WO2024142491A1 - 可変抵抗器、及び、可変抵抗器の製造方法 - Google Patents

可変抵抗器、及び、可変抵抗器の製造方法 Download PDF

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comb
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resistor
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政巳 渡辺
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株式会社フジクラ
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Definitions

  • the present invention relates to a variable resistor and a method for manufacturing a variable resistor.
  • a variable resistor For designated countries where incorporation by reference of literature is permitted, the contents described in Patent Application No. 2022-211822 filed in Japan on December 28, 2022 are incorporated by reference into this specification and made a part of the description of this specification.
  • the variable resistor disclosed in Patent Document 1 comprises a resistor arranged on the upper surface of a lower membrane substrate, a plurality of comb-tooth patterns connected to the resistor and arranged at intervals from one another, and a connector arranged on the lower surface of an upper membrane substrate.
  • a resistor arranged on the upper surface of a lower membrane substrate
  • comb-tooth patterns connected to the resistor and arranged at intervals from one another
  • a connector arranged on the lower surface of an upper membrane substrate.
  • the problem that the present invention aims to solve is to provide a variable resistor that can suppress deterioration of the comb tooth pattern, and a method for manufacturing the variable resistor.
  • Aspect 2 of the present invention may be a variable resistor according to aspect 1, in which the insulator has a first main surface opposite to the first substrate, and the height of the tip surface from the first substrate is substantially the same as the height of the first main surface from the first substrate.
  • Aspect 4 of the present invention may be a variable resistor according to any one of aspects 1 to 3, in which the insulator includes a first intervening portion located between the comb-tooth patterns and a second intervening portion located between the first substrate and the comb-tooth patterns.
  • Aspect 6 of the present invention is a variable resistor according to any one of aspects 1 to 5, the variable resistor comprising a resistor disposed on the first substrate, a first wiring pattern disposed on the first substrate and connected to the resistor, a spacer having an opening, a second substrate laminated on the first substrate via the spacer, a connector disposed on the second substrate so as to be positioned within the opening and electrically connected to the resistor by the pressure of a slider from the outside of the second substrate, and a connector disposed on the second substrate and electrically connected to the resistor by the pressure of a slider from the outside of the second substrate.
  • the connector has a non-overlapping region that does not overlap with the resistor, in a plan view, a sliding region in which the slider can slide is included in the non-overlapping region, and the tip surface is a surface of the comb tooth pattern that faces the connector, and the resistance value between the first wiring pattern and the second wiring pattern changes depending on the position of the slider.
  • a seventh aspect of the present invention is a variable resistor according to the sixth aspect, in which the second wiring pattern is disposed on the second substrate and connected to the connector, the plurality of comb-tooth patterns include a plurality of first comb-tooth patterns connected to the resistor, the first comb-tooth patterns overlap the sliding region in a plan view, and the connector may be a variable resistor that comes into contact with the first comb-tooth patterns by the pressure of the slider from the outside of the second substrate.
  • Aspect 8 of the present invention may be a variable resistor according to aspect 6, in which the second wiring pattern is disposed on the first base material, the plurality of comb tooth patterns include a plurality of first comb tooth patterns connected to the resistor, the first comb tooth patterns and the second wiring pattern overlap with the sliding region in a plan view, and the connector may be a variable resistor that comes into contact with the first comb tooth pattern and the second wiring pattern by the pressure of the slider from the outside of the second base material.
  • FIG. 8A to 8D are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the variable resistor according to the first embodiment of the present invention.
  • 9A to 9D are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the variable resistor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a variable resistor according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI in FIG.
  • FIG. 12 is a plan view showing the lower membrane substrate of a variable resistor according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a bottom view showing a spacer and an upper membrane substrate of a variable resistor in accordance with the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view showing a variable resistor according to the third embodiment of the present invention.
  • 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG. 14.
  • FIG. 16 is a plan view showing the lower membrane substrate of a variable resistor according to the third embodiment of the present invention.
  • variable resistor 1A the slider 100 slides while pressing against the upper membrane substrate 60A, sequentially changing the comb tooth pattern 45 with which the connector 80 comes into contact. This makes it possible to change the electrical connection position between the connector 80 and the resistor 40, and to change the resistance length (resistance value) of the resistor 40.
  • uses of this variable resistor 1A include variable resistance elements, position sensors, switches, and encoders. Note that the uses of the variable resistor 1A of this embodiment are not particularly limited to those mentioned above.
  • the substrate 11 is a film-like member made of a material that is flexible and electrically insulating.
  • materials that make up the substrate 11 include resin materials, and more specifically, polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN). More specifically, an adhesive tape having an adhesive layer on one main surface of a PET film can be used as the substrate 11. Alternatively, a hot melt or the like can be used instead of the adhesive layer.
  • the substrate 11 does not have to be flexible.
  • the first resist layer 20 is provided on the upper surface 12 of the substrate 11.
  • This first resist layer 20 is formed by solidifying (curing) an electrically insulating resist material.
  • Specific examples of this resist material include resin materials such as epoxy resin, urethane resin, polyester resin, and acrylic resin.
  • the first resist layer 20 has a thin portion 21 and a protruding portion 22.
  • the thin portion 21 surrounds the protruding portion 22 and is relatively thin compared to the protruding portion 22.
  • a comb tooth pattern 45 is embedded from the thin portion 21 to the protruding portion 22 of the first resist layer 20.
  • the first resist layer 20 further has a plurality of (9 in this example) first intervening portions 23, a plurality of (10 in this example) second intervening portions 24, and a plurality of (2 in this example) third intervening portions 25 around the comb tooth pattern 45.
  • a plurality of first intervening portions 23 and a plurality of second intervening portions 24 are alternately arranged along the X direction between the third intervening portions 25, 25.
  • the number of the first and second intervening portions 23, 24 is not particularly limited and changes depending on the number of the comb tooth pattern 45.
  • the conductive paste constituting the resistor 40 is a high-resistance conductive paste having a higher electrical resistance value than the above-mentioned low-resistance conductive paste.
  • the conductive paste constituting the resistor 40 contains conductive particles having a higher electrical resistivity than the electrical resistivity of the conductive particles of the conductive paste constituting the above-mentioned wiring patterns 31 and 35. That is, the resistor 40 is made of a material having a higher electrical resistivity than the electrical resistivity of the material constituting the wiring patterns 31 and 35, and the resistance value of the resistor 40 is sufficiently higher than the resistance value of the wiring patterns 31 and 35 to the extent that the resistance value of the wiring patterns 31 and 35 can be ignored.
  • the membrane substrates 10A and 60A are stacked via the spacer 90.
  • the membrane substrates 10A and 60A are stacked so that the lower surface 62 of the substrate 61 of the upper membrane substrate 60A faces the upper surface 12 of the substrate 11 of the lower membrane substrate 10A.
  • the substrate 11 of the lower membrane substrate 10A and the spacer 90 are attached to each other via an adhesive layer (not shown), and the spacer 90 and the substrate 61 of the upper membrane substrate 60A are also attached to each other via an adhesive layer (not shown).
  • the wiring pattern 70 detects a voltage that is approximately half the potential of the power supply voltage, and the multimeter or the like outputs the potential difference between the power supply voltage and the detected voltage of the wiring pattern 70 (e.g., 2.5 [V]).
  • the first intervening portion 23 of the first resist layer 20 fills the spaces between the comb tooth patterns 45a to 45j, thereby reducing contact of the connector 80 with the side surfaces of the comb tooth patterns 45a to 45j. This prevents the comb tooth patterns 45a to 45j from being scraped off or from collapsing due to lateral forces and peeling off from the lower membrane substrate, thereby preventing deterioration of the comb tooth patterns 45a to 45j.
  • the first interposition portion 23 and the third interposition portion 25 can reduce the downward movement of the connector 80 in the space between the comb tooth patterns 45 when the slider 100 moves to a position corresponding to the space between the comb tooth patterns 45, thereby suppressing the downward movement of the slider 100 and preventing a deterioration in the detection accuracy of the variable resistor.
  • the height H3 of the upper surface 46 of the comb tooth pattern 45 and the height H2 of the upper surfaces 22a of the first and third intermediate portions 23, 25 are substantially the same, so that the slider 100 can slide with almost no movement in the up and down direction, thereby making it possible to suppress deterioration of the detection accuracy of the variable resistor.
  • Figs. 8(A) to 9(D) are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the variable resistor 1A in the first embodiment.
  • the upper views of Figs. 8(A) to 8(D) are cross-sectional views corresponding to the cross section taken along line II-II in Fig. 1, and the lower views of Figs. 8(A) to 8(D) are cross-sectional views corresponding to the cross section taken along line III-III in Fig. 1.
  • the upper views of Figs. 9(A) to 9(D) are cross-sectional views corresponding to the cross section taken along line II-II in Fig. 1
  • the lower views of Figs. 9(A) to 9(D) are cross-sectional views corresponding to the cross section taken along line III-III in Fig. 1.
  • a release film 200 is prepared.
  • the release film 200 includes a film 201 and a release layer 202 provided on one of the main surfaces of the film 201.
  • the film 201 is made of a resin material.
  • An example of this resin material is PET.
  • the release layer 202 is formed by applying a release agent to the film 201.
  • An example of this release agent is a silicone-based release agent or a fluorine-based release agent.
  • the release film 200 in this embodiment corresponds to an example of the "support” in the present invention
  • the release layer 202 in this embodiment corresponds to an example of the "release treatment surface" in the present invention.
  • a low-resistance conductive paste is printed on both ends of the resistor 40 to form the wiring patterns 31, 35.
  • the above-mentioned conductive paste can be used as the low-resistance conductive paste.
  • the printing method and solidification method of the low-resistance conductive paste are not particularly limited, but examples thereof include the same printing method and solidification method as the above-mentioned second resist layer 50.
  • a resist material is printed on the release film 200 so as to cover the wiring patterns 31, 35, the resistor 40, the comb tooth pattern 45, and the second resist layer 50, and then solidified (cured), thereby forming the first resist layer 20.
  • the resist material include the same resist material as that constituting the second resist layer 50 described above.
  • Methods for printing and solidifying the resist material are not particularly limited, but examples of the same resist material as that for the second resist layer 50 described above can be used.
  • the resist material is solidified while being filled in the spaces between the comb tooth patterns 45 and in the space between the second resist layer 50 and the comb tooth pattern 45, thereby forming a first intervening portion 23 that fills the space between the comb tooth patterns 45 and a third intervening portion 25 that fills the space between the second resist layer 50 and the comb tooth pattern 45.
  • the resist material is printed so as to cover the comb tooth pattern 45 and solidified, thereby forming the above-mentioned second intervening portion 24.
  • the substrate 11 is attached to the first resist layer 20.
  • the substrate 11 can be, for example, an adhesive tape having an adhesive layer (not shown), and the substrate 11 is attached to the first resist layer 20 via the adhesive layer.
  • the comb tooth pattern 45 and the first resist layer 20 are formed and transferred directly onto the release film 200, so the upper surface 46 of the comb tooth pattern 45 can be easily exposed from the protruding portion 22 of the first resist layer 20 in which the comb tooth pattern 45 is embedded.
  • the resist material will adhere to the upper surface of the comb tooth pattern, making it difficult to expose the upper surface of the comb tooth pattern.
  • top surface 46 of the comb tooth pattern 45, the top surface 22a of the protruding portion 22 of the first resist layer 20 in which the comb tooth pattern 45 is embedded, and the top surface 50a of the second resist layer 50 are formed on the same main surface of the release film 200, so that the top surfaces 46, 22a, and 50a can be easily formed to be flush.
  • the surface shape of the release film 200 which has a high degree of smoothness, can be transferred to the upper surfaces 46, 22a, 50a, so the upper surfaces 46, 22a, 50a can be formed smoothly.
  • the surface roughness Ra of the upper surfaces 46, 22a, 50a can be set to 0.01 ⁇ m to 0.1 ⁇ m.
  • the upper membrane substrate 60A is attached to the lower membrane substrate 10A via a spacer 90.
  • the wiring pattern 70 and connectors 80 of the lower membrane substrate 10A are formed by printing on the lower surface 62 of the base material 61 as described above. In this manner, the variable resistor 1A is manufactured.
  • the first resist layer 20, wiring patterns 31, 35, resistor 40, comb tooth pattern 45, and second resist layer 50 of the lower membrane substrate 10A are formed on the release film 200 and transferred, but this is not limited to this. At least the first resist layer 20 and comb tooth pattern 45 may be formed on the release film 200 and transferred onto the substrate 11, and then the wiring patterns 31, 35, resistor 40, and second resist layer 50 may be formed on the substrate 11.
  • Fig. 10 is a plan view showing a variable resistor 1B in the second embodiment
  • Fig. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in Fig. 10.
  • Fig. 12 is a plan view showing a lower membrane substrate 10B of the variable resistor 1B in the second embodiment.
  • Fig. 13 is a bottom view showing a spacer 90 and an upper membrane substrate 60B of the variable resistor 1B in the second embodiment.
  • variable resistor 1B of this embodiment differs from the variable resistor 1A of the first embodiment in that the wiring pattern 70 is formed on the lower membrane substrate 10B rather than the upper membrane substrate 60B.
  • the rest of the configuration is the same as in the first embodiment.
  • the wiring pattern 70 of this embodiment is formed on the substrate 11 via the first resist layer 20.
  • the wiring pattern 70 includes a second main body portion 71 and a second protective layer 72.
  • the second body portion 71 is formed by printing and solidifying (curing) a low-resistance conductive paste, similar to the above-mentioned wiring patterns 31 and 35. More specifically, the second body portion 71 can be formed by printing and curing a low-resistance conductive paste on the second protective layer 72 formed inside the opening 51 of the second resist layer 50 in the process shown in FIG. 8(C).
  • the second body portion 71 is made of a material having a lower electrical resistivity than the material constituting the resistor 40, and the resistance value of the resistor 40 is sufficiently higher than the resistance value of the second body portion 71 to the extent that the resistance value of the second body portion 71 can be ignored.
  • the resistance value of the resistor 40 is 10 times or more than the resistance value of the second body portion 71, and preferably 100 times or more than the resistance value of the second body portion 71.
  • the electrical resistivity of the material constituting the resistor 40 is 10 times or more than the electrical resistivity of the material constituting the second body portion 71, and preferably 100 times or more.
  • the second body portion 71 extends along the X direction in the figure.
  • the second body portion 71 has a parallel portion 711 at its end that extends substantially parallel to the resistor 40. Note that the planar shape of the second body portion 71 is not particularly limited to the above.
  • the second protective layer 72 of the wiring pattern 70 covers the parallel portion 711 of the second main body portion 71.
  • This second protective layer 72 is a layer that protects the parallel portion 711 of the second main body portion 71, and is formed by printing and hardening a high-resistance conductive paste that has a higher electrical resistance value compared to the low-resistance conductive paste described above.
  • this second protective layer 72 can be formed by printing and hardening a high-resistance conductive paste inside the opening 51 of the second resist layer 50 in the process shown in FIG. 8(B).
  • the second protective layer 72 has a length approximately equal to the length of the resistor 40 along the X direction in the figure, and is disposed at a predetermined distance from the resistor 40 and the comb tooth pattern 45. In other words, the second protective layer 72 of the wiring pattern 70 is disposed substantially parallel to the resistor 40 and is also disposed substantially parallel to the arrangement direction of the comb tooth pattern 45. Note that the wiring pattern 70 does not necessarily have to include the second protective layer 72.
  • the connector 80 of this embodiment is not connected to the wiring pattern 70 as in the first embodiment.
  • the connector 80 has a rectangular planar shape that is wider than the connector 80 of the first embodiment.
  • the connector 80 is provided on the lower surface 62 of the substrate 61 such that one edge 80a of the connector 80 (the edge on the -Y side along the X direction in the figure) overlaps with the comb tooth pattern 45, and the other edge 80b of the connector 80 (the edge on the +Y side along the X direction in the figure) overlaps with the wiring pattern 70.
  • a power supply voltage (e.g., 5 [V]) is applied to one of the wiring patterns 31 connected to the resistor 40, while the other wiring pattern 35 connected to the resistor 40 is grounded.
  • the wiring pattern 70 is constantly electrically connected to the resistor 40 via the connector 80 by pressing the slider 100, and the wiring pattern 70 is electrically connected to the resistor 40 at any position in the X direction in the figure. Therefore, the wiring pattern 70 detects a voltage (detection voltage) according to the pressing position of the slider 100. That is, in this embodiment, the resistance value between the wiring patterns 31, 70 changes according to the pressing position of the slider 100.
  • a multimeter (not shown) or the like is connected to the wiring patterns 31, 70 of this variable resistor 1B, and the potential difference between the power supply voltage and the detection voltage of the wiring pattern 70 is output.
  • the connection position of the connector 80 in the resistor 40 is also located at the left end, so the wiring pattern 70 detects a voltage with approximately the same potential as the power supply voltage, and a multimeter or the like outputs the potential difference between the power supply voltage and the detected voltage of the wiring pattern 70 (for example, 0 [V]).
  • the connection position of the connector 80 in the resistor 40 is also approximately in the center, so the wiring pattern 70 detects a voltage that is approximately half the potential of the power supply voltage, and a multimeter or the like outputs the potential difference between the power supply voltage and the detected voltage of the wiring pattern 70 (e.g., 2.5 V).
  • the connection position of the connector 80 in the resistor 40 is also located at the right end, so the wiring pattern 70 detects a voltage that is approximately the same potential as the ground, and a multimeter or the like outputs the potential difference (e.g., 5 V) between the power supply voltage and the detected voltage of the wiring pattern 70.
  • the first intervening portion 23 fills the space between the comb tooth patterns 45, so that deterioration of the comb tooth patterns 45 can be suppressed in the same way as in the first embodiment, and deterioration of the detection accuracy of the variable resistor 1B can also be suppressed.
  • Fig. 14 is a plan view showing a variable resistor 1C in the third embodiment
  • Fig. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in Fig. 14.
  • Fig. 16 is a plan view showing a lower membrane substrate 10C of the variable resistor 1C in the third embodiment.
  • variable resistor 1C of this embodiment differs from the variable resistor 1B of the second embodiment in that (1) the lower membrane substrate 10C has comb tooth patterns 75a to 75i, and (2) the connector 80 does not overlap with the wiring pattern 70, but the rest of the configuration is the same as in the second embodiment.
  • the variable resistor 1C in the third embodiment and the second embodiment will be described, and the same reference numerals will be used to denote the same configuration as in the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • the multiple comb tooth patterns 75a to 75i may be collectively referred to as comb tooth pattern 75.
  • the comb tooth pattern 75 is formed by printing and hardening a low-resistance conductive paste. As shown in FIG. 14, the comb tooth pattern 75 in this embodiment is provided between the resistor 40 and the wiring pattern 70.
  • the comb tooth pattern 75 in this embodiment corresponds to an example of the "second comb tooth pattern" in the present invention.
  • the slider 100 slides while pressing against the upper membrane substrate 60B, which sequentially changes the combination of the comb tooth patterns 45, 75 connected by the connector 80, thereby varying the resistance length (resistance value) of the resistor 40.
  • comb tooth patterns 75e and 45f are connected via connector 80.
  • the combination of comb tooth patterns connected via connector 80 changes as follows: comb tooth patterns 75e, 45f ⁇ comb tooth patterns 45f, 75f ⁇ comb tooth patterns 75f, 45g ⁇ comb tooth patterns 45g, 75g ⁇ comb tooth patterns 75g, 45h ⁇ ... ⁇ comb tooth patterns 45i, 75i ⁇ comb tooth patterns 75i, 45j.
  • the combination of the comb tooth patterns connected via the connector 80 changes as the slider 100 slides from comb tooth patterns 45f, 75e ⁇ comb tooth patterns 75e, 45e ⁇ comb tooth patterns 45e, 75d ⁇ comb tooth patterns 75d, 45d ⁇ comb tooth patterns 45d, 75c ⁇ ... ⁇ comb tooth patterns 45b, 75a, ⁇ comb tooth patterns 75a, 45a.
  • the resistance between the wiring patterns 31, 70 gradually decreases as the slider 100 slides.
  • the comb tooth pattern 45 is formed on the lower membrane substrate 10A, but it may also be formed on the upper membrane substrate 60A that is pressed by the slider 100.
  • variable resistors 1A to 1C are operated by the slider 100 that the variable resistors 1A to 1C themselves have, but this is not particularly limited.
  • the operator may operate the variable resistor with his or her finger.
  • a power source may be connected to wiring patterns 31 and 70 without providing wiring pattern 35.
  • the resistance value between wiring patterns 31 and 70 changes depending on the pressing position of slider 100.

Abstract

可変抵抗器１Ａは、基材１１と、基材１１に支持されていると共に、相互に間隔を空けて延在している複数の櫛歯パターン４５ａ～４５ｊと、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊ同士の間の空間を埋めるように、基材１１上に配置された第１のレジスト層２０と、を備えており、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊは、基材１１とは反対側の上面４６を有し、上面４６は、第１のレジスト層２０から露出している。

Description

可変抵抗器、及び、可変抵抗器の製造方法
　本発明は、可変抵抗器、及び、可変抵抗器の製造方法に関するものである。
　文献の参照による組み込みが認められる指定国については、２０２２年１２月２８日に日本国に出願された特願２０２２－２１１８２２に記載された内容を参照により本明細書に組み込み、本明細書の記載の一部とする。
　特許文献１に開示されている可変抵抗器は、下側メンブレン基板の上面に配置された抵抗体と、抵抗体に接続されていると共に相互に間隔を空けて並べられている複数の櫛歯パターンと、上側メンブレン基板の下面に配置された接続体と、を備えており、摺動子の押圧により上側メンブレン基板及び接続体が下方に撓むことで、接続体が櫛歯パターンに接触する（例えば、特許文献１（段落［００９０］、第８図～第１２図）参照）。そして、摺動子が上側メンブレン基板を押圧しながら摺動することで、接続体に電気的に接続される櫛歯パターンが順次変化し、抵抗体の抵抗長（抵抗値）が変化する（例えば、特許文献１（段落［００９２］、第９図）参照）。
国際公開第２０２１／２０５８９９号
　上記従来技術では、櫛歯パターン同士の間に空間が存在するので、摺動子が上側メンブレン基板を押圧しながら摺動すると、当該空間に入り込んだ接続体が櫛歯パターンの側方から当該櫛歯パターンに接触する。このため、上記の摺動を繰り返すと、櫛歯パターンに横方向から接続体が繰り返し接触することにより櫛歯パターンが削れてしまったり、横方向からの力によって櫛歯パターンが倒れて下側メンブレン基板から剥離してしまったりすることがある。このような場合、摺動を繰り返すことで櫛歯パターンが劣化してしまうという問題がある。
　本発明が解決しようとする課題は、櫛歯パターンの劣化の抑制を図ることができる可変抵抗器、及び、可変抵抗器の製造方法を提供することである。
　［１］本発明の態様１は、第１の基材と、前記第１の基材に支持されていると共に、相互に間隔を空けて延在している複数の櫛歯パターンと、前記櫛歯パターン同士の間の空間を埋めるように、前記第１の基材上に配置された絶縁体と、を備えており、前記櫛歯パターンは、前記第１の基材とは反対側の先端面を有し、前記先端面は、前記絶縁体から露出している可変抵抗器である。
　［２］本発明の態様２は、態様１の可変抵抗器において、前記絶縁体は、前記第１の基材とは反対側の第１の主面を有し、前記第１の基材からの前記先端面の高さは、前記第１の基材からの前記第１の主面の高さと実質的に同一となる可変抵抗器であってもよい。
　［３］本発明の態様３は、態様１又は態様２の可変抵抗器において、前記絶縁体は、前記第１の基材とは反対側の第１の主面を有し、前記第１の主面は、前記第１の基材に対して実質的に平行に延在している可変抵抗器であってもよい。
　［４］本発明の態様４は、態様１から態様３のいずれか一つの可変抵抗器において、前記絶縁体は、前記櫛歯パターン同士の間に位置する第１の介在部と、前記第１の基材と前記櫛歯パターンとの間に位置する第２の介在部と、を含む可変抵抗器であってもよい。
　［５］本発明の態様５は、態様１から態様４のいずれか一つの可変抵抗器において、前記絶縁体は、前記第１の基材とは反対側の第１の主面を有し、前記可変抵抗器は、抵抗体を含み、前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンを含み、前記第１の櫛歯パターンは、前記先端面が前記絶縁体から露出する第１の部分と、前記第１の部分と一体的に形成されていると共に、前記抵抗体に接続された第２の部分と、を含み、前記第１の主面に対して垂直な第１の方向において、前記第２の部分の厚さは、前記第１の部分の厚さより薄い可変抵抗器であってもよい。
　［６］本発明の態様６は、態様１から態様５のいずれか一つの可変抵抗器において、前記可変抵抗器は、前記第１の基材上に配置された抵抗体と、前記第１の基材上に配置されていると共に、前記抵抗体に接続された第１の配線パターンと、開口を有するスペーサと、前記スペーサを介して前記第１の基材に積層された第２の基材と、前記開口内に位置するように前記第２の基材上に配置され、前記第２の基材の外側からの摺動子の押圧によって前記抵抗体と電気的に接続される接続体と、前記第２の基材上に配置され、前記接続体に接続され、又は、前記第１の基材上に配置され、前記摺動子の押圧によって前記接続体と電気的に接続される第２の配線パターンと、を備え、平面視において、前記接続体は、前記抵抗体と非重複である非重複領域を有し、平面視において、前記摺動子が摺動可能な摺動領域は、前記非重複領域に含まれており、前記先端面は、前記櫛歯パターンにおいて前記接続体に対向する面であり、前記摺動子の位置に応じて、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の抵抗値が変化する可変抵抗器であってもよい。
　［７］本発明の態様７は、態様６の可変抵抗器において、前記第２の配線パターンは、前記第２の基材上に配置されていると共に、前記接続体に接続されており、前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンを含み、平面視において、前記第１の櫛歯パターンは、前記摺動領域と重複しており、前記接続体は、前記第２の基材の外側からの前記摺動子の押圧によって、前記第１の櫛歯パターンと接触する可変抵抗器であってもよい。
　［８］本発明の態様８は、態様６の可変抵抗器において、前記第２の配線パターンは、前記第１の基材上に配置され、前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンを含み、平面視において、前記第１の櫛歯パターン及び前記第２の配線パターンは、前記摺動領域と重複しており、前記接続体は、前記第２の基材の外側からの前記摺動子の押圧によって、前記第１の櫛歯パターン及び前記第２の配線パターンと接触する可変抵抗器であってもよい。
　［９］本発明の態様９は、態様６の可変抵抗器において、前記第２の配線パターンは、前記第１の基材上に配置され、前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンと、前記第２の配線パターンに接続された複数の第２の櫛歯パターンと、を含み、平面視において、前記第１及び第２の櫛歯パターンは、前記摺動領域と重複しており、前記第１の櫛歯パターンと前記第２の櫛歯パターンは、前記摺動領域において、前記接続体の延在方向に沿って、交互に並べられており、前記接続体は、前記第１の基材からの前記摺動子の押圧によって、前記第１及び前記第２の櫛歯パターンと接触する可変抵抗器であってもよい。
　［１０］本発明の態様１０は、態様６から態様９のいずれか一つの可変抵抗器において、前記可変抵抗器は、前記第１の基材上に配置されていると共に、前記抵抗体に接続された第３の配線パターンをさらに備え、前記複数の櫛歯パターンは、前記第１の配線パターンに接続された第３の櫛歯パターンと、前記第３の配線パターンに接続された第４の櫛歯パターンと、を含んでおり、平面視において、前記第３及び第４の櫛歯パターンは、前記摺動領域と重複している可変抵抗器であってもよい。
　［１１］本発明の態様１１は、態様１から態様１０のいずれか一つの可変抵抗器の製造方法において、離型処理面を有する支持体を準備する第１の工程と、前記支持体の前記離型処理面上に前記櫛歯パターンを形成する第２の工程と、前記櫛歯パターン同士の間を埋めるように前記離型処理面上に前記絶縁体を形成する第３の工程と、前記支持体から前記第１の基材に前記櫛歯パターンと前記絶縁体を転写する第４の工程と、を備えた可変抵抗器の製造方法である。
　本発明では、櫛歯パターン同士の間の空間を絶縁体により埋め、櫛歯パターンの第１の基材とは反対側の先端面を絶縁体から露出させることにより、櫛歯パターンの劣化の抑制を図ることができる。
図１は、本発明の第１実施形態における可変抵抗器を示す平面図である。 図２は、図１のII-II線に沿った断面図である。 図３は、図１のIII-III線に沿った断面図である。 図４は、図１のIV-IV線に沿った断面図である。 図５は、図１のV-V線に沿った断面図である。 図６は、本発明の第１実施形態における可変抵抗器の下側メンブレン基板を示す平面図である。 図７は、本発明の第１実施形態における可変抵抗器のスペーサ及び上側メンブレン基板を示す底面図である。 図８（Ａ）～図８（Ｄ）は、本発明の第１実施形態における可変抵抗器の製造方法の一例を示す断面図である。 図９（Ａ）～図９（Ｄ）は、本発明の第１実施形態における可変抵抗器の製造方法の一例を示す断面図である。 図１０は、本発明の第２実施形態における可変抵抗器を示す平面図である。 図１１は、図１０のXI-XI線に沿った断面図である。 図１２は、本発明の第２実施形態における可変抵抗器の下側メンブレン基板を示す平面図である。 図１３は、本発明の第２実施形態における可変抵抗器のスペーサ及び上側メンブレン基板を示す底面図である。 図１４は、本発明の第３実施形態における可変抵抗器を示す平面図である。 図１５は、図１４のXV-XV線に沿った断面図である。 図１６は、本発明の第３実施形態における可変抵抗器の下側メンブレン基板を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　＜＜第１実施形態＞＞
　図１は第１実施形態における可変抵抗器１Ａを示す平面図、図２は図１のII-II線に沿った断面図、図３は図１のIII-III線に沿った断面図、図４は図１のIV-IV線に沿った断面図、図５は図１のV-V線に沿った断面図である。また、図６は第１実施形態における可変抵抗器１Ａの下側メンブレン基板１０Ａを示す平面図であり、図７は第１実施形態における可変抵抗器１Ａのスペーサ９０及び上側メンブレン基板６０Ａを示す底面図である。
　本実施形態における可変抵抗器１Ａは、図１～図７に示すように、下側メンブレン基板１０Ａ（図２～図６参照）と、上側メンブレン基板６０Ａ（図２～図５、図７参照）と、スペーサ９０と、摺動子１００と、を備えている。
　下側メンブレン基板１０Ａは、抵抗体４０と、複数（本例では１０本）の櫛歯パターン４５ａ～４５ｊと、配線パターン３１，３５と、を有している。なお、本実施形態において、複数の櫛歯パターン４５ａ～４５ｊを「櫛歯パターン４５」と総称することがある。
　一方、上側メンブレン基板６０Ａは、抵抗体４０と配線パターン７０とを電気的に接続する接続体８０を有している。これらのメンブレン基板１０Ａ，６０Ａは、スペーサ９０を介して積層されており、このスペーサ９０によって、メンブレン基板１０Ａ，６０Ａの間に間隔が確保されている。摺動子１００は、摺動領域ＳＡ（図１参照）において、上側メンブレン基板６０Ａ上を押圧しながら摺動するように構成されている。この摺動子１００の押圧によって、接続体８０及び櫛歯パターン４５を介して抵抗体４０と配線パターン７０とが電気的に接続される。
　この可変抵抗器１Ａでは、摺動子１００が上側メンブレン基板６０Ａを押圧しながら摺動することで、接続体８０が接触する櫛歯パターン４５を順次変化させる。これにより、接続体８０と抵抗体４０との電気的な接続位置を変化させ、抵抗体４０の抵抗長（抵抗値）を変化させることが可能となっている。こうした可変抵抗器１Ａの用途としては、例えば、可変抵抗素子、ポジションセンサ、スイッチ、エンコーダ等を例示することができる。なお、本実施形態の可変抵抗器１Ａの用途は特に上記に限定されない。
　以下に、本実施形態の可変抵抗器１Ａの構成について詳細に説明する。
　下側メンブレン基板１０Ａは、図６に示すように、基材１１と、第１のレジスト層２０と、配線パターン３１，３５と、抵抗体４０と、櫛歯パターン４５と、第２のレジスト層５０と、を備えた配線板である。なお、本実施形態における基材１１が本発明における「第１の基材」の一例に相当し、本実施形態における第１のレジスト層２０が本発明における「絶縁体」の一例に相当し、本実施形態における櫛歯パターン４５ａ～４５ｊが「櫛歯パターン」の一例に相当し、本実施形態における櫛歯パターン４５ａが本発明における「第３の櫛歯パターン」の一例に相当し、本実施形態における櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉが「第１の櫛歯パターン」の一例に相当し、本実施形態における櫛歯パターン４５ｊが本発明における「第４の櫛歯パターン」の一例に相当する。また、本実施形態における配線パターン３１が本発明における「第１の配線パターン」の一例に相当し、本実施形態における配線パターン３５が本発明における「第３の配線パターン」の一例に相当する。
　基材１１は、可撓性と電気絶縁性を有する材料から構成されたフィルム状の部材である。この基材１１を構成する材料としては、例えば、樹脂材料等を例示することができ、より具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を例示することができる。より具体的には、ＰＥＴフィルムの一方の主面に粘着層を有する粘着テープなどを基材１１として使用することができる。或いは、粘着層の代わりにホットメルト等を用いてもよい。なお、この基材１１が可撓性を有していなくてもよい。
　第１のレジスト層２０は、基材１１の上面１２に設けられている。この第１のレジスト層２０は、電気絶縁性を有するレジスト材料を固化（硬化）させることにより形成されている。このレジスト材料の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料を例示することができる。
　図２及び図６に示すように、この第１のレジスト層２０は、薄肉部２１と、突出部２２と、を有している。図６に示すように、この薄肉部２１は、突出部２２を囲繞しており、突出部２２に対して相対的に薄くなっている。
　薄肉部２１は、平面視（可変抵抗器１Ａを上方又は下方（可変抵抗器１Ａの主面に対する法線方向（図中のＺ方向））から見た場合の平面視）において、第２のレジスト層５０と重複しており、第２のレジスト層５０から露出していない。また、図３に示すように、薄肉部２１は、第２のレジスト層５０に直接的に覆われておらず、配線パターン３１，３５、抵抗体４０、及び、櫛歯パターン４５を介して第２のレジスト層５０に間接的に覆われている部分を有している。
　一方で、図２及び図６に示すように、本実施形態における突出部２２は、薄肉部２１に囲まれている。この突出部２２は、平面視において第２のレジスト層５０と重複しておらず、第２のレジスト層５０から露出している。図２に示すように、突出部２２の厚さは、薄肉部２１の厚さに対して相対的に厚くなっており、突出部２２の上面２２ａは、薄肉部２１の上面２１ａに対して、上方（図中の＋Ｚ方向）に向かって突出している。これにより、突出部２２は、第２のレジスト層５０の開口５１を埋めている。なお、本実施形態における突出部２２の上面２２ａは、本発明における「第１の主面」の一例に相当する。
　突出部２２の上面２２ａは、基材１１の上面１２に対して実質的に平行となっている。また、基材１１からの上面２２ａの高さＨ１は、基材１１からの第２のレジスト層５０の上面５０ａの高さＨ２と実質的に同一であり（Ｈ１＝Ｈ２）、上面２２ａ，５０ａは実質的に面一となっている。
　また、図２、図３、及び、図６に示すように、この第１のレジスト層２０の薄肉部２１から突出部２２に亘って櫛歯パターン４５が埋設されている。第１のレジスト層２０は、櫛歯パターン４５の周囲に、複数（本例では９個）の第１の介在部２３と、複数の（本例では１０個）の第２の介在部２４と、複数（本例では２個）の第３の介在部２５と、をさらに有している。図２に示すように、本実施形態における第１のレジスト層２０では、第３の介在部２５，２５の間に、複数の第１の介在部２３と複数の第２の介在部２４とがＸ方向に沿って交互に並べられている。なお、第１及び第２の介在部２３，２４の個数は、特に限定されず、櫛歯パターン４５の個数に応じて変化する。
　図６に示すように、第１の介在部２３は、櫛歯パターン４５同士の間の空間を埋めるように、櫛歯パターン４５同士の間に位置している。第１の介在部２３は、第１のレジスト層２０の薄肉部２１から突出部２２に亘って櫛歯パターン４５の延在方向（図中のＹ方向）に沿って延在している。
　図５に示すように、第１の介在部２３は、第１の露出部２３ａと、第１の非露出部２３ｂと、第２の非露出部２３ｃと、を含んでいる。第１の露出部２３ａと、第１及び第２の非露出部２３ｂ，２３ｃは、相互に一体的に形成されている。
　第１の露出部２３ａは、突出部２２の一部を構成しており、第２のレジスト層５０から露出している。この第１の露出部２３ａにおける突出部２２の上面２２ａは、第２のレジスト層５０の上面５０ａと実質的に面一となっている。また、第１の露出部２３ａにおける突出部２２の上面２２ａの表面粗さＲａは、例えば、０．０１μｍ～０．１μｍとすることができる。
　第１及び第２の非露出部２３ｂ，２３ｃは、薄肉部２１の一部を構成している。第１の露出部２３ａと抵抗体４０との間に第１の非露出部２３ｂが位置している。第１の非露出部２３ｂにおける薄肉部２１の上面２１ａは、第２のレジスト層５０に覆われている。このため、第１の非露出部２３ｂは、第２のレジスト層５０と基材１１との間に介在している。
　この第１の非露出部２３ｂに第２の非露出部２３ｃが接続している。第２の非露出部２３ｃにおける薄肉部２１の上面２１ａは、抵抗体４０に覆われている。このため、第２の非露出部２３ｃは、抵抗体４０と基材１１との間に介在している。
　また、本実施形態では、第１の露出部２３ａの厚さＴ１は第１の非露出部２３ｂの厚さＴ２よりも厚くなっていると共に、第１の非露出部２３ｂの厚さＴ２は第２の非露出部２３ｃの厚さＴ３よりも厚くなっている（Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３）。よって、本実施形態における第１の介在部２３において、第１の露出部２３ａと第１の非露出部２３ｂとの間に段差が形成されていると共に、第１の非露出部２３ｂと第２の非露出部２３ｃとの間にも段差が形成されている。このため、第１の介在部２３の厚さは、櫛歯パターン４５の抵抗体４０側の端部に近づくに従って（図中の－Ｙ方向に向かうに従って）段階的に薄くなっている。なお、本実施形態における厚さとは、基材１１の上面１２に対して垂直な方向（図中のＺ方向）における厚さであり、本実施形態におけるＺ方向は本発明における「第１の方向」の一例に相当する。
　図２及び図３に示すように、第２の介在部２４は櫛歯パターン４５の下面４７と基材１１の上面１２との間に位置している。本実施形態における第２の介在部２４は、２個の第１の介在部２３，２３の間に位置しており、櫛歯パターン４５と同一の幅を有する直方体形状を有している。
　このように、櫛歯パターン４５と基材１１との間に第２の介在部２４が位置していることによって、基材１１に対する櫛歯パターン４５の接着力を向上することができるので、櫛歯パターン４５の劣化の抑制を図ることができる。また、第２の介在部２４によって、基材１１側からの水蒸気等の侵入を抑制することもできるので、櫛歯パターン４５の劣化の抑制を図ることができる。
　図２に示すように、第３の介在部２５は第２のレジスト層５０と櫛歯パターン４５ａ，４５ｊとの間に位置している。第３の介在部２５も突出部２２の一部を構成しており、第２のレジスト層５０から露出している。この第３の介在部２５の上面は、突出部２２の上面２２ａに含まれており、第２のレジスト層５０の上面５０ａと実質的に面一となっている。また、第３の介在部２５における突出部２２の上面２２ａの表面粗さＲａは、例えば、０．０１μｍ～０．１μｍとすることができる。
　図３に示すように、配線パターン３１，３５は、第１のレジスト層２０の薄肉部２１上に設けられている。配線パターン３１，３５は、導電性ペーストを固化（硬化）させることにより形成されている。導電性ペーストは、導電性粒子とバインダ樹脂を、水若しくは溶剤、及び各種添加剤に混合して構成されている。この配線パターン３１，３５を構成する導電性ペーストは、比較的小さな電気的抵抗値を有する低抵抗の導電性ペーストである。なお、配線パターン３１，３５の形成方法は、特に上記に限定されない。
　導電性粒子の具体例としては、銀、銅、ニッケル、スズ、ビスマス、亜鉛、インジウム、パラジウム、及び、これらの合金等を例示することができる。また、バインダ樹脂の具体例としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ビニル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等を例示することができる。さらに、導電性ペーストに含まれる溶剤としては、α－テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、１－デカノール、ブチルセルソルブ、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラデカン等を例示することができる。
　特に限定されないが、本実施形態では、低抵抗の導電性ペーストとして、銀を導電性粒子の主成分とする銀ペースト、或いは、銅を導電性粒子の主成分とする銅ペーストを用いる。なお、導電性ペーストに含有された導電性粒子として、金属塩を用いてもよい。金属塩としては、上述の金属の塩を挙げることができる。また、上記の導電性ペーストからバインダ樹脂を省略してもよい。また、上記の導電性ペーストに代えて、導電性インクを用いてもよい。
　図６に示すように、本実施形態における配線パターン３１，３５は、抵抗体４０の両端に接続されている。本実施形態における配線パターン３１，３５は、抵抗体４０と略平行な図中のＸ方向に延在しているがこれに限定されず、Ｙ方向などのＸ方向以外の方向に延在していてもよい。
　図３及び図６に示すように、抵抗体４０は、配線パターン３１，３５の間に設けられており、図中Ｘ方向に沿って延在している。この抵抗体４０も、上述の配線パターン３１，３５と同様に、導電性ペーストを硬化させることにより形成されている。
　この抵抗体４０を構成する導電性ペーストは、上述の低抵抗の導電性ペーストと比較して高い電気的抵抗値を有する高抵抗の導電性ペーストである。この抵抗体４０を構成する導電性ペーストは、上述の配線パターン３１，３５を構成する導電性ペーストの導電性粒子の電気的抵抗率よりも高い電気的抵抗率を有する導電性粒子を含有している。すなわち、抵抗体４０は、配線パターン３１，３５を構成する材料の電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する材料で構成されており、抵抗体４０の抵抗値は、配線パターン３１，３５の抵抗値を無視できる程度に、配線パターン３１，３５の抵抗値よりも十分に高くなっている。具体的には、抵抗体４０の抵抗値は、配線パターン３１，３５の抵抗値の１０倍以上であり、好ましくは、配線パターン３１，３５の抵抗値の１００倍以上である。また、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率は、配線パターン３１，３５を構成する材料の電気抵抗率の１０倍以上であり、好ましくは１００倍以上である。
　こうした高抵抗の導電性ペーストの具体例としては、カーボンペーストを例示することができる。抵抗体４０を構成する導電性ペーストが含有する導電性粒子の具体例としては、グラファイト、カーボンブラック(ファーネスブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック)、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバ等のカーボン系材料を例示することができる。
　上述のように、この抵抗体４０は、一方の配線パターン３１の端部を覆っていると共に、他方の配線パターン３５の端部を覆っている。この抵抗体４０によって、配線パターン３１，３５同士が接続されている。特に図示しないが、一方の配線パターン３１は電源に接続されているのに対し、他方の配線パターン３５はグランドに接続されている。
　櫛歯パターン４５ａ～４５ｊは、配線パターン３１，３５と同様に、低抵抗の導電性ペーストを硬化させることで形成されている。すなわち、それぞれの櫛歯パターン４５ａ～４５ｊは、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する材料で構成されており、抵抗体４０の抵抗値は、それぞれの櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの抵抗値を無視できる程度に、当該櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの抵抗値よりも十分に高くなっている。具体的には、抵抗体４０の抵抗値は、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの抵抗値の１０倍以上であり、好ましくは、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの抵抗値の１００倍以上である。また、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率が、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊを構成する材料の電気抵抗率の１０倍以上であり、好ましくは１００倍以上である。
　図６に示すように、図中左端の櫛歯パターン４５ａは、配線パターン３１から分岐しており、図中Ｙ方向に沿って突出している。すなわち、この櫛歯パターン４５ａは、配線パターン３１に接続されていると共に、摺動領域ＳＡ（図１参照）の下方まで延在している。同様に、図中右端の櫛歯パターン４５ｊは、配線パターン３５から分岐しており、図中Ｙ方向に沿って突出している。すなわち、この櫛歯パターン４５ｊは、配線パターン３５に接続されていると共に、摺動領域ＳＡ（図１参照）の下方まで延在している。
　これに対し、図３に示すように、両端の櫛歯パターン４５ａ，４５ｊの間に位置している８本の櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉは、当該櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉの端部が抵抗体４０に埋設されることで、当該抵抗体４０と電気的に接続されている。そして、図６に示すように、これらの櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉは、抵抗体４０から＋Ｙ方向に向かって突出している。すなわち、この櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉは、抵抗体４０に接続されていると共に、摺動領域ＳＡ（図１参照）の下方まで延在している。なお、両端の櫛歯パターン４５ａ，４５ｊが、配線パターン３１，３５から分岐するのではなく、櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉと同様に、抵抗体４０に埋設されていてもよい。
　いずれの櫛歯パターン４５ａ～４５ｊも、図中Ｙ方向に沿って延在しており、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの平面形状は線状となっている。この複数の櫛歯パターン４５ａ～４５ｊは、実質的に平行に並べられている。また、この複数の櫛歯パターン４５ａ～４５ｊは、実質的に等間隔に配置されている。なお、櫛歯パターン４５の本数は特に上記に限定されない。因みに、後述するように、櫛歯パターン４５の本数が多い程、可変抵抗器１Ａの出力の分解能（解像度）を高めることができる。また、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの間に間隔が確保されているのであれば、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊ同士の間隔は等間隔に限定されない。
　図４に示すように、櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉは、第２の露出部４８ａと、第３の非露出部４８ｂと、第４の非露出部４８ｃと、を含んでいる。第２の露出部４８ａと、第３及び第４の非露出部４８ｂ，４８ｃは、相互に一体的に形成されている。本実施形態における第２の露出部４８ａが本発明における「第１の部分」の一例に相当し、本実施形態における第４の非露出部４８ｃが本発明における「第２の部分」の一例に相当する。
　第２の露出部４８ａは、第１の介在部２３同士の間に位置している。この第２の露出部４８ａにおいて、櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉの上面４６は第１のレジスト層２０の第１の介在部２３から露出している。また、この上面４６は、第２のレジスト層５０にも覆われていない。なお、本実施形態における上面４６が本発明における「先端面」の一例に相当する。
　また、本実施形態において、基材１１からの上面４６の高さＨ３は、上記の上面２２ａ，５０ａの高さＨ１，Ｈ２と実質的に同一となっている（Ｈ１＝Ｈ２＝Ｈ３）。即ち、上面４６，２２ａ，５０ａは、実質的に面一となっている。また、第２の露出部４８ａにおける櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉの上面４６の表面粗さＲａは、例えば、０．０１μｍ～０．１μｍとすることができる。
　また、本実施形態において、上面４６は、基材１１の上面１２に対して実質的に平行となっている。従って、上面４６は、上面２２ａ及び上面５０ａに対しても実質的に平行となっている。
　第２の露出部４８ａと抵抗体４０との間に第３の非露出部４８ｂが位置している。第３の非露出部４８ｂにおける上面４６は、第２のレジスト層５０に覆われている。このため、第３の非露出部４８ｂは、第２のレジスト層５０と第１のレジスト層２０の第２の介在部２４との間に介在している。
　第３の非露出部４８ｂと抵抗体４０との間に第４の非露出部４８ｃが位置している。第４の非露出部４８ｃにおける上面４６は、抵抗体４０に覆われている。このため、第４の非露出部４８ｃは、抵抗体４０と第１のレジスト層２０の第２の介在部２４との間に介在している。
　また、本実施形態では、第２の露出部４８ａの厚さＴ４は第３の非露出部４８ｂの厚さＴ５よりも厚くなっていると共に、第３の非露出部４８ｂの厚さＴ５は第４の非露出部４８ｃの厚さＴ６よりも厚くなっている（Ｔ４＞Ｔ５＞Ｔ６）。よって、本実施形態における櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉにおいて、第２の露出部４８ａと第３の非露出部４８ｂとの間に段差が形成されていると共に、第３の非露出部４８ｂと第４の非露出部４８ｃとの間にも段差が形成されている。このため、櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉの厚さは、図中の－Ｙ方向に向かうに従って段階的に薄くなっている。
　一方で、櫛歯パターン４５の左右端に位置する櫛歯パターン４５ａ，４５ｊの断面形状は、櫛歯パターン４５ｂ～４５ｉの断面形状と若干異なっている。特に図示しないが、櫛歯パターン４５ａ，４５ｊと第２のレジスト層５０との間に抵抗体４０が介在していないので、櫛歯パターン４５ａ，４５ｊでは第４の非露出部４８ｃは存在せず、第２の露出部４８ａから配線パターン３１，３５まで第３の非露出部４８ｂが延在している。
　第２のレジスト層５０は、第１のレジスト層２０と同様に、レジスト材料を固化（硬化）することにより形成されている。このレジスト材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料を例示することができる。
　この第２のレジスト層５０は、図２～図４に示すように、第１のレジスト層２０の薄肉部２１、配線パターン３１，３５、抵抗体４０、及び、櫛歯パターン４５の第３の非露出部４８ｂを覆っている。第２のレジスト層５０は、開口５１を有しており、第１のレジスト層２０の突出部２２の周囲を囲んでいる。
　図７に示すように、上側メンブレン基板６０Ａは、基材６１と、配線パターン７０と、接続体８０と、を備えた配線板である。本実施形態における基材６１が本発明における「第２の基材」の一例に相当し、本実施形態における配線パターン７０が本発明における「第２の配線パターン」の一例に相当する。
　基材６１は、上述の基材１１と同様に、可撓性と電気絶縁性を有する材料から構成されたフィルム状の部材である。この基材１１を構成する材料としては、例えば、樹脂材料等を例示することができ、より具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を例示することができる。なお、基材６１を構成する材料は、上記に特に限定されない。基材６１を、金属材料等の導電性を有する材料からなる板材で構成してもよい。この場合には、当該基材６１が接続体８０の機能を兼ねてもよい。また、基材６１が配線パターン７０の機能を兼ねてもよい。なお、基材６１を、導電性を有する板材から構成する場合であっても、基材６１とは別に、当該基材６１上に接続体８０と配線パターン７０を形成してもよい。
　配線パターン７０は、低抵抗の導電性ペーストを基材６１の下面６２に印刷して硬化させることで形成されている。すなわち、配線パターン７０は、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する材料で構成されており、抵抗体４０の抵抗値は、この配線パターン７０の抵抗値を無視できる程度に、当該配線パターン７０の抵抗値よりも十分に高くなっている。具体的には、抵抗体４０の抵抗値は、配線パターン７０の抵抗値の１０倍以上であり、好ましくは、配線パターン７０の抵抗値の１００倍以上である。また、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率が、配線パターン７０を構成する材料の電気抵抗率の１０倍以上であり、好ましくは１００倍以上である。なお、配線パターン７０の形成方法は、特に上記に限定されない。
　配線パターン７０に接続体８０が直接接続されている。接続体８０は、第１の本体部８１と、第１の保護層８２と、を備えている。なお、接続体８０が第１の保護層８２を備えていなくてもよい。
　第１の本体部８１は、基材６１の下面６２に設けられている。この第１の本体部８１は、上述の配線パターン３１，３５と同様に、低抵抗の導電性ペーストを印刷して硬化させることで形成されている。すなわち、第１の本体部８１は、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する材料で構成されており、抵抗体４０の抵抗値は、この第１の本体部８１の抵抗値を無視できる程度に、当該第１の本体部８１の抵抗値よりも十分に高くなっている。具体的には、抵抗体４０の抵抗値は、第１の本体部８１の抵抗値の１０倍以上であり、好ましくは、第１の本体部８１の抵抗値の１００倍以上である。また、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率が、第１の本体部８１を構成する材料の電気抵抗率の１０倍以上であり、好ましくは１００倍以上である。
　一方、第１の保護層８２は、第１の本体部８１を保護する層であり、高抵抗の導電性ペーストを印刷して硬化させることで形成されている。この第１の保護層８２は、第１の本体部８１の全体を覆うように、基材６１の下面６２上に設けられている。
　この接続体８０は、図１に示すように、平面視において、下側メンブレン基板１０Ａの櫛歯パターン４５と部分的に重複するように、基材６１の下面６２に設けられている。
　スペーサ９０は、上述の基材１１，６１と同様に、可撓性と電気絶縁性を有する材料から構成されたフィルム状の部材である。このスペーサ９０を構成する材料としては、例えば、樹脂材料等を例示することができ、より具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を例示することができる。
　図１～図５及び図７に示すように、このスペーサ９０は、矩形状の平面形状を持つ開口９１を有している。この開口９１は、接続体８０よりも大きく且つ当該接続体８０を包含可能な大きさを有している。本実施形態では、開口９１は、接続体８０のみならず、櫛歯パターン４５も包含可能な大きさを有している。この開口９１は、スペーサ９０を介してメンブレン基板１０Ａ，６０Ａを積層した際に、接続体８０及び櫛歯パターン４５を包含するように、スペーサ９０に形成されている。なお、接続体８０の少なくとも一部がスペーサ９０の開口９１内に位置していればよく、接続体８０の一部が開口９１の外まで広がり、スペーサ９０と基材６１との間に介在していてもよい。
　上述のように、メンブレン基板１０Ａ，６０Ａはスペーサ９０を介して積層されている。この際、図２～図５に示すように、メンブレン基板１０Ａ，６０Ａは、上側メンブレン基板６０Ａの基材６１の下面６２が下側メンブレン基板１０Ａの基材１１の上面１２と対向するように積層されている。また、下側メンブレン基板１０Ａの基材１１とスペーサ９０は接着層（不図示）を介して相互に張り付けられていると共に、スペーサ９０と上側メンブレン基板６０Ａの基材６１も接着層（不図示）を介して相互に張り付けられている。
　そして、図１に示すように、平面視において、接続体８０及び櫛歯パターン４５が開口９１内に包含されている。また、図４に示すように、断面視において、接続体８０と櫛歯パターン４５とが対向している。本実施形態では、図１に示すように、平面視において、接続体８０は、抵抗体４０と重複していない非重複領域ＮＡを有している。
　図２、図４、及び、図５に示すように、スペーサ９０によって、接続体８０と櫛歯パターン４５との間に間隔が確保されている。後述するように、摺動子１００の押圧によって上側メンブレン基板６０Ａの基材１１が変形し、この変形によって、接続体８０と櫛歯パターン４５とが接触して電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、スペーサ９０の厚さが、非押圧時に接続体８０が櫛歯パターン４５と接触しないように設定されているが、特にこれに限定されない。接続体８０が櫛歯パターン４５と常時接触するように、スペーサ９０の厚さを設定してもよい。
　なお、本発明における接続体と抵抗体とを「電気的に接続」とは、当該接続体と櫛歯パターンとの間の抵抗値が所定の閾値以下の状態であり、上記のような非押圧時に接続体と櫛歯パターンとが単に接触しているだけの状態は含まない。
　摺動子１００は、半筒形状の押圧部１１０を先端に有する部材であり、例えば金属材料から構成されている。なお、摺動子１００の構成は、上側メンブレン基板６０Ａの基材６１の上面６３を押圧しながら摺動可能な構成であれば、特に上記に限定されない。また、本実施形態では、摺動子１００の押圧対象は、上側メンブレン基板６０Ａの基材６１の上面６３であるので、樹脂材料等の電気絶縁性を有する材料で摺動子１００を構成してもよい。また、後述するように、摺動子１００に代えて、操作者の指を用いてもよい。
　この摺動子１００は、可変抵抗器１Ａが収容された筐体（不図示）等に移動可能に保持されている。そして、この摺動子１００は、押圧部１１０を所定の押圧力で上側メンブレン基板６０Ａの基材６１の上面６３に押し当てた状態で、当該押圧力を一定に維持しながら図中Ｘ方向（接続体８０の延在方向（長手方向））に沿って往復移動することが可能となっている。本実施形態では、図１に示すように、この摺動子１００が摺動することが可能な摺動領域ＳＡは、平面視において、上述の接続体８０の非重複領域ＮＡに含まれており、抵抗体４０と重複していない。そして、接続体８０の全域が非重複領域ＮＡとなっている。摺動子１００は、この摺動領域ＳＡの中で図中Ｘ方向に沿って往復移動することが可能となっている。本実施形態における摺動領域ＳＡが、本発明における「摺動領域」の一例に相当する。
　図２に示すように、摺動子１００の押圧により、上側メンブレン基板６０Ａの基材６１が下方に撓み、櫛歯パターン４５に接続体８０が接触している。これにより、接続体８０を介して抵抗体４０と配線パターン７０を電気的に接続されている。具体的には、図２に示す状態では、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの中の櫛歯パターン４５ｆと、接続体８０とが、電気的に接続されている。
　なお、摺動子１００の押圧によって接続体８０に同時に接続される櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの数は複数であってもよい。
　そして、本実施形態では、摺動子１００が上側メンブレン基板６０Ａを押圧しながら摺動することで、接続体８０によって接続される櫛歯パターン４５が順次変化して、抵抗体４０の抵抗長（抵抗値）が可変する。
　例えば、図２に示す状態では、上述のように、櫛歯パターン４５ｆが接続体８０を介して接続されている。この状態から摺動子１００が図中＋Ｘ方向に摺動するに従って、接続体８０を介して接続される櫛歯パターン４５が、櫛歯パターン４５ｆ→櫛歯パターン４５ｇ→櫛歯パターン４５ｈ→櫛歯パターン４５ｉ→櫛歯パターン４５ｊと変化する。
　これに伴って、接続体８０に接続された配線パターン７０は、接続体８０を介して接続されている櫛歯パターン４５に応じた電圧（検出電圧）を検出する。すなわち、摺動子１００の押圧位置に応じて、配線パターン３１，７０間の抵抗値が変化する。摺動子１００が図中＋Ｘ方向に摺動する場合には、配線パターン３１，７０間の抵抗値は、摺動子１００の摺動に伴って徐々に上昇する。この可変抵抗器１Ａの配線パターン３１，７０にはマルチメーター等が接続されており、当該マルチメーター等は、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差を出力する。
　一方、図２に示す状態において、摺動子１００が図中－Ｘ方向に摺動する場合には、当該摺動子１００の摺動に従って、接続体８０を介して接続される櫛歯パターンの組み合わせが、櫛歯パターン４５ｆ→櫛歯パターン４５ｅ→櫛歯パターン４５ｄ→櫛歯パターン４５ｃ→櫛歯パターン４５ｂ→櫛歯パターン４５ａと変化する。この場合には、配線パターン３１，７０間の抵抗値は、摺動子１００の摺動に伴って徐々に低下する。
　例えば、図２中の左端の櫛歯パターン４５ａが接続体８０を介して配線パターン７０に電気的に接続されている場合には、配線パターン７０では電源電圧とほぼ同電位の電圧が検出され、マルチメーター等は、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差（例えば、０［Ｖ］）を出力する。
　これに対し、略中間の櫛歯パターン４５ｆが接続体８０を介して配線パターン７０に電気的に接続されている場合には、配線パターン７０は電源電圧の略半分の電位の電圧を検出し、マルチメーター等は、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差（例えば、２．５［Ｖ］）を出力する。
　また、図２中の右端の櫛歯パターン４５ｊが接続体８０を介して配線パターン７０に電気的に接続されている場合には、配線パターン７０はグランドとほぼ同電位の電圧を検出し、マルチメーター等は、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差（例えば、５［Ｖ］）を出力する。
　このように、本実施形態では、配線パターン３１，７０間の抵抗値が、接続体８０を介して接続される櫛歯パターン４５に応じて変化するため、可変抵抗器１Ａの出力は階段状となる。このため、櫛歯パターン４５の本数を多くして当該櫛歯パターン４５のピッチを狭くする程、可変抵抗器１Ａの出力の分解能（解像度）を高めることができる。
　以上のように、本実施形態では、第１のレジスト層２０の第１の介在部２３が櫛歯パターン４５ａ～４５ｊ同士の間の空間を埋めているため、接続体８０の櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの側面への接触を低減することができる。よって、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊが削れてしまったり、横方向からの力によって櫛歯パターン４５ａ～４５ｊが倒れて下側メンブレン基板から剥離してしまったりすることを抑制でき、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの劣化の抑制を図ることができる。
　また、櫛歯パターン４５の中で左右端に位置している櫛歯パターン４５ａ，４５ｊを、第１の介在部２３に加えて第３の介在部２５によっても保護することが可能であるので、櫛歯パターン４５ａ，４５ｊの劣化の抑制を図ることができる。
　また、上記従来技術では、接続体が櫛歯パターンの上面と接触している時の上側メンブレン基板及び接続体の撓み量と、接続体が櫛歯パターン同士の間の空間に入り込んでいる時の上側メンブレン基板及び接続体の撓み量と、に差が生じてしまう。このため、摺動子が摺動方向のみならず上下方向にも動いてしまい、接続体と櫛歯パターンとの間の導通接触が不安定となることがある。このような場合、可変抵抗器の検出精度（例えば、摺動子の位置に対する可変抵抗器の出力値のリニアリティ精度）が悪化してしまうという問題も生じてしまう。
　これに対して、本実施形態では、摺動子１００が櫛歯パターン４５同士の間の空間に対応する位置に移動した際の櫛歯パターン４５同士の間の空間における接続体８０の下方向（図中の－Ｚ方向）への移動を第１の介在部２３及び第３の介在部２５によって低減することができるので、摺動子１００の下方向への移動を抑制し、可変抵抗器の検出精度の悪化の抑制を図ることができる。
　また、本実施形態では、櫛歯パターン４５の上面４６の高さＨ３と第１及び第３の介在部２３，２５における上面２２ａの高さＨ２とが実質的に同一であるため、摺動子１００は上下方向に殆ど移動することなく摺動でき、可変抵抗器の検出精度の悪化の抑制を図ることができる。
　さらに、本実施形態では、櫛歯パターン４５の上面４６と第１及び第３の介在部２３，２５における上面２２ａとが実質的に平行であるため、摺動子１００は上下方向に殆ど移動することなく摺動でき、可変抵抗器の検出精度の悪化の抑制を図ることができる。
　次に、上記第１実施形態における可変抵抗器１Ａの製造方法について、図を参照しながら説明する。図８（Ａ）～図９（Ｄ）は第１実施形態における可変抵抗器１Ａの製造方法の一例を示す断面図である。図８（Ａ）～図８（Ｄ）の上図は図１のII-II線に沿った断面に対応する断面図であり、図８（Ａ）～図８（Ｄ）の下図は図１のIII-III線に沿った断面に対応する断面図である。同様に、図９（Ａ）～図９（Ｄ）の上図は図１のII-II線に沿った断面に対応する断面図であり、図９（Ａ）～図９（Ｄ）の下図は図１のIII-III線に沿った断面に対応する断面図である。
　まず、図８（Ａ）に示すように、離型フィルム２００を準備する。本実施形態における離型フィルム２００は、フィルム２０１と、フィルム２０１の一方の主面に設けられた離型層２０２と、を備えている。フィルム２０１は、樹脂材料から構成されている。この樹脂材料としては、例えば、ＰＥＴ等を例示することができる。離型層２０２は、フィルム２０１に離型剤を塗布することで形成されている。この離型剤としては、例えば、シリコーン系の離型剤やフッ素系の離型剤等を例示することができる。本実施形態における離型フィルム２００が本発明における「支持体」の一例に相当し、本実施形態における離型層２０２が本発明における「離型処理面」の一例に相当する。
　この離型フィルム２００の離型層２０２にレジスト材料を印刷して固化（硬化）させることで、第２のレジスト層５０を形成する。この際、図８（Ａ）の上図に示すように、開口５１を形成する領域にはレジスト材料を塗布しない。これにより、開口５１を有する第２のレジスト層５０を形成できる。
　なお、レジスト材料の印刷方法としては、接触塗布法又は非接触塗布法のいずれを用いてもよい。接触塗布法の具体例としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷等を例示することができる。一方、非接触塗布法の具体例としては、インクジェット印刷、スプレー塗布法、ディスペンス塗布法、ジェットディスペンス法等を例示することができる。また、レジスト材料を硬化させるための熱源としては、特に限定されないが、電熱オーブン、赤外線オーブン、遠赤外炉（ＩＲ）、近赤外炉（ＮＩＲ）、レーザ照射装置等を例示することができ、これらを組み合わせた熱処理であってもよい。
　次に、図８（Ｂ）の下図に示すように、第２のレジスト層５０上に高抵抗の導電性ペーストを印刷して固化（硬化）させることで、抵抗体４０を形成する。高抵抗の導電性ペーストとしては、上記の導電性ペーストを用いることができる。高抵抗の導電性ペーストの印刷方法及び固化方法としては、特に限定されないが、上述の第２のレジスト層５０の印刷方法及び固化方法と同様のものを例示することができる。
　次に、図８（Ｃ）に示すように、開口５１の内部から抵抗体４０に亘って低抵抗の導電性ペーストを印刷して固化（硬化）させることで、櫛歯パターン４５を形成する。低抵抗の導電性ペーストとしては、上記の導電性ペーストを用いることができる。低抵抗の導電性ペーストの印刷方法及び固化方法としては、特に限定されないが、上述の第２のレジスト層５０の印刷方法及び固化方法と同様のものを例示することができる。
　次に、図８（Ｄ）に示すように、抵抗体４０の両端に低抵抗の導電性ペーストを印刷することにより、配線パターン３１，３５を形成する。低抵抗の導電性ペーストとしては、上記の導電性ペーストを用いることができる。低抵抗の導電性ペーストの印刷方法及び固化方法としては、特に限定されないが、上述の第２のレジスト層５０の印刷方法及び固化方法と同様のものを例示することができる。
　なお、図８（Ｃ）の櫛歯パターン４５の形成工程と図８（Ｄ）の配線パターン３１，３５の形成工程の順番は逆であってもよい。或いは、両工程を同一の工程としてもよい。
　次に、図９（Ａ）に示すように、配線パターン３１，３５、抵抗体４０、櫛歯パターン４５、及び、第２のレジスト層５０を覆うように、離型フィルム２００上にレジスト材料を印刷して固化（硬化）させることで、第１のレジスト層２０を形成する。レジスト材料としては、上述の第２のレジスト層５０を構成するレジスト材料と同様のものを例示することができる。レジスト材料の印刷方法及び固化方法としては、特に限定されないが、上述の第２のレジスト層５０の印刷方法及び固化方法と同様のものを例示することができる。
　この際に、レジスト材料が、櫛歯パターン４５同士の間の空間と、第２のレジスト層５０と櫛歯パターン４５との間の空間と、に充填された状態で固化されることで、櫛歯パターン４５同士の間の空間を埋める第１の介在部２３と、第２のレジスト層５０と櫛歯パターン４５との間の空間を埋める第３の介在部２５と、が形成される。また、レジスト材料が、櫛歯パターン４５を覆うように印刷され、固化されることにより、上述の第２の介在部２４が形成される。
　次に、図９（Ｂ）に示すように、第１のレジスト層２０に基材１１を貼り付ける。上述の通り、基材１１としては、例えば、粘着層（不図示）を有する粘着テープを使用することができ、基材１１は、当該粘着層を介して第１のレジスト層２０に貼り付けられる。
　次に、図９（Ｃ）に示すように、離型フィルム２００を剥離する。このようにして、上述の下側メンブレン基板１０Ａが完成する。つまり、本実施形態における可変抵抗器１Ａの製造方法では、第１及び第２のレジスト層２０，５０、配線パターン３１，３５、抵抗体４０、及び、櫛歯パターン４５を離型フィルム２００上に作製してから基材１１に転写することで下側メンブレン基板１０Ａを作製する。
　このようにして作製された下側メンブレン基板１０Ａであれば、離型フィルム２００に直接的に櫛歯パターン４５と第１のレジスト層２０を形成して転写するので、櫛歯パターン４５の上面４６を、この櫛歯パターン４５が埋設される第１のレジスト層２０の突出部２２から容易に露出させることができる。例えば、基材上に櫛歯パターンを形成してから、第１のレジスト層を形成しようとすると、レジスト材料が櫛歯パターンの上面に付着してしまう可能性が高いので、櫛歯パターンの上面を露出させることは難しい。
　また、櫛歯パターン４５の上面４６と、この櫛歯パターン４５が埋設される第１のレジスト層２０の突出部２２の上面２２ａと、第２のレジスト層５０の上面５０ａと、は、離型フィルム２００の同一の主面上に形成されるため、上面４６，２２ａ，５０ａを容易に面一に形成することができる。
　また、上面４６，２２ａ，５０ａに、平滑性の高い離型フィルム２００の表面形状を転写することができるので、上面４６，２２ａ，５０ａを平滑に形成することができる。例えば、上面４６，２２ａ，５０ａの表面粗さＲａを０．０１μｍ～０．１μｍとすることができる。
　次に、図９（Ｄ）に示すように、下側メンブレン基板１０Ａにスペーサ９０を介して上側メンブレン基板６０Ａを貼り付ける。なお、下側メンブレン基板１０Ａの配線パターン７０及び接続体８０は上述のように基材６１の下面６２に印刷により形成される。以上のようにして、可変抵抗器１Ａが製造される。
　なお、本実施形態では、下側メンブレン基板１０Ａの第１のレジスト層２０、配線パターン３１，３５、抵抗体４０、櫛歯パターン４５、及び、第２のレジスト層５０を離型フィルム２００上に形成して転写しているがこれに限定されない。少なくとも、第１のレジスト層２０と櫛歯パターン４５を離型フィルム２００上に形成して基材１１上に転写した後に、基材１１上に配線パターン３１，３５、抵抗体４０、及び、第２のレジスト層５０を形成してもよい。
＜＜第２実施形態＞＞
　図１０は、第２実施形態における可変抵抗器１Ｂを示す平面図、図１１は図１０のXI-XI線に沿った断面図である。図１２は、第２実施形態における可変抵抗器１Ｂの下側メンブレン基板１０Ｂを示す平面図である。図１３は、第２実施形態における可変抵抗器１Ｂのスペーサ９０及び上側メンブレン基板６０Ｂを示す底面図である。
　本実施形態の可変抵抗器１Ｂは、図１０～図１３に示すように、第１実施形態の可変抵抗器１Ａと比較して、配線パターン７０が上側メンブレン基板６０Ｂではなく下側メンブレン基板１０Ｂに形成されている点で、第１実施形態の可変抵抗器１Ａと相違している。但し、これ以外の構成は第１実施形態と同様である。以下に、第２実施形態における可変抵抗器１Ｂについて第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同じ構成については同一の符号を付して説明を省略する。
　図１１に示すように、本実施形態の配線パターン７０は、第１のレジスト層２０を介して基材１１上に形成されている。この配線パターン７０は、第２の本体部７１と、第２の保護層７２と、を備えている。
　第２の本体部７１は、上述の配線パターン３１，３５と同様に、低抵抗の導電性ペーストを印刷して固化（硬化）させることで形成されている。より具体的には、第２の本体部７１は、図８（Ｃ）に示す工程において、第２のレジスト層５０の開口５１の内側に形成された第２の保護層７２上に低抵抗の導電性ペーストを印刷して硬化させることで形成できる。
　第２の本体部７１は、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する材料で構成されており、抵抗体４０の抵抗値は、この第２の本体部７１の抵抗値を無視できる程度に、当該第２の本体部７１の抵抗値よりも十分に高くなっている。具体的には、抵抗体４０の抵抗値は、第２の本体部７１の抵抗値の１０倍以上であり、好ましくは、第２の本体部７１の抵抗値の１００倍以上である。また、抵抗体４０を構成する材料の電気抵抗率が、第２の本体部７１を構成する材料の電気抵抗率の１０倍以上であり、好ましくは１００倍以上である。
　図１２に示すように、この第２の本体部７１は、図中Ｘ方向に沿って延在している。第２の本体部７１は、抵抗体４０と実質的に平行に延在する平行部７１１をその端部に有している。なお、この第２の本体部７１の平面形状は、特に上記に限定されない。
　配線パターン７０の第２の保護層７２は、第２の本体部７１の平行部７１１を覆っている。この第２の保護層７２は、第２の本体部７１の平行部７１１を保護する層であり、上述の低抵抗の導電性ペーストと比較して高い電気的抵抗値を有する高抵抗の導電性ペーストを印刷して硬化させることで形成されている。例えば、この第２の保護層７２は、図８（Ｂ）に示す工程おいて、第２のレジスト層５０の開口５１の内側に高抵抗の導電性ペーストを印刷して硬化させることで形成できる。
　こうした高抵抗の導電性ペーストの具体例としては、特に限定されないが、例えば、カーボンペーストを例示することができる。この第２の保護層７２は、抵抗体４０の図中Ｘ方向に沿った長さと同程度の長さを有しており、抵抗体４０及び櫛歯パターン４５と所定の間隔を空けて配置されている。すなわち、この配線パターン７０の第２の保護層７２は、抵抗体４０と実質的に平行に配置されていると共に、櫛歯パターン４５の配列方向とも実質的に平行に配置されている。なお、配線パターン７０が第２の保護層７２を備えていなくてもよい。
　一方で、図１０、図１１、及び、図１３に示すように、本実施形態の接続体８０には、第１実施形態のように配線パターン７０が接続されていない。本実施形態では、接続体８０は、第１実施形態の接続体８０よりも広い幅を持つ矩形状の平面形状を有している。そして、平面視において、この接続体８０は、当該接続体８０の一方の縁部（図中Ｘ方向に沿った－Ｙ側の縁部）８０ａが櫛歯パターン４５と重複すると共に、当該接続体８０の他方の縁部（図中Ｘ方向に沿った＋Ｙ側の縁部）８０ｂが配線パターン７０と重複するように、基材６１の下面６２に設けられている。
　図１１に示すように、本実施形態における可変抵抗器１Ｂでは、摺動子１００の押圧によって、上側メンブレン基板６０Ｂの基材６１が下方に撓み、接続体８０が櫛歯パターン４５と配線パターン７０にそれぞれ接触することで、接続体８０を介して抵抗体４０と配線パターン７０とが電気的に接続される。そして、摺動子１００が上側メンブレン基板６０Ｂを押圧しながらＸ方向に沿って摺動することで、接続体８０と抵抗体４０との接続位置が変化して、抵抗体４０の抵抗長（抵抗値）が可変する。
　具体的には、上述のように、抵抗体４０に接続された一方の配線パターン３１に電源電圧（例えば、５［Ｖ］）が印加されているのに対し、当該抵抗体４０に接続された他方の配線パターン３５は接地されている。また、摺動子１００の押圧によって配線パターン７０は接続体８０を介して抵抗体４０と電気的に常時接続されており、当該配線パターン７０は、抵抗体４０と図中Ｘ方向における任意の位置で電気的に接続されている。このため、この配線パターン７０は、摺動子１００の押圧位置に応じた電圧（検出電圧）を検出する。すなわち、本実施形態では、摺動子１００の押圧位置に応じて、配線パターン３１，７０間の抵抗値が変化する。そして、この可変抵抗器１Ｂの配線パターン３１，７０にはマルチメーター（不図示）等が接続されており、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差を出力する。
　例えば、摺動領域ＳＡ内において摺動子１００が図１０中の左端に位置している場合には、抵抗体４０における接続体８０の接続位置も左端に位置しているため、配線パターン７０は、電源電圧とほぼ同電位の電圧を検出し、マルチメーター等により、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差（例えば、０［Ｖ］）を出力する。
　これに対し、図１０に示すように、摺動領域ＳＡ内において摺動子１００が略中央に位置している場合には、抵抗体４０における接続体８０の接続位置も略中央であるため、配線パターン７０は、電源電圧の略半分の電位の電圧を検出し、マルチメーター等により、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差（例えば、２．５［Ｖ］）を出力する。
　また、摺動領域ＳＡ内において摺動子１００が図１０中の右端に位置している場合には、抵抗体４０における接続体８０の接続位置も右端に位置しているため、配線パターン７０は、グランドとほぼ同電位の電圧を検出し、マルチメーター等により、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差（例えば、５［Ｖ］）を出力する。
　この第２実施形態においても、第１の介在部２３が櫛歯パターン４５同士の間の空間を埋めているため、上記第１実施形態と同様に櫛歯パターン４５の劣化を抑制できると共に、可変抵抗器１Ｂの検出精度の悪化も抑制できる。
＜＜第３実施形態＞＞
　図１４は第３実施形態における可変抵抗器１Ｃを示す平面図、図１５は図１４のXV-XV線に沿った断面図である。図１６は、第３実施形態における可変抵抗器１Ｃの下側メンブレン基板１０Ｃを示す平面図である。
　本実施形態の可変抵抗器１Ｃは、図１４～図１６に示すように、第２実施形態の可変抵抗器１Ｂと比較して、（１）下側メンブレン基板１０Ｃが櫛歯パターン７５ａ～７５ｉを備えている点、及び、（２）接続体８０が配線パターン７０と重複していない点で、第２実施形態と相違しているが、それ以外の構成は第２実施形態と同様である。以下に、第３実施形態における可変抵抗器１Ｃについて第２実施形態との相違点についてのみ説明し、第２実施形態と同じ構成については同一の符号を付して説明を省略する。なお、本実施形態において、複数の櫛歯パターン７５ａ～７５ｉを櫛歯パターン７５と総称することがある。
　櫛歯パターン７５は、櫛歯パターン４５と同様に、低抵抗の導電性ペーストを印刷して硬化させることで形成されている。図１４に示すように、本実施形態における櫛歯パターン７５は抵抗体４０と配線パターン７０との間に設けられている。なお、本実施形態における櫛歯パターン７５は本発明における「第２の櫛歯パターン」の一例に相当する。
　また、図１６に示すように、それぞれの櫛歯パターン７５ａ～７５ｉは、線状の平面形状を有しており、配線パターン７０の第２の本体部７１から分岐して図中Ｙ方向に沿って延在している。また、櫛歯パターン７５ａ～７５ｉは、配線パターン７０から抵抗体４０に向かって突出している。すなわち、この櫛歯パターン７５ａ～７５ｉは、配線パターン７０に接続されていると共に、摺動領域ＳＡの下方まで延在している。そして、この複数の櫛歯パターン７５ａ～７５ｉは、実質的に等間隔で平行に並べられている。
　図１４に示すように、全ての櫛歯パターン４５ａ～４５ｊ，７５ａ～７５ｉが、スペーサ９０の開口９１を介して接続体８０と対向しており、平面視において摺動子１００の摺動領域ＳＡと重複している。また、図１４～図１６に示すように、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊと櫛歯パターン７５ａ～７５ｉとは、平面視において、図中Ｘ方向に沿って交互に並ぶと共に実質的に等間隔に配置されている。
　なお、櫛歯パターン４５，７５の本数は特に上記に限定されない。また、櫛歯パターン４５，７５の配置も特に上記に限定されない。因みに、後述するように、櫛歯パターン４５，７５の本数が多い程、可変抵抗器１Ｃの出力の分解能（解像度）を高めることができる。また、櫛歯パターン４５，７５の間に間隔が確保されているのであれば、櫛歯パターン４５，７５同士の間隔は等間隔に限定されない。
　本実施形態における第１のレジスト層２０の第１の介在部２３は、櫛歯パターン４５同士の間の空間を埋めている部分と、櫛歯パターン７５同士の間の空間を埋めている部分と、櫛歯パターン４５と櫛歯パターン７５の間の空間を埋めている部分と、を備えており、これらの部分が相互に接続している。このため、第１の介在部２３の平面形状は、Ｘ方向に延在する蛇行形状となっている。
　また、第３の介在部２５は、第２のレジスト層５０と櫛歯パターン４５ａ，４５ｊとの間の空間を埋めている部分に加えて、第２のレジスト層５０と櫛歯パターン７５ａ，７５ｉとの間の空間を埋めている部分も備えている。このため、第３の介在部２５の平面形状は、Ｌ字形状となっている。
　図１４及び図１５に示すように、摺動子１００の押圧により、上側メンブレン基板６０Ｂの基材６１が下方に撓み、相互に隣り合う櫛歯パターン４５，７５に接続体８０がそれぞれ接触している。これにより、接続体８０を介して抵抗体４０と配線パターン７０を電気的に接続されている。具体的には、図１５に示す状態では、櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの中の櫛歯パターン４５ｆと、櫛歯パターン７５ａ～７５ｉの中の櫛歯パターン７５ｅとが、接続体８０を介して電気的に接続されている。
　なお、摺動子１００の押圧によって接続体８０に同時に接続される櫛歯パターン４５ａ～４５ｊの数は複数であってもよい。同様に、摺動子１００の押圧によって接続体８０に同時に接続される櫛歯パターン７５ａ～７５ｊの数は複数であってもよい。
　そして、本実施形態では、摺動子１００が上側メンブレン基板６０Ｂを押圧しながら摺動することで、接続体８０によって接続される櫛歯パターン４５，７５の組み合わせが順次変化して、抵抗体４０の抵抗長（抵抗値）が可変する。
　例えば、図１５に示す状態では、上述のように、櫛歯パターン７５ｅ，４５ｆが接続体８０を介して接続されている。この状態から摺動子１００が図中＋Ｘ方向に摺動するに従って、接続体８０を介して接続される櫛歯パターンの組み合わせが、櫛歯パターン７５ｅ，４５ｆ→櫛歯パターン４５ｆ，７５ｆ→櫛歯パターン７５ｆ，４５ｇ→櫛歯パターン４５ｇ，７５ｇ→櫛歯パターン７５ｇ，４５ｈ→・・・→櫛歯パターン４５ｉ，７５ｉ→櫛歯パターン７５ｉ，４５ｊと変化する。
　これに伴って、櫛歯パターン７５ａ～７５ｉに接続された配線パターン７０は、接続体８０を介して接続されている櫛歯パターン４５，７５の組み合わせに応じた電圧（検出電圧）を検出する。すなわち、本実施形態でも、摺動子１００の押圧位置に応じて、配線パターン３１，７０間の抵抗値が変化する。摺動子１００が図中＋Ｘ方向に摺動する場合には、配線パターン３１，７０間の抵抗値は、摺動子１００の摺動に伴って徐々に上昇する。この可変抵抗器１Ｃの配線パターン３１，７０にはマルチメーター等が接続されており、当該マルチメーター等は、電源電圧と配線パターン７０の検出電圧との電位差を出力する。
　一方、図１５に示す状態から摺動子１００が図中―Ｘ方向に摺動する場合には、当該摺動子１００の摺動に従って、接続体８０を介して接続される櫛歯パターンの組み合わせが、櫛歯パターン４５ｆ，７５ｅ→櫛歯パターン７５ｅ，４５ｅ→櫛歯パターン４５ｅ，７５ｄ→櫛歯パターン７５ｄ，４５ｄ→櫛歯パターン４５ｄ，７５ｃ→・・・→櫛歯パターン４５ｂ，７５ａ，→櫛歯パターン７５ａ，４５ａと変化する。この場合には、配線パターン３１，７０間の抵抗値は、摺動子１００の摺動に伴って徐々に低下する。
　この第３実施形態においても、第１の介在部２３が櫛歯パターン４５，７５同士の間の空間を埋めているため、上記第１実施形態と同様に櫛歯パターン４５，７５の劣化を抑制できると共に、可変抵抗器１Ｃの検出精度の悪化も抑制できる。
　なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
　例えば、第１～第３実施形態において、櫛歯パターン４５は下側メンブレン基板１０Ａに形成されているが、摺動子１００によって押圧される上側メンブレン基板６０Ａに形成されていてもよい。
　また、第１～第３実施形態において、可変抵抗器１Ａ～１Ｃの操作を、当該可変抵抗器１Ａ～１Ｃ自体が備える摺動子１００により行ったが、特にこれに限定されない。例えば、摺動子１００に代えて、操作者が指により可変抵抗器を操作してもよい。
　また、上述の実施形態では、配線パターン３１を電源に接続すると共に、配線パターン３５をグランドに接続し、配線パターン７０の検出電圧を取得することで、可変抵抗器１Ａ～１Ｃの抵抗値を検出したが、可変抵抗器の抵抗値を検出するための回路構成は、特にこれに限定されない。
　例えば、配線パターン３５を設けずに、配線パターン３１，７０に電源を接続してもよい。この場合にも、摺動子１００の押圧位置に応じて、配線パターン３１，７０間の抵抗値が変化する。
１Ａ～１Ｃ…可変抵抗器
　１０Ａ～１０Ｃ…下側メンブレン基板
　　１１…基材
　　　１１ａ…上面
　　２０…第１のレジスト層
　　　２１…薄肉部
　　　　　２１ａ…上面
　　　２２…突出部
　　　　　２２ａ…上面
　　　　２３…第１の介在部
　　　　　２３ａ…第１の露出部
　　　　　２３ｂ，２３ｃ…第１及び第２の非露出部
　　　　２４…第２の介在部
　　　　２５…第３の介在部
　　３１…配線パターン
　　３５…配線パターン
　　４０…抵抗体
　　４５，４５ａ～４５ｊ…櫛歯パターン
　　　４６…上面
　　　４７…下面
　　　　４８ａ…第２の露出部
　　　　４８ｂ，４８ｃ…第３及び第４の非露出部
　　５０…第２のレジスト層
　　　５０ａ…上面
　　　５１…開口
　６０Ａ，６０Ｂ…上側メンブレン基板
　　６１…基材
　　　６２…下面
　　　６３…上面
　　７０…配線パターン
　　　７１…第２の本体部
　　　　７１１…平行部
　　　７２…第２の保護層
　　　７５，７５ａ～７５ｉ…櫛歯パターン
　　　７６…第２の先端面
　　８０…接続体
　　　８０ａ，８０ｂ…縁部
　　　８１…第１の本体部
　　　８２…第１の保護層
　９０…スペーサ
　　９１…開口
　１００…摺動子
　　１１０…押圧部
２００…離型フィルム
　２０１…フィルム
　２０２…離型層
ＮＡ…非重複領域
ＳＡ…摺動領域

Claims (11)

  1. 　第１の基材と、
    　前記第１の基材に支持されていると共に、相互に間隔を空けて延在している複数の櫛歯パターンと、
    　前記櫛歯パターン同士の間の空間を埋めるように、前記第１の基材上に配置された絶縁体と、を備えており、
    　前記櫛歯パターンは、前記第１の基材とは反対側の先端面を有し、
    　前記先端面は、前記絶縁体から露出している可変抵抗器。
  2. 　請求項１に記載の可変抵抗器であって、
    　前記絶縁体は、前記第１の基材とは反対側の第１の主面を有し、
    　前記第１の基材からの前記先端面の高さは、前記第１の基材からの前記第１の主面の高さと実質的に同一である可変抵抗器。
  3. 　請求項１に記載の可変抵抗器であって、
    　前記絶縁体は、前記第１の基材とは反対側の第１の主面を有し、
    　前記第１の主面は、前記第１の基材に対して実質的に平行に延在している可変抵抗器。
  4. 　請求項１に記載の可変抵抗器であって、
    　前記絶縁体は、
    　前記櫛歯パターン同士の間に位置する第１の介在部と、
    　前記第１の基材と前記櫛歯パターンとの間に位置する第２の介在部と、を含む可変抵抗器。
  5. 　請求項１に記載の可変抵抗器であって、
    　前記絶縁体は、前記第１の基材とは反対側の第１の主面を有し、
    　前記可変抵抗器は、抵抗体を含み、
    　前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンを含み、
    　前記第１の櫛歯パターンは、
    　前記先端面が前記絶縁体から露出する第１の部分と、
    　前記第１の部分と一体的に形成されていると共に、前記抵抗体に接続された第２の部分と、を含み、
    　前記第１の主面に対して垂直な第１の方向において、前記第２の部分の厚さは、前記第１の部分の厚さより薄い可変抵抗器。
  6. 　請求項１に記載の可変抵抗器であって、
    　前記可変抵抗器は、
    　前記第１の基材上に配置された抵抗体と、
    　前記第１の基材上に配置されていると共に、前記抵抗体に接続された第１の配線パターンと、
    　開口を有するスペーサと、
    　前記スペーサを介して前記第１の基材に積層された第２の基材と、
    　前記開口内に位置するように前記第２の基材上に配置され、前記第２の基材の外側からの摺動子の押圧によって前記抵抗体と電気的に接続される接続体と、
    　前記第２の基材上に配置され、前記接続体に接続され、又は、前記第１の基材上に配置され、前記摺動子の押圧によって前記接続体と電気的に接続される第２の配線パターンと、を備え、
    　平面視において、前記接続体は、前記抵抗体と非重複である非重複領域を有し、
    　平面視において、前記摺動子が摺動可能な摺動領域は、前記非重複領域に含まれており、
    　前記先端面は、前記櫛歯パターンにおいて前記接続体に対向する面であり、
    　前記摺動子の位置に応じて、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとの間の抵抗値が変化する可変抵抗器。
  7. 　請求項６に記載の可変抵抗器であって、
    　前記第２の配線パターンは、前記第２の基材上に配置されていると共に、前記接続体に接続されており、
    　前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンを含み、
    　平面視において、前記第１の櫛歯パターンは、前記摺動領域と重複しており、
    　前記接続体は、前記第２の基材の外側からの前記摺動子の押圧によって、前記第１の櫛歯パターンと接触する可変抵抗器。
  8. 　請求項６に記載の可変抵抗器であって、
    　前記第２の配線パターンは、前記第１の基材上に配置され、
    　前記複数の櫛歯パターンは、前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンを含み、　平面視において、前記第１の櫛歯パターン及び前記第２の配線パターンは、前記摺動領域と重複しており、
    　前記接続体は、前記第２の基材の外側からの前記摺動子の押圧によって、前記第１の櫛歯パターン及び前記第２の配線パターンと接触する可変抵抗器。
  9. 　請求項６に記載の可変抵抗器であって、
    　前記第２の配線パターンは、前記第１の基材上に配置され、
    　前記複数の櫛歯パターンは、
    　前記抵抗体に接続された複数の第１の櫛歯パターンと、
    　前記第２の配線パターンに接続された複数の第２の櫛歯パターンと、を含み、
    　平面視において、前記第１及び第２の櫛歯パターンは、前記摺動領域と重複しており、
    　前記第１の櫛歯パターンと前記第２の櫛歯パターンは、前記摺動領域において、前記接続体の延在方向に沿って、交互に並べられており、
    　前記接続体は、前記第１の基材からの前記摺動子の押圧によって、前記第１及び前記第２の櫛歯パターンと接触する可変抵抗器。
  10. 　請求項６に記載の可変抵抗器であって、
    　前記可変抵抗器は、前記第１の基材上に配置されていると共に、前記抵抗体に接続された第３の配線パターンをさらに備え、
    　前記複数の櫛歯パターンは、
    　前記第１の配線パターンに接続された第３の櫛歯パターンと、
    　前記第３の配線パターンに接続された第４の櫛歯パターンと、を含んでおり、
    　平面視において、前記第３及び第４の櫛歯パターンは、前記摺動領域と重複している可変抵抗器。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の可変抵抗器の製造方法であって、
    　離型処理面を有する支持体を準備する第１の工程と、
    　前記支持体の前記離型処理面上に前記櫛歯パターンを形成する第２の工程と、
    　前記櫛歯パターン同士の間を埋めるように前記離型処理面上に前記絶縁体を形成する第３の工程と、
    　前記支持体から前記第１の基材に前記櫛歯パターンと前記絶縁体を転写する第４の工程と、を備えた可変抵抗器の製造方法。
PCT/JP2023/031959 2022-12-28 2023-08-31 可変抵抗器、及び、可変抵抗器の製造方法 WO2024142491A1 (ja)

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