WO2025033232A1

WO2025033232A1 - 半導体レーザ素子

Info

Publication number: WO2025033232A1
Application number: PCT/JP2024/026954
Authority: WO
Inventors: 優樹廣川
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2023-08-07
Filing date: 2024-07-29
Publication date: 2025-02-13
Anticipated expiration: 2026-02-07
Also published as: CN121605552A

Abstract

半導体レーザ素子は、第１端面からレーザ光を出射する素子本体を含む。素子本体は、第１側面と素子表面との間に設けられ、素子本体の内部に向けて窪む第１窪み部と、第２側面と素子表面との間に設けられ、素子本体の内部に向けて窪む第２窪み部と、を含む。第１窪み部は、第１側面と同じ側を向く第１内側面と、第１内側面と第１側面とを接続する第１接続面と、を含む。第２窪み部は、第２側面と同じ側を向く第２内側面と、第２内側面と第２側面とを接続する第２接続面と、を含む。第１接続面および第２接続面の各々は、素子表面に対して第１側面および第２側面とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む。

Description

半導体レーザ素子

　本開示は、半導体レーザ素子に関する。

　半導体ウエハからバー状の複数のレーザバーに分割した後、レーザバーに対してレーザ加工、ダイヤモンドカッター、またはダイサーを用いて分離溝を形成したうえで劈開することによってレーザバーから半導体レーザ素子を製造することが開示されている（例えば特許文献１参照）。

国際公開第２０２０／１３７１４６号

［概要］
　ところで、レーザ加工、ダイヤモンドカッター、またはダイサーを用いてレーザバーに分離溝が形成された場合、分離溝はその長さ方向に対して分離溝の幅や深さにばらつきが生じる。その結果、レーザバーを劈開すると、レーザバーの劈開面にシワが形成されてしまう。

　本開示の一態様の半導体レーザ素子は、互いに反対側を向く素子表面および素子裏面と、前記素子表面が向く厚さ方向から視て、第１方向において互いに反対側を向く第１端面および第２端面と、前記第１方向と直交する第２方向において互いに反対側を向く第１側面および第２側面と、を有し、前記第１端面からレーザ光を出射する素子本体と、前記素子表面に形成された表面電極と、前記素子裏面に形成された裏面電極と、を含み、前記素子本体は、前記第１側面と前記素子表面との間に設けられ、前記素子本体の内部に向けて窪む第１窪み部と、前記第２側面と前記素子表面との間に設けられ、前記素子本体の内部に向けて窪む第２窪み部と、を含み、前記第１窪み部は、前記第１側面と同じ側を向く第１内側面と、前記第１内側面と前記第１側面とを接続する第１接続面と、を含み、前記第２窪み部は、前記第２側面と同じ側を向く第２内側面と、前記第２内側面と前記第２側面とを接続する第２接続面と、を含み、前記第１接続面および前記第２接続面の各々は、前記素子表面に対して前記第１側面および前記第２側面とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む。

図１は、第１実施形態の半導体レーザ素子の概略斜視図である。図２は、図１の半導体レーザ素子の概略平面図である。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体レーザ素子を切断した概略断面図である。図４は、図２のＦ４－Ｆ４線で半導体レーザ素子を切断した断面構造のうち第１窪み部およびその周辺を拡大した概略断面図である。図５は、第１窪み部およびその周辺の概略側面図である。図６は、図５の第１窪み部における第１端部接続面およびその周辺の拡大図である。図７は、図６のＦ７－Ｆ７線で半導体レーザ素子を切断した断面構造のうち第１端部接続面およびその周辺を拡大した概略断面図である。図８は、第１実施形態の半導体レーザ素子の例示的な製造工程を示す概略斜視図である。図９は、図８に続く例示的な製造工程を示す概略斜視図である。図１０は、図９に続く例示的な製造工程を示す概略斜視図である。図１１は、図１０に続く例示的な製造工程を示す概略斜視図である。図１２は、図１１に続く例示的な製造工程を示す概略平面図である。図１３は、図１２のＦ１３－Ｆ１３線でレーザバーを切断した断面構造のうち分離溝およびその周辺を拡大した概略断面図である。図１４は、第２実施形態の半導体レーザ素子の概略斜視図である。図１５は、図１４の半導体レーザ素子の概略裏面図である。図１６は、図１５のＦ１６－Ｆ１６線で半導体レーザ素子を切断した断面構造のうち第１窪み部およびその周辺を拡大した概略断面図である。図１７は、変更例の半導体レーザ素子における第１窪み部およびその周辺を拡大した概略断面図である。図１８は、変更例の半導体レーザ素子について、第１端面から視た半導体レーザ素子の側面図である。

［詳細な説明］
　以下、添付図面を参照して本開示における半導体レーザ素子のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。

　以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。

　＜第１実施形態＞
　図１～図１３を参照して、第１実施形態の半導体レーザ素子１０について説明する。
　図１～図７は半導体レーザ素子１０の構成を示しており、図８～図１３は半導体レーザ素子１０の製造工程を示している。

　［半導体レーザ素子の全体構成］
　図１～図３を参照して、半導体レーザ素子１０の全体構成について説明する。
　図１は、半導体レーザ素子１０の概略斜視構造を示している。図２は、半導体レーザ素子１０の概略平面構造を示している。図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体レーザ素子１０を切断した断面構造であり、半導体レーザ素子１０の内部構成を示している。なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体レーザ素子１０を視ることをいう。また本開示においてＸ方向は「第１方向」の一例であり、Ｙ方向は「第２方向」の一例である。

　図１に示すように、半導体レーザ素子１０は、端面発光型のレーザダイオードであり、素子本体２０と、素子本体２０に設けられた表面電極５１および裏面電極５２と、を含む。一例では、表面電極５１がアノードを構成しており、裏面電極５２がカソードを構成している。

　素子本体２０は、Ｚ方向が厚さ方向となる直方体状に形成されている。このため、「平面視」とは素子本体２０の厚さ方向から視ることでもある。素子本体２０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形に形成されている。

　素子本体２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子表面２１および素子裏面２２と、平面視でＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２３および第２端面２４と、平面視でＹ方向において互いに反対側を向く第１側面２５および第２側面２６と、を有する。素子本体２０の厚さ方向（Ｚ方向）は、素子表面２１が向く方向であるといえる。第１端面２３、第２端面２４、第１側面２５、および第２側面２６は、素子表面２１と素子裏面２２とのＺ方向の間に位置しており、素子表面２１と素子裏面２２とを接続している。素子本体２０は、第１端面２３から光を出射するように構成されている。

　表面電極５１は、素子表面２１に形成されている。表面電極５１は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視における表面電極５１の形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。図１に示す例では、平面視において、表面電極５１は、素子本体２０よりも１回り小さくなるように形成されている。表面電極５１は、複数の電極膜の積層構造によって構成されている。一例では、表面電極５１は、第１電極膜と、第１電極膜上に形成された第２電極膜とを含む。第１電極膜は、例えばＴｉ（チタン）／Ａｕ（金）合金によって形成されている。第１電極膜は、半導体層４０の表面４１（素子表面２１）に接触している。第２電極膜は、例えばＡｕめっきによって形成されている。

　裏面電極５２は、素子裏面２２に形成されている。裏面電極５２は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。平面視における裏面電極５２の形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。図１に示す例では、平面視において、裏面電極５２は、素子本体２０よりも１回り小さくなるように形成されている。つまり、裏面電極５２は、表面電極５１と同じサイズである。裏面電極５２は、複数の電極膜の積層構造によって構成されている。裏面電極５２は、例えばＡｕＧｅＮｉ（金ゲルマニウムニッケル）／Ｔｉ／Ａｕ合金によって形成されている。裏面電極５２は、半導体基板３０とオーミック接触を形成している。

　素子本体２０は、半導体基板３０と、半導体基板３０上に設けられた半導体層４０と、を含む。
　半導体基板３０は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。半導体基板３０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形に形成されている。

　図１および図３に示すように、半導体基板３０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面３１および基板裏面３２と、基板表面３１と基板裏面３２とのＺ方向の間に位置し、基板表面３１と基板裏面３２とを接続する第１基板端面３３、第２基板端面３４、第１基板側面３５、および第２基板側面３６と、を有する。基板表面３１は素子表面２１と同じ側を向き、基板裏面３２は素子裏面２２と同じ側を向いている。基板裏面３２は素子裏面２２を構成している。第１基板端面３３および第２基板端面３４は半導体基板３０のＸ方向の両端面を構成している。つまり、第１基板端面３３および第２基板端面３４はＸ方向において互いに反対側を向いている。第１基板側面３５および第２基板側面３６は半導体基板３０のＹ方向の両端面を構成している。つまり、第１基板側面３５および第２基板側面３６はＹ方向において互いに反対側を向いている。このため、第１基板端面３３は第１端面２３と同じ側を向き、第２基板端面３４は第２端面２４と同じ側を向いている。第１基板側面３５は第１側面２５と同じ側を向き、第２基板側面３６は第２側面２６と同じ側を向いている。一例では、第１基板端面３３は第１端面２３のＺ方向の一部を構成し、第２基板端面３４は第２端面２４のＺ方向の一部を構成している。第１基板側面３５は第１側面２５のＺ方向の一部を構成し、第２基板側面３６は第２側面２６のＺ方向の一部を構成している。なお、図３では、半導体層４０の各構成要素を示すため、半導体層４０の全体の厚さを半導体基板３０の厚さと同じ程度に厚く示しているが、実際には半導体層４０の厚さは半導体基板３０の厚さよりも薄い。

　半導体基板３０は、例えばＧａＡｓ（ガリウムヒ素）を含むｎ型半導体基板（ｎ－ＧａＡｓ基板）によって構成されている。半導体基板３０は、ｎ型不純物として例えばＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、およびＳｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。第１実施形態では、第１基板側面３５および第２基板側面３６の各々の基板表面３１に対する角度は、９０°である。ここで、第１基板側面３５および第２基板側面３６の各々の基板表面３１に対する角度が９０°とは、半導体基板３０の製造誤差を考慮して、第１基板側面３５および第２基板側面３６の各々の基板表面３１に対する角度が８５°以上９５°以下であることも含まれる。換言すると、半導体基板３０のオフ角は、０°である。つまり、半導体基板３０は、ジャスト基板が用いられている。

　半導体基板３０の基板表面３１の面方位は、（１００）面である。半導体層４０は、基板表面３１上に形成されている。半導体層４０は、素子表面２１を構成する表面４１を有する。半導体層４０は、半導体基板３０に対してエピタキシャル成長されている。半導体層４０は、複数の半導体層がＺ方向に積層された半導体層積層構造である。

　半導体基板３０の第１基板端面３３、第２基板端面３４、第１基板側面３５、および第２基板側面３６の各々の面方位は（１１０）面である。半導体基板３０がＧａＡｓを含む半導体基板で構成されている場合、半導体基板３０の（１１０）面は強い劈開性を有する。加えて、半導体基板３０の第１基板端面３３および第２基板端面３４は、第１基板側面３５および第２基板側面３６よりも劈開しやすい面によって構成されている。

　図３に示すように、半導体層４０は、複数の半導体層として、活性層４２、ｎ側ガイド層４３、ｐ側ガイド層４４、ｎ型半導体層４５、およびｐ型半導体層４６を含む。
　ｎ側ガイド層４３がｎ型半導体層４５と活性層４２との間に配置され、ｐ側ガイド層４４が活性層４２とｐ型半導体層４６との間に配置されていることによって、ダブルヘテロ接合が形成されている。活性層４２には、ｎ型半導体層４５からｎ側ガイド層４３を介して電子が注入され、ｐ型半導体層４６からｐ側ガイド層４４を介して正孔が注入される。これら電子および正孔が活性層４２において再結合することによって、活性層４２においてレーザ光が発生するように構成されている。

　ｎ型半導体層４５は、半導体基板３０上に形成されたｎ型クラッド層４５Ａを含む。ｎ型クラッド層４５Ａは、活性層４２に対して半導体基板３０側に配置されている。ｎ型クラッド層４５Ａは、例えばＡｌＧａＡｓ（アルミニウムガリウムヒ素）を含む材料によって形成されている。ｎ型クラッド層４５Ａは、例えば２００００Å以上３５０００Å以下の厚さを有する。ｎ型クラッド層４５Ａは、例えばＡｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}Ａｓ（０≦ｘ≦１）層によって形成されている。

　ｐ型半導体層４６は、ｐ側ガイド層４４上に積層された第１ｐ型クラッド層４６Ａ、第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂ、第２ｐ型クラッド層４６Ｃ、第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄ、ｐ型キャップ層４６Ｅ、およびｐ型コンタクト層４６Ｆを含む。ここで、第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃの双方は「ｐ型クラッド層」の一例である。

　第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃは、活性層４２に対してｎ型クラッド層４５Ａとは反対側に配置されている。第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃの各々は、例えばＡｌＧａＡｓを含む材料によって形成されている。第１ｐ型クラッド層４６Ａは、例えば１０００Å以上２０００Å以下の厚さを有する。第２ｐ型クラッド層４６Ｃは、例えば８０００Å以上１２０００Å以下の厚さを有する。つまり、第２ｐ型クラッド層４６Ｃの厚さは、第１ｐ型クラッド層４６Ａの厚さよりも厚い。第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃの各々は、例えばＡｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}Ａｓ（０≦ｘ≦１）層によって形成されている。

　第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂおよび第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄの各々は、例えばＩｎＧａＰ（インジウムガリウムリン）を含む材料によって形成されている。第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂおよび第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄの各々の厚さは、第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃの各々の厚さよりも薄い。第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂは、例えば５０Å以上３００Å以下の厚さを有する。第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄは、例えば５０Å以上３００Å以下の厚さを有する。

　ｐ型キャップ層４６Ｅは、例えばＧａＡｓを含む材料によって形成されている。ｐ型キャップ層４６Ｅの厚さは、例えば第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂおよび第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄの各々の厚さよりも厚く、第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃの各々の厚さよりも薄い。ｐ型キャップ層４６Ｅは、例えば１０００Å以上３０００Å以下の厚さを有する。

　ｐ型コンタクト層４６Ｆは、表面電極５１とオーミック接触を形成するための低抵抗層である。ｐ型コンタクト層４６Ｆは、例えばＧａＡｓにｐ型ドーパントとしてのＢｅ（ベリリウム）が注入されたｐ型半導体層として形成されている。ｐ型コンタクト層４６Ｆの厚さは、第１ｐ型クラッド層４６Ａ、第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂ、第２ｐ型クラッド層４６Ｃ、第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄ、およびｐ型キャップ層４６Ｅの各々の厚さよりも厚い。ｐ型コンタクト層４６Ｆは、例えば３００００Å以上６００００Å以下の厚さを有する。

　ｎ型クラッド層４５Ａと、第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃとは、活性層４２にキャリア（電子および正孔）を閉じ込める効果と、活性層４２からのレーザ光をｎ型クラッド層４５Ａと第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃとの間に閉じ込める効果とが生じるように構成されている。ｎ型クラッド層４５Ａは、ＡｌＧａＡｓに例えばｎ型ドーパントとしてのＳｉ（シリコン）が注入されたｎ型半導体層として形成されている。第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃの各々は、ＡｌＧａＡｓに例えばｐ型ドーパントしてＢｅが注入されたｐ型半導体層として形成されている。

　ｎ型クラッド層４５Ａは、ｎ側ガイド層４３よりも大きいバンドギャップを有する。第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃは、ｐ側ガイド層４４よりも大きいバンドギャップを有する。これにより、活性層４２にキャリアを閉じ込める効果および活性層４２からのレーザ光をｎ型クラッド層４５Ａと第１ｐ型クラッド層４６Ａおよび第２ｐ型クラッド層４６Ｃとの間に閉じ込める効果とをそれぞれ高めることができるため、高効率の半導体レーザ素子１０を実現できる。

　ｎ側ガイド層４３およびｐ側ガイド層４４の各々は、ＡｌＧａＡｓを含む材料によって形成されている。ｎ側ガイド層４３およびｐ側ガイド層４４の各々は、例えば２００Å以上５００Å以下の厚さを有する。ｎ側ガイド層４３は、ｎ型半導体層４５上に積層されている。ｐ側ガイド層４４は、活性層４２上に積層されている。ｎ側ガイド層４３およびｐ側ガイド層４４の各々は、例えばＡｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}Ａｓ（０≦ｘ≦１）層によって形成されている。

　活性層４２は、多重量子井戸（ＭＱＷ：multiple-quantum well）構造を有する。活性層４２は、電子と正孔とが再結合することによってレーザ光を発生するとともにその発生したレーザ光を増幅させるための層である。活性層４２は、例えばアンドープのＧａＡｓＰ層によって構成された量子井戸層と、アンドープのＩｎＡｌＧａＡｓ層によって構成された障壁層とを交互に複数周期にわたり繰り返し積層することによって構成されている。

　ｐ型半導体層４６内における第２ｐ型クラッド層４６Ｃ、第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄ、およびｐ型キャップ層４６Ｅの各々の一部が除去されることによってリッジ部４７が形成されている。一例では、第２ｐ型クラッド層４６Ｃ、第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄ、およびｐ型キャップ層４６Ｅの一部がエッチングによって除去されることによって、図３に示す断面において略台形状（メサ形）のリッジ部４７が形成される。

　リッジ部４７の側面には、電流狭窄層４８が形成されている。一例では、ｐ型キャップ層４６Ｅの側面、第２ｐ型エッチングストップ層４６Ｄの側面、第２ｐ型クラッド層４６Ｃの露出面、および第１ｐ型エッチングストップ層４６Ｂの露出面は、電流狭窄層４８によって覆われている。電流狭窄層４８とｐ型キャップ層４６Ｅの露出面とがｐ型コンタクト層４６Ｆによって覆われている。

　半導体レーザ素子１０は、ｎ側ガイド層４３、活性層４２、およびｐ側ガイド層４４によって第１端面２３および第２端面２４（ともに図１参照）を共振器端面とするファブリペロー共振器が構成されている。より詳細には、活性層４２において発生したレーザ光は、第１端面２３および第２端面２４との間を往復しながら誘導放出によって増幅される。そして、増幅されたレーザ光の一部が第１端面２３および第２端面２４からレーザ光として出射される。ここで、第１実施形態では、第１端面２３および第２端面２４には、端面膜（図示略）が形成されている。この端面膜は、絶縁性を有する反射膜を含んでいてよい。また、端面膜は、絶縁性を有する反射防止膜（ＡＲコート）を含んでいてよい。反射膜を含む端面膜は、反射率が調整されていてよい。一例では、第１端面２３が主にレーザ光を出射し、第２端面２４から殆どレーザ光が出射しないように焼成された反射膜が形成されてよい。

　［半導体レーザ素子の側面構造］
　図１～図７を参照して、半導体レーザ素子１０の側面構造について説明する。
　図４は、図２のＦ４－Ｆ４線で半導体レーザ素子１０を切断した断面構造であり、素子本体２０の素子表面２１および第１側面２５の各々の一部を拡大した断面構造を示している。図５は、後述する第１窪み部６０を拡大して示している。図６は、図５の第１窪み部６０の一部を拡大して示している。図７は、図６のＦ７－Ｆ７線で第１窪み部６０を切断した断面構造を示している。

　図１および図２に示すように、素子本体２０は、第１窪み部６０および第２窪み部７０を含む。第１窪み部６０は、素子本体２０の第１側面２５と素子表面２１との間に設けられている。第１窪み部６０は、素子本体２０の内部に向けて窪んでいる。第１窪み部６０は、素子表面２１が向く方向に開口するとともに第１側面２５が向く方向に開口している。第２窪み部７０は、素子本体２０の第２側面２６と素子表面２１との間に設けられている。第２窪み部７０は、素子本体２０の内部に向けて窪んでいる。第２窪み部７０は、素子表面２１が向く方向に開口するとともに第２側面２６が向く方向に開口している。第１窪み部６０および第２窪み部７０は、Ｚ方向において素子本体２０の素子表面２１を含む素子表面２１寄りの一部に設けられている。第１窪み部６０および第２窪み部７０は、半導体層４０から半導体基板３０までにわたり形成されている。より詳細には、第１窪み部６０および第２窪み部７０は、Ｚ方向において半導体層４０の全体にわたり形成されている。第１窪み部６０および第２窪み部７０は、Ｚ方向において半導体基板３０のうち半導体層４０寄りの一部に形成されている。

　第１窪み部６０は、第１側面２５と同じ側を向く第１内側面６１と、第１内側面６１と第１側面２５とを接続する第１接続面６２と、を含む。
　第１内側面６１は、Ｙ方向において第１側面２５よりも第２側面２６寄りの位置に形成されている。第１内側面６１は、素子表面２１と繋がっている。第１内側面６１は、Ｚ方向において半導体層４０（図３参照）を貫通している。第１内側面６１は、Ｚ方向において半導体基板３０のうち半導体層４０寄りの一部に設けられている。一例では、第１内側面６１は、第１側面２５と平行な面である。

　第１接続面６２は、第１内側面６１に対して素子裏面２２寄りの位置に形成されている。つまり、第１接続面６２は、半導体層４０よりも素子裏面２２寄りに設けられている。換言すると、第１接続面６２は、半導体基板３０（図３参照）に設けられている。第１接続面６２は、第１内側面６１のＺ方向の両端縁のうち素子裏面２２に近い方の端縁に接続されている。一例では、第１接続面６２は、Ｘ方向における第１内側面６１の端縁の全体にわたり接続されている。

　第１接続面６２は、素子表面２１に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面として形成されている。より詳細には、第１接続面６２は、Ｚ方向において第１内側面６１から素子裏面２２に向かうにつれて第１側面２５に向けて傾斜している。

　図４に示すように、素子表面２１に対する第１接続面６２の角度θ１は、４５°以上６５°以下である。好ましくは、角度θ１は、５０°以上６０°以下である。第１接続面６２における傾斜方向の長さＬＣは、第１内側面６１のＺ方向の長さＬＺＣよりも短い。一例では、長さＬＣは、第１内側面６１のうちＸ方向の端部におけるＺ方向の長さＬＺＥ（図６参照）よりも短い。一例では、長さＬＣは、２μｍ以上８μｍ以下である。

　第１側面２５に垂直な方向（第１実施形態ではＹ方向）における第１側面２５と第１内側面６１との間の距離Ｗ１は、第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１（図２参照）よりも短い。一例では、距離Ｗ１は、Ｚ方向における第１窪み部６０の長さＬＺ１よりも短い。一例では、距離Ｗ１は、第１内側面６１のＺ方向の長さＬＺＣよりも短い。一例では、距離Ｗ１は、第１接続面６２における傾斜方向の長さＬＣよりも短い。図４に示す例では、距離Ｗ１は、１μｍ以上５μｍ以下である。

　図５に示すように、第１接続面６２は、Ｘ方向の両端部において、Ｘ方向の端縁に向かうにつれて素子表面２１に向けて傾斜している。図６に示すように、第１接続面６２のＸ方向の両端部のうち第１端面２３（図２参照）に近い方の端部は、Ｘ方向の端縁に向かうにつれて素子表面２１に向けて湾曲している。このため、第１内側面６１のＸ方向の両端部におけるＺ方向の長さＬＺＥは、第１内側面６１のＸ方向の両端部よりも中央寄りの部分におけるＺ方向の長さＬＺＣよりも短い。なお、第１接続面６２のＸ方向の両端部のうち第２端面２４（図２参照）に近い方の端部は、第１接続面６２のＸ方向の両端部のうち第１端面２３に近い方の端部と同じ構成であってよい。

　図５に示すように、第１窪み部６０は、Ｘ方向の両端に形成された第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂを含む。第１端部接続面６３Ａは、第１内側面６１のＸ方向の両端のうち第１端面２３（図２参照）に近い方の端と第１側面２５とを接続している。第１端部接続面６３Ｂは、第１内側面６１のＸ方向の両端のうち第２端面２４（図２参照）に近い方の端と第１側面２５とを接続している。

　図６に示すように、第１端部接続面６３Ａは、素子表面２１と第１接続面６２とをＺ方向に接続している。一例では、第１端部接続面６３Ａは、Ｚ方向に沿って延びている。一例では、第１端部接続面６３Ａは、素子表面２１と直交する面である。

　図７に示すように、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度θ２は、第１内側面６１に対する第１接続面６２の角度θＡ（図４参照）よりも大きい。一例では、角度θ２は、８５°以上９５°以下である。一例では、角度θ２は、８７°以上９３°以下である。一例では、角度θ２は、８８°以上９２°以下である。一例では、角度θ２は、８９°以上９１°以下である。図７に示す例では、角度θ２は、９０°である。

　図６および図７に示すように、第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａの長さＬＥは、第１接続面６２における傾斜方向の長さＬＣ（図６参照）よりも短い。一例では、長さＬＥは、１μｍ以上５μｍ以下である。

　なお、第１端部接続面６３Ｂは、第１端部接続面６３Ａと同じ構成である。このため、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ｂの角度は、角度θ２と同じである。第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ｂの長さは、長さＬＥと等しい。

　図２に示すように、第２窪み部７０は、第２側面２６と同じ側を向く第２内側面７１と、第２内側面７１と第２側面２６とを接続する第２接続面７２と、を含む。第２接続面７２は、素子表面２１に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面として形成されている。第２窪み部７０は、Ｘ方向の両端に形成された第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂを含む。第２端部接続面７３Ａは、第２内側面７１のＸ方向の両端のうち第１端面２３に近い方の端と第２側面２６とを接続している。第２端部接続面７３Ｂは、第２内側面７１のＸ方向の両端のうち第２端面２４に近い方の端と第２側面２６とを接続している。

　第２窪み部７０の形状およびサイズは、第１窪み部６０の形状およびサイズと同じである。つまり、素子表面２１に対する第２接続面７２の角度は、素子表面２１に対する第１接続面６２の角度θ１と同じである。つまり、素子表面２１に対する第２接続面７２の角度は、５０°以上６０°以下である。好ましくは、素子表面２１に対する第２接続面７２の角度は、５３°以上５７°以下である。第２側面２６に垂直な方向（第１実施形態ではＹ方向）における第２側面２６と第２内側面７１との間の距離は、距離Ｗ１と等しい。つまり、第２側面２６に垂直な方向における第２側面２６と第２内側面７１との間の距離は、１μｍ以上５μｍ以下である。第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度は、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度θ２と等しい。このため、第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度は、第２内側面７１に対する第２接続面７２の角度よりも大きい。第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度は、例えば８５°以上９５°以下であってよいし、例えば８７°以上９３°以下であってよいし、例えば８８°以上９２°以下であってよいし、例えば８９°以上９１°以下であってよい。また、第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａの長さＬＥと等しい。このため、第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、第２接続面７２における傾斜方向の長さよりも短い。第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、例えば１μｍ以上５μｍ以下であってよい。

　図１および図２に示すように、第１窪み部６０および第２窪み部７０は、Ｘ方向において素子本体２０に対して部分的に設けられている。
　素子本体２０は、Ｘ方向の両端に第１領域２７および第２領域２８を含む。第１領域２７は、素子本体２０の第１側面２５のＸ方向の両端に形成されている。第２領域２８は、素子本体２０の第２側面２６のＸ方向の両端に形成されている。第１窪み部６０は、素子本体２０のうちＸ方向の両端に形成された第１領域２７のＸ方向の間に設けられている。第２窪み部７０は、素子本体２０のうちＸ方向の両端に形成された第２領域２８のＸ方向の間に設けられている。図１および図２に示す例では、第１窪み部６０は、素子本体２０のうちＸ方向の両端に形成された第１領域２７のＸ方向の間に１つ設けられている。第２窪み部７０は、素子本体２０のうちＸ方向の両端に形成された第２領域２８のＸ方向の間に１つ設けられている。このように、第１窪み部６０および第２窪み部７０の各々は、素子本体２０のうちＸ方向において第１端面２３および第２端面２４の両方から離隔した位置に設けられている。

　第１窪み部６０および第２窪み部７０の各々のＸ方向の長さＬＸ１，ＬＸ２は、第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１および第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２よりも長い。また、長さＬＸ１，ＬＸ２の各々は、長さＲＸ１と長さＲＸ２との合計の長さ（ＲＸ１＋ＲＸ２）よりも長い。つまり、長さＬＸ１，ＬＸ２は、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳの１／２よりも長い。また一例では、第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１は、第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２と等しい。

　図１および図２の例では、２つの第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１は互いに等しい。２つの第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２は互いに等しい。長さＲＸ１および長さＲＸ２は互いに等しい。なお、長さＲＸ１，ＲＸ２は任意に変更可能である。一例では、２つの第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１が互いに異なっていてもよい。一例では、２つの第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２が互いに異なっていてもよい。一例では、長さＲＸ１と長さＲＸ２とが互いに異なっていてもよい。

　素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１の比率（ＬＸ１／ＬＳ）、および、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２の比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、５／８以上７／８以下である。一例では、比率（ＬＸ１／ＬＳ）および比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、４／６以上５／６以下であってもよい。

　図２に示す例では、第１窪み部６０および第２窪み部７０の各々のＸ方向の長さＬＸ１，ＬＸ２は、４００μｍ程度である。第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１は、１００μｍ程度である。第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２は、１００μｍ程度である。このため、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳは、６００μｍ程度である。したがって、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１の比率（ＬＸ１／ＬＳ）、および、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２の比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、２／３である。

　Ｚ方向における第１窪み部６０の長さＬＺ１は、第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１よりも短い。ここで、長さＬＺ１は、Ｚ方向において素子表面２１と、第１接続面６２と第１側面２５との境界との間の距離によって定義できる。第１接続面６２と第１側面２５との境界とは、Ｚ方向において第１接続面６２と第１側面２５とが接続されている部分である。

　Ｚ方向における第２窪み部７０の長さは、第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２よりも短い。ここで、Ｚ方向における第２窪み部７０の長さは、Ｚ方向において素子表面２１と、第２接続面７２と第２側面２６との境界との間の距離によって定義できる。第２接続面７２と第２側面２６との境界とは、Ｚ方向において第２接続面７２と第２側面２６とが接続されている部分である。

　［半導体レーザ素子の製造方法］
　図８～図１３を参照して、半導体レーザ素子１０の製造方法について説明する。以下では、半導体ウエハ２００を分割して複数の半導体レーザ素子１０を製造する過程について説明する。

　図８は、半導体ウエハ２００の概略斜視構造を示している。
　図８に示すように、半導体レーザ素子１０の製造方法は、半導体ウエハ２００を準備する工程を含む。半導体ウエハ２００は、ＧａＡｓによって構成されている。半導体ウエハ２００は、複数の半導体基板３０（図１参照）を構成するウエハと、各半導体基板３０上の半導体層４０（図１参照）を構成する半導体層積層構造と、を含む。半導体ウエハ２００は、Ｚ方向において互いに反対側を向くウエハ表面２０１およびウエハ裏面２０２を含む。ウエハ表面２０１は、（１００）面を構成している。図示していないが、ウエハ表面２０１上には、複数の表面電極５１（図１参照）が形成されている。また図示していないが、ウエハ裏面２０２には、複数の裏面電極５２（図１参照）が形成されている。

　半導体ウエハ２００は、複数の個別素子を含むレーザバー（ＬＤバー）２１０が複数形成されている。各レーザバー２１０は、半導体ウエハ２００上の仮想的な切断ライン２０３によって区画された各矩形領域に形成されている。各個別素子は、半導体レーザ素子１０（図１参照）を構成する。レーザバー２１０は、複数の半導体レーザ素子１０を含む。このレーザバー２１０は、バー状体またはベース基板と称されてもよい。

　図８に示すように、半導体レーザ素子１０の製造方法は、切断ライン２０３に沿って半導体ウエハ２００を分割する工程を含む。一例では、ダイヤモンドカッターを用いて切断ライン２０３に沿って半導体ウエハ２００に傷が付けられる。その後、半導体ウエハ２００のウエハ裏面２０２に力を加えることによって半導体ウエハ２００を分割する。この工程によって、図９に示すように、長手方向および短手方向を有する棒状のレーザバー２１０が複数形成される。図９は、３つのレーザバー２１０の概略斜視構造を示している。なお、図９では、表面電極５１、裏面電極５２、および後述する分離溝２２０を省略している。また、半導体ウエハ２００から複数のレーザバー２１０を含む板状基板を切り出した後、板状基板を劈開することによってレーザバー２１０を形成してもよい。板状基板の切り出しは、ダイシング、スクライブ、レーザ加工等によって行われてよい。

　各レーザバー２１０の長手方向の側面２１１は、図１に示す半導体レーザ素子１０の第１端面２３（第２端面２４）を構成している。各レーザバー２１０の短手方向の側面２１２は、図１に示す半導体レーザ素子１０の第１側面２５（第２側面２６）を構成している。

　図１０は、レーザバー２１０およびセパレータ２３０の積層構造を示している。
　図１０に示すように、半導体レーザ素子１０の製造方法は、複数のレーザバー２１０と複数のセパレータ２３０とを１つずつ交互に積層する工程と、端面膜を形成する工程と、を含む。端面膜は、絶縁性を有する反射膜を含んでいてよい。また、端面膜は、絶縁性を有する反射防止膜（ＡＲコート）を含んでいてよい。反射膜を含む端面膜は、反射率が調整されていてよい。一例では、第１端面２３を構成する側面２１１が主にレーザ光を出射し、第２端面２４を構成する側面２１１から殆どレーザ光が出射しないように焼成された反射膜が形成されてよい。

　図１１は、１つのレーザバー２１０の斜視構造を示している。図１２は、１つのレーザバーの平面構造を示している。図１３は、図１２のＦ１３－Ｆ１３線でレーザバー２１０を切断した断面構造の一部を示している。

　図１１～図１３に示すように、半導体レーザ素子１０の製造方法は、分離溝２２０を形成する工程を含む。この工程は、例えば半導体ウエハ２００を複数のレーザバー２１０に分割する前に実施される。なお、複数のレーザバー２１０を含む板状基板を半導体ウエハ２００から切り出す場合には、分離溝２２０を形成する工程は板状基板を切り出す前に実施されてよい。つまり、分離溝２２０は、半導体ウエハ２００に形成される。

　図１１および図１２に示すように、分離溝２２０は、レーザバー２１０の長手方向において互いに離隔して複数設けられている。各分離溝２２０は、レーザバー２１０の短手方向に沿って延びている。各分離溝２２０は、レーザバー２１０の短手方向において部分的に設けられている。つまり、各分離溝２２０は、レーザバー２１０の両側面２１１から離隔して設けられている。レーザバー２１０の短手方向における分離溝２２０と側面２１１との間の部分は、第１領域２７および第２領域２８（図２参照）を構成している。

　図示していないが、各分離溝２２０は、半導体層４０（半導体層積層構造）から半導体ウエハ２００までにわたり形成されている。各分離溝２２０は、Ｚ方向において半導体層４０（半導体層積層構造）を貫通している。各分離溝２２０は、半導体ウエハ２００のウエハ表面２０１からＺ方向の一部までにわたり形成されている。各分離溝２２０は、エッチングによって形成されている。一例では、各分離溝２２０は、ドライエッチングによって形成されている。

　図１３に示すように、分離溝２２０は、第１窪み部６０および第２窪み部７０を構成する溝である。分離溝２２０の先端部は、先端に向かうにつれて先細るテーパ状に形成されている。分離溝２２０は、第１内側面６１を構成する第１分離側面２２１と、第２内側面７１を構成する第２分離側面２２２と、第１接続面６２の傾斜面６２Ａを構成する第１テーパ面２２３と、第２接続面７２の傾斜面を構成する第２テーパ面２２４と、を含む。第１実施形態では、第１テーパ面２２３と第２テーパ面２２４とが接続されることによって分離溝２２０のテーパ状が形成されている。第１テーパ面２２３および第２テーパ面２２４は、（１１１）面を構成している。

　半導体レーザ素子１０の製造方法は、レーザバー２１０を複数の半導体レーザ素子１０に分割する工程を含む。
　レーザバー２１０は、分離溝２２０に沿って劈開される。一例では、レーザバー２１０の裏面側から、各分離溝２２０に沿ってブレード（図示略）が接触された状態で、レーザバー２１０に対して外部応力が加えられる。これにより、各分離溝２２０の先端を起点としてレーザバー２１０に亀裂が発生することによって、レーザバー２１０が各分離溝２２０に沿って分割される。以上の工程を経て半導体レーザ素子１０が製造される。

　［作用］
　第１実施形態の半導体レーザ素子１０の効果について説明する。
　レーザバー２１０の劈開によって複数の半導体レーザ素子１０が形成される場合、分離溝２２０の第１テーパ面２２３および第２テーパ面２２４が接続された先端を起点としてレーザバー２１０がその厚さ方向に亀裂が生じる。このため、レーザバー２１０が劈開されやすくなる。

　ところで、例えばダイヤモンドカッターを用いてレーザバー２１０を複数の半導体レーザ素子１０に分割するための分離溝を形成する場合、分離溝の幅や深さにばらつきが生じる場合がある。そして、レーザバー２１０を劈開すると、分離溝の複数の箇所を起点としてレーザバー２１０に亀裂が生じるため、半導体レーザ素子１０の第１側面２５にはシワが形成されてしまう。

　加えて、半導体ウエハ２００に対するダイヤモンドカッターの機械的な接触によって、分離溝を形成する部分の半導体ウエハ２００が欠けることによってチップ片として飛散する場合がある。このようなチップ片は、異物として分割後の半導体レーザ素子１０の第１端面２３および第２端面２４に付着するおそれがある。

　またダイヤモンドカッターに代えてレーザ加工によってレーザバー２１０を複数の半導体レーザ素子１０に分割するための分離溝を形成する場合、分離溝およびその周辺がレーザの熱によって溶けてしまう。またレーザ加工によっても、分離溝の幅や深さにばらつきが生じる場合がある。そして、レーザバー２１０を劈開すると、分離溝の複数の箇所を起点としてレーザバー２１０に亀裂が生じるため、半導体レーザ素子１０の第１側面２５にはシワが形成されてしまう。

　第１実施形態では、ドライエッチングによってレーザバー２１０を複数の半導体レーザ素子１０に分割するための分離溝２２０が形成される。ドライエッチングではレーザバー２１０の面方位に沿って分離溝２２０の第１分離側面２２１および第２分離側面２２２が形成される。つまり、第１分離側面２２１および第２分離側面２２２は、（１１０）面となる。また、第１テーパ面２２３および第２テーパ面２２４は、（１１１）面となる。このため、分離溝２２０の深さのばらつきが生じにくい。したがって、レーザバー２１０を劈開しても半導体レーザ素子１０の第１側面２５にシワが形成されることを抑制できる。加えて、ダイヤモンドカッターの機械的な接触がないため、分離溝２２０を形成する場合に半導体ウエハ２００が欠けることが抑制される。このため、半導体ウエハ２００からチップ片が発生することを抑制できる。このため、半導体レーザ素子１０の第１端面２３および第２端面２４に対してチップ片（異物）が付着することを抑制できる。

　［効果］
　第１実施形態の半導体レーザ素子１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）半導体レーザ素子１０は、互いに反対側を向く素子表面２１および素子裏面２２と、平面視においてＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２３および第２端面２４と、Ｙ方向において互いに反対側を向く第１側面２５および第２側面２６と、を有し、第１端面２３からレーザ光を出射する素子本体２０と、素子表面２１に形成された表面電極５１と、素子裏面２２に形成された裏面電極５２と、を含む。素子本体２０は、第１側面２５と素子表面２１との間に設けられ、素子本体２０の内部に向けて窪む第１窪み部６０と、第２側面２６と素子表面２１との間に設けられ、素子本体２０の内部に向けて窪む第２窪み部７０と、を含む。第１窪み部６０は、第１側面２５と同じ側を向く第１内側面６１と、第１内側面６１と第１側面２５とを接続する第１接続面６２と、を含む。第２窪み部７０は、第２側面２６と同じ側を向く第２内側面７１と、第２内側面７１と第２側面２６とを接続する第２接続面７２と、を含む。第１接続面６２および第２接続面７２の各々は、素子表面２１に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む。

　この構成によれば、レーザバー２１０の劈開によって半導体レーザ素子１０が形成される際に傾斜面としての第１接続面６２および第２接続面７２によって第１側面２５および第２側面２６にシワが発生することを抑制できる。したがって、劈開面となる第１側面２５および第２側面２６の品質の向上を図ることができる。

　（１－２）素子表面２１に対する第１接続面６２の角度θ１、および素子表面２１に対する第２接続面７２の角度の各々は、５０°以上６０°以下である。
　この構成によれば、レーザバー２１０の劈開によって半導体レーザ素子１０が形成される際に第１側面２５および第２側面２６にシワが発生することをさらに抑制できる。したがって、劈開面となる第１側面２５および第２側面２６の品質の向上を図ることができる。

　（１－３）第１窪み部６０および第２窪み部７０の各々は、Ｘ方向において素子本体２０に部分的に設けられている。
　この構成によれば、第１窪み部６０および第２窪み部７０の各々がＸ方向において素子本体２０の全体にわたり設けられている構成と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－４）素子本体２０は、第１側面２５と素子表面２１との間の部分のうちＸ方向における両端において第１窪み部６０が形成されていない第１領域２７と、第２側面２６と素子表面２１との間の部分のうちＸ方向における両端において第２窪み部７０が形成されていない第２領域２８と、を含む。第１窪み部６０は、第１側面２５と素子表面２１との間の部分のうちＸ方向において両端の第１領域２７の間に１つ設けられている。第２窪み部７０は、第２側面２６と素子表面２１との間の部分のうちＸ方向において両端の第２領域２８の間に１つ設けられている。

　この構成によれば、第１窪み部６０が第１側面２５と素子表面２１との間の部分のうちＸ方向の端部に設けられる場合、および第２窪み部７０が第２側面２６と素子表面２１との間の部分のうちＸ方向の端部に設けられる場合と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－５）第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１は、第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１よりも長い。第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２は、第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２よりも長い。

　この構成によれば、第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１は、第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１よりも短く、第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２は、第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２よりも短い場合と比較して、レーザバー２１０を劈開しやすくなる。

　（１－６）素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１の比率（ＬＸ１／ＬＳ）、および、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２の比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、５／８以上７／８以下である。

　この構成によれば、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなることによってレーザバー２１０をハンドリングしやすくなることと、レーザバー２１０を劈開しやすくなることとの両立を図ることができる。

　（１－７）第１窪み部６０は、Ｘ方向の両端に形成された第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂを含む。第２窪み部７０は、Ｘ方向の両端に形成された第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂを含む。第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々は、第１内側面６１に対する第１接続面６２の角度θＡおよび第２内側面７１に対する第２接続面７２の角度よりも大きい。

　この構成によれば、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々が第１内側面６１に対する第１接続面６２の角度θＡおよび第２内側面７１に対する第２接続面７２の角度以下の場合と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－８）第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々は、８５°以上９５°以下である。

　この構成によれば、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々が８５°未満または９５°よりも大きい場合と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－９）第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々は、８７°以上９３°以下である。

　この構成によれば、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々が８７°未満または９３°よりも大きい場合と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－１０）第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々は、８８°以上９２°以下である。

　この構成によれば、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２および第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々が８８°未満または９２°よりも大きい場合と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－１１）第１窪み部６０は、Ｘ方向の両端に形成された第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂを含む。第２窪み部７０は、Ｘ方向の両端に形成された第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂを含む。第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの長さＬＥおよび第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さの各々は、第１接続面６２の傾斜方向の長さＬＣおよび第２接続面７２の傾斜方向の長さの各々よりも短い。

　この構成によれば、第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの長さＬＥおよび第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さの各々が第１接続面６２の傾斜方向の長さＬＣおよび第２接続面７２の傾斜方向の長さの各々よりも長い構成と比較して、レーザバー２１０をハンドリングする際にレーザバー２１０が割れにくくなる。したがって、レーザバー２１０をハンドリングしやすくなる。

　（１－１２）第１窪み部６０および第２窪み部７０を構成する分離溝２２０は、ドライエッチングを用いて素子本体２０の半導体層４０および半導体基板３０を除去することによって形成されている。

　この構成によれば、ダイヤモンドカッターまたはレーザ加工を用いて第１窪み部６０および第２窪み部７０が形成される場合と比較して、分離溝２２０の幅や深さのばらつきが生じにくい。したがって、レーザバー２１０を劈開しても半導体レーザ素子１０の第１側面２５にシワが形成されることを抑制できる。

　＜第２実施形態＞
　図１４～図１６を参照して、第２実施形態の半導体レーザ素子１０について説明する。第２実施形態の半導体レーザ素子１０では、第１実施形態の半導体レーザ素子１０と比較して、第１窪み部６０および第２窪み部７０の形成位置が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体レーザ素子１０と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図１４は、第２実施形態の半導体レーザ素子１０の概略斜視構造を示している。図１５は、図１４の半導体レーザ素子１０の素子裏面２２側の概略平面構造を示している。図１６は、図１５のＦ１６－Ｆ１６線で半導体レーザ素子１０を切断した断面構造であって、第１窪み部６０およびその周辺の断面構造を拡大して示している。

　図１４に示すように、第１窪み部６０は、素子本体２０の第１側面２５と素子裏面２２との間に設けられている。第２窪み部７０は、素子本体２０の第２側面２６と素子裏面２２との間に設けられている。第１窪み部６０および第２窪み部７０は、素子本体２０の内部に向けて窪んでいる。第１窪み部６０および第２窪み部７０は、半導体基板３０に設けられている。一方、第１実施形態とは異なり、第１窪み部６０および第２窪み部７０の各々は、半導体層４０に設けられていない。

　図１５に示すように、第１窪み部６０は、第１側面２５と同じ側を向く第１内側面６１と、第１内側面６１と第１側面２５とを接続する第１接続面６２と、を含む。
　第１内側面６１は、素子裏面２２と繋がっている。第１内側面６１は、Ｚ方向において素子本体２０のうち素子裏面２２寄りの一部に形成されている。より詳細には、第１内側面６１は、Ｚ方向において半導体基板３０のうち基板裏面３２寄りの一部に形成されている。一例では、第１内側面６１は、第１側面２５と平行な面である。

　図１４に示すように、第１接続面６２は、第１内側面６１に対して素子表面２１寄りの位置に形成されている。第１接続面６２は、素子裏面２２に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面として形成されている。より詳細には、第１接続面６２は、Ｚ方向において第１内側面６１から素子表面２１に向かうにつれて第１側面２５に向けて傾斜している。図１６に示すように、素子裏面２２に対する第１接続面６２の角度θ３は、５０°以上６０°以下である。好ましくは、角度θ３は、５３°以上５７°以下である。第１接続面６２における傾斜方向の長さＬＣは、第１内側面６１のＺ方向の長さよりも短い。この長さＬＣは、例えば第１実施形態の長さＬＣと同じである。

　第１側面２５に垂直な方向（第２実施形態ではＹ方向）における第１側面２５と第１内側面６１との間の距離Ｗ１は、第１実施形態の距離Ｗ１（図４参照）と同じである。図１６に示す例では、距離Ｗ１は、１μｍ以上５μｍ以下である。

　図１５に示すように、第１窪み部６０は、Ｘ方向の両端に形成された第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂを含む。第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂは、素子裏面２２と繋がっている。第２実施形態の第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの形状およびサイズは、第１実施形態と同様である。このため、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度は、図７に示す角度θ２と同じである。このため、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度は、第１内側面６１に対する第１接続面６２の角度θＢよりも大きい。一例では、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度は、８５°以上９５°以下である。一例では、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度は、８７°以上９３°以下である。一例では、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度は、８８°以上９２°以下である。一例では、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度は、８９°以上９１°以下である。なお、第１端部接続面６３Ｂは、第１端部接続面６３Ａと同じ構成である。

　第２窪み部７０は、第２側面２６と同じ側を向く第２内側面７１と、第２内側面７１と第２側面２６とを接続する第２接続面７２と、を含む。第２内側面７１は、素子裏面２２と繋がっている。第２接続面７２は、素子裏面２２に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面として形成されている。第２窪み部７０は、Ｘ方向の両端に形成された第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂを含む。第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂは、素子裏面２２と繋がっている。

　第２窪み部７０の形状およびサイズは、第１窪み部６０の形状およびサイズと同じである。つまり、素子裏面２２に対する第２接続面７２の角度は、素子裏面２２に対する第１接続面６２の角度θ３と同じである。つまり、素子裏面２２に対する第２接続面７２の角度は、５０°以上６０°以下である。好ましくは、素子裏面２２に対する第２接続面７２の角度は、５３°以上５７°以下である。第２側面２６に垂直な方向（第２実施形態ではＹ方向）における第２側面２６と第２内側面７１との間の距離は、距離Ｗ１と等しい。つまり、第２側面２６に垂直な方向における第２側面２６と第２内側面７１との間の距離は、１μｍ以上５μｍ以下である。第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度は、第１内側面６１に対する第１端部接続面６３Ａの角度と等しい。このため、第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度は、第２内側面７１に対する第２接続面７２の角度よりも大きい。第２内側面７１に対する第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度は、例えば８５°以上９５°以下であってよいし、例えば８７°以上９３°以下であってよいし、例えば８８°以上９２°以下であってよいし、例えば８９°以上９１°以下であってよい。また、第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａの長さと等しい。このため、第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、第２接続面７２における傾斜方向の長さよりも短い。第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、例えば１μｍ以上５μｍ以下であってよい。

　［効果］
　第２実施形態の半導体レーザ素子１０によれば、以下の効果が得られる。
　（２－１）半導体レーザ素子１０は、互いに反対側を向く素子表面２１および素子裏面２２と、平面視においてＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２３および第２端面２４と、Ｙ方向において互いに反対側を向く第１側面２５および第２側面２６と、を有し、第１端面２３からレーザ光を出射する素子本体２０と、素子表面２１に形成された表面電極５１と、素子裏面２２に形成された裏面電極５２と、を含む。素子本体２０は、第１側面２５と素子裏面２２との間に設けられ、素子本体２０の内部に向けて窪む第１窪み部６０と、第２側面２６と素子裏面２２との間に設けられ、素子本体２０の内部に向けて窪む第２窪み部７０と、を含む。第１窪み部６０は、第１側面２５と同じ側を向く第１内側面６１と、第１内側面６１と第１側面２５とを接続する第１接続面６２と、を含む。第２窪み部７０は、第２側面２６と同じ側を向く第２内側面７１と、第２内側面７１と第２側面２６とを接続する第２接続面７２と、を含む。第１接続面６２および第２接続面７２の各々は、素子裏面２２に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む。

　この構成によれば、レーザバー２１０の劈開によって半導体レーザ素子１０が形成される際に傾斜面としての第１接続面６２および第２接続面７２によって第１側面２５および第２側面２６にシワが発生することを抑制できる。したがって、劈開面となる第１側面２５および第２側面２６の品質の向上を図ることができる。また、第２実施形態の半導体レーザ素子１０は、（１－２）～（１－１２）に準じた効果が得られる。

　＜変更例＞
　上記各実施形態は例えば以下のように変更することができる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一符号を付し、その説明を省略する。

　・第１実施形態において、素子表面２１に対する第１窪み部６０の第１接続面６２の角度θ１、および素子表面２１に対する第２窪み部７０の第２接続面７２の角度の各々は任意に変更可能である。一例では、素子表面２１に対する第１接続面６２の角度θ１、および素子表面２１に対する第２接続面７２の角度の各々は４５°よりも大きく５５°よりも小さくてもよい。

　・第２実施形態において、素子裏面２２に対する第１窪み部６０の第１接続面６２の角度θ３、および素子裏面２２に対する第２窪み部７０の第２接続面７２の角度の各々は任意に変更可能である。一例では、素子裏面２２に対する第１接続面６２の角度θ３、および素子裏面２２に対する第２接続面７２の角度の各々は４５°よりも大きく５５°よりも小さくてもよい。

　・各実施形態において、第１窪み部６０の第１内側面６１に垂直な方向における第１側面２５と第１内側面６１との間の距離Ｗ１、および第２窪み部７０の第２内側面７１に垂直な方向における第２側面２６と第２内側面７１との間の距離の各々は、任意に変更可能である。

　・各実施形態において、第１接続面６２における傾斜方向の長さＬＣ、および第２接続面７２における傾斜方向の長さのそれぞれは任意に変更可能である。一例では、第１接続面６２における傾斜方向の長さＬＣ、および第２接続面７２における傾斜方向の長さの各々は、２μｍよりも小さくてもよいし、８μｍよりも大きくてもよい。

　・各実施形態において、第１窪み部６０および第２窪み部７０は、Ｘ方向（第１方向）において素子本体２０の全体にわたり形成されていてもよい。
　・各実施形態において、第１窪み部６０のＸ方向（第１方向）の長さＬＸ１および第２窪み部７０のＸ方向（第１方向）の長さＬＸ２は任意に変更可能である。一例では、第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１は、素子本体２０の第１領域２７のＸ方向（第１方向）の長さＲＸ１以下であってもよい。一例では、第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１は、素子本体２０の第２領域２８のＸ方向（第１方向）の長さＲＸ２以下であってもよい。一例では、第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２は、素子本体２０の第１領域２７のＸ方向の長さＲＸ１以下であってもよい。一例では、第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２は、素子本体２０の第２領域２８のＸ方向の長さＲＸ２以下であってもよい。

　また、素子本体２０のＸ方向（第１方向）の長さＬＳに対する第１窪み部６０のＸ方向の長さＬＸ１の比率（ＬＸ１／ＬＳ）、および、素子本体２０のＸ方向の長さＬＳに対する第２窪み部７０のＸ方向の長さＬＸ２の比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、５／８よりも小さくてもよいし、７／８よりも大きくてもよい。

　・各実施形態において、第１窪み部６０は、素子本体２０の第１端面２３または第２端面２４と繋がるように設けられていてもよい。
　・各実施形態において、第２窪み部７０は、素子本体２０の第１端面２３または第２端面２４と繋がるように設けられていてもよい。

　・各実施形態において、第１窪み部６０は、Ｘ方向（第１方向）において互いに離隔して複数設けられていてもよい。
　・各実施形態において、第２窪み部７０は、Ｘ方向（第１方向）において互いに離隔して複数設けられていてもよい。

　・各実施形態において、第１側面２５に対する第１窪み部６０の第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２の各々は、８５°未満であってもよい。この場合、第１側面２５に対する第１窪み部６０の第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの角度θ２の各々は、例えば第１内側面６１に対する第１接続面６２の角度θＡ以下であってもよい。

　・各実施形態において、第２側面２６に対する第２窪み部７０の第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々は、８５°未満であってもよい。この場合、第２側面２６に対する第２窪み部７０の第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの角度の各々は、例えば第２内側面７１に対する第２接続面７２の角度以下であってもよい。

　・各実施形態において、第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの長さＬＥは、任意に変更可能である。一例では、第１内側面６１と第１側面２５との間における第１端部接続面６３Ａ，６３Ｂの長さＬＥは、１μｍ未満であってもよいし、５μｍよりも大きくてもよい。

　・各実施形態において、第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、任意に変更可能である。一例は、第２内側面７１と第２側面２６との間における第２端部接続面７３Ａ，７３Ｂの長さは、１μｍ未満であってもよいし、５μｍよりも大きくてもよい。

　・各実施形態において、第１窪み部６０の第１接続面６２の構成は任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、第１接続面６２は、傾斜面６２Ａおよび平坦面６２Ｂを含んでいてもよい。傾斜面６２Ａは、第１内側面６１に接続されている。図１７に示す傾斜面６２Ａは、第１実施形態の第１接続面６２と同じ構成である。つまり、第１接続面６２は、素子表面２１に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面６２Ａを含むといえる。平坦面６２Ｂは、傾斜面６２Ａと第１側面２５とを接続している。平坦面６２Ｂは、例えば素子表面２１と同じ側を向いている。なお、第２窪み部７０の第２接続面７２は、第１接続面６２と同様に傾斜面および平坦面を含んでいてもよい。

　・各実施形態において、半導体基板３０は、オフ角を有していてよい。一例では、半導体基板３０は、１０°のオフ角を有していてよい。より詳細には、図１８に示すように、半導体基板３０の第１基板側面３５および第２基板側面３６は、基板表面３１と直交する方向（Ｚ方向）に対して傾斜している。そして、第１基板側面３５および第２基板側面３６の各々の基板表面３１と直交する方向に対する角度θ４は、１０°である。ここで、第１基板側面３５および第２基板側面３６の各々の基板表面３１と直交する方向に対する角度θ４が１０°とは、半導体基板３０の製造誤差を考慮して、第１基板側面３５および第２基板側面３６の各々の基板表面３１と直交する方向に対する角度が８°以上１２°以下であることも含まれる。

　図１８に示す例では、第１窪み部６０の第１内側面６１および第２窪み部７０の第２内側面７１は、基板表面３１と直交する方向（Ｚ方向）に対して傾斜している。そして、第１内側面６１および第２内側面７１の各々の基板表面３１と直交する方向に対する角度は、角度θ４と同じである。つまり、第１内側面６１は第１側面２５と平行であり、第２内側面７１は第２側面２６と平行である。この場合、素子表面２１に対する第１接続面６２の角度、および素子表面２１に対する第２接続面７２の角度の各々は、３０°以上４０°以下である。

　また、第２実施形態においては、第１接続面６２の傾斜面６２Ａは、第２実施形態の第１接続面６２と同じ構成である。このため、第１接続面６２は、素子裏面２２に対して第１側面２５および第２側面２６とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含むといえる。平坦面は、例えば素子裏面２２と同じ側を向いている。なお、第２実施形態の第２窪み部７０の第２接続面７２は、第２実施形態の第１接続面６２と同様に傾斜面および平坦面を含んでいてもよい。

　・各実施形態において、半導体層４０のｐ型半導体層４６の構成は任意に変更可能である。一例では、ｐ型半導体層４６は、１つのｐ型クラッド層を含む構成であってもよい。この場合、ｐ型半導体層４６は、１つのｐ型エッチングストッパ層を含む。

　本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。

　本明細書において、「ＡおよびＢのうち少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、またはＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に配置される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。

　本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えばＸ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。

　＜付記＞
　本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載される構成要素には、上記実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。

　［付記Ａ１］
　互いに反対側を向く素子表面（２１）および素子裏面（２２）と、前記素子表面（２１）が向く厚さ方向（Ｚ方向）から視て、第１方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く第１端面（２３）および第２端面（２４）と、前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において互いに反対側を向く第１側面（２５）および第２側面（２６）と、を有し、前記第１端面（２３）からレーザ光を出射する素子本体（２０）と、
　前記素子表面（２１）に形成された表面電極（５１）と、
　前記素子裏面（２２）に形成された裏面電極（５２）と、
　を含み、
　前記素子本体（２０）は、
　前記第１側面（２５）と前記素子表面（２１）との間に設けられ、前記素子本体（２０）の内部に向けて窪む第１窪み部（６０）と、
　前記第２側面（２６）と前記素子表面（２１）との間に設けられ、前記素子本体（２０）の内部に向けて窪む第２窪み部（７０）と、
　を含み、
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１側面（２５）と同じ側を向く第１内側面（６１）と、前記第１内側面（６１）と前記第１側面（２５）とを接続する第１接続面（６２）と、を含み、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第２側面（２６）と同じ側を向く第２内側面（７１）と、前記第２内側面（７１）と前記第２側面（２６）とを接続する第２接続面（７２）と、を含み、
　前記第１接続面（６２）および前記第２接続面（７２）の各々は、前記素子表面（２１）に対して前記第１側面（２５）および前記第２側面（２６）とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む
　半導体レーザ素子（１０）。

　［付記Ａ２］
　前記素子表面（２１）に対する前記第１接続面（６２）の前記傾斜面の角度（θ１）、および前記素子表面（２１）に対する前記第２接続面（７２）の前記傾斜面の角度の各々は、５０°以上６０°以下である
　付記Ａ１に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ３］
　前記第１内側面（６１）に垂直な方向（Ｙ方向）における前記第１側面（２５）と前記第１内側面（６１）との間の距離（Ｗ１）、および前記第２内側面（７１）に垂直な方向（Ｙ方向）における前記第２側面（２６）と前記第２内側面（７１）との間の距離の各々は、１μｍ以上５μｍ以下である
　付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ４］
　前記第１接続面（６２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さ（ＬＣ）および前記第２接続面（７２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さの各々は、２μｍ以上８μｍ以下である
　付記Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ５］
　前記第１窪み部（６０）および前記第２窪み部（７０）の各々は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記素子本体（２０）に部分的に設けられている
　付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ６］
　前記素子本体（２０）は、
　前記第１側面（２５）と前記素子表面（２１）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端において、前記第１窪み部（６０）が形成されていない第１領域（２７）と、
　前記第２側面（２６）と前記素子表面（２１）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端において、前記第２窪み部（７０）が形成されていない第２領域（２８）と、
　を含み、
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１側面（２５）と前記素子表面（２１）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端の前記第１領域（２７）の間に１つ設けられており、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第２側面（２６）と前記素子表面（２１）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端の前記第２領域（２８）の間に１つ設けられている
　付記Ａ５に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ７］
　前記第１窪み部（６０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ１）は、前記第１領域（２７）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＲＸ１）よりも長く、
　前記第２窪み部（７０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ２）は、前記第２領域（２８）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＲＸ２）よりも長い
　付記Ａ６に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ８］
　前記素子本体（２０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＳ）に対する前記第１窪み部（６０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ１）の比率（ＬＸ１／ＬＳ）、および、前記素子本体（２０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＳ）に対する前記第２窪み部（７０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ２）の比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、５／８以上７／８以下である
　付記Ａ６に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ９］
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）を含み、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）を含み、
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度の各々は、前記第１内側面（６１）に対する前記第１接続面（６２）の前記傾斜面の角度（θＡ）および前記第２内側面（７１）に対する前記第２接続面（７２）の前記傾斜面の角度の各々よりも大きい
　付記Ａ６～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１０］
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）、および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度は、８５°以上９５°以下である
　付記Ａ９に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１１］
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）、および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度は、８７°以上９３°以下である
　付記Ａ９に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１２］
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）、および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度は、８８°以上９２°以下である
　付記Ａ９に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１３］
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）を含み、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）を含み、
　前記第１内側面（６１）と前記第１側面（２５）との間における前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の長さ（ＬＥ）および前記第２内側面（７１）と前記第２側面（２６）との間における前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の長さの各々は、前記第１接続面（６２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さ（ＬＣ）および前記第２接続面（７２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さの各々よりも短い
　付記Ａ６～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１４］
　前記第１内側面（６１）と前記第１側面（２５）との間における前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の長さおよび前記第２内側面（７１）と前記第２側面（２６）との間における前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の長さの各々は、１μｍ以上５μｍ以下である
　付記Ａ１３に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１５］
　前記素子本体（２０）は、
　前記素子裏面（２２）を構成する基板裏面（３２）と、前記基板裏面（３２）とは反対側を向く基板表面（３１）とを有する半導体基板（３０）と、
　前記基板表面（３１）上に形成され、前記素子表面（２１）を構成する表面（４１）を有し、前記レーザ光を出射する活性層（４２）を含む半導体層（４０）と、
　を含み、
　前記第１窪み部（６０）および前記第２窪み部（７０）は、前記半導体層（４０）から前記半導体基板（３０）までにわたり形成されている
　付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１６］
　前記半導体層（４０）は、
　前記活性層（４２）に対して前記半導体基板（３０）側に配置されたｎ型クラッド層（４５Ａ）と、
　前記活性層（４２）に対して前記ｎ型クラッド層（４５Ａ）とは反対側に配置されたｐ型クラッド層（４６Ａ，４６Ｃ）と、
　を含む
　付記Ａ１５に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１７］
　前記半導体基板（３０）は、ＧａＡｓ基板によって構成されている
　付記Ａ１５またはＡ１６に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１８］
　前記半導体基板（３０）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く第１基板端面（３３）および第２基板端面（３４）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）において互いに反対側を向く第１基板側面（３５）および第２基板側面（３６）と、
　を含み、
　前記第１基板側面（３５）および前記第２基板側面（３６）の各々の前記基板表面（３１）に対する角度は、９０°である
　付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ａ１９］
　前記半導体基板（３０）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く第１基板端面（３３）および第２基板端面（３４）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）において互いに反対側を向く第１基板側面（３５）および第２基板側面（３６）と、
　を含み、
　前記第１基板側面（３５）および前記第２基板側面（３６）は、前記基板表面（３１）と直交する方向（Ｚ方向）に対して傾斜しており、
　前記第１基板側面（３５）および前記第２基板側面（３６）の各々の前記基板表面（３１）と直交する方向（Ｚ方向）に対する傾斜は、１０°である
　付記Ａ１５～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１］
　互いに反対側を向く素子表面（２１）および素子裏面（２２）と、前記素子表面（２１）が向く厚さ方向（Ｚ方向）から視て、第１方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く第１端面（２３）および第２端面（２４）と、前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において互いに反対側を向く第１側面（２５）および第２側面（２６）と、を有し、前記第１端面（２３）からレーザ光を出射する素子本体（２０）と、
　前記素子表面（２１）に形成された表面電極（５１）と、
　前記素子裏面（２２）に形成された裏面電極（５２）と、
　を含み、
　前記素子本体（２０）は、
　前記第１側面（２５）と前記素子裏面（２２）との間に設けられ、前記素子本体（２０）の内部に向けて窪む第１窪み部（６０）と、
　前記第２側面（２６）と前記素子裏面（２２）との間に設けられ、前記素子本体（２０）の内部に向けて窪む第２窪み部（７０）と、
　を含み、
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１側面（２５）と同じ側を向く第１内側面（６１）と、前記第１内側面（６１）と前記第１側面（２５）とを接続する第１接続面（６２）と、を含み、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第２側面（２６）と同じ側を向く第２内側面（７１）と、前記第２内側面（７１）と前記第２側面（２６）とを接続する第２接続面（７２）と、を含み、
　前記第１接続面（６２）および前記第２接続面（７２）の各々は、前記素子裏面（２２）に対して前記第１側面（２５）および前記第２側面（２６）とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む
　半導体レーザ素子（１０）。

　［付記Ｂ２］
　前記素子裏面（２２）に対する前記第１接続面（６２）の前記傾斜面の角度（θ３）、および前記素子裏面（２２）に対する前記第２接続面（７２）の前記傾斜面の角度の各々は、５０°以上６０°以下である
　付記Ｂ１に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ３］
　前記第１内側面（６１）に垂直な方向（Ｙ方向）における前記第１側面（２５）と前記第１内側面（６１）との間の距離（Ｗ１）、および前記第２内側面（７１）に垂直な方向（Ｙ方向）における前記第２側面（２６）と前記第２内側面（７１）との間の距離の各々は、１μｍ以上５μｍ以下である
　付記Ｂ１またはＢ２に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ４］
　前記第１接続面（６２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さ（ＬＣ）および前記第２接続面（７２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さの各々は、２μｍ以上８μｍ以下である
　付記Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ５］
　前記第１窪み部（６０）および前記第２窪み部（７０）の各々は、前記第１方向（Ｘ方向）において前記素子本体（２０）に部分的に設けられている
　付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ６］
　前記素子本体（２０）は、
　前記第１側面（２５）と前記素子裏面（２２）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端において、前記第１窪み部（６０）が形成されていない第１領域（２７）と、
　前記第２側面（２６）と前記素子裏面（２２）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端において、前記第２窪み部（７０）が形成されていない第２領域（２８）と、
　を含み、
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１側面（２５）と前記素子裏面（２２）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端の前記第１領域（２７）の間に１つ設けられており、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第２側面（２６）と前記素子裏面（２２）との間の部分のうち前記第１方向（Ｘ方向）における両端の前記第２領域（２８）の間に１つ設けられている
　付記Ｂ５に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ７］
　前記第１窪み部（６０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ１）は、前記第１領域（２７）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＲＸ１）よりも長く、
　前記第２窪み部（７０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ２）は、前記第２領域（２８）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＲＸ２）よりも長い
　付記Ｂ６に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ８］
　前記素子本体（２０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＳ）に対する前記第１窪み部（６０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ１）の比率（ＬＸ１／ＬＳ）、および、前記素子本体（２０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＳ）に対する前記第２窪み部（７０）の前記第１方向（Ｘ方向）の長さ（ＬＸ２）の比率（ＬＸ２／ＬＳ）の各々は、５／８以上７／８以下である
　付記Ｂ６に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ９］
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）を含み、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）を含み、
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度の各々は、前記第１内側面（６１）に対する前記第１接続面（６２）の前記傾斜面の角度（θＢ）および前記第２内側面（７１）に対する前記第２接続面（７２）の前記傾斜面の角度の各々よりも大きい
　付記Ｂ６～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１０］
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）、および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度は、８５°以上９５°以下である
　付記Ｂ９に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１１］
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）、および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度は、８７°以上９３°以下である
　付記Ｂ９に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１２］
　前記第１内側面（６１）に対する前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の角度（θ２）、および前記第２内側面（７１）に対する前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の角度は、８８°以上９２°以下である
　付記Ｂ９に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１３］
　前記第１窪み部（６０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）を含み、
　前記第２窪み部（７０）は、前記第１方向（Ｘ方向）の両端に形成された第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）を含み、
　前記第１内側面（６１）と前記第１側面（２５）との間における前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の長さ（ＬＥ）および前記第２内側面（７１）と前記第２側面（２６）との間における前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の長さの各々は、前記第１接続面（６２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さ（ＬＣ）および前記第２接続面（７２）の前記傾斜面における傾斜方向の長さの各々よりも短い
　付記Ｂ６～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１４］
　前記第１内側面（６１）と前記第１側面（２５）との間における前記第１端部接続面（６３Ａ，６３Ｂ）の長さおよび前記第２内側面（７１）と前記第２側面（２６）との間における前記第２端部接続面（７３Ａ，７３Ｂ）の長さの各々は、１μｍ以上５μｍ以下である
　付記Ｂ１３に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１５］
　前記素子本体（２０）は、
　前記素子裏面（２２）を構成する基板裏面（３２）と、前記基板裏面（３２）とは反対側を向く基板表面（３１）とを有する半導体基板（３０）と、
　前記基板表面（３１）上に形成され、前記素子表面（２１）を構成する表面（４１）を有し、前記レーザ光を出射する活性層（４２）を含む半導体層（４０）と、
　を含み、
　前記第１窪み部（６０）は、前記基板裏面（３２）と前記第１基板側面（３５）との間に形成されており、
　前記第２窪み部（７０）は、前記基板裏面（３２）と前記第２基板側面（３６）との間に形成されている
　付記Ｂ１～Ｂ１４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１６］
　前記半導体層（４０）は、
　前記活性層（４２）に対して前記半導体基板（３０）側に配置されたｎ型クラッド層（４５Ａ）と、
　前記活性層（４２）に対して前記ｎ型クラッド層と（４５Ａ）は反対側に配置されたｐ型クラッド層（４６Ａ，４６Ｃ）と、
　を含む
　付記Ｂ１５に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１７］
　前記半導体基板（３０）は、ＧａＡｓ基板によって構成されている
　付記Ｂ１５またはＢ１６に記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１８］
　前記半導体基板（３０）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く第１基板端面（３３）および第２基板端面（３４）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）において互いに反対側を向く第１基板側面（３５）および第２基板側面（３６）と、
　を含み、
　前記第１基板側面（３５）および前記第２基板側面（３６）の各々の前記基板表面（３１）に対する角度は、９０°である
　付記Ｂ１５～Ｂ１７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　［付記Ｂ１９］
　前記半導体基板（３０）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く第１基板端面（３３）および第２基板端面（３４）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）において互いに反対側を向く第１基板側面（３５）および第２基板側面（３６）と、
　を含み、
　前記第１基板側面（３５）および前記第２基板側面（３６）は、前記基板表面（３１）と直交する方向（Ｚ方向）に対して傾斜しており、
　前記第１基板側面（３５）および前記第２基板側面（３６）の各々の前記基板表面（３１）と直交する方向（Ｚ方向）に対する傾斜は、１０°である
　付記Ｂ１５～Ｂ１７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。

　以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれる全ての代替、変形、および変更を包含することが意図される。

　１０…半導体レーザ素子
　２０…素子本体
　２１…素子表面
　２２…素子裏面
　２３…第１端面
　２４…第２端面
　２５…第１側面
　２６…第２側面
　２７…第１領域
　２８…第２領域
　３０…半導体基板
　３１…基板表面
　３２…基板裏面
　３３…第１基板端面
　３４…第２基板端面
　３５…第１基板側面
　３６…第２基板側面
　４０…半導体層
　４１…表面
　４２…活性層
　４３…ｎ側ガイド層
　４４…ｐ側ガイド層
　４５…ｎ型半導体層
　４５Ａ…ｎ型クラッド層
　４６…ｐ型半導体層
　４６Ａ…第１ｐ型クラッド層
　４６Ｂ…第１ｐ型エッチングストップ層
　４６Ｃ…第２ｐ型クラッド層
　４６Ｄ…第２ｐ型エッチングストップ層
　４６Ｅ…ｐ型キャップ層
　４６Ｆ…ｐ型コンタクト層
　４７…リッジ部
　４８…電流狭窄層
　５１…表面電極
　５２…裏面電極
　６０…第１窪み部
　６１…第１内側面
　６２…第１接続面
　６２Ａ…傾斜面
　６２Ｂ…平坦面
　６３Ａ，６３Ｂ…第１端部接続面
　７０…第２窪み部
　７１…第２内側面
　７２…第２接続面
　７３Ａ，７３Ｂ…第２端部接続面
　２００…半導体ウエハ
　２０１…ウエハ表面
　２０２…ウエハ裏面
　２１０…レーザバー
　２１１，２１２…側面
　２２０…分離溝
　２２１…第１分離側面
　２２２…第２分離側面
　２２３…第１テーパ面
　２２４…第２テーパ面
　２３０…セパレータ
　ＬＣ…第１接続面における傾斜方向の長さ
　ＬＥ…第１内側面と第１側面との間における第１端部接続面の長さ
　ＬＳ…素子本体のＸ方向の長さ
　ＬＸ１…第１窪み部のＸ方向の長さ
　ＬＸ２…第２窪み部のＸ方向の長さ
　ＬＺ１…第１窪み部のＺ方向の長さ
　ＬＺＣ…第１内側面のＸ方向の両端部よりも中央寄りの部分におけるＺ方向の長さ
　ＬＺＥ…第１内側面のＸ方向の両端部におけるＺ方向の長さ
　ＲＸ１…第１領域のＸ方向の長さ
　ＲＸ２…第２領域のＸ方向の長さ
　Ｗ１…第１側面に垂直な方向における第１側面と第１内側面との間の距離
　θ１…素子表面に対する第１接続面の角度
　θ２…第１内側面に対する第１端部接続面の角度
　θ３…素子裏面に対する第１接続面の角度
　θ４…第１基板側面および第２基板側面の各々の基板表面と直交する方向に対する角度
　θＡ…第１内側面に対する第１接続面の角度
　θＢ…第１内側面に対する第１接続面の角度

Claims

　互いに反対側を向く素子表面および素子裏面と、前記素子表面が向く厚さ方向から視て、第１方向において互いに反対側を向く第１端面および第２端面と、前記第１方向と直交する第２方向において互いに反対側を向く第１側面および第２側面と、を有し、前記第１端面からレーザ光を出射する素子本体と、
　前記素子表面に形成された表面電極と、
　前記素子裏面に形成された裏面電極と、
　を含み、
　前記素子本体は、
　前記第１側面と前記素子表面との間に設けられ、前記素子本体の内部に向けて窪む第１窪み部と、
　前記第２側面と前記素子表面との間に設けられ、前記素子本体の内部に向けて窪む第２窪み部と、
　を含み、
　前記第１窪み部は、前記第１側面と同じ側を向く第１内側面と、前記第１内側面と前記第１側面とを接続する第１接続面と、を含み、
　前記第２窪み部は、前記第２側面と同じ側を向く第２内側面と、前記第２内側面と前記第２側面とを接続する第２接続面と、を含み、
　前記第１接続面および前記第２接続面の各々は、前記素子表面に対して前記第１側面および前記第２側面とは異なる角度で傾斜する傾斜面を含む
　半導体レーザ素子。
　前記素子表面に対する前記第１接続面の前記傾斜面の角度、および前記素子表面に対する前記第２接続面の前記傾斜面の角度の各々は、５０°以上６０°以下である
　請求項１に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１内側面に垂直な方向における前記第１側面と前記第１内側面との間の距離、および前記第２内側面に垂直な方向における前記第２側面と前記第２内側面との間の距離の各々は、１μｍ以上５μｍ以下である
　請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１接続面の前記傾斜面における傾斜方向の長さおよび前記第２接続面の前記傾斜面における傾斜方向の長さの各々は、２μｍ以上８μｍ以下である
　請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１窪み部および前記第２窪み部の各々は、前記第１方向において前記素子本体に部分的に設けられている
　請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
　前記素子本体は、
　前記第１側面と前記素子表面との間の部分のうち前記第１方向における両端において、前記第１窪み部が形成されていない第１領域と、
　前記第２側面と前記素子表面との間の部分のうち前記第１方向における両端において、前記第２窪み部が形成されていない第２領域と、
　を含み、
　前記第１窪み部は、前記第１側面と前記素子表面との間の部分のうち前記第１方向における両端の前記第１領域の間に１つ設けられており、
　前記第２窪み部は、前記第２側面と前記素子表面との間の部分のうち前記第１方向における両端の前記第２領域の間に１つ設けられている
　請求項５に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１窪み部の前記第１方向の長さは、前記第１領域の前記第１方向の長さよりも長く、
　前記第２窪み部の前記第１方向の長さは、前記第２領域の前記第１方向の長さよりも長い
　請求項６に記載の半導体レーザ素子。
　前記素子本体の前記第１方向の長さに対する前記第１窪み部の前記第１方向の長さの比率、および、前記素子本体の前記第１方向の長さに対する前記第２窪み部の前記第１方向の長さの比率の各々は、５／８以上７／８以下である
　請求項６に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１窪み部は、前記第１方向の両端に形成された第１端部接続面を含み、
　前記第２窪み部は、前記第１方向の両端に形成された第２端部接続面を含み、
　前記第１内側面に対する前記第１端部接続面の角度および前記第２内側面に対する前記第２端部接続面の角度の各々は、前記第１内側面に対する前記第１接続面の前記傾斜面の角度および前記第２内側面に対する前記第２接続面の前記傾斜面の角度の各々よりも大きい
　請求項６～８のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１内側面に対する前記第１端部接続面の角度、および前記第２内側面に対する前記第２端部接続面の角度は、８５°以上９５°以下である
　請求項９に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１内側面に対する前記第１端部接続面の角度、および前記第２内側面に対する前記第２端部接続面の角度は、８７°以上９３°以下である
　請求項９に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１内側面に対する前記第１端部接続面の角度、および前記第２内側面に対する前記第２端部接続面の角度は、８８°以上９２°以下である
　請求項９に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１窪み部は、前記第１方向の両端に形成された第１端部接続面を含み、
　前記第２窪み部は、前記第１方向の両端に形成された第２端部接続面を含み、
　前記第１内側面と前記第１側面との間における前記第１端部接続面の長さおよび前記第２内側面と前記第２側面との間における前記第２端部接続面の長さの各々は、前記第１接続面の前記傾斜面における傾斜方向の長さおよび前記第２接続面の前記傾斜面における傾斜方向の長さの各々よりも短い
　請求項６～８のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
　前記第１内側面と前記第１側面との間における前記第１端部接続面の長さおよび前記第２内側面と前記第２側面との間における前記第２端部接続面の長さの各々は、１μｍ以上５μｍ以下である
　請求項１３に記載の半導体レーザ素子。
　前記素子本体は、
　前記素子裏面を構成する基板裏面と、前記基板裏面とは反対側を向く基板表面とを有する半導体基板と、
　前記基板表面上に形成され、前記素子表面を構成する表面を有し、前記レーザ光を出射する活性層を含む半導体層と、
　を含み、
　前記第１窪み部および前記第２窪み部は、前記半導体層から前記半導体基板までにわたり形成されている
　請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
　前記半導体層は、
　前記活性層に対して前記半導体基板側に配置されたｎ型クラッド層と、
　前記活性層に対して前記ｎ型クラッド層とは反対側に配置されたｐ型クラッド層と、
　を含む
　請求項１５に記載の半導体レーザ素子。
　前記半導体基板は、ＧａＡｓ基板によって構成されている
　請求項１５または１６に記載の半導体レーザ素子。
　前記半導体基板は、
　前記第１方向において互いに反対側を向く第１基板端面および第２基板端面と、
　前記第２方向において互いに反対側を向く第１基板側面および第２基板側面と、
　を含み、
　前記第１基板側面および前記第２基板側面の各々の前記基板表面に対する角度は、９０°である
　請求項１５～１７のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
　前記半導体基板は、
　前記第１方向において互いに反対側を向く第１基板端面および第２基板端面と、
　前記第２方向において互いに反対側を向く第１基板側面および第２基板側面と、
　を含み、
　前記第１基板側面および前記第２基板側面は、前記基板表面と直交する方向に対して傾斜しており、
　前記第１基板側面および前記第２基板側面の各々の前記基板表面と直交する方向に対する傾斜は、１０°である
　請求項１５～１７のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。