WO2025005136A1 - フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 - Google Patents

フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 Download PDF

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    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Definitions

  • This disclosure relates to a cleaning composition for removing flux residue, a cleaning method using the cleaning composition, and a method for manufacturing electronic components.
  • metals such as copper and copper alloys are used for the electrodes that form the circuits of electronic substrates such as semiconductor packages.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor element fixed on a substrate by bonding via a die attach material made of a paste composition containing specific silver fine particles, specific silver powder, and a silicon-containing triazine compound, and further containing as a sintering aid a carboxylic acid compound that is an acid anhydride having a boiling point of 100 to 300° C.
  • Paragraph 0051 of the same document discloses that if the boiling point of the carboxylic acid compound exceeds 300° C., it is not preferable because the flux component (organic substance such as organic acid) will not volatilize during sintering and will remain in the film.
  • Patent Document 2 proposes a cleaning method for cleaning an object having flux residue using a cleaning agent composition containing an organic solvent and a compound having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms on a nitrogen atom of an imidazole ring or a piperazine ring.
  • International Publication No. 2019/044463 proposes a treatment liquid for semiconductor devices containing water, an organic solvent, and two or more types of nitrogen-containing aromatic heterocyclic compounds.
  • Patent Document 4 proposes a cleaning agent composition for tin-containing alloy parts, which contains an organic carboxylate, a nitrogen-based heterocyclic compound, and an organic solvent as active ingredients.
  • the present disclosure relates to a cleaning composition for removing flux residue, comprising a compound represented by the following formula (I) (component A), a benzotriazole derivative (component B), and an imidazole derivative or a pyrazole derivative (component C): R 1 -O-(AO) n -R 2 (I)
  • R1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • R2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • AO is an ethylene oxide group (EO) or a propylene oxide group (PO)
  • n is the number of moles of AO added and is an integer of 1 to 3.
  • the present disclosure relates to a cleaning method including a cleaning step in which an object having flux residue is cleaned with the cleaning composition of the present disclosure.
  • a process of holding the substrate at a high temperature of 200° C. or higher is required to melt the metal. If flux residue, mainly composed of acid, remains on the substrate after this sintering process, it must be cleaned, and therefore the cleaning composition is required to have high cleaning properties for flux residue (flux residue removal properties).
  • an organic film surface protection film may be formed on the surface of a substrate or a metal member by using a water-soluble preflux.
  • the cleaning composition When sintering and flux removal are performed partially on the same substrate surface, or when metal members are present on both sides of the same substrate, the cleaning composition may come into contact with the organic film. In order to prevent the organic film from being removed during flux residue cleaning, the cleaning composition is required to cause little damage to the organic film. Furthermore, since corrosion of metals used in the substrate surface or metal components leads to a decrease in the quality and value of the package substrate, the cleaning composition is also required to have a high metal corrosion prevention ability (corrosion prevention property).
  • the present disclosure provides a cleaning agent composition and cleaning method for removing flux residue that are excellent in flux residue removal while suppressing metal corrosion and damage to organic coatings.
  • the present disclosure provides a cleaning agent composition and cleaning method for removing flux residue that are excellent in flux residue removal while suppressing metal corrosion and damage to organic coatings.
  • the inventors have discovered that by using a combination of the compound represented by the above formula (I) (component A), a benzotriazole derivative (component B), and an imidazole derivative or pyrazole derivative (component C), flux residue can be efficiently removed while suppressing metal corrosion and damage to the organic coating.
  • the present disclosure relates to a cleaning composition for removing flux residues (hereinafter also referred to as the "cleaning composition of the present disclosure") that contains a compound represented by the above formula (I) (component A), a benzotriazole derivative (component B), and an imidazole derivative or a pyrazole derivative (component C).
  • a cleaning composition for removing flux residues hereinafter also referred to as the "cleaning composition of the present disclosure” that contains a compound represented by the above formula (I) (component A), a benzotriazole derivative (component B), and an imidazole derivative or a pyrazole derivative (component C).
  • Component B (benzotriazole derivative) and component C (imidazole derivative or pyrazole derivative), which are nitrogen-containing aromatic heterocyclic compounds, can be coordinated to metals via nitrogen atoms.
  • component A a compound represented by formula (I)
  • the generated copper ions react with components B and C to reform the organic coating.
  • the presence of two types of components B and C forms a dense organic coating with significantly better corrosion resistance than when each component is present alone.
  • the flux residue removal ability is excellent while suppressing metal corrosion and damage to the organic coating.
  • the present disclosure need not be construed as being limited to this mechanism.
  • the "flux” in the present disclosure refers to a flux used to bond two members together by a sintering process (e.g., a process of maintaining at a high temperature of 200° C. or higher), and is used, for example, to bond a heat sink to a semiconductor element or to bond a heat sink to a substrate.
  • the flux is a bonding aid containing an acid as a main component.
  • the "cleaning composition for removing flux residue” in the present disclosure refers to a cleaning composition for removing flux residue remaining after two members are joined by a sintering step.
  • Component A Compound represented by formula (I)
  • the cleaning composition of the present disclosure contains a compound represented by the following formula (I) (hereinafter also referred to as "Component A").
  • Component A may be one type or a combination of two or more types.
  • R1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • R2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • AO is an ethylene oxide group (EO) or a propylene oxide group (PO)
  • n is the number of moles of AO added and is an integer of 1 to 3.
  • R1 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 4 to 6 carbon atoms, from the viewpoint of improving flux residue removability.
  • R2 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 2 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, from the same viewpoint.
  • AO is preferably an ethylene oxide group (EO) from the same viewpoint.
  • n is preferably 2 or 3, more preferably 2, from the same viewpoint.
  • Component A examples include monophenyl ethers such as ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, and triethylene glycol monophenyl ether; monoalkyl ethers having an alkyl group having from 1 to 8 carbon atoms, such as ethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol monoalkyl ether, triethylene glycol monoalkyl ether, and tripropylene glycol monoalkyl ether; dialkyl ethers having an alkyl group having from 1 to 8 carbon atoms and an alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms, such as ethylene glycol dialkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, and triethylene glycol dialkyl ether; phenyl alkyl ethers having a phenyl group and an alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms, such as ethylene glycol phenyl alkyl ether, diethylene glycol phenyl alkyl ether,
  • Component A is preferably at least one selected from diethylene glycol monoalkyl ether and dipropylene glycol monoalkyl ether, and examples thereof include at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether (butyl diglycol, BDG), dipropylene glycol monobutyl ether (BFDG), and diethylene glycol monohexyl ether (hexyl diglycol).
  • BDG diethylene glycol monobutyl ether
  • BFDG dipropylene glycol monobutyl ether
  • hexyl diglycol diethylene glycol monohexyl ether
  • the content of component A when using the cleaning composition of the present disclosure is preferably 35% by mass or more and 99.5% by mass or less, more preferably 50% by mass or more and 95% by mass or less, and even more preferably 75% by mass or more and 90% by mass or less, from the viewpoint of improving flux residue removability, suppressing metal corrosion and suppressing damage to the organic coating.
  • the content of component A refers to the total content thereof.
  • Component B Benzotriazole derivative
  • the cleaning composition of the present disclosure contains a benzotriazole derivative (hereinafter also referred to as "component B").
  • component B include a compound represented by the following formula (II) or a compound represented by the following formula (III). From the viewpoints of improving flux residue removability, inhibiting metal corrosion, and inhibiting damage to an organic coating, the compound represented by formula (III) is preferred.
  • Component B may be one type or a combination of two or more types.
  • R 5 and R 6 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • R 7 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R5 and R6 are preferably an alkyl group having 6 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 carbon atoms.
  • R7 is preferably a hydrogen atom.
  • Examples of the compound represented by formula (III) above include 1-[N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl]benzotriazole (BT-LX), 1-[N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl]methylbenzotriazole (TT-LX), etc.
  • the content of component B when using the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and even more preferably 0.3% by mass or more, from the viewpoint of inhibiting metal corrosion and inhibiting damage to the organic coating, and is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and even more preferably 1% by mass or less, from the viewpoint of solubility in component A. More specifically, the content of component B when using the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or more and 5% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 3% by mass or less, and even more preferably 0.3% by mass or more and 1% by mass or less.
  • component B is a combination of two or more types, the content of component B refers to the total content thereof.
  • the mass ratio A/B (content of A/content of B) of component A to component B in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 50 or more, preferably 100 or more, preferably 150 or more, and may be 200 or more, from the viewpoint of improving flux residue removability and solubility in component A. Furthermore, from the viewpoint of inhibiting metal corrosion and inhibiting damage to the organic coating, it is preferably 1000 or less, preferably 500 or less, preferably 300 or less, and may be 250 or less. More specifically, the mass ratio A/B is preferably 50 or more and 1000 or less, more preferably 100 or more and 500 or less, and even more preferably 150 or more and 300 or less.
  • Component C Imidazole derivative or pyrazole derivative
  • the cleaning composition of the present disclosure contains an imidazole derivative or a pyrazole derivative (hereinafter, also referred to as “component C”).
  • Component C may be one type or a combination of two or more types.
  • the imidazole derivative includes, for example, a compound represented by the following formula (IV).
  • R 8 , R 9 , R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group, and R 10 and R 11 may form a benzene ring together with the carbon atoms a and b.
  • R 8 , R 9 , R 10 and R 11 each independently represent preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, from the viewpoints of improving flux residue removability, inhibiting metal corrosion, and inhibiting damage to the organic coating.
  • Examples of the compound represented by the following formula (IV) include imidazole, 1-methylimidazole, 1-ethylimidazole, 1-propylimidazole, 1-isopropylimidazole, 1-acetylimidazole, 1-aminopropylimidazole, 1-hydroxyethylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-propylimidazole, 2-isopropylimidazole, 2-acetyl ...
  • the compound represented by the following formula (IV) is, from the viewpoints of improving the removability of flux residue, inhibiting metal corrosion, and inhibiting damage to the organic coating, preferably at least one selected from imidazole, 1-methylimidazole, 2-methylimidazole, and benzimidazole, more preferably imidazole and 2-methylimidazole, and even more preferably 2-methylimidazole.
  • pyrazole derivatives An example of the pyrazole derivative is a compound represented by the following formula (V).
  • R 12 , R 13 , R 14 and R 15 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or a phenyl group, and R 14 and R 15 may be bonded to each other to form a ring.
  • R 12 , R 13 , R 14 and R 15 are preferably hydrogen atoms from the viewpoints of improving flux residue removability, inhibiting metal corrosion and inhibiting damage to the organic coating.
  • Examples of compounds represented by the following formula (V) include pyrazole and 3,5-dimethylpyrazole.
  • the content of component C when using the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and even more preferably 0.3% by mass or more, from the viewpoint of inhibiting metal corrosion and inhibiting damage to the organic coating, and is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and even more preferably 1% by mass or less, from the viewpoint of solubility in component A. More specifically, the content of component C when using the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or more and 5% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 3% by mass or less, and even more preferably 0.3% by mass or more and 1% by mass or less.
  • component C is a combination of two or more types, the content of component C refers to the total content thereof.
  • the mass ratio B/C of component B to component C is preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more, and even more preferably 0.5 or more, from the viewpoint of inhibiting metal corrosion and inhibiting damage to the organic coating, and from the same viewpoint, is preferably 100 or less, more preferably 10 or less, and even more preferably 5 or less. More specifically, the mass ratio B/C is preferably 0.01 or more and 100 or less, more preferably 0.1 or more and 10 or less, and even more preferably 0.5 or more and 5 or less.
  • the mass ratio A/C of components A and C (content of component A/content of component C) in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 20 or more, preferably 50 or more, and preferably 70 or more from the viewpoint of improving flux residue removability and solubility in component A, and is preferably 500 or less, preferably 300 or less, and preferably 200 or less from the viewpoint of metal corrosion and damage to the organic coating. More specifically, the mass ratio A/C is preferably 20 or more and 500 or less, more preferably 50 or more and 300 or less, and even more preferably 70 or more and 200 or less.
  • the total content of components A, B, and C in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and more preferably 85% by mass or more, from the viewpoint of improving flux residue removability. Also, from the viewpoint of lowering the flash point, it is preferably 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or less, and more preferably 90% by mass or less. More specifically, the total content of components A, B, and C is preferably 50% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 70% by mass or more and 95% by mass or less, even more preferably 80% by mass or more and 90% by mass or less, and even more preferably 85% by mass or more and 90% by mass or less.
  • the cleaning composition of the present disclosure may further include water (hereinafter also referred to as "component D").
  • component D include ion-exchanged water, RO water (water treated by a reverse osmosis membrane), distilled water, pure water, and ultrapure water.
  • the content of Component D during use of the cleaning composition of the present disclosure is preferably 1 mass % or more, more preferably 5 mass % or more, and even more preferably 8 mass % or more from the viewpoint of lowering the flash point, and is preferably 15 mass % or less, more preferably 14 mass % or less, and even more preferably 13 mass % or less from the viewpoint of improving flux residue removability. More specifically, the content of Component D in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 1 mass % or more and 15 mass % or less, more preferably 5 mass % or more and 14 mass % or less, and even more preferably 8 mass % or more and 13 mass % or less.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure may appropriately contain, as necessary, a chelating agent such as 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid (HEDP), an anti-rust agent, a thickener, a dispersant, a solvent other than Component A, a basic substance (e.g., dibutylaminoethanol, diisopropanolamine, etc.), a pH adjuster, a polymer compound, a surfactant, a solubilizing agent, a preservative, a bactericide, an antibacterial agent, an antifoaming agent, an antioxidant, or an organic carboxylate (e.g., stannous octoate, etc.), which are typically used in cleaning agents, within a range that does not impair the effects of the present disclosure.
  • a chelating agent such as 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid (HEDP), an anti-rust agent, a thickener, a dispersant, a
  • the content of other components in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 8% by mass or less, and even more preferably 0% by mass or more and 6% by mass or less.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be produced, for example, by blending component A, component B, component C, and optional components (component D and other components) as necessary by a known method.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be produced by blending at least component A, component B, and component C.
  • the present disclosure relates to a method for producing a cleaning composition, comprising a step of blending at least component A, component B, and component C.
  • "blending" includes mixing component A, component B, component C, and optional components (component D and other components) as necessary simultaneously or in any order.
  • the blended amount of each component can be the same as the content of each component when the cleaning composition of the present disclosure is used as described above.
  • the content of each component in the cleaning composition at the time of use refers to the content of each component at the time of cleaning, i.e., at the time when the use of the cleaning composition for cleaning is started.
  • the cleaning composition of the present disclosure is used for cleaning an object having flux residue, particularly an object having flux residue remaining after joining two members by a sintering process.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used as a cleaning agent for removing flux residue from an object to be cleaned having flux residue.
  • the present disclosure relates to use of a cleaning composition containing Component A, Component B, and Component C (i.e., the cleaning composition of the present disclosure) as a flux residue cleaning agent.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used as a remover for removing flux residue from an object having flux residue therein.
  • the present disclosure relates to a flux residue cleaning remover composition comprising the cleaning composition of the present disclosure (hereinafter also referred to as the "flux residue cleaning remover composition of the present disclosure").
  • the present disclosure relates to use of the cleaning composition of the present disclosure or the flux residue cleaning remover composition of the present disclosure as a flux residue remover.
  • the object to be cleaned may be a substrate having flux residue that has been subjected to a step of heating to 200° C. or higher, and in one or more embodiments, the object may have a copper-containing metal member on the substrate having flux residue that has been subjected to the step of heating to 200° C. or higher.
  • the step of heating to 200° C. or higher is a step of maintaining the substrate at a high temperature of 200° C. or higher (sintering step).
  • the object to be cleaned may be an object to be cleaned having flux residue.
  • the object to be cleaned having flux residue may be a substrate having flux residue, which has undergone a step of heating to 200° C. or higher (sintering step) after applying a flux-containing slurry between a substrate and a metal member or between two metal members on a substrate.
  • the present disclosure relates to the use of the cleaning agent composition of the present disclosure in cleaning a substrate having flux residue, which has undergone a step of heating to 200° C. or higher (sintering step) after applying a flux-containing slurry between a substrate and a metal member or between two metal members on a substrate.
  • the heating temperature is, for example, 200° C. to 350° C.
  • the organic coating is a surface protective film for protecting the substrate surface and/or metal member.
  • the organic coating is formed by a water-soluble preflux (OSP, Organic Solderability Preservative) treatment.
  • the method for forming the organic coating includes a method of immersing the substrate surface and/or the surface of the metal member in a water-soluble preflux.
  • the immersion temperature is, for example, 30° C. to 50° C.
  • the immersion time is, for example, 30 seconds to 90 seconds.
  • the thickness of the organic coating is, for example, 0.1 ⁇ m to 0.3 ⁇ m.
  • the water-soluble preflux is an aqueous solution mainly composed of an imidazole derivative.
  • the OSP treatment is a Cu-OSP treatment.
  • the object to be cleaned is a substrate having flux residue, which has been subjected to a process of applying a slurry containing a flux between a substrate and a metal member or between two metal members on a substrate and then heating to 200° C. or higher (sintering process), and which includes an organic coating containing an imidazole derivative.
  • the flux contains an acid as a main component, for example, an organic acid such as abietic acid.
  • the flux-containing slurry may further include metal particles.
  • the metal particles are preferably metal particles having a sintering temperature (curing temperature) of 300° C. or less, and examples thereof include tin, copper, silver, or a mixture of metals thereof.
  • the metal particles serve as a bonding material capable of bonding between a substrate and a metal member or between two metal members on a substrate.
  • the flux-containing slurry may be used as a die attachment paste.
  • the slurry may be used as a conductive die attachment paste in one or more embodiments.
  • the metal member is fixed onto a substrate.
  • the metal of the metal member includes copper, iron, etc.
  • the metal member include a heat sink, an electric circuit, etc.
  • the substrate may be a substrate having a metal surface, such as a copper plate, a steel plate, a stainless steel plate, a tough pitch copper plate, or a copper wiring printed circuit board.
  • the substrate surface and/or the metal member of the object to be cleaned contains copper.
  • the present disclosure relates to a cleaning method (hereinafter also referred to as the "cleaning method of the present disclosure") including a cleaning step of cleaning an object having flux residue with the cleaning composition of the present disclosure.
  • the object to be cleaned may be any of the above-mentioned objects.
  • the cleaning step includes contacting the object to be cleaned having flux residue with the cleaning composition of the present disclosure. According to the cleaning method of the present disclosure, the flux residue can be efficiently removed while suppressing metal corrosion and damage to an organic coating.
  • Examples of a method for cleaning an object to be cleaned with the cleaning composition of the present disclosure, or a method for bringing the cleaning composition of the present disclosure into contact with an object to be cleaned include a method for contacting the object in a bathtub of an ultrasonic cleaning device, a method for contacting the object by ejecting the cleaning composition in a spray form (shower method), etc.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used for cleaning as it is without dilution.
  • the cleaning step is a step of immersing the object to be cleaned in the cleaning composition of the present disclosure. From the viewpoints of improving flux residue removability, inhibiting metal corrosion, and inhibiting damage to an organic coating, the immersion temperature is preferably 80° C.
  • the cleaning step is preferably a step of immersing the object to be cleaned in the cleaning composition of the present disclosure at 80° C. or lower.
  • the immersion time is preferably 5 minutes or longer, more preferably 10 minutes or longer, and even more preferably 30 minutes or longer, and is preferably 3 hours or shorter, more preferably 2 hours or shorter, and even more preferably 1 hour or shorter.
  • the cleaning method of the present disclosure preferably includes a step of contacting the object to be cleaned with the cleaning composition, rinsing the object with water and/or an alcohol such as methanol, and drying the object.
  • the cleaning method of the present disclosure it is preferable to irradiate ultrasonic waves when the cleaning composition of the present disclosure comes into contact with the object to be cleaned, from the viewpoint that the cleaning power of the cleaning composition of the present disclosure is easily exhibited, and it is more preferable that the ultrasonic waves are relatively strong.
  • the frequency of the ultrasonic waves is preferably 26 to 72 kHz and 80 to 1500 W, and more preferably 36 to 72 kHz and 80 to 1500 W.
  • the cleaning step in the cleaning method of the present disclosure is a step (removal step) of cleaning and removing flux residue from an object to be cleaned with a flux residue remover.
  • the flux residue remover in the removal step include the flux residue cleaning remover composition of the present disclosure described above. That is, in one or a plurality of embodiments, the cleaning method of the present disclosure is a method for cleaning and removing flux residue, which includes a step of cleaning and removing flux residue from an object to be cleaned with the deflux remover composition of the present disclosure, and the object to be cleaned is a substrate having flux residue that has been subjected to a step of heating to 200° C. or higher (sintering step).
  • the present disclosure relates to a method for manufacturing an electronic component using the cleaning method of the present disclosure (hereinafter also referred to as the "method for manufacturing an electronic component of the present disclosure").
  • the method for producing electronic components according to the present disclosure includes a step of applying a flux-containing slurry between a substrate and a metal member or between two metal members on a substrate, followed by heating to 200° C. or higher (sintering step), and a step of cleaning the substrate (object to be cleaned) having flux residue after the sintering step, with the cleaning composition of the present disclosure or the cleaning method of the present disclosure (cleaning step).
  • a cleaning composition for removing flux residue comprising a compound (component A) represented by the following formula (I), a benzotriazole derivative (component B), and an imidazole derivative or a pyrazole derivative (component C): R 1 -O-(AO) n -R 2 (I)
  • R1 is a phenyl group or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • R2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • AO is an ethylene oxide group (EO) or a propylene oxide group (PO)
  • n is the number of moles of AO added and is an integer of 1 to 3.
  • ⁇ 5> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the content of component B is 0.05% by mass or more and 5% by mass or less, or 0.1% by mass or more and 3% by mass or less, or 0.3% by mass or more and 1% by mass or less.
  • ⁇ 6> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, wherein a mass ratio B/C of component B to component C is 0.01 or more and 100 or less.
  • ⁇ 7> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein a mass ratio B/C of component B to component C is 0.01 or more and 100 or less, or 0.1 or more and 10 or less, or 0.5 or more and 5 or less.
  • ⁇ 8> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein a mass ratio A/B of component A to component B (content of A/content of B) is 50 or more and 1,000 or less, or 100 or more and 500 or less, or 150 or more and 300 or less.
  • a mass ratio A/C of component A to component C (content of component A/content of component C) is 20 or more and 500 or less, or 50 or more and 300 or less, or 70 or more and 200 or less.
  • ⁇ 10> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, further comprising water (component D).
  • a cleaning method comprising: a cleaning step of cleaning an object having flux residue with the cleaning agent composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 13>.
  • the cleaning method according to ⁇ 14>, wherein the object to be cleaned having flux residue is a substrate having flux residue that has been subjected to a process of applying a flux-containing slurry between a substrate and a metal member or between two metal members on a substrate, and then heating the substrate to 200° C. or higher.
  • the substrate surface and/or the metal member of the object to be cleaned includes an organic coating containing an imidazole derivative.
  • ⁇ 17> The cleaning method according to any one of ⁇ 14> to ⁇ 16>, wherein the substrate surface and/or the metal member of the object to be cleaned includes an organic coating film in contact with an agent containing an imidazole derivative.
  • the cleaning step is a step of immersing the object to be cleaned in the flux cleaning composition at 80° C. or lower.
  • the substrate surface and/or the metal member of the object to be cleaned contains copper.
  • a method for producing a semiconductor electronic component comprising the cleaning method according to any one of ⁇ 14> to ⁇ 19>.
  • Test substrate 1 evaluation of damage to organic coating and corrosion resistance
  • a test substrate 1 used for evaluating damage to an organic coating and corrosion resistance was prepared as follows. ⁇ Pre-flux treatment of substrate (formation of organic coating)> The test substrate was subjected to a preflux treatment (Cu-OSP treatment) in the following steps and under the following conditions.
  • Flux (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd., product name: Deltalux M B-T100) was printed to a thickness of 100 ⁇ m on a copper wiring printed board (10 mm ⁇ 15 mm) using a stencil mask, and 300 ⁇ m solder balls having a composition of Sn-3Ag-0.5Cu (each value is by mass %) were placed on the flux printed locations, and the board was reflowed in a reflow furnace at a heating rate of 2.5° C./sec and a peak temperature of 250° C. for 30 seconds (oxygen concentration was 100 ppm) to produce test board 2.
  • the test substrate 2 produced here is a model that simulates the joining of metals on a substrate from the heating temperature and holding time.
  • the sintering conditions assumed were a heating temperature of 250° C. and a heating time of 4 minutes (this heating time includes the holding time at 250° C. (30 seconds), the temperature rise time, and the cooling time).
  • the cleaning test was carried out according to the following procedure. First, an ultrasonic cleaning tank, a first rinsing tank, and a second rinsing tank are prepared under the following conditions. The ultrasonic cleaning tank was set to a frequency of 40 kHz and an output of 400 W. 100 g of each cleaning composition was added to a 500 mL glass beaker, which was then placed in an ultrasonic cleaning tank and heated to 60°C. The first and second rinsing tanks were prepared by preparing two 100 mL glass beakers each containing a 50 mm rotor, adding 100 g of pure water to each, placing them in a warm bath, and heating them to 40° C.
  • test substrate 1 was observed using an optical microscope (VHX-2000, manufactured by Keyence Corporation).
  • the test substrate 1 was placed in a thermo-hygrostat (PR-1J, manufactured by Espec Corporation) and left to stand for 24 hours under conditions of a temperature of 85° C. and a relative humidity of 85% rh, after which the test substrate 1 was removed.
  • the test substrate 1 was visually observed using the optical microscope VHX-2000, and the appearance was compared before and after storage under constant temperature and humidity conditions, and the corrosion resistance was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • B No color unevenness, no discoloration.
  • Example 1 Discoloration is observed, with some areas turning brown. D: The whole area is browned.
  • the cleaning composition which has a large X-Y value in the evaluation of the water contact angle after cleaning and is capable of leaving an organic coating, was superior in anticorrosion properties, and Examples 2 to 18 also showed excellent anticorrosion properties.
  • flux residue can be efficiently removed while suppressing metal corrosion and damage to organic coatings, which makes it possible, for example, to shorten the flux cleaning process in the semiconductor device manufacturing process and improve the performance and reliability of the semiconductor device manufactured, thereby improving the productivity of semiconductor devices.

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Abstract

一態様において、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。　本開示は、一態様において、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）と、ベンゾトリアゾール誘導体（成分Ｂ）と、イミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（成分Ｃ）とを含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。　Ｒ1－Ｏ－（ＡＯ）n－Ｒ2　（Ｉ）　上記式（Ｉ）中、Ｒ1は、フェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ2は、水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯは、エチレンオキシド基（ＥＯ）又はプロピレンオキシド基（ＰＯ）であり、ｎは、ＡＯの付加モル数であって１以上３以下の整数である。

Description

フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
　本開示は、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法、及び電子部品の製造方法に関する。
　半導体パッケージ等の電子基板の回路を形成する電極には、製造コストを低減する為に、銅、銅合金等の金属が用いられている。
　プリント配線板の実装方法として、実装密度を向上させた表面実装が広く採用されている。実装密度を向上するために、基板上の配線と電子素子の端子間にナノ金属ペーストを塗布し、加熱によりナノ金属を溶融及び固化させ、基板上の配線と電子素子の端子間を結合させる技術が知られている。
　例えば、特開２０２０－３５７２１号公報（特許文献１）には、特定の銀微粒子と特定の銀粉と珪素含有トリアジン化合物とを含み、さらに沸点が１００～３００℃の酸無水物であるカルボン酸化合物を焼結助剤として含むペースト組成物からなるダイアタッチ材料を介して接着し、基板上に固定された半導体素子が開示されている。同文献の００５１段落には、カルボン酸化合物の沸点が３００℃を超えると、焼結の際に揮発せず膜中にフラックス成分（有機酸等の有機物）が残存することとなるので好ましくないことが開示されている。
　一方、はんだ付け後の電子部品のはんだフラックスを洗浄する技術が知られている。
　例えば、国際公開第２０２０／１１６５３４号（特許文献２）には、有機溶剤とイミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１～４のアルキル基を有する化合物とを含む洗浄剤組成物を用いて、フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄する洗浄方法が提案されている。
　国際公開第２０１９／０４４４６３号（特許文献３）には、水と有機溶剤と２種以上の含窒素芳香族複素環化合物とを含む半導体デバイス用処理液が提案されている。
　特開２００５－４１９８９号公報（特許文献４）には、有機カルボン酸塩、窒素系複素環化合物及び有機溶剤を有効成分として含有するスズ含有合金製部品用洗浄剤組成物が提案されている。
　本開示は、一態様において、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）とベンゾトリアゾール誘導体（成分Ｂ）とイミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（成分Ｃ）とを含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
　Ｒ1－Ｏ－（ＡＯ）n－Ｒ2　（Ｉ）
　上記式（Ｉ）中、Ｒ1はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ2は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基（ＥＯ）又はプロピレンオキシド基（ＰＯ）であり、ｎはＡＯの付加モル数であって１以上３以下の整数である。
　本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む、洗浄方法に関する。
　酸（フラックス成分）を含むナノ金属ペーストを塗布し、加熱によりナノ金属を溶融及び固化させて、基板上の配線と電子素子の端子間を結合させる際には、金属を溶融させるために基板を２００℃以上の高温で保持する工程（焼結工程）が必要となる。この焼結工程を経た基板上に酸を主成分とするフラックス残渣が残存すると、これを洗浄する必要があるため、洗浄剤組成物にはフラックス残渣に対する高い洗浄性（フラックス残渣除去性）が求められる。
　また、基板表面や金属部材の表面に水溶性プレフラックスを用いて有機被膜（表面保護膜）が形成されることがある。同一基板面上で部分的に焼結・フラックス除去を行う場合や、同一基板の両面に金属部材を有する場合、有機被膜に洗浄剤組成物が接触することがある。フラックス残渣の洗浄の際に有機被膜が除去されることを抑制するために、洗浄剤組成物には有機被膜へのダメージが少ないことが要求される。
　さらに、基板表面や金属部材に使用される金属が腐食するとパッケージ基板の品質や価値の低下を招くことから、洗浄剤組成物には高い金属腐食防止能（防食性）も要求される。
　そこで、本開示は、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物及び洗浄方法を提供する。
　本開示によれば、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物及び洗浄方法を提供できる。
　本発明者らは、上記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）とベンゾトリアゾール誘導体（成分Ｂ）とイミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（成分Ｃ）とを組み合わせて用いることで、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣を効率よく除去できるという知見に基づく。
　すなわち、本開示は、一態様において、上記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）とベンゾトリアゾール誘導体（成分Ｂ）とイミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（成分Ｃ）とを含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）に関する。
　本開示の効果発現の作用メカニズムの詳細は不明な部分はあるが、以下のように推察される。
　含窒素芳香族複素環化合物である成分Ｂ（ベンゾトリアゾール誘導体）および成分Ｃ（イミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体）は、窒素原子を介して金属に配位することが可能である。成分Ａ（式（Ｉ）で表される化合物）による有機被膜の溶解によって銅イオンが生成し、生成した銅イオンが成分Ｂ及び成分Ｃと反応して、有機被膜を再形成すると考えられる。このとき、それぞれが単独で存在する場合に比べて成分Ｂと成分Ｃの２種類が存在することで、格段に防食性に優れる緻密な有機被膜が形成されていると推測される。結果として、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣除去性に優れるものと考えられる。
　ただし、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
　本開示における「フラックス」とは、一又は複数の実施形態において、焼結工程（例えば、２００℃以上の高温で保持する工程）により２つの部材間を接合するために用いられるフラックスであり、例えば、放熱板と半導体素子との接合や、放熱板と基板との接合に用いられる。フラックスは、一又は複数の実施形態において、酸を主成分とする接合助剤である。
　本開示における「フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」は、一又は複数の実施形態において、焼結工程により２つの部材間を接合した後に残存するフラックス残渣を除去するための洗浄剤組成物をいう。
［成分Ａ：式（Ｉ）で表される化合物］
　本開示の洗浄剤組成物は、下記式（Ｉ）で表される化合物（以下、「成分Ａ」ともいう）を含む。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　Ｒ1－Ｏ－（ＡＯ）n－Ｒ2　（Ｉ）
　上記式（Ｉ）中、Ｒ1は、フェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ2は、水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯは、エチレンオキシド基（ＥＯ）又はプロピレンオキシド基（ＰＯ）であり、ｎは、ＡＯの付加モル数であって１以上３以下の整数である。
　上記式（Ｉ）において、Ｒ1は、フラックス残渣除去性向上の観点から、炭素数１以上８以下のアルキル基が好ましく、炭素数４以上６以下のアルキル基がより好ましい。Ｒ2は、同様の観点から、水素原子又は炭素数２以上４以下のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。ＡＯは、同様の観点から、エチレンオキシド基（ＥＯ）が好ましい。ｎは、同様の観点から、２又は３が好ましく、２がより好ましい。
　成分Ａとしては、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル等のモノフェニルエーテル；炭素数１以上８以下のアルキル基を有するエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリプロピレングリコールモノアルキルエーテル等のモノアルキルエーテル；炭素数１以上８以下のアルキル基及び炭素数１以上４以下のアルキル基を有するエチレングリコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキルエーテル等のジアルキルエーテル；フェニル基及び炭素数１以上４以下のアルキル基を有するエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、ジエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、トリエチレングリコールフェニルアルキルエーテル等のフェニルアルキルエーテル；等が挙げられる。
　これらのなかでも、成分Ａとしては、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びジプロピレングリコールモノアルキルエーテルから選ばれる少なくとも１種が好ましく、例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルジグリコール、ＢＤＧ）、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル（ＢＦＤＧ）、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルジグリコール）から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、フラックス残渣除去性の向上の観点から、３５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上が更に好ましく、そして、金属腐食抑制及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、９９．５質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましく、９０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、フラックス残渣除去性の向上、金属腐食抑制及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、３５質量％以上９９．５質量％以下が好ましく、５０質量％以上９５質量％以下がより好ましく、７５質量％以上９０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［成分Ｂ：ベンゾトリアゾール誘導体］
　本開示の洗浄剤組成物は、ベンゾトリアゾール誘導体（以下、「成分Ｂ」ともいう）を含む。成分Ｂとしては、例えば、下記式（ＩＩ）で表される化合物又は下記式（ＩＩＩ）で表される化合物が挙げられ、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、式（ＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　＜式（ＩＩ）で表される化合物＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１以上８以下のアルキル基、カルボキシ基、アミノ基又はニトロ基を表す。
　上記式（ＩＩ）において、Ｒ3は、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、水素原子が好ましい。Ｒ4は、同様の観点から、水素原子又は炭素数１以上８以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
　上記式（ＩＩ）で表される化合物としては、例えば、ベンゾトリアゾール、５－メチルベンゾトリアゾール、４－メチルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール（４－メチルベンゾトリアゾール、５－メチルベンゾトリアゾールの混合物）等が挙げられる。
　＜式（ＩＩＩ）で表される化合物＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記式（ＩＩＩ）中、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立に、炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ7は水素原子又はメチル基を表す。
　上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ5及びＲ6は、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、炭素数６以上８以下のアルキル基が好ましく、炭素数８のアルキル基がより好ましい。Ｒ7は、同様の観点から、水素原子が好ましい。
　上記式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、例えば、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール（ＢＴ－ＬＸ）、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール（ＴＴ－ＬＸ）等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、金属腐食抑制及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましく、そして、成分Ａに対する溶解性の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、０．０５質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上３質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｂが２種類以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示の洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂ（Ａの含有量／Ｂの含有量）は、フラックス残渣除去性向上及び成分Ａに対する溶解性の観点から、５０以上が好ましく、１００以上が好ましく、１５０以上が好ましく、２００以上であってもよい。また、金属腐食抑制及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、１０００以下が好ましく、５００以下が好ましく、３００以下が好ましく、２５０以下であってもよい。より具体的には、質量比Ａ／Ｂは、５０以上１０００以下が好ましく、１００以上５００以下がより好ましく、１５０以上３００以下が更に好ましい。
［成分Ｃ：イミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体］
　本開示の洗浄剤組成物は、イミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（以下、「成分Ｃ」ともいう）を含む。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　＜イミダゾール誘導体＞
　イミダゾール誘導体としては、例えば、下記式（ＩＶ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　上記式（ＩＶ）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１以上８以下のアルキル基、又はフェニル基であり、Ｒ10とＲ11はａ及びｂの炭素原子と共にベンゼン環を形成してもよい。
　上記式（ＩＶ）において、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11はそれぞれ独立に、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、水素原子又は炭素数１以上８以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。
　下記式（ＩＶ）で表される化合物としては、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、１－エチルイミダゾール、１－プロピルイミダゾール、１－イソプロピルイミダゾール、１－アセチルイミダゾール、１－アミノプロピルイミダゾール、１－ヒドロキシエチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、２－アセチルイミダゾール、２－アミノプロピルイミダゾール、２－ヒドロキシエチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、４－エチルイミダゾール、４－プロピルイミダゾール、４－イソプロピルイミダゾール、４－アセチルイミダゾール、４－アミノプロピルイミダゾール、４－ヒドロキシエチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－イソブチル－２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール及びベンゾイミダゾールから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　これらの中でも、下記式（ＩＶ）で表される化合物は、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、及び、ベンゾイミダゾールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、イミダゾール及び２－メチルイミダゾールがより好ましく、２－メチルイミダゾールが更に好ましい。
　＜ピラゾール誘導体＞
　ピラゾール誘導体としては、例えば、下記式（Ｖ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　上記式（Ｖ）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１以上８以下のアルキル基、又はフェニル基であり、Ｒ14とＲ15は互いに結合して環を形成してもよい。
　上記式（Ｖ）において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、水素原子が好ましい。
　下記式（Ｖ）で表される化合物としては、例えば、ピラゾール、３，５―ジメチルピラゾール等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、金属腐食抑制及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましく、そして、成分Ａに対する溶解性の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、０．０５質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上３質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種類以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示の洗浄剤組成物において、成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃ（Ｂの含有量／Ｃの含有量）は、金属腐食抑制及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、０．０１以上が好ましく、０．１以上がより好ましく、０．５以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００以下が好ましく、１０以下がより好ましく、５以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｂ／Ｃは、０．０１以上１００以下が好ましく、０．１以上１０以下がより好ましく、０．５以上５以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物における、成分Ａと成分Ｃとの質量比Ａ／Ｃ（成分Ａの含有量／成分Ｃの含有量）は、フラックス残渣除去性向上及び成分Ａに対する溶解性の観点から、２０以上が好ましく、５０以上が好ましく、７０以上が好ましく、そして、金属腐食及び有機被膜へのダメージの観点から、５００以下が好ましく、３００以下が好ましく、２００以下が好ましい。より具体的には、質量比Ａ／Ｃは、２０以上５００以下が好ましく、５０以上３００以下がより好ましく、７０以上２００以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物中の成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとの合計含有量は、フラックス残渣除去性向上の観点から、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上が好ましい。また、引火点を下げる観点から、１００質量％以下が好ましく、９５質量％以下が好ましく、９０質量％以下が好ましい。より具体的には、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとの合計含有量は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、７０質量％以上９５質量％以下がより好ましく、８０質量％以上９０質量％以下が更に好ましく、８５質量％以上９０質量％以下がより更に好ましい。
［成分Ｄ：水］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含むことができる。成分Ｄとしては、イオン交換水、ＲＯ水（逆浸透膜処理水）、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、引火点を下げる観点から、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上が更に好ましく、そして、フラックス残渣除去性向上の観点から、１５質量％以下が好ましく、１４質量％以下がより好ましく、１３質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、１質量％以上１５質量％以下が好ましく、５質量％以上１４質量％以下がより好ましく、８質量％以上１３質量％以下が更に好ましい。
［その他の成分］
　本開示の洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）等のキレート剤、防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ａ以外の溶剤、塩基性物質（例えば、ジブチルアミノエタノール、ジイソプロパノールアミン等）、ｐＨ調整剤、高分子化合物、界面活性剤、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、酸化防止剤、有機カルボン酸塩（例えば、オクチル酸第１すず等）を適宜含有することができる。
　本開示の洗浄剤組成物中のその他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％以上８質量％以下がより好ましく、０質量％以上６質量％以下が更に好ましい。
［洗浄剤組成物の製造方法］
　本開示の洗浄剤組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、必要に応じて任意成分（成分Ｄ、その他の成分）を公知の方法で配合することにより製造できる。一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて任意成分（成分Ｄ、その他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。
　本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量と同じとすることができる。
　本開示において「洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物、とりわけ、焼結工程により２つの部材間を接合した後に残存するフラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物からフラックス残渣を除去するための洗浄剤として用いることができる。したがって、本開示は、一態様において、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを含む洗浄剤組成物（すなわち、本開示の洗浄剤組成物）のフラックス残渣洗浄剤としての使用に関する。
　本開示の洗浄剤組成物は、その他の一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物からフラックス残渣を除去するための除去剤として用いることができる。したがって、本開示は、その他の態様において、本開示の洗浄剤組成物からなるフラックス残渣洗浄除去剤組成物（以下、「本開示のフラックス残渣洗浄除去剤組成物」ともいう）に関する。本開示は、その他の態様において、本開示の洗浄剤組成物又は本開示のフラックス残渣洗浄除去剤組成物のフラックス残渣除去剤としての使用に関する。
［被洗浄物］
　被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、２００℃以上に加熱する工程を経たフラックス残渣を有する基板が挙げられ、一又は複数の実施形態において、前記２００℃以上に加熱する工程を経た、フラックス残渣を有する基板上に銅を含む金属部材を有するものであってもよい。前記２００℃以上に加熱する工程は、一又は複数の実施形態において、２００℃以上の高温で保持する工程（焼結工程）である。
　被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物が挙げられる。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材の間にフラックスを含むスラリーを塗布した後、２００℃以上に加熱する工程（焼結工程）を経た、フラックス残渣を有する基板が挙げられる。したがって、本開示は、一態様において、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材の間にフラックスを含むスラリーを塗布した後、２００℃以上に加熱する工程（焼結工程）を経た、フラックス残渣を有する基板の洗浄における、本開示の洗浄剤組成物の使用に関する。
　前記焼結工程において、加熱温度は、例えば、２００℃～３５０℃が挙げられる。加熱時間は、例えば、３分～５時間が挙げられる。フラックスの熱による変性に対する洗浄性を発揮する観点から、被洗浄物としては、１時間以上加熱された被洗浄物が好ましい。
　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、一又は複数の実施形態において、金属が加熱により変色した部分、すなわち、金属が酸化した部分（金属酸化物）を含む。
　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、一又は複数の実施形態において、イミダゾール誘導体を含有する有機被膜を含む。被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、一又は複数の実施形態において、イミダゾール誘導体を含有する剤に接触した有機被膜を含む。有機被膜は、一又は複数の実施形態において、基板表面及び／又は金属部材を保護するための表面保護膜である。有機被膜は、一又は複数の実施形態において、水溶性プレフラックス（ＯＳＰ、Organic Solderability Preservative）処理により形成される。有機被膜の形成方法としては、一又は複数の実施形態において、基板表面及び／又は金属部材の表面を水溶性プレフラックスに浸漬する方法が挙げられる。浸漬温度としては、例えば、３０℃～５０℃が挙げられ、浸漬時間としては、例えば、３０秒～９０秒が挙げられる。有機被膜の厚みとしては、例えば、０．１μｍ～０．３μｍが挙げられる。水溶性プレフラックスは、一又は複数の実施形態において、イミダゾール誘導体を主成分とする水溶液である。ＯＳＰ処理は、一又は複数の実施形態において、Ｃｕ－ＯＳＰ処理である。
　一又は複数の実施形態において、被洗浄物は、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材の間にフラックスを含むスラリーを塗布した後、２００℃以上に加熱する工程（焼結工程）を経た、フラックス残渣を有する基板であって、イミダゾール誘導体を含有する有機被膜を含む基板である。
　前記フラックスは、一又は複数の実施形態において、主成分として酸を含む。酸としては、例えば、アビエチン酸等の有機酸が挙げられる。
　前記フラックスを含有するスラリーは、一又は複数の実施形態において、金属粒子をさらに含むことができる。金属粒子は、焼結温度（硬化温度）が３００℃以下の金属粒子が好ましく、例えば、錫、銅、銀、又はそれらの混合金属等が挙げられる。金属粒子は、一又は複数の実施形態において、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材間を接合可能な接合材となる。前記フラックスを含有するスラリーは、一又は複数の実施形態において、ダイアタッチペーストとして使用できる。前記フラックスを含有するスラリーが金属粒子をさらに含む場合、前記スラリーは、一又は複数の実施形態において、導電型ダイアタッチペーストとして使用できる。
　前記金属部材は、一又は複数の実施形態において、基板上に固定されている。
　前記金属部材の金属は、一又は複数の実施形態において、銅、鉄等の金属を含む。前記金属部材としては、例えば、放熱板、電気回路等が挙げられる。
　前記基板としては、一又は複数の実施形態において、金属表面を有する基板が挙げられ、例えば、銅板、鋼板、ステンレス鋼板、タフピッチ銅板、銅配線プリント基板等が挙げられる。
　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、一又は複数の実施形態において、銅を含む。
［洗浄方法］
　本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。前記被洗浄物としては、上述した被洗浄物が挙げられる。前記洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。本開示の洗浄方法によれば、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣を効率よく除去できる。
　被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する方法、又は、被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。
　前記洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、前記被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に浸漬する工程である。浸漬温度は、フラックス残渣除去性向上、金属腐食抑制、及び有機被膜へのダメージ抑制の観点から、８０℃以下が好ましく、７０℃以下がより好ましく、６０℃以下が更に好ましく、そして、２０℃以上が好ましく、３０℃以上がより好ましく、４０℃以上が更に好ましい。例えば、前記洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、前記被洗浄物を８０℃以下の本開示の洗浄剤組成物に浸漬する工程であることが好ましい。浸漬時間は、同様の観点から、５分以上が好ましく、１０分以上がより好ましく、３０分以上が更に好ましく、そして、３時間以下が好ましく、２時間以下がより好ましく、１時間以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水及び／又はメタノール等のアルコールでリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。
　本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、２６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。
　本開示の洗浄方法における洗浄工程は、その他の一又は複数の実施形態において、被洗浄物からフラックス残渣をフラックス残渣除去剤で洗浄除去する工程（除去工程）である。前記除去工程におけるフラックス残渣除去剤としては、上述した本開示のフラックス残渣洗浄除去剤組成物が挙げられる。
　すなわち、本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、被洗浄物からフラックス残渣を本開示のフラックス洗浄除去剤組成物で洗浄除去する工程を含み、前記被洗浄物は２００℃以上に加熱する工程（焼結工程）を経た、フラックス残渣を有する基板である、フラックス残渣洗浄除去方法である。
［電子部品の製造方法］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いる、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。
　本開示の電子部品の製造方法は、一又は複数の実施形態において、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材の間にフラックスを含むスラリーを塗布した後、２００℃以上に加熱する工程（焼結工程）及び前記焼結工程を経た、フラックス残渣を有する基板（被洗浄物）を本開示の洗浄剤組成物又は本開示の洗浄方法を用いて洗浄する工程（洗浄工程）を含む。
　前記洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。前記洗浄工程における洗浄方法としては、上述した本開示の洗浄方法と同様の方法が挙げられる。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。
　本開示は、一又は複数の実施形態において、さらに下記のフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、洗浄方法、及び半導体電子部品の製造方法に関する。
＜１＞
　下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）と、ベンゾトリアゾール誘導体（成分Ｂ）と、イミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（成分Ｃ）と、を含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
　Ｒ1－Ｏ－（ＡＯ）n－Ｒ2　（Ｉ）
　上記式（Ｉ）中、Ｒ1は、フェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ2は、水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯは、エチレンオキシド基（ＥＯ）又はプロピレンオキシド基（ＰＯ）であり、ｎは、ＡＯの付加モル数であって１以上３以下の整数である。
＜２＞
　成分Ａの含有量が、３５質量％以上９９．５質量％以下である、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３＞
　成分Ａの含有量が、３５質量％以上９９．５質量％以下、または、５０質量％以上９５質量％以下、または、７５質量％以上９０質量％以下である、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞
　成分Ｂの含有量が、０．０５質量％以上５質量％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞
　成分Ｂの含有量が、０．０５質量％以上５質量％以下、または、０．１質量％以上３質量％以下、または、０．３質量％以上１質量％以下である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞
　成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃが、０．０１以上１００以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞
　成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃが、０．０１以上１００以下、または、０．１以上１０以下、または、０．５以上５以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞
　成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂ（Ａの含有量／Ｂの含有量）は、５０以上１０００以下、または、１００以上５００以下、または、１５０以上３００以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞
　成分Ａと成分Ｃとの質量比Ａ／Ｃ（成分Ａの含有量／成分Ｃの含有量）は、２０以上５００以下、または、５０以上３００以下、または、７０以上２００以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞
　水（成分Ｄ）をさらに含む、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞
　成分Ｄの含有量が、１５質量％以下である、＜１０＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞
　成分Ｄの含有量が、１質量％以上１５質量％以下、または、５質量％以上１４質量％以下、または、８質量％以上１３質量％以下である、＜１０＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞
　成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとの合計含有量は、５０質量％以上１００質量％以下、または、７０質量％以上９５質量％以下、または、８０質量％以上９０質量％以下、または、８５質量％以上９０質量％以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞
　フラックス残渣を有する被洗浄物を、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む、洗浄方法。
＜１５＞
　フラックス残渣を有する被洗浄物は、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材の間にフラックスを含むスラリーを塗布した後、２００℃以上に加熱する工程を経たフラックス残渣を有する基板である、＜１４＞に記載の洗浄方法。
＜１６＞
　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、イミダゾール誘導体を含有する有機被膜を含む、＜１４＞又は＜１５＞に記載の洗浄方法。
＜１７＞
　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、イミダゾール誘導体を含有する剤に接触した有機被膜を含む、＜１４＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜１８＞
　前記洗浄工程は、前記被洗浄物を８０℃以下の前記フラックス用洗浄剤組成物に浸漬する工程である、＜１４＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜１９＞
　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、銅を含む、＜１４＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜２０＞
　＜１４＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄方法を用いる半導体電子部品の製造方法。
　以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．洗浄剤組成物の調製（実施例１～１８、比較例１～９）
　１００ｍＬガラスビーカーに、下記表１及び表２に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例１～１８及び比較例１～９の洗浄剤組成物を調製した。表中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
＜混合条件＞
液温度：２５℃
攪拌機：マグネチックスターラー（５０ｍｍ回転子）
回転数：３００ｒｐｍ
攪拌時間：１０分
　洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
（成分Ａ）
ジエチレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製］
ジプロピレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製］
ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル［日本乳化剤株式会社製］
（非成分Ａ）
ベンジルアルコール［ランクセス株式会社製］
（成分Ｂ）
ベンゾトリアゾール［東京化成工業株式会社製］
５－メチルベンゾトリアゾール［東京化成工業株式会社製］
ＢＴ－ＬＸ［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチルアミン、城北化学工業株式会社製］
（成分Ｃ）
２－メチルイミダゾール［東京化成工業株式会社製］
１－メチルイミダゾール［東京化成工業株式会社製］
イミダゾール［富士フイルム和光純薬株式会社製］
ベンゾイミダゾール［東京化成工業株式会社製］
ピラゾール［東京化成工業株式会社製］
（非成分Ｃ）
１，２，３－トリアゾール［東京化成工業株式会社製］
テトラゾール［東京化成工業株式会社製］
（成分Ｄ）
水［オルガノ株式会社製純水装置Ｇ－１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水］
（その他の成分）
ジブチルアミノエタノール［日本乳化剤株式会社製］（塩基性物質）
ジイソプロパノールアミン［日本乳化剤株式会社製］（塩基性物質）
１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸［イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト２０１０］（キレート剤）
オクチル酸第一すず（オクタン酸第一すず）［東京化成工業株式会社製］（有機カルボン酸金属塩）
２．洗浄剤組成物の評価
　調製した実施例１～１８及び比較例１～９の洗浄剤組成物を用いて下記試験を行い、有機被膜へのダメージ性、金属腐食能（防食性）及びフラックス残渣除去性を評価した。
［テスト基板１（有機被膜へのダメージ性及び防食性の評価）］
　有機被膜へのダメージ性及び防食性の評価に用いるテスト基板１は下記のようにして作製した。
　＜基板のプレフラックス処理（有機被膜の形成）＞
　試験基板に対して、下記工程及び条件でプレフラックス処理（Ｃｕ－ＯＳＰ処理）を施した。
　〔試験基板〕
　試験基板としては、タフピッチ銅板（５０ｍｍ×２０ｍｍ）を用いた。
〔プレフラックス処理〕
　プレフラックス処理は、下記工程(a)～工程(d)を含む手順で実施した。
(a)脱脂工程
試験基板を、脱脂液（四国化成工業株式会社製、商品名：タフクリーナーＷ４０Ｇ）に 、２０～３０℃で３０秒間浸漬した後、基板を取り出して、１分間水洗した。
(b)ソフトエッチング工程
上記基板を、ソフトエッチング液（四国化成工業株式会社製、商品名：タフクリーナー ＧＢ－１４００、硫酸－過酸化水素系タイプ）に３０℃で３０秒間浸漬した後、基板を取り出して１分間水洗した。
(c)酸洗浄工程
上記基板を、酸洗浄液（５％硫酸水溶液）に、２０～３０℃で３０秒間浸漬した後、取り出して、１分間水洗した。その後、エアーナイフで基板の水切りをした。
(d)プレフラックス処理工程
上記基板を、イミダゾール化合物を含有する金属処理剤Ａ（水溶性プレフラックス、四国化成工業株式会社製、商品名：タフエースＦ２（ＬＸ）ＰＫ）で、４０℃で３０～９０秒間浸漬した後、基板を取り出して１分間水洗した。次いで、エアーナイフで基板の水切りをした後、１００℃で１分間乾燥した。銅表面上に厚さ約０．１～０．３μｍの有機被膜（ＯＳＰ膜）を形成させることで、テスト基板１を作製した。
［テスト基板２（洗浄性の評価）］
　銅配線プリント基板（１０ｍｍ×１５ｍｍ）上に、ステンシルマスクを利用して、フラックス（千住金属工業社製、商品名：デルタラックス　Ｍ Ｂ－Ｔ１００）を１００μｍ厚で印刷し、Ｓｎ－３Ａｇ－０．５Ｃｕ（各数値は質量％）組成の３００μｍのはんだボールをフラックス印刷箇所に搭載し、リフロー炉を用いて、昇温速度を２．５℃／ｓｅｃ、ピーク温度を２５０℃で３０秒間リフローし（酸素濃度は１００ｐｐｍ）、テスト基板２を作製した。
　ここで作製されたテスト基板２は、加熱温度並びに保持時間から、基板上の金属同士を接合することを模したモデルである。また、焼結条件としては、加熱温度が２５０℃、加熱時間が４分（この加熱時間には、２５０℃での保持時間（３０秒）、昇温時間、及び、冷却時間が含まれる）を想定したものである。
［洗浄試験］
　洗浄試験は、以下の手順にて行った。
　まず、超音波洗浄槽、第１リンス槽、第２リンス槽を以下の条件で準備する。
　超音波洗浄槽は、周波数４０ｋＨｚに設定し出力を４００Ｗとする。５００ｍＬガラスビーカーに各洗浄剤組成物を１００ｇ添加し、超音波洗浄層に入れて、６０℃に加温することにより得た。
　第１リンス槽及び第２リンス槽は、５０ｍｍ回転子を一つ入れた１００ｍＬガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水１００ｇを添加し、温浴に入れて、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃に加温することにより得た。
　次に、テスト基板をピンセットで保持して、前記超音波洗浄槽へ挿入し、６０℃で５分間浸漬する（超音波洗浄、４０ｋＨｚ、４００Ｗ）。
　次に、テスト基板をピンセットで保持して第１リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃で１分間浸漬する（水リンス）。
　さらに、テスト基板をピンセットで保持して第２リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃で１分間浸漬する（水リンス）。
　最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。
［有機被膜へのダメージ性の評価］
　上記洗浄試験の後、テスト基板１の表面に対する水の接触角を液適法によって測定する。接触角計（協和界面科学株式会社製、ＤМｏ－５０１）を使用し、液滴を作成してから２０秒後の値を読み、５点平均で水接触角Ｘを算出した。
　ｐＨ１に調整した硫酸水溶液を用いてテスト基板１を同方法で洗浄し、銅板上の水接触角Ｙを別途算出した。
　ＸからＹを引くことにより、有機被膜の残存性を評価した。結果を表１及び２に示す。Ｘ－Ｙの数値が大きいほど、有機被膜が残存し、有機被膜へのダメージが抑制されていると評価できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　上記表１及び表２に示すとおり、実施例１～１８の洗浄剤組成物は、比較例１～９に比べて、有機被膜へのダメージが抑制されていた。
［防食性の評価］
　上記有機被膜の評価を行った後、テスト基板１を光学顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ－２０００）を用いて観察した。恒温恒湿機（エスペック株式会社製、ＰＲ－１Ｊ）にテスト基板１を入れ、温度８５℃、相対湿度８５％ｒｈの条件で２４時間静置した後に、テスト基板１を取り出した。テスト基板１を光学顕微鏡ＶＨＸ－２０００を用いて目視観察し、恒温恒湿条件で保存する前後の外観比較を行い、下記判断基準で防食性を評価した。結果を表１及び２に示す。
　＜判定基準＞
　　Ａ：色むらがなく、変色がない。
　　Ｂ：色むらがなく、変色が見られる。
　　Ｃ：変色が見られ、一部が褐色化している。
　　Ｄ：全体が褐色化している。
　成分Ｂ及び成分Ｃを含む実施例１の洗浄剤組成物は、成分Ｂ又は成分Ｃを含まない比較例３、５に比べて、銅の変色抑制（防食性）に優れていた（実施例１：Ａ、比較例３、５：Ｄ）。洗浄後の水接触角の評価によるＸ－Ｙの数値が大きく、有機被膜を残存させることが可能な洗浄剤組成物は防食性に優れ、実施例２～１８においても優れた防食性を示した。
［洗浄性の評価（フラックス残渣除去性）］
　上記洗浄試験の後、テスト基板２を光学顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ－２０００）を用いて観察し、洗浄前、及び洗浄後のフラックス残渣の面積を付属の色の識別による面積算出モードで求め、フラックス残渣洗浄率を算出した。
　成分Ａを含む実施例１の洗浄剤組成物は、フラックス残渣洗浄率１００％（完全洗浄）であり、フラックス残渣除去性に優れていた。成分Ａを含む実施例２～１８においても優れたフラックス残渣除去性を示した。
　本開示の洗浄剤組成物を用いることにより、金属腐食及び有機被膜へのダメージを抑制しつつ、フラックス残渣を効率よく除去できることから、例えば、半導体装置の製造プロセスにおけるフラックスの洗浄工程の短縮化及び製造される半導体装置の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

Claims (14)

  1. 　下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）と、ベンゾトリアゾール誘導体（成分Ｂ）と、イミダゾール誘導体又はピラゾール誘導体（成分Ｃ）と、を含むフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
    　Ｒ1－Ｏ－（ＡＯ）n－Ｒ2　（Ｉ）
    　上記式（Ｉ）中、Ｒ1は、フェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ2は、水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯは、エチレンオキシド基（ＥＯ）又はプロピレンオキシド基（ＰＯ）であり、ｎは、ＡＯの付加モル数であって１以上３以下の整数である。
  2. 　成分Ａの含有量が、３５質量％以上９９．５質量％以下である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
  3. 　成分Ｂの含有量が、０．０５質量％以上５質量％以下である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
  4. 　成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃが、０．０１以上１００以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  5. 　成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃが、０．０１以上１０以下である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  6. 　水（成分Ｄ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  7. 　成分Ｄの含有量が、１５質量％以下である、請求項６に記載の洗浄剤組成物。
  8. 　フラックス残渣を有する被洗浄物を、請求項１から７のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む、洗浄方法。
  9. 　フラックス残渣を有する被洗浄物は、基板と金属部材との間又は基板上の２つの金属部材の間にフラックスを含むスラリーを塗布した後、２００℃以上に加熱する工程を経たフラックス残渣を有する基板である、請求項８に記載の洗浄方法。
  10. 　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、イミダゾール誘導体を含有する有機被膜を含む、請求項８又は９に記載の洗浄方法。
  11. 　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、イミダゾール誘導体を含有する剤に接触した有機被膜を含む、請求項８から１０のいずれかに記載の洗浄方法。
  12. 　前記洗浄工程は、前記被洗浄物を８０℃以下の前記フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に浸漬する工程である、請求項８から１１のいずれかに記載の洗浄方法。
  13. 　被洗浄物の基板表面及び／又は金属部材は、銅を含む、請求項８から１２のいずれかに記載の洗浄方法。
  14. 　請求項８から１３のいずれかに記載の洗浄方法を用いる電子部品の製造方法。
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