WO2024253404A1 - 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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WO2024253404A1
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조원태
이종훈
이아현
황철주
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Jusung Engineering Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to an organic light-emitting display device and a method for manufacturing the same.
  • thin film transistors can be manufactured on glass or plastic substrates, they are widely used as switching elements or driving elements in display devices such as liquid crystal display devices or organic light emitting devices.
  • An organic light emitting device has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode that injects electrons and an anode that injects holes.
  • a light emitting layer is formed between a cathode that injects electrons and an anode that injects holes.
  • the cathode may be oxidized by moisture or oxygen penetrating the cathode. If the cathode is oxidized, the efficiency of the light-emitting element may decrease, power consumption may increase, and image quality may also deteriorate.
  • the present invention has been designed to overcome the aforementioned problems, and aims to provide an organic light-emitting display device and a manufacturing method thereof, which improves the current uniformity of a large-area cathode by providing an auxiliary electrode layer on the cathode, prevents the penetration of moisture or oxygen, and improves power consumption.
  • the present invention provides an organic light-emitting display device including a substrate; and a display area provided on the substrate, the display area including a cathode electrode provided on an organic light-emitting layer and an auxiliary electrode layer, the auxiliary electrode layer including a first titanium nitride (TiN) film provided on the cathode electrode; and a second titanium oxide film (TiO) provided on the first titanium nitride (TiN) film.
  • TiN titanium nitride
  • TiO titanium oxide film
  • the present invention provides an organic light-emitting display device in which the auxiliary electrode layer additionally includes a third titanium nitride film (TiN) provided on the second titanium oxide film (TiO).
  • TiN titanium nitride film
  • TiO titanium oxide film
  • the present invention provides an organic light-emitting display device additionally including a sealing layer provided on the auxiliary electrode layer.
  • the present invention provides an organic light-emitting display device in which the first titanium nitride (TiN) film and the second titanium oxide (TiO) film are formed using atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD).
  • ALD atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • the present invention provides an organic light-emitting display device in which the first titanium nitride (TiN) film, the second titanium oxide (TiO) film, and the third titanium nitride (TiN) film are formed using atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD).
  • ALD atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • the present invention comprises the steps of preparing a substrate having a cathode electrode formed on an organic light-emitting layer; and the steps of forming an auxiliary electrode layer on the cathode electrode.
  • the step of forming the auxiliary electrode layer provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, including the step of forming a first titanium nitride (TiN) film on the cathode electrode; and the step of forming a second titanium oxide film (TiO) on the first titanium nitride (TiN) film.
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the auxiliary electrode layer further includes the step of forming a third titanium nitride film (TiN) on the second titanium oxide film (TiO).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, further comprising a step of forming a sealing layer after the step of forming the auxiliary electrode layer.
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the first titanium nitride (TiN) film and the second titanium oxide (TiO) film includes the steps of injecting a source gas containing titanium (Ti) onto the substrate; and injecting a reactant gas containing nitrogen (N) or oxygen (O).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the first titanium nitride (TiN) film, the second titanium oxide (TiO) film, and the third titanium nitride (TiN) film includes the steps of injecting a source gas containing titanium (Ti) onto the substrate; and injecting a reactant gas containing nitrogen (N) or oxygen (O).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of injecting a reactant gas containing nitrogen (N) or oxygen (O) includes plasma.
  • the present invention comprises a substrate; and a display area provided on the substrate,
  • the above display area includes a cathode electrode and an auxiliary electrode layer provided on an organic light-emitting layer, and the auxiliary electrode layer includes a first tungsten film (W) provided on the cathode electrode; and a second tungsten oxide film (WO) provided on the first tungsten (W).
  • An organic light-emitting display device is provided.
  • the present invention provides an organic light-emitting display device, wherein the auxiliary electrode layer further includes a third tungsten film (W) provided on the second tungsten oxide film (WO).
  • W third tungsten film
  • the present invention provides an organic light-emitting display device additionally including a sealing layer provided on the auxiliary electrode layer.
  • the present invention provides an organic light-emitting display device in which the first tungsten film (W) and the second tungsten oxide film (WO) are formed using atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD).
  • ALD atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • the present invention provides an organic light-emitting display device in which the first tungsten film (W), the second tungsten oxide film (WO), and the third tungsten film (W) are formed using atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD).
  • ALD atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • the present invention comprises the steps of preparing a substrate having a cathode electrode formed on an organic light-emitting layer; and the steps of forming an auxiliary electrode layer on the cathode electrode.
  • the step of forming the auxiliary electrode layer provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, including the steps of forming a first tungsten film (W) on the cathode electrode; and the steps of forming a second tungsten oxide film (WO) on the first tungsten film (W).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the auxiliary electrode layer further includes the step of forming a third tungsten film (W) on the second tungsten oxide film (WO).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, further comprising a step of forming a sealing layer after the step of forming the auxiliary electrode layer.
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the first tungsten film (W) and the second tungsten oxide film (WO) includes the steps of injecting a source gas containing tungsten (W) onto the substrate; and injecting a reactant gas containing hydrogen (H 2 ) or oxygen (O).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the first tungsten film (W), the second tungsten oxide film (WO), and the third tungsten film (W) includes the step of injecting a source gas containing tungsten (W) onto the substrate; and the step of injecting a reactant gas containing hydrogen (H 2 ) or oxygen (O).
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the first tungsten film (W) and the second tungsten oxide film (WO) includes the step of injecting a source gas containing tungsten (W) and a reactant gas containing hydrogen (H 2 ) or oxygen (O) onto the substrate.
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of forming the first tungsten film (W), the second tungsten oxide film (WO), and the third tungsten film (W) includes the step of injecting a source gas containing tungsten (W) and a reactant gas containing hydrogen (H2) or oxygen (O) onto the substrate.
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light-emitting display device, wherein the step of injecting a reactant gas containing hydrogen (H2) or oxygen (O) includes plasma.
  • the cathode by forming an auxiliary electrode layer on a cathode forming an organic light-emitting layer, when the cathode is formed over a large area, the current flowing through the cathode can be made to flow uniformly.
  • auxiliary electrode layer is formed on the cathode, moisture or air can be prevented from penetrating into the cathode by the auxiliary electrode layer. Accordingly, the cathode is prevented from being oxidized, thereby improving the lifespan of the organic light-emitting layer and preventing the problem of the cathode being oxidized and thus increasing power consumption.
  • an auxiliary electrode layer can be formed on a cathode, and since the auxiliary electrode layer is composed of a first layer, a second layer, and a third layer, the auxiliary electrode layer can absorb light in a microwave band, so that the organic light-emitting display device can be provided without a separate polarizing plate. Accordingly, since the light emitted from the organic light-emitting element does not need to pass through the polarizing plate, light of a certain brightness or higher can be implemented even at a low intensity. As a result, the power consumption of the organic light-emitting element can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting display device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic light-emitting display device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic element layer according to one embodiment of the present invention, and is a drawing for explaining the organic element layer in detail.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing device for forming an auxiliary electrode layer according to the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the third electrode and the fourth electrode in a substrate processing device for forming an auxiliary electrode layer according to the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the third electrode and the fourth electrode in a substrate processing device for forming an auxiliary electrode layer according to the present invention.
  • FIG. 7 is a conceptual side view for explaining a modified example of the positions of the first injection portion and the second injection portion in a substrate processing device for forming an auxiliary electrode layer according to the present invention.
  • first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, a first component referred to below may also be a second component within the technical concept of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light-emitting display device according to one embodiment of the present invention.
  • an organic light-emitting display device comprises a substrate (100), a circuit element layer (200), an organic element layer (300), and an encapsulation layer (400).
  • the substrate (100) may be made of glass or plastic.
  • the substrate (100) may be made of a transparent plastic having flexible properties, for example, polyimide.
  • polyimide is used as the substrate (100)
  • a heat-resistant polyimide that can withstand high temperatures may be used.
  • the circuit element layer (200) may be provided on the substrate (100).
  • the circuit element layer (200) may include various wirings and elements for driving pixels, for example, a gate line for transmitting a gate signal to a thin film transistor, a data line for transmitting a data signal, a high-power line for driving a thin film transistor, various types of thin film transistors for driving the organic element layer (300), and an insulating film for insulating between components of the thin film transistor.
  • the configuration included in the circuit element layer (200) may vary depending on knowledge in the art.
  • the above organic element layer (300) can receive a signal from the circuit element layer (200) and emit light.
  • the light emitted from the organic element layer (300) can travel to the upper or lower surface of the organic element layer (300).
  • the encapsulation layer (400) may be provided on the organic element layer (300).
  • the encapsulation layer (400) may be provided on the organic element layer (300) and at the same time, at one end and the other end of the organic element layer (300), for example, at the left end and the right end in the drawing, and may also be provided on one end and the other end of the circuit element layer (200).
  • the encapsulation layer (400) is provided in a form that surrounds the circuit element layer (200) and the organic element layer (300), thereby preventing moisture or air from penetrating into the circuit element layer (200) and the organic element layer (300).
  • Fig. 2 is a cross-sectional view of an organic light-emitting display device according to one embodiment of the present invention. At this time, Fig. 2 corresponds to a cross-sectional view illustrating the circuit element layer and organic element layer of Fig. 1 in more detail.
  • an organic light-emitting display device comprises a substrate (100), a circuit element layer (200), an organic element layer (300), and an encapsulation layer (400).
  • the above circuit element layer (200) is composed of a thin film transistor (TR) including a buffer layer (210), an active layer (220), a gate electrode (240), a source electrode (261), and a drain electrode (262), a gate insulating film (230), an interlayer insulating film (250), and a planarizing layer (270).
  • TR thin film transistor
  • the buffer layer (210) may be provided on the substrate (100).
  • the buffer layer (210) may prevent moisture or oxygen from flowing into the active layer (220).
  • the buffer layer (210) may be formed as a single film or multilayer film of silicon oxide (SiO) or silicon nitride (SiN).
  • a thin film transistor (TR) may be formed on the substrate (100) or the buffer layer (210).
  • the thin film transistor (TR) may include an active layer (220), a gate electrode (240), a source electrode (261), and a drain electrode (262).
  • the thin film transistor (TR) according to one embodiment of the present invention is illustrated only as having a top gate structure in which the gate electrode (240) is provided on the active layer (220), but is not limited thereto, and the thin film transistor (TR) may have a bottom gate structure in which the gate electrode (240) is provided below the active layer (220), and further, may have a double gate structure in which the gate electrode (240) is provided above and below the active layer (220).
  • the active layer (220) may be formed on the substrate (100) or the buffer layer (210).
  • the active layer (220) may be formed of a silicon-based (Si) semiconductor material or an oxide-based semiconductor material.
  • a light-blocking layer may be additionally formed between the buffer layer (210) and the active layer (220) to block external light incident on the active layer (220).
  • a gate insulating film (230) can be formed on the active layer (220).
  • the gate insulating film (230) may include, but is not limited to, a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx).
  • the gate insulating film (230) may have a single film structure or a multilayer film structure.
  • the gate electrode (240) can be formed on the gate insulating film (230).
  • the gate electrode (240) may include at least one of an aluminum series metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy, a silver series metal such as silver (Ag) or a silver alloy, a copper series metal such as copper (Cu) or a copper alloy, a molybdenum series metal such as molybdenum (Mo) or a molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta), neodymium (Nd), and titanium (Ti).
  • the gate electrode (240) may have a multilayer film structure including at least two different conductive films.
  • An interlayer insulating film (250) is formed on the gate electrode (240).
  • the interlayer insulating film (250) insulates between the gate electrode (240) and the source electrode (261), and further insulates between the gate electrode (240) and the drain electrode (262).
  • the interlayer insulating film (250) may be formed of a single layer or multiple layers including an inorganic insulating material and/or an organic insulating material.
  • the interlayer insulating film (250) above is provided with a contact hole. Accordingly, one side of the active layer (220), for example, the left side, may be exposed through the contact hole, and the other side of the active layer (220), for example, the right side, may be exposed.
  • the source electrode (261) and the drain electrode (262) can be formed on the interlayer insulating film (250).
  • the source electrode (261) is electrically connected to one side of the active layer (220), and the drain electrode (262) is electrically connected to the other side of the active layer (220).
  • the source electrode (261) is connected to one side of the active layer (220) through a contact hole provided in the interlayer insulating film (250), and the drain electrode (262) is connected to the other side of the active layer (220) through a contact hole provided in the interlayer insulating film (250).
  • a planarization layer (270) is provided on the source electrode (261) and the drain electrode (262).
  • a contact hole is provided in the planarization layer (270), so that the source electrode (261) is exposed.
  • the drain electrode (262) may be exposed.
  • the organic element layer (300) may be provided on the planarization layer (270).
  • the organic element layer (300) includes a first electrode (310), a bank layer (320), an organic light-emitting layer (330), a second electrode (340), and a protective electrode layer (350).
  • the first electrode (310), the organic light-emitting layer (330), the second electrode (340), and the auxiliary electrode layer (350) may overlap the light-emitting area (EA), and the bank layer (320) may overlap the circuit area (CA).
  • the first electrode (310) is formed on the planarization layer (270) and can be connected to the drain electrode (262) of the thin film transistor provided in the circuit element layer (200) through a contact hole provided in the planarization layer (270). However, depending on the case, the first electrode (310) may also be connected to the source electrode of the thin film transistor provided in the circuit element layer (200).
  • the first electrode (310) can function as an anode.
  • the above bank layer (320) is provided to cover the edge of the first electrode (310) and defines a light-emitting area. Therefore, the upper surface area of the first electrode (310) that is exposed and not covered by the bank layer (320) becomes a light-emitting area.
  • the bank layer (320) may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin.
  • the above organic light-emitting layer (330) may be provided on the first electrode (310).
  • the organic light-emitting layer (330) may be formed by including red, green, and blue light-emitting layers patterned for each pixel, or may be formed by a white light-emitting layer connected to all pixels.
  • the organic light-emitting layer (330) may be formed by including, for example, a first stack including a blue light-emitting layer, for example, a second stack including a yellow-green light-emitting layer, and a charge generation layer provided between the first stack and the second stack, but is not necessarily limited thereto.
  • the second electrode (340) is provided on the organic light-emitting layer (330).
  • the second electrode (340) can function as a cathode.
  • the second electrode (340) is not patterned and can be formed on the entire surface of the substrate (100). Therefore, the second electrode (340) can overlap the light-emitting area (EA) and the circuit area (CA).
  • the second electrode (340) can also be referred to as a common electrode.
  • the second electrode (340) may be formed as a single film or multilayer film of a metal or metal oxide.
  • the second electrode (340) may include, for example, any one of silver (Ag), magnesium (Mg), and an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg).
  • the auxiliary electrode layer (350) may be provided on the second electrode (340). Specifically, the auxiliary electrode layer (350) may be provided on the upper surface of the second electrode (340) and may be in contact with it. The auxiliary electrode layer (350) may not be patterned and may be formed on the entire surface of the substrate (100) or the second electrode (340). Accordingly, the auxiliary electrode layer (350) may overlap the light-emitting area (EA) and the circuit area (CA).
  • the above auxiliary electrode layer (350) can be formed as a multilayer film structure including a metal material and an inorganic material.
  • the auxiliary electrode layer (350) can block moisture or oxygen from flowing into the second electrode (340) from the outside, thereby preventing the second electrode (340) from being oxidized. As a result, the auxiliary electrode layer (350) can prevent the second electrode (340) from being oxidized, thereby preventing defects in pixels provided in an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention, preventing the efficiency of a light-emitting element from being reduced, and preventing power consumption of a light-emitting element from being wasted.
  • the auxiliary electrode layer (350) can prevent the uniformity of the current flowing to the second electrode (340) from being reduced. Therefore, even if the second electrode (340) is formed with a large area, the intensity of the current flowing to the second electrode (340) can be maintained to be uniform by the auxiliary electrode layer (350), thereby preventing the quality of the image from being reduced. can prevent.
  • the above auxiliary electrode layer (350) is 10 More than 200 It can be formed with the following thickness.
  • the auxiliary electrode layer (350) is 10 When formed with a thickness of less than 200, moisture or oxygen may flow into the second electrode (340), and the auxiliary electrode layer (350) may be formed with a thickness of less than 200 When formed with a thickness exceeding , the intensity of light emitted from the organic light-emitting layer (330) may be reduced.
  • the above-mentioned sealing layer (400) may be provided on the auxiliary electrode layer (350).
  • the sealing layer (400) may be provided with one organic film layer between two inorganic film layers, but is not limited thereto, and may be formed in various forms according to knowledge in the art.
  • the sealing layer (400) may prevent moisture or oxygen from flowing into the circuit element layer (200) and the organic element layer (300) provided on the substrate (100).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic element layer according to one embodiment of the present invention, and is a drawing for explaining the organic element layer in detail. Therefore, in FIG. 3, the same reference numerals are given to the same components as those given to the components of FIG. 2. At this time, FIG. 3 corresponds to an enlarged drawing of the X region of FIG. 2. Below, the description of the same contents as those explained in FIG. 2 will be omitted.
  • the organic element layer (300) is composed of a first electrode (310), an organic light-emitting layer (330), a second electrode (340), and an auxiliary electrode layer (350) including a first layer (351), a second layer (352), and a third layer (353).
  • the above auxiliary electrode layer (350) is provided on the second electrode (340) and may be formed of a multilayer film structure including a first layer (351), a second layer (352), and a third layer (353).
  • the first layer (351) may be provided on the second electrode (340). Specifically, the first layer (351) may be provided so as to be in contact with the upper surface of the second electrode (340).
  • the first layer (351) may be formed by including either a material containing titanium (Ti) or a material containing tungsten (W). In this case, when the first layer (351) includes a material containing titanium (Ti), the first layer (351) may be formed by including titanium nitride (TiN).
  • the above second layer (352) can be provided on the above first layer (351).
  • the second layer (352) may be formed of a material different from that of the first layer (351).
  • the second layer (352) may be formed of a material containing one of titanium (Ti), tungsten (W), and silicon (Si).
  • the second layer (352) may be formed by including titanium oxide (TiO), when the second layer (352) includes tungsten (W), the second layer (352) may be formed by including tungsten oxide (WO), and when the second layer (352) includes silicon (Si), the second layer (352) may be formed by including any one of silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON).
  • the second layer (352) is formed by including a different material from the first layer (351), when the first layer (351) is formed by including titanium nitride (TiN), the second layer (352) may be formed by including any one of titanium oxide (TiO), silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON).
  • the second layer (352) may include any one of tungsten oxide (WO), silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON).
  • the third layer (353) may be provided on the second layer (352).
  • the third layer (353) may be formed of the same material as the first layer (351) and may be formed of a different material from the second layer (352).
  • the third layer (353) may be formed of either a material containing titanium (Ti) or a material containing tungsten (W).
  • the first layer (351) when the first layer (351) includes a material containing titanium (Ti), the first layer (351) may be formed of titanium nitride (TiN).
  • the second layer (352) may include any one of titanium oxide (TiO), silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON).
  • the auxiliary electrode layer (350) including the first layer (351) to the third layer (353) may include any one of the three-layer structures of titanium nitride (TiN)/titanium oxide (TiO)/titanium nitride (TiN), titanium nitride (TiN)/silicon oxide (SiO)/titanium nitride (TiN), titanium nitride (TiN)/silicon nitride (SiN)/titanium nitride (TiN), and titanium nitride (TiN)/silicon oxynitride (SiON)/titanium nitride (TiN).
  • the auxiliary electrode layer (350) can effectively absorb light coming from the outside of the organic light-emitting display device, thereby preventing the performance of the organic light-emitting display device from being deteriorated by light.
  • the second layer (352) may include any one of tungsten oxide (WO), silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON).
  • the auxiliary electrode layer (350) including the first layer (351) to the third layer (353) may include any one of the three-layer structures of tungsten (W)/tungsten oxide (WO)/tungsten (W), tungsten (W)/silicon oxide (SiO)/tungsten (W), tungsten (W)/silicon nitride (SiN)/tungsten (W), and tungsten (W)/silicon oxynitride (SiON)/tungsten (W).
  • the auxiliary electrode layer (350) can effectively absorb light coming from the outside of the organic light-emitting display device, thereby preventing the performance of the organic light-emitting display device from being deteriorated by light.
  • the auxiliary electrode layer (350) is formed by including the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353), the auxiliary electrode layer (350) can absorb light of the entire wavelength range that is introduced from the outside.
  • the organic light-emitting display device may not have a separate polarizing plate for removing external light.
  • the polarizing plate serves to block external light, but at the same time, light emitted from the organic light-emitting layer (see 300 of FIG. 2) may also be blocked, which may cause a problem in that light transmittance decreases. Therefore, in order to compensate for this problem, high power must be used to increase the intensity of light emitted from the organic light-emitting layer (see 300 of FIG. 2), but in this case, a problem in that power consumption increases may occur.
  • auxiliary electrode layer (350), the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) are mainly described as including, for example, titanium nitride (TiN)/titanium oxide (TiO)/titanium nitride (TiN) or tungsten (W)/tungsten oxide (WO)/tungsten (W), respectively.
  • TiN titanium nitride
  • TiO titanium nitride
  • TiN titanium nitanium oxide
  • TiN titanium nitanium oxide
  • TiN titanium nitride
  • TiO titanium nitanium oxide
  • TiN titanium nitanium oxide
  • W tungsten oxide
  • WO tungsten oxide
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) may each be formed using atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD), or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
  • ALD atomic layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PEALD plasma enhanced atomic layer deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) are formed using, for example, atomic layer deposition (ALD)
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) can be formed by repeatedly performing the steps of injecting a source gas and then injecting a reactant gas as one cycle.
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) can also be formed using plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).
  • PEALD plasma enhanced atomic layer deposition
  • the source gas includes a material containing titanium (Ti) and the reactant gas includes a material containing nitrogen (N) or oxygen (O)
  • a layer including titanium nitride (TiN) or titanium oxide (TiO) can be formed by the atomic layer deposition (ALD).
  • the source gas when forming the first layer (351) and the third layer (353), includes a material containing titanium (Ti) and the reactant gas includes a material containing nitrogen (N), so that when using the atomic layer deposition (ALD), the first layer (351) and the third layer (353) can be formed by including titanium nitride (TiN), and when forming the second layer (352), the source gas includes a material containing titanium (Ti) and the reactant gas includes a material containing oxygen (O), so that when using the atomic layer deposition (ALD), the second layer (352) can be formed by including titanium oxide (TiO).
  • the source gas includes a material containing tungsten (W) and the reactant gas includes a material containing hydrogen (H 2 ) or oxygen (O)
  • a layer containing tungsten (W) or tungsten oxide (WO) can be formed by the atomic layer deposition (ALD).
  • the source gas when forming the first layer (351) and the third layer (353), includes a material containing tungsten (W) and the reactant gas includes a material containing hydrogen (H 2 ), so that when using the atomic layer deposition (ALD) method, the first layer (351) and the third layer (353) can be formed by including tungsten (W), and when forming the second layer (352), the source gas includes a material containing tungsten (W) and the reactant gas includes a material containing oxygen (O), so that when using the atomic layer deposition (ALD) method, the second layer (352) can be formed by including tungsten oxide (WO).
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) are formed using, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) can be formed by respectively injecting a source gas and simultaneously injecting a reactant gas.
  • the first layer (351), the second layer (352), and the third layer (353) can also be formed using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the source gas includes a material containing titanium (Ti) and the reactant gas includes a material containing nitrogen (N) or oxygen (O)
  • a layer including titanium nitride (TiN) or titanium oxide (TiO) can be formed by the chemical vapor deposition (CVD) method.
  • the source gas when forming the first layer (351) and the third layer (353), includes a material containing titanium (Ti) and the reactant gas includes a material containing nitrogen (N), so that when using the chemical vapor deposition (CVD) method, the first layer (351) and the third layer (353) can be formed by including titanium nitride (TiN), and when forming the second layer (352), the source gas includes a material containing titanium (Ti) and the reactant gas includes a material containing oxygen (O), so that when using the chemical vapor deposition (CVD) method, the second layer (352) can be formed by including titanium oxide (TiO).
  • the source gas includes a material containing tungsten (W) and the reactant gas includes a material containing hydrogen (H 2 ) or oxygen (O)
  • a layer containing tungsten (W) or tungsten oxide (WO) can be formed by the chemical vapor deposition (CVD) method.
  • the source gas when forming the first layer (351) and the third layer (353), includes a material containing tungsten (W) and the reactant gas includes a material containing hydrogen (H 2 ), so that when using the chemical vapor deposition (CVD) method, the first layer (351) and the third layer (353) can be formed by including tungsten (W), and when forming the second layer (352), the source gas includes a material containing tungsten (W) and the reactant gas includes a material containing oxygen (O), so that when using the chemical vapor deposition (CVD) method, the second layer (352) can be formed by including tungsten oxide (WO).
  • auxiliary electrode layer (350) is provided on the second electrode (340), a separate polarizing plate may not be provided. Accordingly, the power consumption of the organic light-emitting display device can be controlled so as not to become excessively high.
  • the substrate processing device (1) performs a processing process for a substrate (20).
  • the substrate processing device (1) can perform a deposition process for depositing a thin film on the substrate (20).
  • the substrate processing device (1) can perform a deposition process such as CVD (Chemical Vapor Depostion), ALD (Atomic Layer Deposition), etc.
  • the substrate processing device (1) includes a mounting table (2), a third electrode (3), a fourth electrode (4), a first injection unit (5), a second injection unit (6), a first injection unit (7), and a second injection unit (8).
  • the mounting stand (2) supports the substrate (20).
  • the substrate (20) can be mounted on the mounting stand (2).
  • the mounting stand (2) can be placed on the lower side of the fourth electrode (4).
  • the substrate (20) can be mounted on the upper surface of the mounting stand (2).
  • the substrate (20) can be a semiconductor substrate, a wafer, or the like.
  • the mounting stand (2) can also support a plurality of substrates (20).
  • the above-mentioned mounting plate (2) can be coupled to a chamber (50).
  • the chamber (50) provides a processing space where the processing process is performed.
  • the above-mentioned mounting plate (2) can be placed inside the chamber (50).
  • the above-mentioned mounting plate (2) can also be rotatably coupled to the chamber (50).
  • the above-mentioned mounting plate (2) can be connected to a rotating member that provides rotating force. The rotating member can rotate the substrate (20) supported on the above-mentioned mounting plate (2) by rotating the above-mentioned mounting plate (2).
  • the third electrode (3) is positioned on the upper side of the mounting plate (2).
  • the third electrode (3) may be positioned on the upper side of the fourth electrode (4).
  • the third electrode (3) may be positioned so as to be spaced a predetermined distance upward from the fourth electrode (4).
  • the third electrode (3) may be positioned inside the chamber (50).
  • the third electrode (3) may be coupled to the chamber (50) so as to be positioned on the upper side of the chamber (50).
  • the third electrode (3) may be formed in an overall square plate shape, but is not limited thereto and may be formed in another shape, such as a disc shape.
  • the fourth electrode (4) is positioned between the third electrode (3) and the mounting plate (3).
  • the fourth electrode (4) may be positioned below the third electrode (3) and above the mounting plate (3).
  • the fourth electrode (4) may be positioned so as to be spaced a predetermined distance upward from the mounting plate (3).
  • the fourth electrode (4) may be positioned inside the chamber (50).
  • the fourth electrode (4) may be formed in an overall square plate shape, but is not limited thereto and may be formed in another shape, such as a disc shape.
  • the fourth electrode (4) and the third electrode (3) can be used to generate plasma.
  • One of the fourth electrode (4) and the third electrode (3) can be applied with RF (Radio Frequency) power, and the other can be grounded. Accordingly, a discharge can be generated by an electric field applied between the fourth electrode (4) and the third electrode (3), thereby generating plasma.
  • RF power can be applied to the fourth electrode (4), and the third electrode (3) can be grounded.
  • the fourth electrode (4) can be grounded, and RF power can be applied to the third electrode (3).
  • An opening (41) may be formed in the fourth electrode (4).
  • the opening (41) may be formed to penetrate the fourth electrode (4).
  • the opening (41) may be formed to penetrate the upper and lower surfaces of the fourth electrode (4).
  • the opening (41) may be formed in an overall cylindrical shape, but is not limited thereto and may be formed in other shapes, such as a rectangular parallelepiped shape.
  • a protruding electrode (31) may be coupled to the third electrode (3).
  • the protruding electrode (31) may be coupled to the third electrode (3) so as to protrude toward the mounting plate (2).
  • the protruding electrode (31) may protrude from the lower surface of the third electrode (3).
  • the protruding electrode (31) and the third electrode (3) may be formed integrally.
  • the protruding electrode (31) may be grounded through the third electrode (3).
  • RF power is applied to the third electrode (3), RF power may be applied to the protruding electrode (31) through the third electrode (3).
  • the fourth electrode (4) may have a plurality of openings (41).
  • the openings (41) may be positioned at positions spaced apart from each other.
  • the third electrode (3) may have a plurality of protruding electrodes (31) coupled thereto.
  • the protruding electrodes (31) may be positioned at positions spaced apart from each other.
  • the openings (41) may be positioned at positions corresponding to the protruding electrodes (31). Accordingly, the protruding electrodes (31) may protrude toward the openings (41).
  • the protruding electrodes (31) may protrude to a length that allows them to be inserted into the openings (41).
  • the protruding electrodes (31) may also protrude to a length that does not allow them to be inserted into the openings (41). In this case, the protruding electrodes (31) may be positioned above the openings (41).
  • the first injection unit (5) injects the first gas.
  • the first gas may be a gas for performing a processing process on the substrate (20).
  • the first gas may be a mixed gas in which a gas for performing a processing process on the substrate (20) and a gas for generating plasma are mixed.
  • the first injection unit (5) can inject the first gas into the first injection unit (7).
  • the first gas injected into the first injection unit (7) can flow along the first injection unit (7) so as to be injected toward the entire front surface of the substrate (20), and then be injected toward the mounting plate (2) through the third electrode (3).
  • the entire front surface of the substrate (20) can correspond to the entire upper surface of the substrate (20).
  • the upper surface of the substrate (20) is a surface arranged to face the fourth electrode (4).
  • the first injection unit (5) can be coupled to the chamber (50).
  • the second injection unit (6) injects a second gas.
  • the second gas may be a gas for performing a processing process on the substrate (20).
  • the second gas may be a mixed gas in which a gas for performing a processing process on the substrate (20) and a gas for generating plasma are mixed.
  • the second gas and the first gas may be composed of different components.
  • the second injection unit (6) can inject the second gas into the second injection unit (8).
  • the second gas injected into the second injection unit (8) can flow along the second injection unit (8) so as to be injected toward the entire surface of the substrate (20), and then be injected toward the mounting plate (2) through the third electrode (3).
  • the second injection unit (6) can be coupled to the chamber (50).
  • the second gas injected by the second injection unit (6) and the first gas injected by the first injection unit (5) can be used to perform a processing process on the substrate (20) by being injected toward the substrate (20) supported on the mounting plate (2). Therefore, the first gas and the second gas can be injected by the gas injection unit separately.
  • the second injection unit (6) and the first injection unit (5) can be respectively positioned on the same side with respect to the third electrode (3).
  • the second injection unit (6) and the first injection unit (5) can inject the second gas and the first gas into the second injection unit (8) and the first injection unit (7), respectively.
  • the embodiment may be such that the second injection portion (6) is disposed on one side (3a) of the third electrode (3) and the first injection portion (5) is disposed on one side (3a) of the third electrode (3). That is, the embodiment may be such that the second injection portion (6) and the first injection portion (5) are disposed on the same side with respect to the third electrode (3).
  • the second gas injected into the second injection unit (8) by the second injection unit (6) flows from one side (3a) of the third electrode (3) to the other side (3c). Accordingly, the second gas is injected from one side (21) to the other side (22) of the substrate (20).
  • the dotted arrow in Fig. 5 indicates the second gas.
  • the first gas injected into the first injection unit (7) by the first injection unit (5) flows from one side (3a) of the third electrode (3) toward the other side (3c). Accordingly, the gas is injected toward the substrate (20) as it flows from one side (21) to the other side (22) of the substrate (20).
  • the solid arrow in Fig. 5 indicates the first gas.
  • both the second injection part (6) and the first injection part (5) are arranged on one side (3a) of the third electrode (3), but this is not limited to this, and the second injection part (6) and the first injection part (5) may be implemented differently if they are arranged on the same side with respect to the third electrode (3).
  • both the second injection unit (6) and the first injection unit (5) may be placed on the other side (3c) of the third electrode (3).
  • both the second injection unit (6) and the first injection unit (5) may be arranged to inject the second gas and the first gas through the central portion of the third electrode (3) from the upper side (3b) of the third electrode (3).
  • the first injection unit (7) injects the first gas through the third electrode (3).
  • the first injection unit (7) can be connected to the first injection unit (5).
  • the first gas injected into the first injection unit (7) by the first injection unit (5) can flow along the first injection unit (7) and be injected toward the mounting plate (2).
  • the above first injection unit (7) may include a first injection member (71).
  • the first injection member (71) is disposed inside the third electrode (3).
  • the first injection member (71) can function as a passage for flowing the first gas injected from the first injection portion (5).
  • the first injection member (71) can be formed to extend along the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the first gas injected into the first injection member (71) can flow along the first axial direction (X-axis direction) along the first injection member (71).
  • the first injection member (71) can be implemented as a pipe, a tube, or the like. In this case, the first injection member (71) can be coupled to the third electrode (3) so as to be disposed inside the third electrode (3).
  • the first injection member (71) may be implemented to be placed inside the third electrode (3) by forming a groove in the inside of the third electrode (3).
  • the first injection unit (7) may include a first injection hole (72).
  • the first injection hole (72) is for injecting the first gas toward the mounting plate (2).
  • the first injection hole (72) may be connected to the first injection member (71). Accordingly, the first gas flowing along the first injection member (71) may be injected toward the mounting plate (2) through the first injection hole (72).
  • the first injection hole (72) may be formed such that one end is connected to the first injection member (71) and the other end penetrates the third electrode (3).
  • the first injection hole (72) may be formed parallel to the up-down direction (Z-axis direction).
  • the first injection unit (7) may include a plurality of first injection holes (72).
  • the first injection holes (72) may be arranged to be spaced apart from each other along the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the first injection holes (72) may inject the first gas to different parts of the substrate (20) supported on the mounting plate (2).
  • the first injection holes (72) may be respectively connected to different parts of the first injection member (71). Accordingly, the first gas may flow along the first injection member (71) in the first axial direction (X-axis direction) and be injected toward the mounting plate (2) through the first injection holes (72).
  • the first injection unit (7) can be implemented to inject the first gas entirely toward the substrate (20) based on the first axial direction (X-axis direction).
  • the first injection unit (7) can include a plurality of first injection members (71).
  • the first injection members (71) may be arranged at positions spaced apart from each other along the second axial direction (Y-axis direction).
  • the second axial direction (Y-axis direction) and the first axial direction (X-axis direction) are axial directions that are arranged perpendicular to each other on one plane.
  • a plurality of first injection holes (72) may be connected to each of the first injection members (71). Accordingly, the first injection members (71) may spray the first gas toward the mounting plate (2) through the first injection holes (72).
  • the substrate processing device (1) according to the present invention may not only spray the first gas toward the substrate (20) as a whole based on the first axial direction (X-axis direction), but may also spray the first gas toward the substrate (20) as a whole based on the second axial direction (Y-axis direction). Accordingly, the substrate processing device (1) according to the present invention is implemented so as to be able to spray the first gas toward the entire surface of the substrate (20) placed on the mounting stand (2).
  • the first injection holes (72) may be formed to penetrate the protruding electrode (31). In this case, the first gas may be sprayed toward the opening (41) through the first injection holes (72) and then flow toward the mounting stand (2) through the opening (41).
  • the second injection unit (8) injects the second gas through the third electrode (3).
  • the second injection unit (8) can be connected to the second injection unit (6).
  • the second gas injected into the second injection unit (8) by the second injection unit (6) can flow along the second injection unit (8) and be injected toward the mounting plate (2).
  • the above second injection unit (8) may include a second injection member (81).
  • the second injection member (81) is disposed inside the third electrode (3).
  • the second injection member (81) can function as a passage for flowing the second gas injected from the second injection portion (6).
  • the second injection member (81) can be formed to extend along the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the second gas injected into the second injection member (81) can flow along the second injection member (81) in the first axial direction (X-axis direction).
  • the second injection member (81) can be implemented as a pipe, a tube, or the like. In this case, the second injection member (81) can be coupled to the third electrode (3) so as to be disposed inside the third electrode (3).
  • the second injection member (81) may be implemented to be placed inside the third electrode (3) by forming a groove inside the third electrode (3).
  • the substrate processing device (1) when the substrate processing device (1) needs to control the temperature of the second gas flowing along the second injection member (81), the temperature of the third electrode (3) can be controlled to directly control the temperature of the second gas. Accordingly, the substrate processing device (1) can improve the ease and accuracy of the task of controlling the temperature of the second gas.
  • the above second injection unit (8) may include a second injection hole (82).
  • the second injection hole (82) is for injecting the second gas toward the mounting plate (2).
  • the second injection hole (82) may be connected to the second injection member (81). Accordingly, the second gas flowing along the second injection member (81) may be injected toward the mounting plate (2) through the second injection hole (82).
  • the second injection hole (82) may be formed such that one end is connected to the second injection member (81) and the other end penetrates the third electrode (3).
  • the second injection hole (82) may be formed parallel to the up-down direction (Z-axis direction).
  • the second injection unit (8) may include a plurality of second injection holes (82).
  • the second injection holes (82) may be arranged to be spaced apart from each other along the first axial direction (X-axis direction). Accordingly, the second injection holes (82) may inject the second gas to different parts of the substrate (20) supported on the mounting plate (2).
  • the second injection holes (82) may be respectively connected to different parts of the second injection member (81). Accordingly, the second gas may flow along the second injection member (81) in the first axial direction (X-axis direction) and be injected toward the mounting plate (2) through the second injection holes (82).
  • the second injection holes (82) and the first injection holes (72) may be arranged alternately in a plurality based on the first axial direction (X-axis direction).
  • the second injection unit (8) can be implemented to inject the second gas entirely toward the substrate (20) based on the first axial direction (X-axis direction).
  • the second injection unit (8) can include a plurality of second injection members (81).
  • the second injection members (81) may be arranged at positions spaced apart from each other along the second axial direction (Y-axis direction).
  • a plurality of second injection holes (82) may be connected to each of the second injection members (81). Accordingly, the second injection members (81) may inject the second gas toward the mounting plate (2) through the second injection holes (82).
  • the substrate processing device (1) according to the present invention may not only inject the second gas toward the entire substrate (20) based on the first axial direction (X-axis direction), but may also inject the second gas toward the entire substrate (20) based on the second axial direction (Y-axis direction). Accordingly, the substrate processing device (1) according to the present invention is implemented so as to inject the second gas toward the entire surface of the substrate (20) mounted on the mounting plate (2).
  • the second injection holes (82) may be arranged above the fourth electrode (4). In this case, the second gas may be injected between the third electrode (3) and the fourth electrode (4) through the second injection holes (82), and then flow toward the mounting plate (2) through the opening (41).

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Abstract

본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 구비되는 양극; 상기 양극 상에 구비되는 유기발광층; 상기 유기 발광층 상에 구비되는 음극; 및 상기 음극 상에 구비되는 보조 전극층을 포함하며, 상기 보조 전극층은, 상기 음극 상에 구비되는 제1 층; 상기 제1 층 상에 구비되는 제2 층; 및 상기 제2 층 상에 구비되는 제3 층을 포함하여 이루어지는 유기발광 표시장치를 제공한다.

Description

유기발광 표시장치 및 그 제조방법
본 발명은 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(thin film transistor)는 유리 기판이나 플라스틱 기판 상에 제조될 수 있기 때문에, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device) 또는 유기 발광 장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 표시 장치의 스위칭 소자 또는 구동 소자로 널리 이용되고 있다.
유기발광소자(Organic Light Emitting Device)는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기 상태(excited state)에서 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으키는 소자이다.
유기 발광 표시장치가 대면적으로 형성되는 경우에는, 음극(Cathode)의 크기 또한 큰 면적으로 형성될 수 있다. 이때, 대면적의 음극(Cathode)이 이용되는 경우에는 발광 소자(Light Emitting Diode; LED)와의 거리에 따라 발광이 저하되는 현상이 발생할 수 있으며, 음극에 흐르는 전류의 균일도가 낮아지는 현상이 발생하여 화상의 품질이 저하될 수 있다.
또한, 음극(Cathode) 상에서 침투하는 수분이나 산소에 의해서 음극(Cathode)이 산화될 수 있는데, 음극(Cathode)이 산화되는 경우에는 발광 소자의 효율이 저하되고 소비 전력이 증가할 수 있으며, 화상의 품질 역시 저하되는 현상이 발생할 수 있다.
본 발명은 전술한 문제를 극복하기 위하여 고안된 것으로서, 음극 상에 보조 전극층을 구비함으로써, 대면적으로 구비된 음극의 전류 균일도를 높이고, 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지하며 전력 소비량을 개선한 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판; 및 상기 기판 상에 구비되는 표시 영역을 포함하고, 상기 표시 영역은 유기 발광층 상에 구비되는 캐소드 전극 및 보조 전극층을 포함하며, 상기 보조 전극층은, 상기 캐소드 전극 상에 구비되는 제1 티타늄 질화막(TiN); 및 상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 상에 구비되는 제2 티타늄 산화막(TiO)을 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층은 상기 제2 티타늄 산화막(TiO) 상에 구비되는 제3 티타늄 질화막(TiN)을 추가로 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층 상에 구비되는 봉지층을 추가로 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 및 제2 티타늄 산화막(TiO)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 티타늄 질화막(TiN), 제2 티타늄 산화막(TiO) 및 제3 티타늄 질화막(TiN)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 유기 발광층 상에 캐소드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및 상기 캐소드 전극 상에 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 보조 전극층을 형성하는 단계는, 상기 캐소드 전극 상에 제1 티타늄 질화막(TiN)을 형성하는 단계; 및 상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 상에 제2 티타늄 산화막(TiO)을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 상기 제2 티타늄 산화막(TiO) 상에 제3 티타늄 질화막(TiN)을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 및 상기 제2 티타늄 산화막(TiO)을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 티타늄(Ti)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및 질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 티타늄 질화막(TiN), 상기 제2 티타늄 산화막(TiO) 및 상기 제3 티타늄 질화막(TiN)을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 티타늄(Ti)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및 질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계는 플라즈마를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 기판; 및 상기 기판 상에 구비되는 표시 영역을 포함하고,
상기 표시 영역은 유기 발광층 상에 구비되는 캐소드 전극 및 보조 전극층을 포함하며, 상기 보조 전극층은, 상기 캐소드 전극 상에 구비되는 제1 텅스텐막(W); 및 상기 제1 텅스텐(W) 상에 구비되는 제2 텅스텐 산화막(WO)을 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층은 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 상에 구비되는 제3 텅스텐막(W)을 추가로 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층 상에 구비되는 봉지층을 추가로 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 텅스텐막(W) 및 제2 텅스텐 산화막(WO)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 텅스텐막(W), 제2 텅스텐 산화막(WO) 및 제3 텅스텐막(W)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명은, 유기 발광층 상에 캐소드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및 상기 캐소드 전극 상에 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 보조 전극층을 형성하는 단계는, 상기 캐소드 전극 상에 제1 텅스텐막(W)을 형성하는 단계; 및 상기 제1 텅스텐막(W) 상에 제2 텅스텐 산화막(WO)을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 상에 제3 텅스텐막(W)을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 보조 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 텅스텐막(W) 및 상기 제2 텅스텐 산화막(WO)을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 텅스텐막(W), 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 및 상기 제3 텅스텐막(W)을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 텅스텐막(W) 및 상기 제2 텅스텐 산화막(WO)을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스 및 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 제1 텅스텐막(W), 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 및 상기 제3 텅스텐막(W)을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스 및 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은, 상기 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계는 플라즈마를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 유기 발광층을 이루는 음극 상에 보조 전극층이 형성됨으로써, 상기 음극이 큰 면적으로 형성되는 경우에 있어서, 상기 음극에 흐르는 전류가 균일하게 흐르도록 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 음극 상에 보조 전극층이 형성됨으로써, 상기 보조 전극층에 의해 상기 음극 내부로 수분 또는 공기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 음극이 산화되는 것을 방지하여, 유기 발광층의 수명을 개선하고 상기 음극이 산화되어 소비 전력이 증가하는 문제를 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 음극 상에 보조 전극층을 형성할 수 있고, 상기 보조 전극층이 제1 층, 제2 층 및 제3 층으로 구비됨으로써, 상기 보조 전극층은 전파장 대역의 광(Light)을 흡수할 수 있어서, 유기 발광 표시 장치가 별도의 편광판을 구비하지 않을 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자로부터 발광된 빛이 편광판을 투과할 필요가 없기 때문에, 낮은 세기로도 일정 밝기 이상의 빛을 구현할 수 있다. 결국, 유기 발광 소자의 소비 전력을 낮출 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기소자층의 단면도로 유기소자층을 자세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 보조 전극층을 형성하기 위한 기판처리장치에 대한 개략적인 측단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 보조 전극층을 형성하기 위한 기판처리장치에 있어서 제3 전극과 제4 전극에 대한 개략적인 측단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 보조 전극층을 형성하기 위한 기판처리장치에 있어서 제3 전극과 제4 전극에 대한 개략적인 측단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 보조 전극층을 형성하기 위한 기판처리장치에 있어서 제1 주입부와 제2 주입부의 위치에 대한 변형 실시예를 설명하기 위한 개념적인 측면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판(100), 회로소자층(200), 유기소자층(300) 및 봉지층(400)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 특히, 상기 기판(100)은 플렉서블 특성을 갖는 투명 플라스틱, 예를 들어, 폴리이미드로 이루어질 수 있다. 폴리이미드가 상기 기판(100)으로 사용되는 경우, 상기 기판(100) 상에서 고온 증착 공정이 이루어짐을 고려할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성 폴리이미드가 사용될 수 있다.
상기 회로소자층(200)은 상기 기판(100) 상에 구비될 수 있다. 상기 회로소자층(200)에는 화소를 구동하기 위한 각종 배선 및 소자, 예를 들어, 박막 트랜지스터에 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인, 데이터 신호를 전달하기 위한 데이터 라인, 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 고전원 라인, 상기 유기소자층(300)을 구동하기 위한 다양한 종류의 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 구성요소 사이를 절연하기 위한 절연막이 존재할 수 있다. 상기 회로소자층(200)에 포함되는 구성은 당업계의 지식에 따라 다양하게 변화할 수 있다.
상기 유기소자층(300)은 상기 회로소자층(200)으로부터 신호를 인가받아 빛을 발광할 수 있다. 상기 유기소자층(300)으로부터 발광된 빛은 상기 유기소자층(300)의 상면 또는 하면으로 진행할 수 있다.
상기 봉지층(400)은 상기 유기소자층(300) 상에 구비될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 상기 유기소자층(300)에 구비되면서 동시에, 상기 유기소자층(300)의 일단 및 타단, 예를 들어, 도면상의 좌측 끝 및 우측 끝에도 구비될 수 있으며, 상기 회로소자층(200)의 상기 일단 및 타단에도 구비될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 상기 회로소자층(200) 및 상기 유기소자층(300)을 감싸는 형태로 구비되어, 상기 회로소자층(200) 및 상기 유기소자층(300) 내부로 수분 또는 공기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다. 이때, 도 2는 도 1의 회로소자층 및 유기소자층을 더 자세하게 도시한 단면도에 해당한다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판(100), 회로소자층(200), 유기소자층(300) 및 봉지층(400)을 포함하여 이루어진다.
상기 회로소자층(200)은 버퍼층(210), 액티브층(220), 게이트 전극(240), 소스 전극(261) 및 드레인 전극(262)을 포함하는 박막 트랜지스터(TR), 게이트 절연막(230), 층간 절연막(250) 및 평탄화층(270)을 포함하여 이루어진다.
상기 버퍼층(210)은 상기 기판(100) 상에 구비될 수 있다. 상기 버퍼층(210)은 상기 액티브층(220) 내부로 수분 또는 산소가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 상기 버퍼층(210)은 실리콘 산화물(SiO) 또는 실리콘 질화물(SiN)의 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TR)는 상기 기판(100) 또는 상기 버퍼층(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TR)는 액티브층(220), 게이트 전극(240), 소스 전극(261) 및 드레인 전극(262)을 포함하여 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 박막 트랜지스터(TR)는 상기 게이트 전극(240)이 상기 액티브층(220) 위에 구비된 탑 게이트(Top Gate) 구조에 대해서만 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 박막 트랜지스터(TR)는 상기 게이트 전극(240)이 상기 액티브층(220)의 아래에 구비된 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조인 것일 수 있고 나아가, 상기 액티브층(220)의 위, 아래에 상기 게이트 전극(240)이 구비된 더블 게이트(Double Gate) 구조인 것일 수도 있다.
액티브층(220)은 상기 기판(100) 또는 상기 버퍼층(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 액티브층(220)은 실리콘계(Si) 반도체 물질 또는 산화물계(Oxide) 반도체 물질로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(210)과 상기 액티브층(220) 사이에는 상기 액티브층(220)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 추가로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(230)은 상기 액티브층(220) 상에 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막(230)은 실리콘 질화막 (SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 게이트 절연막(230)은 단일막 구조를 가질 수도 있고, 다층막 구조를 가질 수도 있다
게이트 전극(240)은 상기 게이트 절연막(230) 상에 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극(240)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 네오듐(Nd) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(240)은 서로 상이한 적어도 두 개의 도체막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
층간 절연막(250)은 상기 게이트 전극(240) 상에 형성된다.
상기 층간 절연막(250)은 상기 게이트 전극(240)과 상기 소스 전극(261) 사이를 절연시키고 나아가, 상기 게이트 전극(240)과 상기 드레인 전극(262) 사이를 절연시킨다. 상기 층간 절연막(250)은 무기 절연물 및/또는 유기 절연물을 포함하는 단일 층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
상기 층간 절연막(250)에는 콘택홀이 구비되어 있다. 그에 따라, 상기 콘택홀에 의해서 상기 액티브층(220)의 일측, 예로서 좌측이 노출되고, 상기 액티브층(220)의 타측, 예로서 우측이 노출될 수 있다.
소스 전극(261) 및 드레인 전극(262)은 상기 층간 절연막(250) 상에 형성될 수 있다.
상기 소스 전극(261)은 상기 액티브층(220)의 일측과 전기적으로 연결되고, 상기 드레인 전극(262)은 상기 액티브층(220)의 타측과 전기적으로 연결된다.
구체적으로, 상기 소스 전극(261)은 상기 층간 절연막(250)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(220)의 일측과 연결되고, 상기 드레인 전극(262)은 상기 층간 절연막(250)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(220)의 타측과 연결된다.
평탄화층(270)은 상기 소스 전극(261) 및 드레인 전극(262) 상에 구비되어 있다. 상기 평탄화층(270)에는 콘택홀이 구비되어 있어서, 상기 소스 전극(261)이 노출된다. 다만, 경우에 따라서, 상기 드레인 전극(262)이 노출될 수도 있다.
상기 유기소자층(300)은 상기 평탄화층(270) 상에 구비될 수 있다. 상기 유기소자층(300)은 제1 전극(310), 뱅크층(320), 유기발광층(330), 제2 전극(340) 및 보호 전극층(350)을 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 유기소자층(300) 중 상기 제1 전극(310), 상기 유기발광층(330), 상기 제2 전극(340) 및 상기 보조 전극층(350)은 발광 영역(EA)에 중첩할 수 있으며, 상기 뱅크층(320)은 상기 회로 영역(CA)에 중첩할 수 있다.
상기 제1 전극(310)은 상기 평탄화층(270) 상에 형성되어 있고, 상기 평탄화층(270)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 회로소자층(200)에 구비된 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극(262)과 연결될 수 있다. 다만, 경우에 따라서, 상기 제1 전극(310)은 상기 회로소자층(200)에 구비된 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극과 연결될 수도 있다. 상기 제1 전극(310)은 애노드(Anode)로 기능할 수 있다.
상기 뱅크층(320)은 상기 제1 전극(310)의 가장자리를 가리도록 구비되어 발광 영역을 정의한다. 따라서, 상기 뱅크층(320)에 의해 가려지지 않고 노출된 상기 제1 전극(310)의 상면 영역이 발광 영역이 된다. 상기 뱅크층(320)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지 (polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
상기 유기발광층(330)은 상기 제1 전극(310) 상에 구비될 수 있다. 상기 유기발광층(330)은 화소 별로 패턴 형성된 적색, 녹색, 및 청색 발광층을 포함하여 이루어질 수도 있고, 모든 화소에서 연결된 백색 발광층으로 이루어질 수도 있다. 상기 유기발광층(330)이 백색 발광층으로 이루어진 경우, 상기 유기발광층(330)은 예로서 청색 발광층을 포함하는 제1 스택, 예로서 황녹색 발광층을 포함하는 제2 스택, 및 상기 제1 스택과 제2 스택 사이에 구비된 전하 생성층을 포함하여 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 전극(340)은 상기 유기발광층(330) 상에 구비되어 있다. 상기 제2 전극(340)은 캐소드로 기능할 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 패턴 형성되지 않고, 상기 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(340)은 상기 발광 영역(EA) 및 상기 회로 영역(CA)과 중첩할 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 공통 전극이라고 할 수도 있다.
상기 제2 전극(340)은 금속 또는 금속 산화물의 단일막 또는 다층막으로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(340)은, 예를 들어, 은(Ag), 마그네슘(Mg) 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보조 전극층(350)은 상기 제2 전극(340) 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 보조 전극층(350)은 상기 제2 전극(340)의 상면에 구비되어 접할 수 있다. 상기 보조 전극층(350)은 패턴 형성되지 않고, 상기 기판(100) 또는 상기 제2 전극(340) 전면에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 보조 전극층(350)은 상기 발광 영역(EA) 및 상기 회로 영역(CA)과 중첩할 수 있다.
상기 보조 전극층(350)은 금속 물질 및 무기 물질을 포함하는 다층막 구조로 형성될 수 있다.
상기 보조 전극층(350)은 외부로부터 상기 제2 전극(340)으로 수분 또는 산소가 유입되는 것을 차단할 수 있어서, 상기 제2 전극(340)이 산화되는 것을 방지할 수 있다. 결국, 상기 보조 전극층(350)은 상기 제2 전극(340)이 산화되는 것을 방지함으로써, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치 내에 구비된 화소의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 발광 소자의 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 발광 소자의 소비 전력이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
상기 보조 전극층(350)은 상기 제2 전극(340)에 흐르는 전류의 균일도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(340)이 큰 면적으로 형성되더라도, 상기 보조 전극층(350)에 의해서 상기 제2 전극(340)에 흐르는 전류의 세기가 균일하도록 유지할 수 있어서 화상의 품질이 저하되는 것
Figure PCTKR2024007617-appb-img-000001
을 방지할 수 있다.
상기 보조 전극층(350)은 10
Figure PCTKR2024007617-appb-img-000002
이상 200
Figure PCTKR2024007617-appb-img-000003
이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 보조 전극층(350)이 10
Figure PCTKR2024007617-appb-img-000004
미만의 두께로 형성되는 경우에는, 상기 제2 전극(340)으로 수분 또는 산소가 유입될 수 있고, 상기 보조 전극층(350)이 200
Figure PCTKR2024007617-appb-img-000005
을 초과하는 두께로 형성되는 경우에는, 상기 유기발광층(330)에서 발광되는 광의 세기가 저하될 수 있다.
상기 봉지층(400)은 상기 보조 전극층(350) 상에 구비될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 2개의 무기막층 사이에 1개의 유기막층이 구비될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니고, 당업계의 지식에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 상기 기판(100) 상에 구비된 상기 회로소자층(200) 및 상기 유기소자층(300) 내부로 수분 또는 산소가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기소자층의 단면도로 유기소자층을 자세하게 설명하기 위한 도면이다. 따라서, 도 3에서는 도 2의 구성에 부여한 도면부호와 동일한 구성에 동일한 부호를 부여하였다. 이때, 도 3은 도 2의 X 영역을 확대한 도면에 해당한다. 아래에서는 도 2에서 설명한 내용과 동일한 내용의 설명은 생략하도록 한다.
도 3에서 알 수 있듯이, 상기 유기소자층(300)은 제1 전극(310), 유기발광층(330), 제2 전극(340) 및 제1 층(351), 제2 층(352) 및 제3 층(353)을 포함하는 보조 전극층(350)을 포함하여 이루어진다.
상기 보조 전극층(350)은 상기 제2 전극(340) 상에 구비되며, 제1 층(351), 제2 층(352) 및 제3 층(353)을 포함하는 다층막 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 층(351)은 상기 제2 전극(340) 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 층(351)은 상기 제2 전극(340)의 상면에 접하도록 구비될 수 있다.
상기 제1 층(351)은 티타늄(Ti)을 함유하는 물질 및 텅스텐(W)을 함유하는 물질 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이때, 상기 제1 층(351)이 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하는 경우에, 상기 제1 층(351)은 티타늄 질화물(Titanium Nitride; TiN)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제2 층(352)은 상기 제1 층(351) 상에 구비될 수 있다.
상기 제2 층(352)은 상기 제1 층(351)과 다른 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제2 층(352)은 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 실리콘(Si) 중 어느 하나를 함유하는 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제2 층(352)이 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하는 경우에는 상기 제2 층(352)은 티타늄 산화물(Titanium Oxide; TiO)을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 제2 층(352)이 텅스텐(W)을 포함하여 이루어지는 경우에는 상기 제2 층(352)은 텅스텐 산화물(Tungsten Oxide; WO)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 제2 층(352)이 실리콘(Si)을 함유하는 경우에는 상기 제2 층(352)은 실리콘 산화물(Silicon Oxide; SiO), 실리콘 질화물(Silicon Nitride; SiN) 및 실리콘 질산화물(Silicon Oxynitride; SiON) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제2 층(352)은 상기 제1 층(351)과 다른 물질을 포함하여 이루어지기 때문에, 상기 제1 층(351)이 티타늄 질화물(TiN)을 포함하여 이루어지는 경우에는 상기 제2 층(352)은 티타늄 산화물(TiO), 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN) 및 실리콘 질산화물(SiON) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
다른 실시예로, 상기 제1 층(351)이 텅스텐(W)을 포함하여 이루어지는 경우에는 상기 제2 층(352)은 텅스텐 산화물(WO), 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN) 및 실리콘 질산화물(SiON) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제3 층(353)은 상기 제2 층(352) 상에 구비될 수 있다. 상기 제3 층(353)은 상기 제1 층(351)과 동일한 물질을 포함하여 이루어질 수 있고 상기 제2 층(352)과는 다른 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제3 층(353)은 티타늄(Ti)을 함유하는 물질 및 텅스텐(W)을 함유하는 물질 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이때, 상기 제1 층(351)이 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하는 경우에, 상기 제1 층(351)은 티타늄 질화물(Titanium Nitride; TiN)을 포함하여 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)이 티타늄 질화물(TiN)을 포함하여 이루어지는 경우, 상기 제2 층(352)은 티타늄 산화물(TiO), 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN) 및 실리콘 질산화물(SiON) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있고. 결과적으로, 상기 제1 층(351) 내지 상기 제3 층(353)을 포함하여 이루어지는 상기 보조 전극층(350)은 티타늄 질화물(TiN)/티타늄 산화물(TiO)/티타늄 질화물(TiN), 티타늄 질화물(TiN)/실리콘 산화물(SiO)/티타늄 질화물(TiN), 티타늄 질화물(TiN)/실리콘 질화물(SiN)/티타늄 질화물(TiN) 및 티타늄 질화물(TiN)/실리콘 질산화물(SiON)/티타늄 질화물(TiN)의 3층 구조 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 보조 전극층(350)이 이와 같이 형성되는 경우에는 유기발광 표시장치의 외부로부터 유입되는 광을 상기 보조 전극층(350)이 효과적으로 흡수할 수 있어서, 유기발광 표시장치의 성능이 광에 의해 열화되는 것을 방지할 수 있다.
다른 실시예로, 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)이 텅스텐(W)을 포함하여 이루어지는 경우, 상기 제2 층(352)은 텅스텐 산화물(WO), 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN) 및 실리콘 질산화물(SiON) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 결과적으로, 상기 제1 층(351) 내지 상기 제3 층(353)을 포함하여 이루어지는 상기 보조 전극층(350)은 텅스텐(W)/텅스텐 산화물(WO)/텅스텐(W), 텅스텐(W)/실리콘 산화물(SiO)/텅스텐(W), 텅스텐(W)/실리콘 질화물(SiN)/텅스텐(W) 및 텅스텐(W)/실리콘 질산화물(SiON)/텅스텐(W)의 3층 구조 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 보조 전극층(350)이 이와 같이 형성되는 경우에는 유기발광 표시장치의 외부로부터 유입돠는 광을 상기 보조 전극층(350)이 효과적으로 흡수할 수 있어서, 유기발광 표시장치의 성능이 광에 의해 열화되는 것을 방지할 수 있다.
상기 보조 전극층(350)이 상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)을 포함하여 이루어짐으로써, 외부로부터 유입되는 전 파장대 영역의 빛을 흡수할 상기 보조 전극층(350)이 흡수할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 외부 광을 제거하기 위한 별도의 편광판을 구비하지 않을 수 있다. 상기 편광판은 외부 광을 차단해주는 역할을 하지만 동시에, 상기 유기발광층(도 2의 300 참조)으로부터 발광된 광도 차단될 수 있어서 광 투과도가 낮아지는 문제가 있다. 따라서, 이러한 문제를 보상하기 위해, 상기 유기발광층(도 2의 300 참조)으로부터 나오는 빛의 세기를 강하게 하기 위해서, 높은 전력을 사용하여야 하는데, 이 경우 소비 전력이 높아지는 문제가 발생할 수 있다.
아래에서는 상기 보조 전극층(350)을 형성하는 방법에 대해서, 상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)이, 예를 들어, 각각 티타늄 질화물(TiN)/티타늄 산화물(TiO)/티타늄 질화물(TiN) 또는 텅스텐(W)/텅스텐 산화물(WO)/텅스텐(W)을 포함하여 이루어지는 경우를 위주로 설명하도록 한다. 한편, 이에 제한되는 것은 아니며, 상기 제1 층, 상기 제2 층 및 상기 제3 층이 다른 물질을 포함하여 이루어지는 경우에도 적용될 수 있다.
상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)은 각각 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD), 화학 기상 증착법(Chemical Vaporizaiton Deposition; CVD), 플라즈마 강화 원자층 증착법(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD) 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vaporization Deposition; PECVD)을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)이, 예를 들어, 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 형성되는 경우에는, 상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)은 각각 소스 가스를 분사한 후에 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 하나의 사이클로 반복 수행하여 형성될 수 있다. 나아가, 상기 리액턴트 가스를 분사하는 단계에서 플라즈마를 형성하는 경우에는 상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)은 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)으로 형성될 수도 있다.
일 예로, 상기 소스 가스가 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스가 질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하는 경우에는, 상기 원자층 증착법(ALD)에 의해서 티타늄 질화물(TiN) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함하는 층을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 질소(N)을 함유하는 물질을 포함하여 상기 원자층 증착법(ALD)을 이용하는 경우에는 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)은 티타늄 질화물(TiN)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 제2 층(352)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하여 상기 원자층 증착법(ALD)을 이용하는 경우에는 상기 제2 층(352)은 티타늄 산화물(TiO)을 포함하여 이루어질 수 있다.
다른 예로, 상기 소스 가스가 텅스텐(W)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스가 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하는 경우에는, 상기 원자층 증착법(ALD)에 의해서 텅스텐(W) 또는 텅스텐 산화물(WO)을 포함하는 층을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 텅스텐(W)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 수소(H2)를 함유하는 물질을 포함하여 상기 원자층 증착법(ALD)을 이용하는 경우에는 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)은 텅스텐(W)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 제2 층(352)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 텅스텐(W)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하여 상기 원자층 증착법(ALD)을 이용하는 경우에는 상기 제2 층(352)은 텅스텐 산화물(WO)을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)이, 예를 들어, 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 경우에는, 상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)은 각각 소스 가스를 분사하고 동시에 리액턴트 가스를 분사하여 형성될 수 있다. 나아가, 상기 소스 가스 및 상기 리액턴트 가스를 분사하는 단계에서 플라즈마를 형성하는 경우에는 상기 제1 층(351), 상기 제2 층(352) 및 상기 제3 층(353)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD)으로 형성될 수도 있다.
일 예로, 상기 소스 가스가 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스가 질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하는 경우에는, 상기 화학 기상 증착법(CVD)에 의해서 티타늄 질화물(TiN) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함하는 층을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 질소(N)을 함유하는 물질을 포함하여 상기 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하는 경우에는 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)은 티타늄 질화물(TiN)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 제2 층(352)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 티타늄(Ti)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하여 상기 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하는 경우에는 상기 제2 층(352)은 티타늄 산화물(TiO)을 포함하여 이루어질 수 있다.
다른 예로, 상기 소스 가스가 텅스텐(W)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스가 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하는 경우에는, 상기 화학 기상 증착법(CVD)에 의해서 텅스텐(W) 또는 텅스텐 산화물(WO)을 포함하는 층을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 텅스텐(W)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 수소(H2)를 함유하는 물질을 포함하여 상기 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하는 경우에는 상기 제1 층(351) 및 상기 제3 층(353)은 텅스텐(W)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 제2 층(352)을 형성하는 경우에, 상기 소스 가스는 텅스텐(W)을 함유하는 물질을 포함하고, 상기 리액턴트 가스는 산소(O)를 함유하는 물질을 포함하여 상기 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하는 경우에는 상기 제2 층(352)은 텅스텐 산화물(WO)을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극층(350)이 상기 제2 전극(340) 상에 구비됨으로써, 별도의 편광판을 구비하지 않을 수 있다. 따라서, 유기발광 표시장치의 소비 전력이 지나치게 높아지지 않도록 조절될 수 있다.
아래에서는 본 발명에 따른 보조 전극층을 형성하기 위한 기판처리장치에 대해서 도 4 내지 도 7를 참조하여 설명하도록 한다.
도 4 및 도 5을 참고하면, 상기 기판처리장치(1)는 기판(20)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 상기 기판처리장치(1)는 상기 기판(20)에 박막을 증착하는 증착 공정을 수행할 수 있다. 예컨대, 상기 기판처리장치(1)는 CVD(Chemical Vapor Depostion), ALD(Atomic Layer Deposition) 등과 같은 증착공정을 수행할 수 있다. 상기 기판처리장치(1)는 안치대(2), 제3 전극(3), 제4 전극(4), 제1 주입부(5), 제2 주입부(6), 제1 분사부(7), 및 제2 분사부(8)를 포함한다.
도 4를 참고하면, 상기 안치대(2)는 상기 기판(20)을 지지하는 것이다. 상기 안치대(2)에는 상기 기판(20)이 안치될 수 있다. 상기 안치대(2)는 상기 제4 전극(4)의 하측에 배치할 수 있다. 이 경우, 상기 기판(20)은 상기 안치대(2)의 상면에 안치될 수 있다. 상기 기판(20)은 반도체 기판, 웨이퍼(Wafer) 등일 수 있다. 상기 안치대(2)는 복수개의 기판(20)을 지지할 수도 있다.
상기 안치대(2)는 챔버(50)에 결합될 수 있다. 상기 챔버(50)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 것이다. 상기 안치대(2)는 상기 챔버(50)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 안치대(2)는 상기 챔버(50)에 회전 가능하게 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 안치대(2)는 회전력을 제공하는 회전부에 연결될 수 있다. 상기 회전부는 상기 안치대(2)를 회전시킴으로써, 상기 안치대(2)에 지지된 기판(20)을 회전시킬 수 있다.
도 4을 참고하면, 상기 제3 전극(3)은 상기 안치대(2)의 상측에 위치하는 것이다. 상기 제3 전극(3)은 상기 제4 전극(4)의 상측에 위치할 수 있다. 상기 제3 전극(3)은 상기 제4 전극(4)으로부터 상측으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제3 전극(3)은 상기 챔버(50)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제3 전극(3)은 상기 챔버(50)의 상부에 위치하도록 상기 챔버(50)에 결합될 수 있다. 상기 제3 전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
도 4을 참고하면, 상기 제4 전극(4)은 상기 제3 전극(3)과 상기 안치대(3)의 사이에 위치하는 것이다. 상기 제4 전극(4)은 상기 제3 전극(3)의 하측에 위치함과 아울러 상기 안치대(3)의 상측에 위치할 수 있다. 상기 제4 전극(4)은 상기 안치대(3)로부터 상측으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제4 전극(4)은 상기 챔버(50)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제4 전극(4)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제4 전극(4)과 상기 제3 전극(3)은 플라즈마를 발생시키는데 이용될 수 있다. 상기 제4 전극(4)과 상기 제3 전극(3) 중에서 어느 하나에는 RF(Radio Frequency) 전력이 인가되고, 나머지 하나는 접지(Ground)가 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제4 전극(4) 및 상기 제3 전극(3) 간에 걸리는 전기장에 의해 방전이 이루져서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제4 전극(4)에 RF 전력이 인가되고, 상기 제3 전극(3)이 접지될 수 있다. 상기 제4 전극(4)이 접지되고, 상기 제3 전극(3)에 RF 전력이 인가될 수도 있다.
상기 제4 전극(4)에는 개구(41)가 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 상기 제4 전극(4)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 상기 제4 전극(4)의 상면 및 하면을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 직방체 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제4 전극(4)에 상기 개구(41)가 형성된 경우, 상기 제3 전극(3)에는 돌출전극(31)이 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)은 상기 안치대(2) 쪽으로 돌출되도록 상기 제3 전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)은 상기 제3 전극(3)의 하면으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌출전극(31) 및 상기 제3 전극(3)은 일체로 형성될 수도 있다. 상기 제3 전극(3)이 접지된 경우, 상기 돌출전극(31)은 상기 제3 전극(3)을 통해 접지될 수 있다. 상기 제3 전극(3)에 RF 전력이 인가된 경우, 상기 돌출전극(31)에는 상기 제3 전극(3)을 통해 RF 전력이 인가될 수 있다.
상기 제4 전극(4)에는 상기 개구(41)가 복수개 형성될 수도 있다. 상기 개구(41)들은 서로 이격된 위치에 비치될 수 있다. 이 경우, 상기 제3 전극(3)에는 상기 돌출전극(31)이 복수개 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 개구(41)들은 상기 돌출전극(31)들에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들 쪽으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들에 삽입되는 길이로 돌출될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들에 삽입되지 않는 길이로 돌출될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들의 상측에 위치할 수 있다.
도 4 및 도 5을 참고하면, 상기 제1 주입부(5)는 제1 가스를 주입하는 것이다. 이때, 상기 제1 가스는 상기 기판(20)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 상기 제1 가스는 상기 기판(20)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스, 및 플라즈마를 발생시키기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다.
상기 제1 주입부(5)는 상기 제1 분사부(7)에 상기 제1 가스를 주입할 수 있다. 상기 제1 분사부(7)에 주입된 제1 가스는, 상기 기판(20)의 전면(全面)을 향해 분사되도록 상기 제1 분사부(7)를 따라 유동한 후에 상기 제3 전극(3)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 기판(20)의 전면(全面)은 상기 기판(20)의 상면 전체에 해당할 수 있다. 상기 기판(20)의 상면은 상기 제4 전극(4)을 향하도록 배치된 면(面)이다. 상기 제1 주입부(5)는 상기 챔버(50)에 결합될 수 있다.
도 4 내지 도 6을 참고하면, 상기 제2 주입부(6)는 제2 가스를 주입하는 것이다. 이때, 상기 제2 가스는 상기 기판(20)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 상기 제2 가스는 상기 기판(20)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스, 및 플라즈마를 발생시키기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다. 상기 제2 가스 및 상기 제1 가스는 서로 상이한 성분으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 주입부(6)는 상기 제2 분사부(8)에 상기 제2 가스를 주입할 수 있다. 상기 제2 분사부(8)에 주입된 제2 가스는, 상기 기판(20)의 전면(全面)을 향해 분사되도록 상기 제2 분사부(8)를 따라 유동한 후에 상기 제3 전극(3)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 제2 주입부(6)는 상기 챔버(50)에 결합될 수 있다. 상기 제2 주입부(6)가 주입한 제2 가스 및 상기 제1 주입부(5)가 주입한 제1 가스는, 상기 안치대(2)에 지지된 기판(20) 쪽으로 분사됨으로써 상기 기판(20)에 대한 처리공정을 수행하는데 이용될 수 있다. 따라서, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스는 가스분사부가 분리되어 분사될 수 있다.
상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)는 각각 상기 제3 전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다. 상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)는 상기 제2 분사부(8)와 상기 제1 분사부(7) 각각에 상기 제2 가스와 상기 제1 가스를 주입할 수 있다.
다음, 도 5에 도시된 바와 같이 실시예는, 상기 제2 주입부(6)가 상기 제3 전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치됨과 아울러 상기 제1 주입부(5)가 상기 제3 전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치될 수 있다. 즉, 실시예는 상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)가 상기 제3 전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다.
상기 제2 주입부(6)가 상기 제2 분사부(8)에 주입한 상기 제2 가스는, 상기 제3 전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하게된다. 이에 따라, 상기 기판(20)의 일측(21)에서부터 타측(22)까지 상기 제2 가스가 분사된다. 도 5에서 점선 화살표는 상기 제2 가스를 나타낸 것이다.
상기 제1 주입부(5)가 상기 제1 분사부(7)에 주입한 상기 제1 가스는, 상기 제3 전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하게된다. 이에 따라, 상기 기판(20)의 일측(21)에서 타측(22)을 향할수록, 상기 기판(20)을 향해 분사된다. 도 5에서 실선 화살표는 상기 제1 가스를 나타낸 것이다.
도 5에는 상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)가 모두 상기 제3 전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)가 상기 제3 전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치되는 것이면 다르게 구현될 수도 있다.
예컨대, 상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)가 모두 상기 제3 전극(3)의 타측(3c) 쪽에 배치될 수도 있다.
예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제2 주입부(6)와 상기 제1 주입부(5)는 모두 상기 제3 전극(3)의 상측(3b) 쪽에서 상기 제3 전극(3)의 중앙 부분을 통해 상기 제2 가스와 상기 제1 가스를 주입하도록 배치될 수도 있다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 상기 제1 분사부(7)는 상기 제3 전극(3)을 통해 상기 제1 가스를 분사하는 것이다. 상기 제1 분사부(7)는 상기 제1 주입부(5)에 연결될 수 있다. 상기 제1 주입부(5)가 상기 제1 분사부(7)에 주입한 제1 가스는, 상기 제1 분사부(7)를 따라 유동하면서 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.
상기 제1 분사부(7)는 제1 분사부재(71)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분사부재(71)는 상기 제3 전극(3)의 내부에 배치된 것이다. 상기 제1 분사부재(71)는 상기 제1 주입부(5)로부터 주입된 제1 가스를 유동시키기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제1 분사부재(71)는 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 분사부재(71)에 주입된 제1 가스는, 상기 제1 분사부재(71)를 따라 상기 제1 축 방향(X축 방향)으로 유동할 수 있다. 상기 제1 분사부재(71)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 분사부재(71)는 상기 제3 전극(3)의 내부에 배치되도록 상기 제3 전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1 분사부재(71)는 상기 제3 전극(3)의 내부에 홈(Groove)을 형성함으로써 상기 제3 전극(3)의 내부에 배치되도록 구현될 수도 있다. 상기 제1 분사부(7)는 제1 분사공(72)을 포함할 수 있다.
상기 제1 분사공(72)은 상기 제1 가스를 상기 안치대(2) 쪽으로 분사하는 것이다. 상기 제1 분사공(72)은 상기 제1 분사부재(71)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 분사부재(71)를 따라 유동하는 제1 가스는, 상기 제1 분사공(72)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다 상기 제1 분사공(72)은 일단이 상기 제1 분사부재(71)에 연결됨과 아울러 타단이 상기 제3 전극(3)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 분사부재(71)가 상기 제1 축 방향(X축 방향)에 대해 평행하게 형성된 경우, 상기 제1 분사공(72)은 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 형성될 수 있다.
상기 제1 분사부(7)는 상기 제1 분사공(72)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 제1 분사공(72)들은 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 분사공(72)은 상기 안치대(2)에 지지된 기판(20)의 서로 다른 부분에 상기 제1 가스를 분사할 수 있다. 상기 제1 분사공(72)들은 각각 상기 제1 분사부재(71)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 가스는 상기 제1 분사부재(71)를 따라 상기 제1 축 방향(X축 방향)으로 유동하면서 상기 제1 분사공(72)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.
상기 제1 분사공(72)이 복수개 구비됨에 따라, 상기 제1 분사부(7)는 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제1 가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제1 축 방향(X축 방향)에 대해 수직한 제2 축 방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제1 가스를 분사하기 위해, 상기 제1 분사부(7)는 상기 제1 분사부재(71)를 복수개 포함할 수 있다.
상기 제1 분사부재(71)들은 상기 제2 축 방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2 축 방향(Y축 방향)과 상기 제1 축 방향(X축 방향)은 하나의 평면 상에서 서로 수직하게 배치된 축 방향이다. 상기 제1 분사부재(71)들 각각에는 상기 제1 분사공(72)들이 복수개 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 분사부재(71)들은 상기 제1 분사공(72)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 상기 제1 가스를 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제1 가스를 분사할 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2 축 방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제1 가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 안치대(2)에 안치된 기판(20)의 전면(全面)을 향해 상기 제1 가스를 분사할 수 있도록 구현된다. 상기 제1 분사공(72)들은 상기 돌출전극(31)을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 가스는 상기 제1 분사공(72)들을 통해 상기 개구(41)를 향해 분사된 후에, 상기 개구(41)를 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 유동할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 상기 제2 분사부(8)는 상기 제3 전극(3)을 통해 상기 제2 가스를 분사하는 것이다. 상기 제2 분사부(8)는 상기 제2 주입부(6)에 연결될 수 있다. 상기 제2 주입부(6)가 상기 제2 분사부(8)에 주입한 제2 가스는, 상기 제2 분사부(8)를 따라 유동하면서 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.
상기 제2 분사부(8)는 제2 분사부재(81)를 포함할 수 있다.
상기 제2 분사부재(81)는 상기 제3 전극(3)의 내부에 배치된 것이다. 상기 제2 분사부재(81)는 상기 제2 주입부(6)로부터 주입된 제2 가스를 유동시키기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제2 분사부재(81)는 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 분사부재(81)에 주입된 제2 가스는, 상기 제2 분사부재(81)를 따라 상기 제1 축 방향(X축 방향)으로 유동할 수 있다. 상기 제2 분사부재(81)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 분사부재(81)는 상기 제3 전극(3)의 내부에 배치되도록 상기 제3 전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2 분사부재(81)는 상기 제3 전극(3)의 내부에 홈(Groove)을 형성함으로써 상기 제3 전극(3)의 내부에 배치되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 기판처리장치(1)는 상기 제2 분사부재(81)를 따라 유동하는 제2 가스의 온도를 조절할 필요가 있는 경우, 상기 제3 전극(3)의 온도를 조절하여 상기 제2 가스의 온도를 직접적으로 조절할 수 있다. 따라서, 상기 기판처리장치(1)는 상기 제2 가스의 온도를 조절하는 작업에 대한 용이성과 정확성을 향상시킬 수 있다.
상기 제2 분사부(8)는 제2 분사공(82)을 포함할 수 있다.
상기 제2 분사공(82)은 상기 제2 가스를 상기 안치대(2) 쪽으로 분사하는 것이다. 상기 제2 분사공(82)은 상기 제2 분사부재(81)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 분사부재(81)를 따라 유동하는 제2 가스는, 상기 제2 분사공(82)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다 상기 제2 분사공(82)은 일단이 상기 제2 분사부재(81)에 연결됨과 아울러 타단이 상기 제3 전극(3)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2 분사부재(81)가 상기 제1 축 방향(X축 방향)에 대해 평행하게 형성된 경우, 상기 제2 분사공(82)은 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 형성될 수 있다.
상기 제2 분사부(8)는 상기 제2 분사공(82)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 제2 분사공(82)들은 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 분사공(82)은 상기 안치대(2)에 지지된 기판(20)의 서로 다른 부분에 상기 제2 가스를 분사할 수 있다. 상기 제2 분사공(82)들은 각각 상기 제2 분사부재(81)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 가스는 상기 제2 분사부재(81)를 따라 상기 제1 축 방향(X축 방향)으로 유동하면서 상기 제2 분사공(82)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제2 분사공(82) 및 상기 제1 분사공(72)은 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치될 수 있다.
상기 제2 분사공(82)이 복수개 구비됨에 따라, 상기 제2 분사부(8)는 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제2 가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제1 축 방향(X축 방향)에 대해 수직한 제2 축 방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제2 가스를 분사하기 위해, 상기 제2 분사부(8)는 상기 제2 분사부재(81)를 복수개 포함할 수 있다.
상기 제2 분사부재(81)들은 상기 제2 축 방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2 분사부재(81)들 각각에는 상기 제2 분사공(82)들이 복수개 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 분사부재(81)들은 상기 제2 분사공(82)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 상기 제2 가스를 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1 축 방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제2 가스를 분사할 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2 축 방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(20)을 향해 전체적으로 상기 제2 가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 안치대(2)에 안치된 기판(20)의 전면(全面)을 향해 상기 제2 가스를 분사할 수 있도록 구현된다. 상기 제2 분사공(82)들은 상기 제4 전극(4)의 상측에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 가스는 상기 제2 분사공(82)들을 통해 상기 제3 전극(3)과 상기 제4 전극(4)의 사이로 분사된 후에, 상기 개구(41)를 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 유동할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (24)

  1. 기판; 및
    상기 기판 상에 구비되는 표시 영역을 포함하고,
    상기 표시 영역은 유기 발광층 상에 구비되는 캐소드 전극 및 보조 전극층을 포함하며,
    상기 보조 전극층은,
    상기 캐소드 전극 상에 구비되는 제1 티타늄 질화막(TiN); 및
    상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 상에 구비되는 제2 티타늄 산화막(TiO)을 포함하는 유기발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보조 전극층은 상기 제2 티타늄 산화막(TiO) 상에 구비되는 제3 티타늄 질화막(TiN)을 추가로 포함하는 유기발광 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 보조 전극층 상에 구비되는 봉지층을 추가로 포함하는 유기발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 및 제2 티타늄 산화막(TiO)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 티타늄 질화막(TiN), 제2 티타늄 산화막(TiO) 및 제3 티타늄 질화막(TiN)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치.
  6. 유기 발광층 상에 캐소드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 캐소드 전극 상에 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계는,
    상기 캐소드 전극 상에 제1 티타늄 질화막(TiN)을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 상에 제2 티타늄 산화막(TiO)을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 상기 제2 티타늄 산화막(TiO) 상에 제3 티타늄 질화막(TiN)을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 티타늄 질화막(TiN) 및 상기 제2 티타늄 산화막(TiO)을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 티타늄(Ti)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및
    질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 티타늄 질화막(TiN), 상기 제2 티타늄 산화막(TiO) 및 상기 제3 티타늄 질화막(TiN)을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 티타늄(Ti)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및
    질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  11. 제9 항 또는 제10 항에 있어서,
    상기 질소(N) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계는 플라즈마를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  12. 기판; 및
    상기 기판 상에 구비되는 표시 영역을 포함하고,
    상기 표시 영역은 유기 발광층 상에 구비되는 캐소드 전극 및 보조 전극층을 포함하며,
    상기 보조 전극층은,
    상기 캐소드 전극 상에 구비되는 제1 텅스텐막(W); 및
    상기 제1 텅스텐(W) 상에 구비되는 제2 텅스텐 산화막(WO)을 포함하는 유기발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 보조 전극층은 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 상에 구비되는 제3 텅스텐막(W)을 추가로 포함하는 유기발광 표시장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 보조 전극층 상에 구비되는 봉지층을 추가로 포함하는 유기발광 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 텅스텐막(W) 및 제2 텅스텐 산화막(WO)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 텅스텐막(W), 제2 텅스텐 산화막(WO) 및 제3 텅스텐막(W)은 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 형성되는 유기발광 표시장치.
  17. 유기 발광층 상에 캐소드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 캐소드 전극 상에 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계는,
    상기 캐소드 전극 상에 제1 텅스텐막(W)을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 텅스텐막(W) 상에 제2 텅스텐 산화막(WO)을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 상에 제3 텅스텐막(W)을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 텅스텐막(W) 및 상기 제2 텅스텐 산화막(WO)을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및
    수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  21. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 텅스텐막(W), 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 및 상기 제3 텅스텐막(W)을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스를 분사하는 단계; 및
    수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  22. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 텅스텐막(W) 및 상기 제2 텅스텐 산화막(WO)을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스 및 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  23. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 텅스텐막(W), 상기 제2 텅스텐 산화막(WO) 및 상기 제3 텅스텐막(W)을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 텅스텐(W)을 함유한 소스 가스 및 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  24. 제20 항 내지 제23 항 중 어느 한 하나의 항에 있어서,
    상기 수소(H2) 또는 산소(O)를 함유하는 리액턴트 가스를 분사하는 단계는 플라즈마를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
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