WO2025142136A1 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

小型化及び薄層化が可能で、且つ、耐湿性の向上が可能な、積層セラミックコンデンサを提供する。本発明の積層セラミックコンデンサ１は、積層方向に相対する２つの主面と、積層方向に交差する縦方向に相対する２つの端面と、積層方向及び縦方向に交差する横方向に相対する２つの側面とを有する積層体２と、積層体２の端面に配置された外部電極３と、を備え、積層体２は、内層部１１と、内層部１１を積層方向に挟み込むように配置された外層部１２と、を備え、内層部１１は、内部電極１５と、内部誘電体層１４と、を備え、外層部１２及び内部誘電体層１４は、主成分としてのチタン酸バリウムと、副成分としてのＳｉと、を含み、内部電極１５と端面ないし側面との間のギャップ領域Ｄにおける内部誘電体層のＳｉの歪度は、外層部１２のＳｉの歪度よりも大きい。

Description

積層セラミックコンデンサ

　本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

　積層セラミックコンデンサは、一般的に内部電極と誘電体層とが交互に積層された内層部を有する。内層部における積層方向の両側には外層部が配置され、内層部における容量形成に寄与する有効層の、積層方向と直交する方向の外周部には、容量形成に寄与しないギャップ部が設けられている。これらの外層部やギャップ部は、耐湿性などの信頼性に寄与している。

　また、近年、積層セラミックコンデンサも小型化及び薄層化が求められている一方、大容量化も求められている。内層部は容量に寄与するために小型化には限界がある。なので、全体的に小型化及び薄層化を図るためには、外層部やギャップ部のさらなる薄層化が図られる。

　しかし、外層部やギャップ部が薄層化されると信頼性が低下する可能性がある。このため、外層部の外側をカバーするように絶縁層を配置している従来技術がある（特許文献１参照）。

特開２０２３－１１３９２３号公報

　しかし、上記従来技術のように、外層部の外側をカバーするように絶縁層を配置する場合、さらなる絶縁層配置工程が必要となり、また、絶縁層の分だけ積層体が厚くなる。

　本発明は、小型化及び薄層化が可能で、且つ、耐湿性の向上が可能な、積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために本発明は、積層方向に相対する２つの主面と、前記積層方向に交差する縦方向に相対する２つの端面と、前記積層方向及び前記縦方向に交差する横方向に相対する２つの側面とを有する積層体と、前記積層体の前記端面に配置された外部電極と、を備え、前記積層体は、内層部と、前記内層部を前記積層方向に挟み込むように配置された外層部と、を備え、前記内層部は、内部電極と、内部誘電体層と、を備え、前記外層部及び前記内部誘電体層は、主成分としてのチタン酸バリウムと、副成分としてのＳｉと、を含み、前記内部電極と前記端面ないし前記側面との間のギャップ領域における前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、前記外層部のＳｉの歪度よりも大きい、積層セラミックコンデンサを提供する。

　本発明によれば、小型化及び薄層化が可能で、且つ、耐湿性の向上が可能な、積層セラミックコンデンサを提供することができる。

積層セラミックコンデンサの概略斜視図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 ＷＤＸによるＳｉのマッピング画像の模式図で、（ａ）は外層部、（ｂ）はギャップ領域を示す。 歪度の求め方を示す式である。

　以下、本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。

（積層セラミックコンデンサ１）
　積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２と、積層体２の両端に設けられた一対の外部電極３とを備える。積層体２は、複数の内部誘電体層１４と複数の内部電極１５とが積層された内層部１１と、外層部１２とを含む。

　以下の説明において、積層セラミックコンデンサ１の向きを表わす用語として、内部誘電体層１４と内部電極１５とが積層されている方向を積層方向Ｔとする。積層方向Ｔと交差するとともに一対の外部電極３が配置されている方向を縦方向Ｌとする。縦方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも交差する方向を横方向Ｗとする。なお、実施形態においては、横方向Ｗは縦方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも直交している。

（積層体２）
　また、以下の説明において、図２に示す積層体２の６つの外周面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外周面を第１主面Ａ１と第２主面Ａ２とし、第１主面Ａ１と第２主面Ａ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて主面Ａとして説明する。

　積層体２の横方向Ｗに相対する一対の外周面を第１側面Ｂ１と第２側面Ｂ２とし、第１側面Ｂ１と第２側面Ｂ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて側面Ｂとして説明する。積層体２の縦方向Ｌに相対する一対の外周面を第１端面Ｃ１と第２端面Ｃ２とし、第１端面Ｃ１と第２端面Ｃ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて端面Ｃとして説明する。

　なお、第１主面Ａ１及び第２主面Ａ２の両主面Ａ、もしくは、一方の主面Ａは平坦であることが好ましい。平坦であると積層セラミックコンデンサ１をピックアップする際、ノズルから受ける応力を平らな主面Ａで分散させることができるため、実装時において積層セラミックコンデンサ１の強度を向上させることができる。ただし、これに限定されず、積層体２の第１主面Ａ１及び第２主面Ａ２の両主面Ａは粗されていてもよい。

　第１主面Ａ１、第２主面Ａ２、第１端面Ｃ１、第２端面Ｃ２、第１側面Ｂ１、第２側面Ｂ２のうち二面が交わる部分を稜線部、三面が交わる部分を角部と呼ぶ。稜線部及び角部にはＲが付けられていることが好ましく、Ｒが付いていることによってかけ割れを防止することができる。稜線部及び角部にＲがつけられている時、角部と稜線部とを除く面において主面が平坦であってもよい。

（内層部１１）
　内層部１１は、内部電極１５と、内部電極１５と交互に積層された内部誘電体層１４とを含む。

（内部電極１５）
　内部電極１５は、第１端面Ｃ１上に一端が露出された第１内部電極１５Ａと、第２端面Ｃ２上に一端が露出された第２内部電極１５Ｂと、を備える。第１内部電極１５Ａと第２内部電極１５Ｂとは、交互に積層されている。

　内部電極１５の厚みは、０．２５μｍ以上０．６μｍ以下が好ましい。また、内部電極１５の成分として、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ－Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができるが、これに限定されない。また、内部電極１５がＳｎを含むと、内部電極１５と内部誘電体層１４との界面への電界集中を緩和でき、高温負荷信頼性向上に繋がる。このとき、Ｓｎは、第１内部電極１５Ａ及び第２内部電極１５Ｂのいずれか片方の内部電極１５のみに含まれていても十分に効果を発揮することができる。

　第１内部電極１５Ａは、第２内部電極１５Ｂと対向している第１対向部１５Ａａと、第１対向部１５Ａａから第１端面Ｃ１上に引き出される第１引出部１５Ａｂとを有している。第２内部電極１５Ｂは、第１内部電極１５Ａと対向している第２対向部１５Ｂａと、第２対向部１５Ｂａから第２端面Ｃ２上に引き出される第２引出部１５Ｂｂとを有している。

　第１対向部１５Ａａと第２対向部１５Ｂａとは互いに対向し、第１対向部１５Ａａと第２対向部１５Ｂａとの間に容量が形成される。これにより、積層セラミックコンデンサ１にコンデンサの特性が発現する。

　なお、第１対向部１５Ａａと第２対向部１５Ｂａとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて対向部１５ａとして説明する。また、第１引出部１５Ａｂと第２引出部１５Ｂｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて引出部１５ｂとして説明する。

（内部誘電体層１４）
　内部誘電体層１４は、主成分としてのチタン酸バリウムと、副成分としてのＳｉとを含む。また、内部誘電体層１４の積層方向Ｔの厚みは、０．４５μｍ以下である。

（セラミックグレイン）
　積層セラミックコンデンサ１の内層部１１を構成する内部誘電体層１４はセラミックグレインを含む。内部誘電体層１４のセラミックグレイン径Ｄ５０は、０．１５μｍ以下であることが好ましい。これにより、内部誘電体層１４に含まれるセラミックグレインの個数を多くすることができるため、セラミックグレイン同士の界面が増え、高温信頼性が向上する。

　ここで、図３に示すように内層部１１における、内部電極１５と側面Ｂとの間の領域を側面ギャップ領域Ｄ１とする。また、図２に示すように、第１内部電極１５Ａと第２端面Ｃ２との間の領域、及び、第２内部電極１５Ｂと第１端面Ｃ１との間の領域、すなわち、内層部１１における積層方向Ｔに引出部１５ｂが存在する領域を引出領域Ｄ２とする。なお、側面ギャップ領域Ｄ１と引出領域Ｄ２とを合わせてギャップ領域Ｄという。

（Ｓｉ含有量）
　本実施形態において、側面ギャップ領域Ｄ１内、且つ、積層方向Ｔの中央付近に位置している内部誘電体層１４のＳｉの含有量は、０．２ａｔ％（アトミックパーセント）以上５．０ａｔ％以下であることが好ましい。

　側面ギャップ領域Ｄ１における誘電体セラミック中のＳｉの含有率が０．２ａｔ％より少ない場合、焼結が進みにくい。しかし、本願においては、側面ギャップ領域Ｄ１における誘電体セラミック中のＳｉの含有率が、０．２ａｔ％以上であるので、内部誘電体層１４の焼結性を高めることができる。これによって、特に外部電極３により覆われていない第１側面Ｂ１及び第２側面Ｂ２から水分が侵入して内部電極１５に到達する可能性を低下させることができるため、耐湿性が向上する。

　また、側面ギャップ領域Ｄ１における誘電体セラミック中のＳｉの含有率が５．０ａｔ％より多い場合、誘電率低下に伴う静電容量低下が顕著となるので好ましくない。しかし、本願においては、側面ギャップ領域Ｄ１における誘電体セラミック中のＳｉの含有率が５．０ａｔ％以下であるので、誘電率低下による静電容量低下の問題が生じにくい。

　なお、実施形態においては、側面ギャップ領域Ｄ１において積層方向Ｔの中央付近に位置している内部誘電体層１４のＳｉの含有量は、０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下としたが、これに限定されず、少なくとも側面ギャップ領域Ｄ１において積層方向Ｔの中央付近に位置している内部誘電体層１４のＳｉの含有量は、０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下であれば、外部電極３により覆われていない第１側面Ｂ１及び第２側面Ｂ２から水分が侵入して内部電極１５に到達する可能性を低下させることができる。

　Ｓｉの含有量は、下記のように測定することができる。例えば側面ギャップ領域Ｄ１の場合、図３で示す縦方向Ｌの中央付近の断面において、積層方向Ｔの約１／２の位置での、内部電極１５の端部から横方向Ｗの外側（側面Ｂ側）に向かって５μｍの位置におけるφ１μｍの領域をＰとする。この領域Ｐ内においてＷＤＸ（波長分散型蛍光Ｘ線分析装置）によって検出されたＸ線強度スペクトルからＳｉの含有量を算出する。

　図４は、ＷＤＸによるＳｉのマッピング画像の模式図で、図４（ａ）は外層部１２、図４（ｂ）は側面ギャップ領域Ｄ１を示す。実施形態では外層部１２のＳｉの含有量が側面ギャップ領域Ｄ１のＳｉの含有量より少ない。

（外層部１２）
　積層体２は、内層部１１と、内層部１１を積層方向Ｔに挟み込むように配置された２つの外層部１２を有している。２つの外層部１２のうち第１主面Ａ１側の外層部１２を第１外層部１２ａ、第２主面Ａ２側の外層部１２を第２外層部１２ｂとする。第１外層部１２ａ、第２外層部１２ｂとは、それぞれ絶縁性の材料によって形成される。

　実施形態において外層部１２は、主成分としてのチタン酸バリウムと、副成分としてのＳｉ及びＭｎを含む。

（歪度）
　実施形態において、外層部１２及び側面ギャップ領域Ｄ１内の内部誘電体層１４に含まれるＳｉの歪度は、０以上０．５以下であることが好ましい。これによって、高温信頼性に悪影響を与えることなく、耐湿性を向上させることができる。外層部１２、第１側面Ｂ１及び第２側面Ｂ２からの水分が侵入して内部電極１５に到達する可能性を低下させることができるため、耐湿性が向上する。

（歪度の定義）
　なお、Ｓｉの歪度は、下記の方法によって算出した。まず、積層セラミックコンデンサ１を図３に示す位置まで断面研磨し、ＷＤＸで各マスでのＳｉの検出強度を測定した。より具体的には、観察視野５μｍ角を、３８×３８マスに分割したときの、それぞれのマスでのＸ線強度スペクトルからＳｉの含有量を測定した。その後、Ｓｉの歪度を算出するために、図４で示す計算式を用いた。また、図４で示す計算式は、自動計算させることも可能である。図４で示す計算式は、分布が正規分布からどれだけ歪んでいるかを表す計算式で、左右対称性を示す指標である。なお、計算式中、サンプリングサイズｎ、各データｘｉ（ｉ：１，２，３・・・，ｎ）の平均値をｘ、標準偏差をｓとする。

（外層部１２の歪度）
　さらに、側面ギャップ領域Ｄ１内の内部誘電体層１４に含まれるＳｉの歪度は、外層部１２に含まれるＳｉの歪度よりも大きい。すなわち、側面ギャップ領域Ｄ１内の内部誘電体層１４に含まれるＳｉの粒径は、外層部１２に含まれるＳｉの粒径よりもばらつきが大きい。換言すると、外層部１２に含まれるＳｉの粒径は、側面ギャップ領域Ｄ１内の内部誘電体層１４に含まれるＳｉの粒径よりも均一である。さらに換言すると、側面ギャップ領域Ｄ１内の内部誘電体層１４に含まれるＳｉは、外層部１２に含まれるＳｉよりも顕著な偏析が存在する。

　そして、側面ギャップ領域Ｄ１内の内部誘電体層１４に含まれるＳｉの歪度は、外層部１２に含まれるＳｉの歪度よりも０．５％以上大きくすることが好ましい。
　Ｓｉの歪度が大きいほうが、耐湿性が向上するので、内部誘電体層１４の耐湿性を向上させることができる。

　また、図３に示すように、側面ギャップ領域Ｄ１は、内部電極１５が配置されていない。ゆえに、内部電極１５と内部誘電体層１４とが交互に積層されている中央の対向領域と比べて側面ギャップ領域Ｄ１は、内部電極１５の分だけ積層方向Ｔの厚みが薄くなる。そうすると、側面ギャップ領域Ｄ１と、対向領域との間で段差が形成される。

　実施形態において内部誘電体層１４の積層方向Ｔの厚みは、０．４５μｍ以下である。このように内部誘電体層１４の１層当たりの厚みが薄いと、全体としての静電容量が向上する。

　しかし、内部誘電体層１４が内部電極１５に対して相対的に薄くなると、対向部の積層方向Ｔ全体の厚みにおける内部電極１５の占める割合が大きくなる。そうすると、内部電極１５の有無により生じる段差の、積層体２全体としての積層方向Ｔの厚みに対する影響が大きくなる。このため、後述の積層シートの積層方向Ｔへのプレス時において、段差部での、側面ギャップ領域Ｄ１において緻密性が低くなりやすい。

　しかし、実施形態の積層セラミックコンデンサ１において、側面ギャップ領域Ｄ１の内部誘電体層１４に含まれるＳｉの歪度は、外層部１２に含まれるＳｉの歪度よりも大きい。Ｓｉの歪度が大きいほうが、耐湿性が向上するので、内部誘電体層１４の耐湿性を向上させることができる。

（Ｍｎ含有量）
　さらに、実施形態において、外層部１２に含まれるＭｎの含有量は、側面ギャップ領域Ｄ１内、且つ、積層方向Ｔの中央付近に位置している内部誘電体層１４のＭｎの含有量よりも多い。これにより、外層部１２の高温信頼性をより向上させることができる。
　外層部１２に含まれるＭｎの含有量を多くすることにより、外層部の緻密性を向上して、耐湿信頼性を向上させることができる。
　なお、Ｍｎで外層のみ耐湿信頼性を高めることにより相対的に側面ギャップ領域Ｄ１の耐湿性が低くなるため、ギャップ領域Ｄ１はＳｉの偏析により耐湿信頼性を高めている。

（外部電極３）
　外部電極３は、第１外部電極３Ａと第２外部電極３Ｂとを備える。第１外部電極３Ａは、第１内部電極１５Ａに接続され、第１端面Ｃ１上に配置されている。第１外部電極３Ａは、主面及び側面Ｂの一部に延びる折返部も備える。第２外部電極３Ｂは、第２内部電極１５Ｂに接続され、第２端面Ｃ２上に配置されている。第２外部電極３Ｂは、主面及び側面Ｂの一部に延びる折返部も備える。以下、第１外部電極３Ａと第２外部電極３Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部電極３として説明する。

　外部電極３は、下地電極層３１と、下地電極層３１上に配置されためっき層３２とを含む。下地電極層３１は、例えば金属及びガラス成分を含む。金属は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウム、銀－パラジウム合金、金などから選ばれる少なくとも１つを含み、実施形態では銅である。ガラス成分は、例えば、ホウ素及びケイ素を含む。めっき層３２は、下地電極層３１の上に配置されたＮｉ（ニッケル）めっき層と、Ｎｉめっき層の上に配置されたＳｎ（錫）めっき層とを含んでもよい。

（積層セラミックコンデンサ１の製造方法）
（Ｓｉの歪度の調整方法）
　外層部１２中と側面ギャップ領域Ｄ１中のＳｉの歪度は、外層部用誘電体ペースト及び内部誘電体層用の誘電体ペーストに含ませるＳｉを含む粒子、例えばガラス粒子の粒径に差を設けることによって異ならせることができる。

　具体的には、外部誘電体層用の誘電体ペーストに基準とするガラス粒子を０．００５μｍ以上０．５μｍ以下とした時に、それよりも粒径が１．０μｍ程度大きいガラス粒子を内部誘電体層用の誘電体ペーストに０．０１Ｖｏｌ％以上４０Ｖｏｌ％以下混合させる。一方、外層部用誘電体ペースト中のガラス粒子は、粒径を０．００５μｍ以上０．５μｍ以下として含有させる。

　そして、内部誘電体層用の誘電体ペーストを用いて作製された誘電体シート上に、内部電極用の導電性ペーストを、例えば所定のパターンで印刷することにより、誘電体シート上に内部電極パターンを形成する。内部電極パターンの形成方法としては、スクリーン印刷又はグラビア印刷等を用いることができる。

　次に、外層部用誘電体ペーストを用いて作製された、第２外層部用誘電体シートを所定枚数積層する。その上に、内部電極パターンが印刷された内層部用の誘電体シートを順次積層する。さらにその上に、外層部用誘電体ペーストを用いて作製された、第１外層部用誘電体シートを所定枚数積層する。これにより、積層シートが作製される。

　次に、静水圧プレス等の手段により、積層シートを積層方向Ｔにプレスし、積層ブロックを作製する。

　次に、積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。

　次に、積層チップを焼成し、積層体２を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極１５の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

　次いで、ディップ法を用いて、積層体２の第１端面Ｃ１を下地電極層用の電極材料である導電性ペーストに浸漬することによって、第１端面Ｃ１に下地電極層３１用の導電性ペーストを塗布する。同様に、積層体２の第２端面Ｃ２を下地電極層用の電極材料である導電性ペーストに浸漬することによって、第２端面Ｃ２に下地電極層３１用の導電性ペーストを塗布する。その後、これらの導電性ペーストを焼成することにより、焼成層である下地電極層３１が形成される。焼成温度は、６００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

　その後、下地電極層３１の表面にめっき層３２を形成して外部電極３を形成する。以上の工程により、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が得られる。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されることなく、以下のような種々の変更及び変形が可能である。
　また、上記実施形態は、２端子の積層セラミックコンデンサについて説明したが、本発明はこれに限定３端子の積層セラミックコンデンサに対しても適用可能である。

＜１＞積層方向に相対する２つの主面と、
　前記積層方向に交差する縦方向に相対する２つの端面と、
　前記積層方向及び前記縦方向に交差する横方向に相対する２つの側面とを有する積層体と、
　前記積層体の前記端面に配置された外部電極と、を備え、
　前記積層体は、
　　内層部と、
　　前記内層部を前記積層方向に挟み込むように配置された外層部と、を備え、
　前記内層部は、
　　内部電極と、
　　内部誘電体層と、を備え、
　　前記外層部及び前記内部誘電体層は、
　　　主成分としてのチタン酸バリウムと、副成分としてのＳｉと、を含み、
　　前記内部電極と前記端面ないし前記側面との間のギャップ領域における前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、前記外層部のＳｉの歪度よりも大きい、積層セラミックコンデンサ。

＜２＞前記外層部及び前記ギャップ領域中の前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、０より大きく０．５以下である、＜１＞に記載の積層セラミックコンデンサ。

＜３＞前記ギャップ領域中の前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、
　前記外層部のＳｉの歪度よりも０．５％以上大きい、
＜１＞又は＜２＞に記載の積層セラミックコンデンサ。

＜４＞前記ギャップ領域の前記積層方向の中央付近内のＳｉの含有量は、０．２ａｔｏｍ％以上５．０ａｔｏｍ％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかにに記載の積層セラミックコンデンサ。

＜５＞前記外層部のＭｎの含有量は、前記ギャップ領域の前記積層方向の中央付近内のＭｎの含有量よりも多い、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

＜６＞前記内部誘電体層のセラミックグレイン径Ｄ５０は、０．１５μｍ以下である、
＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

＜７＞前記内部誘電体層の積層方向の厚みは、０．４５μｍ以下である、
＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

　Ｄ１　　側面ギャップ領域
　Ｄ２　　引出領域
　１　　積層セラミックコンデンサ
　２　　積層体
　３　　外部電極
　３Ａ　　第１外部電極
　３Ｂ　　第２外部電極
　１１　　内層部
　１２　　外層部
　１２ａ　　第１外層部
　１２ｂ　　第２外層部
　１４　　内部誘電体層
　１５Ｂｂ　　第２引出部
　１５　　内部電極
　１５Ａ　　第１内部電極
　１５Ａａ　　第１対向部
　１５Ａｂ　　第１引出部
　１５Ｂ　　第２内部電極
　１５Ｂａ　　第２対向部
　１５ａ　　対向部
　１５ｂ　　引出部１

Claims (7)

1. 　積層方向に相対する２つの主面と、
   　前記積層方向に交差する縦方向に相対する２つの端面と、
   　前記積層方向及び前記縦方向に交差する横方向に相対する２つの側面とを有する積層体と、
   　前記積層体の前記端面に配置された外部電極と、を備え、
   　前記積層体は、
   　　内層部と、
   　　前記内層部を前記積層方向に挟み込むように配置された外層部と、を備え、
   　前記内層部は、
   　　内部電極と、
   　　内部誘電体層と、を備え、
   　　前記外層部及び前記内部誘電体層は、
   　　　主成分としてのチタン酸バリウムと、副成分としてのＳｉと、を含み、
   　　前記内部電極と前記端面ないし前記側面との間のギャップ領域における前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、前記外層部のＳｉの歪度よりも大きい、
   積層セラミックコンデンサ。
2. 　前記外層部及び前記ギャップ領域中の前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、０より大きく０．５以下である、
   　請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 　前記ギャップ領域中の前記内部誘電体層のＳｉの歪度は、
   　前記外層部のＳｉを含む粒子の歪度よりも０．５％以上大きい、
   請求項１又は請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 　前記ギャップ領域の前記積層方向の中央付近内のＳｉの含有量は、０．２ａｔｏｍ％以上５．０ａｔｏｍ％以下である、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 　前記外層部のＭｎの含有量は、前記ギャップ領域の前記積層方向の中央付近内のＭｎの含有量よりも多い、
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 　前記内部誘電体層のセラミックグレイン径Ｄ５０は、０．１５μｍ以下である、
   請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 　前記内部誘電体層の積層方向の厚みは、０．４５μｍ以下である、
   請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。

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