WO2025047331A1 - 半導体装置の製造方法、および半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、および半導体装置 Download PDF

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sealing resin
support portion
semiconductor device
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dimension
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常久 大野
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Rohm Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment

Definitions

  • This disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device obtained by the manufacturing method.
  • the semiconductor device disclosed in Patent Document 1 comprises a semiconductor element, a first lead that is electrically connected to the semiconductor element, a second lead on which the semiconductor element is mounted, and a sealing resin that covers the semiconductor element. Each of the first lead and the second lead protrudes from the sealing resin.
  • the second lead of the semiconductor device disclosed in Patent Document 1 has a second pad on which a semiconductor element is mounted.
  • a protrusion is provided on the second pad.
  • the protrusion protrudes in a direction perpendicular to the normal direction of the second pad surface facing the semiconductor element.
  • the protrusion provided on the second pad may be used as a support member connecting the lead frame and the second lead.
  • a load acts on the second lead including the protrusion, so that a large stress is concentrated on the part of the sealing resin that contacts the second lead. This may cause cracks to occur in the sealing resin.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over conventional semiconductor devices.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can reduce stress concentration in a sealing resin that occurs when a lead is cut during device manufacture.
  • a manufacturing method of a semiconductor device includes a first step of forming a first lead having a pad portion having a mounting surface facing one side in a first direction and a first support portion connected to one side in a second direction perpendicular to the first direction of the pad portion, a second step of joining a semiconductor element to the mounting surface, a third step of forming a sealing resin covering a portion of each of the pad portion and the first support portion and the semiconductor element, and a fourth step of cutting the first support portion.
  • the sealing resin has a top surface facing the same side as the mounting surface in the first direction and a bottom surface facing the opposite side from the top surface in the first direction.
  • the first support portion has a first surface facing the same side as the mounting surface in the first direction and a second surface facing the opposite side from the first surface in the first direction.
  • the sealing resin is formed so that a portion of each of the first surface and the second surface is covered with the sealing resin, the pad portion is exposed from the bottom surface, and the dimension of the sealing resin in the first direction from the bottom surface to the second surface is smaller than the dimension of the sealing resin in the first direction from the top surface to the first surface.
  • the second surface is supported by a support and a compressive force is applied to the top surface, thereby cutting the first support portion.
  • the first support portion is formed with a first end surface that faces one side in the second direction and is exposed from the sealing resin.
  • the semiconductor device provided by the second aspect of the present disclosure includes a first lead having a pad portion having a mounting surface facing one side in a first direction and a first support portion connected to one side of the pad portion in a second direction perpendicular to the first direction, a semiconductor element bonded to the mounting surface, a part of the first lead, and a sealing resin covering the semiconductor element.
  • the sealing resin has a top surface facing the same side as the mounting surface in the first direction, and a bottom surface facing the opposite side from the top surface in the first direction and exposing the pad portion.
  • the first support portion has a first surface facing the same side as the top surface in the first direction and covered by the sealing resin, a second surface facing the opposite side from the first surface in the first direction and covered by the sealing resin, and a first end surface facing the second direction and exposed from the sealing resin.
  • the dimension of the sealing resin in the first direction from the bottom surface to the second surface is smaller than the dimension of the sealing resin in the first direction from the top surface to the first surface.
  • the cross-sectional area of the first support portion along a direction perpendicular to the second direction decreases from the side where the pad portion is located to the first end surface.
  • FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view corresponding to FIG. 2, showing the sealing resin through the plan view.
  • FIG. 4 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a bottom view corresponding to FIG. 4, showing the sealing resin through the view.
  • FIG. 6 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 7 is a right side view of the semiconductor device shown in FIG. 8 is a left side view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG.
  • FIG. 12 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 13 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 14 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor device according to a modified example of the first embodiment of the present disclosure.
  • 15A to 15C are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 16A to 16C are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 17A to 17C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 18A to 18C are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 19A to 19C are cross-sectional views for explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 20A to 20C are cross-sectional views for explaining the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 21 is a plan view of the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure, showing the semiconductor device through a sealing resin.
  • FIG. 22 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 21, seen through the sealing resin.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII in FIG.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view taken along line XXIV-XXIV in FIG.
  • FIG. 25 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 26 is a partially enlarged view of FIG. FIG.
  • FIG. 27 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor device according to a modified example of the second embodiment of the present disclosure.
  • 28A to 28C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 29A to 29C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 31A to 31C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG.
  • a semiconductor device A10 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to Figures 1 to 13.
  • the semiconductor device A10 includes a semiconductor element 10, a first lead 20, a plurality of second leads 30, a plurality of wires 40, and a sealing resin 50.
  • the package format of the semiconductor device A10 is a small outline package (SOP).
  • SOP small outline package
  • Figures 3 and 5 show the sealing resin 50 in a see-through manner for ease of understanding.
  • the outline of the sealing resin 50 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the normal direction of the mounting surface 211 of the pad portion 21 described later is called the "first direction z”.
  • the direction perpendicular to the first direction z is called the "second direction x”.
  • the direction perpendicular to both the first direction z and the second direction x is called the "third direction y”.
  • the sealing resin 50 covers the semiconductor element 10, a portion of the first lead 20, a portion of each of the multiple second leads 30, and the multiple wires 40.
  • the sealing resin 50 is an insulator.
  • the sealing resin 50 is made of a material that contains, for example, epoxy resin. When viewed in the first direction z, the sealing resin 50 is rectangular.
  • the sealing resin 50 has a top surface 51, a bottom surface 52, a first side surface 53, a second side surface 54, and two third side surfaces 55.
  • the top surface 51 faces one side in the first direction z.
  • the top surface 51 faces the same side in the first direction z as the mounting surface 211 of the pad portion 21, which will be described later.
  • the bottom surface 52 faces the opposite side to the top surface 51 in the first direction z.
  • the first side surface 53 is connected to the top surface 51 and the bottom surface 52 and faces one side of the second direction x.
  • the first side surface 53 includes a first region 531, a second region 532, and a third region 533.
  • the first region 531 includes the first direction z as an in-plane direction. When viewed in the first direction z, the first region 531 is located outward from each of the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • the second region 532 is located between the first region 531 and the top surface 51 in the first direction z.
  • the third region 533 is located on the opposite side to the second region 532 with respect to the first region 531.
  • Each of the second region 532 and the third region 533 is inclined with respect to the first region 531.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the second region 532 with respect to the first region 531 is larger than the inclination angle ⁇ 1 of the third region 533 with respect to the first region 531.
  • the second side 54 is connected to the top surface 51 and the bottom surface 52 and faces the opposite side to the first side 53 in the second direction x.
  • the second side 54 includes a fourth region 541, a fifth region 542, and a sixth region 543.
  • the fourth region 541 includes the first direction z as an in-plane direction. When viewed in the first direction z, the fourth region 541 is located outward from each of the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • the fifth region 542 is located between the fourth region 541 and the top surface 51 in the first direction z.
  • the sixth region 543 is located on the opposite side to the fifth region 542 with respect to the fourth region 541.
  • Each of the fifth region 542 and the sixth region 543 is inclined with respect to the fourth region 541.
  • the inclination angle ⁇ 2 of the fifth region 542 with respect to the fourth region 541 is greater than the inclination angle ⁇ 2 of the sixth region 543 with respect to the fourth region 541.
  • each of the two third side surfaces 55 is connected to the top surface 51 and the bottom surface 52 and faces opposite each other in the third direction y.
  • Each of the two third side surfaces 55 includes a seventh region 551, an eighth region 552, and a ninth region 553.
  • the seventh region 551 includes the first direction z as an in-plane direction. When viewed in the first direction z, the seventh region 551 is located outward from each of the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • the eighth region 552 is located between the seventh region 551 and the top surface 51 in the first direction z.
  • the ninth region 553 is located on the opposite side to the eighth region 552 with respect to the seventh region 551.
  • Each of the eighth region 552 and the ninth region 553 is inclined with respect to the seventh region 551.
  • the inclination angle ⁇ 3 of the eighth region 552 relative to the seventh region 551 is equal to the inclination angle ⁇ 3 of the ninth region 553 relative to the seventh region 551.
  • the first lead 20 and the multiple second leads 30 both contain copper (Cu).
  • the first lead 20 and the multiple second leads 30 are obtained from the same lead frame.
  • the first lead 20 carries the semiconductor element 10.
  • the first lead 20 has a pad portion 21, a first support portion 22, a second support portion 23, a third support portion 24, and a fourth support portion 25.
  • the pad portion 21 carries the semiconductor element 10.
  • the first lead 20 is rectangular.
  • the pad portion 21 has a mounting surface 211 and an exposed surface 212.
  • the mounting surface 211 faces one side in the first direction z.
  • the semiconductor element 10 is mounted on the mounting surface 211.
  • the exposed surface 212 faces the opposite side to the mounting surface 211 in the first direction z.
  • the exposed surface 212 is exposed from the bottom surface 52 of the sealing resin 50.
  • the first support portion 22 is connected to one side of the pad portion 21 in the second direction x.
  • the first support portion 22 is located closer to the first side surface 53 of the sealing resin 50 than the second side surface 54 of the sealing resin 50.
  • the first support portion 22 has a first surface 22A, a second surface 22B and a first end surface 22C.
  • the first surface 22A faces the same side as the mounting surface 211 in the first direction z.
  • the second surface 22B faces the opposite side to the first surface 22A in the first direction z.
  • the first surface 22A and the second surface 22B are covered by the sealing resin 50.
  • the first end surface 22C faces one side in the second direction x.
  • the first end surface 22C is exposed from a first region 531 of the first side surface 53.
  • the dimension H2 in the first direction z of the sealing resin 50 from the bottom surface 52 of the sealing resin 50 to the second surface 22B is smaller than the dimension H1 in the first direction z of the sealing resin 50 from the top surface 51 of the sealing resin 50 to the first surface 22A.
  • the dimension H2 is 50% or less of the dimension H1.
  • the dimension L1 in the second direction x of the second surface 22B is adjacent to the exposed surface 212 of the pad portion 21 on one side of the second direction x and is 50% or more of the dimension D1 in the second direction x of the area of the bottom surface 52 that overlaps with the second surface 22B when viewed in the first direction z.
  • the first support portion 22 has a first main portion 221, a first connecting portion 222 and a first end portion 223.
  • the first main portion 221 includes a first surface 22A and a second surface 22B.
  • the first connecting portion 222 is connected to the first main portion 221 and the pad portion 21.
  • the first connecting portion 222 is inclined relative to the mounting surface 211 in the second direction x toward the side away from the pad portion 21.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the first connecting portion 222 relative to the mounting surface 211 is preferably 50° or less.
  • the first end portion 223 is located on the opposite side of the first connecting portion 222 with respect to the first main portion 221 in the second direction x, and is connected to the first main portion 221.
  • the first end portion 223 includes a first surface 22A, a second surface 22B and a first end surface 22C.
  • the first end 223 of the first support portion 22 has a first recessed portion 224 recessed from the second surface 22B.
  • the first recessed portion 224 is connected to the first main portion 221 and the first end surface 22C.
  • the semiconductor device A10 by providing the first recessed portion 224 at the first end 223, the cross-sectional area of the first end 223 along a direction perpendicular to the second direction x is reduced from the first main portion 221 to the first end surface 22C.
  • the first recess 224 of the first end portion 223 is in contact with the sealing resin 50.
  • the dimension of the first recess 224 in the second direction x is smaller than the dimension L1 of the second surface 22B of the first support portion 22.
  • the first end surface 22C is flush with the first region 531 of the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the dimension b of the first end face 22C in the third direction y is different from the dimension h of the first end face 22C in the first direction z.
  • the dimension h is smaller than the dimension b.
  • the second support portion 23 is located on the opposite side of the first support portion 22 with respect to the pad portion 21 in the second direction x, and is connected to the pad portion 21.
  • the second support portion 23 is located closer to the second side surface 54 of the sealing resin 50 than the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the second support portion 23 has a third surface 23A, a fourth surface 23B and a second end surface 23C.
  • the third surface 23A faces the same side as the mounting surface 211 in the first direction z.
  • the fourth surface 23B faces the opposite side to the third surface 23A in the first direction z.
  • the third surface 23A and the fourth surface 23B are covered by the sealing resin 50.
  • the second end surface 23C faces the opposite side to the first end surface 22C of the first support portion 22 in the second direction x.
  • the second end surface 23C is exposed from the fourth region 541 of the second side surface 54.
  • the dimension H4 in the first direction z of the sealing resin 50 from the bottom surface 52 of the sealing resin 50 to the fourth surface 23B is smaller than the dimension H3 in the first direction z of the sealing resin 50 from the top surface 51 of the sealing resin 50 to the third surface 23A.
  • the dimension H4 is 50% or less of the dimension H3.
  • the dimension L2 in the second direction x of the fourth surface 23B is adjacent to the exposed surface 212 of the pad portion 21 on one side of the second direction x and is 50% or more of the dimension D2 in the second direction x of the area of the bottom surface 52 that overlaps with the fourth surface 23B when viewed in the first direction z.
  • the second support portion 23 has a second main portion 231, a second connecting portion 232 and a second end portion 233.
  • the second main portion 231 includes a third surface 23A and a fourth surface 23B.
  • the second connecting portion 232 is connected to the second main portion 231 and the pad portion 21.
  • the second connecting portion 232 is inclined with respect to the mounting surface 211 toward the side away from the pad portion 21 in the second direction x.
  • the inclination angle ⁇ 2 of the second connecting portion 232 with respect to the mounting surface 211 is preferably 50° or less.
  • the second end portion 233 is located on the opposite side of the second main portion 231 from the second connecting portion 232 in the second direction x, and is connected to the second main portion 231.
  • the second end portion 233 includes a third surface 23A, a fourth surface 23B and a second end surface 23C.
  • the second end 233 of the second support portion 23 has a second recessed portion 234 recessed from the fourth surface 23B.
  • the second recessed portion 234 is connected to the second main portion 231 and the second end surface 23C.
  • the cross-sectional area of the second end 233 along a direction perpendicular to the second direction x is reduced from the second main portion 231 to the second end surface 23C.
  • the dimension of the pad portion 21 in the second direction x is at least 10 times the dimension of each of the first support portion 22 and the second support portion 23 in the second direction x.
  • the third support portion 24 is located on the same side as the first support portion 22 with respect to the pad portion 21 in the second direction x, and is connected to the pad portion 21.
  • the third support portion 24 is separated from the first support portion 22 in the third direction y.
  • the third support portion 24 has a fifth surface 24A, a sixth surface 24B and a third end surface 24C.
  • the fifth surface 24A faces the same side as the mounting surface 211 in the first direction z.
  • the sixth surface 24B faces the opposite side to the fifth surface 24A in the first direction z.
  • the fifth surface 24A and the sixth surface 24B are covered with the sealing resin 50.
  • the third end surface 24C faces the same side as the first end surface 22C of the first support portion 22 in the second direction x.
  • the third end surface 24C is exposed from the first region 531 of the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the dimension H6 in the first direction z of the sealing resin 50 from the bottom surface 52 of the sealing resin 50 to the sixth surface 24B is smaller than the dimension H5 in the first direction z of the sealing resin 50 from the top surface 51 of the sealing resin 50 to the fifth surface 24A.
  • it is preferable that the dimension H6 is 50% or less of the dimension H5.
  • the dimension L3 in the second direction x of the sixth surface 24B is adjacent to the exposed surface 212 of the pad portion 21 on one side of the second direction x and is 50% or more of the dimension D1 in the second direction x of the area of the bottom surface 52 that overlaps with the sixth surface 24B when viewed in the first direction z.
  • the third support portion 24 has a third main portion 241, a third connecting portion 242 and a third end portion 243.
  • the third main portion 241 includes a fifth surface 24A and a sixth surface 24B.
  • the third connecting portion 242 is connected to the third main portion 241 and the pad portion 21.
  • the third connecting portion 242 is inclined relative to the mounting surface 211 toward the side away from the pad portion 21 in the second direction x.
  • the inclination angle ⁇ 3 of the third connecting portion 242 relative to the mounting surface 211 is preferably 50° or less.
  • the third end portion 243 is located on the opposite side of the third connecting portion 242 with respect to the third main portion 241 in the second direction x, and is connected to the third main portion 241.
  • the third end portion 243 includes a fifth surface 24A, a sixth surface 24B and a third end surface 24C.
  • the third end 243 of the third support portion 24 has a third recessed portion 244 recessed from the sixth surface 24B.
  • the third recessed portion 244 is connected to the third main portion 241 and the third end surface 24C.
  • the cross-sectional area of the third end 243 along a direction perpendicular to the second direction x is reduced from the third main portion 241 to the third end surface 24C.
  • the fourth support portion 25 is located on the same side as the second support portion 23 with respect to the pad portion 21 in the second direction x, and is connected to the pad portion 21.
  • the fourth support portion 25 is separated from the second support portion 23 in the third direction y.
  • the fourth support portion 25 has a seventh surface 25A, an eighth surface 25B and a fourth end surface 25C.
  • the seventh surface 25A faces the same side as the mounting surface 211 in the first direction z.
  • the eighth surface 25B faces the opposite side to the seventh surface 25A in the first direction z.
  • the seventh surface 25A and the eighth surface 25B are covered with the sealing resin 50.
  • the fourth end surface 25C faces the same side as the second end surface 23C of the second support portion 23 in the second direction x.
  • the fourth end surface 25C is exposed from the fourth region 541 of the second side surface 54 of the sealing resin 50.
  • the dimension H8 in the first direction z of the sealing resin 50 from the bottom surface 52 of the sealing resin 50 to the eighth surface 25B is smaller than the dimension H7 in the first direction z of the sealing resin 50 from the top surface 51 of the sealing resin 50 to the seventh surface 25A.
  • the dimension H8 is 50% or less of the dimension H7.
  • the dimension L4 in the second direction x of the eighth surface 25B is adjacent to the exposed surface 212 of the pad portion 21 on one side of the second direction x and is 50% or more of the dimension D2 in the second direction x of the area of the bottom surface 52 that overlaps with the eighth surface 25B when viewed in the first direction z.
  • the fourth support portion 25 has a fourth main portion 251, a fourth connecting portion 252 and a fourth end portion 253.
  • the fourth main portion 251 includes a seventh surface 25A and an eighth surface 25B.
  • the fourth connecting portion 252 is connected to the fourth main portion 251 and the pad portion 21.
  • the fourth connecting portion 252 is inclined with respect to the mounting surface 211 toward the side away from the pad portion 21 in the second direction x.
  • the inclination angle ⁇ 4 of the fourth connecting portion 252 with respect to the mounting surface 211 is preferably 50° or less.
  • the fourth end portion 253 is located on the opposite side of the fourth connecting portion 252 with respect to the fourth main portion 251 in the second direction x, and is connected to the fourth main portion 251.
  • the fourth end portion 253 includes a seventh surface 25A, an eighth surface 25B and a fourth end surface 25C.
  • the fourth end 253 of the fourth support portion 25 has a fourth recessed portion 254 recessed from the eighth surface 25B.
  • the fourth recessed portion 254 is connected to the fourth main portion 251 and the fourth end surface 25C.
  • the cross-sectional area of the fourth end 253 along a direction perpendicular to the second direction x is reduced from the fourth main portion 251 to the fourth end surface 25C.
  • the semiconductor element 10 is mounted on the pad portion 21 of the first lead 20.
  • the semiconductor element 10 controls the functions of the semiconductor device A10.
  • the type of the semiconductor element 10 is not limited, and may be an IC or an LSI.
  • the semiconductor element 10 is bonded to the mounting surface 211 of the pad portion 21 via a bonding layer 19.
  • the bonding layer 19 is made of a paste containing metal particles.
  • the metal particles are, for example, silver (Ag). Therefore, the bonding layer 19 is a conductor. Alternatively, the bonding layer 19 may be solder.
  • the semiconductor element 10 has an element surface 11 and a plurality of electrodes 12.
  • the element surface 11 faces the same side as the mounting surface 211 of the pad portion 21 in the first direction z.
  • the element surface 11 is located between the top surface 51 of the sealing resin 50 and the first surface 22A of the first support portion 22, the third surface 23A of the second support portion 23, the fifth surface 24A of the third support portion 24, and the seventh surface 25A of the fourth support portion 25 in the first direction z.
  • the semiconductor element 10 when viewed in a direction perpendicular to the first direction z, the semiconductor element 10 includes portions protruding in the first direction z from each of the first support portion 22, the second support portion 23, the third support portion 24, and the fourth support portion 25.
  • the plurality of electrodes 12 are provided on the element surface 11. Each of the plurality of electrodes 12 is electrically connected to a circuit configured in the semiconductor element 10.
  • the multiple second leads 30 are arranged on both sides of the first lead 20 in the third direction y. Each of the multiple second leads 30 is electrically connected to the semiconductor element 10.
  • the multiple second leads 30 include multiple first terminals 30A and multiple second terminals 30B.
  • the multiple first terminals 30A are located on one side of the first lead 20 in the third direction y.
  • the multiple first terminals 30A are arranged along the second direction x. Each of the multiple first terminals 30A protrudes from the seventh region 551 of one of the two third side surfaces 55 of the sealing resin 50.
  • the multiple second terminals 30B are located on the opposite side of the multiple first terminals 30A with respect to the first lead 20 in the third direction y.
  • the multiple second terminals 30B are arranged along the second direction x. Each of the multiple second terminals 30B protrudes from the seventh region 551 of the other of the two third side surfaces 55.
  • each of the multiple second leads 30 has an inner portion 31 and an outer portion 32.
  • the inner portion 31 is covered with sealing resin 50.
  • the inner portion 31 of each of the multiple second leads 30 has a connection surface 311.
  • the connection surface 311 faces the same side as the mounting surface 211 of the pad portion 21 in the first direction z.
  • the connection surface 311 is located between the mounting surface 211 and the top surface 51 of the sealing resin 50 in the first direction z.
  • the connection surface 311 is located between the mounting surface 211 and the element surface 11 of the semiconductor element 10 in the first direction z.
  • connection surface 311 of each of the multiple second leads 30, the first surface 22A of the first support portion 22, the third surface 23A of the second support portion 23, the fifth surface 24A of the third support portion 24, and the seventh surface 25A of the fourth support portion 25 are all included in the same plane.
  • the outer part 32 is connected to the inner part 31 of one of the corresponding second leads 30.
  • the outer part 32 protrudes from the seventh region 551 of one of the two third side surfaces 55 of the sealing resin 50.
  • the surface of the outer part 32 is plated with tin, for example.
  • the outer part 32 extends in the third direction y.
  • the outer part 32 is bent in a gull-wing shape.
  • the outer part 32 of each of the multiple second leads 30 has a mounting surface 321.
  • the mounting surface 321 is exposed from the sealing resin 50.
  • the mounting surface 321 faces the opposite side to the connection surface 311 of the corresponding inner part 31 and is located furthest from the connection surface 311 of the corresponding inner part 31.
  • the mounting surface 321 protrudes from within a plane that includes the bottom surface 52 of the sealing resin 50.
  • the mounting surface 321 is inclined with respect to the bottom surface 52.
  • each of the multiple wires 40 is individually conductively bonded to the multiple electrodes 12 of the semiconductor element 10 and to the connection surfaces 311 of each of the multiple second leads 30. As a result, each of the multiple second leads 30 is electrically connected to the semiconductor element 10.
  • the multiple wires 40 contain, for example, gold (Au). Alternatively, the multiple wires 40 may contain aluminum (Al) or copper.
  • FIG. 14 corresponds to FIG. 13 showing the semiconductor device A10.
  • the configuration of the first support portion 22 of the first lead 20 differs from that of the semiconductor device A10.
  • the first end 223 is located between the first surface 22A and the first end surface 22C in the second direction x, and has a first intermediate surface 223A connected to the first surface 22A.
  • the first intermediate surface 223A overlaps the first main portion 221.
  • the first end surface 22C is located between the first intermediate surface 223A and the second recess 234 in the first direction z.
  • the dimension of the first intermediate surface 223A in the second direction x is larger than the dimension of the second recess 234 in the second direction x.
  • the first intermediate surface 223A is inclined toward the inside of the first end 223 in the first direction z with respect to the first surface 22A, and is also connected to the first end surface 22C.
  • the first intermediate surface 223A is covered with a sealing resin 50.
  • Figures 15 to 18 correspond to Figure 9, which shows semiconductor device A10.
  • a first process P1 is performed to form a first lead 20 having a pad portion 21, a first support portion 22 and a second support portion 23.
  • the first process P1 is performed in conjunction with the formation of a lead frame including the first lead 20 and a plurality of second leads 30.
  • the description of the formation of the third support portion 24 and the fourth support portion 25 of the first lead 20 is omitted.
  • a first recessed portion 224 is formed in the first end portion 223 of the first support portion 22, thereby reducing the cross-sectional area of the first end portion 223 along a direction perpendicular to the second direction x from the first main portion 221 of the first support portion 22 to the first end face 22C. Additionally, by forming the second recess 234 at the second end 233 of the second support part 23, the cross-sectional area of the second end 233 along a direction perpendicular to the second direction x is reduced from the second main part 231 of the second support part 23 to the second end surface 23C.
  • a second process P2 is performed in which the semiconductor element 10 is bonded to the mounting surface 211 of the pad portion 21.
  • the semiconductor element 10 is bonded to the mounting surface 211 via the bonding layer 19.
  • a plurality of wires 40 are formed by wire bonding, which are individually conductively bonded to the plurality of electrodes 12 of the semiconductor element 10 and the respective connection surfaces 311 of the plurality of second leads 30.
  • the third process P3 is performed to form the sealing resin 50 that covers the pad portion 21, parts of the first support portion 22, and parts of the second support portion 23, and the semiconductor element 10.
  • the sealing resin 50 is formed by transfer molding.
  • parts of the first surface 22A and the second surface 22B of the first support portion 22, and parts of the third surface 23A and the fourth surface 23B of the second support portion 23 are covered with the sealing resin 50.
  • at least a part of the first recess 224 formed in the first support portion 22 and at least a part of the second recess 234 formed in the second support portion 23 are covered with the sealing resin 50.
  • the exposed surface 212 of the pad portion 21 is exposed from the bottom surface 52.
  • the dimension H2 shown in FIG. 9 is made smaller than the dimension H1.
  • the dimension H4 shown in FIG. 9 is made smaller than the dimension H3.
  • the first support portion 22 is protruded from the first region 531 of the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the second region 532 of the first side surface 53 relative to the first region 531 is made larger than the inclination angle ⁇ 1 of the third region 533 of the first side surface 53 relative to the first region 531.
  • the second support portion 23 is protruded from the fourth region 541 of the second side surface 54 of the sealing resin 50.
  • the inclination angle ⁇ 2 of the fifth region 542 of the second side surface 54 relative to the fourth region 541 is made larger than the inclination angle ⁇ 2 of the sixth region 543 of the second side surface 54 relative to the fourth region 541.
  • a fourth step P4 is performed to cut each of the first support portion 22 and the second support portion 23.
  • the second surface 22B of the first support portion 22 and the fourth surface 23B of the second support portion 23 are supported by the support body 81.
  • a compressive force P is applied to the top surface 51 of the sealing resin 50 by the load body 82, thereby cutting each of the first support portion 22 and the second support portion 23.
  • a first end surface 22C corresponding to the cut surface of the first support portion 22 is formed at the first end portion 223.
  • a second end surface 23C corresponding to the cut surface of the second support portion 23 is formed at the second end portion 233.
  • the first support portion 22 is cut starting from the first recessed portion 224.
  • the second support portion 23 is cut starting from the second recessed portion 234.
  • Figures 19 and 20 correspond to Figure 9 showing semiconductor device A10.
  • grooves 29 recessed from the first surface 22A of the first support portion 22 and the third surface 23A of the second support portion 23 are formed in the first support portion 22 and the second support portion 23.
  • the grooves 29 formed in the first support portion 22 overlap the first recessed portion 224.
  • the grooves 29 formed in the second support portion 23 overlap the second recessed portion 234.
  • the second process P2 and the third process P3 in the manufacture of the semiconductor device A11 are similar to those in the manufacture of the semiconductor device A10, and therefore will not be described here.
  • the first support portion 22 is cut starting from both the first recessed portion 224 and the groove portion 29.
  • the second support portion 23 is cut starting from both the second recessed portion 234 and the groove portion 29.
  • a portion of the inner circumferential surface 291 that defines the groove portion 29 corresponds to the first intermediate surface 223A of the first end portion 223.
  • the manufacturing method of the semiconductor device A10 includes a first process P1 of forming a first lead 20 having a pad portion 21 and a first support portion 22, a second process P2 of joining a semiconductor element 10 to the pad portion 21, a third process P3 of forming a sealing resin 50, and a fourth process P4 of cutting the first support portion 22.
  • the pad portion 21 is exposed from the bottom surface 52 of the sealing resin 50.
  • the dimension H2 in the first direction z of the sealing resin 50 from the bottom surface 52 to the second surface 22B of the first support portion 22 is made smaller than the dimension H1 in the first direction z of the sealing resin 50 from the top surface 51 of the sealing resin 50 to the first surface 22A of the first support portion 22.
  • the second surface 22B is supported by the support 81, and then a compressive force P is applied to the top surface 51 to cut the first support portion 22.
  • the first support 22 is formed with a first end surface 22C that faces one side of the second direction x and is exposed from the sealing resin 50.
  • the cross-sectional area of the first end 223 of the first support portion 22 along a direction perpendicular to the second direction x is reduced from the first main portion 221 to the first end face 22C.
  • the area of the first end face 22C is reduced, which makes it easier to cut the first support portion 22 in the fourth step P4 shown in FIG. 18.
  • a first recess 224 recessed from the second surface 22B is formed in the first support 22 including the first end 223.
  • the first recess 224 is connected to the first main portion 221.
  • the first support 22 is cut starting from the first recess 224 while a compressive force P is applied to the top surface 51 of the sealing resin 50, so that the cutting of the first support 22 becomes smoother.
  • the dimension h in the first direction z of the first end surface 22C of the first support 22 can be made smaller than the dimension b in the third direction y of the first end surface 22C. This further reduces the second moment of area around the third direction y of the first end surface 22C.
  • the first connecting portion 222 of the first support portion 22 is inclined relative to the mounting surface 211 in the second direction x away from the pad portion 21.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the second region 532 of the first side surface 53 relative to the first region 531 of the first side surface 53 is greater than the inclination angle ⁇ 1 of the third region 533 of the first side surface 53 relative to the first region 531.
  • FIG. 21 shows the sealing resin 50 in a see-through manner for ease of understanding.
  • the outline of the sealing resin 50 is shown by imaginary lines.
  • semiconductor device A20 the configurations of the first support portion 22, the second support portion 23, the third support portion 24, and the fourth support portion 25 of the first lead 20 differ from those of semiconductor device A10.
  • the first end 223 has two first recesses 224 that are individually recessed from both sides in the third direction y.
  • Each of the two first recesses 224 is connected to the periphery of the first surface 22A of the first end 223 and the periphery of the second surface 22B of the first end 223.
  • the second end 233 has two second recesses 234 that are individually recessed from both sides in the third direction y.
  • Each of the two second recesses 234 is connected to the periphery of the third surface 23A of the second end 233 and the periphery of the fourth surface 23B of the second end 233.
  • the third end 243 has two third recesses 244 that are individually recessed from both sides in the third direction y.
  • Each of the two third recesses 244 is connected to the periphery of the fifth surface 24A of the third end 243 and the periphery of the sixth surface 24B of the third end 243.
  • the fourth end 253 has two fourth recesses 254 that are individually recessed from both sides in the third direction y.
  • Each of the two fourth recesses 254 is connected to the periphery of the seventh surface 25A of the fourth end 253 and the periphery of the eighth surface 25B of the fourth end 253.
  • the first end 223 is located between the second surface 22B and the first end surface 22C in the second direction x, and has a first intermediate surface 223A connected to the second surface 22B.
  • the first intermediate surface 223A overlaps the first main portion 221.
  • the first end surface 22C is located between the first intermediate surface 223A and the first surface 22A in the first direction z.
  • the dimension of the first intermediate surface 223A in the second direction x is smaller than the dimension L1 of the second surface 22B of the first end 223.
  • the first intermediate surface 223A is inclined toward the inside of the first end 223 in the first direction z with respect to the second surface 22B, and is also connected to the first end surface 22C.
  • the first intermediate surface 223A is covered with sealing resin 50.
  • the first end surface 22C is away from the first region 531 of the first side surface 53 of the sealing resin 50 on the side where the pad portion 21 is located in the second direction x.
  • FIG. 27 corresponds to FIG. 26 showing the semiconductor device A20.
  • the configuration of the first support portion 22 of the first lead 20 differs from that of the semiconductor device A20.
  • the first end 223 is located between the first surface 22A and the first end surface 22C in the second direction x, and has a second intermediate surface 223B connected to the first surface 22A.
  • the second intermediate surface 223B overlaps the first main portion 221.
  • the first end surface 22C is located between the first intermediate surface 223A and the second intermediate surface 223B in the first direction z.
  • the dimension of the second intermediate surface 223B in the second direction x is smaller than the dimension of the first surface 22A of the first end 223 in the second direction x.
  • the second intermediate surface 223B is inclined toward the inside of the first end 223 in the first direction z with respect to the first surface 22A, and is also connected to the first end surface 22C.
  • the second intermediate surface 223B is covered with a sealing resin 50.
  • Figures 28 to 30 correspond to Figure 23, which shows semiconductor device A20.
  • a first step P1 is performed to form a first lead 20 having a pad portion 21, a first support portion 22, and a second support portion 23.
  • two first recesses 224 are formed in the first end portion 223 of the first support portion 22, thereby reducing the cross-sectional area of the first end portion 223 along a direction perpendicular to the second direction x from the first main portion 221 to the first end surface 22C of the first support portion 22.
  • two second recesses 234 are formed in the second end portion 233 of the second support portion 23, thereby reducing the cross-sectional area of the second end portion 233 along a direction perpendicular to the second direction x from the second main portion 231 to the second end surface 23C of the second support portion 23.
  • grooves 29 recessed from the second surface 22B of the first support portion 22 and the fourth surface 23B of the second support portion 23 are formed in the first support portion 22 and the second support portion 23.
  • the grooves 29 extend in the third direction y.
  • the grooves 29 are defined by an inner circumferential surface 291 that is connected to either the second surface 22B or the fourth surface 23B.
  • the grooves 29 formed in the first support portion 22 are positioned on the opposite side of the first main portion 221 with respect to the two first recesses 224 in the second direction x.
  • the grooves 29 formed in the second support portion 23 are positioned on the opposite side of the second main portion 231 with respect to the two second recesses 234 in the second direction x.
  • a second process P2 is performed in which the semiconductor element 10 is bonded to the mounting surface 211 of the pad portion 21.
  • the second process P2 is similar to the second process P2 in the manufacture of the semiconductor device A10 shown in FIG. 16, and therefore a description thereof will be omitted here.
  • a third process P3 is performed to form sealing resin 50 that covers parts of pad portion 21, first support portion 22, and second support portion 23, and semiconductor element 10.
  • sealing resin 50 that covers parts of pad portion 21, first support portion 22, and second support portion 23, and semiconductor element 10.
  • groove portions 29 formed in first support portion 22 and second support portion 23 are covered with sealing resin.
  • a fourth process P4 is performed in which the first support portion 22 and the second support portion 23 are each cut.
  • the first support portion 22 and the second support portion 23 are each cut starting from the groove portion 29.
  • a portion of the inner circumferential surface 291 that defines the groove portion 29 corresponds to the first intermediate surface 223A of the first end portion 223.
  • FIG. 31 corresponds to FIG. 23 showing semiconductor device A20.
  • grooves 29 recessed from the first surface 22A and the second surface 22B of the first support portion 22 and the third surface 23A and the fourth surface 23B of the second support portion 23 are formed in the first support portion 22 and the second support portion 23.
  • the grooves 29 formed in the second surface 22B of the first support portion 22 overlap the grooves 29 formed in the first surface 22A of the first support portion 22.
  • the grooves 29 formed in the fourth surface 23B of the second support portion 23 overlap the grooves 29 formed in the third surface 23A of the second support portion 23.
  • the second process P2, the third process P3, and the fourth process P4 in the manufacture of the semiconductor device A21 are similar to those in the manufacture of the semiconductor device A20, and therefore will not be described here.
  • the manufacturing method of the semiconductor device A20 includes a first process P1 of forming a first lead 20 having a pad portion 21 and a first support portion 22, a second process P2 of joining a semiconductor element 10 to the pad portion 21, a third process P3 of forming a sealing resin 50, and a fourth process P4 of cutting the first support portion 22.
  • the pad portion 21 is exposed from the bottom surface 52 of the sealing resin 50.
  • the dimension H2 in the first direction z of the sealing resin 50 from the bottom surface 52 to the second surface 22B of the first support portion 22 is made smaller than the dimension H1 in the first direction z of the sealing resin 50 from the top surface 51 of the sealing resin 50 to the first surface 22A of the first support portion 22.
  • the second surface 22B is supported by the support 81, and then a compressive force P is applied to the top surface 51 to cut the first support portion 22.
  • the first support portion 22 is formed with a first end surface 22C that faces one side of the second direction x and is exposed from the sealing resin 50. Therefore, with this configuration, even during the manufacture of the semiconductor device A20, it is possible to reduce the stress concentration in the sealing resin 50 that occurs when the first lead 20 is cut.
  • the manufacturing method for the semiconductor device A20 has a configuration in common with the manufacturing method for the semiconductor device A10, thereby achieving the same effects as the manufacturing method for the semiconductor device A10.
  • the first end 223 of the first support portion 22 has a first intermediate surface 223A.
  • the first intermediate surface 223A overlaps with the first main portion 221.
  • the first end surface 22C of the first support portion 22 is located between the first intermediate surface 223A and the first surface 22A in the first direction z.
  • the first intermediate surface 223A corresponds to a part of the inner circumferential surface 291 that defines the groove portion 29 formed in the first step P1.
  • Appendix 1 a first step of forming a first lead having a pad portion having a mounting surface facing one side in a first direction and a first support portion connected to one side of the pad portion in a second direction perpendicular to the first direction; a second step of bonding a semiconductor element to the mounting surface; a third step of forming a sealing resin that covers the pad portion, a portion of the first support portion, and the semiconductor element; and a fourth step of cutting the first support portion, the sealing resin has a top surface facing the same side as the mounting surface in the first direction and a bottom surface facing an opposite side to the top surface in the first direction, the first support portion has a first surface facing the same side as the mounting surface in the first direction, and a second surface facing an opposite side to the first surface in the first direction, In the third step, the sealing resin is formed so that a portion of each of the first surface and the second surface is covered with the sealing resin, the pad portion is exposed from the bottom surface,
  • Appendix 2. The method for manufacturing a semiconductor device described in Appendix 1, wherein in the third step, the sealing resin is formed so that a dimension of the sealing resin in the first direction from the bottom surface to the second surface is 50% or less of a dimension of the sealing resin in the first direction from the top surface to the first surface.
  • the first support portion has a first main portion including the first surface and the second surface, each of which is covered with the sealing resin, a first connecting portion connecting the first main portion and the pad portion, and a first end portion located on the opposite side of the first connecting portion with respect to the first main portion in the second direction and connected to the first main portion; the first end portion includes the first surface covered with the sealing resin and the first end surface formed in the fourth step, 2.
  • a recess recessed from the second surface is formed in the first support portion including the first end portion, 6.
  • a groove portion recessed from the first surface and extending in the third direction is formed in the first support portion, When viewed in the first direction, the groove portion overlaps the recessed portion, 7.
  • the first support portion has an inner circumferential surface that defines the groove portion, 8.
  • the first end face is connected to an outer edge of the inner circumferential surface.
  • a recessed portion recessed from one side in the third direction is formed in the first support portion including the first end portion, 5.
  • the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the recess is connected to a peripheral edge of the first surface. Appendix 10.
  • a groove portion recessed from the first surface and extending in the third direction is formed in the first support portion, the groove portion is located on an opposite side of the recessed portion from the first main portion in the second direction, 10.
  • Appendix 12. 12.
  • the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 11, wherein an inclination angle of the first connecting portion with respect to the mounting surface is 50° or less. Appendix 13.
  • the first lead has a second support portion located on an opposite side of the first support portion with respect to the pad portion in the second direction and connected to the pad portion;
  • the second support portion has a third surface facing the same side as the mounting surface in the first direction, and a fourth surface facing an opposite side to the third surface in the first direction
  • in the third step a portion of each of the third surface and the fourth surface is covered with the sealing resin, and the sealing resin is formed such that a dimension of the sealing resin from the bottom surface to the fourth surface in the first direction is smaller than a dimension of the sealing resin from the top surface to the third surface in the first direction;
  • the fourth surface is supported by the support body, and a load is applied to the top surface, thereby cutting the second support portion; 12.
  • a second end surface is formed on the second support portion, facing opposite the first end surface in the second direction and exposed from the sealing resin.
  • the sealing resin has a first side surface facing the same side as the first end surface in the second direction; the first side surface includes a first region including the first direction as an in-plane direction, a second region located between the first region and the top surface in the first direction, and a third region located on the opposite side of the second region with respect to the first region;
  • each of the second region and the third region is inclined with respect to the first region; 14.
  • Appendix 15. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 14, wherein in the third step, the sealing resin is formed so that an inclination angle of the second region relative to the first region is larger than an inclination angle of the third region relative to the first region. Appendix 16.
  • a first lead including a pad portion having a mounting surface facing one side in a first direction and a first support portion connected to one side of the pad portion in a second direction perpendicular to the first direction; a semiconductor element bonded to the mounting surface; a sealing resin that covers a portion of the first lead and the semiconductor element, the sealing resin has a top surface facing the same side as the mounting surface in the first direction, and a bottom surface facing an opposite side to the top surface in the first direction and from which the pad portion is exposed, the first support portion has a first surface facing the same side as the top surface in the first direction and covered with the sealing resin, a second surface facing an opposite side to the first surface in the first direction and covered with the sealing resin, and a first end surface facing the second direction and exposed from the sealing resin, a dimension of the sealing resin from the bottom surface to the second surface in the first direction is smaller than a dimension of the sealing resin from the top surface to the first surface in the first direction,
  • a semiconductor device wherein a cross-sectional area of the first support
  • a dimension of the first end surface in the first direction is smaller than a dimension of the first end surface in a third direction perpendicular to each of the first direction and the second direction;
  • the first support portion is provided with a recessed portion recessed from the second surface, 17.

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体装置の製造方法は、第１工程、第２工程、第３工程および第４工程を備える。前記第３工程では、封止樹脂の底面からパッド部を露出させる。前記第３工程では、前記底面から第１支持部の第２面に至る前記封止樹脂の第１方向の寸法を、前記封止樹脂の頂面から前記第１支持部の第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さくする。前記第４工程では、前記第２面を支持体に支持させた上で前記頂面に圧縮力を載荷させることにより前記第１支持部が切断される。前記第４工程では、前記第１支持部には、第２方向の一方側を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面が形成される。

Description

半導体装置の製造方法、および半導体装置
　本開示は、半導体装置の製造方法と、当該製造方法により得られる半導体装置とに関する。
　特許文献１に開示されている半導体装置のように、樹脂パッケージ形式の半導体装置が広く知られている。特許文献１に開示されている半導体装置は、半導体素子と、当該半導体素子に導通する第１リードと、当該半導体素子を搭載する第２リードと、当該半導体素子を覆う封止樹脂とを備える。第１リードおよび第２リードの各々は、封止樹脂から突出している。
　特許文献１に開示されている半導体装置の第２リードは、半導体素子が搭載される第２パッド部を有する。第２パッド部には、突起が設けられている。突起は、半導体素子に対向する第２パッド表面の法線方向に対して直交する方向に突出している。ここで、半導体装置の構成においては、リードフレームと第２リードとを連結する支持部材として、第２パッド部に設けられた突起を利用することがある。この場合の半導体装置の製造においては、封止樹脂を形成した後にリードフレームから突起を切り離す必要がある。この際、突起を含めた第２リードに荷重が作用するため、第２リードに接触する封止樹脂の部位により大きな応力が集中する。これにより、封止樹脂に亀裂が発生するおそれがある。
特開２０１８－６０９０８号公報
［概要］
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、先述の事情に鑑み、装置製造の際、リードの切断に伴って作用する封止樹脂の応力集中を低減することが可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、第１方向の一方側を向く搭載面を有するパッド部と、前記パッド部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側につながる第１支持部と、を有する第１リードを形成する第１工程と、前記搭載面に半導体素子を接合する第２工程と、前記パッド部および前記第１支持部の各々の一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第３工程と、前記第１支持部を切断する第４工程とを備える。前記封止樹脂は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く頂面と、前記第１方向において前記頂面とは反対側を向く底面とを有する。前記第１支持部は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く第１面と、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向く第２面とを有する。前記第３工程では、前記第１面および前記第２面の各々の一部が前記封止樹脂に覆われ、かつ前記底面から前記パッド部を露出させるとともに、前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さくなるように前記封止樹脂が形成される。前記第４工程では、前記第２面を支持体に支持させた上で前記頂面に圧縮力を載荷させることにより前記第１支持部が切断される。前記第４工程では、前記第１支持部には、前記第２方向の一方側を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面が形成される。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置は、第１方向の一方側を向く搭載面を有するパッド部と、前記パッド部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側につながる第１支持部とを有する第１リードと、前記搭載面に接合された半導体素子と、前記第１リードの一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備える。前記封止樹脂は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く頂面と、前記第１方向において前記頂面とは反対側を向くとともに、前記パッド部が露出する底面とを有する。前記第１支持部は、前記第１方向において前記頂面と同じ側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第１面と、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第２面と、前記第２方向を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面とを有する。前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法は、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さい。前記第１支持部の前記第２方向に対して直交する方向に沿った断面積は、前記パッド部が位置する側から前記第１端面にかけて縮小している。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の斜視図である。 図２は、図１に示す半導体装置の平面図である。 図３は、図２に対応する平面図であり、封止樹脂を透過して示している。 図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図５は、図４に対応する底面図であり、封止樹脂を透過して示している。 図６は、図１に示す半導体装置の正面図である。 図７は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図８は、図１に示す半導体装置の左側面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図５の部分拡大図である。 図１３は、図９の部分拡大図である。 図１４は、本開示の第１実施形態の変形例に係る半導体装置の部分拡大断面図である。 図１５は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１６は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１７は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１８は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図１９は、図１４に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２０は、図１４に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２１は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過して示している。 図２２は、図２１に示す半導体装置の底面図であり、封止樹脂を透過して示している。 図２３は、図２１のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２４は、図２１のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図２５は、図２２の部分拡大図である。 図２６は、図２３の部分拡大図である。 図２７は、本開示の第２実施形態の変形例に係る半導体装置の部分拡大断面図である。 図２８は、図２１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図２９は、図２１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図３０は、図２１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。 図３１は、図２７に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。
［詳細な説明］
　本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
　第１実施形態：
　図１～図１３に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、第１リード２０、複数の第２リード３０、複数のワイヤ４０、および封止樹脂５０を備える。半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。ただし、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＯＰに限定されない。ここで、図３および図５は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過して示している。図３および図５においては、封止樹脂５０の外形を想像線（二点鎖線）で示している。
　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、後述するパッド部２１の搭載面２１１の法線方向を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する方向を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘの各々に対して直交する方向を「第３方向ｙ」と呼ぶ。
　封止樹脂５０は、図９～図１１に示すように、半導体素子１０と、第１リード２０の一部と、複数の第２リード３０の各々の一部と、複数のワイヤ４０とを覆っている。封止樹脂５０は、絶縁体である。封止樹脂５０は、たとえばエポキシ樹脂を含む材料からなる。第１方向ｚに視て、封止樹脂５０は矩形状である。
　図６～図８に示すように、封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、第１側面５３、第２側面５４、および２つの第３側面５５を有する。
　図６～図８に示すように、頂面５１は、第１方向ｚの一方側を向く。頂面５１は、第１方向ｚにおいて後述するパッド部２１の搭載面２１１と同じ側を向く。底面５２は、第１方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。
　図６に示すように、第１側面５３は、頂面５１および底面５２につながるとともに、第２方向ｘの一方側を向く。第１側面５３は、第１領域５３１、第２領域５３２および第３領域５３３を含む。第１領域５３１は、面内方向として第１方向ｚを含む。第１方向ｚに視て、第１領域５３１は、頂面５１および底面５２の各々よりも外方に位置する。第２領域５３２は、第１方向ｚにおいて第１領域５３１と頂面５１との間に位置する。第３領域５３３は、第１領域５３１を基準として第２領域５３２とは反対側に位置する。第２領域５３２および第３領域５３３の各々は、第１領域５３１に対して傾斜している。第１領域５３１に対する第２領域５３２の傾斜角α１は、第１領域５３１に対する第３領域５３３の傾斜角β１よりも大きい。
　図６に示すように、第２側面５４は、頂面５１および底面５２につながるとともに、第２方向ｘにおいて第１側面５３とは反対側を向く。第２側面５４は、第４領域５４１、第５領域５４２および第６領域５４３を含む。第４領域５４１は、面内方向として第１方向ｚを含む。第１方向ｚに視て、第４領域５４１は、頂面５１および底面５２の各々よりも外方に位置する。第５領域５４２は、第１方向ｚにおいて第４領域５４１と頂面５１との間に位置する。第６領域５４３は、第４領域５４１を基準として第５領域５４２とは反対側に位置する。第５領域５４２および第６領域５４３の各々は、第４領域５４１に対して傾斜している。第４領域５４１に対する第５領域５４２の傾斜角α２は、第４領域５４１に対する第６領域５４３の傾斜角β２よりも大きい。
　図７および図８に示すように、２つの第３側面５５の各々は、頂面５１および底面５２につながるとともに、第３方向ｙにおいて互いに反対側を向く。２つの第３側面５５の各々は、第７領域５５１、第８領域５５２および第９領域５５３を含む。第７領域５５１は、面内方向として第１方向ｚを含む。第１方向ｚに視て、第７領域５５１は、頂面５１および底面５２の各々よりも外方に位置する。第８領域５５２は、第１方向ｚにおいて第７領域５５１と頂面５１との間に位置する。第９領域５５３は、第７領域５５１を基準として第８領域５５２とは反対側に位置する。第８領域５５２および第９領域５５３の各々は、第７領域５５１に対して傾斜している。第７領域５５１に対する第８領域５５２の傾斜角α３は、第７領域５５１に対する第９領域５５３の傾斜角β３と等しい。
　第１リード２０、および複数の第２リード３０は、いずれも銅（Ｃｕ）を含む。第１リード２０、および複数の第２リード３０は、同一のリードフレームから得られる。
　第１リード２０は、図３、および図９～図１１に示すように、半導体素子１０を搭載している。第１リード２０は、パッド部２１、第１支持部２２、第２支持部２３、第３支持部２４および第４支持部２５を有する。
　図３、および図９～図１１に示すように、パッド部２１は、半導体素子１０を搭載している。第１方向ｚに視て、第１リード２０は矩形状である。パッド部２１は、搭載面２１１および露出面２１２を有する。搭載面２１１は、第１方向ｚの一方側を向く。半導体素子１０は、搭載面２１１に搭載されている。露出面２１２は、第１方向ｚにおいて搭載面２１１とは反対側を向く。露出面２１２は、封止樹脂５０の底面５２から露出している。
　図３、図５および図９に示すように、第１支持部２２は、パッド部２１の第２方向ｘの一方側につながっている。第１支持部２２は、封止樹脂５０の第２側面５４よりも封止樹脂５０の第１側面５３の近くに位置する。第１支持部２２は、第１面２２Ａ、第２面２２Ｂおよび第１端面２２Ｃを有する。第１面２２Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２１１と同じ側を向く。第２面２２Ｂは、第１方向ｚにおいて第１面２２Ａとは反対側を向く。第１面２２Ａおよび第２面２２Ｂは、封止樹脂５０に覆われている。第１端面２２Ｃは、第２方向ｘの一方側を向く。第１端面２２Ｃは、第１側面５３の第１領域５３１から露出している。
　図９に示すように、封止樹脂５０の底面５２から第２面２２Ｂに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ２は、封止樹脂５０の頂面５１から第１面２２Ａに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ１よりも小さい。この場合において、寸法Ｈ２は、寸法Ｈ１の５０％以下であることが好ましい。第２面２２Ｂの第２方向ｘの寸法Ｌ１は、第２方向ｘの一方側でパッド部２１の露出面２１２に隣接しており、かつ第１方向ｚに視て第２面２２Ｂに重なる底面５２の領域の第２方向ｘの寸法Ｄ１の５０％以上である。
　図３、図５および図９に示すように、第１支持部２２は、第１主部２２１、第１連結部２２２および第１端部２２３を有する。第１主部２２１は、第１面２２Ａおよび第２面２２Ｂを含む。第１連結部２２２は、第１主部２２１とパッド部２１とにつながっている。第１連結部２２２は、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に搭載面２１１に対して傾斜している。搭載面２１１に対する第１連結部２２２の傾斜角γ１は、５０°以下であることが好ましい。第１端部２２３は、第２方向ｘにおいて第１主部２２１を基準として第１連結部２２２とは反対側に位置しており、かつ第１主部２２１につながっている。第１端部２２３は、第１面２２Ａ、第２面２２Ｂおよび第１端面２２Ｃを含む。
　図５および図９に示すように、第１支持部２２の第１端部２２３には、第２面２２Ｂから凹む第１陥入部２２４が設けられている。第１陥入部２２４は、第１主部２２１および第１端面２２Ｃにつながっている。半導体装置Ａ１０においては、第１端部２２３に第１陥入部２２４が設けられることにより、第１端部２２３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積は、第１主部２２１から第１端面２２Ｃにかけて縮小している。
　図１３に示すように、第１支持部２２においては、第１端部２２３の第１陥入部２２４は、封止樹脂５０に接している。第１陥入部２２４の第２方向ｘの寸法は、第１支持部２２の第２面２２Ｂの寸法Ｌ１よりも小さい。第１端面２２Ｃは、封止樹脂５０の第１側面５３の第１領域５３１と面一である。
　図１２および図１３に示すように、第１端面２２Ｃの第３方向ｙの寸法ｂは、第１端面２２Ｃの第１方向ｚの寸法ｈと異なる。半導体装置Ａ１０においては、寸法ｈは、寸法ｂよりも小さい。
　図３、図５および図９に示すように、第２支持部２３は、第２方向ｘにおいてパッド部２１を基準として第１支持部２２とは反対側に位置しており、かつパッド部２１につながっている。第２支持部２３は、封止樹脂５０の第１側面５３よりも封止樹脂５０の第２側面５４の近くに位置する。第２支持部２３は、第３面２３Ａ、第４面２３Ｂおよび第２端面２３Ｃを有する。第３面２３Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２１１と同じ側を向く。第４面２３Ｂは、第１方向ｚにおいて第３面２３Ａとは反対側を向く。第３面２３Ａおよび第４面２３Ｂは、封止樹脂５０に覆われている。第２端面２３Ｃは、第２方向ｘにおいて第１支持部２２の第１端面２２Ｃとは反対側を向く。第２端面２３Ｃは、第２側面５４の第４領域５４１から露出している。
　図９に示すように、封止樹脂５０の底面５２から第４面２３Ｂに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ４は、封止樹脂５０の頂面５１から第３面２３Ａに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ３よりも小さい。この場合において、寸法Ｈ４は、寸法Ｈ３の５０％以下であることが好ましい。第４面２３Ｂの第２方向ｘの寸法Ｌ２は、第２方向ｘの一方側でパッド部２１の露出面２１２に隣接しており、かつ第１方向ｚに視て第４面２３Ｂに重なる底面５２の領域の第２方向ｘの寸法Ｄ２の５０％以上である。
　図３、図５および図９に示すように、第２支持部２３は、第２主部２３１、第２連結部２３２および第２端部２３３を有する。第２主部２３１は、第３面２３Ａおよび第４面２３Ｂを含む。第２連結部２３２は、第２主部２３１とパッド部２１とにつながっている。第２連結部２３２は、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に搭載面２１１に対して傾斜している。搭載面２１１に対する第２連結部２３２の傾斜角γ２は、５０°以下であることが好ましい。第２端部２３３は、第２方向ｘにおいて第２主部２３１を基準として第２連結部２３２とは反対側に位置しており、かつ第２主部２３１につながっている。第２端部２３３は、第３面２３Ａ、第４面２３Ｂおよび第２端面２３Ｃを含む。
　図５および図９に示すように、第２支持部２３の第２端部２３３には、第４面２３Ｂから凹む第２陥入部２３４が設けられている。第２陥入部２３４は、第２主部２３１および第２端面２３Ｃにつながっている。半導体装置Ａ１０においては、第２端部２３３に第２陥入部２３４が設けられることにより、第２端部２３３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積は、第２主部２３１から第２端面２３Ｃにかけて縮小している。
　パッド部２１の第２方向ｘの寸法は、第１支持部２２および第２支持部２３の各々の第２方向ｘの寸法の１０倍以上である。
　図３、図５および図１０に示すように、第３支持部２４は、第２方向ｘにおいてパッド部２１を基準として第１支持部２２と同じ側に位置しており、かつパッド部２１につながっている。第３支持部２４は、第３方向ｙにおいて第１支持部２２から離れている。第３支持部２４は、第５面２４Ａ、第６面２４Ｂおよび第３端面２４Ｃを有する。第５面２４Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２１１と同じ側を向く。第６面２４Ｂは、第１方向ｚにおいて第５面２４Ａとは反対側を向く。第５面２４Ａおよび第６面２４Ｂは、封止樹脂５０に覆われている。第３端面２４Ｃは、第２方向ｘにおいて第１支持部２２の第１端面２２Ｃと同じ側を向く。第３端面２４Ｃは、封止樹脂５０の第１側面５３の第１領域５３１から露出している。
　図１０に示すように、封止樹脂５０の底面５２から第６面２４Ｂに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ６は、封止樹脂５０の頂面５１から第５面２４Ａに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ５よりも小さい。この場合において、寸法Ｈ６は、寸法Ｈ５の５０％以下であることが好ましい。第６面２４Ｂの第２方向ｘの寸法Ｌ３は、第２方向ｘの一方側でパッド部２１の露出面２１２に隣接しており、かつ第１方向ｚに視て第６面２４Ｂに重なる底面５２の領域の第２方向ｘの寸法Ｄ１の５０％以上である。
　図３、図５および図１０に示すように、第３支持部２４は、第３主部２４１、第３連結部２４２および第３端部２４３を有する。第３主部２４１は、第５面２４Ａおよび第６面２４Ｂを含む。第３連結部２４２は、第３主部２４１とパッド部２１とにつながっている。第３連結部２４２は、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に搭載面２１１に対して傾斜している。搭載面２１１に対する第３連結部２４２の傾斜角γ３は、５０°以下であることが好ましい。第３端部２４３は、第２方向ｘにおいて第３主部２４１を基準として第３連結部２４２とは反対側に位置しており、かつ第３主部２４１につながっている。第３端部２４３は、第５面２４Ａ、第６面２４Ｂおよび第３端面２４Ｃを含む。
　図５および図１０に示すように、第３支持部２４の第３端部２４３には、第６面２４Ｂから凹む第３陥入部２４４が設けられている。第３陥入部２４４は、第３主部２４１および第３端面２４Ｃにつながっている。半導体装置Ａ１０においては、第３端部２４３に第３陥入部２４４が設けられることにより、第３端部２４３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積は、第３主部２４１から第３端面２４Ｃにかけて縮小している。
　図３、図５および図１０に示すように、第４支持部２５は、第２方向ｘにおいてパッド部２１を基準として第２支持部２３と同じ側に位置しており、かつパッド部２１につながっている。第４支持部２５は、第３方向ｙにおいて第２支持部２３から離れている。第４支持部２５は、第７面２５Ａ、第８面２５Ｂおよび第４端面２５Ｃを有する。第７面２５Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２１１と同じ側を向く。第８面２５Ｂは、第１方向ｚにおいて第７面２５Ａとは反対側を向く。第７面２５Ａおよび第８面２５Ｂは、封止樹脂５０に覆われている。第４端面２５Ｃは、第２方向ｘにおいて第２支持部２３の第２端面２３Ｃと同じ側を向く。第４端面２５Ｃは、封止樹脂５０の第２側面５４の第４領域５４１から露出している。
　図１０に示すように、封止樹脂５０の底面５２から第８面２５Ｂに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ８は、封止樹脂５０の頂面５１から第７面２５Ａに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ７よりも小さい。この場合において、寸法Ｈ８は、寸法Ｈ７の５０％以下であることが好ましい。第８面２５Ｂの第２方向ｘの寸法Ｌ４は、第２方向ｘの一方側でパッド部２１の露出面２１２に隣接しており、かつ第１方向ｚに視て第８面２５Ｂに重なる底面５２の領域の第２方向ｘの寸法Ｄ２の５０％以上である。
　図３、図５および図１０に示すように、第４支持部２５は、第４主部２５１、第４連結部２５２および第４端部２５３を有する。第４主部２５１は、第７面２５Ａおよび第８面２５Ｂを含む。第４連結部２５２は、第４主部２５１とパッド部２１とにつながっている。第４連結部２５２は、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に搭載面２１１に対して傾斜している。搭載面２１１に対する第４連結部２５２の傾斜角γ４は、５０°以下であることが好ましい。第４端部２５３は、第２方向ｘにおいて第４主部２５１を基準として第４連結部２５２とは反対側に位置しており、かつ第４主部２５１につながっている。第４端部２５３は、第７面２５Ａ、第８面２５Ｂおよび第４端面２５Ｃを含む。
　図５および図１０に示すように、第４支持部２５の第４端部２５３には、第８面２５Ｂから凹む第４陥入部２５４が設けられている。第４陥入部２５４は、第４主部２５１および第４端面２５Ｃにつながっている。半導体装置Ａ１０においては、第４端部２５３に第４陥入部２５４が設けられることにより、第４端部２５３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積は、第４主部２５１から第４端面２５Ｃにかけて縮小している。
　半導体素子１０は、図３、および図９～図１１に示すように、第１リード２０のパッド部２１に搭載されている。半導体素子１０は、半導体装置Ａ１０の機能を司る。半導体素子１０は、ＩＣまたはＬＳＩなど、種類は限定されない。半導体素子１０は、接合層１９を介してパッド部２１の搭載面２１１に接合されている。接合層１９は、金属粒子を含むペーストからなる。当該金属粒子は、たとえば銀（Ａｇ）である。したがって、接合層１９は、導電体である。この他、接合層１９は、ハンダでもよい。
　図３および図１１に示すように、半導体素子１０は、素子面１１、および複数の電極１２を有する。素子面１１は、第１方向ｚにおいてパッド部２１の搭載面２１１と同じ側を向く。素子面１１は、第１方向ｚにおいて封止樹脂５０の頂面５１と、第１支持部２２の第１面２２Ａ、第２支持部２３の第３面２３Ａ、第３支持部２４の第５面２４Ａ、および第４支持部２５の第７面２５Ａとの間に位置する。これにより、第１方向ｚに対して直交する方向に視て、半導体素子１０は、第１支持部２２、第２支持部２３、第３支持部２４および第４支持部２５の各々から第１方向ｚに突出する部分を含む。複数の電極１２は、素子面１１の上に設けられている。複数の電極１２の各々は、半導体素子１０に構成された回路に導通している。
　複数の第２リード３０は、図３および図５に示すように、第１リード２０の第３方向ｙの両側に配置されている。複数の第２リード３０の各々は、半導体素子１０に導通している。複数の第２リード３０は、複数の第１端子３０Ａ、および複数の第２端子３０Ｂを含む。複数の第１端子３０Ａは、第１リード２０の第３方向ｙの一方側に位置する。複数の第１端子３０Ａは、第２方向ｘに沿って配列されている。複数の第１端子３０Ａの各々は、封止樹脂５０の２つの第３側面５５のうち一方の第３側面５５の第７領域５５１から突出している。複数の第２端子３０Ｂは、第３方向ｙにおいて第１リード２０を基準として複数の第１端子３０Ａとは反対側に位置する。複数の第２端子３０Ｂは、第２方向ｘに沿って配列されている。複数の第２端子３０Ｂの各々は、２つの第３側面５５のうち他方の第３側面５５の第７領域５５１から突出している。
　図３および図５に示すように、複数の第２リード３０の各々は、インナ部３１およびアウタ部３２を有する。インナ部３１は、封止樹脂５０に覆われている。図３および図１１に示すように、複数の第２リード３０の各々のインナ部３１は、接続面３１１を有する。接続面３１１は、第１方向ｚにおいてパッド部２１の搭載面２１１と同じ側を向く。接続面３１１は、第１方向ｚにおいて搭載面２１１と封止樹脂５０の頂面５１との間に位置する。半導体装置Ａ１０においては、接続面３１１は、第１方向ｚにおいて搭載面２１１と半導体素子１０の素子面１１との間に位置する。さらに半導体装置Ａ１０においては、複数の第２リード３０の各々の接続面３１１、第１支持部２２の第１面２２Ａ、第２支持部２３の第３面２３Ａ、第３支持部２４の第５面２４Ａ、および第４支持部２５の第７面２５Ａは、いずれも同一の面内に含まれる。
　図３および図５に示すように、アウタ部３２は、対応する複数の第２リード３０のいずれかのインナ部３１につながっている。アウタ部３２は、封止樹脂５０の２つの第３側面５５のいずれかの第７領域５５１から突出している。アウタ部３２の表面には、たとえば錫めっきが施されている。第１方向ｚに視て、アウタ部３２は、第３方向ｙに延びている。第２方向ｘに視て、アウタ部３２は、ガルウィング状に屈曲している。
　図５および図１１に示すように、複数の第２リード３０の各々のアウタ部３２は、実装面３２１を有する。実装面３２１は、封止樹脂５０から露出している。第１方向ｚにおいて、実装面３２１は、対応するインナ部３１の接続面３１１とは反対側を向き、かつ対応するインナ部３１の接続面３１１から最も遠くに位置する。実装面３２１は、封止樹脂５０の底面５２を含む面内から突出している。実装面３２１は、底面５２に対して傾斜している。
　複数のワイヤ４０の各々は、図３および図１１に示すように、半導体素子１０の複数の電極１２と、複数の第２リード３０の各々の接続面３１１とに個別に導電接合されている。これにより、複数の第２リード３０の各々は、半導体素子１０に導通している。複数のワイヤ４０は、たとえば金（Ａｕ）を含む。この他、複数のワイヤ４０は、アルミニウム（Ａｌ）、または銅を含むものでもよい。
　次に、図１４に基づき、本開示の第１実施形態の変形例に係る半導体装置Ａ１１について説明する。図１４は、半導体装置Ａ１０を示す図１３に対応している。半導体装置Ａ１１においては、第１リード２０の第１支持部２２の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図１４に示すように、第１端部２２３は、第２方向ｘにおいて第１面２２Ａと第１端面２２Ｃとの間に位置しており、かつ第１面２２Ａにつながる第１中間面２２３Ａを有する。第２方向ｘに視て、第１中間面２２３Ａは、第１主部２２１に重なっている。第１端面２２Ｃは、第１方向ｚにおいて第１中間面２２３Ａと第２陥入部２３４との間に位置する。第１中間面２２３Ａの第２方向ｘの寸法は、第２陥入部２３４の第２方向ｘの寸法よりも大きい。第１中間面２２３Ａは、第１方向ｚにおいて第１端部２２３の内方に向けて第１面２２Ａに対して傾斜しており、かつ第１端面２２Ｃにもつながっている。第１中間面２２３Ａは、封止樹脂５０に覆われている。
　次に、図１５～図１８に基づき、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。図１５～図１８は、半導体装置Ａ１０を示す図９に対応している。
　まず、図１５に示すように、パッド部２１、第１支持部２２および第２支持部２３を有する第１リード２０を形成する第１工程Ｐ１を行う。第１工程Ｐ１は、第１リード２０、および複数の第２リード３０を含むリードフレームの形成に伴って行われる。半導体装置Ａ１０の製造方法の説明においては、第１リード２０の第３支持部２４および第４支持部２５の形成についての説明を省略する。第１工程Ｐ１では、第１陥入部２２４を第１支持部２２の第１端部２２３に形成することにより、第１端部２２３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積を、第１支持部２２の第１主部２２１から第１端面２２Ｃにかけて縮小させる。あわせて、第２陥入部２３４を第２支持部２３の第２端部２３３に形成することにより、第２端部２３３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積を、第２支持部２３の第２主部２３１から第２端面２３Ｃにかけて縮小させる。
　さらに図１５に示すように、第１工程Ｐ１では、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に、第１支持部２２の第１連結部２２２を搭載面２１１に対して傾斜させる。あわせて、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に、第２支持部２３の第２連結部２３２を搭載面２１１に対して傾斜させる。搭載面２１１に対する第１連結部２２２および第２連結部２３２の各々の傾斜角γ１，γ２は、それぞれ５０°以下とすることが好ましい。
　次いで、図１６に示すように、パッド部２１の搭載面２１１に半導体素子１０を接合する第２工程Ｐ２を行う。第２工程Ｐ２では、接合層１９を介して半導体素子１０を搭載面２１１に接合する。その後、図示は省略するが、半導体素子１０の複数の電極１２と、複数の第２リード３０の各々の接続面３１１とに個別に導電接合された複数のワイヤ４０をワイヤボンディングにより形成する。
　次いで、図１７に示すように、パッド部２１、第１支持部２２および第２支持部２３の各々の一部と、半導体素子１０とを覆う封止樹脂５０を形成する第３工程Ｐ３を行う。封止樹脂５０は、トランスファモールド成形により形成される。第３工程Ｐ３では、第１支持部２２の第１面２２Ａおよび第２面２２Ｂの各々の一部と、第２支持部２３の第３面２３Ａおよび第４面２３Ｂの各々の一部とが封止樹脂５０に覆われるようにする。この場合において、第１支持部２２に形成された第１陥入部２２４の少なくとも一部と、第２支持部２３に形成された第２陥入部２３４の少なくとも一部とが、封止樹脂５０に覆われる。あわせて、パッド部２１の露出面２１２を底面５２から露出させる。さらに、図９に示す寸法Ｈ２が寸法Ｈ１よりも小さくなるようにする。あわせて、図９に示す寸法Ｈ４が寸法Ｈ３よりも小さくなるようにする。
　さらに図１７に示すように、第３工程Ｐ３では、封止樹脂５０の第１側面５３の第１領域５３１から第１支持部２２を突出させる。この際、第１領域５３１に対する第１側面５３の第２領域５３２の傾斜角α１を、第１領域５３１に対する第１側面５３の第３領域５３３の傾斜角β１よりも大きくする。あわせて、封止樹脂５０の第２側面５４の第４領域５４１から第２支持部２３を突出させる。この際、第４領域５４１に対する第２側面５４の第５領域５４２の傾斜角α２を、第４領域５４１に対する第２側面５４の第６領域５４３の傾斜角β２よりも大きくする。
　次いで、図１８に示すように、第１支持部２２および第２支持部２３の各々を切断する第４工程Ｐ４を行う。第４工程Ｐ４では、第１支持部２２の第２面２２Ｂと、第２支持部２３の第４面２３Ｂとを支持体８１に支持させる。その後、載荷体８２により封止樹脂５０の頂面５１に圧縮力Ｐを作用させることによって、第１支持部２２および第２支持部２３の各々を切断する。第４工程Ｐ４では、第１支持部２２の切断面に相当する第１端面２２Ｃが第１端部２２３に形成される。あわせて、第２支持部２３の切断面に相当する第２端面２３Ｃが第２端部２３３に形成される。第１支持部２２は、第１陥入部２２４を起点として切断される。第２支持部２３は、第２陥入部２３４を起点として切断される。以上の工程を経ることにより、半導体装置Ａ１０が得られる。
　次に、図１９および図２０に基づき、半導体装置Ａ１１の製造方法の一例について説明する。図１９および図２０は、半導体装置Ａ１０を示す図９に対応している。
　図１９に示すように、半導体装置Ａ１１の製造に係る第１工程Ｐ１では、第１支持部２２の第１面２２Ａ、および第２支持部２３の第３面２３Ａの各々から凹む溝部２９を、第１支持部２２および第２支持部２３に形成する。第１方向ｚに視て、第１支持部２２に形成された溝部２９は、第１陥入部２２４に重なるようにする。あわせて、第１方向ｚに視て、第２支持部２３に形成された溝部２９は、第２陥入部２３４に重なるようにする。半導体装置Ａ１１の製造に係る第２工程Ｐ２および第３工程Ｐ３は、半導体装置Ａ１０の製造の場合と同様であるため、ここでの説明を省略する。
　図２０に示すように、半導体装置Ａ１１の製造に係る第４工程Ｐ４では、第１支持部２２は、第１陥入部２２４および溝部２９の双方を起点として切断される。第２支持部２３は、第２陥入部２３４および溝部２９の双方を起点として切断される。第１支持部２２において、溝部２９を規定する内周面２９１の一部が第１端部２２３の第１中間面２２３Ａに相当する。
　次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ１０の製造方法は、パッド部２１および第１支持部２２を有する第１リード２０を形成する第１工程Ｐ１と、パッド部２１に半導体素子１０を接合する第２工程Ｐ２と、封止樹脂５０を形成する第３工程Ｐ３と、第１支持部２２を切断する第４工程Ｐ４とを備える。第３工程Ｐ３では、封止樹脂５０の底面５２からパッド部２１を露出させる。第３工程Ｐ３では、底面５２から第１支持部２２の第２面２２Ｂに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ２を、封止樹脂５０の頂面５１から第１支持部２２の第１面２２Ａに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ１よりも小さくする。第４工程Ｐ４では、第２面２２Ｂを支持体８１に支持させた上で頂面５１に圧縮力Ｐを載荷させることにより第１支持部２２が切断される。第４工程Ｐ４では、第１支持部２２には、第２方向ｘの一方側を向き、かつ封止樹脂５０から露出する第１端面２２Ｃが形成される。本構成をとることにより、図１８に示す第４工程Ｐ４において、第１支持部２２の切断に伴って第１支持部２２から封止樹脂５０に作用する圧縮応力の集中が低減される。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ１０の製造の際、第１リード２０の切断に伴って作用する封止樹脂５０の応力集中を低減することが可能となる。
　第１工程Ｐ１では、第１支持部２２の第１端部２２３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積を、第１主部２２１から第１端面２２Ｃにかけて縮小させる。本構成をとることにより、第１端面２２Ｃの面積が縮小されるため、図１８に示す第４工程Ｐ４において、第１支持部２２の切断が円滑となる。
　半導体装置Ａ１０の製造に係る第１工程Ｐ１では、第２面２２Ｂから凹む第１陥入部２２４が第１端部２２３を含む第１支持部２２に形成される。第１陥入部２２４は、第１主部２２１につながっている。本構成をとることにより、図１８に示す第４工程Ｐ４において、封止樹脂５０の頂面５１に圧縮力Ｐが作用した状態で第１陥入部２２４を起点として第１支持部２２が切断されるため、第１支持部２２の切断がより円滑となる。さらに、第１支持部２２の第１端面２２Ｃの第１方向ｚの寸法ｈを、第１端面２２Ｃの第３方向ｙの寸法ｂよりもさらに小さくすることができる。これにより、第１端面２２Ｃの第３方向ｙの回りの断面二次モーメントがさらに小さくなる。
　第１工程Ｐ１では、第１支持部２２の第１連結部２２２は、第２方向ｘにおいてパッド部２１から遠ざかる側に搭載面２１１に対して傾斜させる。本構成をとることにより、図１８に示す第４工程Ｐ４において、第１支持部２２の切断に伴って第１支持部２２から封止樹脂５０に作用する圧縮応力の集中がさらに低減される。これにより、第１リード２０の切断に伴って作用する封止樹脂５０の応力集中をさらに低減できる。
　第３工程Ｐ３では、封止樹脂５０において、第１側面５３の第１領域５３１に対する第１側面５３の第２領域５３２の傾斜角α１を、第１領域５３１に対する第１側面５３の第３領域５３３の傾斜角β１よりも大きい。本構成をとることにより、図１９に示す第３工程Ｐ３において、図９に示す寸法Ｈ１が寸法Ｈ２よりも大きい関係であっても、成形金型の引き抜きに伴って封止樹脂５０に欠損が発生することを抑制できる。
　第２実施形態：
　図２１～図２６に基づき、本開示の第２実施形態に係る半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２１および図２２は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過して示している。図２１および図２２においては、封止樹脂５０の外形を想像線で示している。
　半導体装置Ａ２０においては、第１リード２０の第１支持部２２、第２支持部２３、第３支持部２４および第４支持部２５の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図２１および図２２に示すように、第１端部２２３には、第３方向ｙの両側から個別に凹む２つの第１陥入部２２４が設けられている。２つの第１陥入部２２４の各々は、第１端部２２３の第１面２２Ａの周縁と、第１端部２２３の第２面２２Ｂの周縁とにつながっている。第２端部２３３には、第３方向ｙの両側から個別に凹む２つの第２陥入部２３４が設けられている。２つの第２陥入部２３４の各々は、第２端部２３３の第３面２３Ａの周縁と、第２端部２３３の第４面２３Ｂの周縁とにつながっている。
　図２１および図２２に示すように、第３端部２４３には、第３方向ｙの両側から個別に凹む２つの第３陥入部２４４が設けられている。２つの第３陥入部２４４の各々は、第３端部２４３の第５面２４Ａの周縁と、第３端部２４３の第６面２４Ｂの周縁とにつながっている。第４端部２５３には、第３方向ｙの両側から個別に凹む２つの第４陥入部２５４が設けられている。２つの第４陥入部２５４の各々は、第４端部２５３の第７面２５Ａの周縁と、第４端部２５３の第８面２５Ｂの周縁とにつながっている。
　図２５および図２６に示すように、第１端部２２３は、第２方向ｘにおいて第２面２２Ｂと第１端面２２Ｃとの間に位置しており、かつ第２面２２Ｂにつながる第１中間面２２３Ａを有する。第２方向ｘに視て、第１中間面２２３Ａは、第１主部２２１に重なっている。第１端面２２Ｃは、第１方向ｚにおいて第１中間面２２３Ａと第１面２２Ａとの間に位置する。第１中間面２２３Ａの第２方向ｘの寸法は、第１端部２２３の第２面２２Ｂの寸法Ｌ１よりも小さい。第１中間面２２３Ａは、第１方向ｚにおいて第１端部２２３の内方に向けて第２面２２Ｂに対して傾斜しており、かつ第１端面２２Ｃにもつながっている。第１中間面２２３Ａは、封止樹脂５０に覆われている。第１端面２２Ｃは、第２方向ｘにおいてパッド部２１が位置する側に封止樹脂５０の第１側面５３の第１領域５３１から離れている。
　次に、図２７に基づき、本開示の第２実施形態の変形例に係る半導体装置Ａ２１について説明する。図２７は、半導体装置Ａ２０を示す図２６に対応している。半導体装置Ａ２１においては、第１リード２０の第１支持部２２の構成が半導体装置Ａ２０の当該構成と異なる。
　図２７に示すように、第１端部２２３は、第２方向ｘにおいて第１面２２Ａと第１端面２２Ｃとの間に位置しており、かつ第１面２２Ａにつながる第２中間面２２３Ｂを有する。第２方向ｘに視て、第２中間面２２３Ｂは、第１主部２２１に重なっている。第１端面２２Ｃは、第１方向ｚにおいて第１中間面２２３Ａと第２中間面２２３Ｂとの間に位置する。第２中間面２２３Ｂの第２方向ｘの寸法は、第２方向ｘにおける第１端部２２３の第１面２２Ａの寸法よりも小さい。第２中間面２２３Ｂは、第１方向ｚにおいて第１端部２２３の内方に向けて第１面２２Ａに対して傾斜しており、かつ第１端面２２Ｃにもつながっている。第２中間面２２３Ｂは、封止樹脂５０に覆われている。
　次に、図２８～図３０に基づき、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例について説明する。図２８～図３０は、半導体装置Ａ２０を示す図２３に対応している。
　まず、図２８に示すように、パッド部２１、第１支持部２２および第２支持部２３を有する第１リード２０を形成する第１工程Ｐ１を行う。第１工程Ｐ１では、２つの第１陥入部２２４を第１支持部２２の第１端部２２３に形成することにより、第１端部２２３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積を、第１支持部２２の第１主部２２１から第１端面２２Ｃにかけて縮小させる。あわせて、２つの第２陥入部２３４を第２支持部２３の第２端部２３３に形成することにより、第２端部２３３の第２方向ｘに対して直交する方向に沿った断面積を、第２支持部２３の第２主部２３１から第２端面２３Ｃにかけて縮小させる。
　図２８に示すように、第１工程Ｐ１では、第１支持部２２の第２面２２Ｂ、および第２支持部２３の第４面２３Ｂの各々から凹む溝部２９を、第１支持部２２および第２支持部２３に形成する。溝部２９は、第３方向ｙに延びている。溝部２９は、第２面２２Ｂおよび第４面２３Ｂのいずれかにつながる内周面２９１により規定されている。第１支持部２２に形成された溝部２９は、第２方向ｘにおいて２つの第１陥入部２２４を基準として第１主部２２１とは反対側に位置する。第２支持部２３に形成された溝部２９は、第２方向ｘにおいて２つの第２陥入部２３４を基準として第２主部２３１とは反対側に位置する。
　次いで、パッド部２１の搭載面２１１に半導体素子１０を接合する第２工程Ｐ２を行う。第２工程Ｐ２は、図１６に示す半導体装置Ａ１０の製造に係る第２工程Ｐ２と同様であるため、ここでの説明を省略する。
　次いで、図２９に示すように、パッド部２１、第１支持部２２および第２支持部２３の各々の一部と、半導体素子１０とを覆う封止樹脂５０を形成する第３工程Ｐ３を行う。第３工程Ｐ３では、第１支持部２２および第２支持部２３に形成された溝部２９が封止樹脂に覆われる。
　次いで、図３０に示すように、第１支持部２２および第２支持部２３の各々を切断する第４工程Ｐ４を行う。第１支持部２２および第２支持部２３の各々は、溝部２９を起点として切断される。第１支持部２２において、溝部２９を規定する内周面２９１の一部が第１端部２２３の第１中間面２２３Ａに相当する。以上の工程を経ることにより、半導体装置Ａ２０が得られる。
　次に、図３１に基づき、半導体装置Ａ２１の製造方法の一例について説明する。図３１は、半導体装置Ａ２０を示す図２３に対応している。
　図３１に示すように、半導体装置Ａ２１の製造に係る第１工程Ｐ１では、第１支持部２２の第１面２２Ａおよび第２面２２Ｂと、第２支持部２３の第３面２３Ａおよび第４面２３Ｂとの各々から凹む溝部２９を、第１支持部２２および第２支持部２３に形成する。第１方向ｚに視て、第１支持部２２の第２面２２Ｂに形成された溝部２９は、第１支持部２２の第１面２２Ａに形成された溝部２９に重なるようにする。あわせて、第１方向ｚに視て、第２支持部２３の第４面２３Ｂに形成された溝部２９は、第２支持部２３の第３面２３Ａに形成された溝部２９に重なるようにする。半導体装置Ａ２１の製造に係る第２工程Ｐ２、第３工程Ｐ３および第４工程Ｐ４は、半導体装置Ａ２０の製造の場合と同様であるため、ここでの説明を省略する。
　次に、半導体装置Ａ２０の製造方法の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ２０の製造方法は、パッド部２１および第１支持部２２を有する第１リード２０を形成する第１工程Ｐ１と、パッド部２１に半導体素子１０を接合する第２工程Ｐ２と、封止樹脂５０を形成する第３工程Ｐ３と、第１支持部２２を切断する第４工程Ｐ４とを備える。第３工程Ｐ３では、封止樹脂５０の底面５２からパッド部２１を露出させる。第３工程Ｐ３では、底面５２から第１支持部２２の第２面２２Ｂに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ２を、封止樹脂５０の頂面５１から第１支持部２２の第１面２２Ａに至る封止樹脂５０の第１方向ｚの寸法Ｈ１よりも小さくする。第４工程Ｐ４では、第２面２２Ｂを支持体８１に支持させた上で頂面５１に圧縮力Ｐを載荷させることにより第１支持部２２が切断される。第４工程Ｐ４では、第１支持部２２には、第２方向ｘの一方側を向き、かつ封止樹脂５０から露出する第１端面２２Ｃが形成される。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ２０の製造の際においても、第１リード２０の切断に伴って作用する封止樹脂５０の応力集中を低減することが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０の製造方法においては、半導体装置Ａ１０の製造方法と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０の製造方法と同等の作用効果を奏する。
　第１支持部２２の第１端部２２３は、第１中間面２２３Ａを有する。第２方向ｘに視て、第１中間面２２３Ａは、第１主部２２１に重なっている。第１支持部２２の第１端面２２Ｃは、第１方向ｚにおいて第１中間面２２３Ａと第１面２２Ａとの間に位置する。第１中間面２２３Ａは、第１工程Ｐ１で形成される溝部２９を規定する内周面２９１の一部に相当する。本構成をとることにおり、第１支持部２２の第１端面２２Ｃの第１方向ｚの寸法ｈを、第１端面２２Ｃの第３方向ｙの寸法ｂよりもより小さくすることができる。これにより、第１端面２２Ｃの第３方向ｙの回りの断面二次モーメントがより小さくなるため、図３０に示す第４工程Ｐ４において、第１支持部２２の切断がより円滑となる。
　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　第１方向の一方側を向く搭載面を有するパッド部と、前記パッド部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側につながる第１支持部と、を有する第１リードを形成する第１工程と、
　前記搭載面に半導体素子を接合する第２工程と、
　前記パッド部および前記第１支持部の各々の一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第３工程と、
　前記第１支持部を切断する第４工程と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く頂面と、前記第１方向において前記頂面とは反対側を向く底面と、を有し、
　前記第１支持部は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く第１面と、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向く第２面と、を有し、
　前記第３工程では、前記第１面および前記第２面の各々の一部が前記封止樹脂に覆われ、かつ前記底面から前記パッド部を露出させるとともに、前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さくなるように前記封止樹脂が形成され、
　前記第４工程では、前記第２面を支持体に支持させた上で前記頂面に圧縮力を載荷させることにより前記第１支持部が切断され、
　前記第４工程では、前記第１支持部には、前記第２方向の一方側を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面が形成される、半導体装置の製造方法。
　付記２．
　前記第３工程では、前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法の５０％以下となるように前記封止樹脂が形成される、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
　付記３．
　前記第１支持部は、各々が前記封止樹脂に覆われた前記第１面および前記第２面を含む第１主部と、前記第１主部と前記パッド部とにつながる第１連結部と、前記第２方向において前記第１主部を基準として前記第１連結部とは反対側に位置しており、かつ前記第１主部につながる第１端部と、を有し、
　前記第１端部は、前記封止樹脂に覆われた前記第１面と、前記第４工程において形成される前記第１端面と、を含み、
　前記第１工程では、前記第１端部の前記第２方向に対して直交する方向に沿った断面積を、前記第１主部から前記第４工程において前記第１端面が形成される位置にかけて縮小させる、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
　付記４．
　前記第４工程では、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１端面の寸法と、前記第１端面の前記第１方向の寸法と、が互いに異なるように前記第１端面が形成される、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
　付記５．
　前記第４工程では、前記第１端面の前記第１方向の寸法が、前記第１端面の前記第３方向の寸法よりも小さくなるように前記第１端面が形成される、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
　付記６．
　前記第１工程では、前記第２面から凹む陥入部が前記第１端部を含む前記第１支持部に形成され、
　前記陥入部は、前記第１主部につながっている、付記５に記載の半導体装置の製造方法。
　付記７．
　前記第１工程では、前記第１面から凹み、かつ前記第３方向に延びる溝部が前記第１支持部に形成され、
　前記第１方向に視て、前記溝部は、前記陥入部に重なっており、
　前記第４工程では、前記溝部を起点として前記第１支持部が切断される、付記６に記載の半導体装置の製造方法。
　付記８．
　前記第１支持部は、前記溝部を規定する内周面を有し、
　前記第４工程では、前記第１端面が前記内周面の周縁につながる、付記７に記載の半導体装置の製造方法。
　付記９．
　前記第１工程では、前記第３方向の一方側から凹む陥入部が前記第１端部を含む前記第１支持部に形成され、
　前記陥入部は、前記第１面の周縁につながっている、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１０．
　前記第１工程では、前記第１面から凹み、かつ前記第３方向に延びる溝部が前記第１支持部に形成され、
　前記溝部は、前記第２方向において前記陥入部を基準として前記第１主部とは反対側に位置しており、
　前記第４工程では、前記溝部を起点として前記第１支持部が切断される、付記９に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１１．
　前記第１工程では、前記第２方向において前記パッド部から遠ざかる側に前記第１連結部を前記搭載面に対して傾斜させる、付記４ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の 製造方法。
　付記１２．
　前記搭載面に対する前記第１連結部の傾斜角は、５０°以下である、付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１３．
　前記第１リードは、前記第２方向において前記パッド部を基準として前記第１支持部とは反対側に位置し、かつ前記パッド部につながる第２支持部を有し、
　前記第２支持部は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く第３面と、前記第１方向において前記第３面とは反対側を向く第４面と、を有し、
　前記第３工程では、前記第３面および前記第４面の各々の一部が前記封止樹脂に覆われるとともに、前記底面から前記第４面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第３面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さくなるように前記封止樹脂が形成され、
　前記第４工程では、前記第４面を前記支持体に支持させた上で前記頂面に荷重を載荷させることにより前記第２支持部が切断され、
　前記第４工程では、前記第２支持部には、前記第２方向において前記第１端面とは反対側を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第２端面が形成される、付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１４．
　前記封止樹脂は、前記第２方向において前記第１端面と同じ側を向く第１側面を有し、
　前記第１側面は、面内方向として前記第１方向を含む第１領域と、前記第１方向において前記第１領域と前記頂面との間に位置する第２領域と、前記第１領域を基準として前記第２領域とは反対側に位置する第３領域と、を含み、
　前記第３工程では、前記第２領域および前記第３領域の各々を前記第１領域に対して傾斜させ、
　前記第４工程では、前記第１領域から前記第１端面を露出させる、付記１３に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１５．
　前記第３工程では、前記第１領域に対する前記第２領域の傾斜角が、前記第１領域に対する前記第３領域の傾斜角よりも大きくなるように前記封止樹脂を形成する、付記１４に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１６．
　第１方向の一方側を向く搭載面を有するパッド部と、前記パッド部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側につながる第１支持部と、を有する第１リードと、
　前記搭載面に接合された半導体素子と、
　前記第１リードの一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く頂面と、前記第１方向において前記頂面とは反対側を向くとともに、前記パッド部が露出する底面と、を有し、
　前記第１支持部は、前記第１方向において前記頂面と同じ側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第１面と、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第２面と、前記第２方向を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面と、を有し、
　前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法は、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さく、
　前記第１支持部の前記第２方向に対して直交する方向に沿った断面積は、前記パッド部が位置する側から前記第１端面にかけて縮小している、半導体装置。
　付記１７．
　前記第１端面の前記第１方向の寸法は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１端面の寸法よりも小さく、
　前記第１支持部には、前記第２面から凹む陥入部が設けられており、
　前記陥入部は、前記第２方向において前記第２面と前記第１端面との間に位置する、付記１６に記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ２０：半導体装置　　　１０：半導体素子
１１：素子面　　　１２：電極
１９：接合層　　　２０：第１リード
２１：パッド部　　　２１１：搭載面
２１２：露出面　　　２２：第１支持部
２２Ａ：第１面　　　２２Ｂ：第２面
２２Ｃ：第１端面　　　２２１：第１主部
２２２：第１連結部　　　２２３：第１端部
２２３Ａ：第１中間面　　　２２３Ｂ：第２中間面
２２４：第１陥入部　　　２３：第２支持部
２３Ａ：第３面　　　２３Ｂ：第４面
２３Ｃ：第２端面　　　２３１：第２主部
２３２：第２連結部　　　２３３：第２端部
２３４：第２陥入部　　　２４：第３支持部
２４Ａ：第５面　　　２４Ｂ：第６面
２４Ｃ：第３端面　　　２４１：第３主部
２４２：第３連結部　　　２４３：第３端部
２４４：第３陥入部　　　２５：第４支持部
２５Ａ：第７面　　　２５Ｂ：第８面
２５Ｃ：第４端面　　　２５１：第４主部
２５２：第４連結部　　　２５３：第４端部
２５４：第４陥入部　　　２９：溝部
２９１：内周面　　　３０：第２リード
３０Ａ：第１端子　　　３０Ｂ：第２端子
３１：インナ部　　　３１１：接続面
３２：アウタ部　　　３２１：実装面
４０：ワイヤ　　　５０：封止樹脂
５１：頂面　　　５２：底面
５３：第１側面　　　５３１～５３３：第１領域～第３領域
５４：第２側面　　　５４１～５４３：第４領域～第６領域
５５：第３側面　　　５５１～５５３：第７領域～第９領域
Ｐ１～Ｐ４：第１工程～第４工程　　　ｚ：第１方向
ｘ：第２方向　　　ｙ：第３方向

Claims (17)

  1. 　第１方向の一方側を向く搭載面を有するパッド部と、前記パッド部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側につながる第１支持部と、を有する第１リードを形成する第１工程と、
    　前記搭載面に半導体素子を接合する第２工程と、
    　前記パッド部および前記第１支持部の各々の一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第３工程と、
    　前記第１支持部を切断する第４工程と、を備え、
    　前記封止樹脂は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く頂面と、前記第１方向において前記頂面とは反対側を向く底面と、を有し、
    　前記第１支持部は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く第１面と、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向く第２面と、を有し、
    　前記第３工程では、前記第１面および前記第２面の各々の一部が前記封止樹脂に覆われ、かつ前記底面から前記パッド部を露出させるとともに、前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さくなるように前記封止樹脂が形成され、
    　前記第４工程では、前記第２面を支持体に支持させた上で前記頂面に圧縮力を載荷させることにより前記第１支持部が切断され、
    　前記第４工程では、前記第１支持部には、前記第２方向の一方側を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面が形成される、半導体装置の製造方法。
  2. 　前記第３工程では、前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法の５０％以下となるように前記封止樹脂が形成される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記第１支持部は、各々が前記封止樹脂に覆われた前記第１面および前記第２面を含む第１主部と、前記第１主部と前記パッド部とにつながる第１連結部と、前記第２方向において前記第１主部を基準として前記第１連結部とは反対側に位置しており、かつ前記第１主部につながる第１端部と、を有し、
    　前記第１端部は、前記封止樹脂に覆われた前記第１面と、前記第４工程において形成される前記第１端面と、を含み、
    　前記第１工程では、前記第１端部の前記第２方向に対して直交する方向に沿った断面積を、前記第１主部から前記第４工程において前記第１端面が形成される位置にかけて縮小させる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記第４工程では、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１端面の寸法と、前記第１端面の前記第１方向の寸法と、が互いに異なるように前記第１端面が形成される、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記第４工程では、前記第１端面の前記第１方向の寸法が、前記第１端面の前記第３方向の寸法よりも小さくなるように前記第１端面が形成される、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記第１工程では、前記第２面から凹む陥入部が前記第１端部を含む前記第１支持部に形成され、
    　前記陥入部は、前記第１主部につながっている、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記第１工程では、前記第１面から凹み、かつ前記第３方向に延びる溝部が前記第１支持部に形成され、
    　前記第１方向に視て、前記溝部は、前記陥入部に重なっており、
    　前記第４工程では、前記溝部を起点として前記第１支持部が切断される、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 　前記第１支持部は、前記溝部を規定する内周面を有し、
    　前記第４工程では、前記第１端面が前記内周面の周縁につながる、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 　前記第１工程では、前記第３方向の一方側から凹む陥入部が前記第１端部を含む前記第１支持部に形成され、
    　前記陥入部は、前記第１面の周縁につながっている、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 　前記第１工程では、前記第１面から凹み、かつ前記第３方向に延びる溝部が前記第１支持部に形成され、
    　前記溝部は、前記第２方向において前記陥入部を基準として前記第１主部とは反対側に位置しており、
    　前記第４工程では、前記溝部を起点として前記第１支持部が切断される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 　前記第１工程では、前記第２方向において前記パッド部から遠ざかる側に前記第１連結部を前記搭載面に対して傾斜させる、請求項４ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  12. 　前記搭載面に対する前記第１連結部の傾斜角は、５０°以下である、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 　前記第１リードは、前記第２方向において前記パッド部を基準として前記第１支持部とは反対側に位置し、かつ前記パッド部につながる第２支持部を有し、
    　前記第２支持部は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く第３面と、前記第１方向において前記第３面とは反対側を向く第４面と、を有し、
    　前記第３工程では、前記第３面および前記第４面の各々の一部が前記封止樹脂に覆われるとともに、前記底面から前記第４面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法が、前記頂面から前記第３面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さくなるように前記封止樹脂が形成され、
    　前記第４工程では、前記第４面を前記支持体に支持させた上で前記頂面に荷重を載荷させることにより前記第２支持部が切断され、
    　前記第４工程では、前記第２支持部には、前記第２方向において前記第１端面とは反対側を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第２端面が形成される、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 　前記封止樹脂は、前記第２方向において前記第１端面と同じ側を向く第１側面を有し、
    　前記第１側面は、面内方向として前記第１方向を含む第１領域と、前記第１方向において前記第１領域と前記頂面との間に位置する第２領域と、前記第１領域を基準として前記第２領域とは反対側に位置する第３領域と、を含み、
    　前記第３工程では、前記第２領域および前記第３領域の各々を前記第１領域に対して傾斜させ、
    　前記第４工程では、前記第１領域から前記第１端面を露出させる、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 　前記第３工程では、前記第１領域に対する前記第２領域の傾斜角が、前記第１領域に対する前記第３領域の傾斜角よりも大きくなるように前記封止樹脂を形成する、請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 　第１方向の一方側を向く搭載面を有するパッド部と、前記パッド部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側につながる第１支持部と、を有する第１リードと、
    　前記搭載面に接合された半導体素子と、
    　前記第１リードの一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記封止樹脂は、前記第１方向において前記搭載面と同じ側を向く頂面と、前記第１方向において前記頂面とは反対側を向くとともに、前記パッド部が露出する底面と、を有し、
    　前記第１支持部は、前記第１方向において前記頂面と同じ側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第１面と、前記第１方向において前記第１面とは反対側を向き、かつ前記封止樹脂に覆われた第２面と、前記第２方向を向き、かつ前記封止樹脂から露出する第１端面と、を有し、
    　前記底面から前記第２面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法は、前記頂面から前記第１面に至る前記封止樹脂の前記第１方向の寸法よりも小さく、
    　前記第１支持部の前記第２方向に対して直交する方向に沿った断面積は、前記パッド部が位置する側から前記第１端面にかけて縮小している、半導体装置。
  17. 　前記第１端面の前記第１方向の寸法は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１端面の寸法よりも小さく、
    　前記第１支持部には、前記第２面から凹む陥入部が設けられており、
    　前記陥入部は、前記第２方向において前記第２面と前記第１端面との間に位置する、請求項１６に記載の半導体装置。
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JPH065758A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US20130020686A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Aptos Technology Inc. Package structure and package process
JP2013025542A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2022196278A1 (ja) * 2021-03-17 2022-09-22 ローム株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065758A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US20130020686A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Aptos Technology Inc. Package structure and package process
JP2013025542A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2022196278A1 (ja) * 2021-03-17 2022-09-22 ローム株式会社 半導体装置

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