剤、又は界面活性剤を含有することも好ましい。これらの添加剤は公知のものを用いても構わない。組成物は、さらに溶剤を含有することも好ましい。組成物が顔料を含有し、さらに分散剤を含有する場合、溶剤は顔料の分散安定性向上の観点から、アセテート結合、プロピオネート結合、又はブチレート結合を有する化合物が好ましい。

　＜積層体の製造方法（積層体１Ｘ）＞
　以下、本発明の第３の態様、第４の態様、第５の態様、第６の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法について述べる。なお本発明の積層体の製造方法と記載する場合、本発明の第３の態様、第４の態様、第５の態様、第６の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法に関する記載である。一方、特定の態様の積層体の製造方法について述べる場合、本発明の第３の態様である積層体の製造方法などと記載する。ただし、本発明は以下の各実施の形態に限定されるものではなく、発明の目的を達成でき、かつ発明の要旨を逸脱しない範囲内においての種々の変更は当然ありえる。

　本発明の第３の態様である積層体の製造方法は上記の［１］の構成を有する。上記の構成とすることで、本発明の第３の態様である積層体の製造方法は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。これは光吸収層部に凹部を形成するため、凹部を形成しない場合と比較して、光吸収層の体積の体積が低減することを意味する。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。また第１基板と第２基板との間に間隙を設けた状態で活性化学線を照射して物品を転写するため、アブレーション時に蒸発した光吸収層が効率的に系外に放出されると考えられる。その結果、アブレーション後の第２基板上での再付着を低減できるため、デブリ抑制の効果を奏功すると推定される。なお上記のデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果を奏功することで、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　＜積層体の製造方法（積層体１Ｘ）＞
　本発明の第４の態様である積層体の製造方法は、
　（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、
　（１２）光吸収層に物品を仮固定する工程（以下、（１２）工程という）、及び　（１３）光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、該（１２）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１３）工程において、該光吸収層が凹部を有し、該（１３）工程において、該光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、該（１３）工程において、該光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、積層体の製造方法である。

　上記の構成とすることで、本発明の第４の態様である積層体の製造方法は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。これは光吸収層部に凹部を形成するため、凹部を形成しない場合と比較して、光吸収層の体積の体積が低減することを意味する。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。また光吸収層の押し込み弾性率が特定範囲である、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度が特定範囲であるため、光吸収層が物品を保持する力を適度に維持することができ、光吸収層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。なお上記のデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果を奏功することで、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　＜積層体の製造方法（積層体１Ｙ）＞
　本発明の第５の態様である積層体の製造方法は、
　（１０ｙ）第１基板、光吸収層、及び第１粘着層をこの順に有する積層体ａ１ｙを準備する工程、
　（１２ｙ）第１粘着層に物品を仮固定する工程（以下、（１２ｙ）工程という）、
　（１３ｙ）光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙ）工程という）、
　（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程、及び
　（２２ｙ）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を第１粘着層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２ｙ）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、
　該（１２ｙ）工程において、該第１粘着層に接する複数の物品を有し、かつ該（１３ｙ）工程において、該光吸収層及び該第１粘着層に凹部を形成する、積層体の製造方法である。

　上記の構成とすることで、本発明の第５の態様である積層体の製造方法は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。これは光吸収層部及び第１粘着層に凹部を形成するため、凹部を形成しない場合と比較して、光吸収層の体積及び第１粘着層の体積が低減することを意味する。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。また第１基板と第２基板との間に間隙を設けた状態で活性化学線を照射して物品を転写するため、アブレーション時に蒸発した光吸収層及び／又は第１粘着層が効率的に系外に放出されると考えられる。その結果、アブレーション後の第２基板上での再付着を低減できるため、デブリ抑制の効果を奏功すると推定される。なお上記のデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果を奏功することで、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　＜積層体の製造方法（積層体１Ｙ）＞
　本発明の第６の態様である積層体の製造方法は、
　（１０ｙ）第１基板、光吸収層、及び第１粘着層をこの順に有する積層体ａ１ｙを準備する工程、
　（１２ｙ）第１粘着層に物品を仮固定する工程（以下、（１２ｙ）工程という）、
　（１３ｙ）光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙ）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、　該（１２ｙ）工程において、該第１粘着層に接する複数の物品を有し、かつ該（１３ｙ）工程において、該光吸収層及び該第１粘着層に凹部を形成し、
　該（１３ｙ）工程において、該第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、該（１３ｙ）工程において、該第１粘着層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、積層体の製造方法である。

　上記の構成とすることで、本発明の第６の態様である積層体の製造方法は、半導体チップ等の物品転写時のデブリ抑制と優れた位置精度とを兼ね備えることができ、高い精度で表示装置や半導体装置を得ることができる。これは光吸収層部及び第１粘着層に凹部を形成するため、凹部を形成しない場合と比較して、光吸収層の体積及び第１粘着層の体積が低減することを意味する。その結果、上記の本発明の第１の態様である積層体と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。なお上記のデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果を奏功することで、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　本発明の第７の態様である積層体の製造方法は上記の［１０］の構成を有する。すなわち本発明の第７の態様である積層体の製造方法は、
　（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、
　（１２ｚ）光吸収層に物品を仮固定し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚ）工程という）、
　（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程、及び
　（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に凹部を形成する、積層体の製造方法である。

　上記の構成とすることで、本発明の第７の態様である積層体の製造方法は、上記の本発明の第３の態様である積層体の製造方法と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。なお同様の理由により、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　本発明の第８の態様である積層体の製造方法は、
　（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、及び
　（１２ｚ）光吸収層に物品を仮固定し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚ）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、
　該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に凹部を形成し、
　該（１２ｚ）工程において、該光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、該（１２ｚ）工程において、該光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、積層体の製造方法である。

　上記の構成とすることで、本発明の第８の態様である積層体の製造方法は、上記の本発明の第４の態様である積層体の製造方法と同様の理由により、デブリ抑制の効果及び優れた位置精度の効果を奏功すると推定される。なお同様の理由により、半導体チップ等の発光特性が向上すると考えられる。すなわち半導体チップ等からの光取り出し効率が向上し、優れた発光輝度の効果を奏功すると推定される。

　＜ドナー基板；積層体を準備する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、ドナー基板及び物品をこの順に有する積層体０Ａを準備する工程、を有することが好ましい。積層体０Ａは複数の物品を有することが好ましい。

　積層体０Ａに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの積層体を準備する工程は、積層体を製造して準備する工程であっても構わない。またこれらの積層体を準備する工程は、既に製造された積層体を準備する工程であっても構わない。

　＜ドナー基板；物品を形成する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、（０１）工程、つまり、ドナー基板に物品を形成する工程を有することができる。本発明の積層体の製造方法は、（０１）工程において、複数の物品を有することが好ましい。ドナー基板及び物品に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。（０１）工程において複数の物品を有するとは、（０１）工程の後の状態をいう。すなわち（０１）工程において、ドナー基板に複数の物品を形成するものとする。（０１）ドナー基板に物品を形成する工程は、ドナー基板に半導体チップを形成する工程が好ましい。これらの工程において物品を形成する方法は、例えば、導電層、絶縁層、及び半導電層からなる群より選ばれる一種類以上を形成する方法が挙げられ、導電性無機層、絶縁性樹脂層、絶縁性無機層、及び半導体層からなる群より選ばれる一種類以上を形成する方法が好ましい。

　＜第０基板；積層体を準備する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、第０基板及び第０粘着層をこの順に有する積層体ａ０を準備する工程、を有することが好ましい。本発明の積層体の製造方法は、第０基板、第０粘着層、及び物品をこの順に有する積層体０Ｂを準備する工程、を有することが好ましい。積層体０Ｂは複数の物品を有することが好ましい。積層体ａ０及び積層体０Ｂに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの積層体を準備する工程は、積層体を製造して準備する工程であっても構わない。またこれらの積層体を準備する工程は、既に製造された積層体を準備する工程であっても構わない。

　＜第０基板；第０粘着層を成膜する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、（０２）第０基板に仮固定層を成膜する工程、を有することが好ましい。第０粘着層に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの工程において第０粘着層を成膜する方法としては、例えば、組成物を塗布する方法又は組成物からなるフィルムを配置する方法が挙げられる。これらの方法に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ後述する（１１）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第０基板；物品を仮固定する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、（０３）第０粘着層に物品を仮固定する工程（以下、（０３）工程という）、を有することが好ましい。本発明の積層体の製造方法は、上記の（０１）工程を有し、かつ（０３）工程を有することがより好ましい。本発明の積層体の製造方法は、（０３）工程において、第０粘着層に接する複数の物品を有することが好ましい。

　物品に関する例示及び好ましい記載の上記の通りである。（０３）工程において複数の物品を有するとは、（０３）工程の後の状態をいう。すなわち（０３）工程において、第０粘着層に複数の物品を仮固定するものとする。（０３）工程は、（０３ａ）ドナー基板に備えられた物品と、第０基板に備えられた第０粘着層とを接触させた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から第０粘着層に転写する工程（以下、（０３ａ）工程という）、又は、（０３ｂ）ドナー基板に備えられた物品と、第０基板に備えられた第０粘着層との間に間隙を設けた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から第０粘着層に転写する工程（以下、（０３ｂ）工程という）、を有することが好ましい。

　（０３ａ）工程及び（０３ｂ）工程はプロセスタイム削減の観点から、ドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から第０粘着層に一回で転写することが好ましい。またドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から第０粘着層に二回以上に分けて転写することも好ましく、二回以上に分けて逐次的に転写することも好ましい。複数の物品を逐次的に転写するとは、複数の物品を一つずつ連続して転写することをいう。上記のドナー基板が上記の光分解層を有する、又は、積層体０Ａが上記の光分解層を有することが、（０３ａ）工程又は（０３ｂ）工程において物品をドナー基板から第０粘着層に転写する上で好適である。

　（０３）工程は（０３ａ）工程の前又は（０３ｂ）工程の前、ドナー基板に備えられた物品と、第０基板に備えられた第０粘着層とを接触させて貼り合わせる工程、を有することが好ましい。（０３）工程はこれらの工程の後、さらに、加熱する工程を有することがより好ましく、熱圧着する工程を有することがさらに好ましい。加熱する工程及び熱圧着する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ後述する（１２）光吸収層に物品を仮固定する工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第１基板；積層体を準備する工程＞
　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、を有する。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１０ｙ）第１基板、光吸収層、及び第１粘着層をこの順に有する積層体ａ１ｙを準備する工程、を有する。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１Ｘ）本発明の積層体である積層体１Ｘを準備する工程、を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１Ｘｙ）本発明の積層体である積層体１Ｙを準備する工程、を有することが好ましい。積層体ａ１ｘ、積層体ａ１ｙ、積層体１Ｘ、及び積層体１Ｙに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの積層体を準備する工程は、積層体を製造して準備する工程であっても構わない。またこれらの積層体を準備する工程は、既に製造された積層体を準備する工程であっても構わない。

　＜第１基板；光吸収層を成膜する工程＞
　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１１）第１基板に光吸収層を成膜する工程、を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１１ｙ－１）第１基板に光吸収層を成膜する工程、を有することが好ましい。

　第１基板及び光吸収層に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの工程において光吸収層を成膜する方法としては、例えば、組成物を塗布する方法又は組成物からなるフィルムを配置する方法が挙げられる。組成物を塗布する方法としては、例えば、スピンコーティング、カーテンフローコーティング、スプレーコーティング、又はスリットコーティングが挙げられる。また組成物を塗布した後、プリベークする方法が好ましい。プリベーク温度は５０～１５０℃が好ましい。プリベーク時間は３０秒～１０分が好ましい。組成物からなるフィルムを配置する方法としては、例えば、組成物からなるフィルムを熱圧着して接合する方法が挙げられる。熱圧着して接合する方法は、熱プレス処理、熱ラミネート処理、又は熱真空ラミネート処理が好ましい。

　組成物を塗布してプリベークした後、さらにポストベークする方法が好ましい。また組成物からなるフィルムを熱圧着して接合した後、さらにポストベークする方法も好ましい。ポストベーク温度は１５０℃超過～３００℃が好ましい。ポストベーク時間は５分～３００分が好ましい。処理雰囲気としては、例えば、空気、酸素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン又はキセノン雰囲気下；酸素を１～１００００質量ｐｐｍ（０．０００１～１質量％）含有するガス雰囲気下又は真空下が挙げられる。プリベークする方法及びポストベークする方法は、二段又はそれ以上の多段で加熱しても構わない。プリベークする方法及びポストベークする方法は、オーブン、ホットプレート、赤外線、フラッシュアニール装置、又はレーザーアニール装置などを使用することができる。

　＜第１基板；第１粘着層を成膜する工程＞
　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１１ｙ－２）光吸収層に接する第１粘着層を成膜する工程、を有することが好ましい。第１粘着層に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの工程において第１粘着層を成膜する方法としては、例えば、組成物を塗布する方法又は組成物からなるフィルムを配置する方法が挙げられる。これらの方法に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１１）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第１基板；光吸収層及び／又は第１粘着層に活性化学線を照射する工程＞
　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、後述する（１２）工程の前、さらに、（１１ｚ）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程（以下、（１１ｚ）工程という）、を有することが好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、後述する（１２ｚ）工程の前、さらに、（１１ｚ）工程を有することが好ましい。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は（１１ｚ）工程を有する場合、上記の発明の効果の観点から、（１３）工程において、上記（ｂ）の条件を満たすことが好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、後述する（１２ｙ）工程の前、さらに、（１１ｚｙ）光吸収層の第１基板側から光吸収層及び第１粘着層に活性化学線を照射する工程（以下、（１１ｚｙ）工程という）、を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は（１１ｚｙ）工程を有する場合、上記の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において、上記（ｂｙ）の条件を満たすことが好ましい。

　光吸収層及び／又は第１粘着層がネガ型感光性組成物からなる層である場合、活性化学線を照射することで光硬化が一部進行し、これらの層中の架橋度が向上する。そのため、これらの層に物品を仮固定する際、物品が光吸収層又は第１粘着層へ埋没することを抑制すると考えられる。その結果、物品を光吸収層又は第１粘着層から転写する際、少ないエネルギーで転写可能であるため転写時の物品の挙動が安定する上、照射エネルギーのバラツキの絶対値も小さくなり、優れた位置精度の効果が顕著になると推定される。これらの工程において活性化学線を照射する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ後述する（１４）工程及び（１４ｙ）における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第１基板；物品を仮固定する工程＞
　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、（１２）光吸収層に物品を仮固定する工程（以下、（１２）工程という）、を有する。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１２ｙ）第１粘着層に物品を仮固定する工程（以下、（１２ｙ）工程という）、を有する。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）光吸収層に物品を仮固定し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚ）工程という）、を有する。

　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、（１２）工程において、光吸収層に接する複数の物品を有する。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１２ｙ）工程において、第１粘着層に接する複数の物品を有する。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において、光吸収層に接する複数の物品を有する。

　物品に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。（１２）工程において光吸収層に接する複数の物品を有するとは、（１２）工程の後の状態をいう。（１２ｙ）工程において第１粘着層に接する複数の物品を有するとは、（１２ｙ）工程の後の状態をいう。（１２ｚ）工程において光吸収層に接する複数の物品を有するとは、（１２ｚ）工程の後の状態をいう。すなわち（１２）工程において、光吸収層に複数の物品を仮固定するものとする。また（１２ｙ）工程において、第１粘着層に複数の物品を仮固定するものとする。また（１２ｚ）工程において、光吸収層に複数の物品を仮固定するものとする。

　なお本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において、光吸収層に凹部を形成する。（１２ｚ）工程において光吸収層に凹部を形成するとは、（１２ｚ）工程でそのような状態に加工することをいう。すなわち（１２ｚ）工程において、光吸収層をパターン加工することで光吸収層に凹部を形成するものとする。また（１２ｚ）工程において、光吸収層をパターン加工することで光吸収層が開口部を有することも好ましい。（１２ｚ）工程において、光吸収層は下記（ｐ）及び（ｑ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐ）光吸収層に凹部を形成し、凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑ）光吸収層に凹部を形成し、凹部は開口部である。

　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、上記の（０１）工程を有し、かつ（１２）工程を有することが好ましい。本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、上記の（０１）工程及び上記の（０３）工程を有し、かつ（１２）工程を有することも好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、上記の（０１）工程を有し、かつ（１２ｙ）工程を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、上記の（０１）工程及び上記の（０３）工程を有し、かつ（１２ｙ）工程を有することも好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、上記の（０１）工程を有し、かつ（１２ｚ）工程を有することが好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、上記の（０１）工程及び上記の（０３）工程を有し、かつ（１２ｚ）工程を有することも好ましい。

　＜物品を仮固定する工程（活性化学線を照射して物品を転写する工程）＞
　（１２）工程は、（１２ａ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から光吸収層に転写する工程（以下、（１２ａ）工程という）、又は、（１２ｂ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層との間に間隙を設けた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から光吸収層に転写する工程（以下、（１２ｂ）工程という）、を有することが好ましい。

　（１２ａ）工程及び（１２ｂ）工程はプロセスタイム削減の観点から、ドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から光吸収層に一回で転写することが好ましい。またドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から光吸収層に二回以上に分けて転写することも好ましく、二回以上に分けて逐次的に転写することも好ましい。複数の物品を逐次的に転写するとは、複数の物品を一つずつ連続して転写することをいう。上記のドナー基板が上記の光分解層を有する、又は、積層体０Ａが上記の光分解層を有することが、（１２ａ）工程又は（１２ｂ）工程において物品をドナー基板から光吸収層に転写する上で好適である。

　（１２ｙ）工程は、（１２ｙａ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた第１粘着層とを接触させた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から第１粘着層に転写する工程（以下、（１２ｙａ）工程という）、又は、（１２ｙｂ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた第１粘着層との間に間隙を設けた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から第１粘着層に転写する工程（以下、（１２ｙｂ）工程という）、を有することが好ましい。

　（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程はプロセスタイム削減の観点から、ドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から第１粘着層に一回で転写することが好ましい。またドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から第１粘着層に二回以上に分けて転写することも好ましく、二回以上に分けて逐次的に転写することも好ましい。複数の物品を逐次的に転写するとは、複数の物品を一つずつ連続して転写することをいう。上記のドナー基板が上記の光分解層を有する、又は、積層体０Ａが上記の光分解層を有することが、（１２ｙａ）工程又は（１２ｙｂ）工程において物品をドナー基板から第１粘着層に転写する上で好適である。

　（１２ｚ）工程は、（１２ｚａ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から光吸収層に転写し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚａ）工程という）、又は、（１２ｚｂ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層との間に間隙を設けた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から光吸収層に転写し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚｂ）工程という）、を有することが好ましい。

　（１２ｚａ）工程及び（１２ｚｂ）工程はプロセスタイム削減の観点から、ドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から光吸収層に一回で転写することが好ましい。またドナー基板に備えられた複数の物品を、ドナー基板から光吸収層に二回以上に分けて転写することも好ましく、二回以上に分けて逐次的に転写することも好ましい。複数の物品を逐次的に転写するとは、複数の物品を一つずつ連続して転写することをいう。上記のドナー基板が上記の光分解層を有する、又は、積層体０Ａが上記の光分解層を有することが、（１２ｚａ）工程又は（１２ｚｂ）工程において物品をドナー基板から光吸収層に転写する上で好適である。

　（１２ａ）工程、（１２ｂ）工程、（１２ｙａ）工程、及び（１２ｙｂ）工程は、フォトマスクを介して物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射することも好ましい。活性化学線による光吸収層及び／又は第１粘着層の変質抑制の観点から、フォトマスクは透光部及び遮光部を含み、透光部の領域がドナー基板の物品が備えられた領域以内であることが好ましく、物品が備えられた領域に対応することがより好ましい。また遮光部の領域がドナー基板の物品が備えられていない領域以上であることが好ましく、物品が備えられていない領域に対応することがより好ましい。これらの工程において活性化学線を照射する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ後述する（２２）工程及び（２２ｙ）における例示及び好ましい記載と同様である。

　（１２ａ）工程、（１２ｂ）工程、（１２ｚａ）工程、及び（１２ｚｂ）工程はプロセスタイム削減、レーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、物品をマスクとして光吸収層にも活性化学線が照射されており、活性化学線の照射された光吸収層の少なくとも一部が除去されていることが好ましい。（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程は同様の発明の効果の観点から、物品をマスクとして第１粘着層にも活性化学線が照射されており、活性化学線の照射された第１粘着層の少なくとも一部が除去されていることが好ましい。また（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程は同様の発明の効果の観点から、物品をマスクとして光吸収層及び第１粘着層にも活性化学線が照射されており、活性化学線の照射された光吸収層の少なくとも一部と、光吸収層に接する第１粘着層の少なくとも一部とが除去されていることがより好ましい。

　（１２）工程において、光吸収層は下記（ｐ）及び（ｑ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐ）光吸収層に凹部を形成し、凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑ）光吸収層に凹部を形成し、凹部は開口部である。
（１２ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層は下記（ｐｙ）及び（ｑｙ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐｙ）光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成し、凹部は第１粘着層の開口部であって、かつ凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑｙ）光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成し、凹部は開口部である。

　（１２ａ）工程、（１２ｂ）工程、（１２ｚａ）工程、又は（１２ｚｂ）工程において、光吸収層が上記（ｐ）の条件を満たす場合、活性化学線の照射された光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっていることが好ましい。（１２ａ）工程、（１２ｂ）工程、（１２ｚａ）工程、又は（１２ｚｂ）工程において、光吸収層が上記（ｑ）の条件を満たす場合、活性化学線の照射された光吸収層の少なくとも一部が除去され、開口部を有することが好ましい。

　このような構成の場合、本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、後述する（１３）工程を有しないことも好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法の（１２ｚａ）工程又は（１２ｚｂ）工程において、活性化学線の照射された光吸収層の少なくとも一部が除去されている。その結果、後述する（１３）工程又は（１３ｙ）工程が不要となるためプロセスタイム削減の効果が顕著となる。

　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法が（１３）工程において後述する（ａ）の条件を満たす場合、（１２ａ）工程及び（１２ｂ）工程はプロセスタイム削減、レーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、物品をマスクとして光吸収層にも活性化学線が照射されていることが好ましい。このような構成の場合、後述する（１３ａ）工程は、後述する（１３ａ－１）工程を有しないことも好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法が（１３ｙ）工程において後述する（ａｙ）の条件を満たす場合、（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程は同様の発明の効果の観点から、物品をマスクとして光吸収層にも活性化学線が照射されていることが好ましい。（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程は同様の発明の効果の観点から、物品をマスクとして光吸収層及び第１粘着層にも活性化学線が照射されていることも好ましい。このような構成の場合、後述する（１３ｙａ）工程は、後述する（１３ｙａ－１）工程を有しないことも好ましい。

　光吸収層及び／又は第１粘着層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、（１２ａ）工程、（１２ｂ）工程、（１２ｙａ）工程、又は（１２ｙｂ）工程において光吸収層及び／又は第１粘着層にも活性化学線が照射されていることで、感光剤の結合開裂、反応、又は構造変化が進行してアルカリ可溶化する。その結果、後述する（１３ａ）工程又は（１３ｙａ）工程における、（１３ａ－１）工程又は（１３ｙａ－１）工程が不要となるためプロセスタイム削減の効果が顕著となる。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法において、光吸収層の少なくとも一部が除去されているとは、光吸収層の厚さが小さくなっていることをいう。光吸収層の少なくとも一部が除去され、光吸収層に凹部が形成されていることが好ましく、光吸収層が複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっていることがより好ましい。なお光吸収層の少なくとも一部が除去されて第１基板の少なくとも一部が露出していることが好ましく、対応する箇所の光吸収層が完全に除去されていることがより好ましい。また光吸収層の少なくとも一部が除去され、光吸収層が複数の島状の光吸収層として存在していることが特に好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法において、光吸収層の少なくとも一部と第１粘着層の少なくとも一部とが除去されているとは、光吸収層の厚さと第１粘着層の厚さとが小さくなっていることをいう。光吸収層の少なくとも一部と第１粘着層の少なくとも一部とが除去され、光吸収層及び第１粘着層に凹部が形成されていることが好ましく、光吸収層が複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、第１粘着層が複数の凸部の第１粘着層として存在していることが好ましい。なお光吸収層の少なくとも一部と第１粘着層の少なくとも一部とが除去されて第１基板の少なくとも一部が露出していることが好ましく、対応する箇所の第１粘着層が完全に除去されていることがより好ましく、対応する箇所の光吸収層及び第１粘着層が完全に除去されていることがさらに好ましい。また光吸収層の少なくとも一部と第１粘着層の少なくとも一部とが除去され、光吸収層及び第１粘着層が、複数の島状の光吸収層及び複数の島状の第１粘着層として存在していることが特に好ましい。

　上述した通り、光吸収層及び／又は第１粘着層に物品が接していない箇所を凹部としてパターン加工するか、開口部としてパターン加工することで光吸収層の体積及び／又は第１粘着層の体積を低減可能である。このようなパターン加工による凹部を有する光吸収層及び／又は第１粘着層とすることや、パターン加工による開口部を有する光吸収層及び／又は第１粘着層とすることが、上述した推定機構に基づくデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果が顕著となる上でより好適である。

　少なくとも一部が除去された後の光吸収層の厚さは、２．０μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．５０μｍ以下がさらに好ましく、０．３０μｍ以下がさらにより好ましく、０．１０μｍ以下が特に好ましい。なお対応する箇所の光吸収層が完全に除去されて存在しないことも好ましい。少なくとも一部が除去された後の第１粘着層の厚さは、２．０μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．５０μｍ以下がさらに好ましく、０．３０μｍ以下がさらにより好ましく、０．１０μｍ以下が特に好ましい。なお対応する箇所の第１粘着層が完全に除去されて存在しないことも好ましい。

　（１２）工程及び（１２ｚ）工程における、複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層は、それぞれの面積（以下、凸部又は島状の光吸収層の面積という）を（Ｓ_ｘ）とし、それぞれに接する複数の物品の面積を（Ｓ_ｙ）とするとき、式（Ｓ－ｘｙ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_ｘ）≧（Ｓ_ｙ）　（Ｓ－ｘｙ）
上記式（Ｓ－ｘｙ）の関係を満たす場合、凸部又は島状の光吸収層の面積（Ｓ_ｘ）と物品の面積（Ｓ_ｙ）との比を（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）とするとき、（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．６５以上がさらにより好ましく、１．９０以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、４．５０以下が好ましく、４．００以下がより好ましく、３．５０以下がさらに好ましく、３．００以下がさらにより好ましく、２．７０以下が特に好ましい。

　なお光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積と、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積のうち、上記の島状の光吸収層の面積は第１基板側である第１ａ面の面積に対応する。また上記の凸部の光吸収層の面積と凹部の光吸収層の面積は、上述した（ａ１）～（ａ４）の方法により、光吸収層の凹部と凸部とを決定して求めるものとする。

　（１２ｙ）工程における、複数の凸部の第１粘着層又は複数の島状の第１粘着層は、それぞれの面積（以下、凸部又は島状の第１粘着層の面積という）を（Ｓ_ｐ）とし、それぞれに接する複数の物品の面積を（Ｓ_ｑ）とするとき、式（Ｓ－ｐｑ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_ｐ）≧（Ｓ_ｑ）　（Ｓ－ｐｑ）
上記式（Ｓ－ｐｑ）の関係を満たす場合、凸部又は島状の第１粘着層の面積（Ｓ_ｐ）と物品の面積（Ｓ_ｑ）との比を（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）とするとき、（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．６５以上がさらにより好ましく、１．９０以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、４．５０以下が好ましく、４．００以下がより好ましく、３．５０以下がさらに好ましく、３．００以下がさらにより好ましく、２．７０以下が特に好ましい。

　なお第１粘着層の光吸収層側である面の面積と、その面と対向する面の面積のうち、上記の島状の第１粘着層の面積は光吸収層側である面の面積に対応する。また上記の凸部の第１粘着層の面積と凹部の第１粘着層の面積は、上述した（ｂ１）～（ｂ４）の方法により、第１粘着層の凹部と凸部とを決定して求めるものとする。（１２）工程、（１２ｙ）工程、及び（１２ｚ）工程における、凸部の光吸収層、島状の光吸収層、凸部の第１粘着層、及び島状の第１粘着層に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ後述する（１３）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法が（１３）工程において後述する（ａ）の条件を満たす場合、（１２ａ）工程及び（１２ｂ）工程はプロセスタイム削減、レーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、物品をマスクとして光吸収層にも活性化学線が照射されていることが好ましい。このような構成の場合、後述する（１３ａ）工程は、後述する（１３ａ－１）工程を有しないことが好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法が（１３ｙ）工程において後述する（ａｙ）の条件を満たす場合、（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程は同様の発明の効果の観点から、物品をマスクとして光吸収層にも活性化学線が照射されていることが好ましい。（１２ｙａ）工程及び（１２ｙｂ）工程は同様の発明の効果の観点から、物品をマスクとして光吸収層及び第１粘着層にも活性化学線が照射されていることも好ましい。このような構成の場合、後述する（１３ｙａ）工程は、後述する（１３ｙａ－１）工程を有しないことが好ましい。

　（１２）工程は（１２ａ）工程の前、ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させて貼り合わせる工程、を有することが好ましい。（１２ｙ）工程は（１２ｙａ）工程の前、ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた第１粘着層とを接触させて貼り合わせる工程、を有することが好ましい。（１２ｚ）工程は（１２ｚａ）工程の前、ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させて貼り合わせる工程、を有することが好ましい。（１２）工程、（１２ｙ）工程、及び（１２ｚ）工程はこれらの工程の後、さらに、加熱する工程を有することがより好ましく、熱圧着する工程を有することがさらに好ましい。熱圧着する方法は、熱プレス処理、熱ラミネート処理、又は熱真空ラミネート処理が好ましい。熱圧着する方法としては、例えば、プレス機、ウェハボンダ―、又は真空ラミネーターなどの熱圧着時の圧力を制御可能な装置を用いる方法が挙げられる。

　加熱温度は、５０℃以上が好ましく、６０℃以上がより好ましく、８０℃以上がさらに好ましい。一方、加熱温度は、１５０℃以下が好ましく、１２０℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましい。加熱時間は、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましく、６０秒以上がさらに好ましく、１８０秒以上が特に好ましい。一方、加熱時間は、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましく、１０分以下がさらに好ましく、５．０分以下が特に好ましい。

　熱圧着温度は、２０℃以上が好ましく、４０℃以上がより好ましく、５０℃以上がさらに好ましく、６０℃以上が特に好ましい。一方、熱圧着温度は、１５０℃以下が好ましく、１２０℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましく、８０℃以下が特に好ましい。熱圧着時間は、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましく、６０秒以上がさらに好ましい。一方、熱圧着時間は、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましく、１０分以下がさらに好ましく、５．０分以下が特に好ましい。熱圧着する圧力は、０．０５０ＭＰａ以上が好ましく、０．１０ＭＰａ以上がより好ましい。一方、熱圧着する圧力は、１０ＭＰａ以下が好ましく、５ＭＰａ以下がより好ましい。加熱する工程及び熱圧着する工程は、二段又はそれ以上の多段で加熱しても構わない。処理雰囲気は、空気、酸素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン又はキセノン雰囲気下；酸素を１～１００００質量ｐｐｍ（０．０００１～１質量％）含有するガス雰囲気下又は真空下が好ましい。

　＜物品を仮固定する工程（貼り合わせて物品を転写する工程）＞
　（１２）工程は、（１２ｃ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させて貼り合わせ、物品をドナー基板から光吸収層に転写する工程（以下、（１２ｃ）工程という）、を有することが好ましい。（１２ｙ）工程は、（１２ｙｃ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた第１粘着層とを接触させて貼り合わせ、物品をドナー基板から第１粘着層に転写する工程（以下、（１２ｙｃ）工程という）、を有することが好ましい。（１２ｚ）工程は、（１２ｚｃ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させて貼り合わせ、物品をドナー基板から光吸収層に転写し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚｃ）工程という）、を有することが好ましい。（１２ｃ）工程及び（１２ｚｃ）工程は物品と光吸収層とを接触させて貼り合わせた状態で、加熱することがより好ましく、熱圧着することがさらに好ましい。（１２ｙｃ）工程は物品と第１粘着層とを接触させて貼り合わせた状態で、加熱することがより好ましく、熱圧着することがさらに好ましい。加熱する工程及び熱圧着する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１２）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　（１２）工程は、（１２ｄ）第０基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させて貼り合わせ、物品を第０粘着層から光吸収層に転写する工程（以下、（１２ｄ）工程という）、を有することが好ましい。（１２ｙ）工程は、（１２ｙｄ）第０基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた第１粘着層とを接触させて貼り合わせ、物品を第０粘着層から第１粘着層に転写する工程（以下、（１２ｙｄ）工程という）、を有することが好ましい。（１２ｚ）工程は、（１２ｚｄ）第０基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させて貼り合わせ、物品を第０粘着層から光吸収層に転写し、かつ光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１２ｚｄ）工程という）、を有することが好ましい。（１２ｄ）工程及び（１２ｚｄ）工程は物品と光吸収層とを接触させて貼り合わせた状態で、加熱することがより好ましく、熱圧着することがさらに好ましい。（１２ｙｄ）工程は物品と第１粘着層とを接触させて貼り合わせた状態で、加熱することがより好ましく、熱圧着することがさらに好ましい。加熱する工程及び熱圧着する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１２）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第１基板；光吸収層及び／又は第１粘着層をパターン加工する工程＞
　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、（１３）光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３）工程という）、を有する。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１３ｙ）光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙ）工程という）、を有する。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１３）光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３）工程という）、を有することが好ましい。

　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、（１３）工程において、光吸収層に凹部を形成する。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成する。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１３）工程において、光吸収層が凹部を有することが好ましい。（１３）工程において光吸収層に凹部を形成するとは、（１３）工程でそのような状態に加工することをいう。（１３ｙ）工程において光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成するとは、（１３ｙ）工程でそのような状態に加工することをいう。すなわち（１３）工程において、光吸収層をパターン加工することで光吸収層に凹部を形成するものとする。また（１３）工程において、光吸収層をパターン加工することで光吸収層が開口部を有することも好ましい。また（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工することで、光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成するものとする。また（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工することで光吸収層及び第１粘着層が開口部を有することも好ましい。なお本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において光吸収層に凹部を形成するため、（１３）工程において、さらに光吸収層をパターン加工することを許容するものとする。

　（１３）工程において、光吸収層は下記（ｐ）及び（ｑ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐ）光吸収層に凹部を形成し、凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑ）光吸収層に凹部を形成し、凹部は開口部である。
（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層は下記（ｐｙ）及び（ｑｙ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ｐｙ）光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成し、凹部は第１粘着層の開口部であって、かつ凹部は光吸収層の少なくとも一部が除去され、厚さが小さくなっている
（ｑｙ）光吸収層及び第１粘着層に凹部を形成し、凹部は開口部である。

　本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１２ｚ）工程において、光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっていることが好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接していることが好ましい。（１２ｚ）工程において上記の態様であるとは、（１２ｚ）工程の後の状態をいう。すなわち（１２ｚ）工程において、光吸収層をパターン加工することで、光吸収層が複数の凸部の光吸収層として存在するものとする。また（１２ｚ）工程において、光吸収層をパターン加工することで、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接するものとする。

　本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１２ｚ）工程において、光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在していることが好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接していることが好ましい。（１２ｚ）工程において上記の態様であるとは、（１２ｚ）工程の後の状態をいう。すなわち（１２ｚ）工程において、光吸収層をパターン加工することで、光吸収層が複数の島状の光吸収層として存在するものとする。また（１２ｚ）工程において、光吸収層をパターン加工することで、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接するものとする。

　（１３）工程は、光吸収層の少なくとも一部が除去されていることが好ましい。（１３ｙ）工程は、第１粘着層の少なくとも一部が除去されていることが好ましい。また（１３ｙ）工程は、光吸収層の少なくとも一部と、光吸収層に接する第１粘着層の少なくとも一部とが除去されていることがより好ましい。

　（１３）工程における、複数の凸部の光吸収層又は複数の島状の光吸収層は、それぞれの面積（以下、凸部又は島状の光吸収層の面積という）を（Ｓ_ｘ）とし、それぞれに接する複数の物品の面積を（Ｓ_ｙ）とするとき、式（Ｓ－ｘｙ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_ｘ）≧（Ｓ_ｙ）　（Ｓ－ｘｙ）
上記式（Ｓ－ｘｙ）の関係を満たす場合、凸部又は島状の光吸収層の面積（Ｓ_ｘ）と物品の面積（Ｓ_ｙ）との比を（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）とするとき、（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．６５以上がさらにより好ましく、１．９０以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_ｘ）／（Ｓ_ｙ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、４．５０以下が好ましく、４．００以下がより好ましく、３．５０以下がさらに好ましく、３．００以下がさらにより好ましく、２．７０以下が特に好ましい。

　（１３ｙ）工程における、複数の凸部の第１粘着層又は複数の島状の第１粘着層は、それぞれの面積（以下、凸部又は島状の第１粘着層の面積という）を（Ｓ_ｐ）とし、それぞれに接する複数の物品の面積を（Ｓ_ｑ）とするとき、式（Ｓ－ｐｑ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_ｐ）≧（Ｓ_ｑ）　（Ｓ－ｐｑ）
上記式（Ｓ－ｐｑ）の関係を満たす場合、凸部又は島状の第１粘着層の面積（Ｓ_ｐ）と物品の面積（Ｓ_ｑ）との比を（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）とするとき、（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）はデブリ抑制及び位置精度向上の観点から、１．１０以上が好ましく、１．３０以上がより好ましく、１．５０以上がさらに好ましく、１．６５以上がさらにより好ましく、１．９０以上が特に好ましい。一方、（Ｓ_ｐ）／（Ｓ_ｑ）はレーザー照射のエネルギー低減の観点から、４．５０以下が好ましく、４．００以下がより好ましく、３．５０以下がさらに好ましく、３．００以下がさらにより好ましく、２．７０以下が特に好ましい。

　なお第１粘着層の光吸収層側である面の面積と、その面と対向する面の面積のうち、上記の島状の第１粘着層の面積は光吸収層側である面の面積に対応する。また上記の凸部の第１粘着層の面積と凹部の第１粘着層の面積は、上述した（ｂ１）～（ｂ４）の方法により、第１粘着層の凹部と凸部とを決定して求めるものとする。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１３）工程において、上記（ａ）～（ｃ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。
（ａ）光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ａ）フォトリソグラフィーにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ａ）工程という）を有する
（ｂ）光吸収層が、ポジ型感光性組成物又はネガ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ）工程という）を有する
（ｃ）光吸収層が非感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ）工程という）を有し、さらに、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１３ｙ）工程において、上記（ａｙ）～（ｃｙ）の条件のいずれかを満たすことが好ましい。（１３）工程において当該条件を満たすとは、（１３）工程の後の状態をいう。（１３ｙ）工程において当該条件を満たすとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。
（ａｙ）光吸収層及び／又は第１粘着層がポジ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３ｙ）工程が、（１３ｙａ）フォトリソグラフィーにより光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙａ）工程という）を有する
（ｂｙ）光吸収層及び／又は第１粘着層が、ポジ型感光性組成物又はネガ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３ｙ）工程が、（１３ｙｂ）エッチングにより光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙｂ）工程という）を有する
（ｃｙ）光吸収層及び／又は第１粘着層が非感光性組成物からなる層であって、かつ（１３ｙ）工程が、（１３ｙｂ）エッチングにより光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙｂ）工程という）を有し、さらに、第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、第１粘着層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である。

　＜パターン加工する工程（フォトリソグラフィーにより加工する工程）＞
　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３）工程において上記（ａ）の条件を満たすことが好ましい。（１３）工程において当該条件を満たすとは、（１３）工程の後の状態をいう。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３）工程において上記（ａ）の条件を満たす場合、（１３ａ）フォトリソグラフィーにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ａ）工程という）が、（１３ａ－１）光吸収層の物品側から、物品をマスクとして光吸収層に活性化学線を照射する工程（以下、（１３ａ－１）工程という）、及び、（１３ａ－２）現像液を用いて現像し、光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ａ－２）工程という）を有することが好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において上記（ａｙ）の条件を満たすことが好ましい。（１３ｙ）工程において当該条件を満たすとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において上記（ａｙ）の条件を満たす場合、（１３ｙａ）フォトリソグラフィーにより光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙａ）工程という）が、（１３ｙａ－１）光吸収層の物品側から、物品をマスクとして光吸収層及び第１粘着層に活性化学線を照射する工程（以下、（１３ｙａ－１）工程という）、及び、（１３ｙａ－２）現像液を用いて現像し、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙａ－２）工程という）、を有することが好ましい。

　（１３ａ－１）工程及び（１３ｙａ－１）工程において活性化学線を照射する方法としては、例えば、ステッパー、スキャナー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、又はパラレルライトマスクアライナー（ＰＬＡ）などの露光機を用いてパターニング露光する方法が挙げられる。（１３ａ）工程及び（１３ｙａ）工程は物品をマスクとして活性化学線を照射するため、フォトマスクを用いなくても構わない。また活性化学線による物品へのダメージ抑制の観点から、フォトマスクを介して活性化学線を照射しても構わない。

　活性化学線の極大波長は、１８０ｎｍ以上が好ましく、２００ｎｍ以上がより好ましく、２４０ｎｍ以上がさらに好ましく、３００ｎｍ以上がさらにより好ましく、３４０ｎｍ以上が特に好ましい。一方、活性化学線の極大波長は、４５０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以下がより好ましく、４００ｎｍ以下がさらに好ましい。活性化学線は、水銀灯のｊ線（波長３１３ｎｍ）、水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、水銀灯のｈ線（波長４０５ｎｍ）、水銀灯のｇ線（波長４３６ｎｍ）が好ましく、水銀灯のｉ線、ｈ線、及びｇ線の混合線がより好ましい。活性化学線は、ＡｒＦレーザー（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（波長３５１ｎｍ）、又はＹＡＧレーザー（波長２６６ｎｍ、波長３５５ｎｍ、又は波長５３２ｎｍ）も好ましい。

　活性化学線の露光量はｉ線照度値で、１０ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２以上がさらに好ましく、２００ｍＪ／ｃｍ^２以上がさらにより好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ^２以上が特に好ましい。一方、露光量はｉ線照度値で、３０００ｍＪ／ｃｍ^２以下が好ましく、２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましく、１５００ｍＪ／ｃｍ^２以下がさらに好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下がさらにより好ましく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下が特に好ましい。

　活性化学線を照射した後、感度向上、現像後の解像度向上、及び現像条件の許容幅拡大の観点から、露光後ベークをすることが好ましい。特に光吸収層又は第１粘着層が、化学増幅ポジ型感光性組成物からなる層又は化学増幅ポジ型感光性組成物からなる層である場合、露光後ベークをすることが好ましい。

　（１３ａ－２）工程及び（１３ｙａ－２）工程において現像する方法としては、例えば、自動現像機を用いて現像する方法が挙げられる。現像方法としては、例えば、パドル現像、スプレー現像、又はディップ現像が挙げられる。光吸収層又は第１粘着層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、露光部が現像液で除去されたパターンを形成できる。

　現像液はアルカリ溶液が好ましく、有機系アルカリ化合物の溶液又はアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。有機系アルカリ化合物又はアルカリ性を示す化合物としては、例えば、２－アミノエタノール、２－（ジメチルアミノ）エタノール、２－（ジエチルアミノ）エタノール、ジエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、又は水酸化テトラエチルアンモニウムが挙げられ、公知のものを用いても構わない。アルカリ溶液のアルカリ濃度は、０．０１０質量％以上が好ましく、０．１０質量％以上がより好ましく、１．０質量％以上がさらに好ましく、２．０質量％以上が特に好ましい。一方、アルカリ濃度は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５．０質量％以下がさらに好ましく、３．０質量％以下が特に好ましい。

　現像液は有機溶媒も好ましい。有機溶媒は上述した組成物における溶剤を用いても構わない。現像液は有機溶媒と、光吸収層又は第１粘着層に対する貧溶媒とを含有する混合溶液を用いても構わない。

　現像液の温度は、１０℃以上が好ましく、２０℃以上がより好ましく、３０℃以上がさらに好ましく、４０℃以上が特に好ましい。一方、現像液の温度は、１００℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましく、６０℃以下がさらに好ましい。現像時間は、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましく、６０秒以上がさらに好ましい。一方、現像時間は、１０分以下が好ましく、５．０分以下がより好ましく、３．０分以下がさらに好ましい。

　現像後、得られたパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。現像液としてアルカリ溶液を用いた場合、リンス液は水が好ましい。リンス液は、アルコール類の水溶液、エステル類の水溶液、酸性を示す化合物の水溶液、又は有機溶媒を用いても構わない。

　（１３ａ－２）工程において、光吸収層の露光部における膜厚方向の溶解速度は、１．０μｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、３．０μｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、５．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらに好ましく、１０．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらにより好ましく、１５．０μｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。一方、膜厚方向の溶解速度は、１００μｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、５０．０μｍ／ｍｉｎ以下がより好ましく、３０．０μｍ／ｍｉｎ以下がさらに好ましい。

　（１３ａ－２）工程において、光吸収層の未露光部に対する露光部における膜厚方向の溶解速度の比は、１以上が好ましく、３以上がより好ましく、５以上がさらに好ましく、７以上がさらにより好ましく、１０以上が特に好ましい。一方、溶解速度の比は、５０以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２０以下がさらに好ましい。

　（１３ｙａ－２）工程において、光吸収層の露光部における膜厚方向の溶解速度は、１．０μｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、３．０μｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、５．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらに好ましく、１０．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらにより好ましく、１５．０μｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。一方、膜厚方向の溶解速度は、１００μｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、５０．０μｍ／ｍｉｎ以下がより好ましく、３０．０μｍ／ｍｉｎ以下がさらに好ましい。

　（１３ｙａ－２）工程において、光吸収層の未露光部に対する露光部における膜厚方向の溶解速度の比は、光吸収層の未露光部に対する露光部における膜厚方向の溶解速度の比は、１以上が好ましく、３以上がより好ましく、５以上がさらに好ましく、７以上がさらにより好ましく、１０以上が特に好ましい。一方、溶解速度の比は、５０以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２０以下がさらに好ましい。

　（１３ｙａ－２）工程において、第１粘着層の露光部における膜厚方向の溶解速度及び第１粘着層の未露光部に対する露光部における膜厚方向の溶解速度の比に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層の露光部における膜厚方向の溶解速度及び光吸収層の未露光部に対する露光部における膜厚方向の溶解速度の比に関する例示及び好ましい記載と同様である。

　＜パターン加工する工程（エッチングにより加工する工程）＞
　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３）工程において上記（ｂ）の条件を満たすことが好ましい。（１３）工程において当該条件を満たすとは、（１３）工程の後の状態をいう。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３）工程において上記（ｂ）の条件を満たす場合、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ）工程という）が、（１３ｂ－１ａ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてドライエッチングして光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ－１ａ）工程という）、又は、（１３ｂ－１ｂ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてウェットエッチングして光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ－１ｂ）工程という）、を有することが好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において上記（ｂｙ）の条件を満たすことが好ましい。（１３ｙ）工程において当該条件を満たすとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において上記（ｂｙ）の条件を満たす場合、（１３ｙｂ）エッチングにより光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙｂ）工程という）が、（１３ｙｂ－１ａ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてドライエッチングして光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙｂ－１ａ）工程という）、又は、（１３ｙｂ－１ｂ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてウェットエッチングして光吸収層及び第１粘着層をパターン加工する工程（以下、（１３ｙｂ－１ｂ）工程という）、を有することが好ましい。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は位置精度向上の観点から、（１３）工程において上記（ｃ）の条件を満たすことが好ましい。（１３）工程において当該条件を満たすとは、（１３）工程の後の状態をいう。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は位置精度向上の観点から、（１３）工程において上記（ｃ）の条件を満たす場合、（１３ｂ）工程が、（１３ｂ－１ａ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてドライエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、又は、（１３ｂ－１ｂ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてウェットエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、を有することが好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は位置精度向上の観点から、（１３ｙ）工程において上記（ｃｙ）の条件を満たすことが好ましい。（１３ｙ）工程において当該条件を満たすとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は位置精度向上の観点から、（１３ｙ）工程において上記（ｃｙ）の条件を満たす場合、（１３ｙｂ）工程が、（１３ｙｂ－１ａ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてドライエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、又は、（１３ｙｂ－１ｂ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてウェットエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、を有することが好ましい。

　上述した通り、光吸収層及び／又は第１粘着層に物品が接していない箇所を凹部としてパターン加工するか、開口部としてパターン加工することで光吸収層の体積及び／又は第１粘着層の体積を低減可能である。このようなパターン加工による凹部を有する光吸収層及び／又は第１粘着層とすることや、パターン加工による開口部を有する光吸収層及び／又は第１粘着層とすることが、上述した推定機構に基づくデブリ抑制の効果や優れた位置精度の効果が顕著となる上でより好適である。光吸収層の５０℃における押し込み弾性率及び光吸収層のガラス転移温度に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率及び第１粘着層のガラス転移温度に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　（１３ｂ－１ａ）工程及び（１３ｙｂ－１ａ）工程においてドライエッチングする方法としては、例えば、エッチングガスを暴露させる反応性ガスエッチング、電磁波によってイオン化若しくはラジカル化させたエッチングガスを暴露させるプラズマエッチング、又は電磁波によってイオン化若しくはラジカル化させたエッチングガスを、バイアスを印加して加速させて衝突させる反応性イオンエッチングが挙げられる。

　エッチングガスは、酸素、アルゴン、フッ素、又は塩素を主成分の元素として含むガスが好ましい。エッチングガスにおける主成分の元素とは、エッチングガスの構成元素において質量基準で最も多く含まれる元素をいう。エッチングガスは、酸素、オゾン、アルゴン、フッ素、及び塩素からなる群より選ばれる一種類以上を含むガスが好ましく、酸素又はオゾンを含むガスがより好ましい。エッチングガス中の酸素、オゾン、アルゴン、フッ素、及び塩素の含有比率の合計は、１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましく、７０質量％以上がさらにより好ましく、８０質量％以上が特に好ましい。一方、エッチングガス中の酸素、オゾン、アルゴン、フッ素、及び塩素の含有比率の合計は、１００質量％以下が好ましい。エッチングガスは、酸素、オゾン、アルゴン、フッ素、又は塩素を主成分として含むガスが好ましい。エッチングガスにおける主成分とは、エッチングガスの構成成分において質量基準で最も多く含まれる成分をいう。エッチングガスは公知のものを用いても構わない。

　ドライエッチング温度は、１０℃以上が好ましく、２０℃以上がより好ましく、３０℃以上がさらに好ましく、４０℃以上が特に好ましい。一方、ドライエッチング温度は、２００℃以下が好ましく、１５０℃以下がより好ましく、１２０℃以下がさらに好ましい。さらに上記ドライエッチング温度は１００℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましく、６０℃以下がさらに好ましい。ドライエッチング時間は、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましく、６０秒以上がさらに好ましく、１８０秒以上がさらにより好ましく、３００秒以上が特に好ましい。一方、ドライエッチング時間は、６０分以下が好ましく、３０分以下がより好ましく、２０分以下がさらに好ましく、１０分以下が特に好ましい。

　（１３ｂ－１ａ）工程および（１３ｙｂ－１ａ）工程における光吸収層の膜厚方向のエッチングレートは、０．１０μｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、０．５０μｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、１．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらに好ましく、２．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらにより好ましく、３．０μｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。一方、膜厚方向のエッチングレートは、１０．０μｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、７．０μｍ／ｍｉｎ以下がより好ましく、５．０μｍ／ｍｉｎ以下がさらに好ましい。

　（１３ｂ－１ａ）工程および（１３ｙｂ－１ａ）工程における、光吸収層の面内方向に対する膜厚方向のエッチングレートの比は、３以上が好ましく、５以上がより好ましく、１０以上がさらに好ましく、２０以上がさらにより好ましく、３０以上が特に好ましい。一方、エッチングレートの比は、２００以下が好ましく、１００以下がより好ましく、５０以下がさらに好ましい。

　（１３ｙｂ－１ａ）工程における、第１粘着層の膜厚方向のエッチングレート及び第１粘着層の面内方向に対する膜厚方向のエッチングレートの比に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層の膜厚方向のエッチングレート及び光吸収層の面内方向に対する膜厚方向のエッチングレートの比に関する例示及び好ましい記載と同様である。

　（１３ｂ－１ｂ）工程及び（１３ｙｂ－１ｂ）工程においてウェットエッチングする方法としては、例えば、エッチング液を塗布する、エッチング液を霧状にして放射する、エッチング液中に浸漬する、又はエッチング液中に浸漬後に超音波を照射する方法が挙げられる。エッチング液はアルカリ溶液が好ましく、有機系アルカリ化合物の溶液又はアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。アルカリ溶液に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の現像液における例示及び好ましい記載と同様である。

　エッチング液は酸性溶液も好ましい。酸性溶液は酸性を示す化合物の水溶液が好ましい。酸性溶液としては、例えば、フッ化水素酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、亜リン酸、酢酸、又はシュウ酸が挙げられ、公知のものを用いても構わない。エッチング液は有機溶媒も好ましい。有機溶媒は上述した組成物における溶剤を用いても構わない。有機溶媒としては、例えば、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、又はγ－ブチロラクトンが挙げられ、公知のものを用いても構わない。エッチング液は有機溶媒と、光吸収層又は第１粘着層に対する貧溶媒とを含有する混合溶液を用いても構わない。ウェットエッチングする方法の条件に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の現像する方法の条件における例示及び好ましい記載と同様である。

　（１３ｂ－１ｂ）工程における光吸収層の膜厚方向のエッチングレートは、０．１０μｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、０．５０μｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、１．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらに好ましく、２．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらにより好ましく、３．０μｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。一方、膜厚方向のエッチングレートは、１０．０μｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、７．０μｍ／ｍｉｎ以下がより好ましく、５．０μｍ／ｍｉｎ以下がさらに好ましい。

　（１３ｙｂ－１ｂ）工程における光吸収層の膜厚方向のエッチングレートは、０．１０μｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、０．５０μｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、１．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらに好ましく、２．０μｍ／ｍｉｎ以上がさらにより好ましく、３．０μｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。一方、膜厚方向のエッチングレートは、１０．０μｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、７．０μｍ／ｍｉｎ以下がより好ましく、５．０μｍ／ｍｉｎ以下がさらに好ましい。

　（１３ｙｂ－１ｂ）工程における、第１粘着層の膜厚方向のエッチングレートに関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の光吸収層の膜厚方向のエッチングレートに関する例示及び好ましい記載と同様である。なお（１３ｂ－１ａ）工程、（１３ｙｂ－１ａ）、（１３ｂ－１ｂ）工程、及び（１３ｙｂ－１ｂ）は、物品をマスクとしてドライエッチング又はウェットエッチングするため、フォトレジストのパターンを形成しなくても構わない。またエッチングガス又はエッチング液による物品へのダメージ抑制の観点から、光吸収層又は第１粘着層に接するフォトレジストのパターンを形成しても構わない。フォトレジストのパターンを形成する場合、ドライエッチング後又はウェットエッチング後、フォトレジストのパターンを除去することが好ましい。フォトレジストのパターンを除去する方法としては、例えば、レジスト剥離液を用いる除去方法又はアッシングによる除去方法が挙げられる。

　光吸収層及び第１粘着層が、ポジ型感光性組成物、ネガ型感光性組成物、又は非感光性組成物からなる層であることに関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。また上記（ａ）～（ｃ）の条件及び上記（ａｙ）～（ｃｙ）の条件に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記（α）～（γ）の条件における例示及び好ましい記載と同様である。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３）工程において、光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっていることが好ましい。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接していることが好ましい。（１３）工程において上記の態様であるとは、（１３）工程の後の状態をいう。すなわち（１３）工程において、光吸収層をパターン加工することで、光吸収層が複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在するものとする。また（１３）工程において、光吸収層をパターン加工することで、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接するものとする。なお本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、（１３）工程においても、同様の態様で存在するものとする。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３）工程において、光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在していることが好ましい。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接していることが好ましい。（１３）工程において上記の態様であるとは、（１３）工程の後の状態をいう。すなわち（１３）工程において、光吸収層をパターン加工することで、光吸収層が複数の島状の光吸収層として存在するものとする。また（１３）工程において、光吸収層をパターン加工することで、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接するものとする。なお本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在しており、（１３）工程においても、同様の態様で存在するものとする。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３ｙ）工程において、光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっていることが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において、第１粘着層が、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の凸部の第１粘着層として存在していることが好ましい。また第１粘着層は、複数の凹部の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の凹部の第１粘着層として存在していることも好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の第１粘着層の少なくとも１つに接していることが好ましい。（１３ｙ）工程において上記の態様であるとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。すなわち（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工することで、第１粘着層が複数の凸部の第１粘着層として存在するものとする。また（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工することで、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の凸部の第１粘着層の少なくとも１つに接するものとする。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３ｙ）工程において、光吸収層が、第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在していることが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において、第１粘着層が、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接した状態で複数の島状の第１粘着層として存在していることが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の第１粘着層の少なくとも１つに接していることが好ましい。（１３ｙ）工程において上記の態様であるとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。すなわち（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工することで、第１粘着層が複数の島状の第１粘着層として存在するものとする。また（１３ｙ）工程において、光吸収層及び第１粘着層をパターン加工することで、複数の物品がそれぞれ独立して、複数の島状の第１粘着層の少なくとも１つに接するものとする。

　＜パターン加工する工程（光吸収層及び／又は第１粘着層の構成及び物性値）＞
　本発明の積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３）工程、（１３ｙ）工程、（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程において、光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積を（Ｓ_１ａ）とし、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積を（Ｓ_２ａ）とするとき、式（Ｓ－１）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｓ_１ａ）≧（Ｓ_２ａ）　（Ｓ－１）
（１３）工程において光吸収層が式（Ｓ－１）の関係を満たすとは、（１３）工程の後の状態をいう。（１３ｙ）工程において光吸収層が式（Ｓ－１）の関係を満たすとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程において光吸収層が式（Ｓ－１）の関係を満たすとは、（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程の後の状態をいう。上記式（Ｓ－１）の関係に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　（１３）工程、（１３ｙ）工程、（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程において、光吸収層又は第１粘着層が上記式（Ｓ－１）の関係を満たすことで、光吸収層と物品又は第１粘着層と物品とが接する面積を低減できる。そのため、光吸収層と物品又は第１粘着層と物品との過剰な接着力を抑制できると考えられる。その結果、物品を光吸収層又は第１粘着層から転写する際、少ないエネルギーで転写可能となるため物品表面の光吸収層又は第１粘着層の残存や、アブレーション時の光吸収層又は第１粘着層の飛散が抑えられ、デブリ抑制の効果が顕著になると推定される。さらに、少ないエネルギーで転写可能であるため転写時の物品の挙動が安定する上、照射エネルギーのバラツキの絶対値も小さくなり、優れた位置精度の効果が顕著になると推定される。

　本発明の積層体の製造方法は位置精度向上の観点から、（１３）工程、（１３ｙ）工程、（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程において、光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積を（Ｓ_１ａ）とし、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積を（Ｓ_２ａ）とするとき、式（Ｓ－２）の関係を満たすことも好ましい。
（Ｓ_１ａ）＜（Ｓ_２ａ）　（Ｓ－２）
　（１３）工程において光吸収層が式（Ｓ－２）の関係を満たすとは、（１３）工程の後の状態をいう。（１３ｙ）工程において光吸収層が式（Ｓ－２）の関係を満たすとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程において光吸収層が式（Ｓ－２）の関係を満たすとは、（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程の後の状態をいう。上記式（Ｓ－２）の関係に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　（１３）工程、（１３ｙ）工程、（１２）工程、（１２ｙ）工程、又は（１２ｚ）工程において、光吸収層又は第１粘着層が上記式（Ｓ－２）の関係を満たすことで、光吸収層と第１基板とが接する面積又は第１粘着層と光吸収層とが接する面積を低減できる。そのため、アブレーション時に光吸収層が第１基板から受ける反作用の力又は第１粘着層が光吸収層から受ける反作用の力を抑制できると考えられる。その結果、反作用の力によって光吸収層又は第１粘着層から物品に伝わる過剰なエネルギーを抑制でき、転写時の物品の挙動が安定することで優れた位置精度の効果が顕著になると推定される。

　本発明の第４の態様である積層体の製造方法は、（１３）工程において、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、（１３）工程において、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である。本発明の第３の態様である積層体の製造方法は、（１３）工程において、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、（１３）工程において、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃であることが好ましい。

　本発明の第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、（１２ｚ）工程において、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である。本発明の第７の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程において、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、（１２ｚ）工程において、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃であることが好ましい。

　本発明の第６の態様である積層体の製造方法は、（１３ｙ）工程において、第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、（１３ｙ）工程において、第１粘着層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である。本発明の第５の態様である積層体の製造方法は、（１３ｙ）工程において、第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、（１３ｙ）工程において、第１粘着層のガラス転移温度が－５０～１５０℃であることが好ましい。

　（１３）工程において押し込み弾性率及び／又ガラス転移温度が上記範囲であるとは、（１３）工程の後の状態をいう。（１３ｙ）工程において押し込み弾性率及び／又ガラス転移温度が上記範囲であるとは、（１３ｙ）工程の後の状態をいう。（１２ｚ）工程において押し込み弾性率及び／又ガラス転移温度が上記範囲であるとは、（１２ｚ）工程の後の状態をいう。光吸収層の５０℃における押し込み弾性率及び光吸収層のガラス転移温度に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。第１粘着層の５０℃における押し込み弾性率及び第１粘着層のガラス転移温度に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。その他の光吸収層の構成及び物性値に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。またその他の第１粘着層の構成及び物性値に関する例示及び好ましい記載も上記の通りである。

　＜第１基板；光吸収層及び／又は第１粘着層を架橋させる工程＞
　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３）工程の前又は（１３）工程の後、さらに、（１４）光吸収層のパターンを架橋させる工程（以下、（１４）工程という）、を有することが好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１２ｚ）工程の後、さらに、（１４）光吸収層のパターンを架橋させる工程（以下、（１４）工程という）、を有することが好ましい。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１４）工程が、（１４ａ）光吸収層のパターンを加熱する工程（以下、（１４ａ）工程という）、又は、（１４ｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程（以下、（１４ｂ－１）工程という）、を有することが好ましい。

　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、（１２）工程の後かつ（１３）工程の前、さらに、（１４）工程を有することが好ましい。本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法は、（１３）工程の後かつ（２０）工程の前、又は、（１３）工程の後かつ（２１）工程の前、さらに、（１４）工程を有することも好ましい。また本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は、（１２ｚ）工程の後かつ（２０）工程の前、又は、（１２ｚ）工程の後かつ（２１）工程の前、さらに、（１４）工程を有することが好ましい。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は（１４）工程を有する場合、上記の発明の効果の観点から、（１３）工程において、上記（ａ）～（ｃ）の条件のいずれかを満たすことが好ましく、上記（ａ）の条件及び／又は（ｂ）の条件を満たすことがより好ましく、上記（ａ）の条件を満たすことがさらに好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３ｙ）工程の前又は（１３ｙ）工程の後、さらに、（１４ｙ）光吸収層のパターン及び／又は第１粘着層のパターンを架橋させる工程（以下、（１４ｙ）工程という）、を有することが好ましい。本発明の第６の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１４ｙ）工程が、（１４ｙａ）光吸収層のパターン及び／又は第１粘着層のパターンを加熱する工程（以下、（１４ｙａ）工程という）、又は、（１４ｙｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層及び第１粘着層に活性化学線を照射する工程（以下、（１４ｙｂ－１）工程という）、を有することが好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１２ｙ）工程の後かつ（１３ｙ）工程の前、さらに、（１４ｙ）工程を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（１３ｙ）工程の後かつ（２０）工程の前、又は、（１３ｙ）工程の後かつ（２１）工程の前、さらに、（１４ｙ）工程を有することも好ましい。

　本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は（１４ｙ）工程を有する場合、上記の発明の効果の観点から、（１３ｙ）工程において、上記（ａｙ）～（ｃｙ）の条件のいずれかを満たすことが好ましく、上記（ａｙ）の条件及び／又は（ｂｙ）の条件を満たすことがより好ましく、上記（ａｙ）の条件を満たすことがさらに好ましい。

　光吸収層及び／又は第１粘着層がネガ型感光性組成物からなる層である場合、活性化学線を照射することで光硬化が進行し、これらの層中の架橋度が向上する。また加熱することでラジカル、酸、又は塩基の発生より硬化が進行し、これらの層における架橋度が向上する。光吸収層及び／又は第１粘着層がポジ型感光性組成物からなる層である場合、活性化学線を照射することで感光剤の結合開裂、反応、又は構造変化が進行し、カルボキシ基やフェノール性水酸基等が増加する。その結果、これらの層中の極性が大きく変化することで層中の水素結合形成や分子間相互作用が増大する。また加熱することでラジカル、酸、又は塩基の発生により硬化が進行し、これらの層における架橋度が向上する。そのため、これらの層中において内部応力が発生し、光吸収層と物品又は第１粘着層と物品との過剰な接着力を抑制すると考えられる。その結果、物品を光吸収層又は第１粘着層から転写する際、少ないエネルギーで転写可能となるため物品表面の光吸収層又は第１粘着層の残存や、アブレーション時の光吸収層又は第１粘着層の飛散が抑えられ、デブリ抑制の効果が顕著になると推定される。さらに、少ないエネルギーで転写可能であるため転写時の物品の挙動が安定する上、照射エネルギーのバラツキの絶対値も小さくなり、優れた位置精度の効果が顕著になると推定される。

　（１４ａ）工程及び（１４ｙａ）工程において加熱する方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート、赤外線、フラッシュアニール装置、又はレーザーアニール装置などを用いて加熱する方法が挙げられる。

　加熱温度は、５０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましく、１００℃以上がさらに好ましく、１２０℃以上がさらにより好ましく、１５０℃以上が特に好ましい。一方、加熱温度は、５００℃以下が好ましく、４００℃以下がより好ましく、３００℃以下がさらに好ましいく、２５０℃以下がさらにより好ましく、２００℃以下が特に好ましい。加熱時間は、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましく、６０秒以上がさらに好ましく、１８０秒以上がさらにより好ましく、３００秒以上が特に好ましい。一方、加熱時間は、６０分以下が好ましく、３０分以下がより好ましく、２０分以下がさらに好ましく、１０分以下が特に好ましい。加熱する工程は、二段又はそれ以上の多段で加熱しても構わない。処理雰囲気は、空気、酸素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン又はキセノン雰囲気下；酸素を１～１００００質量ｐｐｍ（０．０００１～１質量％）含有するガス雰囲気下又は真空下が好ましい。

　（１４ｂ－１）工程及び（１４ｙｂ－１）工程において活性化学線を照射する方法としては、例えば、ステッパー、スキャナー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、又はパラレルライトマスクアライナー（ＰＬＡ）などの露光機を用いて露光する方法が挙げられる。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１３ａ）工程を有する場合、（１４ｂ－１）工程における活性化学線の波長が、（１３ａ）工程における活性化学線の波長とは異なる波長であることが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は同様の発明の効果の観点から、（１３ｙａ）工程を有する場合、（１４ｙｂ－１）工程における活性化学線の波長が、（１３ｙａ）工程における活性化学線の波長とは異なる波長であることが好ましい。本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１４ｂ－１）工程における活性化学線の波長が、（１２ｚ）工程における活性化学線の波長とは異なる波長であることが好ましい。上記の構成とすることで、（１３ａ）工程、（１３ｙａ）工程、又は（１２ｚ）工程における活性化学線では架橋しない光吸収層及び／又は第１粘着層を適用することができる。また（１４ｂ－１）工程又は（１４ｙｂ－１）工程における活性化学線で光吸収層及び／又は第１粘着層を選択的に架橋させられる観点から好適である。

　本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１４）工程が（１４ｂ－１）工程を有する場合、（１４ｂ－１）工程の後、さらに、（１４ｂ－２）光吸収層のパターンを加熱する工程（以下、（１４ｂ－２）工程という）を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法はレーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、（１４ｙ）工程が（１４ｙｂ－１）工程を有する場合、（１４ｙｂ－１）工程の後、さらに、（１４ｙｂ－２）光吸収層のパターンを加熱する工程（以下、（１４ｙｂ－２）工程という）を有することが好ましい。（１４ｂ－２）工程及び（１４ｙｂ－２）工程において加熱する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１４ａ）工程及び（１４ｙａ）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第２基板；積層体を準備する工程＞
　本発明の第３の態様、第５の態様、及び第７の態様である積層体の製造方法は、（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程（以下、（２０）工程という）、を有する。本発明の第４の態様、第６の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、さらに、（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程（以下、（２０）工程という）、を有することが好ましい。積層体ａ２に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの積層体を準備する工程は、積層体を製造して準備する工程であっても構わない。またこれらの積層体を準備する工程は、既に製造された積層体を準備する工程であっても構わない。

　＜第２基板；第２粘着層を成膜する工程＞
　本発明の第３の態様、第５の態様、及び第７の態様である積層体の製造方法は、（２１）第２基板に第２粘着層を成膜する工程、を有することが好ましい。本発明の第４の態様、第６の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、さらに、（２１）第２基板に第２粘着層を成膜する工程、を有することが好ましい。第２基板及び第２粘着層に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの工程において第２粘着層を成膜する方法としては、例えば、組成物を塗布する方法又は組成物からなるフィルムを配置する方法が挙げられる。これらの方法に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１１）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜第２基板；物品を転写する工程＞
　本発明の第３の態様及び第７の態様である積層体の製造方法は、（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２）工程という）、を有する。本発明の第４の態様及び第８の態様である積層体の製造方法は歩留まり向上及び信頼性向上の観点から、さらに、（２２）工程を有することが好ましい。本発明の第３の態様、第４の態様、第７の態様、及び第８の態様である積層体の製造方法は、（２２）工程において、第２粘着層に接する複数の物品を有することが好ましい。

　本発明の第５の態様である積層体の製造方法は、（２２ｙ）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を第１粘着層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２ｙ）工程という）、を有する。本発明の第６の態様である積層体の製造方法は、さらに、（２２ｙ）工程を有することが好ましい。本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法は、（２２）工程において、第２粘着層に接する複数の物品を有することが好ましい。

　物品に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。（２２）工程において複数の物品を有するとは、（２２）工程の後の状態をいう。（２２ｙ）工程において複数の物品を有するとは、（２２ｙ）工程の後の状態をいう。すなわち（２２）工程において、複数の物品を光吸収層から第２粘着層に転写するものとする。また（２２ｙ）工程において、複数の物品を第１粘着層から第２粘着層に転写するものとする。

　（２２）工程は歩留まり向上及び信頼性向上の観点から、第１基板に備えられた複数の物品を、光吸収層から第２粘着層に二回以上に分けて転写することが好ましく、二回以上に分けて逐次的に転写することがより好ましい。（２２ｙ）工程は歩留まり向上及び信頼性向上の観点から、第１基板に備えられた複数の物品を、第１粘着層から第２粘着層に二回以上に分けて転写することが好ましく、二回以上に分けて逐次的に転写することがより好ましい。複数の物品を逐次的に転写するとは、複数の物品を一つずつ連続して転写することをいう。

　（２２）工程及び（２２ｙ）工程において、物品と第２粘着層との間に設けられた間隙はデブリ抑制の観点から、１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましく、３０μｍ以上がさらに好ましく、５０μｍ以上が特に好ましい。一方、物品と第２粘着層との間に設けられた間隙はレーザー照射のエネルギー低減及び位置精度向上の観点から、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２００μｍ以下がさらに好ましく、１００μｍ以下が特に好ましい。

　（２２）工程及び（２２ｙ）工程は、フォトマスクを介して光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射することも好ましい。レーザー照射のエネルギー低減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、フォトマスクは透光部及び遮光部を含み、透光部の領域が第１基板の物品が備えられた領域以内であることが好ましく、物品が備えられた領域に対応することがより好ましい。また遮光部の領域が第１基板の物品が備えられていない領域以上であることが好ましく、物品が備えられていない領域に対応することがより好ましい。

　活性化学線はプロセスタイム削減、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、レーザーであることが好ましい。また活性化学線はプロセスタイム削減の観点から、インコヒーレント光であることも好ましい。レーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ_４レーザー、ファイバーレーザー、若しくは半導体レーザーなどの固体レーザー；炭酸レーザー、エキシマレーザー、若しくはアルゴンレーザーなどのガスレーザーが挙げられる。レーザーのビーム形状は限定されず、レーザーのスポットサイズも限定されない。レーザーのスポットサイズが物品よりも小さい場合、レーザーのスポットを走査させて物品全面に照射させても構わない。

　活性化学線の極大波長は、１８０ｎｍ以上が好ましく、２００ｎｍ以上がより好ましく、２４０ｎｍ以上がさらに好ましく、３００ｎｍ以上がさらにより好ましく、３４０ｎｍ以上が特に好ましい。一方、活性化学線の極大波長は、５５０ｎｍ以下が好ましく、４５０ｎｍ以下がより好ましく、４２０ｎｍ以下がさらに好ましく、４００ｎｍ以下が特に好ましい。活性化学線は、水銀灯のｊ線（波長３１３ｎｍ）、水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、水銀灯のｈ線（波長４０５ｎｍ）、水銀灯のｇ線（波長４３６ｎｍ）も好ましく、水銀灯のｉ線、ｈ線、及びｇ線の混合線がより好ましい。活性化学線がレーザーである場合、レーザーはＡｒＦレーザー（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（波長３５１ｎｍ）、又はＹＡＧレーザー（波長２６６ｎｍ、波長３５５ｎｍ、又は波長５３２ｎｍ）が特に好ましい。

　レーザーのエネルギー密度はプロセスタイム削減の観点から、１００ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ^２以上がさらに好ましい。一方、エネルギー密度は、歩留まり向上、信頼性向上、デブリ抑制、及び位置精度向上の観点から、３０００ｍＪ／ｃｍ^２以下が好ましく、２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下がさらに好ましい。

　＜素子基板；積層体を準備する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、さらに、（３０）素子基板及び第３粘着層をこの順に有する積層体ａ３を準備する工程（以下、（３０）工程という）、を有することが好ましい。積層体ａ３に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの積層体を準備する工程は、積層体を製造して準備する工程であっても構わない。またこれらの積層体を準備する工程は、既に製造された積層体を準備する工程であっても構わない。

　＜素子基板；第３粘着層を成膜する工程＞
　本発明の製造方法は、さらに、（３１）素子基板に第３粘着層を成膜する工程（以下、（３１）工程という）、を有することが好ましい。素子基板及び第３粘着層に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。これらの工程において第３粘着層を成膜する方法としては、例えば、組成物を塗布する方法又は組成物からなるフィルムを配置する方法が挙げられる。これらの方法に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１１）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　＜素子基板；第３粘着層に物品を転写する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、さらに、（３２）第２基板に備えられた物品と、素子基板に備えられた第３粘着層とを接触させて貼り合わせ、物品を第２粘着層から第３粘着層に転写する工程（以下、（３２）工程という）、を有することが好ましい。（３２）工程は物品と第３粘着層とを接触させて貼り合わせた状態で、加熱することがより好ましく、熱圧着することがさらに好ましい。本発明の積層体の製造方法は、（３２）工程において、第３粘着層に接する複数の物品を有することが好ましい。

　＜素子基板；素子基板に物品を転写する工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、さらに、（３２Ｊ）第２基板に備えられた物品と、素子基板及び／又は素子基板に備えられた配線とを接触させて貼り合わせ、物品を第２粘着層から素子基板に転写する工程（以下、（３２Ｊ）工程という）、を有することが好ましい。なお本発明の積層体の製造方法は（３２Ｊ）工程を有する場合、上記の（３０）工程及び（３１）工程を有しないことが好ましい。（３２Ｊ）工程は物品と素子基板及び／又は素子基板に備えられた配線とを接触させて貼り合わせた状態で、加熱することがより好ましく、熱圧着することがさらに好ましい。

　本発明の積層体の製造方法は、さらに、（３１Ｊ）素子基板及び／又は素子基板に備えられた配線をプラズマ処理する工程（以下、（３１Ｊ）工程という）を有することが好ましい。本発明の積層体の製造方法は上記の（３１Ｊ）工程の後、上記の（３２Ｊ）工程を有することが好ましい。本発明の積層体の製造方法は、（３２Ｊ）工程において、素子基板及び／又は素子基板に備えられた配線に接する複数の物品を有することが好ましい。物品に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。（３２）工程において複数の物品を有するとは、（３２）工程の後の状態をいう。（３２Ｊ）工程において複数の物品を有するとは、（３２Ｊ）工程の後の状態をいう。すなわち（３２）工程において、複数の物品を第２粘着層から第３粘着層に転写するものとする。また（３２Ｊ）工程において、複数の物品を第２粘着層から素子基板に転写するものとする。これらの工程において加熱する工程及び熱圧着する工程に関する例示及び好ましい記載は、それぞれ上記の（１２）工程における例示及び好ましい記載と同様である。

　本発明の積層体の製造方法は、上記の（３２）工程にて又は上記の（３２）の後、物品が具備する電極端子と素子基板が具備する配線とを、はんだ接合又は異方性導電フィルムによる接合で電気的接続することが好ましい。本発明の積層体の製造方法は、上記の（３２Ｊ）工程にて又は上記の（３２Ｊ）の後、物品が具備する電極端子と素子基板が具備する配線とを、はんだ接合、異方性導電フィルムによる接合、又は直接接合で電気的接続することが好ましい。

　本発明の積層体の製造方法は、電子部品、電子装置、移動体、建造物、又は窓の製造に用いられることが好ましい。電子部品としては、例えば、半導体装置、アンテナ、表示装置、光デバイス、プリント配線基板、半導体パッケージ、半導体装置を含む能動部品、又は受動部品が挙げられる。電子部品、半導体装置、アンテナ、表示装置、光デバイス、プリント配線基板、半導体パッケージ、半導体装置を含む能動部品、及び受動部品に関する例示及び好ましい記載は上記の通りである。

　＜マイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスの模式的断面図＞
　本発明の第３の態様及び第４の態様である積層体の製造方法を用いた半導体チップであるＬＥＤを有するマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスを例に、図１に模式的断面図を示して説明する。図中（１）は（工程１）を表し、以下同じである。（工程１）まず第１基板（石英ガラス基板）１に、ポジ型感光性組成物からなる層である光吸収層２のプリベーク膜を成膜する。（工程２）次に、ドナー基板（サファイア基板）３に載置された、電極端子４ａを具備する窒化ガリウム半導体を有する半導体チップ（ＬＥＤ）４を準備し、光吸収層２と半導体チップ４とを貼り合わせる。（工程３）次いで、ドナー基板３側から半導体チップ４にのみレーザー５を照射し、半導体チップ４をドナー基板３から光吸収層２に転写する。（工程４）その後、ドナー基板３を半導体チップ４から剥離して除去する。（工程５）次に、半導体チップ４側から半導体チップ４をマスクとして光吸収層２に活性化学線６を照射し、アルカリ可溶性を有する露光後の光吸収層７と未露光の光吸収層８とを形成する。（工程６）次いで、アルカリ現像液で現像して露光後の光吸収層７を除去して光吸収層２のパターンを得た後、未露光の光吸収層８を加熱して架橋させ、架橋後の光吸収層９を形成する。（工程７）次に、第２基板（無アルカリガラス基板）１０に第２粘着層１１を成膜する。その後、半導体チップ４と第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、第１基板１側から半導体チップ４にレーザー５を照射する。この際、レーザー５を二回以上に分けて照射し、半導体チップ４を第１基板１から第２粘着層１１に逐次的に転写する。（工程８）レーザー転写におけるデブリを抑制しつつ、複数の半導体チップ４を第２粘着層１１の所望の位置に優れた位置精度で転写する。第１基板１にはレーザー照射後の光吸収層１２が形成されるか、あるいはレーザー照射時のアブレーションにより、レーザー照射後の光吸収層１２が残存しない。その後、支持基板などに半導体チップ４を配置し、金属配線や層間絶縁層などを形成するＣｈｉｐ－ｆｉｒｓｔ（ＲＤＬ－ｌａｓｔ）の公知の製造プロセスにより、マイクロＬＥＤディスプレイを得る。

　工程１～工程８の製造プロセスが本発明の第３の態様である積層体の製造方法に相当する。また工程１～工程５の製造プロセス又は工程１～工程６の製造プロセスが本発明の第４の態様である積層体の製造方法に相当する。なお工程５又は工程６で得られる積層体が本発明の第１の態様である積層体に相当する。

　また本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法を用いた半導体チップであるＬＥＤを有するマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスを例に、図２に模式的断面図を示して説明する。（工程１）まず第１基板（石英ガラス基板）１に、ポジ型感光性組成物からなる層である光吸収層２のプリベーク膜を成膜し、さらにポジ型感光性組成物からなる層である第１粘着層２ａのプリベーク膜を成膜する。（工程２）次に、ドナー基板（サファイア基板）３に載置された、電極端子４ａを具備する窒化ガリウム半導体を有する半導体チップ（ＬＥＤ）４を準備し、第１粘着層２ａと半導体チップ４とを貼り合わせる。（工程３）次いで、ドナー基板３側から半導体チップ４にのみレーザー５を照射し、半導体チップ４をドナー基板３から第１粘着層２ａに転写する。（工程４）その後、ドナー基板３を半導体チップ４から剥離して除去する。（工程５）次に、半導体チップ４側から半導体チップ４をマスクとして光吸収層２及び第１粘着層２ａに活性化学線６を照射し、アルカリ可溶性を有する露光後の光吸収層及び第１粘着層７ａと、未露光の光吸収層８及び未露光の第１粘着層８ａとを形成する。（工程６）次いで、アルカリ現像液で現像して露光後の光吸収層及び第１粘着層７ａを除去して光吸収層２のパターン及び第１粘着層２ａのパターンを得た後、未露光の光吸収層８及び未露光の第１粘着層８ａを加熱して架橋させ、架橋後の光吸収層９及び架橋後の第１粘着層９ａを形成する。（工程７）次に、第２基板（無アルカリガラス基板）１０に第２粘着層１１を成膜する。その後、半導体チップ４と第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、第１基板１側から半導体チップ４にレーザー５を照射する。この際、レーザー５を二回以上に分けて照射し、半導体チップ４を第１基板１から第２粘着層１１に逐次的に転写する。（工程８）レーザー転写におけるデブリを抑制しつつ、複数の半導体チップ４を第２粘着層１１の所望の位置に優れた位置精度で転写する。第１基板１にはレーザー照射後の光吸収層及び第１粘着層１２ａが形成されるか、あるいはレーザー照射時のアブレーションにより、レーザー照射後の光吸収層及び第１粘着層１２ａが残存しない。その後、支持基板などに半導体チップ４を配置し、金属配線や層間絶縁層などを形成するＣｈｉｐ－ｆｉｒｓｔ（ＲＤＬ－ｌａｓｔ）の公知の製造プロセスにより、マイクロＬＥＤディスプレイを得る。

　工程１～工程８の製造プロセスが本発明の第５の態様である積層体の製造方法に相当する。また工程１～工程５の製造プロセス又は工程１～工程６の製造プロセスが本発明の第６の態様である積層体の製造方法に相当する。なお工程５又は工程６で得られる積層体が本発明の第２の態様である積層体に相当する。

　本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法を用いた半導体チップであるＬＥＤを有するマイクロＬＥＤディスプレイの製造プロセスを例に、図３に模式的断面図を示して説明する。（工程１）まず第１基板（石英ガラス基板）１に、ポジ型感光性組成物からなる層である光吸収層２のプリベーク膜を成膜する。（工程２）次に、ドナー基板（サファイア基板）３に載置された、電極端子４ａを具備する窒化ガリウム半導体を有する半導体チップ（ＬＥＤ）４を準備し、光吸収層２と半導体チップ４とを貼り合わせる。（工程３）次いで、ドナー基板３側から半導体チップ４にレーザー５を照射し、かつ半導体チップ４をマスクとして光吸収層２にレーザー５を照射する。レーザー５が照射された半導体チップ４をドナー基板３から光吸収層２に転写するとともに、レーザー５が照射された箇所の光吸収層２を除去して未露光の光吸収層８を形成する。すなわち本工程において、半導体チップ４を光吸収層２に転写するとともに、光吸収層２のパターンを得る。（工程４）その後、ドナー基板３を半導体チップ４から剥離して除去する。（工程５）次いで、未露光の光吸収層８を加熱して架橋させ、架橋後の光吸収層９を形成する。（工程６）次に、第２基板（無アルカリガラス基板）１０に第２粘着層１１を成膜する。その後、半導体チップ４と第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、第１基板１側から半導体チップ４にレーザー５を照射する。この際、レーザー５を二回以上に分けて照射し、半導体チップ４を第１基板１から第２粘着層１１に逐次的に転写する。（工程７）レーザー転写におけるデブリを抑制しつつ、複数の半導体チップ４を第２粘着層１１の所望の位置に優れた位置精度で転写する。第１基板１にはレーザー照射後の光吸収層１２が形成されるか、あるいはレーザー照射時のアブレーションにより、レーザー照射後の光吸収層１２が残存しない。その後、支持基板などに半導体チップ４を配置し、金属配線や層間絶縁層などを形成するＣｈｉｐ－ｆｉｒｓｔ（ＲＤＬ－ｌａｓｔ）の公知の製造プロセスにより、マイクロＬＥＤディスプレイを得る。

　工程１～工程７の製造プロセスが本発明の第７の態様である積層体の製造方法に相当する。また工程１～工程４の製造プロセス又は工程１～工程５の製造プロセスが本発明の第８の態様である積層体の製造方法に相当する。なお工程４又は工程５で得られる積層体が本発明の第１の態様である積層体に相当する。

　以下に実施例、参考例、及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの範囲に限定されない。なお以下の説明又は表で用いた化合物のうち略語を使用しているものについて、略語に対応する名称を、まとめて表１－２に示す。略語の化合物であるＡＤＭＳ１、ＡＤＭＳ２、及びＯＡＤＡに対応する構造を以下に示す。

　＜各樹脂の合成例＞
　（Ａ）バインダー樹脂として、合成例１～１９で得られた各樹脂の組成を、まとめて表１－３～表１－５に示す。各樹脂は公知の文献に記載の方法に基づき、適宜モノマーとなる単量体化合物や共重合比率を変更して、公知の方法により合成した。モノマーの共重合比率は、表１－３～表１－５の通りである。

　合成例３において、樹脂中のアミド酸構造単位に対してエステル化剤であるＤＦＡを反応させており、メチル基を有するアミド酸エステル構造単位に構造変換させた。
合成例１０において、樹脂中のＭＡＡに由来するカルボキシ基に対してエポキシ基を有するＧＭＡを反応させており、ＧＭＡのエポキシ基を全て開環付加させた。
合成例１６及び１７において、樹脂中のＨＥＡに由来するヒドロキシ基に対してイソシアネート基を有するＭＯＩを反応させており、ＭＯＩのイソシアネート基を全て付加させた。

　なお合成例８及び１０で得られたフェノール基含有アクリル樹脂（ＰＡＣ－１）及び（ＰＡＣ－３）は、上記の特定構造の（Ｄａ）紫外線吸収剤に相当する。すなわちフェノール基含有アクリル樹脂（ＰＡＣ－１）及び（ＰＡＣ－３）は、（Ｄａ）紫外線吸収剤及び（Ａ）バインダー樹脂の両方に該当する。同様に、光吸収層中のフェノール基含有アクリル樹脂（ＰＡＣ－１）及び（ＰＡＣ－３）は、上記の特定構造の（ＸＤａ）紫外線吸収剤に相当するとともに、（ＸＤａ）紫外線吸収剤及び（ＸＡ）バインダー樹脂の両方に該当する。

　各合成例で得られた樹脂、並びに、各実施例、参考例、及び比較例で使用した樹脂について、各樹脂が有する構造単位と構造を、まとめて表２－１に示す。

　＜各顔料分散液の調製例＞
　顔料分散液として、調製例Ｄｓｐ－１～Ｄｓｐ－２で得られた各分散液の組成を、まとめて表２－２に示す。調製例Ｄｓｐ－１～Ｄｓｐ－２は、各顔料分散液を下記の方法により調製した。また各実施例、参考例、及び比較例で使用した（Ｄ）着色剤及び（Ｅ）分散剤の一覧と説明を、まとめて表２－２に示す。なお（Ａ．Ｒ．５２－Ｂ．Ｂ．７）は、Ａ．Ｒ．５２／Ｂ．Ｂ．７＝１／１（ｍｏｌ比）で混合して攪拌し、析出した塩をろ過して水で３回洗浄した後、乾燥させて得た染料である。

　調製例Ｄｓｐ－１～Ｄｓｐ－２　顔料分散液（Ｄｓｐ－１）～（Ｄｓｐ－３）の調製
　国際公開第２０２２／１９６２６１号の段落［０１３８］～段落［０１４０］、調製例１に記載されている方法に基づき、表２－２に記載の着色剤と、分散剤としてブロック共重合体アクリル樹脂系分散剤であるＤ．ＢＹＫ－２１１１６を用い、顔料の平均一次粒子径が表２－２に記載の値となるように循環方式で湿式メディア分散処理を行った。その後、０．８０μｍφのフィルターで濾過を行い、固形分濃度１５質量％、着色剤／分散剤＝１００／３５（質量比）の顔料分散液（Ｄｓｐ－１）～（Ｄｓｐ－２）を得た。得られた顔料分散液中の顔料の平均一次粒子径を表２－２に示す。また硬化膜中の顔料の平均一次粒子径、顔料分散液中の顔料の結晶子サイズ、及び硬化膜中の顔料の結晶子サイズも表２－２に示す。

　＜各実施例、参考例、及び比較例における評価方法＞
　各実施例、参考例、及び比較例における評価方法を以下に示す。なおテンパックスガラス基板（ＡＧＣテクノグラス社製）及び後述するＬＥＤ基板は前処理をせずに使用した。石英ガラス基板（コーニング社製）及び無アルカリガラス基板（イーグルＸＧ；コーニング社製）はホットプレート（ＨＰ－１ＳＡ；アズワン社製）を用いて、１３０℃で２分間加熱して脱水ベーク処理をして使用した。

　（１）樹脂の重量平均分子量
　上記のポリイミド（ＰＩ－１）～（ＰＩ－２）、ポリイミド前駆体（ＰＩＰ－１）～（ＰＩＰ－２）、及びポリベンゾオキサゾール前駆体（ＰＢＰ－１）は、各樹脂の０．１０質量％のＮ－メチル－２－ピロリドン溶液を調製した。ＧＰＣ分析装置（Ｗａｔｅｒｓ　２６９０；Ｗａｔｅｒｓ社製）を用い、流動層として塩化リチウムとリン酸とをそれぞれ０．０５０ｍｏｌ／Ｌで溶解したＮ－メチル－２－ピロリドンを用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量を測定して求めた。その他の樹脂は、ＧＰＣ分析装置（ＨＬＣ－８２２０；東ソー社製）を用い、流動層としてテトラヒドロフラン又はＮ－メチル－２－ピロリドンを用いて、「ＪＩＳ　Ｋ７２５２－３（２００８）」に基づき、常温付近での方法によりポリスチレン換算の重量平均分子量を測定して求めた。

　（２）樹脂のイミド閉環率及びベンゾオキサゾール閉環率
　上記の各樹脂を、濃度３５質量％になるようにＧＢＬに溶解させて樹脂溶液を調製した。各樹脂溶液をシリコンウェハにスピンコーター（１Ｈ－ＤＸ；ミカサ社製）を用いて塗布した後、１２０℃で１８０秒間ベークし、膜厚４．０～５．０μｍの樹脂膜を作製した。作製した樹脂膜付きシリコンウェハを二分割し、一方をクリーンオーブン（ＣＬＨ－２１ＣＤ－Ｓ；光洋サーモシステム社製）を用いて、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、１４０℃で３０分間加熱した後、さらに昇温して３２０℃で６０分間加熱し、イミド環を完全に閉環させた（加熱後の樹脂膜）。もう一方は加熱処理はせずにそのまま用いた（加熱前の樹脂膜）。赤外分光光度計（ＦＴ－７２０；堀場製作所社製）を用いて、加熱前後の樹脂膜の透過赤外吸収スペクトルを測定した。ポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピーク（１７８０ｃｍ^－１付近、１３７７ｃｍ^－１付近）の存在を確認の上、加熱前の１３７７ｃｍ^－１付近のピーク強度（Ｘ）、加熱後の１３７７ｃｍ^－１付近のピーク強度（Ｙ）をそれぞれ求めた。下記式より加熱前の樹脂膜におけるイミド閉環率を算出した。
イミド閉環率［％］＝（Ｘ／Ｙ）×１００。

　上記と同様の方法で膜厚４．０～５．０μｍの樹脂膜を作製した。作製した樹脂膜付きシリコンウェハを二分割し、一方をブザーホットプレート（ＨＰＤ－３０００ＢＺＮ；アズワン社製）を用いて３２０℃で３０分間加熱し、ベンゾオキサゾール環を完全に閉環させた（加熱後の樹脂膜）。もう一方は加熱処理はせずにそのまま用いた（加熱前の樹脂膜）。
赤外分光光度計（ＦＴ－７２０；堀場製作所社製）を用いて、加熱前後の樹脂膜の透過赤外吸収スペクトルを測定した。ポリベンゾオキサゾールに起因するベンゾオキサゾール構造の吸収ピーク（１５７０ｃｍ^－１付近のＣ＝Ｃ（Ｃ＝Ｎ）伸縮振動に起因するピーク）の存在を確認の上、加熱前の１５７０ｃｍ^－１付近のピーク強度（Ｐ）、加熱後の１５７０ｃｍ^－１付近のピーク強度（Ｑ）をそれぞれ求めた。下記式より加熱前の樹脂膜におけるベンゾオキサゾール閉環率を算出した。
ベンゾオキサゾール閉環率［％］＝（Ｐ／Ｑ）×１００。

　（３）光吸収層の吸光度
　下記、実施例１記載の方法で、テンパックスガラス基板（ＡＧＣテクノグラス社製）に組成物のプリベーク膜を作製した。紫外可視分光光度計（Ｕ－２９１０；日立製作所社製）を用いて波長２００～８００ｎｍにおけるプリベーク膜の吸光度を測定した。また光干渉式膜厚測定装置（ラムダエース　ＶＭ－１０３０；大日本スクリーン製造社製）を用いてプリベーク膜の膜厚を測定した。また後述する通り、光干渉式膜厚測定装置では膜厚が測定できない場合、表面粗さ・輪郭形状測定機（ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄ；東京精密社製）を用いてプリベーク膜の膜厚を測定した。光吸収層の厚さ１．０μｍ当たりの吸光度を下記式より算出した。
厚さ１．０μｍ当たりの吸光度＝吸光度×（１／光吸収層の膜厚）。

　（４）バインダー樹脂、紫外線吸収剤、及び着色剤の吸光度
　任意のバインダー樹脂と、任意の紫外線吸収剤及び任意の着色剤のいずれか、及び任意の溶剤を含む組成物ａを、組成物ａの全固形分に占める紫外線吸収剤又は着色剤の含有比率が１５質量％となるように調製する。また上記のバインダー樹脂及び上記の溶剤を含み、かつ紫外線吸収剤及び着色剤を含まない組成物ｂを調製する。下記、実施例１記載の方法で、テンパックスガラス基板（ＡＧＣテクノグラス社製）に、上記で調製した組成物ａのプリベーク膜と組成物ｂのプリベーク膜とをそれぞれ作製した。紫外可視分光光度計（Ｕ－２９１０；日立製作所社製）を用いて波長２００～８００ｎｍにおけるそれぞれのプリベーク膜の吸光度を測定した。また光干渉式膜厚測定装置（ラムダエース　ＶＭ－１０３０；大日本スクリーン製造社製）を用いてそれぞれのプリベーク膜の膜厚を測定した。また後述する通り、光干渉式膜厚測定装置では膜厚が測定できない場合、表面粗さ・輪郭形状測定機（ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄ；東京精密社製）を用いてそれぞれのプリベーク膜の膜厚を測定した。それぞれのプリベーク膜の厚さ１．０μｍ当たりの吸光度を下記式より算出した。算出した組成物ｂのプリベーク膜の吸光度をバインダー樹脂の吸光度とした。また算出した組成物ａのプリベーク膜と吸光度と組成物ｂのプリベーク膜の吸光度との差を、紫外線吸収剤の吸光度又は着色剤の吸光度とした。
厚さ１．０μｍ当たりの吸光度＝吸光度×（１／光吸収層の膜厚）。

　（５）面積比（（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ））及びパターン断面形状
　下記、実施例１記載の方法で、石英ガラス基板に光吸収層のプリベーク膜を作製した後、積層体０Ａから半導体チップを転写し、露光及び現像によって光吸収層をパターン加工した膜を作製した。なお上記においてプリベーク膜を作製した後、後述する表３－１～表３－８に記載の通り、実施例によっては露光及び現像の代わりにエッチングによって、光吸収層をパターン加工した膜を作製した。また光吸収層をパターン加工した膜を作製した後、後述する表３－１～表３－８に記載の通り、後述する（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理後の膜を作製した。その後、半導体チップを光吸収層から剥離して除去した。電界放出型走査電子顕微鏡（Ｓ－４８００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて、作製した光吸収層のパターンを観察し、光吸収層の第１基板側である第１ａ面の面積（Ｓ_１ａ）と、光吸収層の第１ａ面と対向する第２ａ面の面積（Ｓ_２ａ）とを測定した。また作製した光吸収層のパターンの断面を観察し、断面のテーパー角を測定した。

　（６）特定処理前後の押し込み弾性率及び押し込み弾性率比
　下記、実施例１記載の方法で、無アルカリガラス基板（イーグルＸＧ；コーニング社製）に組成物のプリベーク膜を作製した後、積層体０Ａからの半導体チップの転写はせず、露光及び現像によって光吸収層をパターン加工した膜を作製した。露光時にフォトマスクを介して露光をするなど、プリベーク膜の一部を遮光して露光をすることで、押し込み弾性率を測定可能な領域を有するパターン加工した膜（処理前サンプルａ）を作製した。なお上記においてプリベーク膜を作製した後、後述する表３－１～表３－８に記載の通り、実施例によっては露光及び現像の代わりにエッチングによって、押し込み弾性率を測定可能な領域を有する光吸収層をパターン加工した膜を作製した。下記、実施例１記載の方法で同様に光吸収層をパターン加工した膜を作製し、後述する（ｘ１）の処理後の膜（処理後サンプルｂ）を作製した。なお上記において処理前サンプルａを作製した後、後述する表３－１～表３－８に記載の通り、後述する（ｘ１）の処理の代わりに後述する（ｘ２）及び（ｘ３）のいずれかの処理後の膜（処理後サンプルｂ）を作製した。

　押し込み弾性率はナノインデンター（Ｔｒｉｂｏｉｎｄｅｎｔｅｒ　ＴＩ９５０；Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製）を用いて測定した。上記で作製した処理前サンプルａと処理後サンプルｂとを幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍにカットし、接着剤（アロンアルファ　速効多用途；東亞合成社製）を用いてサンプル固定台に固定した。次いで、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子（三角錐ダイヤモンド圧子）を用いて、光吸収層の表面から第１基板側に押し込んだ後で除荷をする押し込み負荷／除荷試験により、以下の条件で押し込み弾性率を測定した。押し込み弾性率の指標として、得られた荷重－押し込み深さ線図より、光吸収層の表面から深さ２０～４０ｎｍでの値の平均値を算出した。
＜＜押し込み弾性率測定条件＞＞
測定環境：５０℃±２℃、大気圧、空気雰囲気
測定周波数：１００Ｈｚ
測定方法：連続剛性測定法。

　（７）特定処理前後のガラス転移温度及びガラス転移温度差
　下記、実施例１記載の方法で、上記の押し込み弾性率の測定サンプルと同様に、ガラス転移温度を測定可能な領域を有する光吸収層のパターン加工した膜（処理前サンプルｃ）を作製した。なお上記においてプリベーク膜を作製した後、後述する表３－１～表３－８に記載の通り、実施例によっては露光及び現像の代わりにエッチングによって、ガラス転移温度を測定可能な領域を有する光吸収層をパターン加工した膜を作製した。下記、実施例１記載の方法で同様に光吸収層をパターン加工した膜を作製し、後述する（ｘ１）の処理後の膜（処理後サンプルｄ）を作製した。なお上記において処理前サンプルｃを作製した後、後述する表３－１～表３－８に記載の通り、後述する（ｘ１）の処理の代わりに後述する（ｘ２）及び（ｘ３）のいずれかの処理後の膜（処理後サンプルｄ）を作製した。

　ガラス転移温度は示差走査熱量計（ＤＳＣ－５０；島津製作所社製）を用いて測定した。上記で作製した処理前サンプルｃと処理後サンプルｄとを削り取り、下記（７－１）～（７－４）の順で温度条件を変化させ、示差走査熱量測定曲線を作成した。得られた示差走査熱量測定曲線における低温側のベースラインを高温側に延長した直線と、ガラス転移の階段状変化部分の曲線の勾配が最大になる点における接線との交点の温度を、ガラス転移温度として測定した。
＜＜ガラス転移温度測定条件＞＞
測定環境：窒素雰囲気
測定条件：
（７－１）昇温速度１０℃／ｍｉｎで２５℃から３００℃まで昇温
（７－２）３００℃から２５℃まで冷却
（７－３）昇温速度１０℃／ｍｉｎで２５℃から５００℃まで昇温
（７－４）５００℃から２５℃まで冷却。

　（８）転写時のエネルギー密度
　下記、実施例１記載の方法で、レーザー転写により半導体チップを、第１基板に備えられた光吸収層から第２基板に備えられた第２光吸収層に転写した。ここで、半導体チップに照射するレーザーのエネルギー密度を任意に変えてレーザー転写を実施し、各エネルギー密度において半導体チップを３個ずつ転写させた。転写後の積層体２における半導体チップを観察し、反転や横転をせずに転写された半導体チップの個数を求めた。転写時のエネルギー密度の指標として、反転や横転をせずに転写された半導体チップの個数が３個となるエネルギー密度の最小値を求めた。下記のように判定し、エネルギー密度が６００ｍＪ／ｃｍ^２以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋、及びＣを合格とした。
Ａ＋：エネルギー密度が１５０ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ａ：エネルギー密度が１５０ｍＪ／ｃｍ^２超過、２００ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ｂ＋：エネルギー密度が２００ｍＪ／ｃｍ^２超過、３００ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ｂ：エネルギー密度が３００ｍＪ／ｃｍ^２超過、４００ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ｃ＋：エネルギー密度が４００ｍＪ／ｃｍ^２超過、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ｃ：エネルギー密度が５００ｍＪ／ｃｍ^２超過、６００ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ｄ：エネルギー密度が６００ｍＪ／ｃｍ^２超過、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下
Ｅ：エネルギー密度が１０００ｍＪ／ｃｍ^２超過。

　（９）転写時のデブリ
　下記、実施例１記載の方法で、レーザー転写により半導体チップを、第１基板に備えられた光吸収層から第２基板に備えられた第２光吸収層に転写した。ＦＰＤ／ＬＳＩ検査顕微鏡（ＯＰＴＩＰＨＯＴ－３００；ニコン社製）を用いて、転写後の積層体２における半導体チップを観察した。なお観察領域の中心に半導体チップを配置し、観察領域に占める半導体チップの面積が１／４となる倍率に調整して観察した。転写時のデブリの指標として、残渣の有無を観察して残渣の存在面積を算出した。下記のように判定し、残渣の存在面積が２０％以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋、及びＣを合格とした。
Ａ＋：残渣無し
Ａ：残渣の存在面積が３％以下
Ｂ＋：残渣の存在面積が３％超過、６％以下
Ｂ：残渣の存在面積が６％超過、１０％以下
Ｃ＋：残渣の存在面積が１０％超過、１５％以下
Ｃ：残渣の存在面積が１５％超過、２０％以下
Ｄ：残渣の存在面積が２０％超過、５０％以下
Ｅ：残渣の存在面積が５０％超過、１００％以下。

　（１０）位置精度
　下記、実施例１記載の方法で、レーザー転写により半導体チップを、第１基板に備えられた光吸収層から第２基板に備えられた第２光吸収層に転写した。レーザー光源と同軸に設置されたＣＣＤカメラを用いて、転写前の積層体１Ｘにおける半導体チップの画像と、転写後の積層体２における半導体チップの画像とを撮影した。それぞれの画像における半導体チップの中心座標の差から、転写前後における半導体チップの中心の位置ズレ量を測定した。位置精度の指標として、得られた位置ズレ量の平均値を算出した。下記のように判定し、位置ズレ量が０μｍ以上、４．０μｍ未満となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋、及びＣを合格とした。
Ａ＋：位置ズレ量が０μｍ以上、１．０μｍ未満
Ａ：位置ズレ量が１．０μｍ以上、２．０μｍ未満
Ｂ＋：位置ズレ量が２．０μｍ以上、２．５μｍ未満
Ｂ：位置ズレ量が２．５μｍ以上、３．０μｍ未満
Ｃ＋：位置ズレ量が３．０μｍ以上、３．５μｍ未満
Ｃ：位置ズレ量が３．５μｍ以上、４．０μｍ未満
Ｄ：位置ズレ量が４．０μｍ以上、５．０μｍ未満
Ｅ：位置ズレ量が５．０μｍ以上。

　＜各実施例、参考例、及び比較例で使用した化合物＞
　各実施例、参考例、及び比較例で使用した化合物の構造を以下に示す。

　＜感光性組成物の調製＞
　表３－１～表３－８に記載の組成にて、組成物１～組成物３６を調製した。表３－１～表３－８において括弧内の数値は各成分の固形分の質量部を示す。組成物が顔料を含有する場合、まず顔料分散液を含まない調合液を調製した後、顔料分散液と調合液とを混合して組成物を調製した。溶剤として、ＰＧＭＥ／ＥＬ／ＧＢＬ＝４０／３０／３０（質量比）を用いて、組成物の固形分濃度が３０質量％となるように調製した。得られた組成物の溶液は、０．４５μｍφのフィルターで濾過して使用した。なお組成物７～組成物９、組成物３５、及び組成物３６は、溶剤としてＣＨＮを用いて、同様の方法で調製した。

　＜実施例１＞
　＜＜積層体０Ａの準備＞＞
　積層体０Ａとして４インチ径のＬＥＤ基板（アライメントマーク付き）を準備し、ダイサーで幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍにカットした。ＬＥＤ基板に載置されているＬＥＤは以下の通りである。半導体チップのサイズ、電極端子のサイズ、及び隣接する半導体チップ間の距離は電界放出型走査電子顕微鏡（Ｓ－４８００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。
ドナー基板：４インチ径のサファイア基板（厚さ０．８０ｍｍ）
半導体チップの種類：窒化ガリウム半導体
半導体チップのサイズ：幅２０．２μｍ×長さ３０．３μｍ×高さ９．４μｍ（電極端子含む高さ）
電極端子の数：１つの面に２つの電極端子（フリップチップ型の構造）
電極端子のサイズ：１７．５μｍ×１１．０μｍ×３．４μｍ
電極端子の種類：Ａｕ電極
隣接する半導体チップ間の距離：幅方向に１０．０μｍ、長さ方向に１０．０μｍ。

　＜＜積層体ａ１ｘの準備＞＞
　厚さ０．７０ｍｍの４インチ径の石英ガラス基板（コーニング社製；厚さ０．７０ｍｍでの波長３５５ｎｍにおける透過率が９７．７％；第１基板）に組成物１を、スピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートを用いて１２０℃で１２０秒間プリベークすることで光吸収層である膜厚約２．０μｍのプリベーク膜を作製し、積層体ａ１ｘを準備した。光吸収層の膜厚は光干渉式膜厚測定装置（ラムダエース　ＶＭ－１０３０；大日本スクリーン製造社製）を用いて、屈折率＝１．５４３に設定して測定した。なお測定値の正確性を高めるため、設定する屈折率は光吸収層が含有する樹脂の種類によって適切な値を選択する。また光吸収層が着色剤を含有する場合など、上記の光干渉式膜厚測定装置では膜厚が測定できない場合、光吸収層の膜厚は表面粗さ・輪郭形状測定機（ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄ；東京精密社製）を用いて、測定倍率を１００００倍、測定長さを１．０ｍｍ、測定速度を０．３０ｍｍ／ｓの条件で測定した。

　＜＜積層体１Ｘの準備＞＞
　上記の積層体ａ１ｘを、光吸収層が表面に出るようにフリップチップボンダー（ＦＣ－３０００ＷＳ；東レエンジニアリング社製）のステージに設置した。次いで、上記の積層体０Ａを、半導体チップに備えられた２つの電極端子を有する面が積層体ａ１ｘの光吸収層に接するように貼り合わせ、光吸収層と半導体チップとを貼り合わせたまま５０℃、０．５０ＭＰａの条件で１２０秒間熱圧着させた。その後、レーザー照射装置（東レエンジニアリング社製）を用いて半導体チップのドナー基板側から半導体チップに波長３５５ｎｍ、エネルギー密度６００ｍＪ／ｃｍ^２のレーザーを照射し、半導体チップをドナー基板から光吸収層に転写した。全ての半導体チップにレーザーを照射して転写後、ドナー基板を分離した。なおフォトマスクを介して半導体チップのドナー基板側から半導体チップにレーザーを照射することで、半導体チップにのみレーザーを照射した。

　その後、両面アライメント片面露光装置（マスクアライナー　ＰＥＭ－６Ｍ；ユニオン光学社製）を用いて、光吸収層の半導体チップ側から半導体チップをマスクとして、超高圧水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、及びｇ線（波長４３６ｎｍ）で露光した。露光後、フォトリソ用小型現像装置（ＡＤ－１２００；滝沢産業社製）を用いて、２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で現像し、水で３０秒間リンスして現像後膜を作製した。現像時間は６０秒、９０秒、又は１２０秒とした。なお２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液では現像後にパターン加工できなかった場合は、上記の方法と同様に露光した膜を作製し、露光後にシクロペンタノンで現像し、水で３０秒間リンスして現像後膜を作製した。同様に、現像時間は６０秒、９０秒、又は１２０秒とした。以上の方法で光吸収層をパターン加工し、積層体１Ｘを準備した。

　＜＜積層体ａ２の準備＞＞
　ポリジメチルシリコーン（ポリジメチルシロキサン；以下、「ＰＤＭＳ」）をトルエンで希釈し、ＰＤＭＳ／トルエン＝１／３（質量比）となるように希釈液を調製した。次いで、厚み０．５ｍｍの４インチ径の無アルカリガラス基板（イーグルＸＧ；コーニング社製；アライメントマーク付き；第２基板）に上記の希釈液を、スピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートを用いて１２０℃で１８０秒間プリベークすることで第２粘着層である膜厚約５．０μｍのプリベーク膜を作製し、積層体ａ２を準備した。第２粘着層の膜厚は光干渉式膜厚測定装置（ラムダエース　ＶＭ－１０３０；大日本スクリーン製造社製）を用いて、屈折率＝１．５４３に設定して測定した。

　＜＜積層体２の準備＞＞
　レーザー光源、積層体１Ｘ、及び積層体２をこの順に配置した。この際、積層体１Ｘに備えられた半導体チップの電極端子を有しない面と、積層体２に備えられた第２粘着層の面とを対向させ、半導体チップと第２粘着層との間に５０μｍの間隙を設けて保持した。なおレーザーのスポットサイズは幅３０μｍ×長さ４０μｍである。レーザーのスポットの中央に１つの半導体チップの中央が配置されるようにレーザー光源と積層体１Ｘの位置とを調整し、レーザーを照射する半導体チップと隣接する半導体チップにはレーザーが照射されないようにした。位置調整後、半導体チップの光吸収層側から半導体チップに波長３５５ｎｍのレーザーを照射し、半導体チップを光吸収層から第２光吸収層に転写した。全ての半導体チップにレーザーを照射して転写することで積層体２を準備した。

　なお積層体１Ｘにおいて、核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、ガスクロマトグラフィー質量分析、液体クロマトグラフィー質量分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法でパターン加工された光吸収層を分析し、光吸収層中に含まれる樹脂の構造単位と光吸収層中に含まれる化合物の構造を分析した。組成物１からなる光吸収層は以下の樹脂及び化合物を含有しており、組成物１が含む樹脂に由来する構造を有する樹脂と、組成物１が含む化合物に由来する構造を有する化合物とを含有する。
（ＸＡ１ｘ）樹脂：フェノール性水酸基を有し、かつ構造単位中にイミド構造及びシリコーン構造を有する樹脂
（ＸＤａ）紫外線吸収剤：フェノール性水酸基、トリアジン構造、及び３つのベンゼン構造を有する化合物。

　＜＜マイクロＬＥＤディスプレイの作製＞＞
　上記の積層体ａ１ｘの準備に記載の方法で、第１基板である石英ガラス基板に組成物１からなる光吸収層を作製した。次いで、上記の積層体０Ａの準備及び積層体１Ｘの準備に記載の方法で、光吸収層に半導体チップであるＬＥＤを転写し、かつ光吸収層をパターン加工した。次に、上記の積層体ａ２の準備に記載の方法で、第２基板である無アルカリガラス基板にＰＤＭＳを含む第２粘着層を作製した。その後、上記の積層体２の準備に記載の方法で、第２粘着層に半導体チップであるＬＥＤを転写した。また別の支持基板として無アルカリガラス基板を準備し、当該支持基板にポリイミドを含む第３粘着層（仮固定層）を作製し、第３粘着層に半導体チップであるＬＥＤを転写した。なおＬＥＤの厚みは２．０μｍ、一辺の長さが１０μｍ、もう一辺の長さが２０μｍであった。

　次に、当該支持基板及びＬＥＤにポリシロキサン及びシリカ粒子を含むポジ型感光性組成物を、スピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートを用いて１２０℃で１２０秒間プリベークしてプリベーク膜を作製した。次いで、プリベーク膜を所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスし、ＬＥＤとその周囲を露出させる複数の開口部を有するマトリックス状パターンを形成した。開口部の形状は長方形であり、一辺の長さが１５μｍ、もう一辺の長さが２５μｍであった。マトリックス状パターンにおける、一辺の長さが１５μｍの開口部と開口部との間のパターン寸法は５．０μｍ、もう一辺の長さが２５μｍの開口部と開口部との間のパターン寸法も５．０μｍであった。その後、加熱し熱硬化させることで、膜厚約４．０μｍの隔壁層を形成した。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。

　次に、当該支持基板及びＬＥＤにポリシロキサンを含むポジ型感光性組成物を、スピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートを用いて１２０℃で１２０秒間プリベークしてプリベーク膜を作製した。次いで、プリベーク膜を所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスし、ＬＥＤ上まで厚さ方向に貫通する複数の開口パターンを形成した。開口パターンの形状は円形であり、最小パターンにおける底部の直径は２．０μｍであった。その後、加熱し熱硬化させることで、膜厚約４．０μｍの平坦化層を形成した。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。

　次に、平坦化層及び隔壁層にチタンのバリアメタルをスパッタにより成膜し、さらにバリアメタルに銅のシード層をスパッタにより成膜した。次いで、フォトレジスト層を成膜し、めっき法により、ＬＥＤと電気的に接続される銅の金属配線を平坦化層の開口パターン部と平坦化層の一部の表面に形成した。その後、金属配線を形成しない箇所におけるフォトレジスト層、シード層、及びバリアメタルを除去した。平坦化層の一部の表面に形成した金属配線の厚みは５．０μｍであった。

　次に、平坦化層及び隔壁層に、ポリイミド及びポリベンゾオキサゾール前駆体を含むポジ型感光性組成物を、スピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートを用いて１２０℃で１２０秒間プリベークしてプリベーク膜を作製した。次いで、プリベーク膜を所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させることで、膜厚約１０μｍの層間絶縁層を形成した。熱硬化条件は、酸素濃度１００質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、１１０℃で３０分間加熱処理した後、さらに２３０℃で６０分間加熱処理を行った。次いで、層間絶縁層にチタンのバリアメタルをスパッタにより成膜し、さらにバリアメタルに銅のシード層をスパッタにより成膜した。次いで、フォトレジスト層を成膜し、めっき法により、ＬＥＤと電気的に接続される銅の金属配線を層間絶縁層の開口パターン部と層間絶縁層の一部の表面に形成した。その後、金属配線を形成しない箇所におけるフォトレジスト層、シード層、及びバリアメタルを除去した。層間絶縁層の一部の表面に形成した金属配線の厚みは５．０μｍであった。その後、上記の層間絶縁層の形成と金属配線の形成とを２回繰り返し行い、層間絶縁層を三層形成した。三層の層間絶縁層の膜厚の合計は３０μｍであった。

　次に、層間絶縁層の開口パターン部の金属配線にバリアメタルをスパッタにより成膜し、はんだバンプを形成した。その後、２６０℃で１分加熱してはんだをリフローさせ、はんだバンプを介して、駆動素子であるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板に電気的に接続させた。次いで、当該支持基板を剥離し、対向基板を接着層などで貼り合わせることにより、複数の半導体チップであるＬＥＤを具備するマイクロＬＥＤディスプレイを作製した。

　＜＜発光輝度の評価＞＞
　上記の方法で作製したマイクロＬＥＤディスプレイを発光させ、外部量子効率測定装置（浜松ホトニクス社製；Ｃ９９２０）を用いて、発光輝度の指標として光取り出し効率を測定した。光取り出し効率は実施例１記載のマイクロＬＥＤディスプレイの光取り出し効率を１．００として、その値に対する相対値を算出した。下記のように判定し、光取り出し効率の相対値が１．００となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋及びＣを合格とした。
Ａ＋：光取り出し効率の相対値が１．３０以上
Ａ：光取り出し効率の相対値が１．２０以上、かつ１．３０未満
Ｂ＋：光取り出し効率の相対値が１．１０以上、かつ１．２０未満
Ｂ：光取り出し効率の相対値が１．００以上、かつ１．１０未満
Ｃ＋：光取り出し効率の相対値が０．９５以上、かつ１．００未満
Ｃ：光取り出し効率の相対値が０．９０以上、かつ０．９５未満
Ｄ：光取り出し効率の相対値が０．７０以上、かつ０．９０未満
Ｅ：光取り出し効率の相対値が０．７０未満。

　＜実施例２～実施例４８、実施例５２～実施例５７、及び比較例１～比較例３＞
　表３－１～表３－８に示す各組成物を用いて、実施例１と同様の操作及び評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表３－１～表３－８に示す。また各実施例において、ポジ型の感光性を有する組成物を用いた場合、現像時間は６０秒、９０秒、又は１２０秒とした。これらの結果より、最適現像時間（６０秒、９０秒、又は１２０秒）とその現像時間における最適露光量を決定した。最適露光量で露光後、最適現像時間で現像した後のパターンを２００℃で６０分間熱硬化させた。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。一方、ネガ型の感光性を有する組成物を用いた場合、フォトマスクは透光部と遮光部が反転したフォトマスクを用い、現像時間は測定したＢＰの１．３倍とした。最適露光量で露光後、現像した後のパターンを２２０℃で６０分間熱硬化させた。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２２０℃まで昇温し、２２０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。なお実施例１～４８は、光吸収層が複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ複数の半導体チップがそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している。

　表３－６に記載の通り、実施例６及び実施例４４～実施例４６は光吸収層の厚さを変えて各種特性を評価した。実施例４７は上記の積層体０Ａの準備に記載の方法において、半導体チップのサイズを幅１０．１μｍ×長さ１５．２μｍ×高さ４．７μｍ（電極端子含む高さ）、電極端子のサイズを８．８μｍ×５．５μｍ×１．７μｍに変更し、光吸収層の面積比（（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ））を変えて各種特性を評価した。また実施例４８は上記の積層体０Ａの準備に記載の方法において、半導体チップのサイズを幅７．５μｍ×長さ１１．３μｍ×高さ３．５μｍ（電極端子含む高さ）、電極端子のサイズを６．６μｍ×４．１μｍ×２．５μｍに変更し、光吸収層の面積比（（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ））を変えて各種特性を評価した。

　実施例５２～実施例５７は、上記の積層体１Ｘの準備に記載の方法において、露光条件及び／又は現像条件を変えることで、パターン加工に対応する箇所が０．２０μｍ残存するように光吸収層を加工した。なお実施例５２～実施例５７は、光吸収層が複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、さらに複数の半導体チップがそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している。すなわち凹部の光吸収層の厚さが０．２０μｍである。表３－７に記載の通り、実施例５２～実施例５５は光吸収層の厚さを変えて各種特性を評価した。実施例５６は上記の積層体０Ａの準備に記載の方法において、半導体チップのサイズを幅１０．１μｍ×長さ１５．２μｍ×高さ４．７μｍ（電極端子含む高さ）、電極端子のサイズを８．８μｍ×５．５μｍ×１．７μｍに変更し、光吸収層の面積比（（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ））を変えて各種特性を評価した。また実施例５７は上記の積層体０Ａの準備に記載の方法において、半導体チップのサイズを幅７．５μｍ×長さ１１．３μｍ×高さ３．５μｍ（電極端子含む高さ）、電極端子のサイズを６．６μｍ×４．１μｍ×２．５μｍに変更し、光吸収層の面積比（（Ｓ_２ａ）／（Ｓ_１ａ））を変えて各種特性を評価した。

　表３－１～表３－８に記載の通り、（１３）工程又は（１３ｙ）工程として露光及び現像、あるいはドライエッチングをすることで、光吸収層及び／又は第１粘着層をパターン加工した。また表３－１～表３－８に記載の通り、（１４）工程又は（１４ｙ）工程として、下記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理をした。なお実施例４１～実施例４３が、本発明の第５の態様及び第６の態様である積層体の製造方法に相当する。
（ｘ１）光吸収層を１５０℃で３０分間加熱する
（ｘ２）光吸収層に、超高圧水銀灯のｊ線（波長３１３ｎｍ）を３００ｍＪ／ｃｍ^２照射する
（ｘ３）光吸収層に、超高圧水銀灯のｊ線（波長３１３ｎｍ）を３００ｍＪ／ｃｍ^２照射した後、光吸収層を１００℃で３０分間加熱する。

　＜実施例４９＞
　上記の実施例１記載の方法のうち積層体ａ１ｘの準備に記載の方法において、組成物５を用いて石英ガラス基板に光吸収層のプリベーク膜を作製し、積層体ａ１ｘを準備した。さらに上記の積層体１Ｘの準備に記載の方法において、半導体チップのドナー基板側から半導体チップにレーザーを照射する条件を波長３５５ｎｍ、エネルギー密度１２００ｍＪ／ｃｍ^２に変更した。またフォトマスクを用いずに半導体チップのドナー基板側から半導体チップにレーザーを照射することで、半導体チップと光吸収層の両方にレーザーを照射した。このような方法により、半導体チップをドナー基板から光吸収層に転写するとともに、レーザーが照射された箇所の光吸収層を除去し、光吸収層を複数の島状の光吸収層にパターン加工した。なおその後の露光及び現像は実施せず、ホットプレートを用いて光吸収層を１５０℃で３０分間加熱して架橋させて積層体１Ｘを準備した。これらの方法以外は実施例１と同様の操作及び評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表３－６に示す。なお実施例４９は、光吸収層が複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ複数の半導体チップがそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している。

　＜実施例５０～実施例５１＞
　表３－６に示す各組成物を用いて、実施例４９と同様の操作及び評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表３－６に示す。なお表３－６に記載の通り、（１４）工程として、上記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理をした。なお実施例４９～実施例５１が、本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法に相当する。なお実施例５０～実施例５１は、光吸収層が複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ複数の半導体チップがそれぞれ独立して、複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している。

　＜実施例５８＞
　上記の実施例４９と同様の方法で、上記の積層体１Ｘの準備に記載の方法において、半導体チップのドナー基板側から半導体チップにレーザーを照射する条件を変えることで、半導体チップをドナー基板から光吸収層に転写するとともに、レーザーが照射された箇所の光吸収層の一部を除去した。このような方法で、対応する箇所が０．２０μｍ残存するように光吸収層を複数の凸部の光吸収層と、複数の凹部の光吸収層とに加工した。これらの方法以外は実施例４９と同様の操作及び評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表３－７に示す。なお実施例５８は、光吸収層が複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、さらに複数の半導体チップがそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している。すなわち凹部の光吸収層の厚さが０．２０μｍである。

　＜実施例５９～実施例６０＞
　表３－７に示す各組成物を用いて、実施例５８と同様の操作及び評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表３－７に示す。なお表３－７に記載の通り、（１４）工程として、上記（ｘ１）、（ｘ２）、及び（ｘ３）のいずれかの処理をした。なお実施例５８～実施例６０が、本発明の第７の態様及び第８の態様である積層体の製造方法に相当する。なお実施例５９～実施例６０は、光吸収層が複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ複数の凸部の光吸収層の厚さより、凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、さらに複数の半導体チップがそれぞれ独立して、複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している。すなわち凹部の光吸収層の厚さが０．２０μｍである。

　上記の各実施例、参考例、及び比較例において、ドライエッチングはハイスループットアッシング・エッチング装置（ＭＡＳ－８２２０ＡＴ；キヤノン社製）を用いて、以下の条件で処理した。エッチング時間はエッチングレートから算出した、光吸収層及び／又は第１粘着層をパターン加工可能なエッチング時間とした。
＜＜ドライエッチング条件＞＞
エッチングガス：ＣＦ_４／Ｏ_２＝２５／７５（体積比）
ＲＦ電力：３００Ｗ
エッチング温度：５０℃
処理圧力：２０Ｐａ
ガス流量：５０ｓｃｃｍ。

　比較例１～比較例３は光吸収層をパターン加工していないため、各種特性が劣っている。さらに比較例２及び比較例３は、光吸収層の押し込み弾性率及び光吸収層のガラス転移温度が本願発明の発明特定事項を満たさない。そのため、比較例２及び比較例３は各種特性がさらに劣っている。

１　第１基板（石英ガラス基板）
２　光吸収層
２ａ　第１粘着層
３　ドナー基板（サファイア基板）
４　半導体チップ（ＬＥＤ）
４ａ　電極端子
５　レーザー
６　活性化学線
７　露光後の光吸収層
７ａ　露光後の光吸収層及び第１粘着層
８　未露光の光吸収層
８ａ　未露光の第１粘着層
９　架橋後の光吸収層
９ａ　架橋後の第１粘着層
１０　第２基板（無アルカリガラス基板）
１１　第２粘着層
１２　レーザー照射後の光吸収層
１２ａ　レーザー照射後の光吸収層及び第１粘着層

Claims

　（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、
　（１２）光吸収層に物品を仮固定する工程（以下、（１２）工程という）、
　（１３）光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３）工程という）、
　（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程、及び
　（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、
　該（１２）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１３）工程において、該光吸収層に凹部を形成する、積層体の製造方法。
　前記（１３）工程において、前記光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、前記（１３）工程において、前記光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、請求項１に記載の積層体の製造方法。
　さらに、（０１）ドナー基板に物品を形成する工程を有し、
　前記（１２）工程が、（１２ａ）ドナー基板に備えられた物品と、第１基板に備えられた光吸収層とを接触させた状態で、物品のドナー基板側から物品に活性化学線を照射し、物品をドナー基板から光吸収層に転写する工程（以下、（１２ａ）工程という）を有し、
　該（１２ａ）工程において、該物品をマスクとして該光吸収層に活性化学線が照射されており、活性化学線の照射された該光吸収層の少なくとも一部が除去されている、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
　前記（１３）工程において、前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ該複数の凸部の光吸収層の厚さより、該凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、
　さらに前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
　前記（１３）工程において、前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
　前記（１３）工程において、下記（ａ）～（ｃ）の条件のいずれかを満たす、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
（ａ）光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ａ）フォトリソグラフィーにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ａ）工程という）を有する
（ｂ）光吸収層が、ポジ型感光性組成物又はネガ型感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程（以下、（１３ｂ）工程という）を有する
（ｃ）光吸収層が非感光性組成物からなる層であって、かつ（１３）工程が、（１３ｂ）エッチングにより光吸収層をパターン加工する工程を有し、さらに、光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である
　前記（１３）工程において前記（ａ）の条件を満たし、
　前記（１３ａ）工程が、（１３ａ－１）光吸収層の物品側から、物品をマスクとして光吸収層に活性化学線を照射する工程、及び、（１３ａ－２）現像液を用いて現像し、光吸収層をパターン加工する工程、を有する、請求項６に記載の積層体の製造方法。
　前記（１３）工程において前記（ｃ）の条件を満たし、
　前記（１３ｂ）工程が、（１３ｂ－１ａ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてドライエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、又は、（１３ｂ－１ｂ）光吸収層の物品側から、物品をマスクとしてウェットエッチングして光吸収層をパターン加工する工程、を有する、請求項６に記載の積層体の製造方法。
　前記（１３）工程の前又は前記（１３）工程の後、さらに、（１４）光吸収層のパターンを架橋させる工程（以下、（１４）工程という）を有し、
　該（１４）工程が、（１４ａ）光吸収層のパターンを加熱して架橋させる工程、又は、（１４ｂ－１）光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射する工程、を有する、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
　（１０）第１基板及び光吸収層をこの順に有する積層体ａ１ｘを準備する工程、
　（１２ｚ）光吸収層に物品を仮固定するとともに光吸収層をアブレーション加工する工程（以下、（１２ｚ）工程という）、
　（２０）第２基板及び第２粘着層をこの順に有する積層体ａ２を準備する工程、及び
　（２２）第１基板に備えられた物品と、第２基板に備えられた第２粘着層との間に間隙を設けた状態で、光吸収層の第１基板側から光吸収層に活性化学線を照射し、物品を光吸収層から第２粘着層に転写する工程（以下、（２２）工程という）、を有する積層体の製造方法であって、
　該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該（１２ｚ）工程において、該光吸収層に凹部を形成する、積層体の製造方法。
　第１基板、光吸収層、及び物品をこの順に有する積層体であって、
　該光吸収層に接する複数の物品を有し、かつ該光吸収層が凹部を有し、
　該光吸収層の５０℃における押し込み弾性率が１．０×１０^３～２．０×１０^９Ｐａである、及び／又は、該光吸収層のガラス転移温度が－５０～１５０℃である、積層体。
　前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の凸部の光吸収層及び凹部の光吸収層として存在しており、かつ該複数の凸部の光吸収層の厚さより、該凹部の光吸収層の厚さが小さくなっており、
　さらに前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の凸部の光吸収層の少なくとも１つに接している、請求項１１に記載の積層体。
　前記光吸収層が、前記第１基板に接した状態で複数の島状の光吸収層として存在しており、かつ前記複数の物品がそれぞれ独立して、該複数の島状の光吸収層の少なくとも１つに接している、請求項１１に記載の積層体。
　前記光吸収層の厚さが５．０μｍ未満である、請求項１２又は１３に記載の積層体。
　前記光吸収層がポジ型感光性組成物からなる層である、請求項１２又は１３に記載の積層体。
　前記光吸収層の前記第１基板側である第１ａ面の面積を（Ｓ_１ａ）とし、該光吸収層の該第１ａ面と対向する第２ａ面の面積を（Ｓ_２ａ）とするとき、式（Ｓ－１）の関係を満たす、請求項１３に記載の積層体。
（Ｓ_１ａ）≧（Ｓ_２ａ）　（Ｓ－１）
　前記第１ａ面の面積（Ｓ_１ａ）と前記第２ａ面の面積（Ｓ_２ａ）との比を（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）とするとき、（Ｓ_１ａ）／（Ｓ_２ａ）が１．１０以上、３．００以下である、請求項１６に記載の積層体。
　前記光吸収層の波長１８０～５５０ｎｍにおける厚さ１．０μｍ当たりの吸光度の最大値が０．３～１０．０である、請求項１２又は１３に記載の積層体。
　前記光吸収層が（ＸＤａ）紫外線吸収剤を含有し、
　該（ＸＤａ）紫外線吸収剤が、樹脂の構造単位中にトリアジン構造及び／又はベンゾトリアゾール構造を有する樹脂を含む、請求項１２又は１３に記載の積層体。
　前記光吸収層が、下記（α）～（γ）の条件のいずれかを満たす、請求項１２又は１３に記載の積層体。
（α）光吸収層がポジ型感光性組成物から形成した層であって、かつ該ポジ型感光性組成物が下記（１）、（３）、及び（４）の条件のうち少なくとも１つを満たす
（β）光吸収層がネガ型感光性組成物から形成した層であって、かつ該ネガ型感光性組成物が下記（２）～（４）の条件のうち少なくとも１つを満たす
（γ）光吸収層が非感光性組成物から形成した層であって、かつ該非感光性組成物が下記（５）の条件及び／又は下記（６）の条件を満たす
（１）（Ｃ１）ナフトキノンジアジド化合物及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（２）（Ｃ２）光重合開始剤及び（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有する
（３）（Ｃ３）光酸発生剤及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（４）（Ｃ４）光塩基発生剤及び（Ｆ）架橋剤を含有する
（５）（Ｆ）架橋剤を含有する
（６）（Ｂ）ラジカル重合性化合物を含有する