WO2024113143A1 - 显示基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示基板和显示装置，属于显示技术领域。所述显示基板包括：衬底基板、多个导电垫、第一有机绝缘层以及第一无机绝缘层的显示基板。其中，第一有机绝缘层具有与至少一个导电垫对应的第一开口，第二有机绝缘层具有与导电垫对应的第二开口，并且，至少一个导电垫在衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在衬底基板上的正投影内，第二开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内，以增大第一有机绝缘层和第二开口露出的焊盘区域之间的距离。

Description

显示基板和显示装置 技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术

目前，微发光二极管(英文：Micro Light Emitting Diode；简写：Micro LED)及迷你发光二极管(英文：Mini Light Emitting Diode；简写：Mini LED)相较于传统LED，体积更小，能够广泛应用于显示装置中。

一种显示基板包括：衬底基板和位于衬底基板上的多个导电垫，该多个导电垫中的部分导电垫用于与发光器件(微发光二极管或者迷你发光二极管)绑定，另一部分导电垫用于与驱动芯片绑定。

然而，上述显示基板中无法与发光器件或者驱动芯片实现良好的电气连接，导致显示基板的良率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示基板和显示装置。所述技术方案如下：

根据本申请的第一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：

衬底基板；

多个导电垫，所述导电垫位于所述衬底基板上；

第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层位于设置有所述导电垫的衬底基板上，所述第一有机绝缘层具有多个第一开口，所述第一开口与至少一个所述导电垫对应，且所述至少一个导电垫在所述衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在所述衬底基板上的正投影内；

第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层位于所述第一有机绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述第一无机绝缘层具有多个第二开口，所述第二开口与所述导电垫对应，且所述第二开口在所述衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在所述衬底基板上的正投影内。

可选地，所述显示基板还包括导电防氧化层，所述导电防氧化层位于设置 有所述第一无机绝缘层的衬底基板上，所述导电防氧化层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板上的正投影中，且所述导电防氧化层覆盖所述导电垫中的焊盘区域远离所述衬底基板的表面，所述焊盘区域为所述导电垫在所述第二开口处露出的区域。

可选地，相邻的两个所述导电垫之间的最短距离大于或者等于第一预设值，所述第一开口与一个所述导电垫对应。

可选地，相邻的两个所述导电垫之间的最短距离小于第一预设值，所述第一开口与多个所述导电垫对应。

可选地，所述第一预设值的范围为30微米～60微米。

可选地，所述多个导电垫包括多个第一导电垫和多个第二导电垫；

每两个所述第一导电垫构成一个第一导电垫组，一个所述第一导电垫组用于与一个发光器件连接；

每N个所述第二导电垫构成一个第二导电垫组，一个所述第二导电垫组用于与一个驱动芯片连接；

所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口与一个所述第一导电垫组对应，所述第二子开口与一个所述第二导电垫组对应。

可选地，所述多个导电垫包括多个第一导电垫和多个第二导电垫；

每两个所述第一导电垫构成一个第一导电垫组，一个所述第一导电垫组用于与一个发光器件连接；

每N个所述第二导电垫构成一个第二导电垫组，每个所述第二导电垫组用于与一个驱动芯片连接；

所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口与至少三个相邻的所述第一导电垫组对应，所述第二子开口与一个所述第二导电垫组对应。

可选地，相邻的所述第一子开口和所述第二子开口之间的距离的范围为20微米～100微米。

可选地，所述第一开口与至少一个所述第二开口对应，所述至少一个第二开口在所述衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在所述衬底基板上的正投影中；

所述第一开口在所述衬底基板上的正投影的边缘和至少一个第二开口在所述衬底基板上的正投影的边缘之间的最短距离的范围为20微米～80微米。

可选地，所述显示基板呈矩形，所述显示基板具有相对的两个第一边缘和 相对的两个第二边缘；

所述显示基板还包括位于所述第二边缘处的连接端子和侧面走线，所述连接端子和所述侧面走线电连接；

所述多个第一开口中包括目标第一开口，所述目标第一开口和所述第一边缘相邻，所述目标第一开口的边缘和位于所述第一边缘处的第一有机绝缘层的边缘重合。

可选地，所述第一有机绝缘层还具有第三开口，所述第三开口与所述第二边缘相邻，所述第三开口与至少一个所述导电垫对应，且所述第三开口在所述衬底基板上的正投影的边缘至少部分位于对应的至少一个导电垫在所述衬底基板上的正投影外；

所述第三开口的边缘和位于所述第二边缘处的第一有机绝缘层的边缘之间具有第二预设距离。

可选地，所述第二预设距离的范围为20微米～50微米。

可选地，所述显示基板上还具有对位标记，所述第一有机绝缘层还具有第四开口，所述第四开口和所述对位标记相邻；

所述第四开口与一个所述导电垫对应，且所述第四开口在所述衬底基板上的位于对应的导电垫在所述衬底基板上的正投影中。

可选地，所述显示基板还包括位于所述多个导电垫和所述衬底基板之间的第一走线图案和第二绝缘层，所述第一走线图案和所述第二绝缘层沿远离所述衬底基板的方向层叠设置，所述第二绝缘层上具有过孔，所述过孔在所述衬底基板上的正投影和所述第一走线图案在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

所述显示基板还包括与所述多个导电垫位于同层且电连接的第二走线图案，所述第二走线图案通过所述过孔与所述第一走线图案电连接；

所述第一开口在所述衬底基板上的正投影的边缘与所述过孔在所述衬底基板上的正投影的边缘错开。

根据本申请的另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示基板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

提供了一种包括衬底基板、多个导电垫、第一有机绝缘层以及第一无机绝 缘层的显示基板。其中，第一有机绝缘层具有与至少一个导电垫对应的第一开口，第二有机绝缘层具有与导电垫对应的第二开口，并且，至少一个导电垫在衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在衬底基板上的正投影内，第二开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内。如此，相较于相关技术中第一开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内的方案，本申请实施例中的第一开口的边缘和第二开口的边缘之间的距离较大，即就是可以增大第一有机绝缘层和第二开口露出的导电垫的焊盘区域之间的距离，以避免第一有机绝缘层对第二开口露出的导电垫的焊盘区域上的金属镀层造成影响，可以解决相关技术中显示基板的良率较低的问题，可以实现提升显示基板的良率的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种显示基板的结构示意图；

图2是图1所示的显示基板中的第一有机绝缘层的覆盖范围示意图；

图3是图1所示的显示基板沿A1-A2位置处的截面结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图5是图4所示的显示基板中第一有机绝缘层和多个导电垫的位置关系示意图；

图6是图4所示的显示基板沿B1-B2位置的截面结构示意图；

图7是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图8是图7所示的显示基板沿C1-C2位置的截面结构示意图；

图9是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的另一种显示基板；

图12是本申请实施例提供的另一种显示基板；

图13是本申请实施例提供的另一种显示基板；

图14是图13所示的显示基板沿D1-D2位置的截面结构示意图；

图15是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。

通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

图1是一种显示基板10的结构示意图，图2是图1所示的显示基板10中的第一有机绝缘层13的覆盖范围示意图，图3是图1所示的显示基板10沿A1-A2位置处的截面结构示意图，请参考图1、图2和图3。显示基板10包括衬底基板11、多个导电垫12、第一有机绝缘层13和第一无机绝缘层14，多个导电垫12、第一有机绝缘层13和第一无机绝缘层14沿远离衬底基板11的方向层叠设置在衬底基板11上。多个导电垫12包括用于连接发光器件的多个第一导电垫和用于连接驱动芯片的多个第二导电垫。

其中，图2仅示出了第一有机绝缘层13和多个导电垫12的位置关系，由图1和图2可知，多个第二开口141可以和多个导电垫12一一对应，多个第一开口131也可以和多个导电垫12一一对应。

需要说明的是，在显示基板上形成第一无机绝缘层14后，后续还可以包括化金工艺，在化金工艺进行的过程中，第一无机绝缘层14露出的第一有机绝缘层13能够吸收化金工艺中的化金药液，并在化金药液中产生微小的气泡，这些微小的气泡将导致化金药液沉积在导电垫12的焊盘区域上的金属镀层不够完整，即金属镀层无法覆盖第一无机绝缘层14露出的焊盘区域。

由此，导致金属镀层的完整性较差，使得显示基板10中的多个焊盘的良率较低，发光器件或者驱动芯片无法与显示基板10实现良好的电气连接，导致显示基板10的良率较低。

图4是本申请实施例提供的一种显示基板20的结构示意图，图5是图4所示的显示基板20中第一有机绝缘层203和多个导电垫202的位置关系示意图，图6是图4所示的显示基板20沿B1-B2位置的截面结构示意图。该显示 基板20可以包括：衬底基板201、多个导电垫202、第一有机绝缘层203和第一无机绝缘层204。

多个导电垫202可以位于衬底基板201上，第一有机绝缘层203可以位于设置有导电垫202的衬底基板201上，第一有机绝缘层203可以具有多个第一开口2031，第一开口2031可以贯穿第一有机绝缘层203。第一开口2031可以与至少一个导电垫202对应，且至少一个导电垫202在衬底基板201上的正投影可以位于对应的第一开口2031在衬底基板201上的正投影内。如图2所示，即就是，一个第一开口2031在衬底基板201上的正投影内可以具有一个或者多个导电垫202在衬底基板201上的正投影，第一有机绝缘层203上的一个第一开口2031中可以露出一个或者多个导电垫202。

第一无机绝缘层204可以位于第一有机绝缘层203背离衬底基板201的一侧，第一无机绝缘层204可以具有多个第二开口2041，第二开口2041可以与导电垫202对应，且第二开口2041在衬底基板201上的正投影可以位于对应的导电垫202在衬底基板201上的正投影内。多个第二开口2041可以和多个导电垫202一一对应，第一无机绝缘层204上的一个第二开口2041中可以露出一个导电垫202的部分区域，该部分区域可以称作焊盘区域202a。

需要说明的是，在显示基板20的制造过程中，可以在形成有第一无机绝缘层204的衬底基板201上通过化金工艺形成导电防氧化层，该导电防氧化层可以为导电垫202上的金属镀层。相较于相关技术中第一开口2031在衬底基板201上的正投影位于对应的导电垫202在衬底基板201上的正投影内的方案，本申请实施例可以增大第一开口2031和第二开口2041之间的距离，如此，还可以增大第一有机绝缘层203和第二开口2041露出的导电垫202的焊盘区域202a之间的距离，可以提高第一有机绝缘层203对第一无机绝缘层204的覆盖效果。可以避免在显示基板20的制造过程中，第一无机绝缘层204露出的第一有机绝缘层203和化金药液接触，引起导电垫202的焊盘区域202a上的金属镀层缺失的问题，可以提高显示基板20中的多个焊盘的良率，该焊盘可以指覆盖了导电防氧化层的焊盘区域202a，焊盘可以用于绑定发光器件或者驱动芯片。

综上所述，本申请实施例提供了一种包括衬底基板、多个导电垫、第一有机绝缘层以及第一无机绝缘层的显示基板。其中，第一有机绝缘层具有与至少一个导电垫对应的第一开口，第二有机绝缘层具有与导电垫对应的第二开口，并且，至少一个导电垫在衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在衬底基板 上的正投影内，第二开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内。如此，相较于相关技术中第一开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内的方案，本申请实施例中的第一开口的边缘和第二开口的边缘之间的距离较大，即就是可以增大第一有机绝缘层和第二开口露出的导电垫的焊盘区域之间的距离，以避免第一有机绝缘层对第二开口露出的导电垫的焊盘区域上的金属镀层造成影响，可以解决相关技术中显示基板的良率较低的问题，可以实现提升显示基板的良率的效果。

可选地，如图5所示，显示基板20还可以包括与多个导电垫202位于同层且电连接的第二走线图案213。多个导电垫202和第二走线图案213位于第一有机绝缘层203靠近衬底基板201的一侧，第二走线图案213可以包括多条第二信号线2131，可以理解的是，导电垫202和与其直接接触第二信号线2131可以为一体结构，或者导电垫202和第二走线图案213的材料相同。在一些实施例中，导电垫202也可以与第一走线图案209为一体结构，或者导电垫202第一走线图案209的材料相同。

需要说明的是，由于第二开口(图5中未示出)在衬底基板201上的正投影位于导电垫202在衬底基板201的正投影中，因此，第二开口不会露出第二信号线2131，以通过第一无机绝缘层对第二信号线2131进行保护。

可选地，图7是本申请实施例提供的另一种显示基板20的结构示意图，图8是图7所示的显示基板20沿C1-C2位置的截面结构示意图，请参考图7和图8，导电垫202可以通过对应的第一开口2031从第一有机绝缘层203中露出，且导电垫202上具有相对的顶面和底面，顶面位于底面远离衬底基板201的一侧，导电垫202的顶面可以通过对应的第二开口2041从第一无机绝缘层204中露出，导电垫202经第二开口2041露出的区域可以为焊盘区域202a。

显示基板20还可以包括导电防氧化层205，导电防氧化层205可以位于设置有第一无机绝缘层204的衬底基板201上，导电防氧化层205在衬底基板201上的正投影可以位于第二开口2041在衬底基板201上的正投影中，且导电防氧化层205覆盖导电垫202中的焊盘区域202a远离衬底基板201的表面，焊盘区域202a为导电垫202在第二开口2041处露出的区域，即就是导电防氧化层205覆盖导电垫202在第二开口2041处露出的区域。该导电防氧化层205可以包括导电垫202在第二开口2041处露出的顶面上的金属镀层，该导电防氧化层205的材料可以包括镍(Ni)、金(Au)和钛(Ti)中的至少一种，导电垫202的 材料可以包括铜(Cu)和钼铌合金(MoNb)中的至少一种。

通过化金工艺形成的导电防氧化层205的结构可以为晶体结构，该晶体结构相较于导电垫202的表面更易焊接，可以使得导电垫202能够和发光器件的引脚或者驱动芯片的引脚的电气连接更为稳定。并且该导电防氧化层205的材料相较于导电垫202的材料化学性质较为稳定，可以用于保护导电垫202，避免导电垫202发生氧化反应。

在一种示例性的实施方式中，尺寸较大的显示装置可以采用多个尺寸较小的显示装置拼接的方法来组装形成，以提高产品可靠性，以及降低运输成本、维修成本。由于显示装置的正面(即显示面所在的一面)存在绑定(Bonding)区域，导致显示装置的边框较宽，且较宽的边框所带来的拼接缝隙会对大尺寸显示装置的光学均一性带来影响。因此，可以通过侧面走线将位于显示装置的显示面一侧的走线与设置在显示基板的非显示面一侧的电路板(例如柔性电路板)实现连接，以减小尺寸较小的显示装置的边框尺寸，降低相邻的尺寸较小的显示装置之间的间距。

相关技术中，在显示基板10的制造过程中，存在对显示基板10进行翻转或者移动的工艺步骤，示例性的，显示基板10具有正面和背面，可以先在显示基板10的正面进行导电垫12以及第一有机绝缘层13和第一无机绝缘层14等相关的工艺步骤，然后对显示基板10进行翻转以进行显示基板10的背面的走线的相关的工艺步骤，再对显示基板10上的导电垫12进行化金工艺，以在导电垫12的焊盘区域202a的表面形成一层金属镀层，以使得形成的焊盘具有良好的可焊性以及电性能。由于在进行背面走线的相关的工艺步骤时，位于显示基板10的正面膜层将直接接触生产设备，有可能导致生产设备对正面的第一无机绝缘层14的部分区域造成划伤，使得该部分区域的第一无机绝缘层14无法对下层的第一有机绝缘层13形成完整的覆盖。

需要说明的是，在显示基板上形成第一无机绝缘层14后，后续还可以包括化金工艺，化金工艺用于在形成有第一无机绝缘层14的衬底基板11上形成导电防氧化层，该导电防氧化层可以为导电垫12的焊盘区域上的金属镀层。化金工艺也称作沉金工艺，该工艺是通过溶液内的化学反应把金属沉积到导电垫12的焊盘区域的表面上的一种镀金工艺，其中，该工艺中使用的溶液可以称作化金药液。

在化金工艺进行的过程中，第一无机绝缘层14露出的第一有机绝缘层13 能够吸收化金工艺中的化金药液，并在化金药液中产生微小的气泡，这些微小的气泡将导致化金药液沉积在导电垫12的焊盘区域上的金属镀层不够完整，即金属镀层无法覆盖第一无机绝缘层14露出的导电垫12上的焊盘区域。

或者，由于显示基板10在制造的过程中存在工艺波动性，使得各叠层之间无法实现预期的覆盖效果，如第一无机绝缘层14未完全覆盖第一有机绝缘层13，导致第一有机绝缘层13对金属镀层造成影响。

由此，相关技术中的金属镀层的完整性较差，本申请实施例中的导电防氧化层205在制造的过程中，不易受到第一有机绝缘层203的影响，因此，导电防氧化层205能够完整地覆盖导电垫202在第二开口2041处露出的焊盘区域202a，可以提高显示基板20的良率。

可选地，如图4所示，第一开口2031与至少一个第二开口2041对应，至少一个第二开口2041在衬底基板201上的正投影位于对应的第一开口2031在衬底基板201上的正投影中，第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘和至少一个第二开口2041在衬底基板201上的正投影的边缘之间的最短距离L1的范围为20微米～80微米，进一步地，第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘和对应的至少一个第二开口2041在衬底基板201上的正投影的边缘之间的最短距离L1的范围为20微米～80微米。示例性的，第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘和对应的至少一个第二开口2041在衬底基板201上的正投影的边缘之间的最短距离L1为50微米。

相较于相关技术中，第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘和对应的第二开口2041在衬底基板201上的正投影的边缘之间的最短距离的范围为2微米～5微米的方案，本申请实施例中的第一开口2031和第二开口2041之间的距离较大，即就是第一有机绝缘层203和第二开口2041露出的导电垫202的焊盘区域202a之间的距离较大，可以提高第一有机绝缘层203对第一无机绝缘层204的覆盖效果。可以避免在显示基板20的制造过程中，第一无机绝缘层204露出的第一有机绝缘层203和化金药液接触，引起导电垫202的焊盘区域202a上的金属镀层缺失的问题，可以提高显示基板20中的多个焊盘的良率。

即使本申请实施例中的第一无机绝缘层204在显示基板20的制造过程中存在划伤的区域，将第一有机绝缘层203的部分区域露出来，由于本申请实施例中的第一有机绝缘层203的边缘(即第一开口2031的边缘)与导电垫202在第二开口2041处露出的焊盘区域202a之间的距离较大，使得第一有机绝缘层203 对导电垫202在第二开口2041处露出的焊盘区域202a上的化金药液的影响较小，可以进一步避免在显示基板20的制造过程中，第一无机绝缘层204露出的第一有机绝缘层203和化金药液接触，引起导电垫202的焊盘区域202a上的金属镀层缺失的问题，可以提高显示基板20中的多个焊盘的良率。

可选地，图9是本申请实施例提供的另一种显示基板20的结构示意图，请参考图9，相邻的两个导电垫202之间的最短距离L2大于或者等于第一预设值，第一开口2031与一个导电垫202对应。即就是，当显示基板20上的多个导电垫202的排布较为稀疏，第一有机绝缘层203可以通过一个第一开口2031露出一个导电垫202，如此，可以使得相邻的导电垫202之间互不干扰。

可选地，第一预设值的范围可以为30微米～60微米。在此范围内，第一有机绝缘层203上的多个第一开口2031可以和多个导电垫202一一对应。

在一种示例性的实施方式中，相邻的两个第二开口之间的最短距离L3大于70微米时，第一开口2031与一个导电垫202对应。

第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘和对应的导电垫202在衬底基板201的正投影的至少部分边缘之间的距离L4可以大于7微米。

可选地，如图4所示，相邻的两个导电垫202之间的最短距离L2小于第一预设值，第一开口2031与多个导电垫202对应。即就是，当显示基板20上的多个导电垫202的排布较为密集，第一有机绝缘层203可以通过一个第一开口2031露出多个导电垫202，如此，可以降低显示基板20的制造工艺的难度。

需要说明的是，在显示基板20的制造过程中存在工艺波动性，在设计显示基板20上的多个膜层时，需要考虑膜层之间的包裹关系，即就是，相邻的膜层的边缘之间的距离大于预设值，以避免相邻的膜层的边缘处的均一性较差。

示例性的，如图3所示，图3中的导电垫12处的膜层包括沿远离衬底基板11的方向层叠设置的导电垫12、第一有机绝缘层13和第一无机绝缘层14，此处各膜层的包裹关系为：第一有机绝缘层13上的第一开口131的边缘覆盖在导电垫12上，第一无机绝缘层14上的第二开口141的边缘位于第一开口131中，也即是，第一开口131的边缘可以包裹第二开口141的边缘。

当显示基板制造过程中工艺波动范围值为5微米时，显示基板10上的多个膜层的边缘之间的距离的设计值可以满足以下关系：第一有机绝缘层13的第一开口131在衬底基板11上的正投影的边缘，和对应的导电垫12在衬底基板11上的正投影的边缘之间的距离L5可以大于7微米，如此，可以避免第一开口 131的一部分边缘位于导电垫12外，另一部分边缘位于导电垫12上的情况，可以使得显示基板上的有机绝缘层的均一性较好。

第一无机绝缘层14的第二开口141在衬底基板11上的正投影的边缘，和第一有机绝缘层13的第一开口131在衬底基板11上的正投影的边缘之间的距离L6可以大于9微米，可以避免第一无机绝缘层14的在部分边缘处可以覆盖第一有机绝缘层13，另一部分边缘处无法覆盖第一有机绝缘层13的情况，可以使得显示基板上的膜层的均一性较好。由此，在导电垫12处的各个膜层的均一性较好的情况下，第二开口141在衬底基板11上的正投影的边缘和导电垫12在衬底基板11上的正投影的边缘之间的距离可以大于16微米。

但是，由图1可知，相关技术中，在第一方向f1上相邻的两个导电垫12的边缘之间的距离L7为10.5微米，第二开口141在衬底基板11上的正投影的边缘和导电垫12在衬底基板11上的正投影的边缘之间的距离(L5+L6)为11微米，则在第一方向上相邻的两个第二开口141的边缘之间的距离为32.5微米(11×2+10.5＝32.5)。

若通过调整导电垫12的尺寸，以使得导电垫12边缘与第二开口141的边缘之间的距离为16微米，则第一方向上相邻的两个导电垫12的边缘之间的距离为0.5微米，这使得两个导电垫12之间的距离较近，导致相邻导电垫12之间较易发生短路。

或者，在一种可选地实施方式中，相邻的两个导电垫12之间的距离大于14微米，如相邻的两个导电垫12之间的距离为18微米，若通过扩大第一开口131，使得第一开口131在衬底基板11上的正投影位于对应导电垫12在衬底基板11上的正投影外，且第一开口131在衬底基板11上的正投影的边缘和对应的导电垫12在衬底基板11上的正投影的边缘之间的距离大于7微米，以使得第一开口131在衬底基板11上的正投影的边缘和第二开口141在衬底基板11上的正投影的边缘之间的最短距离可以大于9微米。由于在相邻的两个导电垫12对应的第一开口131的之间距离较小，使得第一有机绝缘层13的制造难度较大，导致显示基板的良率较低。

由此，本申请实施例通过一个第一开口2031对应多个导电垫202，可以在满足显示基板上的多个膜层的均一性较好的情况下，还可以增大第一有机绝缘层203和第二开口2041露出的导电垫202的焊盘区域202a之间的距离，以提高第一有机绝缘层203对第一无机绝缘层204的覆盖效果。

可选地，图10是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图，请参考图10，多个导电垫202可以包括多个第一导电垫2021和多个第二导电垫2022。每两个第一导电垫2021构成一个第一导电垫组2021a，一个第一导电垫组用于与一个发光器件连接。每N个第二导电垫2022构成一个第二导电垫组2022a，一个第二导电垫组2022a用于与一个驱动芯片连接。其中，N为大于等于2的正整数，示例性的，N为6。

第一开口2031可以包括第一子开口20311和第二子开口20312，第一子开口20311与一个第一导电垫组2021a对应，第二子开口20312与一个第二导电垫组2022a对应。

由于多个第一导电垫2021在第二方向f2上相邻的两个导电垫202的距离大于多个第一导电垫2021在第一方向f1上相邻的两个导电垫202的距离，示例性的，多个第二开口2041在第二方向f2上相邻的两个第二开口2041之间的距离可以为86微米，多个导电垫202在第二方向f2上相邻的两个导电垫202之间的距离L2可以为58微米，因此，第一有机绝缘层203可以位于在第二方向f2上相邻的两个第二开口2041之间的区域中，且在第二方向f2上，第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘和对应的两个导电垫202在衬底基板201上的正投影之间的距离可以大于7微米。示例性的，多个第二开口2041在第一方向f1上相邻的两个第二开口2041之间的距离可以为46微米，多个第一导电垫2021在第一方向f1上相邻的两个导电垫202之间的距离L8可以为18微米，因此，第一有机绝缘层203可以不位于在第一方向f1上相邻的两个导电垫202之间的区域中，以避免第一有机绝缘层203的均一性较差。

同理，相较于多个第一导电垫2021，排布较为紧密的多个第二导电垫2022中，六个第二导电垫2022可以对应一个第一开口2031，可以增大第一开口2031和第二开口2041之间的距离，以增大第一有机绝缘层203和第二开口2041露出的导电垫202之间的距离，并且可以降低显示基板20的制造难度，提高第一有机绝缘层203的均一性，以提高显示基板20的良率。

示例性地，每个发光器件可以包括两个引脚，每个驱动芯片可以包括六个引脚，每个发光器件的两个引脚可以通过贯穿第一无机绝缘层204的两个第二开口2041，以及贯穿第一有机绝缘层203的一个第一子开口20311，以与两个第一导电垫2021电连接。

每个驱动芯片的六个引脚可以通过贯穿第一无机绝缘层204的六个第二开 口2041，以及贯穿第一有机绝缘层203的一个第二子开口20312，以与六个第二导电垫2022连接，从而通过驱动芯片控制发光器件发光。

可选地，如图4所示，多个导电垫202可以包括多个第一导电垫2021和多个第二导电垫2022，每两个第一导电垫2021构成一个第一导电垫组(图中未示出)，一个第一导电垫组用于与一个发光器件连接。每N个第二导电垫2022构成一个第二导电垫组(图中未示出)，一个第二导电垫组用于与一个驱动芯片连接。其中，N为大于等于2的正整数，示例性的，N为6。

第一开口2031可以包括第一子开口20311和第二子开口20312，第一子开口20311可以与至少三个相邻的第一导电垫组对应，第二子开口20312与一个第二导电垫组对应。需要说明的是，图4中的第一导电垫组和第二导电垫组的划分情况和图10中第一导电垫组和第二导电垫组的划分情况相同。

示例性地，多个发光器件可以包括用于发出蓝光的蓝色发光器件、用于发出绿光的绿色发光器件和用于发出红光的红色发光器件，每个发光器件可以包括两个引脚，每个发光器件的两个引脚可以通过贯穿第一无机绝缘层204的两个第二开口2041，三个发光器件的六个引脚可以贯穿第一有机绝缘层203的一个第一子开口20311，以与第一导电垫2021电连接。

每个驱动芯片可以包括六个引脚，每个驱动芯片的六个引脚可以通过贯穿第一无机绝缘层204的六个第二开口2041，以及贯穿第一有机绝缘层203的一个第二子开口20312，以与六个第二导电垫2022连接，从而通过驱动芯片控制发光器件发光。

可选地，如图4所示，相邻的第一子开口20311和第二子开口20312之间的距离的范围为20微米～100微米，也即是，第一导电垫组对应的第一子开口20311和第二导电垫组对应的第二子开口20312之间的距离L9可以大于20微米，以降低多个第一导电垫2021和多个第二导电垫2022之间的影响。

可选地，图11是本申请实施例提供的另一种显示基板20，请参考图11，显示基板20可以呈矩形，显示基板20具有相对的两个第一边缘s1和相对的两个第二边缘s2，显示基板20还可以包括位于第二边缘s2处的连接端子206和侧面走线(图中未示出)，连接端子206和侧面走线电连接。连接端子206可以位于显示基板20的第二边缘s2处且被第一有机绝缘层203和第一无机绝缘层204露出来的区域中。

多个第一开口2031中可以包括目标第一开口2032，目标第一开口2032和 第一边缘s1相邻，目标第一开口2032的边缘和位于第一边缘s1处的第一有机绝缘层203的边缘重合。显示基板20可以由显示基板母板切割得到，显示基板母板可以包括连接的多个显示基板20，对显示基板母板进行切割后，可以得到独立的显示基板20。在显示基板20的制造过程中，可以利用能量较高的激光对显示基板母板进行切割，以将显示基板母板切割为多个显示基板20。

在显示基板母板上具有切割区域，该切割区域也可以称作切割通道，该切割区域的边缘即为各个显示基板20上的第一有机绝缘层203的边缘。由于在利用激光沿着显示基板母板的切割区域对该显示基板母板进行切割时，显示基板20的边缘处的第一有机绝缘层203有可能受到激光高能量的影响，发生融合而产生碳化异物，导致显示基板的良率较低。因此，即就是，在显示基板母板的切割区域中，未覆盖第一有机绝缘层203。如此，可以避免对该显示基板母板进行切割时产生碳化异物。目标第一开口2032的边缘和位于第一边缘s1处的第一有机绝缘层203的边缘重合，即目标第一开口2032和切割通道可以连通，可以简化显示基板20的制造难度。

可选地，如图11所示，第一有机绝缘层203还具有第三开口2033，第三开口2033可以与第二边缘s2相邻。显示基板20的第二边缘s2处的显示基板20的侧面可以用于设置侧面走线，该侧面走线可以用于连接显示基板20的正面走线和背面走线，可以通过侧面走线将位于显示装置的显示面一侧的走线与设置在显示基板的非显示面一侧的电路板(例如柔性电路板)实现连接，以减小尺寸较小的显示装置的边框尺寸，降低相邻的尺寸较小的显示装置之间的间距。

第三开口2033与至少一个导电垫202对应，且第三开口2033在衬底基板201上的正投影的边缘至少部分位于对应的至少一个导电垫202在衬底基板201上的正投影外，第三开口2033的边缘和位于第二边缘s2处的第一有机绝缘层203的边缘之间具有第二预设距离L10。由于在显示基板20的制造过程中，正面走线和背面走线均可以使用曝光工艺制造，侧面走线可以使用激光刻蚀工艺制造，激光刻蚀侧面走线时能够产生大量的热量，本申请实施例通过第三开口2033的边缘和位于第二边缘s2处的第一有机绝缘层203的边缘之间具有第二预设距离，使得第三开口2033和第一有机绝缘层203的边缘之间具有第一有机绝缘层203上的部分结构，该部分结构可以称作挡墙207，挡墙207可以用于隔绝激光刻蚀侧面走线时带来的热量，以避免该热量对第三开口2033中的导电 垫202造成影响。

可选地，第二预设距离的范围可以为20微米～50微米，在此范围内，挡墙207的隔热效果较好。并且，第三开口2033与至少一个第二开口对应，至少一个第二开口在衬底基板201上的正投影位于对应的第三开口2033在衬底基板201上的正投影中，在此范围内，对第三开口2033在衬底基板201上的正投影的边缘和第二开口在衬底基板201上的正投影的边缘之间的距离的影响较小，可以避免第一无机绝缘层204露第一有机绝缘层203。示例性的，第三开口2033在衬底基板201上的正投影的边缘和对应的至少一个第二开口在衬底基板201上的正投影的边缘之间的最短距离可以大于10微米。

可选地，图12是本申请实施例提供的另一种显示基板20，请参考图12，显示基板20上还具有对位标记208，对位标记208用于在曝光形成显示基板20上的膜层的图案时进行曝光设备的对位。第一有机绝缘层203还可以具有第四开口2034，第四开口2034和对位标记208相邻，第四开口2034与一个导电垫202对应，且第四开口2034在衬底基板201上的位于对应的导电垫202在衬底基板201上的正投影中。第二开口(图12中未示出)和第四开口2034也可以一一对应，第二开口在衬底基板201上的正投影可以位于第四开口2034在衬底基板201上的正投影中。如此，可以使得第四开口2034的尺寸较小，可以避免第四开口2034对对位标记208造成影响。

示例性的，第四开口2034对应的导电垫202可以为第二导电垫2022，即为与驱动芯片连接的导电垫202。

可选地，图13是本申请实施例提供的另一种显示基板20，图14是图13所示的显示基板20沿C1-C2位置的截面结构示意图，请参考图13和图14。显示基板20还包括位于多个导电垫202和衬底基板201之间的第一走线图案209和第二绝缘层210，第一走线图案209和第二绝缘层210沿远离衬底基板201的方向层叠设置，第二绝缘层210上具有过孔2101，过孔2101在衬底基板201上的正投影和第一走线图案209在衬底基板201上的正投影至少部分重叠。

显示基板20还可以包括与多个导电垫202位于同层且电连接的第二走线图案213，第二走线图案213通过过孔2101与第一走线图案209电连接。显示基板还可以包括位于第一走线图案209和显示基板20之间的缓冲层，第一走线图案209包括多条第一信号线。第二有机绝缘层位于第一走线图案209远离衬底基板201的一侧。多个导电垫202和第二走线图案213位于第二有机绝缘层远 离衬底基板201的一侧，第二走线图案213包括多条第二信号线，可以理解的是，导电垫202和与其直接接触第二走线图案213可以为一体结构。在一些实施例中，导电垫202也可以与第一走线图案209为一体结构。

多条第二信号线可以包括沿第二方向f2延伸的多条数据信号线Dm、多条第一正极信号线Hm1、多条第二正极信号线Hm2、多条参考信号线Vm和多条扫描信号转接线。第二走线图案213包括多条扫描信号线Sn，扫描信号线Sn与扫描信号转接线电连接，扫描信号线Sn沿第一方向f1延伸。示例性地，在阵列排布的多个像素(例如每个像素包括沿第二方向f2排布的三个发光器件，以及用于向三个发光器件提供信号的驱动芯片)中，每一行像素与同一条扫描信号线Sn电连接，每一列像素与一条数据信号线Dm、一条参考信号线Vm、一条第一正极信号线Hm1和一条第二正极信号线Hm2电连接，以实现合理布线，通过多条信号线向像素传输相应的信号。

第一开口2031在衬底基板201上的正投影的边缘与过孔2101在衬底基板201上的正投影的边缘错开。可以具有以下两方面的效果，一方面，可以通过第一有机绝缘层203对过孔2101进行保护，另一方面，可以避免第一无机绝缘层204在过孔2101处的起伏程度过大，导致第一无机绝缘层204断裂。

示例性的，过孔2101在衬底基板201上的正投影的边缘和第一开口2031在衬底基板上的正投影的边缘的之间的最短距离大于或者等于10微米。

可选地，如图14所示，第二绝缘层210可以包括层叠设置的第四无机绝缘层2103、第二有机绝缘层2102和第三无机绝缘层2101，显示基板还可以包括位于第一有机绝缘层203朝向衬底基板201一侧的第二无机绝缘层211，该第二无机绝缘层211上可以具有和第一无机绝缘层204上的第二开口位置重叠的开口，第二无机绝缘层211和第一无机绝缘层204可以通过一次构图工艺形成。

显示基板还可以包括位于第一走线图案209朝向衬底基板201一侧的缓冲层212，以及位于衬底基板201背离缓冲层212一侧，且沿远离衬底基板201的方向层叠设置的第三走线图案214、走线保护层215和第五无机绝缘层216，第三走线图案214可以为连接侧面走线和显示基板背面的驱动控制装置的线路，走线保护层215的材料可以为氧化铟锡，以避免第三走线图案214被水汽侵蚀。衬底基板210和第五无机绝缘层216之间还可以包括背面标记217，该背面标记217可以用作对位标记。

综上所述，本申请实施例提供了一种包括衬底基板、多个导电垫、第一有 机绝缘层以及第一无机绝缘层的显示基板。其中，第一有机绝缘层具有与至少一个导电垫对应的第一开口，第二有机绝缘层具有与导电垫对应的第二开口，并且，至少一个导电垫在衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在衬底基板上的正投影内，第二开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内。如此，相较于相关技术中第一开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内的方案，本申请实施例中的第一开口的边缘和第二开口的边缘之间的距离较大，即就是可以增大第一有机绝缘层和第二开口露出的导电垫的焊盘区域之间的距离，以避免第一有机绝缘层对第二开口露出的导电垫的焊盘区域上的金属镀层造成影响，可以解决相关技术中显示基板的良率较低的问题，可以实现提升显示基板的良率的效果。

图15是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该方法可以制造上述实施例所提供的显示基板。如用于制备上述实施例中如图14所示的显示基板20，参考图15，该方法可以包括：

步骤301、获取衬底基板。

可选的，该衬底基板可以为柔性基板，该柔性基板可以采用柔性材料(如，聚酰亚胺PI材料)制成。或者，该衬底基板可以为玻璃基板。或者，该衬底基板可以为不透光的基板。

步骤302、在衬底基板的第一面上形成缓冲层。

在对衬底基板采用标准方法进行清洗以后，可以采用溅射沉积工艺(英文：Sputter)在衬底基板上形成缓冲层(buffer)。该缓冲层的厚度范围可以为1500埃～2600埃，其材料可以包括氧化硅(SiOx)或者氧化氮(SiNx)中的至少一种。

步骤303、在形成有缓冲层的衬底基板上形成第一走线图案。

可以采用溅射沉积工艺或者原子层沉积工艺(英文：Atomic Layer Deposition；简写：ALD)在缓冲层远离衬底基板的一侧形成第一金属材料薄膜，之后对该第一金属材料薄膜进行图案化处理，从而得到第一走线图案。该第一走线图案的厚度范围可以为2000埃～3000埃，其材料可以包括铜(Cu)和钼铌合金(MoNb)等金属中的至少一种。或者，第一走线图案可以为钼铌合金、铜和钼铌合金(MoNb/Cu/MoNb)的叠层结构。

图案化处理的工艺步骤可以包括清洗(Cleaning)、涂覆(Coating)、烘烤、 曝光(Photo)、显影、硬烤、刻蚀(Etch)、剥离等工艺流程中的至少部分工序。

步骤304、在形成有第一走线图案的衬底基板上形成第四无机绝缘层。

可以采用溅射沉积工艺(英文：Sputter)或者气相沉积工艺(英文：Chemical Vapor Deposition；简写：CVD)在衬底基板上形成第四无机绝缘层。该第四无机绝缘层的厚度范围可以为2200埃～2600埃，其材料可以包括氧化硅(SiOx)或者氧化氮(SiNx)中的至少一种。该第四无机绝缘层上具有第一过孔，该第一过孔在衬底基板上的正投影和第一走线图案在衬底基板上的正投影具有交叠。

步骤305、在形成有第四无机绝缘层的衬底基板上形成第二有机绝缘层。

可以通过涂覆(Coating)、曝光(Photo)、显影等工艺流程在第四无机绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二有机绝缘层，该第二有机绝缘层的厚度范围可以为3.5微米～7.5微米。该第二有机绝缘层上具有第二过孔，该第二过孔在衬底基板上的正投影和第一走线图案在衬底基板上的正投影具有交叠，且第二过孔可以和第一过孔连通。

可选地，第二有机绝缘层的材料可以包括有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、光学透明胶和聚酰胺中的至少一种。

步骤306、在形成有第二有机绝缘层的衬底基板上形成第三无机绝缘层。

可以采用溅射沉积工艺(英文：Sputter)或者气相沉积工艺(英文：Chemical Vapor Deposition；简写：CVD)在衬底基板上形成第三无机绝缘层。该第三无机绝缘层的厚度范围可以为1200埃～3300埃，其材料可以包括氧化硅(SiOx)或者氧化氮(SiNx)中的至少一种。该第三无机绝缘层上具有第三过孔，该第三过孔在衬底基板上的正投影和第一走线图案在衬底基板上的正投影具有交叠，且第三过孔可以和第一过孔以及第二过孔连通。

在一种可选地实施方式中，上述三个过孔的形成过程可以包括：可以先在第二有机绝缘层上形成第二过孔，再通过一次干刻工艺刻蚀掉第二过孔处的第三无机绝缘层和第四无机绝缘层，以通过一次刻蚀工艺形成第一过孔和第三过孔。

步骤307、在形成有第三无机绝缘层的衬底基板上形成多个导电垫和多个第二走线图案。

可以采用溅射沉积工艺或者原子层沉积工艺(英文：Atomic Layer Deposition；简写：ALD)在第三无机绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二金属 材料薄膜，之后对该第二金属材料薄膜进行图案化处理，从而得到第二走线图案和多个导电垫。该第一走线图案和导电垫的厚度范围可以为0.8微米～1微米，示例性的，第一走线图案和导电垫的厚度可以为0.9微米，其材料可以包括铜(Cu)和钼铌合金(MoNb)等金属中的至少一种。或者，第一走线图案和导电垫可以为钼铌合金、铜和钼铌合金(MoNb/Cu/MoNb)的叠层结构。

步骤308、在形成有多个导电垫和多个第二走线图案的衬底基板上形成第二无机绝缘层。

可以采用溅射沉积工艺(英文：Sputter)或者气相沉积工艺(英文：Chemical Vapor Deposition；简写：CVD)在衬底基板上形成第二无机绝缘层。该第二无机绝缘层的厚度范围可以为1200埃～2600埃，其材料可以包括氧化硅(SiOx)或者氧化氮(SiNx)中的至少一种。该第二无机绝缘层上具有第五开口，该第三开口可以贯穿第二无机绝缘层，且第五开口在衬底基板上的正投影位于导电垫在衬底基板上的正投影中。

步骤309、在形成有第二无机绝缘层的衬底基板上形成第一有机绝缘层。

可以通过涂覆(Coating)、曝光(Photo)、显影等工艺流程在第二无机绝缘层远离衬底基板的一侧形成第一有机绝缘层，该第一有机绝缘层的厚度范围可以为1.5微米～2.5微米。该第一有机绝缘层上具有第一开口，该第一开口可以贯穿第一有机绝缘层，且第一有机绝缘层可以对应至少一个导电垫，即就是至少一个导电垫在衬底基板上的正投影位于第一开口在衬底基板上的正投影中。并且，至少一个第三开口在衬底基板上的正投影位于第一开口在衬底基板上的正投影中。可选地，第一有机绝缘层的材料可以包括有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、光学透明胶和聚酰胺中的至少一种。

步骤310、在形成有第一有机绝缘层的衬底基板上形成第一无机绝缘薄膜。

可以采用溅射沉积工艺(英文：Sputter)或者气相沉积工艺(英文：Chemical Vapor Deposition；简写：CVD)在衬底基板上形成第一无机绝缘薄膜。该第一无机绝缘薄膜的厚度范围可以为1200埃～3300埃，其材料可以包括氧化硅(SiOx)或者氧化氮(SiNx)中的至少一种。该步骤中，第一无机绝缘薄膜可以整面覆盖位于第一无机绝缘薄膜下层的膜层结构。

可选地，在衬底基板上形成第一无机绝缘薄膜之后，可以对形成有进行第一无机绝缘薄膜的衬底基板进行切割，形成多个显示基板，然后对衬底基板上的多个焊盘区域(即导电垫被暴露出来的区域)进行化金工艺，以防止焊盘区 域被腐蚀氧化。

步骤311、在形成有第一无机绝缘薄膜的衬底基板的第二面上形成背面标记。

在显示基板的第一面上形成第一无机绝缘薄膜后，可以对显示基板进行第一次翻面，并通过涂覆、曝光、显影等工艺流程衬底基板的第二面上形成背面标记(OC Mark)。

步骤312、在形成有背面标记的衬底基板上形成第三走线图案。

可以采用溅射沉积工艺、清洗、涂覆、烘烤、曝光、显影、硬烤、刻蚀、剥离等工艺流程形成第三走线图案。该第三走线图案厚度范围可以为8000埃～9500埃，其材料可以包括铜(Cu)和钼铌合金(MoNb)等金属中的至少一种。或者，第三走线图案可以为钼铌合金、铜和钼铌合金(MoNb/Cu/MoNb)的叠层结构。

还可以在第三走线图案远离基板的一侧形成走线保护层，该走线保护层可以覆盖第三走线图案，以对第三走线图案进行保护，该走线保护层材料可以包括氧化铟锡(ITO)，走线保护层的厚度范围可以为500埃～600埃，示例性的，走线保护层的厚度可以为520埃。

步骤313、在形成有第三走线图案的衬底基板上形成第五无机绝缘层。

可以采用溅射沉积工艺(英文：Sputter)或者气相沉积工艺(英文：Chemical Vapor Deposition；简写：CVD)在衬底基板上形成第五无机绝缘层。该第五无机绝缘层的厚度范围可以为5000埃～6000埃，其材料可以包括氧化硅(SiOx)或者氧化氮(SiNx)中的至少一种。该第五无机绝缘层上具有第六开口，该第六开口在衬底基板上的正投影和第三走线图案在衬底基板上的正投影具有交叠。第三走线图案可以通过该第六开口和侧面走线以及柔性电路板等结构进行电连接。

步骤314、对第一无机绝缘薄膜进行刻蚀，以形成第一无机绝缘层。

在显示基板的第二面上形成第五无机绝缘层后，可以对显示基板进行第二次翻面，并通过干刻工艺形成第一无机绝缘层。

该第一无机绝缘层上具有第二开口，该第二开口衬底基板上的正投影位于导电垫在衬底基板上的正投影中，第一开口以及第五开口可以位于第二开口中。

在一种可选地实施方式中，上述三个开口的形成过程可以包括：可以先在第一有机绝缘层上形成第一开口，再通过一次干刻工艺刻蚀掉第二开口处的第 一无机绝缘层和第二无机绝缘层，以通过一次刻蚀工艺形成第二开口和第五开口。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示基板的制造方法，该显示基板包括衬底基板、多个导电垫、第一有机绝缘层以及第一无机绝缘层。其中，第一有机绝缘层具有与至少一个导电垫对应的第一开口，第二有机绝缘层具有与导电垫对应的第二开口，并且，至少一个导电垫在衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在衬底基板上的正投影内，第二开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内。如此，相较于相关技术中第一开口在衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在衬底基板上的正投影内的方案，本申请实施例中的第一开口的边缘和第二开口的边缘之间的距离较大，即就是可以增大第一有机绝缘层和第二开口露出的导电垫的焊盘区域之间的距离，以避免第一有机绝缘层对第二开口露出的导电垫的焊盘区域上的金属镀层造成影响，可以解决相关技术中显示基板的良率较低的问题，可以实现提升显示基板的良率的效果。

此外，本申请实施例还提供了一种显示装置，显示装置可以包括上述任一实施例中的显示基板。显示基板上的发光器件包括OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)、Mini LED(Mini Light-Emitting Diode，迷你发光二极管)、Micro LED(Micro Light-Emitting Diode，微型发光二极管)等。

采用迷你发光二极管或微型发光二极管作为发光器件，相较于传统LED，所占体积更小，颗粒更小，在同样的屏幕尺寸内，单位面积内光源密度更高且光源单位尺寸更小，因此能够对发光器件实现更为精密的局部控制，不会产生发光器件亮度不匀的问题，可以保证显示亮度的均匀度，从而保证显示装置的显示质量。

在一些实施例中，显示装置还包括集成电路芯片和柔性电路板。

示例性地，集成电路芯片被配置为与柔性电路板实现电气连接，通过集成电路芯片发出控制信号，再通过柔性电路板将驱动信号传输至侧面走线和连接端子。连接端子与第一走线图案中的多条第一信号线电连接，多条第一信号线可以通过第二走线图案和多个导电垫电连接，以将驱动信号传输至多个导电垫，多个导电垫再将该驱动信号传输至发光器件，以控制发光器件发光，使得显示 装置显示画面。

显示装置还可以包括驱动芯片。可以理解的是，第一走线图案中的多条第一信号线还可以与驱动芯片电连接，使得驱动芯片控制发光器件的发光亮度。具体地，可以是三个发光器件由一个驱动芯片驱动控制，也可以是4个、5个或者更多个发光器件由一个驱动芯片驱动控制，本申请实施例对此不进行限定。

在一种可选地实施方式中，显示装置可以包括多个上述任一实施例中的显示基板，且该显示装置中的多个显示基板阵列排布。

本申请中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。同理，“A、B和C的至少一种”表示可以存在七种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在C和B，同时存在A、B和C这七种情况。同理，“A、B、C和D的至少一种”表示可以存在十五种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，单独存在D，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在A和D，同时存在C和B，同时存在D和B，同时存在C和D，同时存在A、B和C，同时存在A、B和D，同时存在A、C和D，同时存在B、C和D，同时存在A、B、C和D，这十五种情况。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1. 一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

   衬底基板；

   多个导电垫，所述导电垫位于所述衬底基板上；

   第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层位于设置有所述导电垫的衬底基板上，所述第一有机绝缘层具有多个第一开口，所述第一开口与至少一个所述导电垫对应，且所述至少一个导电垫在所述衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在所述衬底基板上的正投影内；

   第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层位于所述第一有机绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述第一无机绝缘层具有多个第二开口，所述第二开口与所述导电垫对应，且所述第二开口在所述衬底基板上的正投影位于对应的导电垫在所述衬底基板上的正投影内。
2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括导电防氧化层，所述导电防氧化层位于设置有所述第一无机绝缘层的衬底基板上，所述导电防氧化层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二开口在所述衬底基板上的正投影中，且所述导电防氧化层覆盖所述导电垫中的焊盘区域远离所述衬底基板的表面，所述焊盘区域为所述导电垫在所述第二开口处露出的区域。
3. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻的两个所述导电垫之间的最短距离大于或者等于第一预设值，所述第一开口与一个所述导电垫对应。
4. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻的两个所述导电垫之间的最短距离小于第一预设值，所述第一开口与多个所述导电垫对应。
5. 根据权利要求3或者4任一所述的显示基板，其特征在于，所述第一预设值的范围为30微米～60微米。
6. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个导电垫包括多个第一导电垫和多个第二导电垫；

   每两个所述第一导电垫构成一个第一导电垫组，一个所述第一导电垫组用于与一个发光器件连接；

   每N个所述第二导电垫构成一个第二导电垫组，一个所述第二导电垫组用于与一个驱动芯片连接；

   所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口与一个所述第一导电垫组对应，所述第二子开口与一个所述第二导电垫组对应。
7. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个导电垫包括多个第一导电垫和多个第二导电垫；

   每两个所述第一导电垫构成一个第一导电垫组，一个所述第一导电垫组用于与一个发光器件连接；

   每N个所述第二导电垫构成一个第二导电垫组，每个所述第二导电垫组用于与一个驱动芯片连接；

   所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口与至少三个相邻的所述第一导电垫组对应，所述第二子开口与一个所述第二导电垫组对应。
8. 根据权利要求6或者7任一所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述第一子开口和所述第二子开口之间的距离的范围为20微米～100微米。
9. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一开口与至少一个所述第二开口对应，所述至少一个第二开口在所述衬底基板上的正投影位于对应的第一开口在所述衬底基板上的正投影中；

   所述第一开口在所述衬底基板上的正投影的边缘和至少一个第二开口在所述衬底基板上的正投影的边缘之间的最短距离的范围为20微米～80微米。
10. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板呈矩形，所述显示基板具有相对的两个第一边缘和相对的两个第二边缘；

    所述显示基板还包括位于所述第二边缘处的连接端子和侧面走线，所述连接端子和所述侧面走线电连接；

    所述多个第一开口中包括目标第一开口，所述目标第一开口和所述第一边 缘相邻，所述目标第一开口的边缘和位于所述第一边缘处的第一有机绝缘层的边缘重合。
11. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第一有机绝缘层还具有第三开口，所述第三开口与所述第二边缘相邻，所述第三开口与至少一个所述导电垫对应，且所述第三开口在所述衬底基板上的正投影的边缘至少部分位于对应的至少一个导电垫在所述衬底基板上的正投影外；

    所述第三开口的边缘和位于所述第二边缘处的第一有机绝缘层的边缘之间具有第二预设距离。
12. 根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第二预设距离的范围为20微米～50微米。
13. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板上还具有对位标记，所述第一有机绝缘层还具有第四开口，所述第四开口和所述对位标记相邻；

    所述第四开口与一个所述导电垫对应，且所述第四开口在所述衬底基板上的位于对应的导电垫在所述衬底基板上的正投影中。
14. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述多个导电垫和所述衬底基板之间的第一走线图案和第二绝缘层，所述第一走线图案和所述第二绝缘层沿远离所述衬底基板的方向层叠设置，所述第二绝缘层上具有过孔，所述过孔在所述衬底基板上的正投影和所述第一走线图案在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

    所述显示基板还包括与所述多个导电垫位于同层且电连接的第二走线图案，所述第二走线图案通过所述过孔与所述第一走线图案电连接；

    所述第一开口在所述衬底基板上的正投影的边缘与所述过孔在所述衬底基板上的正投影的边缘错开。
15. 一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至14中任一项所述的显示基板。

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